TWI352072B - - Google Patents

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1352072 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於一種陶瓷材料’尤指一種可與鋼及其 合金進行共燒製作的介電陶瓷組成物，其適用於高頻應用 之溫度補償型電容器，並適用以低溫還原氣氛燒結製程製 作。 【先前技術】 積層陶瓷電容器係由陶瓷介電質與内電極貴金屬（如把 (Pd)與鈀（Pd)/銀（Ag)合金）所製成之薄帶，互相堆疊而組成 之長立方體陶曼元件，此元件擁有體積小與高密度電容容 量之特性’目前廣泛應用於密集化電路板之設計需求。近 年來’隨著電子科技的快速發展’積層陶瓷電容器的應用 需求亦朝向高容值、耐高額定電壓、高頻應用等不同方向 發展。在此同時’作為内電極所用鈀（Pd)之類貴金屬價格， 皆快速且大幅飆張’導致元件成本快速增加，亦驅使製造 業者找尋兼具低製作成本與高功能性之製程方式與材料。 在降低製造成本的前提下，開發了卑金屬電極（Base_ meUl electrode)的製程，即為在還原氣氛的燒結處理下，以成本 較便宜的鎳（Ni)或銅（Cu)金屬’取代昂貴的鈀或鈀/銀合金作 為内電極。此外，於高頻通訊的應用環境下，元件特性上 更需達到較低的等效串聯電阻（ESR，Equivalent Series Resistance)與散逸係數（Dissipation Factor)等要求，因此， 擁有優越導電特性的銅金屬’即成為具有發展潛力的電極 金屬材料。 1352072 丄00年7月6曰條正辞榫頁 」而在實際製程上，由於銅金屬熔點較低（m〇， 且t分容易於高溫下氧化，並不適合在傳統的大氣環境下 二溫共燒方式進行製作，同時考量到未來在高頻通訊端 故導入具有低溫共燒特性(<1〇〇〇t)的微波介 电=材料，以達到低溫燒結製作的要求，亦是現在陶究 電令益發展的趨勢。在相關的國内外專利t，符合低介電 係數（K〜2G)與高品質因子（Q值^咖）的陶曼村料，最廣為 人知的疋MgTA材料’然而，由於鎖離子地2+)容易於溶 劑中解離，造成積層陶£電容器（MLCC)在陶莞薄帶製程中 Ά生質異常，而且當游離的鎂離子數量增加時，則需要 加入更多的分散劑予以分散，亦導致陶瓷薄帶的堆積密度 下降，進而造成燒結後元件内部的缺陷數量增加，影塑装 電性。而在美國第43944565號專利中，其成份配方所^ 稀^素’如氧化钕⑽2〇7)等，在MLCC製作上，斂離子 亦有類似上述鎮離子的解離情形，當其添加量增加 時’燒結後元件的Q值與共振頻率溫度係數，亦會明顯下 降。 在早期微波介電材料研究巾，Mg_Zn_Ti組成之陶竟氧 化物’可於較低溫（約1100t)條件下燒結製成（美國第 4533974號專利和中華民國帛i236462號專利），亦有研究 者欲嘗試利用熔點較低的玻璃相組成，達到與Ag内電極共 k的條件’但所製得之材料燒結性與電性皆明顯下滑（美 第咖9995號專利此外，MgTi(VCaTi〇3亦為具有低介 電知失及低共振頻率溫度係數的材料系統(中華民國公告第 6 1352072 [100年7月6曰修正 00245 806號專利）’經等價元素取代，即以Sr取代Mg，ζΓ 取代Ti，所改良得到xSrZr03-(卜x)CaTi〇3組成，經由適當 的玻璃配方添加，可由原本1300°C的燒結溫度，大幅降低 至1000°C以下’即可適用於低溫共燒製作，此相關研究如 美國第6335310號專利内容所示。 於美國第5599757號專利中所述’其是以較低成本的 微波介電材料BaThO9為主相成分’配合適當的玻璃添加 劑’可達到低於11〇〇。(：的燒結溫度且具優越的微波介電 性’但仍無法與銀或銅進行共燒，在配方中所添加之鉛， 亦有影響其電性之虞《曰本第2000_281442號專利則是利用 BaTU〇9作為主要成分，加入取代Ti元素成分之等價元素 錯（Zr)，並以 Zn〇、β2〇3、Li2C〇3、Ca0 與 Si〇2 為組成之 玻璃相，成功的降低陶瓷的燒結溫度至93〇°c，然而其玻璃 相配方中所添加之鋰元素，在玻璃結構中易產生離子導 電，影響陶瓷的絕緣特性。 在美國第6949487號專利，則進一步探討玻璃相組成 與改質劑配方，並得到兼顧低溫燒結與介電性質之β&τ^〇9 陶瓷-玻璃複合配方。 由於Ba〇-Ti〇2系列具有低成本特性，也有於6玎丨〇3 組成中再添加灿2〇5，進而得到具較佳品質因子的 Ba3Ti4Nb4〇2i(Q 值約 95〇〇，κ 值約 55)(如美國第 6528445 號專利所示）與Ba3Ti5Nb5〇28(Q值約45〇〇，κ值約Ο壯美 國第3 1 63 76號專利所示)之尚溫微波介電相材料，藉由玻 璃配方添加可有效降低燒結溫度，並可保有其高❹電特 1352072 100年7月6曰修正~~| 性。國内亦有相關專利發表，如中華民國申請第2〇〇5〇2993 號專利與中華民國第12275580號專利；此外， BaTi03-CaZr03組成（中華民國公告第0057786〇號專利）、 BaO-Ti02-Bi203-Ln2〇3(Ln為La或Nd)組成（中華民國公主 第00234766號專利）與（Ca-Sr-Nd-Cd)Ti〇3材料組成（令華民 國公告第00426864波專利）’皆有專利發表，但以BaTj〇3 為主相的材料雖有較佳的介電特性，但高頻下的介電損失 較大，且燒結溫度偏高（11 〇 〇〜11 5 〇。〇)。 在其他的低溫微波材料配方開發上，如Ca〇_Zr〇2系（如 曰本第H09-315859號專利所述）、Bi203-Ca0-Nb205系（如美 國第5350639號專利、日本第Η11·3423 1號專利所）與 LaNb〇4系（如美國第6620750號專利所述）等，皆強調其配 方符合低溫下燒結製程特性，並擁有高品質因子。另值得 一提的是，在美國第5350639號專利内容中提及，其陶瓷 配方經由適當的添加後（Cu〇、V2〇5)，可改善低氧分壓下燒 結對陶瓷所造成的介電損失，可與銅金屬（Cu)於還原氣氛下 共燒製作。而最早導入銅卑金屬共燒製作之專利，則是曰 本第H05-182524號專利，其以Ti〇2_Zr〇2_Sn〇2為主材料配 方，雖未得到理想的Q值，但配合適當的玻螭添加劑，可 與銅進行共燒製作。 由上述相關專利文獻中得知，大部分的微波介電材料 所共燒之金屬，皆以低氧化性的銀（Ag)金屬為主僅有少數 專利提及與銅（Cu)金屬共燒之製作成果，然而，其陶瓷材料 在還原氣氛下（N2)與銅金屬共燒後，可能因材料中氧空缺增 ^52072 加’產生局部半導化 電特性。 0^1年7月~^^替換頁I 反而降低了陶瓷本體原有的微波介 【發明内容】 有鑑於現有介電陶究材料具有製造成本高，或微波介 電特性不佳等問題’本發明之目的在於提供一種可與銅及 其合金進行共燒製作的介電陶£組成物，其可以適用於高 頻應用之恤度補償型電容H，並適用以低溫還原氣氛燒結 製程製作，而可降低製造成本。 為達成以上的目的，本發明之可與銅及其合金進行共 燒製作的介電陶瓷組成物係包括： 主體相’係由鈦酸銷基（Ba〇_Ti〇2)所組成； 玻璃相添加物’係包含由氧化硼（b2〇3)、氧化鋅 (ZnO)、一氧化矽（Sl〇2)、氧化鋇（Ba〇)所組成的材料；以及 一改質添加物，其係選自於由二氧化鍺（Ge〇2)、三氧化 一鏑（Dy2〇3)、三氧化二猛（Mn2〇3)、碳酸鋇、碳酸 妈（CaC〇3)與乾化銅（Cu〇)所構成材料群組中之至少一種材 料。 較佳的是，主體相Ba0與Ti〇2的莫耳數比介於3 75〜4 6 間。 較佳的是’主體相佔整體組成物的88〜97wt%。 較佳的是，玻璃相添加物佔整體組成物的2.9〜1 Owt%。 較佳的是’該玻璃相添加物進一步包含選自於由氧化 銘（Ah〇3)及氧化鉍（Bi2〇3)所構成材料群組中之至少一種材 料。 1352072

Li〇〇年7月6日修正#ggj 較佳的是，玻璃相添加物包括001〜25wt%氧化硼、 0.3〜5.5wt%氧化鋅、〇2〜2wt%二氧化矽' 丨木5 5wt%氧化 鎖、ο·οι〜o.5wt%氧化鋁與〇〇1〜〇2wt%氧化鉍，以上比例 係為各材料佔整體組成物之重量百分比。 較佳的是，改質添加物佔整體組成物的〇 〇1〜2糾％。 較佳的是’改質添加物包括〇 〇1〜〇 5wt%二氧化鍺、 〇.〇l~0.5wt%三氧化二鏑、〇 〇1〜iwt%三氧化二錳、 〇·〇1〜l，5wt%碳酸鋇、酸鈣與〇 〇i〜iwt%氧化 鋼，以上比例係為各材料佔整體組成物之重量百分比。 由於本發明之可與銅及其合金進行共燒製作的介電陶 瓷組成物，同時具有可與銅金屬共燒、低介電損失與低電 容/溫度係數的特性，可廣泛應用於低溫共燒陶瓷（L_

Temperature Co_fired Ceramic，LTCC)製程或積層陶瓷電容 (Mult 卜 layer Ceramic Capacitor’ MLCC)之製作，並可顯 著降低製造成本。 ~ 【實施方式】 本發明之陶瓷介電材料組成組成物的較佳實施例係包 含一主體相、一玻璃相添加物與一改質添加物；其中， 主體相係由鈦酸鋇基（Ba0_Ti〇2)所組成；於本較佳實施 例中，主體相佔整體組成物的88〜97wt%(重量百分比）， 與Τι〇2的莫耳數比介於1 · 3 75〜丨· 4.6間； 玻璃相添加物係選自於由氧化硼（ΙΟ3)、氧化辞 (ZnO)、二氧化石夕（Si〇2)'氧化鋇（Ba〇)、氧化铭（Al2〇3)與氧 化鉍（BhCh)所構成材料群組中之至少一種材料；於本較佳 1352072 Q00年7月6日倏丨 實施例中，玻璃相添加物佔整體組成物的2 9〜1〇wt%，其可 包括〇·〇1〜2.5«氧化硼、〇.3〜5.5wt%氧化鋅、〇 2〜2评⑼二 氧化矽、丨.4〜5.5wt%氧化鋇、〇.〇1〜〇.5wt❶/。氧化鋁與 0.01〜0.2wt。/。氧化鉍，以上比例係為各材料佔整體組成物之 重量百分比； 改質添加物係選自於由二氧化鍺（Ge〇2)、三氧化二鏑 (Dy203) '二氧化二錳（Mn2〇3)、碳酸鋇（BaC〇3)、碳酸鈣 (CaCO〇與氧化銅（Cu〇)所構成材料群組中之至少一種材 料；於本較佳實施例中，改質添加物佔整體組成物的 0.01〜2wt% ’較佳的是包括〇_〇1〜〇.5wt%二氧化鍺、 0.01〜0.5wt%三氧化二鏑、〇 〇1〜lwt%三氧化二錳、〇 〇iq」 wt%碳酸鋇、0.01〜lwt%碳酸鈣與〇 〇1〜lwt%氧化銅，以上 比例係為各材料佔整體組成物之重量百分比。 實施例一：主體相粉末的製備過程 主體相粉末之製備係將氧化鋇（Ba〇)之起始物碳酸鋇 (BaC03)及二氧化鈦（Ti〇2)，依Ba〇與Ti〇2之莫耳數比介於 1:3.75〜1:4.6間之範圍稱重後，置入聚氯乙烯材質之球磨罐 中並加入去離子水與纪增勃氧化錯（Yttrium Toughened Zirconia，YTZ)磨球，進行球磨混合2〇小時，混合完成後 於80 C娱|目令乾燥；之後，將烘乾後之主體相以ye /min 的升溫速率加熱至12〇〇艺，於大氣環境下進行煆燒 (calcination)處理，並持溫5小時；煆燒完成後，將煆燒後 之主體相、YTZ磨球與酒精溶劑於球磨罐中進行24小時研 11 1352072 . · [j〇〇、7 月 6 百 磨製作，以得到平均粒徑小於丨μιη(微米）之主體相粉末。 貫細> 例一.玻璃相添加物粉末的製備過程 玻璃相添加物的製備係將三氧化二硼（B2〇3)、氧化鋅 (ZnO)、二氧化矽（si〇2)、氧化鋇（Ba〇)、三氧化二鋁（a丨2〇3) 與氧化鉍（BhO3)，依下列表一之重量比例關係，稱重後置 入聚氯己烯材質之球磨罐中，並加入去離子水與γτζ磨 球，進行球磨混合20小時，混合完成後於8(rc烘箱中乾燥； 之後，將烘乾後玻璃相添加物以5C /min的升溫速率加熱至 約1000 C，並持溫5分鐘進行溶化（Fusing)處理，接著倒入 去離子水中冷卻。在乾燥後，將玻璃相添加物、γτζ磨球 與酒精溶劑於球磨罐中進行24小時研磨製作，而得到粒徑 均勻之玻璃相添加物粉末。 表一、玻璃添加物的組成重量百分比（單位·％) 組成 A， B， 、于Ί儿· /〇 J C， Β 2 0 3 25 25 2S ΖηΟ 14 19 14 SiO〇 15 6 14.5 BaO 45.5 50 45 A1 2 〇3 0.5 Bi，0, - - 1.5 實施例三：介電陶竞組成物的製備過程 完成主體相粉末與玻璃相添加物粉末製備後，再將主 12 1352072 厂1〇〇年7月6日修正替換 體相％末與玻璃相添加物粉末’進一歩與改質添加物進行 5 改質添加物係將一氧化錯（Ge〇2)、三氧化二鋼 (Dy203)、三氧化二錳（Mn2〇3)、碳酸鋇（BaC〇3)、碳酸鈣 (CaC〇3)與氧化銅（Cu〇)，依下列表二之重量比例關係混合 而成。 一 "p) M艰刀口欺7的組成董量百公hK f罝仂·〇/Λ 組成 A Β C D E F G H T Ge〇2 - 38.5 1 〇Υ2〇3 23 23 75 33 33 17 21 Ί 1 Mn2〇^ 77 38.5 25 11 11 27 7 1 7 BaCO, _ ·_ 56 100 CaCCh - - - 56 7 0 CuO _ 56 ：___ ：_ _:_ 72- / Δ _：_ 主體相、玻璃相添加物與改質添加物的混合比例關係 如下列表三所示。料組成分依配方比例稱重後置入球磨 罐中並加入YTZ磨球與酒精溶劑，於球磨罐中進行小 時研磨製作後烘乾’進而得到介電H组成物粉末。 三一、介電陶勿的組成配方 配方 序號 主體相組成 改質添如妨Ϊ 玻璃相添加物 BaO與 Ti02 莫 耳數比 wt% 組成 r-- wt% 組成 wt% 1 1:3.75 89.6 C 0.4 A， 10 "―- __ 13 1352072 2 3 1:4.5 1:4 1:4 1:4 89.6 89.6 88.7

C

C

A

B 0.4 0.4 1. 一 日修正 A, A，

A

A 10 10 10 6 1:4 88.7 95.6 C 0.4 A 10 4

9 1:4 1:4 91.6 91.6 D 0.9 0.9 B 7.5

E

B 7.5 10 1:4 90.7

F 1.； 11 1:4 91.1

H 1.4

B 7.5 7.5 12 1:4 91.1 1.4 B， 7.5 將上述配方所得之介電陶瓷組成物粉末，加入微量的 聚乙婦醇（Polyvinyl Alcoh〇1)黏結劑進行造粒 (Pelletization)，粉末過篩後以單軸成型機於9〇〇psi的單軸 壓力’將粉末壓片成厚5 mm，直徑20mm的生坯試片；隨 後並於试片兩側分別利用網印（Screen Printing)方式塗上 鋼金屬膏（Copper paste)，並進行與銅金屬共燒（c〇_firing) 处理，在共燒處理上’先將塗上銅金屬膏之介電陶竞組成 物試片，於60CTC之高純氮氣（99.999% NO環境下持溫4小 時進行脫脂反應；隨後，再進一步升溫至900〜95〇。(：之純氣 氣或氮/氫混合氣氛（氫氣佔混合氣體之體積比例為〇〜丨.5% 間）環境下，進行持溫2小時之燒結反應。介電陶竟組成物 與錦金屬於還原氣氛下共燒結後，測量其燒結體密度與共 14 1352072 · » 牟曰修正替¥頁I 燒材料的介電常數、散逸係數及介電常數溫度係數，並利 用共振腔測量法（Cavity method)配合網路分析儀（Agiient 8722ES)，測量燒結體在高頻（4GHz)條件之品質因子（Q)。該 介電常數溫度係數以下列公式計算。 /皿度係數（ppm/C) : [(c125-C25)/C25]*[i/(i25-25)]*106 相關測量結果如下列表四所示。 表四、陶瓷介電材組合物與銅金屬共燒結後之燒結體 之介電特性 樣品 序號 配方 序號 燒結 溫度 (°C) 氣氛 比例 (%) 介電 係數 (K) 散逸 係數*2 密度 (g/cm 3) 溫度 係數*3 (ppm/ °C) .品質 因子 *4 1 1 940 0 33 4.3* 1〇*4 4.28 32.2 1065 2 2 940 0 34.5 4*1〇'4 4.22 26.2 1202 3 2 925 0.2 28.2 >6*1 〇'4 4.05 >35 <1000 4 2 925 0.6 14.7 >6* 1〇'4 3.9 >35 <1000 5 3 940 0 32.4 4* 1 〇·4 4.27 27.5 1200 6 3 925 0.2 32.1 4.6* 1〇'4 4.18 30.1 1168 7 3 925 0.6 30.8 5.6* 1〇·4 3.98 29.8 1006 8 4 925 0.2 32.5 4.1 * 1 〇·4 4.2 28.7 1186 9 5 925 0.2 31.5 4.9*1 〇'4 4.01 33.2 1014 10 6 950 0 30.5 4.3* 1〇'4 4.16 29.6 1137 15 1352072 — 100 年7月6 曰修正替 sn 11 7 950 0 34.5 3.3* 10·4 4.26 25.2 2102 12 8 945 0 34.2 2.7* 10·4 4.31 32.2 ---- 1531 13 9 940 0 35.5 2.7* 10·4 4.28 18.8 ---. 1271 14 10 945 0 33.3 2.7*1〇'4 4.21 32.7 ----- 1412 15 11 945 0 35.1 2.1* 1〇·4 4.37 31.5 1496 16 12 940 0 35 3.1* 10-4 4.39 29.5 1135 *1.其係為氫氣佔混合氣體之體積比例。 *2.其係在共振頻率為imhz下所測得。 *3.其係在溫度25°C〜125°C下所測得。 * 4.其係在共振頻率為‘GHz下所測得。 由樣品5之測試結果顯示，當主體相BaO與Ti02之莫 耳數比約為1:4時，經過還原氣氛下的燒結處理之後，燒結 體的密度為4.27g/cm3,介電常數為32 4,低頻條件下（1MHz) 里測到之散逸係數為4 χ 1〇_4，125 〇c時其溫度係數為 •_5PPm/ C ’馬頻條件下（4GHz)所量測之Q值為1200。在 相同的燒結溫度下，莫耳數比約$ 1:3 75時(樣品”，燒結 體之散逸係數則較高(4.3 ” 〇·4);而莫耳數比約為1:4.5時(樣 品2)，燒結體材料密度較低4.22g/cm3,但介電常數增加至 34.6。 而在強還原氣氛下（氮氣佔混合氣體總體積〇2〜〇6%間 時）燒結時，莫耳數比$ 4之配方（樣品6與7)較莫耳數比為 4·5(樣品3與4)配方明顯具有抗還原反應性。 文質添加物的研究中，可得知Ge、Μη與W的添加， 16 1352072 料故… D〇〇5lT6j5Z$5in 對強還原氧氣下燒結之燒结體 豆介雷特性μ 現'口體之“原性有幫助，亦提升 八"電特丨生，如表四中樣品8 〈歡據所不。Cu、Ba盥 Ca的添加，則有助於提 - 刊幵旳，丨電特性與溫度係數，如 表四_樣°。〗2、13與14之务播祕- 之數據所不。但過添加量過多時 的，如Cu添加量大於丨c/盥 la添加置大於lwt%時 皆 不利於材料的高頻介電特性，如表 品數據15與16 所示。 玻璃相添加物的測試結果中，可得知玻璃相添加量在 小於細。/。時，材料的燒結密度與介電特性，皆會受到影響 而降低，如表四令樣品1〇數據所示’其材料燒結不足，燒 結密度下降（4.16g/em3)，介電常數亦下降至3()5。在玻璃成 分中加人M(Bi)，有利於降低玻璃相配方製作時的溶融溫 度’亦可提升燒結過程中之液相燒結的效果，如表四中樣 品1 1數據所示。 綜合上述’本案所開發之陶竟成分組成，可在燒結溫 度小於950°C及還原氣氛下，如高純氮氣或氮/氣混合氣氛 環境，與銅金屬進行共燒結製作且不致於半導體化，可降 低產品製作成本，並具有低溫度係數（<±3〇ppmrc)、低散逸 係數（當共振頻率為1MHz時，具有小於4*1〇.4的散逸係數） 與高品質因子（於共振頻率為4GHz時，具有高於1〇〇〇的Q 貝），介電常數為30〜40間，形成可提升npo型積層陶瓷電 容器（NP〇-type MLCC)電氣特性之溫度補償型介電陶瓷組 成物。 此外’上所述者僅為本發明之較佳實施態樣，非用以 17 ^52072 - I 1 限定本發明實施之範圍，大凡依本發明申請專利範圍及發 明S兒明書内容所揭示之技術思想而為之簡單的等效變化與 修飾，皆應仍屬本發明專利涵蓋之範圍内，如Bao的起始 物可為 BaC03，BaC204、Ba(c2H5CO)2 等；B2〇3 的起始物 可為h3bo3或b2o3等。 【圖式簡單說明】 無 【主要元件符號說明】 J&t …、 18

Claims (1)

1352079, 丨 1(?〇 年 • f。。年x月κ日修正本 十、申請專利範圍： 1.一種可與銅及其合金進行共燒製作的介電陶竞組 成物，其係包括： 一主體相’係由鈦酸鋇基（BaO-Ti〇2)所組成； 一玻璃相添加物，係包含由氧化硼（B2〇3)、氧化辞 (ZnO)、二氧化石夕（si〇2)、氧化鋇（BaO)所組成的材料；以及 一改質添加物’其係選自於由二氧化鍺（Ge〇2)、三氧化 二鏑（Dy203)、三氧化二錳（Mn2〇3)、碳酸鋇（BaC〇3)、碳酸 詞（CaCOO與氡化銅（Cu0)所構成材料群組中之至少一種材 料。 2·如申請專利範圍第1項所述之可與銅及其合金進 行共燒製作的介電陶瓷組成物，其中的主體相包含氧化類 (BaO)與二氧化鈦（Ti〇2)，而氧化鋇（Ba〇)與二氧化鈦（ΤΑ) — 之莫耳數比介於1:3.75〜1:4.6間。 3·如申請專利範圍第2項所述之可與銅及其合金進 行共燒製作的介電陶瓷組成物，其中的主體相佔整體組成 物的88〜97wt%。 4.如申請專利範圍第3項所述之可與銅及其合金進 行八燒製作的介電陶瓷組成物，其中的玻璃相添加物佔整 體組成物的2.9~1〇\^%。 5·如申請專利範圍第1項所述之可與銅及其合金進 行共燒製作的介電陶瓷組成物’其中該玻璃相添加物進— 步包含選自於由氧化鋁（幻2〇3)及氧化鉍（Bi2〇3)所構成材料 群組中之至少一種材料。 19 1352072 年8月15 έΓ條正替換頁j 6 .如申請專利範圍第5項所述之可與銅及其合金進 行共燒製作的介電陶:是組成物，其中的玻璃相添加物包括 〇.01〜2.細％氧㈣、G.3〜5.5㈣氧化鋅、〇.2〜2wt%二氧化 ^ Μ〜5.5Wt%氧化鋇、㈣1〜G.5wt%氧化銘與G.G1〜〇.2Wt% 氧化鉍，以上比例係為各材料佔整體組成物之重量百分比。 —7·如中請專利範圍第6項所述之可與銅及其合金進 行共燒製作的介電陶窨紐占从 組成物的一:成物…的改f添加物佔整體 8 .如申請專利㈣第7項所述之可與銅 行共燒製作的介電陶究組成物，其中的改質添加物包括 一切。二氧化鍺、0.01〜0.5wt%三氧化二鋼· n—m、G.G1〜h5wt%碳酸鋇、g.g1〜1w_酸辑與 t%氧化銅’以上比例係為各材料佔整體組成物之重 置百分比。 所述之可與銅及其合金進 其t的主體相佔整體組成 9 .如申請專利範圍第1項 订共燒製作的介電陶瓷組成物， 物的88〜97wt%。 所述之可與銅及其合金 其中的玻璃相添加物佔 1 〇 .如申請專利範圍第1項 進行共燒製作的介電陶瓷組成物， 整體組成物的2.9〜1〇”〇/。。 1 1 .如申請專利範圍第1〇項所述之可與銅及其名 2行共燒製作的介電陶£組成物，其中該玻❹添Μ # 7匕3有選自於由氧化紹（Al2〇3)及氧化鉍（Bi203)所賴 成材料群組中之至少一種材料。 損 20 1352072

修正替換頁 12.如申請專利範圍第 金進行共燒製作的介電心組成物，彡中的玻璃相添加物 包括0·(Η〜2_5wt%氡化H3〜55wt%氧化鋅、。2七⑼二 氧化石夕、Μ〜5.5職氧化鋇、〇 〇1〜〇切。氧化铭斑 一切。氧化叙，以上比例係為各材料佔整體組成物之 重量百分比。 1 3 ·如申請專利範圍第丄項所述之可與銅及其合金 進行共燒製作的介電陶究組成物，其中的改質添加物佔整 體組成物的0.01〜2wt0/〇。 1 4 .如中請專利範圍Η 2項所述之可與銅及盆合 金進行共燒製作的介電陶究組成物，#中的改質添加物包 括0.01〜o.5wt%二氧化鍺、0·01〜0 5wt%三氧化二鋼、 〇.〇HWt%三氧化碳酸鋇、〇別七以。碳 酸飼與0.0 ii w t %氧化銅，以上比例係為各材料佔整體组成 物之重量百分比。 1 5 .如申請專利範圍第i項所述之可與銅及立人金 進行共燒製作的介電陶竞組成物，其中的主體相佔整體組 成物的88〜97wt。/。，玻璃相添加物佔整體組成物的 2.9〜1〇糾％，改質添加物佔整體組成物的〇〇1〜2〜％，以上 各纽成份構成1 〇0%的組成物。 1 6 ·如申請專利範圍第i 4項所述之可與銅及其合 金進行共燒製作的介電陶瓷組成物，其中的主體相包含氧 化鋇（Ba〇)與氧化鈦⑽2)，氧化鋇（Ba〇)與氧化鈦（Ti〇2)的 莫耳數比介於1:3.75〜1:4·6間。 21