TWI352231B - Transflective liquid crystal display panel and fab - Google Patents

Description

1352231 94670 18930twf.doc/n 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於一種顯示面板及其製造方法，且特別 是有關於一種半穿透半反射液晶顯示面板及其製造方法。 【先前技術】 隨者液晶顯示的普及化，許多可穩式電子彦品對於 液晶顯不的顯不功能的要求也逐漸地提jfj。舉例而言，

這些可攜式電子產品在室内不僅需要具有良好的晝面顯示 效果’同時在強光的環境下亦需維持適當的畫面品質。因 此，如何Sb讓液晶顯示器在強光的環境下保有清晰的顯示 品質，便成為了液晶顯示器之技術發展的重要趨勢之一。 基於上述原因，習知技術發展出一種半穿透半反射式液晶 顯示盗（transflectiveLCD)，使用此半穿透半反射式液晶 顯不器在戶外明亮環境下與在室内環境下同樣具有清晰的 顯示效果。

/更詳細而言，習知半穿透半反射式液晶顯示面板通常 採用雙重晶穴間距（cell gap)之設計，以使得穿透區域與 反射區域皆具有良好的顯示品質。然而，具有雙重晶穴間 距之半牙透半反射式液日日日顯示面板在製作上通常較為複 晝料元在穿賴域與簡輯之_交界地帶 不佳的問題。因此，仍有需要開發出-種具 距之半穿透半反射式液晶顯示面板。 液具有單—晶穴間距之半穿透半反射式 液曰曰‘4不面板的剖關，而圖1B繪示圖1A之晝素單元的 6 1352231 94670 18930twf.doc/n 示意圖。請同時參考圖1A與圖IB，習知半穿透半反射式 液晶顯示面板100包括一薄膜電晶體陣列基板11〇〇、一彩 色遽光基板1300與一液晶層1200’其中液晶層1200配置 於薄膜電晶體陣列基板1100與彩色濾光基板1300之間。 此外’彩色濾光基板1300包括一基板1310、一彩色壚光 膜1320、一共用電極層1330與一配向膜1340，其中彩色 濾光膜1320配置於基板1310上，而共用電極層1330配置 於彩色渡光膜1320上，且配向膜1340配置於共用電極層 1330 上。 薄膜電晶體陣列基板1100包括一基板1110、多條掃 聪配線1120、多條資料配線Π30、多個畫素單元與一配向 膜1150，其中這些掃瞄配線112〇、資料配線U3〇與畫素 單元配置於基板1110上，且配向膜1150配置於基板111〇 上’並覆蓋這些掃瞄配線1120、資料配線1130與晝素單 元。更詳細而言，每一晝素單元包括一薄膜電晶體1142、 一透明晝素電極1144a、一反射晝素電極1144b與介電層 1146’其中薄膜電晶體1142與對應之掃瞄配線1120與資 料配線1130電性連接。反射畫素電極n44b與透明晝素電 極1144a配置於介電層1146上。此外，反射晝素電極1144b 與透明晝素電極1144a相連，而透明畫素電極1144a與薄 膜電晶體1142電性連接。另外，配向膜1150覆蓋反射晝 素電極1144b與透明晝素電極1144a。 背光光源所發出的光線10a依序經由基板1110、透明 晝素電極1144a、液晶層12〇〇與共用電極1330，然後由基 7 94670 18930twf.doc/n 板1310出射。此外，剪置光源或外界環境的光線i〇b也可 以依序經由基板1310、共用電極1330與液晶層1200入射 至反射晝素電極1144b。然後，由反射晝素電極1144b所 反射的光線10b再依序經由液晶層1200與共用電極1330 而自基板1310出射。 圖2繪示習知具有單一晶穴間距之半穿透半反射式液 晶顯示面板之驅動電壓與亮度百分比的關係曲線圖。請同 時參考圖1A與圖2，由於畫素單元具有透明畫素電極 1144a與反射晝素電極U44b，因此習知半穿透半反射式液 晶顯示面板100會具有穿透區驅動電壓_亮度百分比曲線 (transmissive V-T curve)T以及反射區驅動電壓-亮度百分 比曲線(reflective V-T curve)R，其中亮度百分比為該亮度 值與該反射或穿透區最大亮度值的百分比。然而，在相同 的驅動電壓之下’穿透區驅動電壓_亮度百分比曲線T與反 射區驅動電壓-亮度百分比曲線R所對應之亮度百分比並 不相同。再者’穿透區達到最大亮度所需的驅動電壓％ 與反射區達到最大亮度所需_動電壓％並不相同。甚 至’由於穿透區液晶層的光程（〇ptical path)是反射區液 明層的光_左右，因此當穿透區所呈現的亮度百分 tU逢著驅動電壓的增加而達到最大值時，反賴所呈現的 允度百分以卩已過最大麵妓驅動電壓的增㈣呈現遞 減的現象。 為解決上述問題，目前已發展出 一種技術，其是藉由 改變反射區的液晶串聯電容狀態來調低原本以—驅動電壓 1352231 94670 18930twf.doc/n 與共用電極層之間的電㈣，此時 V因ί Γ度所需的驅動電壓將大於圖2所示之 I1可^適當地決定反射區的液晶串聯電容狀態， 達到最大大亮度所需的驅動電壓近似於穿透區 違到取大冗度所需的驅動電壓，如圖3所示。 …反射區達到最大亮度所需之驅動電壓的 面反射區的所需啟始驅動電·越 ^ ag古之升^且此—啟始電壓的變化量與達到 最大冗度所$之驅動電壓的變化量並不相同。也就是說， 習=此-技術並無法使反射區的啟始電壓及達到最大亮度 所需之驅動電壓同時近似於穿透區的啟始電壓及達到最大 亮度所需之驅動電壓(如圖三所示），導致半穿透半反射液 晶顯示面板在穿透態與反射態的光學表現無法同時達到驅 動控制上的最佳化。 【發明内容】 本發明之目的是提供—種半穿透半反射液晶顯示面 板，以解決反射區與穿透區在亮態與暗態驅動特性不一致 的問題。 -本發明的另-目的是提供一種半穿透半反射液晶顯 不面板的製造方法’以製作出可在穿透態與反射態同時達 到所需光學表現的半穿透半反射液晶顯示面板。 為達上述或是其他目的，本發明提出一種半穿透半反 射液晶顯示面板，其包祛對向基板、主動元件陣列基板與 液晶層。其中，對向基板具有一共用電極層，主動^件陣 9 1352231 94670 18930twf.doc/n 列基板即是面向此共用電極層而配置於對向基板下方。而 且，主動元件陣列基板包括多條掃瞄配線、多條資料配 與多個晝素單元。 、 — 承上述，每一畫素單元均具有一穿透區與一反射區， .· 且各晝素單元包括主動元件、反射畫素電極與透明晝素電 • 極。主動元件與對應之掃瞄配線及資料配線電性連&'，、反 射畫素電極位於反射區内，並與主動元件電性連接。透明 _ 晝素電極則是位於穿透區内’並與主動元件電性連接。此 外，液晶層係由多個液晶分子所構成，並配置於主動元件 陣列基板與該對向基板之間。而且，位於反射晝素電極上 方的液晶分子具有一第一預傾角。 在本發明之一實施例中，上述半穿透半反射液晶顯示 面板更包括-介電層，位於穿透區與反射區内，並覆蓋住 反射晝素電極。透明晝素電極則係配置於此介電層上。 本發明提出一種半穿透半反射液晶顯示面板，其包括 對向基板、主動元件陣列基板與液晶層。 • 料—共用電極層，主動元件陣列基板即是面向S3 ㈣而配置於對向基板下方。而且’主動元件陣列基板包 括多條掃瞄配線、多條資料配線與多個畫素單元。 =上，，每一晝素單元均具有一穿透區與一反射區， 且各晝素單元包括主動元件、凸塊化金屬 反射晝素電極、第二介電層與透明晝素動 兀件與對應之掃目苗配線及資料配線電性連接，凸塊化金屬 層位於反射區内，第一介電層則共形地配置於凸塊化金屬 1352231 94670 18930twf.doc/n ^。反射畫素電極共形地配置於第—介電層上，並電性 内，件。第二介電層則是位於穿透區與反射區 並覆盍反射晝素電極。透明晝素電極是配置於穿透區 的第二介電層上，並與主動元件電性連接。此外，液: ⑼分子所構成’並配置於主動元件陣列基： 之間。而且，位於反射畫素電極上方的液晶 刀子具有一弟一預傾角。 透實施例中上述之反射晝素電極例如是 透過上述透明畫素電極而與主動元件電性連接。 透明ίίΓ之—實施例中，上述反射畫素電極例如是與 透明晝素電極有部分重疊。 本發明提出-種半穿透半反射液晶顯示面板，並包括 2基板、主動元件陣列基板與液晶層。其中，對向基板 一共用電極層，主動元件陣列基板即是面向此共用電 =配置於對向基板下方。而且，主動元件陣列基板包 括多條掃瞄配線、多條資料配線與多個晝素單元。 =士述，每一晝素單元均具有一穿透區與一反射區， 早元包括主動元件、金屬層、介電層反射晝素 明晝素電極。主動元件與對應之掃瞄配線及資料 配線電=連接’金屬層位於反射區内，並與主麻件電性 連接〃電層則制4於穿透區與反射區0，並覆蓋此金屬 層。反射晝素電極係配置於反射 y成-電容。透明晝素電極則是配置於穿透區;^ J電層上’並與主動元件電性連接。此外，液晶層係由多 11 1352231 94670 18930twf.doc/n 個液晶分子所構成，並配置於主動元件陣列基板與該對向 基板之間。而且，位於反射晝素電極上方的液晶分子具有 一第一預傾角。 在本發明之一實施例中，上述之金屬層例如是透過上 述透明晝素電極而與主動元件電性連接。 •在本發明之一實施例中，位於透明晝素電極上方之液 B曰分子具有一弟一預傾角，且此第二預傾角小於上述第一 預傾角。 _ 纟本發明之-實施射’上述之半穿透半反射式液晶 顯示面板更包括多個聚合物分子，其係位於液晶層中。 在本發明之一實施例中，構成上述液晶層的液晶分子 例如是向列型(nematic)液晶分子。 在本發明之一實施例中，上述之反射晝素電極例如是 具有凸塊化表面。 在本發明之一實施例中，上述主動元件陣列基板與對 向基板之間例如是維持為單一晶穴間距(cell gap)。 • 本發明還提出一種半穿透半反射液晶顯示面板的製 4方法·，其疋先提供上述之主動元件陣列基板，然後將一 對相基板配置於主動元件陣列基板的上方。其中，對向基 . 板具有面向此主動元件陣列基板之一共用電極層。接著， 在主動元件陣列基板與對向基板之間形成一液晶層，此液 晶層係由多個液晶分子所組成，並掺有多個單體(m〇n〇mer) 分子。之後，施加第一電壓至反射畫素電極，以使位於反 射區内之液晶分子具有一第一預傾角，再對反射區内的單 12 1352231 94670 18930twf.doc/n 體分子進行曝光，以使這些單體分子轉換為聚合物分子。 在本發明之一實施例中，於形成上述液晶層之後，更 可以施加一第二電壓至透明畫素電極，以使位於透明區内 的液晶分子具有一第二預傾角。其中，施加至透明晝素電 極的弟一電壓小於上述施加至反射晝素電極的第一電壓。 之後，再對穿透區内的單體分子進行♦光，以使其轉變為 聚合物分子。 在本發明之一實施例中’上述對單體分子進行曝光的 過程中，例如是以紫外光為曝光光線。 本發明係在製作半穿透半反射液晶顯示面板的過程 中，令反射區内液晶分子的傾倒角度大於穿透區内液晶分 子的傾倒角度，以便於在提高反射區最大亮度所對應之驅 動電壓的同時’降低反射區内液晶分子的啟始電壓，進而 使半穿透半反射液晶顯示面板之反射區與穿透區在亮態及 暗態均有相同的光學表現。 為讓本發明之上述和其他目的、特徵和優點能更明顯 易懂’下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說 明如下。 【實施方式】 圖4A繪示依照本發明第一實施例之半穿透半反射式 液晶顯示面板的剖面圖，而圖4B繪示圖4A之晝素單元的 等效電路圖。請同時參考圖4A與圖4B，半穿透半反射式 液晶顯示面板400包括一主動元件陣列基板41〇〇、一對向 基板4300與一液晶層4200。在本實施例中，對向基板4300 13 94670 18930twf.doc/n 是彩色滤光基板（color filter substrate )，而主動元件陣列 基板4100可以是薄膜電晶體陣列基板（thin film transistor array substrate)、二極體陣列基板或由其他具有三個端子 之主動元件所構成的基板。然而，主動元件陣列基板41〇〇 也可以是COA基板，而對向基板4300為玻璃基板，其中 COA基板為彩色濾光膜在薄膜電晶體陣列上（Color Filter On Array, COA)的結構。 對向基板4300包括一基板4310、一彩色濾光膜4320、 一共用電極層4330與一配向膜4340,其中彩色濾光膜4320 配置於基板4310上，而共用電極層4330配置於彩色濾光 膜4320上’且配向膜4340配置於共用電極層4330上。 主動元件陣列基扳4100包括一基板4110、多條掃瞄 配線4120、多條資料配線4130、多個晝素單元與一配向膜 4150 ’其中這些掃瞄配線4120、資料配線4130與晝素單 元配置於基板4110上，而配向膜4150配置於基板4110 上，並覆蓋這些掃瞄配線4120、資料配線4130與晝素單 元(未圖示）。 此外’各晝素單元具有一反射區r與一穿透區t，且各 個畫素單元包括一主動元件4142、一透明畫素電極4144a 與一反射晝素電極4144b，其中主動元件4142與對應之掃 瞄配線4120與資料配線4130電性連接。此外，反射晝素 電極4144b的材質可以是鋁、銀或是其他具有高反射率的 金屬’且其與透明晝素電極4144a是分別位於反射區r與 穿透區t，並與主動元件4142電性連接。 1352231 94670 18930twf.doc/n 值得-提的是，反射晝素電極41她可以直接盘 性連接。或者反射畫素電極4i44b也可以瘦 由透:晝她侧a與主動元件4142電性連接，=

j :件4142之汲極電性連接。同樣地，透明晝素電極 a也可以直接與主動元件4142電性連接。或者，透明 旦素電極4144a也可以經由反射畫素電極41佩與主動元 件4142電性連接。總之，t主動元件4142開啟時，透明 畫素電極4144續反射畫素電極41顿冑會得到 素驅動電壓。 一 在此值得注意的是’主動元件4142例如是薄膜電晶體 (thin film transistor，TFT)，而透明晝素電極似如與反射 畫素電極4144b即是與主動元件4142之汲極（Drain)電 性連接。當然，上述實施例並非用以限定主動元件4142 的種類，其亦可以是二極體或是其他具有三個端子之主動 元件。 之後’當一驅動電壓經由主動元件4142輸入至透明 晝素電極4144a與反射畫素電極4144b時，反射晝素電極 4144b與對向基板4300之共用電極層4330間的電位差會 小於透明晝素電極4144a與共用電極層4330間的電位差。 如此一來，即可提高半穿透半反射液晶顯示面板400之反 射區r達到最大亮度所需的驅動電壓，並使其近似於穿透 區t達到最大亮度所需的驅動電壓。 進一步來說，本實施例例如是在基板4110上配置一層 介電層4148，並使其覆蓋反射晝素電極4144b，而透明晝 94670 18930twf.doc/n 素電極4144a則配置於介電層4148上。如此一來，反射晝 素電極4144b與共用電極層4330之間的距離即大於透明晝 素電極4144a與共用電極層4330之間的距離。因此，在輸 入驅動電壓至透明畫素電極4144a與反射畫素電極4144b 後，反射區r内的電場強度會小於穿透區t内的電場強度。 介電層4148的材質可以是有機材料或是無機材料，而 介電層4148也可以是由主動元件4142中所延伸出來的閘 極絕緣層（gate insulating layer )或其他另加的介電層。然 而，介電層4148也可以是覆蓋主動元件4142的保護層 (passivation layer)或是平坦化層（pianarjzati〇n iayer)。 再者，透明晝素電極4144a的材質可以是銦錫氧化物 (indium tin oxide，ITO)、銦辞氧化物（indiumzinc〇xide, IZO)、鋅紹氧化物（aiuminum zinc⑽丨心，azo)或是其 他透明導體材質。 〃 此外，部分透明晝素電極4144a可以位於反射畫素電 極4144b上方，以便於遮蔽位於反射區r與穿透區t交界 地帶的不規則排列之液晶所造成的漏光。 液晶層4200係由多個液晶分子4210所構成，其中這 些液晶分子4210例如是向列型液晶分子。而且，液晶層 4200是配置於主動元件陣列基板4i〇〇與對向基板43〇〇之 間。此外，本實施例之主動元件陣列基板41〇〇與對向基板 4300之間大致維持單一晶穴間距。 更特別的是，位於反射區Γ内的液晶分子421〇已具有 預傾角θ] ’且這些液晶分子4210例如是藉由摻於液晶 1352231 94670 lS930twf.d〇c/n 層4200中的聚合物分子（未繪示）來維持其預傾角度，其 製造方法將於後面内容詳述。由此可知，本發明係令反射 區r内的液晶分子4210具有預傾角㊀〗，可使液晶分子4210 較易於受電場驅動轉動，以降低反射區r内的液晶分子 . 4210之啟始電壓使其近似於穿透區t内液晶分子4210的 啟始電壓。 詳細來說，在尚未輸入驅動電壓至半穿透半反射液晶 顯示面板400時，配向膜4340與配向膜4150例如是使穿 ® 透區t内的液晶分子4210為垂直配向排列。也就是說，穿 透區t内的液晶分子4210並無預傾角度，而反射區r内的 液晶分子4210之排列方向則是與配向膜4340及配向膜 4150之法線夹一角度㊀丨。當然’在其他實施例中，配向 膜4340與配向膜4150也可以是使穿透區t内的液晶分子 4210為水平配向排列，此時反射區r内的液晶分子4210 之排列方向係與配向膜4340及配向膜4150之表面夹一角 度Θ]。 • 圖5為本發明之第二實施例中半穿透半反射液晶顯示 面板的剖面示意圖。請參照圖5，在本實施例中，穿透區t • 内的液晶分子4210亦可具有一預傾角θ2，以使穿透區t • 與反射區r内的液晶分子4210同樣能夠快速地因應驅動電 壓而轉動。需要注意的是，由於輸入驅動電壓至透明晝素 電極4144a與反射晝素電極4144b後，反射區r内的電場 強度會小於穿透區t内的電場強度，因此預傾角θ2需小於 預傾角(包括第一實施例中02為0度），始能令反射區Γ 17 1352231 94670 18930twf.doc/n 内的液晶分子4210之啟始電壓近似於穿透區t内的液晶分 子4210之啟始電壓。 圖6為本發明第一實施例之半穿透半反射液晶顯示面 板的驅動電壓與亮度百分比關係曲線圖。請同時參考圖4A 與圖6,經由前述的電性設計選擇適當的介電層4148的材 質及尽度，當相同的驅動電壓分別輸入至透明畫素電極 4144a與反射晝素電極4144b時，穿透區驅動電塵-亮度百 分比曲線T與反射區驅動電壓_亮度百分比曲線R所對應 之亮度百分比的差距將可以縮小。換言之，本實施例之半 穿透半反射式液晶顯示面板4〇〇不僅可以採用現有的驅動 方式加以驅動，而且在增大驅動電壓時，穿透區t的亮度 與反射區r的亮度也能同時上升，並且穿透區t達到最大 免度與反射區r達到最大亮度所需的驅動電壓約略一致。 更特別的是’由於本發明是在提高反射區r達到最大 壳度所需之驅動電壓的同時’藉由前述適當的液晶分子預 傾角的配置來降低反射區r内之液晶分子4210的啟始電 壓’因此本發明之半穿透半反射液晶顯示面板4〇〇之穿透 區t與反射區r無論在亮態或暗態均可具有相近的電壓控 制亮度表現。也就是說，本發明之半穿透半反射液晶顯示 面板無須採用雙重晶穴間距（dual cell gap)便可具有高亮 度與良好的顯示品質。 第二實施例之半穿透半反射液晶顯示面板的驅動電壓 與亮度百分比曲線關係圖與圖6相似，此處不再贅述。 另外，請參照圖4A及圖6，為了提高反射晝素電極 18 1352231 94670 1893〇twf.doc/. 4144b的反射率，反射晝素電極4144b可以製作成具有凸 塊化表面（bumping surface)，因此本發明並不限定反射 畫素電極4144b的表面型態。就具有凸塊化表面之反射晝 素電極4144b而言，此種型態的反射晝素電極4144b的製 作方法可以是先在基板4100上形成一介電層4146，而使 此介電層4146具有凸塊化表面。然後，在介電層4146上 共形地（conformally)形成反射晝素電極4144b，而形成 反射畫素電極4144b的方式可以是濺鍍製程。然而，具有 凸塊化表面之反射畫素電極4144b也可以是其他型態，其 係詳述如後。 圖7為本發明第三實施例之半穿透半反射式液晶顯示 面板的剖面圖。本實施例與第一實施例相似，其不同之處 在於形成具有凸塊化表面之反射晝素電極4144b的方式， 下文將針對此差異點加以說明。 請同時參考圖4B與圖7，在本實施例之半穿透半反 射式液晶顯示面板700中，主動元件陣列基板71〇〇之每一 晝素單兀包括一主動元件4142、一凸塊化金屬層711〇、一 介電層7120、-透明晝素電極4144a、—反射晝素電極 4144b與一介電層4148。其中’凸塊化金屬層7ιι〇配置於 基板4110上，且凸塊化金屬層7110可以是構成主動元件 4142的第-層金屬層之一部分。也就是說，凸塊化金屬層 =可以餘航件_基板雇之共祕線(咖_ me)(未繪不）電性連接或者凸塊化金屬層川^本身即為 共用配線之—部分，因而凸塊化金屬層711G與反射晝素電 1352231 94670 18930twf.doc/n 8130與金制811G電_合m特定驅動電壓 輸入晝素單元時，透明晝素電極 素電極813〇所具有的電壓互異，因此施力 她與反射晝素電極8130上之液晶層 :的㈣面骸麟料叫定反射晝素電極8i3=

==壓：因此穿透區t達到最大亮度與反射^達至: 最大70度所茜的驅動電壓將可約略一致。 另-方面，由於反射區Γ内之液晶分子侧的預傾角 ㊀,大於穿透區t内之液晶分子侧的預傾角（在本實施 例中其值為零），因此穿透區t與反射^之啟墨 約略一致。 々 本發明主要是在半穿透半反射液晶顯示面板的製程中 使反射區内之液晶分子的預傾角大於穿透區内之液晶分子 的預傾肖，τ文將料m明本發g狀半穿透半反射式液晶 顯示面板的製造方法。

圖9A至圖9C為本發明之一實施例中半穿透半反射液 晶顯示面板的製造流程剖面圖。請參照圖9A，首先提供一 主動兀件陣列基板9100。值得注意的是，雖然圖9A所示 之主動元件陣列基板91〇〇與圖4A之主動元件陣列基板 4100相似，但主動元件陣列基板91〇〇亦可以是上述任一 實施例之主動元件陣列基板。接著，將一對向基板43〇〇 配置在主動元件陣列基板91〇〇上方，並且在對向基板43〇〇 與主動元件陣列基板9100之間形成液晶層4200。其中， 22 1352231 94670 18930twf.doc/n · 液晶層4200例如是摻有多個單體分子4211。 請參照® 9B，由外部電路（未繪示）施加一第一電壓 Vh至反射畫素電極4144b，以使位於液晶層 4200的液晶 分子4210具有一預傾角㊀〗。接著，請參照圖9c，利用光 罩微影製程對反射區r内的單體分子4211進行曝光，使其 轉換為聚合物分子m轉換技術原理已於美國專利 案=6,781，665中詳述，在此不再贅述，至此即大致完成 半牙透半反射液晶顯示面板9〇〇。本實施例例如是以紫外 光901進行曝光，且紫外光901係由對向基板4300的上方 身=入，且利用一光罩500遮蓋住穿透區t，使穿透區t内的 單體分子4211不會受到紫外光901的照射而轉變為聚合物 分子(未圖示）。此外，半穿透半反射液晶顯示面板9〇〇的 後續製程與一般半穿透半反射液晶顯示面板相似或相同， 熟習此技藝者應該瞭解其細節，此處不再贅述。 值得一提的是，在另一實施例中，本發明亦可以在令 穿透區t内之單體分子4211轉變為聚合物分子前，先施加 一第一電壓Vl至透明晝素電極4144a上，以使穿透區t内 的液晶分子4211具有預傾角㊀2,如圖1〇所示。其中，第 二電壓小於前述施加於反射畫素電極4144b上的第一電 壓。也就是說，預傾角θ2小於預傾角Θ!。 之後，再對穿透區t内之單體分子4211進行曝光，而 將穿透區t内的液晶分子4210之排列方向固定為具有㊀2 的預傾角度。此實施例例如是以紫外光903對穿透區t内 之單體分子4211進行曝光’且紫外光903例如是可以由主 23 1352231 94670 18930twf.doc/n 動元件陣列基板9100的下方（也就是半穿透半反射液晶顯 示面板的背面）射入。此時由於反射晝素電極4144b有遮 光的功效，因此反射區r内之單體分子4211並不會受到紫 外光903的照射。

由上述可知，如欲使穿透區t與反射區r内的液晶分 子4210均具有預傾角，則可先施加較小的電壓至透明畫素 電極4144a，然後再由主動元件陣列基板91〇〇下方入射曝 光光線，以對穿透區t内的單體分子4211進行爆光，使其 轉變為聚合物。接著，施加較大的電壓至反射晝素電極 4144b，再由對向基板4300上方入射曝光光線，以對反射 區r内的單體分子4211進行曝光，使其轉變為聚合物。 綜上所述，本發明相較於習知技術，不但可以使半身 透半反射液晶顯示面板之反射區達到最大亮度與穿透區岛 到最大亮度所需的驅動電壓約略一致，更可以同時使反身 區的啟始電壓近似穿透區的啟始電壓。換言之，在本發甲

中’半穿透半反紐晶騎面板的反射區驅動電壓與亮肩 百分比的關係曲線，f透區驅動錢與亮度百分比的關令 j重合度高。因此，本發明之半穿透半反射液晶顯示s ^了在⑦辦’穿透區與反射區具有相近的電壓控則 度表現’而無須採用雙重晶穴間距便可 的顯示品質以外，在暗離眭貪可曼亡旦“ ^ ㈣具有最佳化的光學表現。 雖‘、、'、本U已以較佳實施例揭露如上，然其並 限定本發明’任何孰習η姑蔽本 ' ,#1^、，、1此技蟄者，在不脫離本發明之精中 作些許之更動與潤部，因此本發明之保言】 24 1352231 94670 18930twf.doc/n 範圍當視後社中請專概㈣界定者為準。 【圖式簡單說明】 圖1人為驾知具有單—晶穴間距之半穿透半反射式液 晶顯示面板的剖面圖。 圖1B為圖1A之晝素單元的示意圖。 圖^為驾知帛具有單一晶穴間距之半穿透半反射式 液晶顯示面板之驅動電壓與亮度百分__曲線圖。 圖3習知另-種具有單一晶穴間距之半穿透半反射式 液晶顯不面板之驅動電壓與亮度百分比的關係曲線圖。 圖4A 1 會示依照本發明第一實施例之半穿透半反射式 液晶顯示面板的剖面圖。 圖4B繪示圖4A之晝素單元的等效電路圖。 圖5為本發明之第二實施例中半穿透半反射液晶顯示 面板的剖面示意圖。 圖6為本發明第一實施例之半穿透半反射液晶顯示面 板的驅動電壓與亮度百分比關係曲線圖。 圖7為本發明第三實施例之半穿透半反射式液晶顯示 面板的剖面圖。 圖8A為本發明第四較佳實施例之半穿透半反射式液 晶顯示面板的剖面圖。 圖8B為圖8A之晝素單元的示意圖。 圖9A至圖9C為本發明之一實施例中半穿透半反射液 晶顯示面板的製造流程剖面圖。 25 1352231 94670 18930tw£doc/n 圖10為本發明之一實施例中，令半穿透半反射液晶 顯示面板之穿透區内的液晶分子具有預傾角的剖面示意 圖。 【主要元件符號說明】 10a、10b :光線 100:習知半穿透半反射式液晶顯示面板 1100 :薄膜電晶體陣列基板 1110、1310、4110、4310 :基板 1120、4120 :掃猫配線 1130、4130 :資料配線 1142 :薄膜電晶體 1144a、4144a:透明晝素電極 1144b、4144b、8130 :反射晝素電極 1146、4146、4148、7120、8120 :介電層 1200、4200 :液晶層 1300 :彩色濾光基板 1320、4320 :彩色濾光膜 1330、4330 :共用電極層 400、700、800、900 :半穿透半反射式液晶顯示面板 4100、7100、8100、9100 :主動元件陣列基板 4150、4340 :配向膜 4142 :主動元件 4210 :液晶分子 26 1352231 94670 18930twf.doc/n 4211 :單體分子 4300 :對向基板 7110 :凸塊化金屬層 8110 :金屬層 901、903 :紫外光 500 :光罩 r :反射區 t :穿透區

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Claims (1)

1352231 ΙΐΩί\^ a / 曰修正衣 十、申請專利範園： 1.-種半穿透半反射錢晶顯示面板，包括： 一對向基板，具有一共用電極層； -主動7G件陣舰板’面向該共用電極層而配置於該 對向基板下方，且該絲元件陣列基板包括多條择^ 線、多條資料配線财财素單元，其中各該晝素單元且 有一穿透區與一反射區，且各該晝素單元包括： 八 一主動兀件，與對應之該些掃瞄配線其中之一盥 該些資料配線其中之一電性連接； 〃 一反射晝素電極，位於該反射區内，並與該主 元件電性連接； X 一透明晝素電極，位於該穿透區内，並與該主 元件電性連接； Λ 一介電層，配置於該穿透區與該反射區内並覆蓋 該反射晝素電極，且該透明晝素電極係配置於該介電 層上；以及 一液晶層，配置於該主動元件陣列基板與該對向 基板之間，且該液晶層包括多個液晶分子，其中位於該反 電極上方之液晶分子具有一第一預傾角，而位‘該 一明晝素電極上方之液晶分子具有一第二預傾角，且該第 一預傾角小於該第一預傾角。 顯八2如申請專利範圍第1項所述之半穿透半反射式液晶 *’、、不面板’更包括多個聚合物分子，位於該液晶層中。 3·如申請專利範圍第1項所述之半穿透半反射式液晶 28 丄 100-5-4 丄 示面板，其中該些液晶分子為向列型液 顯示ΙΓΐ專利範圍第1項所述之半穿透i反射式液 、 板，其中該反射畫素電極具有凸塊化表面。 5.如申請專利範圍第1項所述之半穿透半及射十 板，其中該反射晝素電極與該透明晝素電極i 晶 分子 晶 顯示專利範㈣1項所述之半穿透半反射式液晶 盘节〃巾5級射晝素雜係透過該透明晝素電極而 /、°豕主動元件電性連接。 7·如申料利範圍第i項所述之半穿透半反射式液晶 颁不面板，其中該主動元件陣列基板與該對向基板之間 持單一晶穴·間距。 8.—種半穿透半反射式液晶顯示面板，包括： 一對向基板，具有一共用電極層； 一主動元件陣列基板，面向該共用電極層而配置於該 對向基板了方，且該主動元件陣列基板包括多條掃瞒配 線、多條資料配線與多個晝素單元，其中各該晝素單元具 有一穿透區與一反射區，且各該晝素單元包括： 一主動元件，與對應之該些掃瞄配線其中之一與 該些資料配線其中之一電性連接； 至屬層，位於該反射區内，並與該主動元件電 性連接； ;ι電層，位於該反射區與該穿透區内，並覆蓋 該金屬層； 29 丄 100-5-4 上電極，配置於該反射區内之該介電層 上，而亥金屬層耦合成一電容； 上its電極’配置於該穿透區内之該介電層 上，亚/、°亥主動兀件電性連接；以及 -液晶層’配置於該主動元件陣列基板與 =極==括多個液晶分子，其中位於該反射晝 '、電極上方之液曰曰釦子具有一第一預傾角。 續干9面8項㈣之半料枝射式液晶 一 板，、中位於錢明畫素電極上方之液晶分子具有 第二預傾角，且該第二預傾角小於該第一預傾角。 H).如申請專利範圍第8項所述之半穿透半反射式液 曰曰顯示面板γ更包括多個聚合物分子’位於該液晶層中。 11. 如申料利範圍第8項所述之半穿透半反射式液 晶顯示面板，其中該些液晶分子為向列型液晶分子。 12. 如申請專利_第8項所述之半穿透半反射式液 晶顯示面板，其中該反射晝素電極具有凸塊化表面。 13. 如申請專利範圍第8項所述之半穿透半反射式液 晶顯示面板，其中該主動元件陣列基板與該對向基板之間 維持單一晶穴間距。 14. 如申請專利範圍第8項所述之半穿透半反射式液 晶顯示面板，其中該金屬層係透過該透明晝素電極而與該 主動元件電性連接。 15. —種半穿透半反射液晶顯示面板，包括： 一對向基板，具有一共用電極層； 30 I35223l 100-5-4 一主動7L件陣列基板，面向該共用電極層而配置於該 對向基板下方，且該主動元件陣列基板包括多條掃晦配 線、多條龍配線财個晝料元，其+各該晝素單元具 有一穿透區與一反射區，且各該晝素單元包括：、/、 一主動元件，與對應之該些掃瞄配線其中之一與 該些資料配線其中之一電性連接； 、 ^ 一凸塊化金屬層，位於該反射區内； -第-介電層’共形地配置於該凸塊化金屬層 上 ^ 一 六叩吧0G罝;第一介 該反射晝素電極與該主動it件電性連接； 覆蓋細位於該反_該穿透區内，並 一透明晝素電極，配置於該穿賴内之該第二介 電層上’並與該主動元件電性連接；以及 之間: 該主動元件陣列基板與該對向基板 素電标t二=t乡個液晶分子’其中位於該反射晝 电極上方之液晶分子具有-第-預傾角。 16.如中請專利範_ 15.項所述 傾;中:Γ該透明晝素電極上方』^ 〇亥第一預傾角小於該第一預傾角。 晶料15項所述之半穿透半反射式液 J ^^夕個聚合物分子，位於該液晶層中。 18·如申"專利範圍第15項所述之半穿透半反射式液 31 1352231 100-5-4 晶顯示面板，其巾該麵晶分子為㈣聽晶分子。 鄉㈣15項料之衫料反射式液 曰:顯:面板，其中該反射畫素電極與該透明晝素電極有部 分重疊。 曰20.如申請專概圍第15述之半穿透半反射式液 曰曰顯示面板，其中觀㈣素電_透過該剌晝素電極 而與該主動元件電性連接。 曰21.如申請專利範圍第項所述之半穿透半反射式液 曰曰顯示面板，其巾該絲元⑽聽板與 維持單-晶穴間距。 “极之間 22. —種半穿透半反射液晶顯示面板的製造方法， ίσ * 提供申請專利範圍第i項所述之主動元件陣列基板； 上將一對向基板配置於該主動元件陣列基板上方，其中 邊對向基板具有面向該主動元件陣列基板之一共用 層； 曰於該主動元件陣列基板與該對向基板之間形成一液 曰曰層其中δ亥液晶層具有多個液晶分子，並摻有多個單體 分子； 。細•加一第一電壓至該反射晝素電極，以使位於該反射 區内之該些液晶分子具有一第一預傾角；以及 對該反射區内之該些單體分子進行曝光，以使該些單 體分子轉換成聚合物分子。 23. 如申請專利範圍第22項所述之半穿透半反射液晶 32 1352231 100-5-4 顯示面板的製造方法，其中在形成該液晶層之後更包括： 施加一第二電壓至該透明晝素電極，以使位於該穿透 區内之該些液晶分子具有一第二預傾角’其中該第二電壓 小於該第一電壓；以及 對該穿透區内之該些單體分子進行曝光，以使該些單 體分子轉換成聚合物分子。 24. 如申請專利範圍第22項所述之半穿透半反射液晶 顯示面板的製造方法，其是以紫外光為曝光光線對該些單 體分子進行曝光。 25. —種半穿透半反射液晶顯示面板的製造方法，包 括： 提供申請專利範圍第8項所述之主動元件陣列基板； 將一對向基板配置於該主動元件陣列基板上方，其中 該對向基板具有面向該主動元件陣列基板之一共用電極 JEL . 層， 於該主動元件陣列基板與該對向基板之間形成一液 晶層，其中該液晶層具有多個液晶分子，並摻有多個單體 分子； 施加一第一電壓至該反射晝素電極，以使位於該反射 區内之該些液晶分子具有一第一預傾角；以及 對該反射區内之該些單體分子進行曝光，以使該些單 體分子轉換成聚合物分子。 26.如申請專利範圍第25項所述之半穿透半反射液晶 顯示面板的製造方法，其中在形成該液晶層之後更包括： 33 1352231 100-5-4 施加一第二電壓至該透明畫素電極，以使位於該穿透 區内之該些液晶分子具有一第二預傾角，其中該第二電壓 小於該第一電壓；以及 對該穿透區内之該些單體分子進行曝光，以使該些單 體分子轉換成聚合物分子。 27·如申請專利範圍第25項所述之半穿透半反射液晶 顯示面板的製造方法，其是以紫外光為曝光光線對該些單 體分子進行爆光。 28. —種半穿透半反射液晶顯示面板的製造方法，包 括： 提供申請專利範圍第14項所述之主動元件陣列基板； 將一對向基板配置於該主動元件陣列基板上方，其中 該對向基板具有面向該主動元件陣列基板之一共用電極 層； 於該主動元件陣列基板與該對向基板之間形成一液 晶層，其中§亥液晶層具有多個液晶分子，並換有多個單體 分子； 施加一第一電壓至該反射晝素電極，以使位於該反射 區内之該些液晶分子具有一第一預傾角；以及 對§亥反射區内之該些單體分子進行曝光，以使該些單 體分子轉換成聚合物分子。 ―29·如申請專利範圍第28項所述之半穿透半反射液晶 顯示面板的製造方法’其巾在形成紐晶層之後更包括： 施加-第二電壓至該透明畫素電極，以使位於該穿透 34 1352231 100-5-4 區内之該些液晶分子具有一第二預傾角，其中該第二電壓 小於該第一電壓；以及 對該穿透區内之該些單體分子進行曝光，以使該些單 體分子轉換成聚合物分子。 30.如申請專利範圍第28項所述之半穿透半反射液晶 顯示面板的製造方法，其是以紫外光為曝光光線對該些單 體分子進行曝光。 35