TWI345415B - Solid-state imaging device and imaging apparatus - Google Patents

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TWI345415B TW096125726A TW96125726A TWI345415B TW I345415 B TWI345415 B TW I345415B TW 096125726 A TW096125726 A TW 096125726A TW 96125726 A TW96125726 A TW 96125726A TW I345415 B TWI345415 B TW I345415B
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Description

1345415 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於-種關成像㈣及—種成縣置，其中 在電荷偵測單元内使用一使用碳奈米管之電晶體。 【先則技術】 作為111 11成像器件之信號電荷偵測單it，存在浮動擴散 . 層（下文中稱為FD，？0係"浮動擴散"之縮寫）之偵測單元， 修 且該類型係廣泛用作CCD(電荷輕合器件）類型成像器件之 電荷偵測單元、CM0S感測器像素之電荷電壓轉換單元 等。在該類型中，必須藉由相關雙重取樣（CDS)等消除 KTC雜訊（CCD特有之熱雜訊）且存在限制使得一隨後級處 之輸出單元操作電壓必需相對較高電壓，不過，在此類型 中很谷易獲得向轉換增益。
作為與FD不同的一主要電荷偵測類型，存在一浮動閘 極（下文中稱為FG，FG係，，浮動閘極，，之縮寫）類型。FG類 • 型主要係用作CCD器件之電荷偵測單元，且（例如）在CCD 成像器件之一水平CCD終端部分中，一 ？(}電位藉由將信號 . 電荷傳輸至一用於電荷偵測之浮動閘極（其係重置為某一 電位）下方的一CCD通道而依據一信號電荷量變化，且該 , 連接至一輸出MOSFET(FET :場效電晶體）之一閘 極’且原則上依據該信號量調變該輸出M〇SFET之通道電 流。在此類型中，由於用於重置一FG部分的一電晶體與該 FG部分之區域之連接，電荷偵測能力傾向於增加（與類 型相比），因此幾乎無法獲得具有高轉換效率之電荷偵測 120676.doc 1345415 單元。不過，由於很容易將輸出單元之隨後狀態中之操作 電壓》又疋得較低且其係非破壞性讀取，所以存在優點（— 藉由配置複數個FG等來改善偵測單元之SN的方法）。 作為與以上類型不同的電荷偵測類型，存在一種直接讀 ^ 取電流之方法及一種CMD(電荷調變器件）類型電荷偵測單 .· 凡。直接讀取電流之方法係一種允許信號電流在CCD終端 . 與一電流路徑之R之兩端之電壓的一 PN接面中流動的方 φ 法，就SN而言，將其視為一劣等方法。在CMD類型電荷 偵測類型中，藉由利用以一埋入式通道ccd(bccd)中流 動之信號電荷調變該BCCD之一上部部分之表面電位及一 下部部分處之井電位，以橫跨此⑶之形式形成一導電類 型與CCD反向之電晶體，其中由反向導電類型電晶體中流 動之電流獲得信號成分。儘管該方法具有可進行非破壞性 讀取等之優點，不過，該結構複雜且設計上之製造限度 低。 • 提出一些針對光學感測使用碳奈米管（下文中稱為cNT) 電晶體之技術。作為其中之一，存在一範例，其中對一光 學感測器應用一二氧化矽（Si〇2)/矽（Si)結構上的一碳奈米 管FET^此係光電轉換本身係在矽（Si)内部加以執行且矽 (Si)表面處由於已產生電荷而引起的電位變化調變一氧化 物膜之上部部分處碳奈米管FET之一通道區域電位的一技 術（例如，參考"Application of Carbon nan〇tube set/fet to Sensor’’，作者為Kazuhiko Matsuda(大阪大學），電氣工 程師協會技術會議（電子工業材料技術會議，2〇〇3年12月 120676.doc 1345415 19 曰）之報告，EFM-03-44，第 47至 50 頁，2003)。 【發明内容】 存在在相關技術中在FD類型輸出單元中存在KTC雜訊及 電荷共享雜訊之問題以及與FD類型相比，在FG(浮動閘極） 類型（其係不具有KTC雜訊及電荷共享雜訊之類型）中幾乎 無法獲得高轉換增益之問題。 需要藉由配置一用於碳奈米管通道内之驅動電晶體而在 抑制KTC雜訊及電荷共享雜訊的同時獲得高轉換增益。 依據本發明之一具體實施例，提供一種固態成像器件， 其包括一信號電荷偵測單元’該信號電荷偵測單元將已藉 由光電轉換入射光而獲得之信號電荷轉換為待輸出電壓， 且該信號電荷偵測單元透過一絕緣膜將具有一碳奈米管通 道的一驅動電晶體配置於該固態成像器件之一輸出閘極與 一重置閘極間的一通道區域上。 在依據本發明之一具體實施例的該固態成像器件中，藉 由傳輸至該碳奈米管通道下方之通道區域的信號電荷來調 變驅動電晶體之該包括碳奈米管之通道的電位，因此，調 變驅動電體中流動之電流並將其轉換為一待讀出信號電 壓，因而，該驅動電晶體具有高跨導（gm)。此外，該信號 電荷偵測單元之尺寸小且具有高敏感性與高頻特徵（f特 徵）。 在依據本發明之一具體實施例的該固態成像器件中，以 與通道區域（例如CCD通道）連續之方式配置該信號電荷偵 測單元，且藉由CCD傳輸（完全傳輸）執行自信號電荷偵測 120676.doc 1345415 早元至重置閘極之電荷傳輸’因此，存在該器件不具有 KTC雜訊或電何共享雜訊及將為一高度敏感成像器件的一 優點。儘管該信號電荷偵測單元基本上係一種FG類型信號 電荷偵測單元’但可獲得比FG類型高的轉換增益。 此外’在依據本發明之一具體實施例的一固態成像器件 中，藉由一放大器電晶體之一閘極執行自電荷電壓轉換單 元（例如浮動擴散）至該放大器電晶體之信號電壓傳輸，存 在該器件不具有KTC雜訊或電荷共享雜訊及將為一高敏感 成像器件的一優點。 【實施方式】 將參考圖1與圖2所示固態成像器件之一輸出單元之組態 圖及圖3之固態成像器件之組態圖來說明依據本發明之一 具體實施例（第一具體實施例）之固態成像器件。 將一 CCD固態成像器件作為一範例來說明固態成像器件 之輪廓。如圖3所示，一固態成像器件（CCD固態成像器 们1包括-成像單元13(其具有光電轉換人射光之光電轉換 單元11及垂直傳輸藉由在光電轉換單元⑽執行光電轉換 而獲得之電荷的垂直傳輸單元12)、一水平傳輸單元14(其 將已經垂直傳輸之信號電荷水平傳輸至一輸出侧），以及 -輸出單元15(其將自水平傳輸單元14所輸出之信號電荷 轉換為待放大電壓）。 圖1與圖2顯示輪出 丁钳早兀15之細卽。一半導體基板1〇具有 水平傳輸單元14(例如，水单值給t ^、 &十傅輸CCD U)。水平傳輸單元 14具有，组態，在該組態中，傳輸閉極_透過一絕緣模 120676.doc 22而配置於一形成於半導體基板1〇中之通道區域以上，且 個別傳輸閘極2 3係連接至個別垂直傳冑單元（不過未顯 示）。在半導體基板10上該水平傳輸單元之一輸出侧上， 透過絕緣膜22按順序形成一輸出間極（水平輸出間極如、 -信號電荷㈣單元25、及—重置閘極26。該信號電荷镇 測單元25包括（例如）一驅動電晶體3 j。 在該驅動電晶體31中，在形成於通道區域21上之絕緣膜 22上提供一碳奈米管通道32。一源極33係配置於碳奈米管 通道32之一侧處，且一汲極34係配置於碳奈米管通道32之 另一側處。透過一絕緣膜（未顯示）在通道32上安裝一控制 閘極35。通道32之方向係橫跨水平傳輸單元14之電荷傳輸 方向的方向（圖式中的垂直方向）。因此，驅動電晶體31之 源極33與汲極34之位置係在絕緣膜22上將通道區域21夾置 於中間之兩側的位置處。 在驅動電晶體31之源極33側處連接一負載MOS場效電晶 體（FET)41且透過一驅動m〇sfet 42連接一負載m〇sfet 43，其形成兩級之源極隨耦器。儘管在該具體實施例中形 成兩級源極隨耦器，但源極隨耦器之級數亦可為一級、三 級或四級。將負載MOSFET 41、43視為具體實施例，不 過’其並非必須為晶片上式。此外，該電晶體並非必須為 MOSFET ,而可為雙極電晶體，或射極隨耦器等。鑒於圖 式清晰’圖2未顯示圖1所示控制閘極3 5。 重置閘極26係配置於控制閘極35之信號電荷之行進方向 之側處’兩者間具有一間隙。重置汲極27係於重置閘極26 120676.doc 1345415 之驅動電晶體3 1之相反側處形成於半導體基板丨〇上。 在固態成像件1中’透過水平輸出閘極24下方之通道 區域21將自水平傳輸單元I4所傳輸之信號電荷傳輸至控制 閘極35下方之通道區域21時，依據一信號電荷量在通道區 域21處發生電位變化。發生在通道區域21處之電位變化藉 由電容性耦合調變驅動電晶體31之通道32之電位。驅動電 晶體31之電流·電壓（I-V)特徵傾向於與MOSFET之電流電 壓（I-V)特徵相同。因此，通道區域21係用作驅動電晶體3 1 之一閘極電極單元❶因此，藉由接收調變將驅動電晶體31 中流動之電流轉換為信號電壓，並透過源極隨耦器輸出至 外部作為信號輸出。 在該具體實施例中，讀出信號電荷之後，使重置閘極26 為高並將電荷從通道區域21清除至重置汲極27。在重置操 作中，亦可將電位提供給控制閘極3 5之低侧且使通道區域 21之電位為淺以促進自通道區域21至重置閘極％之完全傳 輸。 在固態成像器件1中，透過水平輸出閘極24以與水平傳 輸單元14連續之方式形成信號電荷偵測單元25，其中藉由 CCD傳輪（完全傳輸）執行自信號電荷偵測單元以至重置閘 極％之電荷傳輸》由於無KTC雜訊或電荷共享雜訊，所以 該器件可為高度敏感。儘管固態成像器件丨基本上係一種 FG型固態成像器件，不過可獲得比FG型高的轉換增益。 —下面將說明其原因。此處，如圖4所示，在卩〇類型中， 藉由公式⑴... Vsig=Qsig/(CFD+Cp)給出輸出電晶體中由信 120676.doc •10- 1345415 號電荷量Qsig所引起之電位變化Vsig。在此情況下，採用 CFD表示藉由n+層所形成的浮動擴散FD之電容，且採用 Cp表示輸出電晶體之電容。 在一 CMOS感測器之一像素上亦形成圖4所示浮動擴散 FD。此外，在CM0S感測器中，以與FD類型相同之方式藉 由公式（1)... VSig=Qsig/(CFD+Cp)給出輸出電晶體中由信號 電荷量Qsig所引起之電位變化Vsig，且基於電位變化Vsig 形成信號輸出。 如圖5所示，在FG類型中，當CS1、c〇x及Cp之串列電容 係 ct 時，可獲得公式（2)…1/Ct=1/Csl+1/c〇x+l/Cp。此 外，可獲得公式（3)...Vsig*=Qsig/(Cs2+Ct)與公式（4)…輸 出電晶體中之電位變化Vsig=(Csl+Cox；).Vsig>K/ (Csl+Cox+Cp)間之關係。此處，以簡單方式表示公式（1) 與公式（4)。例如，當藉由假設(^0=〇?=〇31«^=€32=1 (單位電容）進行估計時，公式之電容係數係1/2，而公 式（4)之電容係數係1/4，因此，FG類型中藉由電容效應而 獲得之轉換增益將為FD類型的1/2。此係電容分量相同時 以簡單方式進行之評估，不過，實際值傾向於接近該值。 由於以上固態成像器件1具有在FG類型中共享Cox與Cp 的一組態，所以與轉換增益有關的電容分量將減小。當以 如上所述加以簡化之單位電容進行討論時，可獲得1/3， 即可獲得FG類型與FD類型間的一中間值。即，與一般FG 類型相比，可獲得大轉換增益。 在固態成像器件1中，形成驅動電晶體3 1，在驅動電晶 120676.doc
II 體31中’將碳奈米管用作通道32。儘管可考慮藉由一矽 开"7成驅動電晶體’但將碳奈米管用作通道32之驅 動，晶體31的跨導"㈣"係具有相同尺寸之碎TFT或碎主體 之gm的數打倍。藉由將礙奈米管用作通道π之驅 動電曰曰體31可實現一具有大增益用作源極隨耦器之放大 器。 在一具有圖4所示浮動擴散FD之CM〇s感測器之像素 中，形成一將碳奈米管用作通道之放大器電晶體131。儘 官可考慮藉由矽（Si)TFT形成此類放大器電晶體131的一組 態，但將碳奈米管用作通道之放大器電晶體131的跨導 ”gm"係具有相同尺寸之矽TFT或矽主體電晶體之"gm”的數 打倍。因此，藉由將碳奈米管用作通道之放大器電晶體 131可實現一具有大增益用作源極隨耦器之放大器。 1/f雜訊（其係將碳奈米管用作通道32的驅動電晶體31之 熱雜訊）係小於矽電晶體之l/f雜訊。因此，可實現具有高 S/N之放大器。 此外’ Ι/f雜訊（其係將碳奈米管用作通道的放大器電晶 體之熱雜訊）係小於碎電晶體。因此，可實現且有高 S/N之放大器。 接著，將藉由圖6所示一固態成像器件之一輸出單元之 組態平面圖來說明依據本發明之一具體實施例（第二具體 實施例）的一固態成像器件。 如圖6所示，一半導體基板1〇具有水平傳輸單元ι4(例 如，水平傳輸CCD I4)。水平傳輸單元14具有一組態，在 120676.doc •12· 1345415 該組態中，傳輸閘極23係透過一絕緣膜（未顯示）而配置於 一形成於半導體基板1〇中之通道區域21上，且個別傳輸間 極23係連接至個別垂直傳輸單元（不過未顯示在半導體 基板10上該水平傳輸單元14之一輸出側上，透過絕緣膜按 順序形成一水平輸出閘極24、一信號電荷偵測單元25、及 一重置閘極26。由於信號電荷偵測單元25能夠（例如）執行 非破壞性讀取’所以配置複數級驅動電晶體3 1(3 la)、 31(31b)、31(31c)，且在個別驅動電晶體31(31a)、 31(31b)、31(31c)間形成傳輸閘極 28(28a)、28(28b)。重置 閘極26係形成於控制閘極35之信號電荷之行進方向上，兩 者間具有一間隙。重置汲極27係於重置閘極26之驅動電晶 體31之相反侧處形成於半導體基板1〇上。 在一形成於通道區域2 1上之絕緣膜上的個別驅動電晶體 3 la至31c處提供由碳奈米管製成之通道32a至32c。源極 33a至33c係配置於碳奈米管通道32a至32c之一側處且汲極 34a至34c係配置於個別碳奈米管通道32a至32c之另一側 處。透過一絕緣膜（未顯示）在通道32上安裝控制閘極（未顯 示）。該組態係與參考圖1所說明之控制閘極35相同。個別 通道32a至32c之方向係橫跨水平傳輸單元14之電荷傳輸方 向的方向（圖式中的垂直方向）。因此，驅動電晶體31之源 極33與汲極34之位置係在絕緣膜上將通道區域21失置於中 間之兩側的位置處。 在驅動電晶體31之源極33之側處連接負載MOS場效電晶 體（FET)41以形成源極隨耦器。儘管在該具體實施例中形 120676.doc •13· 1345415 成兩級源極隨耦器，但源極隨耦器之級數亦可為一級或複 數級。將負载MOSFET 41視為具體實施例，不過，其並非 始終為晶片上式《此外，該電晶體並非始終為m〇sfet ’ 而可為雙極電晶體，或射極隨耦器等。此外，在個別驅動 電晶體之輸出單元處提供延遲電路51、52及53,其藉由加 法器54執行欲求平均值之加法，藉以執行輸出。形成一所 謂分散式浮動閘極放大器。 在固態成像器件2中，假設在水平傳輸單元14中以圖式 中自右至左方式傳輸信號。此時，當個別驅動電晶體3 ^下 方之通道區域21中之信號量為A時，假設藉由驅動電晶體 3 la產生一信號量A*。假設水平傳輸單元14與延遲電路51 至53以相同時脈操作，關於透過驅動電晶體31a下方之通 道區域21以非破壞性方式所發送之信號，藉由驅動電晶體 3 la產生信號量A*。同樣地’藉由個別驅動電晶體3 lb、 31c產生信號量A*。在加法器54中讀取所產生之個別信號 量A*，透過延遲電路51至53對其進行相加並求平均值。由 於透過延遲電路51至53在加法器54中讀取個別信號量a*， 所以會同時讀取該等信號量A*。即，調整延遲電路51至53 使得在加法器54中同時讀取個別信號量a* β因此，由於非 破壞性地讀出信號而未在個別驅動電晶體3 1 a至3 1 c處遺失 信號量’所以，當（例如）存在Μ級放大級時，信號量將為 Μχ(Α*/Α)。依據將碳奈米管用作通道32之驅動電晶體31 之特徵，當假設信號量Α*/信號量A s 1時，S/N藉由Μ次取 樣將為倍。在該具體實施例中，有三級放大級（驅動電 120676.doc 1345415 晶體31a至31c)，因此可獲得_之^倍增加。 接著’下面將說明-製造依據本發明之—具體實施例之 固態成像器件的方法。針對該製造方法中將說明的與第一 具體實施例中所說明之組件相同的個別組件使用相同數 字。 例如’針對形成固態成像器件之半導體基板職用一正 常N型發基板。首先，在半導體基板1〇上形成一 n型蟲晶 層以具有一(例如)1〇μιη之厚度。在該磊晶層上形成一用於 形成咖單凡之雜f分佈。，形成通道區域η、一通道 停止單元、光電·轉換單元丨丨等。 接者，在屋晶層上形成絕緣膜22(閘極絕緣膜）。例如， 在9〇〇°C下藉由—熱氧化方法藉由—厚度為50nm之氧化石夕 膜形成該臈。 接著，形成（例如）一多晶石夕膜以便形成個别閉極之後， 藉由一微影技術、一钱势丨姑# # A+ 蝕到技術等來圖案化該多晶矽膜以形 成個別閘極（例如，垂直傳輸單元12之咖傳輸電極、水 平傳輸單元14之CCD傳輸電極及水平輸出閘極24之水平輸 出電極、重置閘極26之重置電極等此外，於輸出單元 處形成MOS電晶體之一雷& 1 & _ 體< 1極。可與以上電極之形成同時執 行該電極之形成。接芸 ^接者形成個別MOS電晶體之源極/汲 極區域。 接著’形成驅動電晶體31、源極33及汲極34。例如，开, 成-金屬膜或一合金膜(例如，欽㈤、鎢⑼、翻㈣等； 之後，處理該金屬膜。隨後，藉由形成碳奈米管來形成通 120676.doc • 15 · 1345415 道32 ^對於該形成，可使用（例如）化學汽相沈積（cvd) 等在通道32上形成一絕緣膜（未顯示）《»例如，藉由cvd 方法藉由沈積氧化矽來形成該膜。此後，藉由形成（例如） 矽化鎢（WSi)、鋁（A1)等來形成一用於形成控制閘極35之導 電層，接著，加以圖案化以獲得控制閘極35。此外，在整 個表面上形成一絕緣膜。 接著，藉由一正常接觸孔形成技術形成一接觸孔之後， 藉由（例如）鋁、銅等形成金屬佈線。必要時，在光電轉換 單元11上形成一具有開口之遮蔽膜。形成平坦化膜、鈍化 膜等之後’形成彩色渡光器、晶片上透鏡等以完成固態成 像器件1。 接著將參考圖7之方塊圖說明依據本發明之一具體實施 例的一成像裝置。 如圖7所示，成像裝置8〇包括依據本發明之一具體實施 例的固態成像器件1、2或3。一使主題成像之成像光學系 統82係提供於收集光之侧處，而一信號處理電路84將已在 固態成像器件1、2或3處加以光電轉換之信號處理成影 像。藉由一影像儲存單元85來儲存經信號處理電路84處理 之影像信號。亦較佳地在外部提供該影像儲存單元85。 由於在成像裝置8〇中使用依據本發明之一具體實施例的 該固感成像器件1、2或3，所以不存在KTC雜訊或電荷共 享雜訊，因此，存在該成像裝置可獲得高品質影像的一優 點。此外’存在可獲得高於FG類型之轉換增益的一優點。 成像裝置80不受限於以上組態，❼可應用於使用固態成 120676.doc * 16 - 1345415 。例如， 如，該裝置表示一相機或 此外’ I，成像I’不僅包括藉 而且作為引申義包括指紋 像器件的任何成像裝置組態。合 一包括成像功能之可攜式裝置t 由相機照相時正常的影像拾取， <貞測等。
•較佳地， 成之形狀， 狀，在該模！ 理單元或光學系統。 熟習此項技術人士應瞭解根據設計需要及其他因素，各 種修改、組合、次組合及變更均可㈣，只要其在隨附申 請專利範圍或其等同者的範_内即可。 【圖式簡單說明】 圖1係一組態斷面圖’其顯示依據本發明之一具體實施 例（第一具體實施例）的一固態成像器件； 圖2係一組態平面圖，其顯示依據本發明之該具體實施 例（第一具體實施例）的該固態成像器件； 圖3係一示意性組態圖，其顯示依據本發明之該具體實 施例（第一具體實施例）的該固態成像器件； 圖4係一電路圖’其說明一fd類型； 圖5係一電路圖’其說明一 fg類型； 圖6係一組態平面圖，其顯示依據本發明之一具體實施 例（第二具體實施例）的一固態成像器件；及 圖7係一方塊圖，其顯示依據本發明之一具體實施例的 一成像裝置。 120676.doc -17· 1345415 【主要元件符號說明】 1 固態成像器件 2 固態成像器件 3 固態成像器件 10 半導體基板 11 光電轉換單元 12 垂直傳輸單元 13 成像單元
14 水平傳輸單元 15 輸出單元 21 通道區域 22 絕緣膜 23 傳輸閘極 24 輸出閘極/水平輸出閘極 25 信號電荷偵測單元
26 重置閘極 27 重置汲極 28 傳輸閘極 28a 傳輸閘極 28b 傳輸閘極 31 驅動電晶體 31a 驅動電晶體 31b 驅動電晶體 31c 驅動電晶體 120676.doc -18- 1345415 32 碳奈米管通道 32a 碳奈米管通道 32b 碳奈米管通道 32c 碳奈米管通道 33 源極 33a 源極 33b 源極 33c 源極
34 汲極 34a 汲極 34b 汲極 34c 汲極 35 控制閘極 41 負載MOS場效電晶體（FET)
42 驅動 MOSFET
43 負載 MOSFET
51 延遲電路 52 延遲電路 53 延遲電路 54 加法器 80 成像裝置 82 成像光學系統 84 信號處理電路 85 影像儲存單元 131 放大器電晶體 120676.doc -19-

Claims (1)

1345415 m i. 13 年月日修正本 第096125726號專利申請案 中文申請專利範圍替換本(!⑻年1月） ‘十·、申請專利範圍： 1. 一種固態成像器件，其包含： 一信號電荷偵測單元，其將已藉由光電轉換入射光而 獲得之信號電荷轉換為待輸出電壓， 其中該信號電荷偵測單元透過一絕緣膜將具有一碳奈 米管通道的一驅動電晶體配置於該固態成像器件之一輸 出閘極與一重置閘極間的一通道區域上， Φ 其中複數個電晶體係配置於該輸出閘極與該重置閘極 之間，且在該通道區域上傳輸閘極係配置於該等驅動電 晶體之間》 2. 如請求項1之固態成像器件， 其中該驅動電晶體包括 該碳奈米管通道，其橫跨該通道區域， 一源極’其係位於該碳奈米管通道之一側處，及 一沒極’其係位於該碳奈米管通道之另一側處。 3. 如請求項1之固態成像器件， 其中該通道透過一絕緣膜而包括一控制閘極。 4. 如請求項3之固態成像器件， 其中該重置閘極係安裝於該控制閘極之信號電荷之行 進方向側處’兩者間具有一間隙。 5. 如請求項3之固態成像器件， 其中在該重置閘極之該控制閘極之相反側處包括—重 置汲極。 6. 如請求項丨之固態成像器件， 120676-l000H3.doc 1345415 其中藉由傳輸至該控制閘極下方之通道的信號電荷‘來’ 調變該驅動電晶體之該由碳奈米管製成之通道的一電 位，因此，調變該驅動電晶體中流動之電流並將其轉換 為待讀出信號電壓。 7. 一種成像裝置，其包含： 一固態成像器件，其包括一信號電荷偵測單元，該信 號電荷偵測單元將已藉由光電轉換入射光而獲得之電荷 轉換為待輸出電壓， 其中該信號電荷偵測單元透過一絕緣膜將具有一由碳 奈米管製成之通道的一驅動電晶體配置於該固態成像器 件之一輸出閘極與一重置閘極間的一通道區域上， 其中複數個電晶體係配置於該輸出閘極與該重置閘極 之間，且在該通道區域上傳輸閘極係配置於該等驅動電 晶體之間。
120676-1000113.doc
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