TWI344666B - Solid source container with inlet plenum - Google Patents
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1344666 , 九、發明說明: 本專利申請要求2006年1〇月19日提交的系列號爲 60/853〇14的美國臨時專利申請的權益。 發明所屬之技術領域 本發明涉及用於從盛放於容器中的前驅物材料輸送含 刚驅物流體流的容器和用於從一容器分配包括氣態前驅物 的含前驅物流體流的方法。 先前技術 在製造半導體器件過程中,使用一步或多步沈積工藝諸 如,舉例來說,化學氣相沈積和原子層沈積工藝形成一個 或多個覆盍在基材表面的薄膜或塗層。在一傳統的CVD或 者ALD工藝中’一前驅物源可以是固體和/或液體狀態, 其被傳送到一具有一個或多個基材包含其中的反應室,在 φ 此處前驅物材料在一定的條件下例如溫度或壓力反應以在 基材表面形成塗層或者薄膜。 當在一 CVD或ALD工藝中使用一固態前驅物材料 (precursor material )時,該前驅物材料通常在一獨立的腔 室内’例如加熱室内,被加熱到足以形成氣體的溫度,然 後該氣體通常結合一載體氣體被傳送到反應室。在一些情 況下’該固態前驅物材料被加熱到氣體狀態而沒有形成一 中間的液體狀態。該固態前驅物材料的氣化使得産生並傳 送該包含前驅物材料的氣體到反應室變得困難。遇到的困 5 i 1344666 難-般包枯,但是不僅限於此,在容器,氣化室和/或傳送 線中沈積生長;在容器,氣化室和/或傳送線中液體或固: 狀態的材料的凝結,在容器的内部形成“ A ,,.. ^ ,流入到 下游反應室的不均勻氣體。這些問題將導致製造設備的 “停機”以去除液體或者顆粒物質,並且 U』flt»屋生相對 低質量的沈積膜。 本發明是-種用於從盛放於容器中的前驅物材料 含前驅物流體流的容器,該容器包括: 1 。奋積,該内部 容積被分割成一上部容積和一下部容積, 六' I该上部容籍 和該下部容積流體連通,並且該下部容積盛放該前驅物材 料;蓋’包含引導至少一載體氣體到該容器的内 的-流體入口,-流體出口,和一個内部凹槽 立 容積的至少一部分位於該内部凹槽中;側壁,具上 凸緣,其…部凸緣的至少-部分與該:接觸具二:":部 插入于該蓋和該側壁中間,1中 同器, 具中遠隔離器處於兮UΛ 的附近,並且將該内部容積分隔 ' 凸緣 今積刀隔成上部容積和下 和入口充氣件’與流體入口流體連通,該入口充積, 一充氣件腔體朝著該隔離器開口以引導該至小一軋件具有 通過該隔離器並朝向該前驅物材料。 一載體氣體 八本發明也是―㈣於從—容器分配包括氣“ 驅物流體流的方法,該方 4驅物的 估.提供一交。 有-内部容積’該内部容積包括由 益’一 &離益分隔開的一下 6 ^44000 部容積和一上部容藉,甘二 嫌且有—右尸 、其中該容器包括:一蓋,具有一個 f具有一充虱件腔體的入口 充氟件的入口和一個具有 “T”型孔的出口;—且右一^ 有 凸緣的至少一部分接觸 上4 亥凸緣和與側壁連接的基材;通過 該入口將至少一載體翁 ^ 孔體引V至該容器中,其中該至少—
載體氣體由該入口充氣株沾亡A 礼件的充軋件腔體引導通過該隔離 向下流動,其中該至少— 。 戟體礼體和該氣態前驅物組合形
成6玄Wll·體流,和通過隔離哭“ 阮雖态和该Τ”型孔出口從該容器中 排出該流體流並且將盆八 肘具刀配到下游的沈積系統。。 貫施方式 —一種用於前驅物材料’尤其是一種固態前驅物的氣化的 容器,和一種包含相同前驅物材料的方法在此被公開。該 谷益通常疋由一具有限定一個内部容積以容納前驅物材料 的基材、蓋和側壁的容器構成。通過施加熱,該前驅物材 • 料可以從一固體和/或液體狀態變形爲它的氣體狀態。該前 驅物材料可以是固體和/或液體。可以在該容器中使用的前 驅物材料的例子包括’但不限於,二曱基肼(dimethyl hydrazine) ' 二曱基|呂(trimethyl aluminum(TMA))、氣化 铪(hafnium chloride ( H fCU))、氣化錯(zirconium chloride(ZrCl4))、三氣化銦(indium trichloride)、三氣化 鋁(aluminum trichloride)、碘化鈦(titanium iodide)、碳化鎢 (tungsten carbonyl)、Ba(DPM)2 、二聯三甲基乙酰曱烷鰓 (bis di pivaloyl methanato strontium (Sr(DPM)2)) ' 1344666
TiO(DPM)2、四聯三曱基乙醜曱院錯(tetradipivdoy1 methanato zirconium (Zr(DPM)4))、癸硼烷(decaborane)、 石朋、鎂、鎵、銦、錄、銅、填、石申、裡、四氟删酸鈉(sodium tetrafluoroborates)、包含 alkylamidinate 配位體的無機前驅 物,有機金屬(organometall ic )前驅物例如丁醇三元錯 (zirconium tertiary butoxide (Zr(t-0Bu)4))、四二乙胺結
(tetralcisdiethylaminozirconium (Zr(NEt2)4))、四(二乙胺)铪 (tetrakisdiethylaminohafnium (Hf(NEt2)4))、四二甲基化胺 基鈦(tetrakis (dimethylamino) titanium (TDMAT))、 tertbutyliminotris (deithylamino) tantalum (TBTDET)、五二 乙胺组(pentakis(dimethylamino) tantalum (PDMAT))、五乙 院基甲基胺基组(pentakis (ethylmethylamino) tantalum (PEMAT))、四二甲基化胺基錯 (tetrakisdimethylaminozirconium (Zr(NMe2)4))、丁醇三元铪 (hafniumtertiarybut〇xide (Hf(t_〇Bu)4)),和它們的混合物。 在一個實施例中,該基材,該側壁,和/或該容器的蓋 的内部表面至少具有一個凸 與前驅物材料接觸。該至少 如驅物材料。在—個實施例 舉例來說,氮氣,氩氣,氦 通過該内部容積並且與該前 提供一包含前驅物材料的氣 使用真空,單獨或者與該惰 該容器中該包含前驅物材料 起’其延伸到該内部容積中並 一個&起輔助傳導熱量導向該 中’一種惰性載體氣體諸如, 氣’氬氣’或者其他氣體,其 驅物材料的氣體狀態相組合來 流。在另一個實施例中,可以 性氣體一同使用,以回收來自 的氣流。然後該包含前驅物材 8 1344666 料的氣流可以被傳送到下游製造設備,諸如,例如一用於 ’尤積的反應容器。當爲了避免“冷點”或者其他會導致蒸 汽凝結於其中的問題,該容器可以提供該包含前驅物材料 的氣體的連續氣流。該容器還可以提供一穩定的並且可以 再生的氣流率,其對於多種生産工藝都有益處口
圖1和2分別提供了本發明的容器的一個實施例的一個 分解側視圖和截面圖,其中該至少一個凸起延伸到改容器 的基材。在圖丨和2中,該容器是具有一個蓋12,一個基 材14,側壁丨6和一對襯墊13和15分別位於蓋12和基材 Η的附近的容器10。當容器1〇如所示得大體上爲圓筒形 狀時,當然該容器可以是,例如,空心正方形或矩形管。 Τ墊13和15可以是一個襯墊、〇型環、墊圈、插入襯墊、 等等可以用來使容器10保持真空或者穩定壓力,並且其還 可以是由金屬或者複合材料構成。可選擇的,在不需要—
個或兩個襯墊13和15的情況下,蓋丨2和/或基材14可以 與側壁16對準用以形成一個氣密的或者耐壓的密封。蓋 U可以通過一個或多個圖丨所示的例如螺釘或者銷釘的緊 固件19扣固定到側壁16上。在一個可選擇的實施例中, 蓋丨2可以通過凹槽固定到側壁16上,該凹槽對應互補的 凹槽,互補的凹槽對準並允許蓋12固定到側壁16(未示出) 上。在另外-個實施财,蓋12通過焊接、鍵合、钻結或 者其他方法連接到側壁16上。校準銷釘(未示出)可以用 於確定合適的位置並且對於該可移動基材的實施例,裝配 到該蓋與該側壁之間和/或該側壁與該基材之間。 9 ^44666 蓋12、基材14和側壁16限定出—内部容積〗7用於盛 ' 放5亥前驅物材料。蓋12、基材14和側壁1 ό可以由金屬或 者可以承受容器10的工作溫度的其他材料構成。在一特定 貫知例中,蓋1 2的至少一部分、基材1 4和側壁丨6可以是 不與盛放於其中的前驅物材料發生化學反應的。在這些、 或是可選的實施例中,蓋12、基材14和側壁16可以具有 熱傳導性。用於蓋12、基材14和側壁1 6的示例性金屬包 • 括不銹鋼、欽、鉻、錯、蒙乃爾合金、不滲透性石墨、鉬、 鈷、陽極氧化鋁、鋁合金、銀、銀合金、銅、銅合金、鉛、 覆鎳鋼、陶瓷材料、摻雜的或未摻雜的、或者它們的組合 物。在一個實施例中’接觸該前驅物材料的表面的至少一 部分可以被電鍍上多種金屬,例如鈦、鉻、銀、钽、金、 鉑、鈦和其他材料,其中該上述電鍍金屬可以是摻雜的或 者疋未摻雜以用於提升表面相容性。在這些實施例中,該 電鍍金屬可以與儲存在此處的前驅物材料不發生反應。 • 蓋1 2可以包含一用於一惰性載體氣體或它們的混合物 流動的流體入口 22和一用於含前驅物流體流流動的流體 出口 24。通過入口 22引流至容器1 〇的示例性的惰性載體 氣體包括,但不限於,氫氣、氦氣、氖氣、氮氣、氬氣、 氙氣或者它們的混合物。在一特定的實施例中,該含前驅 物流體流不是借助一載體氣體,而是一真空、壓差或者其 他方法從容器丨〇中抽回。在這些實施例中,入口 U和任 何的閥門或相關聯的結構是可以選擇的。蓋丨2也可以被描 述爲具有—個用於將該前驅物材料(未示出)引導至内邹 U44666 ,如,一自側壁延仲出的鰭片、_ J 型管、或者—“ τ” 型管也可以引導該惰性栽體氣體層流狀流 實謝,該“r型管可以在—個或者 ::: /或可以是大尺寸的。在一特宏& + 丨弓成角和 特弋的實施例令,出口 24可以 包含一延伸至内部容積〗 幻s子,該管子是具有 或者其他構形的管子。在這 一耳她例中,出口 24 沾兮 ‘‘丁”型管可以狀添加或 的遠 管上。 〜管在机體入口上的“ τ”型 在圖1和2所示的實施例令六 導η , 〇 ^ ^ m 令器1〇進一步包括一個 導熱叙體18,其包圍容器 ,u 凹槽20中扣件保持,例 用卡在 配合。導熱殼體可以使得埶I八 "月動 容考丨0& …、里刀佈均勻並改善傳入包含在 奴殼體可以、…杜“驅物材料的熱量的傳導。導 …、成篮了 U通過扣件和 ^ 材f4同^ π 飞允。午叙體在受熱時膨脹的不同
材科固弋於容器1 〇的 U 構成,作爲g g i β Μ , 〇 ’導體殼體18可以由鋁 爲合益10的側壁16可丨、/丄 殼俨18·5Γ m 由不錄鋼10構成。導埶 从體丨8可以用彈簧固定於側 守…' 包含的前驅物材料在為以補償該容器和其中 啊n隹欠熱時的膨脹。 可以通過多種方法, |5 4+ , ^ „ ,、匕括但是不限於,帶狀加埶芎、
〜射加熱益、迴圈流體 J 熱系統或者其他可以單獨使加熱糸統、感應式加 器10和包含在其中的」或者1 且合使用的方法,將容 狀態下的溫度,# 物材料加熱到該材料在其氣體 時加熱到昇:溫二者.f該前驅物材料爲-固態前驅物材料 X k些加熱源可以相對於容器丨0在其外 12 : = Γ:。在一些實施例中,整個容器1()可以被引入到 者在另一些實施例中,基…以具有一個或 例二::加其:㈣式加熱部件。圖6描述了-個實施 s工U件36插入到容器丨内部 不同位置處。仍有兑#寄—, ^ 一十夕、有 貫%例可以使用由- RF電源控制的 5 :個感應式加熱旋管。還有其他的實施例可以使用一 加熱為,泫加熱器是與載體氣體源流體連通,該載體氣體
源,載體氣體弓丨入容器1〇之前將其加熱到一定的溫度。 合态10可以進一步具有一個或者多個熱電偶埶敏電 阻或者其他溫度敏感器件,其可以監視容器1〇和包含在皇 中的前驅物材料的溫度。該一個或者多個熱電偶可以佈置 在該基材、蓋、内部容積和/或該容器的其他區域上。可將 -個或者多個熱電偶或者其他溫度敏感器件連接至一控制 器或者電月i,所述控制器或者電腦與熱源電通訊用於使内 部容積内和位於其中的化學物質保持一致的溫度。
合器10可以進一步具有一個或者多個延伸至内部容積 1 7中的突起34。圓1、2和5描述了 _個使用多個“釘狀” 凸起34的實施例。突起34可以由_種導熱材料或者由其 組成的混合物形成。在一些實施例中,例如圖2所描述的, 突起34可以由例如銅34a的導熱过和例如不銹鋼3仆的與 前驅物材料接觸的不反應的表面構成。在圖5所示的實施 例中,基材14可以從側壁16上移除以使其便於清潔和保 養。當突起34如圖中延伸自基材14,其可以想象到突起 34也可以自側壁16、蓋!2、基材丨4或者它們的組合延伸 13 1344666 7。犬起34接觸到包含於其中的前驅物材料 :改善熱傳導。佈置突起34以使位於該突起和其中包含的 前驅物材料之間的氣體不受阻止的流動。進一纟,突起34 還可以避免前驅物材料的燒結。 圖3和4描述了一個具有“類似苜蓿葉狀的,,突起 34 ’其自基材14’延伸。基材14,和側壁16,被描述爲一體
化轉配;然而,基材丨4可被移除。該具有苜稳葉狀的突起 34可以將内部容積丨7’分隔成獨立的但是相互連接的區域 以使§亥載體氣體在該容器中不受阻礙的流動。 圖7和圖7a至7g描述了一個實施例的範例,該實施例 公開了谷器1 〇 〇 ’其中至少一個突起1 〗是“轉片狀,,並 且自容器1 00側壁1 04 (其爲一側壁和基材的—體化的組 衣)延伸至内σί5谷積1 1 3。在έ玄被描述的實施例中,結片狀 突起101是大體上垂直於流體入口元件和流體出口元件 11 0和I 1 2。再次參閱圖7,容器1 00有—個蓋1 〇2、側壁 1 04、一個内凸緣1 06、能允許一惰性載體氣體或者其混合 物流動的一流體入口元件11 0、允許含前驅物流體流流動的 —流體出口元件丨1 2、一個用於將前驅物材料引導至容器 1 0 0的内部谷積1丨3内的填充部1 〇 8。在特定實施例中,填 充部1 08可以用作一個水平感應部使用 在這些實施例 中,該部分可以包含,例如一視窗、感測器、探針、和/或 其他用於探測容器令的前驅物材料存在的工具。 圖7a至7〇七供了谷器1〇〇的蓋1〇2的多個詳細視圖。 如圖7a和7b所示的,容器1〇〇具有一個“ τ”型管體丨14, 14 1344666 和/或該輸出的包含前驅物的流體流動管路的任 例如圖7£所描述的-特定的實施例中 。在 从 以在隔板〗18上 的内部凹槽122安裝-個或者多個過據器板。 在-個實施例中’容器】。和100可以進一步包含一一 :爲用來確定内部容積17所含物質的窗口(未在圖中: )\爲了減少氣體凝結和沈積在窗口上,合適的材料包括 具有高效熱傳導性的透明材料,包括 刊了寸巴枯,例如金剛石、鉍
石、碳化矽、透明陶瓷材料等。 皿 备玄谷益的工作溫度可以士Ρ诚+南4 j以根據此處包含的前驅物材料來 確定’但是範圍可以通常爲大約從25。。到5峨,或者大 约從⑽t到3_。該容器的工作壓力範圍可以大約從 10 2t〇rr到10_〇rr,或大約從0」加至200t〇rr。 在-個實施例中,此處公開的該容器的使用方法包括通 過填充口 26將例如固態前驅物材料的前驅物材料引入至 容器1〇的内部容積17内,内部容積内的該固態前驅物材 料接觸到延伸到内部容積17内的一個或者多個突起Μ。 更爲優選的是,該前驅物材料填充到某點,該點與至少一 個大起的至少一部分連續接觸,,亥突起沒有延伸出該包含 至少一個突起的内部容積17的區域。緊固緊固蓋12、基 材14、和側壁16來提供一個壓力密閉的或者氣密的密封。 開啓閥門23以使惰性載體氣體通過渦流發生管體J流動 並進入内部谷7。使用一熱源,例如筒式加熱部件將該 月J驅物材料加熱至昇華溫度並形成_前驅物氣體。惰性載 體氣體與該前驅物氣體組合以形成含前驅物流體流。該包 16 1344666 穿過隔離器,該實施例阻止 或固體被氣體源攜帶走。當 允許容器被置於不會對顆粒 了包括固態前驅物自身的顆粒 進行輪送和操作時,該實施例 的産生或者入口和出口的拔插 帶來的負面影響的、非垂直方向上。 在此雖然詳細的描述了本發明並且涉及了特定的實 例,對於本領域技術人員來講可以在不脫離本發明精神和 範圍的前提下進行多種變化和修正是顯而易見的。
圖式簡單說明 圖1是此處公開的該容器的—個實施例的分解側視圖。 圖2提供示出了内部容積的圖丨的容器的裝配側視圖。 圖3是此處公開的該容器的另一個實施例的集合的側 壁和基材元件的等距視圖。 圖4是圖2中的集合的側壁和基材元件的頂視圖。 圖5是根據本發明的一個實施例的包含多個凸起的一 個可拆卸基材的等距視圖。 圖6是此處公開的包含一插入到該容器中的加熱器筒 的°亥谷器的一個實施例的分解等距視圖。 圖7 k供此處公開的該容器的另一個實施例一分解等 距視圖,其中該凸起爲“鰭片狀”並且自側壁延伸。 圖7a是圖7中該容器的蓋分解等距視圖。 圖7b是圖7中該容器的蓋裝配等距視圖。 圖7c是圖7中該容器的蓋頂部視圖。 圖7d是圖7中該容器的蓋的混合截面正視圖。 21 圖7e疋圖7中该容器的主體部的分解等距視圖。 - 圖"是示出了圖7中的隔離器和容器主體部的關係的 分解等距視圖。 圆7g是示出了插在圖7 "該容器主體部與蓋(未示 出)間的一個隔離器的頂部視圖。 圖J是示出了此處描述的容器和現有技術的容器使用 克月』驅物填充和溫度爲1 6()°C下相對輸送速度對裝料剩 φ 餘%比例的圖表。 圖9疋不出了此處描述的容器和現有技術的容器使用 〇克則驅物填充和溫度爲丨8 〇 下相對輸送速度對裝料剩 餘%比例的圖表。 圖1 〇是描述當使用500克前驅物填充時此處描述的一 個容器的相對輸送速度對容器壽命的圖表。 圖11是本發明的蓋,入口和出口的一個具體實施例的 截面圖’其示出了該入口徑向地連接到入口充氣件。 •圖12是本發明的蓋,入口和出口的具體實施例的沿圖 11中線12—12的平面圖。 圖13是不帶蓋的入口的透視圖’其示出了該入口充氣 件的細節和在該入口和出口之上的歧管裝置,其中入口軸 向連接到入口充氣件。只以部分剖面示出了側壁。 主要元件符號說明 1〇、100.,容器;12..蓋;13、15.,襯墊;14、14’·.基材; 16、16’..側壁;17、17,、113内部容積;a導熱殼體; 22
Claims (1)
1344666 .十、申請專利範圍: 1 . 一種用於從盛放於容器中的前驅物材料輸送含前驅 物流體流的容器,該容器包括: ° 内部容積,m玄内部容積被分隔成一上部容積和一下 部容積,其中該上部容積和該下部容積是流體連通的並且 該下部容積盛放該前驅物材料; 蓋,包括一流體入口其將至少一載體氣體弓丨導至該容器 的内部容積,一流體出口,和一個内部凹槽,其中該 谷積的至少一部分位於該内部凹槽中; 側壁’具有-上部凸緣,其中該上部凸緣的至 與該蓋接觸; 隔離器’插入該蓋和該側壁之間,其中該隔離器處於該 上部凸緣的附近並且將該内部容積分隔成上部容積和下 容積;和 ° 入口充氣件,與該流體入口流體連it,該入口充氣件具 有一充氣件腔體朝著該隔離器開口以引導該至少-載體Γ 體通過該隔離器並朝向該前驅物材料。 孔 2 .如申請專利範園第 氣件尺寸設計爲與蓋的下 觸以阻止該至少一載體氣 1項所述的容器,其中該入口充 部表面和該隔離器的上部表面接 體旁路通過該隔離器。 3.如申請專利範圍第 氣件是該蓋的一部分。 項所述的容器 其中該入口充 24 1344666 , 4 ·如申請專利範圍第1項所述的容器, 氣件具有圓筒形狀。 5 ·如申請專利範圍第4項所述的容器, 腔體具有所述入口充氣件尺寸小的圓筒形狀 至少一載體氣體的一排放口。 6 ·如申請專利範圍第1項所述的容器, 包括過濾器。 7 ·如申請專利範圍第5項所述的容器, 將該充氣件腔體的排放口全部覆蓋。 8 ·如申請專利範圍第7項所述的容器, φ 將位於下部容積中的前驅物材料與該流體出 9 ·如申請專利範圍第1項所述的容器, 口包括一個在其入口端部爲“T”型的通路 1 0 ·如申請專利範圍第9項所述的容器, 口的入口端部具有與該通路的橫截面成一角 1 1 ·如申請專利範圍第1 0項所述的容器 其中該入口充 其中該充氣件 ,包含用於該 其中該隔離器 其中該隔離器 其中該隔離器 口隔離。 其中該流體出 〇 其中該流體出 度的開口。 ,其中具有一 25 1344666 Γ* 角度的該流體出口開口定位成使得由該具有角度的開口形 成的平面基本上與該蓋的上部容積的内部表面相切。 1 2 ’如申明專利砣圍第1項所述的容器,其中該流體入 口相對入口充氣件的側面軸向連接到該充氣件腔體。 13.如中請專利範圍第1項所述的容器,其中該流體入 口在入口充氣件的中本 t夹軸向連接到該充氣件腔體。 1 4 . 一種用於從一定哭八a , +益刀配包括氣態前驅物的含前驅物 流體流的方法,該方法包括: 提供一容器,其具有一内 門邙合積,該内部容積包括由一 隔離器分隔開的一下部容藉知 L Αι? 合積和—上部容積,其中該容器包 括:一蓋,具有一 j固帶1右_*# 八有 充耽件腔體的入口充氣件的 入口和一個具有“ T”型:f丨的山 . 孔的出口 ’ 一具有一上部凸緣的側 少—部分接觸該凸緣和與側壁連 壁’其中該上部凸緣的 接的基材; 通過該入口將至少一截體备麟 双體狀體引導至該容器中,其中該 至少一載體氣體由該入口充翁杜沾六γ A 尤札件的充氣件腔體引導通過該 隔離器向下流動’其中該至φ 主乂 一載體軋體和該氣態前驅物 組合形成該流體流;和 通過隔離器和該“ T”型子[ψ π 斗—σ丄 i札出口從該容器中排出該流體 流並且將其分配到下游的沈積系統。 26 1344666 1 5 ·如申請專利範圍第14項所述的方法,其中該至少 一載體氣體從該入口軸向地流進該入口充氣件。 1 6 .如申請專利範圍第1 4項所述的方法,其中該至少 一載體氣體從該入口徑向地流進入口充氣件。
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US20130220221A1 (en) * | 2012-02-23 | 2013-08-29 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for precursor delivery |
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US10392700B2 (en) * | 2014-04-21 | 2019-08-27 | Entegris, Inc. | Solid vaporizer |
US10443128B2 (en) | 2015-04-18 | 2019-10-15 | Versum Materials Us, Llc | Vessel and method for delivery of precursor materials |
CN107026066B (zh) * | 2015-06-23 | 2018-10-23 | 上海凯世通半导体股份有限公司 | 供料装置、离子源装置及供料方法 |
WO2017033053A1 (en) | 2015-08-21 | 2017-03-02 | Flisom Ag | Homogeneous linear evaporation source |
TWI624554B (zh) * | 2015-08-21 | 2018-05-21 | 弗里松股份有限公司 | 蒸發源 |
JP6425850B1 (ja) * | 2017-11-22 | 2018-11-21 | 日本エア・リキード株式会社 | 固体材料容器およびその固体材料容器に固体材料が充填されている固体材料製品 |
CN110453197B (zh) * | 2018-05-07 | 2022-04-22 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 用于薄膜沉积设备的源瓶和半导体设备 |
KR20210134226A (ko) * | 2020-04-29 | 2021-11-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고체 소스 전구체 용기 |
US11578406B2 (en) * | 2020-12-08 | 2023-02-14 | Applied Materials, Inc. | Ampoule for a semiconductor manufacturing precursor |
TWI759045B (zh) * | 2020-12-30 | 2022-03-21 | 環球晶圓股份有限公司 | 銻原料加熱裝置 |
TWI812035B (zh) * | 2021-02-26 | 2023-08-11 | 美商恩特葛瑞斯股份有限公司 | 固體蒸發器 |
KR102716921B1 (ko) * | 2021-10-25 | 2024-10-14 | (주)덕산테코피아 | 반도체 제조장비용 캐니스터 |
Family Cites Families (57)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4723967A (en) * | 1987-04-27 | 1988-02-09 | Advanced Technology Materials, Inc. | Valve block and container for semiconductor source reagent dispensing and/or purification |
JPH01168331A (ja) * | 1987-12-24 | 1989-07-03 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 有機金属化合物の飽和方法 |
DE3801147A1 (de) * | 1988-01-16 | 1989-07-27 | Philips Patentverwaltung | Vorrichtung zum erzeugen eines mit dem dampf eines wenig fluechtigen stoffes angereicherten gasstroms |
JPH0269389A (ja) * | 1988-08-31 | 1990-03-08 | Toyo Stauffer Chem Co | 有機金属気相成長法における固体有機金属化合物の飽和蒸気生成方法 |
JPH02142524A (ja) | 1988-11-24 | 1990-05-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 食器洗い器 |
JPH02142524U (zh) * | 1989-04-28 | 1990-12-04 | ||
JPH03104730A (ja) | 1989-09-18 | 1991-05-01 | Mitsubishi Electric Corp | 車両用急速暖房装置 |
US5227340A (en) * | 1990-02-05 | 1993-07-13 | Motorola, Inc. | Process for fabricating semiconductor devices using a solid reactant source |
JPH03104730U (zh) * | 1990-02-13 | 1991-10-30 | ||
FI86600C (fi) * | 1990-04-04 | 1992-09-25 | Outokumpu Oy | Saett att blanda ihop vaetska, fastaemne och gas samt att ur vaetskan samtidigt avskilja gas eller gas och fastaemne. |
GB9116381D0 (en) * | 1991-07-30 | 1991-09-11 | Shell Int Research | Method for deposition of a metal |
US5596817A (en) * | 1992-05-21 | 1997-01-28 | Niro Holding A/S | Method and an apparatus for minimizing deposits in a drying chamber |
US5276585A (en) * | 1992-11-16 | 1994-01-04 | Thermalloy, Inc. | Heat sink mounting apparatus |
US5381605A (en) * | 1993-01-08 | 1995-01-17 | Photonics Research Incorporated | Method and apparatus for delivering gas |
US5377429A (en) * | 1993-04-19 | 1995-01-03 | Micron Semiconductor, Inc. | Method and appartus for subliming precursors |
US5607002A (en) * | 1993-04-28 | 1997-03-04 | Advanced Delivery & Chemical Systems, Inc. | Chemical refill system for high purity chemicals |
US5707424A (en) * | 1994-10-13 | 1998-01-13 | Advanced Technology Materials, Inc. | Process system with integrated gas storage and delivery unit |
US5989305A (en) * | 1995-03-09 | 1999-11-23 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Feeder of a solid organometallic compound |
US5674574A (en) * | 1996-05-20 | 1997-10-07 | Micron Technology, Inc. | Vapor delivery system for solid precursors and method regarding same |
US6058012A (en) * | 1996-08-26 | 2000-05-02 | Compaq Computer Corporation | Apparatus, method and system for thermal management of an electronic system having semiconductor devices |
KR100364115B1 (ko) * | 1996-12-17 | 2002-12-11 | 어드밴스드 테크놀러지 머티리얼즈, 인코포레이티드 | 화학 증착용 시약 공급 용기 |
US6089184A (en) * | 1997-06-11 | 2000-07-18 | Tokyo Electron Limited | CVD apparatus and CVD method |
US6520218B1 (en) * | 1998-09-03 | 2003-02-18 | Advanced Technology Materials, Inc. | Container chemical guard |
US6454860B2 (en) * | 1998-10-27 | 2002-09-24 | Applied Materials, Inc. | Deposition reactor having vaporizing, mixing and cleaning capabilities |
US6202591B1 (en) * | 1998-11-12 | 2001-03-20 | Flex Products, Inc. | Linear aperture deposition apparatus and coating process |
JP2000345345A (ja) * | 1999-06-04 | 2000-12-12 | Mitsubishi Electric Corp | Cvd装置およびcvd装置用気化装置 |
JP3909792B2 (ja) * | 1999-08-20 | 2007-04-25 | パイオニア株式会社 | 化学気相成長法における原料供給装置及び原料供給方法 |
US6984415B2 (en) * | 1999-08-20 | 2006-01-10 | International Business Machines Corporation | Delivery systems for gases for gases via the sublimation of solid precursors |
US6444038B1 (en) * | 1999-12-27 | 2002-09-03 | Morton International, Inc. | Dual fritted bubbler |
DE60020781T2 (de) | 1999-08-20 | 2006-05-11 | Rohm And Haas Chemicals Llc | Sprudelvorrichtung mit zwei Fritten |
KR100360494B1 (ko) * | 1999-09-21 | 2002-11-13 | 삼성전자 주식회사 | 기화장치 |
US6244331B1 (en) * | 1999-10-22 | 2001-06-12 | Intel Corporation | Heatsink with integrated blower for improved heat transfer |
FI118474B (fi) * | 1999-12-28 | 2007-11-30 | Asm Int | Laite ohutkalvojen valmistamiseksi |
EP1160355B1 (en) * | 2000-05-31 | 2004-10-27 | Shipley Company LLC | Bubbler |
CA2343423A1 (en) | 2000-05-31 | 2001-11-30 | Rohm And Haas Company | Leather coating composition |
US6581649B2 (en) * | 2001-07-13 | 2003-06-24 | L'air Liquide - Societe Anonyme A'directiore Et Conseil De Surveillance Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Methods and apparatus for delivering high purity liquids with low vapor pressure |
US6718126B2 (en) * | 2001-09-14 | 2004-04-06 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for vaporizing solid precursor for CVD or atomic layer deposition |
US7780785B2 (en) * | 2001-10-26 | 2010-08-24 | Applied Materials, Inc. | Gas delivery apparatus for atomic layer deposition |
US20030111014A1 (en) | 2001-12-18 | 2003-06-19 | Donatucci Matthew B. | Vaporizer/delivery vessel for volatile/thermally sensitive solid and liquid compounds |
JP2003318170A (ja) | 2002-04-26 | 2003-11-07 | Japan Pionics Co Ltd | 気化器 |
JP3822135B2 (ja) | 2002-05-13 | 2006-09-13 | 日本パイオニクス株式会社 | 気化供給装置 |
US6955211B2 (en) * | 2002-07-17 | 2005-10-18 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for gas temperature control in a semiconductor processing system |
WO2004106584A1 (en) * | 2003-05-27 | 2004-12-09 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for generating a precursor for a semiconductor processing system |
US7186385B2 (en) * | 2002-07-17 | 2007-03-06 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for providing gas to a processing chamber |
US7077388B2 (en) * | 2002-07-19 | 2006-07-18 | Asm America, Inc. | Bubbler for substrate processing |
US6921062B2 (en) * | 2002-07-23 | 2005-07-26 | Advanced Technology Materials, Inc. | Vaporizer delivery ampoule |
US7300038B2 (en) * | 2002-07-23 | 2007-11-27 | Advanced Technology Materials, Inc. | Method and apparatus to help promote contact of gas with vaporized material |
US6915592B2 (en) * | 2002-07-29 | 2005-07-12 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for generating gas to a processing chamber |
JP4021721B2 (ja) | 2002-07-30 | 2007-12-12 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 液体供給構造 |
US6797337B2 (en) * | 2002-08-19 | 2004-09-28 | Micron Technology, Inc. | Method for delivering precursors |
US6740586B1 (en) * | 2002-11-06 | 2004-05-25 | Advanced Technology Materials, Inc. | Vapor delivery system for solid precursors and method of using same |
US7261118B2 (en) | 2003-08-19 | 2007-08-28 | Air Products And Chemicals, Inc. | Method and vessel for the delivery of precursor materials |
US7156380B2 (en) * | 2003-09-29 | 2007-01-02 | Asm International, N.V. | Safe liquid source containers |
US20060037540A1 (en) | 2004-08-20 | 2006-02-23 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Delivery system |
WO2007034790A1 (ja) * | 2005-09-20 | 2007-03-29 | Tohoku University | 成膜装置、蒸発治具、及び、測定方法 |
KR101480971B1 (ko) * | 2006-10-10 | 2015-01-09 | 에이에스엠 아메리카, 인코포레이티드 | 전구체 전달 시스템 |
US9109287B2 (en) * | 2006-10-19 | 2015-08-18 | Air Products And Chemicals, Inc. | Solid source container with inlet plenum |
-
2007
- 2007-10-04 US US11/867,171 patent/US9109287B2/en active Active
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