CN107894683B - 阵列基板、显示设备及阵列基板的制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公布了一种阵列基板，包括：第一基板；黑色矩阵层，位于所述第一基板的表面；薄膜晶体管，位于所述黑色矩阵层背离所述第一基板的一侧，所述薄膜晶体管的栅极在所述第一基板上的垂直投影落在所述黑色矩阵层的范围内；紧固结构，连接于所述黑色矩阵层与所述栅极之间，所述紧固结构用于提高所述栅极与所述黑色矩阵层之间的附着力。本发明还提供一种阵列基板的制作方法和显示设备。黑色矩阵层用于阻隔外界环境光线向薄膜晶体管的栅极照射，避免栅极对外界环境光线的反射，紧固结构提高了黑色矩阵层与栅极的之间的附着力，产品良率及生产效率高。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其是涉及一种阵列基板、显示设备及阵列基板的制作方法。
背景技术
随着近年来显示器需求量的不断提高，一些新技术应运而生，而显示面板的亮度和对比度不高仍然是制约显示器进一步发展的重要因素。当对比度较佳时，显示面板的整体色彩与显示效果都较为理想，因此，如何提高显示面板的对比度已经成为当前研究的重点。在提高对比度的方式上，除了提高发光单元的亮度外，降低显示面板对外界环境光的反射也是提高对比度的一个重要方式。事实上，外界环境光不可避免的会照射向显示面板，而阵列基板上的金属信号线(例如数据线、扫描线、薄膜晶体管的栅极等)会反射外界环境光，容易出现镜面的效果，从而会对显示面板的对比度产生影响，导致最终的显示效果不佳。
现有技术中，为了避免阵列基板的反射效果，人们采用在阵列基板的基板和金属信号线之间增加一层减反层来吸收外界环境光，常用的减反层包括铟锡氧化物、黑色树脂材料等，或者制作黑色电极，如钛金属、钛金属合金、铬金属、铬金属合金、石墨等其他反射性较弱的金属、合金、非金属或混合物电极。减反层或黑色电极增加了显示面板的制程，减弱了基板与第一金属层(金属信号线)之间的附着力，甚至影响金属信号线的功能，降低了显示面板的产品良率及生产效率。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种阵列基板、显示设备及阵列基板的制作方法，用以解决现有技术中降低阵列基板反射的方法影响显示面板的产品良率及生产效率的问题。
为解决上述技术问题，本发明提供一种阵列基板，包括：
第一基板；
黑色矩阵层，位于所述第一基板的表面；
薄膜晶体管，位于所述黑色矩阵层背离所述第一基板的一侧，所述薄膜晶体管的栅极在所述第一基板上的垂直投影落在所述黑色矩阵层的范围内；
紧固结构，连接于所述黑色矩阵层与所述栅极之间，所述紧固结构用于提高所述栅极与所述黑色矩阵层之间的附着力。
一种实施方式中，所述紧固结构包括金属柱，所述金属柱的一端固定于所述黑色矩阵层的内部，所述金属柱的另一端固定于所述栅极的内部。
一种实施方式中，所述金属柱的一端接触并固定连接所述第一基板的表面，所述金属柱用于提高所述第一基板与所述栅极之间的附着力。
一种实施方式中，所述紧固结构包括钝化层，所述钝化层层叠设置于所述黑色矩阵层与所述栅极之间。
一种实施方式中，所述钝化层在所述第一基板的垂直投影与所述黑色矩阵层重合，或者
所述钝化层在所述第一基板的垂直投影与所述栅极重合。
本发明还提供一种显示设备，包括彩膜基板、液晶层及以上任意一项所述的阵列基板，所述彩膜基板与所述阵列基板相对设置，所述液晶层位于所述彩膜基板与所述阵列基板之间，所述显示设备从所述阵列基板的一侧显示图像。
本发明还提供一种阵列基板的制作方法，包括：
提供第一基板，在所述第一基板的表面形成金属柱；
在所述第一基板的表面形成黑色矩阵层，所述黑色矩阵层的厚度小于金属柱的高度；
在所述黑色矩阵层上沉积第一金属层，图案化所述第一金属层形成栅极，所述栅极在所述第一基板上的垂直投影落在所述黑色矩阵层的范围内，所述金属柱凸出于所述黑色矩阵层的一端固定于所述栅极内。
一种实施方式中，所述金属柱通过黄光制程形成。
本发明还提供一种阵列基板的制作方法，包括：
提供第一基板，在所述第一基板的表面形成黑色矩阵层；
在所述黑色矩阵层表面形成钝化层；
在所述钝化层上沉积第一金属层，图案化所述第一金属层形成栅极，所述栅极在所述第一基板上的垂直投影落在所述黑色矩阵层的范围内。
一种实施方式中，所述钝化层在所述第一基板的垂直投影与所述黑色矩阵层重合，或者
所述钝化层在所述第一基板的垂直投影与所述栅极重合。
本发明的有益效果如下：黑色矩阵层用于阻隔外界环境光线向薄膜晶体管的栅极照射，避免栅极对外界环境光线的反射，提高了显示设备的显示图像的对比度，在阵列基板上制作黑色矩阵层节省了在彩膜基板制作黑色矩阵层的制程，简化了显示设备的制程；紧固结构提高了黑色矩阵层与栅极的之间的附着力，间接增强了第一基板与薄膜晶体管的结合强度，且不影响薄膜晶体管功能，产品良率及生产效率高。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的明显变形方式。
图1为本发明实施例一提供的阵列基板的结构示意图。
图2为本发明实施例一提供的阵列基板的制作方法的步骤S101的示意图。
图3为本发明实施例一提供的阵列基板的制作方法的步骤S102的示意图。
图4为本发明实施例一提供的阵列基板的制作方法的步骤S103的示意图。
图5为本发明实施例一提供的阵列基板的制作方法的步骤S104的示意图。
图6为本发明实施例二提供的阵列基板的结构示意图。
图7为本发明实施例二提供的阵列基板的制作方法的步骤S101的示意图。
图8为本发明实施例二提供的阵列基板的制作方法的步骤S102的示意图。
图9为本发明实施例二提供的阵列基板的制作方法的步骤S103的示意图。
图10为本发明实施例二提供的阵列基板的制作方法的步骤S104的示意图。
图11为本发明实施例提供的显示设备的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明实施例提供的阵列基板用于液晶显示设备，具体的，例如手机、笔记本电脑、平板电脑等设备。本实施例中，应用本发明实施例提供的液晶显示设备为阵列基板侧显示图像，具体的，显示设备的显示面位于阵列基板背离彩膜基板的一侧，换言之，在显示设备内部，背光源依次穿过彩膜基板、液晶层及阵列基板后显示图像。
请参阅图1，本发明实施例一提供的阵列基板100包括第一基板10、黑色矩阵层20、薄膜晶体管30及紧固结构。具体的，第一基板10为透明基板，一种实施方式中，第一基板10为玻璃基板，其他实施方式中，第一基板10也可以为塑料等其他透明材料制成的基板。本实施例中，第一基板10表面平整，以有利于在第一基板10的表面层叠各种层结构以形成功能器件。
本实施例中，黑色矩阵层20位于第一基板10的表面，黑色矩阵层20为曝光后的色阻材料，具体的，黑色矩阵层20为经过图案化后形成于第一基板10的表面上。黑色矩阵层20具有吸收光线，从而阻挡光线传播的作用。本实施例中，薄膜晶体管30位于黑色矩阵层20背离第一基板10的一侧，薄膜晶体管30的栅极32在第一基板10上的垂直投影落在黑色矩阵层20的范围内。薄膜晶体管30层叠设置于黑色矩阵层20上，具体的，栅极32、栅极绝缘层34、有源层36、源极382和漏极384等依次层叠设置，一种实施方式中，栅极32为金属层图案化后形成，故栅极32具有一定的反射率。相较于现有技术中黑色矩阵层20位于彩膜基板200上以避免显示面板漏光，本实施例中位于阵列基板100上的黑色矩阵层20不仅可以避免显示面板漏光，还可以避免薄膜晶体管30的栅极32反射环境光线。具体的，黑色矩阵层20位于像素单元之间的部分用于防止穿过显示面板的背光源发生漏光，黑色矩阵层20对应薄膜晶体管30的栅极32的部分用于隔绝栅极32与第一基板10，从而使外界环境光穿过第一基板10后无法照射至栅极32，杜绝栅极32反射环境光线，提高显示设备显示图像的对比度。一种实施方式中，对应栅极32的黑色矩阵层20的宽度为10-60um，以覆盖栅极32，使栅极32无法被外界环境光照射，进一步的，黑色矩阵层20的厚度为0.5-3um，以提供足够的吸收外界环境光的效果。
本实施例中，紧固结构连接于黑色矩阵层20与栅极32之间，紧固结构用于提高栅极32与黑色矩阵层20之间的附着力。具体的，紧固结构包括金属柱40，金属柱40的一端固定于黑色矩阵层20的内部，金属柱40的另一端固定于栅极32的内部。本实施例中，金属柱40为圆柱状的金属材料形成，具体的，金属柱40为通过黄光工艺蚀刻金属层形成的结构。本实施例中，金属柱40包括相对设置的第一端42和第二端44，第一端42内陷于黑色矩阵层20的内部，第二端44内陷于栅极32的内部，黑色矩阵层20与栅极32通过金属柱40紧密相连，金属柱40提高了黑色矩阵层20与栅极32之间的附着力。进一步的，黑色矩阵层20形成于第一基板10的表面，金属柱40间接提高了第一基板10与栅极32及薄膜晶体管30的结合力，第一基板10上的各器件不易脱落，薄膜晶体管30的功能不受影响，产品良率及生产效率高。一种实施方式中，金属柱40的高度为1-4um。
本实施例中，金属柱40的一端固定连接于第一基板10的表面，金属柱40用于提高第一基板10与栅极32之间的附着力。具体的，金属柱40形成于第一基板10的表面，换言之，金属柱40的第一端42接触并固定连接第一基板10的表面，从而将与金属柱40固连的第一基板10、黑色矩阵层20及栅极32紧固的连接在一起，第一基板10上的各器件不易脱落，薄膜晶体管30的功能不受影响，产品良率及生产效率高。
黑色矩阵层20用于阻隔外界环境光线向薄膜晶体管30的栅极32照射，避免栅极32对外界环境光线的反射，提高了显示设备的显示图像的对比度，在阵列基板100上制作黑色矩阵层20节省了在彩膜基板200制作黑色矩阵层20的制程，简化了显示设备的制程；金属柱40提高了黑色矩阵层20与栅极32的之间的附着力，也增强了第一基板10与薄膜晶体管30的结合强度，且不影响薄膜晶体管30功能，产品良率及生产效率高。
请参阅图2至图5，本发明实施例一提供的阵列基板100的制作方法用于制作本发明实施例一提供的阵列基板100，具体的，制作步骤包括如下。
S101、提供第一基板10，在第一基板10的表面形成金属柱40。
请参阅图2，具体的，第一基板10为透明基板，一种实施方式中，第一基板10为薄膜基板，其他实施方式中，第一基板10也可以为塑料等其他透明材料制成的基板。本实施例中，第一基板10表面平整，以有利于在第一基板10的表面层叠各种层结构以形成功能器件。
本实施例中，金属柱40为圆柱状的金属材料形成，具体的，金属柱40为通过黄光工艺蚀刻金属层形成的结构。一种实施方式中，金属柱40的高度为1-4um。
S102、在第一基板10的表面形成黑色矩阵层20，黑色矩阵层20的厚度小于金属柱40的高度。
请参阅图3，黑色矩阵层20为曝光后的色阻材料，具体的，黑色矩阵层20为经过图案化后形成于第一基板10的表面上。黑色矩阵层20具有吸收光线，从而阻挡光线传播的作用。本实施例中，金属柱40包括相对设置的第一端42和第二端44，第一端42内陷于黑色矩阵层20的内部，具体的，第一端42接触并固定于第一基板10的表面，第二端44突出于黑色矩阵层20，用于后续连接薄膜晶体管30。
S103、在黑色矩阵层20上沉积第一金属层，图案化第一金属层形成栅极32，栅极32在第一基板10上的垂直投影落在黑色矩阵层20的范围内，金属柱40凸出于黑色矩阵层20的一端固定于栅极32内。
请参阅图4，本实施例中，金属柱40的第一端42内陷于黑色矩阵层20的内部，第二端44内陷于栅极32的内部，黑色矩阵层20与栅极32通过金属柱40紧密相连，金属柱40提高了黑色矩阵层20与栅极32之间的附着力。进一步的，金属柱40形成于第一基板10的表面，换言之，金属柱40的第一端42接触并固定连接第一基板10的表面，从而将与金属柱40固连的第一基板10、黑色矩阵层20及栅极32紧固的连接在一起，第一基板10上的各器件不易脱落，薄膜晶体管30的功能不受影响，产品良率及生产效率高。
S104、在栅极32上依次形成栅极绝缘层34、有源层36、源极382和漏极384。
请参阅图5，本实施例中，薄膜晶体管30位于黑色矩阵层20背离第一基板10的一侧，薄膜晶体管30的栅极32在第一基板10上的垂直投影落在黑色矩阵层20的范围内。薄膜晶体管30层叠设置于黑色矩阵层20上，具体的，栅极32、栅极绝缘层34、有源层36、源极382和漏极384等依次层叠设置，一种实施方式中，栅极32为金属层图案化后形成，故栅极32具有一定的反射率。相较于现有技术中黑色矩阵层20位于彩膜基板200上以避免显示面板漏光，本实施例中位于阵列基板100上的黑色矩阵层20不仅可以避免显示面板漏光，还可以避免薄膜晶体管30的栅极32反射环境光线。具体的，黑色矩阵层20位于像素单元之间的部分用于防止穿过显示面板的背光源发生漏光，黑色矩阵层20对应薄膜晶体管30的栅极32的部分用于隔绝栅极32与第一基板10，从而使外界环境光穿过第一基板10后无法照射至栅极32，杜绝栅极32反射环境光线，提高显示设备显示图像的对比度。一种实施方式中，对应栅极32的黑色矩阵层20的宽度为10-60um，以覆盖栅极32，使栅极32无法被外界环境光照射，进一步的，黑色矩阵层20的厚度为0.5-3um，以提供足够的吸收外界环境光的效果。
黑色矩阵层20用于阻隔外界环境光线向薄膜晶体管30的栅极32照射，避免栅极32对外界环境光线的反射，提高了显示设备的显示图像的对比度，在阵列基板100上制作黑色矩阵层20节省了在彩膜基板200制作黑色矩阵层20的制程，简化了显示设备的制程；金属柱40提高了黑色矩阵层20与栅极32的之间的附着力，也增强了第一基板10与薄膜晶体管30的结合强度，且不影响薄膜晶体管30功能，产品良率及生产效率高。
请参阅图6，本发明实施例二提供的阵列基板100包括第一基板10、黑色矩阵层20、薄膜晶体管30及紧固结构。具体的，第一基板10为透明基板，一种实施方式中，第一基板10为薄膜基板，其他实施方式中，第一基板10也可以为塑料等其他透明材料制成的基板。本实施例中，第一基板10表面平整，以有利于在第一基板10的表面层叠各种层结构以形成功能器件。
本实施例中，黑色矩阵层20位于第一基板10的表面，黑色矩阵层20为曝光后的色阻材料，具体的，黑色矩阵层20为经过图案化后形成于第一基板10的表面上。黑色矩阵层20具有吸收光线，从而阻挡光线传播的作用。本实施例中，薄膜晶体管30位于黑色矩阵层20背离第一基板10的一侧，薄膜晶体管30的栅极32在第一基板10上的垂直投影落在黑色矩阵层20的范围内。薄膜晶体管30层叠设置于黑色矩阵层20上，具体的，栅极32、栅极绝缘层34、有源层36、源极382和漏极384等依次层叠设置，一种实施方式中，栅极32为金属层图案化后形成，故栅极32具有一定的反射率。相较于现有技术中黑色矩阵层20位于彩膜基板200上以避免显示面板漏光，本实施例中位于阵列基板100上的黑色矩阵层20不仅可以避免显示面板漏光，还可以避免薄膜晶体管30的栅极32反射环境光线。具体的，黑色矩阵层20位于像素单元之间的部分用于防止穿过显示面板的背光源发生漏光，黑色矩阵层20对应薄膜晶体管30的栅极32的部分用于隔绝栅极32与第一基板10，从而使外界环境光穿过第一基板10后无法照射至栅极32，杜绝栅极32反射环境光线，提高显示设备显示图像的对比度。一种实施方式中，对应栅极32的黑色矩阵层20的宽度为10-60um，以覆盖栅极32，使栅极32无法被外界环境光照射，进一步的，黑色矩阵层20的厚度为0.5-3um，以提供足够的吸收外界环境光的效果。
本实施例中，紧固结构连接于黑色矩阵层20与栅极32之间，紧固结构用于提高栅极32与黑色矩阵层20之间的附着力。具体的，紧固结构包括钝化层50，钝化层50层叠设置于黑色矩阵层20与栅极32之间。具体的，钝化层50为图案化SiNx，黑色矩阵层20与栅极32通过钝化层50紧密相连，钝化层50提高了黑色矩阵层20与栅极32之间的附着力。进一步的，黑色矩阵层20形成于第一基板10的表面，钝化层50间接提高了第一基板10与栅极32及薄膜晶体管30的结合力，第一基板10上的各器件不易脱落，薄膜晶体管30的功能不受影响，产品良率及生产效率高。
本实施例中，钝化层50在第一基板10的垂直投影与黑色矩阵层20重合，或者钝化层50在第一基板10的垂直投影与栅极32重合，以保证钝化层50与栅极32、钝化层50与黑色矩阵层20有足够的接触面积，从而提供足够的附着力。
一种实施方式中，钝化层50好可以避免金属沉积时溅射轰击使黑色矩阵层20对设备产生的污染。
黑色矩阵层20用于阻隔外界环境光线向薄膜晶体管30的栅极32照射，避免栅极32对外界环境光线的反射，提高了显示设备的显示图像的对比度，在阵列基板100上制作黑色矩阵层20节省了在彩膜基板200制作黑色矩阵层20的制程，简化了显示设备的制程；钝化层50提高了黑色矩阵层20与栅极32的之间的附着力，也增强了第一基板10与薄膜晶体管30的结合强度，且不影响薄膜晶体管30功能，产品良率及生产效率高。
请参阅图7至图10，本发明实施例二提供的阵列基板100的制作方法用于制作本发明实施例二提供的阵列基板100，具体的，制作步骤包括如下。
S101、提供第一基板10，在第一基板10的表面形成黑色矩阵层20。
请参阅图7，黑色矩阵层20为曝光后的色阻材料，具体的，黑色矩阵层20为经过图案化后形成于第一基板10的表面上。黑色矩阵层20具有吸收光线，从而阻挡光线传播的作用。
S102、在黑色矩阵层20表面形成钝化层50。
请参阅图8，钝化层50层叠设置于黑色矩阵层20与栅极32之间。具体的，钝化层50为图案化SiNx，黑色矩阵层20与栅极32通过钝化层50紧密相连，钝化层50提高了黑色矩阵层20与栅极32之间的附着力。进一步的，黑色矩阵层20形成于第一基板10的表面，钝化层50间接提高了第一基板10与栅极32及薄膜晶体管30的结合力，第一基板10上的各器件不易脱落，薄膜晶体管30的功能不受影响，产品良率及生产效率高。
S103、在钝化层50上沉积第一金属层，图案化第一金属层形成栅极32，栅极32在第一基板10上的垂直投影落在黑色矩阵层20的范围内。
请参阅图9，本实施例中，钝化层50在第一基板10的垂直投影与黑色矩阵层20重合，或者钝化层50在第一基板10的垂直投影与栅极32重合，以保证钝化层50与栅极32、钝化层50与黑色矩阵层20有足够的接触面积，从而提供足够的附着力。
一种实施方式中，钝化层50好可以避免金属沉积时溅射轰击使黑色矩阵层20对设备产生的污染。
S104、在栅极32上依次形成栅极绝缘层34、有源层36、源极382和漏极384。
请参阅图10，本实施例中，薄膜晶体管30位于黑色矩阵层20背离第一基板10的一侧，薄膜晶体管30的栅极32在第一基板10上的垂直投影落在黑色矩阵层20的范围内。薄膜晶体管30层叠设置于黑色矩阵层20上，具体的，栅极32、栅极绝缘层34、有源层36、源极382和漏极384等依次层叠设置，一种实施方式中，栅极32为金属层图案化后形成，故栅极32具有一定的反射率。相较于现有技术中黑色矩阵层20位于彩膜基板200上以避免显示面板漏光，本实施例中位于阵列基板100上的黑色矩阵层20不仅可以避免显示面板漏光，还可以避免薄膜晶体管30的栅极32反射环境光线。具体的，黑色矩阵层20位于像素单元之间的部分用于防止穿过显示面板的背光源发生漏光，黑色矩阵层20对应薄膜晶体管30的栅极32的部分用于隔绝栅极32与第一基板10，从而使外界环境光穿过第一基板10后无法照射至栅极32，杜绝栅极32反射环境光线，提高显示设备显示图像的对比度。一种实施方式中，对应栅极32的黑色矩阵层20的宽度为10-60um，以覆盖栅极32，使栅极32无法被外界环境光照射，进一步的，黑色矩阵层20的厚度为0.5-3um，以提供足够的吸收外界环境光的效果。
黑色矩阵层20用于阻隔外界环境光线向薄膜晶体管30的栅极32照射，避免栅极32对外界环境光线的反射，提高了显示设备的显示图像的对比度，在阵列基板100上制作黑色矩阵层20节省了在彩膜基板200制作黑色矩阵层20的制程，简化了显示设备的制程；钝化层50提高了黑色矩阵层20与栅极32的之间的附着力，也增强了第一基板10与薄膜晶体管30的结合强度，且不影响薄膜晶体管30功能，产品良率及生产效率高。
请参阅图11，本发明实施例还提供一种显示设备500，包括彩膜基板200、液晶层300及本发明实施例提供的阵列基板100，彩膜基板200与阵列基板100相对设置，液晶层300位于彩膜基板200与阵列基板100之间，显示设备从阵列基板100的一侧显示图像。具体的，显示设备500还包括背光模组400，背光模组400发出背光源穿过彩膜基板200进入液晶层300，并从阵列基板100射出。
黑色矩阵层20用于阻隔外界环境光线向薄膜晶体管30的栅极32照射，避免栅极32对外界环境光线的反射，提高了显示设备的显示图像的对比度，在阵列基板100上制作黑色矩阵层20节省了在彩膜基板200制作黑色矩阵层20的制程，简化了显示设备的制程；紧固结构提高了黑色矩阵层20与栅极32的之间的附着力，间接增强了第一基板10与薄膜晶体管30的结合强度，且不影响薄膜晶体管30功能，产品良率及生产效率高。
以上所揭露的仅为本发明几种较佳实施例而已，当然不能以此来限定本发明之权利范围，本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例的全部或部分流程，并依本发明权利要求所作的等同变化，仍属于发明所涵盖的范围。
Claims (5)
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
第一基板；
黑色矩阵层，位于所述第一基板的表面；
薄膜晶体管，位于所述黑色矩阵层背离所述第一基板的一侧，所述薄膜晶体管的栅极在所述第一基板上的垂直投影落在所述黑色矩阵层的范围内；
紧固结构，连接于所述黑色矩阵层与所述栅极之间，所述紧固结构用于提高所述栅极与所述黑色矩阵层之间的附着力，所述紧固结构包括金属柱，所述金属柱的一端固定于所述黑色矩阵层的内部，所述金属柱的另一端固定于所述栅极的内部。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述金属柱的一端接触并固定连接所述第一基板的表面，所述金属柱用于提高所述第一基板与所述栅极之间的附着力。
3.一种显示设备，其特征在于，包括彩膜基板、液晶层及权利要求1至2任意一项所述的阵列基板，所述彩膜基板与所述阵列基板相对设置，所述液晶层位于所述彩膜基板与所述阵列基板之间，所述显示设备从所述阵列基板的一侧显示图像。
4.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：
提供第一基板，在所述第一基板的表面形成金属柱；
在所述第一基板的表面形成黑色矩阵层，所述黑色矩阵层的厚度小于金属柱的高度；
在所述黑色矩阵层上沉积第一金属层，图案化所述第一金属层形成栅极，所述栅极在所述第一基板上的垂直投影落在所述黑色矩阵层的范围内，所述金属柱凸出于所述黑色矩阵层的一端固定于所述栅极内。
5.根据权利要求4所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述金属柱通过黄光制程形成。
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