TWI358460B - Substrate support having brazed plates and resista - Google Patents

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TWI358460B
TWI358460B TW095130280A TW95130280A TWI358460B TW I358460 B TWI358460 B TW I358460B TW 095130280 A TW095130280 A TW 095130280A TW 95130280 A TW95130280 A TW 95130280A TW I358460 B TWI358460 B TW I358460B
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Lawrence Chung-Lai Lei
Gwo-Chun Tzu
Xiangxiong John Yuan
Michael S Jackson
Hymam Lam
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Applied Materials Inc
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Description

1358460 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明涉及-種用於將-基材支偉於一基材 基材支撐件。 【先前技術】 在製造電子電路及顯示器之過程中，半導胃 料及導電材料係形成於基材上（例如：半導體晶 或玻璃基材而該些材料例如係藉由化學 (CVD )、物理氣相沈積（PVD )、離子佈植氧 及其他製程而形成。之後，沈積的基材材料會被 成特徵結構，例如：閘極、孔洞、接觸孔及内連 製程一般係於處理室中進行，而其實例係描述於 給Kalyanam等人之美國專利第649 1 978號，此 文併入以作為參考。在此類製程中，基材係放置 樓件上並暴露於腔室之製程區域。支撐件通常包 器’以在製程中進一步調節基材之溫度。通常藉 電今耦。此源至製程氣體，或是耦合微波至製程 使電漿於製程區域中形成，A電漿係處理基材而 沈積或钮刻材料。 因為對於形成在基材上之層及特徵結構之尺 漸朝向 '為/、有較小尺寸’故基材上之溫度均—性 一致，並且基材上之可允許的溫度範園亦變窄。舉 在CVD製程中，基材表面之溫度變化會造成沈， 處理室之
、介電材 圓、陶瓷 I相沈積 化、氮化 蝕刻而形 線。這些 共同受讓 處將其全 在基材支 括一加熱 由感應或 氣體*而 在基材上 寸要求漸 必須更加 例來說， I 之 CVD 1358460 層具有多堪s 異之厚度；隨著沈積層變得較薄，因而對於此 種厚度變異之忍受範圍變得更小。相似的，在蝕刻製程中， 基上不同之钱刻速率會造成在基材上蝕刻之特徵結構具 有"同之 〆 * ° 形狀或尺寸。因此，期望基材支撐件可以減小基 .’一的&度變異’而此溫度變異可塑葙旦當。 _ ’ 〆’ 一厂· ·— ， · - 在製程當中’基材表面所需之更窄溫度範圍較難以習 知之支擇件來達成。習知之支撐件包括一由鋁、不鏽鋼或 陶堯所rV、i 成之吸座，而其具有基材承接面、多個真空端口 及淨化氣體或熱傳氣體導管，以及下方的支撐板。金屬座 *~|^· 之支撐板係焊接在一起，因此焊接對接接頭（butt J0 )係穿過板的表面而與相鄰之板接觸。於一實施例 中’電子束係聚焦至焊接對接接頭而將接頭焊接至鄰近的 板。然而’此種習知支撐件通常無法提供基材上所需之窄 範圍溫度’此乃因為設置於氣體及真空導管周圍之電子束 焊接對接接頭通常並不平順或是彼此之間並不呈現連續焊 接此成真空壓力或是淨化/熱傳氣體由該些接頭洩漏， 而造成基材上溫度的不均一分佈。在藉由焊接裝配之後， 通常會在板中導致局部應力產生，而在數個製程循環之後 造成支推件的彎曲或變形。板的彎曲造成各板之間產生間 隔’而該些板由於具有不同厚度或間隔，因而使得自上方 基材通過下方支撐板的熱傳速率並不平均。 習知支撐件之另一問題起因於其加熱器和真空端口之 配置。一般來說，單一真空端口係設置於支撐件表面以支 托住基材’而此係提供基材背側一非均勻或均勻之微弱真 6 1358460 空吸引壓力。因此，沿著支撐件的真空通道處之焊 的真空壓力洩漏所造成背側壓力的波動很有可能導 跳離開支撐件。另外，緊鄰於單—端口之過度吸力 製程中導致基材彎曲。未適當放置之基材可能會使 方支撐件具有不良接觸或具有一間隔之區域產多 異。具有未適當置放於支撐板之間的内建式電阻加 件之支撐件，可能會造成施加不均勻的熱至上方基 在基材上出現非對稱之處理情形。 【發明内容】 本發明係揭露一能夠使基材維持在均一、一致 窄之溫度的基材支撐件。本發明亦揭露支撐件具有 低製程中真空壓力損失、基材上非均勻之真空力以 之氣體洩漏的真空端口、氣體端口和導管。本發明 支撐件具有一能夠在製程當中施加均一熱負載至基 熱器。 【實施方式】 基材支撐件1 0 0之示範實施例包括一用以支撐 104的基材承接面（或是上表面）1〇2,其係概要繪示 1A及1B圖je基材支撐件1〇〇包括一台座1〇8， 1 08係由多個板j丨〇所組成例如：一頂板丨i 〇a、 板11 〇1>及_底板ll〇c。板110a~ 110c及其界面控 至基材104或自基材ι〇4傳送出之熱傳速率。頂板 t間板110b及底板u〇c係按照符合基材1〇4之尺 接接點 致基材 可能在 得與下 溫度變 熱器元 材，而 且範圍 能夠降 及接頭 更揭露 材的加 一基材 於「第 而台座 一中間 制傳送 110a、 寸而製 1358460
造之。舉例來說，於一實施例中，基材104為一半 圓，則頂板ll〇a為一具有正圓柱形之圓盤，且中間； 及底板 110c亦呈正圓柱形。本示範實施例之基材 1 00係利用頂板、中間板及底板11 0a~c來說明之， 其他熟悉此技術領域之人士亦可採用較多或少之板 另外，板 110a〜c 亦可包括非平面之橫向il (cross-plate)，舉例來說，板 110a〜c具有凹槽及 中未示）而可互相組配以形成單一的台座 108。因 發明不應限制於此處所描述之實施例。 台座1 0 8亦包括一周圍突出物1 1 4，其係延伸 承接面102之周圍，並用以承接一周邊環122，而 出物11 4係使得周邊環1 2 2下方所提供之氣體轉向 在基材104之周圍，進而控制使沈積於基材104的 域124進行。基材承接面102與周圍突出物114之 渡區域包括一室形邊角126，其係呈拱形而降低邊 漿環境中的腐钱敏感性（susceptibility)。環122之 常相較於承接在基材承接面102上的基材104之直 2〜1 0 %。氣體（例如氦氣、氮氣或反應性氣體）係 個氣體端口 128而提供至支撐件100的周圍突出物 周，而氣體端口 128的尾端係位於周圍突出物114 控制基材104於周邊區域124的沈積或處理速率。 說，可提供氣體以除去來自基材104周邊區域124 氣體，進而預防材料沈積在基材1 04的背側及邊緣 因為其他因素而提供氣體，例如：控制基材邊緣的 率而改善沈積品質。氣體端口 1 2 8係經由供應管線 導體晶 fe 110b 支撐件 但對於 數量。 I：接板 脊（圖 此，本 於基材 周圍突 而圍繞 周邊區 間的過 緣在電 直徑通 徑大約 透過多 114四 ，藉此 舉例來 的沈積 。亦可 沈積速 129、
1358460 稱排列。突出部134之數量、間隔、尺寸及整韹型 經選擇而降低基材承接面1〇2上的熱點。另外，突出 之咼度及間隔係由用於支撐基材1〇4而施加的真空 來判定’否則’突出部1 3 4之間的基材1 〇 4可能會 狀或碗狀。突出部134通常為圓柱狀 形狀’例如：凹狀、三角形或矩形。突出部134之 A度係經選擇而促進基材1〇4下方氣體的流動， 說，其可導引氣體至基材104下方的特定部位，适 真空吸引力而使基材104與支撐件1〇〇之間具有良 傳導性。於-實施例+，突出部134通常為圓柱形 基材承接面102上的突出部134係分散於網肜 凹陷溝槽150之間，而溝槽15〇係延伸進入基材承4 的上表面。一般來說，基材承接面1〇2的上表面台 央部位152以及一周圍部位156，其中，中央部位 位於基材104之中央區$ 154的下方，而周圍部也 位於基材1〇4的周圍部们58下方。例如於一實搞 凹陷溝槽150包括多個彼此分隔之放射狀臂164, 基材承接面102之中本邮你 Y兴位1 52放射狀往外延伸j 位156。在中央部位152,放射狀f 164之終端連招 形溝槽168，而溝槽168中含有一真空端〇…。置 168係位於高起之盤170周圍。透過真空端口 174 之真空壓力係藉由圓形溝槽168而分散進入放射取 置之臂164。在基材承接面1〇2的周圍部位156，滋 164之終端係連接於半圓形溝槽μ。舉例來說作 施例包括六個放射狀臂164，其係相隔約6〇。而㈣ 態係可 部1 34 吸引力 呈現杯 用其他 形狀及 舉例來 是調整 好之熱 〇 分佈之 面102 括一中 152係 156則 例中， 其係由 周圍部 於一圓 形溝槽 而提供 間隔設 射狀臂 示之實 在基材 10 1358460 或其混合物。鉬具有良好的熱傳導性及在非氧化環境抵抗 腐蝕之能力。加熱器導線將電力傳導至電阻加熱器190, 而導線可包括導體，例如鉬及鎳，其係通過支撐件100中 的通道。
電阻加熱器190可包括一個以上獨立控制之第一及第 二電阻加熱元件196a，b，其係成形而符合上方基材104的 形狀。於一實施例中，電阻加熱元件196a,b包括形成一同 心圓（圖中未示）圖案之導線，而導線覆蓋住一符合上方 基材104之形狀及尺寸的區域。於另一實施例中，電阻加 熱元件196a,b包括一網狀之導電電線（圖中未示），其係 實質延伸於整個基材104下方。
在另一實施例中，如「第4圖」所示，電阻加熱元件 196 a,b包括一圓柱狀之電阻電線192，其係捲繞而形成一 螺旋193並置入一中空管194中。管194接著填充電絕緣 體粉末1 9 5，例如：粉末狀之氧化鎂，而使捲繞之電線1 9 2 絕緣。含有電線1 92之管1 94係位於其中之一板11 0 (例 如頂板110a下側）的溝槽197中。更進一步發現在管194 與周圍的溝槽197之間或其周圍的間隔處填充粉末狀之熱 傳導填料199，會實質增進電阻加熱器190提供之溫度均 一性。相信若不填充熱傳導填料1 99，則管194無法與下 方或周圍之溝槽197的表面接觸或是適當接觸，而產生間 隔及空隙，其會造成電阻加熱元件 1 96a，b傳送至周圍板 110a之熱的極大變異。於一實施例中，熱傳導填料199包 括金屬，例如不鏽鋼顆粒《另外，具選擇性的，顆粒可包 括將不鏽鋼粉末與低熔點或熔化金屬（例如：鎳、銦、錫、 12 1358460
鉛等）混合，而使得顆粒在上述之硬銲熱處理 化，熱傳導填料199則包圍在位於板110a之溝 194周圍。 於一實施例中，可獨立控制之電阻加熱元 支撐件1 0 0不同部位之獨立加熱情況。舉例來 熱元件196a,b可以在支撐件100的板110a之中 和周圍部位156形成至少二個同心圓，如「第 示。於一實施例中，兩個可獨立控制之電阻加熱 係各自具有介於約2.5〜5歐姆（ohm)的電阻 提供頂板1 1 〇a的兩個同心區域之個別加熱條令 元件196a，b係連接不同之加熱器導線（圖中^ 線往下延伸通過台座1 〇 8而至外部電源供應器 示）。基材支撐件1〇〇亦可選擇性包括多個熱電 示），其尾端係接近基材104或觸碰基材104, 件100不同區域之溫度，並提供調整輸送至獨 之功率的基礎。 製造流程圖之示範實施例係示於「第3圖 程中，頂板、中間板、底板1 1 〇a~c係分別由金 包括：鋁、陽極處理鋁、不鏽鋼、鐵及市面可購 如："HAYNES 242"、"Al-606 1 "、"SS 304”、” 及INCONEL。於一實施例中，板1 10a~c係由不 藉由傳統之機械加工技術而對原料板進行機械 供所需之溝槽、突出部圖案、端口以及供應管髮 3圖」所示之流程圖。舉例來說，板11 0 a〜c係由 的不鏽鋼來進行機械加工而製成，而板11 〇a~c 13 中變軟或液 槽197的管 件196提供 說，電阻加 央部位1 5 2 1A圖」所 元件1 9 6 a, b ，而可用於 。。電阻加熱 L示），而導 (圖中亦未 耦（圖中未 以監控支撐 立加熱區域 」。於製造過 屬所製成， 得之合金， SS 316"以 鏽鋼製成， 加工，而提 良，例如「第 包含SS-316 亦包括作為 1358460 1〇4’因此支撐件100中會形成一個溫度梯度。而此 度會造成在基材處理過程中，支撐件1〇〇的不同板 具有不同溫度’因而在板110a〜c中產生熱應力，而 合件的彎曲。
本發明之組合件的硬銲結合層1〇6ab藉由降 板之間的熱傳界面之變化性而允許通過多個板 熱傳導係為均一的。在傳統的電子束焊接方法中， 的間隔會造成通過板之不均勻的熱傳速率，而此可 發明之構造而避免。相對的，硬銲結合層1〇6&，^提 鄰近板110a~c之間一個連續的平面層因而在板之 一連續的熱界面。連續的熱界面提供一同質之熱 質。在傳統之電子束焊接模式中，電子束對接接頭 周圍非接頭區域而提供較佳之熱傳速率，因而造 1〇4背側表面之熱傳梯度。相對的，本發明之硬銲 106a’b提供一具有均勻熱傳阻抗之薄片接合因而 均一之熱傳速率。 而另一優點是
由於硬銲結合層l〇6a，b提供 1 1 0 a〜c 程度。 之真空及氣體供應管線129、130、132較佳 因此，較少出現由於板ll〇a〜c之間的界面出 洩漏而導致真空壓力損失 氣體供應管線129、13〇、 在接合處的氣體洩漏，因 定性》 的現象。相似的，硬銲化 132周圍形成緊密密封， 而預防上方基材104的溫 根據本發明之基材支樓件 程規格，舉例來說，支持積體 1 0 0能夠符合漸趨嚴 電路與顯示器製造的 溫度梯 110a~c 導致组 低各個 丨a〜c 之 板之間 藉由本 供兩個 間呈現 傳導基 相較於 成基材 結合層 具有較 通過板 之密封 現真空 合物在 可降低 度不穩 謹之製 進展所 16
1358460 要求之基材104上沈積厚度均—性為約3% ( 種製程規格需要在基材表面上维持更均一之溫度分句 發明之支撲件1〇〇藉由提供與基材1〇4較少之接觸面 並使基材1〇4與支撐件1〇〇的基材承接面1〇2之間具 間隔’而在此㈣容設有—熱傳㈣作為熱缓衝物: 更均一之基材溫度，進而提供較佳的溫度均一性以及 控制。由電阻加熱器19〇之不均勾溫度或是由電阻加 190至周圍結構的不一致熱傳導情形所造成之局部熱 冷點，可藉由上述之熱緩衝物而變得均勻。本發明允 材1 04以幾近平坦的熱分佈情形而加熱。另外，電阻 器190具有5又置於兩個區域（包括放射狀分佈之内部 外部區）之雙重電阻加熱元件j 96a，b ’藉由個別.控制 區域允許來自第一及第二電阻加熱元件196ab的熱 被分別地調整，而進一步補償基材104上的溫度變異 另外’基材承接面1〇2上方之凹陷部138以及凹 真空溝槽1 50的網狀分佈亦協助維持基材丨〇4上良好 77佈’其係藉由保證透過真空端口 174施加之真空力 句分佈在基材104之背側。真空端口 174之終端連接 形溝槽178’其允許真空壓力或真空之傳送透過溝槽 的圖樣而遍及基材1 〇 4之整個背側。於一實施例中， 150之圖樣包括間隔設置之網狀分佈溝槽150,其係起 包含有真空端口 174之中央部位152的内部圓形 1 68 ’並沿著基材1 04而放射狀延伸，而其終端則連接 揮件100之周圍部位156的半圓形溝槽178。真空溝槽 之網狀刀佈提供抓持基材104的均一真空力，以預防 '而此 » °本 ，積， 有一 提供 溫度 熱器 點或 許基 加熱 區與 兩個 可以 〇 陷之 的熱 可均 於圓 150 溝槽 始於 溝槽 於支 150 基材 17 1358460
1〇4於製程當中滑落或跳離開。再者，由於基材104 ’、整個背側表面均一分佈的吸力而抓持住因此基封 、支撐件100的基材承接面1〇2之間有更均勻之熱接 在基材104與支撐件1〇〇之間提供較佳的熱傳導， 使得基材104上的溫度更為一致。 更有促進置放於支撐件100上之基材104的溫度 之另#徵結構’亦即由基材承接面102上方之凹 138往上延伸的多個突出部134。突出部134提供與 104接觸並支推基材1〇4的實際接觸表面因而提供 於基材承接面102凹陷部138之非接觸區的可控接觸 而與基材104實際接觸。於一實施例中，突出部134 目為約10〜約1000個，或甚至為約2〇〜1〇〇個並 0.05〜0·5英吋的直徑，或是甚至為〇1〇英吋。於一 例中，突出部1 3 4和密封邊緣丨3 3具有例如為約2 〇 , 微米的表面平坦度，以及約4〜2〇微英吋的表面光 (surface finish)，以提供與上方基材1〇4之底表面均 熱接觸界面》當基材104具有變異之平坦度或是彎曲 形，而使得無法被支撐件1 〇〇以一致的力量往下抓持 此時突出部134顯得格外重要。當基材1〇4蠻曲，突 134與網狀分佈之溝槽150以及凹陷部138的組合允 基材1 〇 4背側以一足夠之力量而往下抓持，而使基材 平坦並托持住基材1 04 » 突出部134之間的凹陷部138具有一相對於突 134上表面之择觸區域的一深度，因此在基材1〇4底 凹陷部1 3 8之間提供一具間隔之區域。亦發現凹陷部 係以 104 觸， 因而 均一 陷部 基材 相對 區’ 之數 具有 實施 -100 潔度 一的 或變 ，則 出部 許在 104 出部 部與 138 18 1358460 'Λ 本發明係參照該些較佳實施例而說明如上，而熟悉此 技術領域之人士應可輕易從此獲知其他之變異實施例。舉 例來說，支撐件1 〇〇與其結合層1 06a,b之其他斷面配置及 排列應為熟悉此技術領域知人士根據本發明而可輕易得 知。本發明之支撐件 100可應用於多種腔室中，包括： CVD、PVD、離子佈植、RTD，或是其他腔室。因此，本 發明之申請專利範圍之精神及範圍不應限制於說明書中所 揭露之較佳實施例。
【圖式簡單說明】 本發明之特徵、實施例及優點可由上述說明、以及下 方之附圖和實施例而更加瞭解，其中附圖係繪示本發明之 實例。然而，應瞭解本發明所能採用之特徵結構並非僅限 於特定圖式之内容，應包括這些特徵之組合。
第1A圖，繪示支撐件之側面剖視圖，其令組合板係 利用硬銲組接，而基材承接面具有真空溝槽及接觸突出部； 第1B圖，繪示第1A圖所示之支撐件的上視圖，顯示 位於支撐件上表面的真空溝槽及突出部之分佈圖樣； 第2圖，繪示第1A圖所示之支撐件的分解視圖，顯 示在組合之前的三個板； 第3圖，繪示製造該支撐組件的步驟流程圖； 第4圖，繪示兩個硬銲板之概要透視圖，其具有包括 電阻加熱元件之電阻加熱器，而電阻加熱元件位於填充有 電絕緣體之.管中，且管與位於板上而圍繞管的溝槽之間亦 具有熱傳導粉末。 ζ S ) 20 1358460
【主要元件符號說明】 100 支撐件 102 基材承接面/上表面 1 04 基材 106a 第一硬銲結合層 106b 第二硬銲結合層 108 台座 1 1 0 ( ] 1 0 a ' 110b' 110c) 板11 4 固囹Φ屮物 122 (周邊）環 124 周邊區域 126 邊角 128 氣體端口 129(129a 供應管線 1 30(1 30a〜c)供應管線 132(132a ~b)供應管線 133 密封邊緣 134 突出部 135 台階 138 凹陷部 150 溝槽 152 中央部位 154 中央區域 156 周圍部位 158 周圍部位 164 臂 168 溝槽 170 盤 174 真空端口 178 溝槽 179 升舉孔 180 新月形部位 190 電阻加熱器 192 電阻電線 193 螺旋 194 (中空）管 195 電絕緣體粉末 1 96(1 9 6a〜b)電阻加熱元件 197 溝槽 199 熱傳導填料 21

Claims (1)

  1. 城F f月修(災)正本 第％ 15 0 號專利案(1月修正 1358460 y 十、申請專利範圍： 1. 一種基材支撐件，包括： (a)由金屬製成之一頂板，包括： (1) 多個頂部供應管線； . (2) 一上表面，該上表面包括： (i) 多個往外突出之突出部，係分佈在一凹陷部 之間； (ii) 網狀分佈之多個凹陷溝槽： (iii) 一真空端口，該真空端口之終端連接於該些 凹陷溝槽，並連接至一頂部供應管線；以及 (iv) 多個氣體端口，係連接至其他頂部供應管 線； (3) 一下表面，’該下表面包括： (i) 一溝槽；
    (ii) 一電阻加熱器，係位於該溝槽内，該電阻加 熱器包括一第一電阻加熱元件，其設置在該 金屬頂板之一周圍部位的周圍；以及一第二 電阻加熱元件，其設置在該金屬頂板之一中 央部位的周圍，電阻加熱元件之每一者係位 於由一電絕緣體粉末所包覆之一管中。 (iii) 一熱傳導填料，包覆該電阻加熱器並充填於 該電阻加熱器和該溝槽間之間隔中； (b)由金屬製成之一中間板，包括多個中間供應管線，該 22 1358460
    些中間供應管線與該頂板之該些頂部供應管線排 一直線，該中間板藉由包括一金屬合金之一第一硬 結合層而與該頂板接合；以及 (C)由金屬製成之一底板，包括多個底部供應管線，該 底部供應管線與該中間板之該些中間供應管線排 一直線，該底板藉由一第二硬銲結合層而與該中間 接合，該第二硬I?·結合層包括一金屬合金，且其中 該等頂部供應管線、中間供應管線及底部供應管線 周緣處加以密封。 2.如申請專利範圍第1項所述之基材支撐件，其中該第 或第二硬銲結合層包括一硬銲化合物，該硬銲化合物 括鋁、銅、銦、鉛、鎂、鎳、錫、矽及其合金至少其 — 〇 3.如申請專利範圍第1項所述之基材支撐件，其中該上 面包括一中央部位以及一周圍部位，該些凹陷溝槽包 分隔設置之多個臂，該些臂係起始於包含該真空端口 該中央部位的一圓形溝槽，並放射狀地延伸跨過一 材，而該些臂之終端連接於該周圍部位的半圓形溝槽 4.如申請專利範圍第1項所述之基材支撐件，其中該些 出部係實質為圓柱形。 成 銲 些 成 板 在 的
    包 中 表 括 之 基 〇 突 23 1358460 5.如申請專利範圍第4項所述之基材支撐件，其中係包括 約10〜約1000個該些突出部。 6.如申請專利範圍第1項所述之基材支撐件，其中在該些 突出部之周圍更包括一密封邊緣。
    7.如申請專利範圍第6項所述之基材支撐件，其中該些突 出部及該密封邊緣具有一約20〜約100微米之表面平 坦度。 8.如申請專利範圍第1項所述之基材支撐件，其中該凹陷 部包括一約2〜約80微米之表面粗糙度。 9.如申請專利範圍第1項所述之基材支撐件，其中該凹陷 部自該些突出部之一上表面算起的一深度為約 25〜
    10. 如申請專利範圍第1項所述之基材支撐件，其中該第一 及第二電阻加熱元件各自包括二個同心線圈 (concentric loop) ° 11. 如申請專利範圍第10項所述之基材支撐件，其中各該 24 1358460 電阻加熱元件係呈一螺旋線圈狀。 12.如申請專利範圍第1項所述之基材支撐件，其中該金屬 頂板包括z (a) —凹陷部，包括一約2〜約80微米之表面粗糙度； 及
    (b) 一密封邊緣，環繞該凹陷部，該些突出部及該密 封邊緣之每一者具有一約20〜約100微米之表面 平坦度。 13.如申請專利範圍第1項所述之基材支撐件，其中該金屬 頂板、中間板和底板之任一者包括不銹鋼。 14. 一種形成一基材支撐件之方法，該方法包括：
    (a) 形成一包括一上表面之頂板，該上表面具有由一 凹陷部延伸且往外突出的多個突出部，該凹陷部 位於網狀分佈之多個凹陷溝槽之間，且具有多個 頂部供應管線，該些多個頂部供應管線之終端連 接於一真空端口以及多個氣體端口； (b) 形成一中間板，該中間板包括多個中間供應管線； (c) 形成一底板，該底板包括多個底部供應管線； (d) 在該頂板之該下表面形成一溝槽，以容設一電阻 加熱器，並將一電阻加熱器置放入該溝槽中； 25 1358460
    (e) 施加一硬銲化合物至該頂板、該中間板以及該 板之至少二表面； (f) 將該頂板、該中間板以及該底板排成一直線而 成一组合件，則該些頂部供應管線、該些中間 應管線及該些底部供應管線係彼此排成一直線； (g) 加熱該組合件至該硬銲化合物之一溶化溫度； 及 (h) 冷卻該組合件，以在該頂板、該中間板以及該 板之間形成硬銲·接合。 15.如申請專利範圍第14項所述之方法，其中包括施加 具有一熔化溫度低於該頂板、該中間板以及該底板之 點的一硬銲化合物。 16.如申請專利範圍第14項所述之方法，其中該硬銲化 物包括鋁、銅、銦、鉛、鎂、鎳、錫、矽及其合金至 17.如申請專利範圍第14項所述之方法，其中包括形成 個凹陷溝槽，該些凹陷溝槽包括分隔設置之多個臂， 些臂係由該頂板之一中央部位放射狀地延伸至該頂 的一周圍部位。 底 形 供 以 底
    溶 合 少 多 該 板 26 1358460 18. 如申請專利範圍第14項所述之方法，其中包括形成多 個為圓柱體之突出部。 19. 一種基材支撐件，包括： 一金屬板，包括： (a) 一上表面，包括具有一約2〜約80微米之表面粗 糙度的一凹陷部；
    (b) 多個突出部，該些突出部分佈於該凹陷部，且一 密封邊緣係圍繞該凹陷部，該些突出部與該密封 邊緣各具有一約2 0〜約1 0 0微米之表面平坦度， 以及一約4〜約2 0微英吋之表面光潔度。 (c) 網狀分佈之多個凹陷溝槽，該些凹陷溝槽係位於 該頂板上；以及 (c) 通過該金屬板之多個供應管線，該些供應管線係 連接至位於該頂板上之一真空端口以及多個氣體 端口，而該真空端口之終端連接於一凹陷溝槽。
    20.如申請專利範圍第19項所述之基材支撐件，其中更包 括： i. 一中間板，該中間板包括多個中間供應管 線，該些中間供應管線係與該金屬板之該些供應管 線排成一直線，該申間板藉由一第一硬銲結合層而 與該金屬板接合；以及 27 1358460 ϋ. 一底板，包括多個底部供應管線，該些底部 供應管線係與該中間板之該些中間供應管線排成 一直線，該中間板藉由一第二硬銲結合層而與該中 間板接合。 21.如申請專利範圍第20項所述之基材支撐件，其中該第 一或第二硬銲結合層包括一硬銲化合物，該硬銲化合物包 括鋁、銅、銦、鉛、鎂、鎳、錫、矽及其合金至少其中之
    22.如申請專利範圍第19項所述之基材支撐件，其中該上 表面包括一中央部位以及一周圍部位，該些凹陷溝槽包括 分隔設置之多個溝槽，該些溝槽係起始於包含該真空端口 之該中央部位的一圓形溝槽，並放射狀地延伸跨過一基 材，而該些溝槽之終端連接於該周圍部位的半圓形溝槽。
    23.如申請專利範圍第19項所述之基材支撐件，其中該些 突出部係為實質圓柱形，而該些突出部之數量係介於約10 〜約1000個。 24.如申請專利範圍第19項所述之基材支撐件，其中該金 屬板包括不鏽鋼。 28 1358460 25. 如申請專利範圍第19項所述之基材支撐件，其中該凹 陷部自該些突出部之一上表面算起的一深度為約 25〜約 250微米。 26. 如申請專利範圍第19項所述之基材支撐件，其中該金 屬板之一下表面的一溝槽内更包括一電阻加熱器，該電阻 加熱器包括位於該金屬板之一周圍部位的周圍之一第一電 阻加熱元件，以及位於該金屬板之一中央部位的周圍之一
    第二電阻加熱器。 2 7.如申請專利範圍第26項所述之基材支撐件，其中該第 一及第二電阻加熱元件各自包括二個同心線圈。 28.如申請專利範圍第26項所述之基材支撐件，其中各該 電阻加熱元件係包括一螺旋線圈，且該螺旋線圈包覆有一 電絕緣體粉末而位於一管中。
    2 9.如申請專利範圍第28項所述之基材支撐件，其中該管 係被該金屬板之上側的一溝槽内之一熱傳導填料所包覆 住。 30.—種基材支撐件，包括： (a) —金屬板，包括： 29 1358460 (i) 一上表面，包括一凹陷部、分佈於該凹陷部之多 個突出部、圍繞該凹陷部之一密封邊緣，以及網 狀分佈之多個凹陷溝槽； (ii) 通過該金屬板之多個供應管線，該些供應管線連 接至位於該上表面之一真空端口以及多個氣體 端口，該真空端口之終端連接於一凹陷溝槽；以 及
    (iii) 一下表面，該下表面内具有一或更多個溝槽； 以及 (b)—電阻加熱器，位於該金屬板之該下表面的一溝槽 内，該電阻加熱器包括位於該金屬板之一周圍部位的周 圍之一第一電阻加熱元件，以及位於該金屬板之一中央 部位的周圍之一第二電阻加熱器，各個該電阻加熱元件 係包覆有一電絕緣體粉末而位於一管中。
    3 1.如申請專利範圍第30項所述之基材支撐件，該第一及 第二電阻加熱元件各包括二個同心線圈，該些線圈係呈螺 旋線圈狀。 32. 如申請專利範圍第30項所述之基材支撐件，其中該管 係被一熱傳導填料所包覆住。 33. 如申請專利範圍第30項所述之基材支撐件，其中更包 30 1358460 括： (1) 一中間板，該中間板包括多個中間供應管線，該些 中間供應管線係與該金屬板之該些供應管線排成一直 線，該t間板藉由一第一硬銲結合層而與該金屬板接 合；以及 (2) —底板，包括多個底部供應管線，該些底部供應管 線係與該中間板之該些中間供應管線排成一直線，該底 板藉由一第二硬銲結合層而與該中間板接合。
    3 4.如申請專利範圍第33項所述之基材支撐件，其中該第 一或第二硬銲結合層包括一硬銲化合物，該硬銲化合物包 括鋁、銅、銦、鉛、鎂、鎳、錫、矽及其合金至少其中之
    35.如申請專利範圍第30項所述之基材支撐件，其中該上 表面包括一中央部位以及一周圍部位，該些凹陷溝槽包括 分隔設置之多個溝槽，該些溝槽係起始於包含該真空端口 之該中央部位的一圓形溝槽，並放射狀地延伸跨過一基 材，而該些溝槽之終端連接於該周圍部位的半圓形溝槽。 36.如申請專利範圍第30項所述之基材支撐件，其中該些 突出部之周圍更包括一密封邊緣，該些突出部與該密封邊 緣具有一約2 0〜約1 0 0微米之表面平坦度，以及一約4〜 31 1358460 約20微英吋之表面光潔度。 37.如申請專利範圍第30項所述之基材支撐件，其中位於 該些突出部之間的該凹陷部具有一約2〜約80微米之表面 叙絵度。
    38.如申請專利範圍第30項所述之基材支撐件，其中該凹 陷部自該些突出部之一上表面算起的一深度為約 25〜約 250微米。
    32
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