TWI344316B - Providing an emission-protecting layer in an oled device - Google Patents
Providing an emission-protecting layer in an oled device Download PDFInfo
- Publication number
- TWI344316B TWI344316B TW093107649A TW93107649A TWI344316B TW I344316 B TWI344316 B TW I344316B TW 093107649 A TW093107649 A TW 093107649A TW 93107649 A TW93107649 A TW 93107649A TW I344316 B TWI344316 B TW I344316B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- layer
- light
- emission
- organic light
- emitting
- Prior art date
Links
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 65
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 37
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 36
- 238000011109 contamination Methods 0.000 claims description 17
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 7
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 3
- 238000005215 recombination Methods 0.000 claims description 3
- 230000006798 recombination Effects 0.000 claims description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000005496 tempering Methods 0.000 claims description 2
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 claims 3
- 230000009172 bursting Effects 0.000 claims 1
- 238000004043 dyeing Methods 0.000 claims 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 17
- -1 aromatic tertiary amine Chemical class 0.000 description 16
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 14
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 12
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 11
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 11
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 9
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 8
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 7
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 7
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 7
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 241000208340 Araliaceae Species 0.000 description 6
- 235000005035 Panax pseudoginseng ssp. pseudoginseng Nutrition 0.000 description 6
- 235000003140 Panax quinquefolius Nutrition 0.000 description 6
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 6
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 6
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 6
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 6
- 235000008434 ginseng Nutrition 0.000 description 6
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 6
- 125000005259 triarylamine group Chemical group 0.000 description 6
- 239000002585 base Substances 0.000 description 5
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 5
- 125000003983 fluorenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12)* 0.000 description 5
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 5
- OBAJPWYDYFEBTF-UHFFFAOYSA-N 2-tert-butyl-9,10-dinaphthalen-2-ylanthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC(C3=C4C=CC=CC4=C(C=4C=C5C=CC=CC5=CC=4)C4=CC=C(C=C43)C(C)(C)C)=CC=C21 OBAJPWYDYFEBTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- HXWWMGJBPGRWRS-CMDGGOBGSA-N 4- -2-tert-butyl-6- -4h-pyran Chemical compound O1C(C(C)(C)C)=CC(=C(C#N)C#N)C=C1\C=C\C1=CC(C(CCN2CCC3(C)C)(C)C)=C2C3=C1 HXWWMGJBPGRWRS-CMDGGOBGSA-N 0.000 description 4
- QPPZRSORWGWCKI-UHFFFAOYSA-N OC1=CC2=CC3=CC=C(N3)C=C3C=CC(C=C4C=CC(=CC1=N2)N4)=N3 Chemical compound OC1=CC2=CC3=CC=C(N3)C=C3C=CC(C=C4C=CC(=CC1=N2)N4)=N3 QPPZRSORWGWCKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 4
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 4
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 4
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 4
- 150000004032 porphyrins Chemical class 0.000 description 4
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 3
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 3
- 150000001993 dienes Chemical class 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 125000001072 heteroaryl group Chemical group 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- BCMCBBGGLRIHSE-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzoxazole Chemical class C1=CC=C2OC=NC2=C1 BCMCBBGGLRIHSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002490 anilino group Chemical group [H]N(*)C1=C([H])C([H])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 description 2
- WZJYKHNJTSNBHV-UHFFFAOYSA-N benzo[h]quinoline Chemical compound C1=CN=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 WZJYKHNJTSNBHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YXVFYQXJAXKLAK-UHFFFAOYSA-N biphenyl-4-ol Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1C1=CC=CC=C1 YXVFYQXJAXKLAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- HGCIXCUEYOPUTN-UHFFFAOYSA-N cyclohexene Chemical compound C1CCC=CC1 HGCIXCUEYOPUTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N fluorene Chemical compound C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C2=C1 NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 238000013101 initial test Methods 0.000 description 2
- 229910003480 inorganic solid Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 2
- BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N pyrene Chemical compound C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012430 stability testing Methods 0.000 description 2
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 2
- 125000003107 substituted aryl group Chemical group 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 2
- 238000001429 visible spectrum Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UJCFKUDKDGJDPS-UHFFFAOYSA-N 1,1-dimethylhydrazine Chemical compound CN(N)C.CN(N)C UJCFKUDKDGJDPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000000183 1,3-benzoxazoles Chemical class 0.000 description 1
- XJKSTNDFUHDPQJ-UHFFFAOYSA-N 1,4-diphenylbenzene Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=C(C=2C=CC=CC=2)C=C1 XJKSTNDFUHDPQJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RCWJMKCTHJPXJV-UHFFFAOYSA-N 2,5-bis(aziridin-1-yl)-1,4-benzoquinone Chemical compound O=C1C=C(N2CC2)C(=O)C=C1N1CC1 RCWJMKCTHJPXJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GOLORTLGFDVFDW-UHFFFAOYSA-N 3-(1h-benzimidazol-2-yl)-7-(diethylamino)chromen-2-one Chemical compound C1=CC=C2NC(C3=CC4=CC=C(C=C4OC3=O)N(CC)CC)=NC2=C1 GOLORTLGFDVFDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005725 8-Hydroxyquinoline Substances 0.000 description 1
- JRLTTZUODKEYDH-UHFFFAOYSA-N 8-methylquinoline Chemical group C1=CN=C2C(C)=CC=CC2=C1 JRLTTZUODKEYDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FJNCXZZQNBKEJT-UHFFFAOYSA-N 8beta-hydroxymarrubiin Natural products O1C(=O)C2(C)CCCC3(C)C2C1CC(C)(O)C3(O)CCC=1C=COC=1 FJNCXZZQNBKEJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- FXNFHKRTJBSTCS-UHFFFAOYSA-N Baicalein Natural products C=1C(=O)C=2C(O)=C(O)C(O)=CC=2OC=1C1=CC=CC=C1 FXNFHKRTJBSTCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N Butadiene Chemical class C=CC=C KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LWGXDFQPCHOPEM-UHFFFAOYSA-N CC=1C2=CC=C(N2)C=C2C=CC(C=C3C=CC(=CC=4C(=CC1N4)O)N3)=N2 Chemical compound CC=1C2=CC=C(N2)C=C2C=CC(C=C3C=CC(=CC=4C(=CC1N4)O)N3)=N2 LWGXDFQPCHOPEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000819038 Chichester Species 0.000 description 1
- XFXPMWWXUTWYJX-UHFFFAOYSA-N Cyanide Chemical compound N#[C-] XFXPMWWXUTWYJX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- KWYHDKDOAIKMQN-UHFFFAOYSA-N N,N,N',N'-tetramethylethylenediamine Chemical compound CN(C)CCN(C)C KWYHDKDOAIKMQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000009298 Trigla lyra Species 0.000 description 1
- 229910052770 Uranium Inorganic materials 0.000 description 1
- WNGGWVAYNUANOX-UHFFFAOYSA-N [N]1C2=CC=C1C=C(N1)C=C(O)C1=CC([N]1)=CC=C1C=C(N1)C=CC1=C2 Chemical compound [N]1C2=CC=C1C=C(N1)C=C(O)C1=CC([N]1)=CC=C1C=C(N1)C=CC1=C2 WNGGWVAYNUANOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 125000000033 alkoxyamino group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003282 alkyl amino group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N anthraquinone Natural products CCC(=O)c1c(O)c2C(=O)C3C(C=CC=C3O)C(=O)c2cc1CC(=O)OC PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004056 anthraquinones Chemical class 0.000 description 1
- 125000005264 aryl amine group Chemical group 0.000 description 1
- UDFLTIRFTXWNJO-UHFFFAOYSA-N baicalein Chemical compound O1C2=CC(=O)C(O)=C(O)C2=C(O)C=C1C1=CC=CC=C1 UDFLTIRFTXWNJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940015301 baicalein Drugs 0.000 description 1
- 239000012965 benzophenone Substances 0.000 description 1
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical group [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 1
- 230000000739 chaotic effect Effects 0.000 description 1
- 239000013522 chelant Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 1
- GBAOZECSOKXKEL-UHFFFAOYSA-N copper yttrium Chemical compound [Cu].[Y] GBAOZECSOKXKEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- IGARGHRYKHJQSM-UHFFFAOYSA-N cyclohexylbenzene Chemical compound C1CCCCC1C1=CC=CC=C1 IGARGHRYKHJQSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012217 deletion Methods 0.000 description 1
- 230000037430 deletion Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 210000003414 extremity Anatomy 0.000 description 1
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007850 fluorescent dye Substances 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 1
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003187 heptyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 1
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 1
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 1
- 125000005647 linker group Chemical group 0.000 description 1
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- HDZGCSFEDULWCS-UHFFFAOYSA-N monomethylhydrazine Chemical compound CNN HDZGCSFEDULWCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WLDXVGCMDLRPHA-UHFFFAOYSA-N n,n-diphenyl-4-[4-(n-phenylanilino)phenyl]aniline;9-phenylcarbazole Chemical compound C1=CC=CC=C1N1C2=CC=CC=C2C2=CC=CC=C21.C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 WLDXVGCMDLRPHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical group C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCWSUKQGVSGXJO-NTUHNPAUSA-N nifuroxazide Chemical group C1=CC(O)=CC=C1C(=O)N\N=C\C1=CC=C([N+]([O-])=O)O1 YCWSUKQGVSGXJO-NTUHNPAUSA-N 0.000 description 1
- 229960003540 oxyquinoline Drugs 0.000 description 1
- 229930184652 p-Terphenyl Natural products 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-O phosphonium Chemical compound [PH4+] XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 210000004508 polar body Anatomy 0.000 description 1
- 229920001197 polyacetylene Polymers 0.000 description 1
- 125000003367 polycyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 1
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 1
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical compound C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013557 residual solvent Substances 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 239000002689 soil Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 241000894007 species Species 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 125000000547 substituted alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000446 sulfanediyl group Chemical group *S* 0.000 description 1
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- MUQNAPSBHXFMHT-UHFFFAOYSA-N tert-butylhydrazine Chemical compound CC(C)(C)NN MUQNAPSBHXFMHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 125000003396 thiol group Chemical group [H]S* 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- DNYWZCXLKNTFFI-UHFFFAOYSA-N uranium Chemical compound [U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U][U] DNYWZCXLKNTFFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 210000000707 wrist Anatomy 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/18—Carrier blocking layers
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F03—MACHINES OR ENGINES FOR LIQUIDS; WIND, SPRING, OR WEIGHT MOTORS; PRODUCING MECHANICAL POWER OR A REACTIVE PROPULSIVE THRUST, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F03G—SPRING, WEIGHT, INERTIA OR LIKE MOTORS; MECHANICAL-POWER PRODUCING DEVICES OR MECHANISMS, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR OR USING ENERGY SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F03G7/00—Mechanical-power-producing mechanisms, not otherwise provided for or using energy sources not otherwise provided for
- F03G7/08—Mechanical-power-producing mechanisms, not otherwise provided for or using energy sources not otherwise provided for recovering energy derived from swinging, rolling, pitching or like movements, e.g. from the vibrations of a machine
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02J—CIRCUIT ARRANGEMENTS OR SYSTEMS FOR SUPPLYING OR DISTRIBUTING ELECTRIC POWER; SYSTEMS FOR STORING ELECTRIC ENERGY
- H02J7/00—Circuit arrangements for charging or depolarising batteries or for supplying loads from batteries
- H02J7/02—Circuit arrangements for charging or depolarising batteries or for supplying loads from batteries for charging batteries from ac mains by converters
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02J—CIRCUIT ARRANGEMENTS OR SYSTEMS FOR SUPPLYING OR DISTRIBUTING ELECTRIC POWER; SYSTEMS FOR STORING ELECTRIC ENERGY
- H02J7/00—Circuit arrangements for charging or depolarising batteries or for supplying loads from batteries
- H02J7/14—Circuit arrangements for charging or depolarising batteries or for supplying loads from batteries for charging batteries from dynamo-electric generators driven at varying speed, e.g. on vehicle
- H02J7/1415—Circuit arrangements for charging or depolarising batteries or for supplying loads from batteries for charging batteries from dynamo-electric generators driven at varying speed, e.g. on vehicle with a generator driven by a prime mover other than the motor of a vehicle
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02K—DYNAMO-ELECTRIC MACHINES
- H02K35/00—Generators with reciprocating, oscillating or vibrating coil system, magnet, armature or other part of the magnetic circuit
- H02K35/02—Generators with reciprocating, oscillating or vibrating coil system, magnet, armature or other part of the magnetic circuit with moving magnets and stationary coil systems
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02N—ELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H02N2/00—Electric machines in general using piezoelectric effect, electrostriction or magnetostriction
- H02N2/18—Electric machines in general using piezoelectric effect, electrostriction or magnetostriction producing electrical output from mechanical input, e.g. generators
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
- H10K85/341—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
- H10K85/341—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes
- H10K85/342—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes comprising iridium
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
- H10K85/351—Metal complexes comprising lanthanides or actinides, e.g. comprising europium
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Combustion & Propulsion (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Description
1344316
很敏感。例如，已知參㈣H林以陶會與水反應 [F. Papadnnitrak叩oulos及其他人，”8_羥基喳啉銘（m)發光裝置之 化學故障機制，，’ CA飢8, 1363 (1996)]。在裝置製造步驟期 間’利用真空或低氧及/或水條件，可繁助降低〇led裝置 故障率。但是，此裝置在沉積步驟期間，或在其步驟之間 ，或有步驟間之裝置轉移或延遲之任何時間，被氧、水份 及/或其他成份之不慎污染是可能的，這可能會導致劣質EL 性能，此係由於被污染物所造成之亮度淬滅及/或較高載流 子注入障壁所致。 在全色彩有機顯示器中，有一陣列有色像素，譬如紅色、 綠色及藍色（常被稱為RGB像素）。需要有色LEL之精密構圖 ，以產生RGB像素。RGB像素係經過數個步驟製造，且各有 色LEL需要其自有特殊構圖與蒸發步驟。只有在此三個有色 LEL全部被像素化之後，才可將後續共用ETL及其他共用層 製造於該有色像素之上方。因此，在各像素構圖步驟期間 ，及在像素構圖與後續ETL製造之步驟間，有某一數量之等 待時間。在等待間隔期間，個別有色LEL之表面係被曝露至 將具有不同有色分子之環境。因此，雖然此環境係在真空 狀態下’但污染是不可避免的。結果，受污染之像素可能 具有劣質EL性能，譬如突然之原始亮度下降或較差操作穩 定性。再者’於一些情況中，LEL必須在繼續隨後製造步驟 之’曝露至大氣，歷經某一期間。在此狀況中’經空氣 曝露之LEL表面係嚴重地被水份及其他不想要之成份污染， 造成劣質EL性能。此外，在利用聚合體作為LEL (聚合體〇LED) 91990 1344316 "像素"一詞係以其技藝上所明瞭之使用法採用，以指稱可 被刺激以發射光線之顯示板區域，與其他區域無關。ll〇LED 裝置"一岡係以其技藝上所明瞭之意義使用，為包含有機發 光一極體作為像素之顯示裝置，且亦被稱為有機發光裝置 。彩色OLED裝置會發射至少一種顏色之光線。"多色"一詞 係被採用以描述能夠發射不同色調之光線於不同區域中之 顯示板。特定言之，其係被採用以描述能夠顯示不同顏色 影像之顯π板。此等區域未必鄰接。"全色彩，，一詞係被採 用以描述多色顯示板，其能夠產生可見光譜之紅色、綠色 及藍色區域中之光線，並以色調之任何組合顯示影像。紅 色、綠色及藍色係構成三原色，藉由適當混合此等三原色 ，所有其他顏色可自其產生。"色調"一詞係指在可見光譜 内光線發射之強度分佈形態，其中不同色調係顯示視覺上 可識別之顏色差異。像素或亞像素一般係用以指稱顯示板 中（最小可選址單位。對單色顯示器而言，於像素或亞像 素又間沒有差別。"亞像素"一詞係被使用於多色顯示板中 ，且係被採用以指稱像素之任何部份，其可獨立選址以發 射特定顏色。例如，藍色亞像素係為可被選址以產生藍色 光之像素部份。在全色彩顯示器中，像素通常包含三原色 亞像素，意即藍色、綠色及紅色。 現在翻閱至圖1，其係顯示先前技藝〇LED裝置之橫截面圖 。OLED裝置100包含基材1〇。基材1〇可為有機固體、無機固 體或有機與無機固體之組合，其係提供自供體接收有機材 料之表面。基材10可為堅硬或可撓性，且可以分開之個別 91990 -9- 1344316 包含至少一個含活性氫基團之其他適當三芳基胺類，係由 Brantley 等人揭示於 US_A_3,567,450 與 US-A_3,658,52〇 中。 更佳芳族三級胺種類係為包含至少兩個芳族三級胺部份基 團者’如在US-A-4,720,432與US-A-5,061，569中所述者。此種化 合物包括以結構式A表示者。 A Qi. Q2 G〆 其中：
Qi與Q2係獨立為經選擇之芳族三級胺部份基團；且 G為連結基團’譬如次芳基、次環烷基或碳對碳鍵之次烷 基。 於一項具體實施例中’至少一個Qi或Q2含有多環狀稠合環 結構，例如莕。當G為芳基時，其可合宜地為次苯基、次聯 苯基或次莕基部份基團。 滿足結構式A且含有兩個三芳基胺部份基團之一種有用三 芳基胺類，係以結構式B表示。 R2 B Ri—c—r3 r4 其中： mr2各獨立表示氫原子、芳基或燒基，或R#R2一起表 示完成環烷基之原子；且 3 A R4各獨工表不芳基，其係依次被二芳基取代之胺基取 代’如由結構式C所指示者。
Rs
C \
N R6〆 91990 -12· 1344316 足式B之三芳基胺’且併用四芳基二胺，譬如由式d所指示 者。當採用三芳基胺且併用四芳基二胺時，後者係被定位 為被插入三芳基胺與電子注入和輸送層間之層。有用芳族 三級胺類之說明例為下列： U-雙（4-二-對-甲苯基胺基苯基）環己燒 U-雙（4-二-對-甲苯基胺基苯基）_4_苯基環己燒 4,4'-雙（二苯胺基）四苯 雙（4-二甲胺基-2-甲基苯基）_苯基甲燒 N，N，N-三（對-曱苯基）胺 4-(二-對-甲苯基胺基）_444(二·對_甲苯基胺基）·苯乙缔基]二苯 乙稀· N，N，N’，N’-四-對-甲苯基-4-4’-二胺基聯苯 N，N，N'，N'-四苯基-4,4’-二胺基聯苯 N-苯基咔唑 聚(N-乙烯基叶吐） N，N’-二-1-萘基-N，N’-二苯基-4,4’·二胺基聯苯 4,4'-雙[N-(l-莕基>N-苯基胺基]聯苯 4,4"-雙[N-(l-茶基）-N-苯基胺基]對-三聯苯 4,4’-雙[N-(2-|基）-N-苯基胺基]聯苯 4,4’-雙[N-(3-荒萘基）_N_苯基胺基]聯苯 1,5-雙[N-(l-萘基）·Ν-苯基胺基]莕 4,4'-雙[Ν-(9-蒽基）-Ν-苯基胺基]聯苯 4,4”-雙態基）_Ν-笨基胺基]-對_三聯苯 4,雙[Ν-(2-菲基）-Ν-苯基胺基]聯苯 91990 -14· 1344316 26係包含發光或螢光材料，其中電致發光係由於此區域中 之電子-空穴對重組之結果而產生。LEL 26可包含單一材料 ，但更常係包含被客體化合物或摻雜劑所摻雜之宿主材料 ，其中光線發射主要是來自摻雜劑，且可為任何顏色。在 LEL 26中之宿主材料，可為如下文定義之電子輸送材料，如 上文定義之空穴輸送材料，或另一種支援空穴-電子重組之 材料。摻雜劑經常選自高度螢光染料，但磷光化合物，例 如過渡金屬錯合物，如在 W0 98/55561,WOOO/18851，WO 00/57676 及WO 00/70655中所述者，亦可使用。掺雜劑典型上係以0.01 至10重量％塗覆於宿主材料中。 關於選擇染料作為摻雜劑之一種重要關係，是帶隙位能之 比較，其係被定義為分子之最高佔有分子軌道與最低未佔 有分子軌道間之能量差異。對於從宿主材料至摻雜劑分子 之有效能量轉移而言，必要條件是摻雜劑之帶隙係小於宿 主材料之帶隙。 已知有用之宿主與發射分子，包括但不限於在US-A-4,768,292 ；US-A-5,141,671 ； US-A-5,150,006 ； US-A-5,151,629 ； US-A-5,294,870 ；US-A-5,405,709 ； US-A-5,484,922 ； US-A-5,593,788 ； US-A-5,645,948 ；US-A-5,683,823 ； US-A-5,755,999 ； US-A-5,928,802 ； US-A-5,935,720 ;US-A-5,935,721 ;及 US-A-6,020,078中所揭示者。 8-羥基喹啉及類似衍生物之金屬錯合物（式E)係構成一種能 夠支援電致發光之可使用宿主材料之類別，且特別適合波 長大於500毫微米之光線發射，例如綠色、黃色、橘色及紅 色。 91990 -16-
E 阶+/
其中：
M表示金屬； η為整數1至3 ;且 至少兩個綱合芳族環之核 Ζ於各存在處獨立表示完成具有 之原子》 自前述，顯而'易見該金屬可為單價 '二 ’ 金屬可為例如鹼金屬，譬如鋰、鈉气、或-仏金屬。琢 鎂或轉；ii土金屬譬如删或銘。—般而;^土金屬’譬如 螯合金屬之任何單價、二價或三價°’已知可使用之 貝I屬，均可採用。 Z係完成含有至少兩個稠合芳族環之雜環核，“ 一 個為峻或料。其他環，包括脂族與芳族P / 兩個所需要之環稠合。為避免增 要可與 „ 尤項加分予膨鬆性卻未改良功 犯，裱原子之數目經常被保持在丨8或較少下 有用經螯合類8姻4琳化合物之說明例係為下列： CCM .參8嘴基•銘[別名參（8初醇化）銘_ C〇·2 :雙1 2 3·經基如林鎂[別名雙（8+休醇化)鎂⑽ C0-3 .雙[苯并喹啉醇化]辞⑼ -17- 1 (2甲基3_口查琳醇化）銘㈣-卜酮基-雙（2-甲基各如林 醇化）銘（III) 2 C0-5 :參8•經基切銦[別名參㈣啦醇化)姻] 3 C0 6參（5-甲基-8_羥基喳啉）紹[別名參（5_甲基|喳啉醇化） 91990 1344316 銘（III)] CO-7 · 8-幾基喳啉鋰[別名（8峰啉醇化）裡⑼ 9’1〇-— -(2-茶基）蒽之衍生物（式F)係構成一種能夠支援電致 發光之有用宿主材料之類別’且係特別適合波長大於4〇〇毫 微米《光線發射，例如藍色、綠色、黃色、橘色或紅色。
其中Rl、汉2、心、心、Rs及心表示在各環上之一或多個取代 基’其中各取代基係個別選自下列組群： 第1組：氫’或1至24個碳原子之烷基； 第2組：芳基或經取代之芳基，具有5至2〇個碳原子； 第3 且·疋成慈基、蒎基或笸基之稠合芳族環所必須之4 至24個碳原子； 第4組.5至24個碳原子之雜芳基或經取代之雜芳基，按 的要以元成咬喃基、4吩基、p比咬基、峻淋基或其他雜環 系統之稠合雜芳族環； 第5組· 1至24個碳原子之烷氧胺基、烷胺基或芳胺基； 及 第6組：氟、氣、溴或氰基。 苯并氮唑衍生物（式G)係構成另一種能夠支援電致發光之 有用很主材料之類別，且係特別適合波長大於400毫微米之 91990 -18· Ϊ344316
先線發射’例如莊多、处A 1 綠色、育色、橘色或紅色
其中： η為整數3至8 ; Ζ為0、KR或s ;及 R為氫’ 1至24個碳原子之烷基，例如丙基、第三·丁基、 庚基等’ 5至2G個碳原子之芳基或雜原子取代之芳基，例如 笨基與nr、基吱喃基、P塞吩基、P比啶基、峻淋基及其他雜 環系統；或鹵基’譬如氣基、氟基；或完成稠合芳族環所 必須之原子；及 L為鏈結單位，包括烷基、芳基、經取代之烷基或經取代 之芳基’其係共軛地或未共軛地使多個苯并氮唑連接在一 起。 可使用苯并氮唑之一項實例為2,2'，2"-(1，3,5·次苯基）參[1-苯基_ 1H-苯并味峻]〇 令人滿意之螢光摻雜劑包栝蒽、四苯環、黃嘌呤素、茈、 益伯林、香豆素、羅達胺、vr奎I» 丫淀銅、一亂基亞甲基底喃 化合物、硫代哌喃化合物、聚甲川化合物、吡琳與硫吡琳 化合物及碳苯乙烯基化合物之衍生物。有用摻雜劑之說明 例，包括但不限於下列： 91990 -19· 1344316
91990 -20- 1344316
R1
0123456789012 0✓ ^1 ί «1 n 1 11 11 H 11 1 Tyfc llllllllllllll
XOOOOOOOSSSSSSS Η _R2. Η 甲基 甲基 Η 甲基 曱基 Η 第三-丁基 第三-丁基 Η 第三-丁基 第三-丁基 Η Η Η 甲基 甲基 Η 甲基 甲基 Η 第三-丁基 第三-丁基 Η 第三-丁基 第三-丁基 NC^ CN L23 X 0 R1 Η ^2. Η L24 0 Η 甲基 L25 〇 甲基 Η L26 0 甲基 甲基 L27 0 Η 第三-丁基 L28 0 第三-丁基 Η L29 0 第三-丁基 第三-丁基 L30 S Η Η L31 S Η 甲基 L32 S 甲基 Η L33 S 甲基 甲基 L34 S Η 第三-丁基 L35 S 第三-丁基 Η L36 S 第三-丁基 第三-丁基
R
L37 L38 L39 L40 R 苯基 甲基 第三-丁基 三甲苯基 L41 L42 L43 L44
91990 -21 - 1344316
其他有機發射材料可為聚合物質，例如聚苯二乙烯衍生物 、二烷氧基-聚苯二乙烯、聚對次苯基衍生物及聚苐衍生物 ，如由Wolk及其他人在共同歸屬之US-A-6,194，119 B1及其中引 述之參考資料中所陳述者。 雖然未示出，但LEL 26可另外包含兩個或多個發射層，若 此為所形成OLED裝置之適當發射性質所需要時。 91990 -22- 1344316 電子輸送層28係於LEL 26上形成。所要之電子輸送材料可 藉任何適當方式沉積’譬如蒸發、濺射、化學蒸氣沉積、 電化學方式、自供體材料之熱轉移或雷射熱轉移。供使用 於電子輸送層28之較佳電子輸送材料係為金屬螯合之類8_羥 基喳啉化合物，包括8-羥喳啉本身（亦常被稱為8•喳啉醇或8_ 羥基喳啉）之螯合物。此種化合物有助於注入與輸送電子， 且顯示高程度之性能及易於被製成薄膜形式。舉例之意欲 涵蓋之類8-羥基喳啉化合物係為滿足前文所述結構式E者。 其他電子輸送材料包括各種丁二烯衍生物，如在US-A_ 4,356,429中所揭示者，及各種雜環族光學增亮劑，如在US_A_ 4,539,507中所述者《滿足結構式g苯并氮嗅亦為可用之電子 輸送材料。 其他電子輸送材料可為聚合體物質，例如聚苯二乙烯衍生 物、聚對-次苯基衍生物、聚第衍生物、聚噻吩、聚乙炔及 其他導電性聚合有機材料，譬如列示於莩雹從分^與聚合 肢 f 母，第 1-4 卷，H.S. Nalwa 編著，John Wiley & Sons, Chichester (1997) 之中者。 陰極30係於電子輸送層28上形成。當光線發射係經過陽極 時’陰極材料可包含幾乎任何導電性材料。所要之材料具 有良好成膜性質，以確保與其下方有機層之良好接觸，促 進電子在低電壓下注入，及具有良好安定性。可使用之陰 極材料經常含有低功函數金屬（< 3 〇 eV)或金屬合金。—種較 佳陰極材料包含Mg : Ag合金，其中銀之百分比係在i至2〇% 之範園内’如在US-A-4,885,221中所述者。另一個適當陰極材 91990 •23· 1344316 料種類包括t滑，纟包含被較#冑電性金屬u蓋之低功 Θ數金屬或金屬鹽之薄層。一種此類陰極係包含LiF薄層， 接著為較厚A1層，如在US_A_5,677,572中所述者。其他可使用 陰極材料包括但不限於在us_A_5 〇59,86l ; US A 5,〇59,862 :及 US-A-6,140,763中所揭示者。 w光、’’泉發射係經過陰極觀看時，陰極必須是透明或幾乎透 明。對此種應用而言，金屬必須很薄，或吾人必須使用透 明導電性氧化物’或此等材料之組合。光學上透明之陰極 已更詳細地被描述於US-A_5,776,623令。陰極材料可藉蒸發、 濺射或化學蒸氣沉積進行沉積。當需要時，構圖可經過許 多習知方法達成，包括但不限於經過罩蓋沉積，整合陰影 遮蓋，如在US-A-5,276,380與EP 0732868中所述者，雷射燒蝕及 選擇性化學蒸氣沉積。
現在翻閱至圖2，其係顯示具有經改反性能之〇led裝置一 項具體實施例之橫截面圖，其係以根據本發明於LEL上之發 射保護層製成。於OLED裝置200中，發射保護層32係於lel26 上，且於電子輸送層28下形成。發射保護層32包含一或多 種材料，經選擇以抵抗在LEL上之表面污染，及減°少〇1^^ 裝置中之電致發光損失。"表面污染"—詞，當被使用於本 專利說明書中時，係意謂分子在經檢查層表面上之任何化 學或物理吸附’而非包含總體層之分子。纟面污染不易被 排除，即使在使用約ΙΟ·6托壓力之真空系統下亦然。若將表 面儲存於具有壓力為約10-6托之環境中，歷經1秒，則可能 獲得一個單層污染物，設若污染物具有黏附係數為丨DLEL 91990 •24· 1344310 材_亦可合且地用以形成發射S護層32。厚發射保 曰可有效地保遵LEL。但是，由於發射保護層可能未必充 ^ 故其結果可能是厚發射S護層將具有不良電子輸送 性質。另一万面，薄發射保護層可能不會阻礙電子輸送性 質’而且S護功能很弱。在本發明中，於考慮此等因素時 ’發射保護層32係經選擇，以具有厚度為0.1至50毫微米， 而較佳係具有厚度為丨〇至5 〇毫微米。發射保護層32可由兩 種或多種不同材料’相繼地沉積或共沉積而形成。所要之 發射保護材料可藉任何適當方式沉積’譬如熱蒸發、電子 束蒸發、離子濺射或其他薄膜製造方法。為了可與有機層 <沉積相容，發射保護層32較佳係由熱蒸發形成。發射保 邊層32係被沉積在LEL 26上。於發光層上形成之發射保護層 ，具有一或多種材料，經選擇以抵抗有機發光層上之表面 污染’且這將確保比起若此種層未曾被提供，則將有較少 表面污染。 此外，在聚合體OLED製造期間’經旋轉塗覆或噴墨印刷 之LEL必須在繼續隨後製造步驟之前，於特定溫度下回火， 歷經一段時間。在此狀況中，LEL之表面可能重建而併入污 染物，其係不僅存在於殘留溶劑中，而且在環境條件中。 因此，在回火之前沉積發射保護層32於LEL 26上，係為保護 LEL及改良聚合體OLED裝置EL性能之一種方式。 當製造聚合體OLED時，所要發射保護層之厚度可為〇 5至 100毫微米，且較佳可為1_0至50毫微米。所要之發射保護層 可在以熱方式使LEL回火之前，於發光層上，藉由旋轉塗覆 91990 -26- 1344316 4. 將作為LEL之20毫微米參（8-喹啉醇化）銘（in)(Alq)塗層， 在包含熱船形物來源之塗覆位置處，真空沉積於HTL上。 5· 將作為發射保護層之2毫微米2-(1,1-二甲基乙基）-9，1〇_雙 (2-莕基）蒽（TBADN)塗層，緊接於步驟4之後，在包含熱船形 物來源之塗覆位置處，真空沉積於LEL上。 6. 使上述基材於20°C下’並具有相對濕度高於45%之環 境條件下曝露5分鐘，然後返回真空。 7·使Alq之38毫微米ETL，在包含熱船形物來源之塗覆位 置處’真空沉積於發射保護層上。 8·使210毫微米陰極層，在具有個別钽船形物之塗覆位 置處，沉積於ETL上，該船形物其中一個含有銀，且其中— 個含有鎂。陰極層為20 : 1體積比之鎂與銀。〇LED裝置係被 形成具有照明面積為0.1平方公分。 9.將OLED裝置轉移至乾燥箱，以進行封裝。 比較實例） OLED裝置係以實例1中所述之方式建構，惟跳過步驟5 (發 射保護層之沉積），並於步驟7中，將LEL厚度從38毫微米改 變至40毫微米。 實例3 (比較實例） OLED裝置係以實例i中所述之方式建構，惟跳過步驟5 (發 射保護層之沉積）與步驟6(曝露至環境條件），並於步驟了中 ’將LEL厚度從38毫微米改變至4〇毫微米。 實例1-3中之裝置係經由在室溫下，施加2〇mA/平方公分 《恒定電流越過電極，並度量強度與顏&，進行測試。表】 91990 -29- 1344316 顯7F其結果。 表1 實例 (類型） LEL (20毫微米） 發射 保護層 (2毫微米） 環境曝露 (>45% RH) (分鐘） ETL (毫微米） 電壓 @ 20 mA / 平方公分 (V) 亮度 @20 mA/ 平方公分 (cd/平方米） 1 (本發明） Alq TBADN 5 Alq(38毫微米） 7.4 440 2(比較） Alq 5 Alq(40毫微米） 7.5 219 3 (比較） Alq Alq(40毫微来） 7.3 516 得以顯見的是，作為發射保護層之2毫微米厚TBADN可有 效保護LEL免於表面污染，並減少亮度損失。具有發射保護 層之裝置（實例,.1)在使LEL曝露至環境條件後，可比未具有 發射保護層之裝置（實例2)具有2倍高之亮度，惟具有發射 保護層之裝置之亮度，為未具發射保護層且其LEL未曝露至 環境條件之裝置（實例3)之約85%。 實例4 (發明實例） 具有滿足本發明要求條件之發射保護層之〇LED裝置，係 以下述方式建構： 1. 使純淨玻璃基材以氧化铟錫（ITO)真空沉積，形成3〇毫 微米厚度之透明電極。ITO層之薄片電阻為約1〇〇 Ω /平方。 2. 將上文製成之ΙΤΟ表面以電漿氧触刻處理，接著為1〇 毫微米氟碳聚合體（CFx)層之電漿沉積，按us_A_6,2〇8,〇75中所 述。 3. 於大約丨〇-6托真空下，將上文製成之基材進一步藉由 真2沉積來自熱船形物來源之4,4，_雙莕基）·Ν_苯基胺基] 聯苯(ΝΡΒ)之75毫微米HTL，進行處理。 4·將作為LEL之20毫微米參（8_Ρ查淋醇化）銘（m)(Aiq)塗層， 91990 •30- 1344316 在包含熱船形物來源之塗覆位置處，真空沉積於HTL上。 5· 將作為發射保護層之2毫微米雙（2_甲基-8-喳啉醇化）(4-苯基酚基）銘（B-Alq)塗層，緊接於步驟4之後，在包含熱船形 物來源之塗覆位置處，真空沉積於LEL上。 6. 使上述基材於20°C下，並具有相對濕度約30%之環境 條件，曝露至10分鐘，然後返回真空。 7. 使Alq之40毫微米ETL，在包含熱船形物來源之塗覆位 置處，真空沉積於發射保護層上。 8. 使210毫微米陰極層’在具有個別妲船形物之塗覆位 置處，沉積於ETL上，該船形物其中一個含有銀，且其中一 個含有鎂。陰極層為20: 1體積比之鎂與銀。〇LED裝置係被 形成具有照明面積為0.1平方公分。 9. 將OLED裝置轉移至乾燥箱，以進行封裝。 實例5 (比較實例） OLED裝置係以實例4中所述之方式建構，惟跳過步驟5(發 射保護層之沉積）。 實例6 (比較實例） OLH)裝置係以實例4中所述之方式建構，惟跳過步骑5(發 射保遵層之沉積）與步驟6 (曝露至環境條件）。 實例4-6中之裝置係經由在室溫下，施加2〇mA/平方公分 之恒定電流越過電極，並度量強度與顏色，進行測試。表2 顯亦其結果。 91990 -31· 1344316 表2 實例 (類型） LEL (20毫微米） 發射 保護層 (2毫微米） 環境曝露 (-30% RH) (分鐘） ETL ' (40毫微米） 電壓® 20 mA / 平方公分 (V) 亮度® 20 mA/ 平方公分 fed/平方米） 4(本發明） Alq B-Alq 10 Alq 9 2 490 5 (比較） Alq 10 Alq 8 9 341 6(比較） Alq Alq 10.8 591 得以顯見的是’作為發射保護層之2毫微米厚B_Alq亦可有 效保護LEL免於表面污染，並減少亮度損失。 實例7 (發明實例） OLED裝置係以實例1中所述之方式建構，惟按以下改變步 驟6 : 6· 使4-(二氰基亞甲基）-2-第三-丁基-6-(1,1，7,7-四甲基哑哈淀 基-9-烯基）-4H-旅喃（DCJTB)之0.1毫微米厚薄膜，自包含熱船 形物來源之塗覆位置蒸發，以產生具有DCJTB分子在具有分 壓為約10·6托之真空中之環境。防止DCJTB直接沉積於有機 層表面上。其係為全色彩顯示器製造過程之模擬^ DCJTB之 蒸發過程係在約10分鐘内完成。 最初裝置性能係於室溫下，經由施加20 mA /平方公分之恒 定電流越過電極進行測試。驅動電壓為8.3 V，亮度為628 cd /平方米，及發光效率為3.Ud/A。於最初測試後，在20 mA /平方公分下，於70°C烘箱中操作此裝置，以進行安定性測 試。於測試之第一個小時内’沒有任何最初下降，而在190 小時之連續操作後，最初亮度已下降達20%。 實例8 (比較實例） OLED裝置係以實例7中所述之方式建構，惟跳過步驟5 (發 91990 • 32- 1344316 射保濩層t沉積），並於步驟7中，將LEL厚度從38毫微米改 變至40毫微米。 最初裝置性能係於室溫下，經由施加2〇 mA /平方公分之恒 疋电越過電極進行測試。驅動電壓為8〇v，亮度為 /平方米及發光效率為3.0 cd/A。於最初測試後，在2〇 mA /平方公分下，於腕烘箱中操作此裝置，以進行安定性測 試。於測試之第-個小時内，有大約5%之最初下降，而在13〇 」時之連續操作後，最初亮度已下降達20%。 實例7與8証實若表面正靜置於真空室中等待下一步驟， 則表面污染仍有可能。此污染可能未必會造成不良最初性 能’但可造成劣質操作穩定性。發射保護層可有效地保護咖 免於表面污染，並保持良好操作穩定性。 本發明之其他特徵係包括下文。 其中發射保護層包含丁3八!^與匕八1(1之有機發光裝置。 其中發射保護層係藉由蒸發形成之方法。 其中發射保護層具有厚度在〇1至1〇毫微米範圍内之方法 其中發射保護層具有厚度在〇.5至5.0毫微米範園内之方法 其中發射保護層包含TBADN與B-Alq之方法。 其中發射保護層係藉由蒸發形成之方法。 其中發射保護層可藉由 同材料而形成之方法。 相繼沉積或共沉積之 兩種或多種不 其 中各發射保護層具有厚度在〇.1至1〇 法。 毫微米範園内之方 其 中各發射保護層具有厚度在0.5至5.〇毫微米範圍内 之方 91990 •33· 1344316 42 步驟 44 步驟 46 步驟 48 步驟 50 步驟 52 步驟 54 步驟 56 步驟 60 步驟 62 步驟 64 步驟 66 步驟 68 步驟 70 步驟 72 步驟 74 步驟 76 步驟 78 步驟 80 步驟 82 步驟 84 步驟 -35 91990
Claims (1)
- Ώ絛(更)正替換頁 拾、申請專利範圍： L —種具有經改良性能之有機發光裝置，其包含： a) 陽極，於基材上形成； b) 電洞輸送層，於陽極上形成； c) 發光層，於電洞輸送層上形成，用於產生光線，以 回應電洞-電子重組； d) 發射保護層’於發光層上形成，且該發射保護層比 。玄發光層更具疏水性，其中發射保護層包含一或多種材料 ，經選擇以抵抗有機發光層上之表面污染，並確保比起若 此種層未曾被提供，則將有較少表面污染； e) 電子輸送層，於發射保護層上形成；及 f) 陰極，於電子輸送層上形成。 人據申β月專利範圍第i項之有機發光裝置，其中發光層包 3至^ —種宿主與一種換雜劑，且發射保護層&含一或多 才料|有其電離電位等於或大於發光層宿主材料之電 離電位。 根據申4專利範圍第i項之有機發光裝置，盆 屉目士、u «，姚. 八 τ 卞 層具有光學帶隙高於3. 0 eV 其中發射保 根據申請專利範圍第1項之有機發光裝置 層具有厚度在(UMO毫微米之範圍内。 其中發射仿 根據申請專利範圍第4項之有機發光裝置 :具有厚度在0.5至5,〇毫微米之範圍内。 一種防止供使用於具有铿 發井js - π ,文良性此之有機發光裝置 赞元層汀染之方法，1包括. Ι344ι31ύ-- 哪h丨則Ί日修(更)正替換頁 .，， ·*——— — - _ a) 於發光層上形成發射保護層，且該發射保護層比該 發光層更具疏水性’其中發射保護層包含一或多種材料， 經選擇以抵抗有機發光層上之表面污染，並確保比起若此 種層未曾被提供，則將有較少表面污染；與 b) 完成有機發光裝置。 ?·根據中請專利範圍第6項之方法，其中發射保護層可藉由 相繼沉積或共沉積之兩種或多種不同材料形成。 8. -種防止供使用於具有，經？文良性能之聚合有機發光裝置 中之發光層污染之方法，其包括： a) 在熱回火之前，於包含—或多種材料之發光層上形 成發射保邊層，且該發射保護層比該發光層更具疏水性， 其中發射保濩層包含一或多種材料，經選擇以抵抗有機發 光層上之表面污染，並確保比起若此種層未曾被提供，則 將有較少表面污染； b) 使發射保護層以熱方式回火：及 c) 完成聚合有機發光裝置。 -2- 134 爾 月丨Ίΰ修(更)正替換頁561344 η曰修(更)正替換頁
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US10/431,303 US6853133B2 (en) | 2003-05-07 | 2003-05-07 | Providing an emission-protecting layer in an OLED device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW200501812A TW200501812A (en) | 2005-01-01 |
| TWI344316B true TWI344316B (en) | 2011-06-21 |
Family
ID=32990535
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW093107649A TWI344316B (en) | 2003-05-07 | 2004-03-22 | Providing an emission-protecting layer in an oled device |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6853133B2 (zh) |
| EP (1) | EP1475850A3 (zh) |
| JP (1) | JP2004335475A (zh) |
| KR (1) | KR20040095743A (zh) |
| CN (1) | CN1575072B (zh) |
| TW (1) | TWI344316B (zh) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7023013B2 (en) * | 2004-06-16 | 2006-04-04 | Eastman Kodak Company | Array of light-emitting OLED microcavity pixels |
| JPWO2006070712A1 (ja) * | 2004-12-28 | 2008-06-12 | 出光興産株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子用発光性インク組成物 |
| JP4305425B2 (ja) * | 2005-07-20 | 2009-07-29 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイスおよび電子機器 |
| US20080238297A1 (en) * | 2007-03-29 | 2008-10-02 | Masuyuki Oota | Organic el display and method of manufacturing the same |
| JP2009026986A (ja) | 2007-07-20 | 2009-02-05 | Seiko Epson Corp | 有機ｅｌ装置およびその製造方法ならびに電子機器 |
| JP2009111023A (ja) * | 2007-10-26 | 2009-05-21 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 有機ｅｌ表示装置及びその製造方法 |
| TWI470787B (zh) * | 2008-03-31 | 2015-01-21 | Japan Display Inc | 有機ｅｌ顯示裝置及其製造方法 |
| KR101009644B1 (ko) * | 2008-08-26 | 2011-01-19 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 레이저 열전사용 도너 기판 및 이를 이용한 유기전계발광소자의 제조방법 |
| JP4775863B2 (ja) * | 2008-09-26 | 2011-09-21 | 東芝モバイルディスプレイ株式会社 | 有機ｅｌ表示装置及びその製造方法 |
| JP4775865B2 (ja) * | 2009-01-14 | 2011-09-21 | 東芝モバイルディスプレイ株式会社 | 有機ｅｌ表示装置及びその製造方法 |
| US20110108812A1 (en) * | 2009-11-06 | 2011-05-12 | Shiro Sumita | Organic el device |
| JP2011191739A (ja) * | 2010-02-16 | 2011-09-29 | Toshiba Mobile Display Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス装置 |
| WO2018181049A1 (ja) | 2017-03-30 | 2018-10-04 | 株式会社クオルテック | Ｅｌ表示パネルの製造方法、ｅｌ表示パネルの製造装置、ｅｌ表示パネル、およびｅｌ表示装置 |
| US11569448B2 (en) | 2018-02-19 | 2023-01-31 | Samsung Display Co., Ltd. | Cross-linkable arylamine-based compound, polymer obtained therefrom, light-emitting device including the polymer, and electronic apparatus including the light-emitting device |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4769292A (en) | 1987-03-02 | 1988-09-06 | Eastman Kodak Company | Electroluminescent device with modified thin film luminescent zone |
| US6046543A (en) * | 1996-12-23 | 2000-04-04 | The Trustees Of Princeton University | High reliability, high efficiency, integratable organic light emitting devices and methods of producing same |
| US5920080A (en) * | 1997-06-23 | 1999-07-06 | Fed Corporation | Emissive display using organic light emitting diodes |
| KR100244185B1 (ko) * | 1997-09-18 | 2000-02-01 | 구자홍 | 유기전계발광소자 및 그 제조방법 |
| JP2000068060A (ja) * | 1998-08-13 | 2000-03-03 | Tdk Corp | 有機ｅｌ素子およびその製造方法 |
| JP2001176670A (ja) * | 1999-12-14 | 2001-06-29 | Morio Taniguchi | 光透過型有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
| JP4068279B2 (ja) * | 2000-02-23 | 2008-03-26 | パイオニア株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| EP1371708A4 (en) * | 2001-02-14 | 2004-06-16 | Sanyo Electric Co | ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE DEVICE, LUMINESCENT MATERIAL, AND ORGANIC COMPOUND |
| JP4675513B2 (ja) * | 2001-07-10 | 2011-04-27 | 新日鐵化学株式会社 | アルミキレート錯体及び有機電界発光素子 |
| KR100937900B1 (ko) * | 2001-08-29 | 2010-01-21 | 유니버시티 오브 서던 캘리포니아 | 금속착물을 포함하는 캐리어수송층을 구비한 유기발광장치 |
| JP2003077669A (ja) * | 2001-09-03 | 2003-03-14 | Toppan Printing Co Ltd | 高分子エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
| US20030166311A1 (en) * | 2001-09-12 | 2003-09-04 | Seiko Epson Corporation | Method for patterning, method for forming film, patterning apparatus, film formation apparatus, electro-optic apparatus and method for manufacturing the same, electronic equipment, and electronic apparatus and method for manufacturing the same |
| JP2003092186A (ja) * | 2001-09-17 | 2003-03-28 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 有機電界発光素子 |
| JP2003303681A (ja) * | 2002-04-09 | 2003-10-24 | Sharp Corp | 有機ｌｅｄ素子およびその製造方法、有機ｌｅｄ表示装置 |
| JP2004220888A (ja) * | 2003-01-14 | 2004-08-05 | Shoen Kagi Kofun Yugenkoshi | 透明有機発光ダイオードの両面表示構造及びその製造方法 |
| JP3891430B2 (ja) * | 2003-01-23 | 2007-03-14 | 富士電機ホールディングス株式会社 | 有機ｅｌ発光素子およびその製造方法 |
-
2003
- 2003-05-07 US US10/431,303 patent/US6853133B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2004
- 2004-03-22 TW TW093107649A patent/TWI344316B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-04-26 EP EP04076248A patent/EP1475850A3/en not_active Withdrawn
- 2004-04-30 CN CN2004100387059A patent/CN1575072B/zh not_active Expired - Lifetime
- 2004-05-07 KR KR1020040032376A patent/KR20040095743A/ko not_active Application Discontinuation
- 2004-05-07 JP JP2004138823A patent/JP2004335475A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1575072B (zh) | 2010-05-12 |
| KR20040095743A (ko) | 2004-11-15 |
| US20040222738A1 (en) | 2004-11-11 |
| TW200501812A (en) | 2005-01-01 |
| JP2004335475A (ja) | 2004-11-25 |
| US6853133B2 (en) | 2005-02-08 |
| EP1475850A3 (en) | 2012-04-11 |
| EP1475850A2 (en) | 2004-11-10 |
| CN1575072A (zh) | 2005-02-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI261478B (en) | Transfer of organic material from a donor to form a layer in an OLED device | |
| CN106207013B (zh) | 用于照明应用的电致发光器件 | |
| TWI373505B (en) | Anthracene derivative host having ranges of dopants | |
| US9577221B2 (en) | Three stack hybrid white OLED for enhanced efficiency and lifetime | |
| TWI280070B (en) | In-situ method for making OLED devices that are moisture or oxygen-sensitive | |
| JP5606921B2 (ja) | 青色発光層を備えた白色ｏｌｅｄ | |
| KR101457576B1 (ko) | 안정한 백색 발광 οｌｅｄ 디바이스 | |
| TWI338032B (en) | White light-emitting device structures | |
| TWI344316B (en) | Providing an emission-protecting layer in an oled device | |
| KR100689163B1 (ko) | 전계 발광 소자 및 그 제조 방법 | |
| KR101517903B1 (ko) | 고성능 광대역 οｌｅｄ 디바이스 | |
| TW200412194A (en) | Using hole-or electron-blocking layers in color OLEDs | |
| TWI364237B (en) | A stabilized white-light-emitting oled device | |
| JP2004311231A (ja) | 有機ｅｌ素子 | |
| TWI331403B (en) | Forming an oled device with a performance-enhancing layer | |
| US7121912B2 (en) | Method of improving stability in OLED devices | |
| US8466455B2 (en) | Device structure | |
| KR102077345B1 (ko) | 레이저 전사를 사용한 oled 제작 | |
| TW200423804A (en) | OLED device with a performance-enhancing layer |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MK4A | Expiration of patent term of an invention patent |