TWI343995B - Multigas monitoring and detection system, and related measuring method - Google Patents

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九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 旦本發明一般係與吸收光譜儀有關’更特定言之，係與微 里化學戰劑、毒性工業化學物 晉A A 衣兄工軋中存在的其他微 里化合物之偵測有關。 【先前技術】 =譜學係用於研究電磁輻射與樣本（例如，包含氣體、 及液體中的-或多個）之間的互動。轄射與一特定樣 互動所採用的方式係取決於樣本之特性(例如，分子植 ，物)。-般而言，輻射穿過樣本時，樣本内之分子吸收 幸:射之特定波長。對於特定樣本内之分子中的每一分子而 ° 所及收的特定輻射波長係唯一的。1¾] ** ,,^ 因此，藉由識別吸 收輪射之哪些波長，可識別樣本中存在之特定分子。 紅外光譜學係-特；t光譜學領域，其中，舉例而言，藉 由使樣本（例如，氣體、固體、液體或其 磁能量來決定樣本内之分子類型及個別分子之漢度。一般 而言’將紅外能量特徵化為能量波長在大約〇 7㈣頻率 1曰4麟^)與大約謂_(頻率Μ—之間之電磁能 "。引導紅外能量穿過樣本且該能量與樣本内之分子互 動藉由#測|§ (例如，一電磁偵測器）來谓測穿過樣本 之能量。接著使用咖之信號來決定(例如)樣本之分子 組成物及樣本内特定分子之濃度。 一特殊類型的紅外光譜儀係傅利葉變換紅外(FTIR)光譜 儀。其係用於各種產業中，例如，空氣品質監視、爆炸及 M5042.doc 生物製劑偵測、半導體處理及化學生產。FTIR光譜儀之不 同應用需要不同的偵測敏感度，以使使用者可區分樣本中 存在那些分子及決定不同分子之濃度。在某些應用中，必 須Sb識別樣本中在大約十億分之一（ppb)範圍内之個別分子 濃度。隨著工業應用需要越來越好的敏感度，現有光譜系 統之最佳化及新光譜組件之利用可致動系統重複且可靠地 分辨樣本中越來越小的分子濃度。 【發明内容】 在各種具體實施例中，本發明以一種用於監視及/或偵 測一氣體取樣（例如，環境空氣）中之毒性化學物質之光譜 偵測系統為特徵。該系統可為一小型、可攜式多氣體分析 器，其能夠偵測及辨別各種各樣處於低或次十億分率（ppb) 位準之化學成分，包括各種化學戰劑（CWA)、毒性有機化 s物（TOC)及毒性工業化學物（TIC)。該系統可使偽警報 (例如偽陽性或偽陰性）最小化、以高特異性為特徵且可 視應用而以若干秒至若干分鐘之等級之回應時間運作。 在一具體實施例中，可將⑽統封裝成—不顯眼的自動 單元：能夠將該自動單元配置於建築物之空氣處理系統 中以提供足以保護建築物居住者之一快速敏感尊示邀報 且亦允許適應性基礎架構系統對污染物之存^ 在-具體實施例中，該單元俜一…一 _ 干几保凡全自包含分析器，隨該 早7L具有—FTIR光错儀、—氣體取樣槽、 入式處理器、一顯示器、—允翁餐味^ 工軋幫浦、電源供應、加熱元 牛及其他組件且該單^有用以收集—樣本的—空氣入口 115042.doc 1343995 以及用以與其他器件介接的一電子通信埠。

方面本發明以一種能夠測量一微量氣體之裝置為特 铽。6玄裝置包括一第一輻射束之一來源及一干涉計，該干 涉計自該來源接收該第一輻射束且形成包括一干涉信號之 一第二輻射束。一取樣槽以光學方式與該干涉計通信，而 且，該取樣槽包括位於取樣槽之—第—端處之—凹形反射 式％表面以及位於取樣槽之一第二端處之一實質上球狀、 凹化反射式物鏡表面。物鏡表面與場表面呈對置關係，而 且，物鏡表面包括一圓柱形組件，其可增加至少一平面中 焦點之重合’以經由場表面與物鏡表面中的每一個上之多 個反射使穿過取樣槽之第二轄射束之輸出最大化。該裝置 亦包括-流動機制，其建立穿過該取樣槽之一氣體樣本 流；-冷卻式，其細光學方式與該取樣槽通信； α及…處理ϋ ’其係、以電性方式與該冷卻式㈣器通 信。該冷卻式偵測器接收穿過取樣槽中之樣本之干涉信 號’而該處理器依據該干涉信號來決定該樣本中之一微量 氣體之-吸收輪廓。可將該等來源、干涉計、取樣槽、冷 卻式伯測器及處理器置放於一外殼中。 另方面，本發明以一種以光學方式測量一微量氣體之 方法為特徵。胃方法包括：提供—可攜式吸收光譜儀，其 取樣槽.玄取樣槽具有位於一第一端處之一場表面 ^於帛一端處之一物鏡表面，該等表面呈對置關係以 形成一折疊式路徑；以及，传一 ^ 知、丨兄空軋樣本流經該取樣 «。可使取樣槽之體積及輻射束在折叠式路徑中之行程數 "5042.doc 最佳化以使取樣槽中傳播之輻射束之輸出最大化，以便偵 測環境空氣樣本中濃度小於大約500ppb之微量氣體。 另一方面，本發明以一種以光學方式測量一微量氣體之 方法為特彳政。該方法包括提供一吸收光譜儀，其包括一實 質上氣密的取樣槽。該取樣槽包括位於一第一端處之一場 表面與位於一第二端處之一物鏡表面，該等表面呈對置關 係以引導一輻射束穿過該取樣槽。在取樣槽中處於一第一 壓力下時測量穿過一環境空氣樣本之輻射束之一第一信 號。採用環境空氣將取樣槽加壓至一第二壓力並在該第二 壓力下測量穿過環境空氣樣本之輻射束之一第二信號。將 該第—信號與該第二信號組合以決定一指示一微量氣體之 存在之信號。 在各種具體實施例中，可將該第一信號與該第二信號組 &，以決定微量氣體之一吸收輪廓。在某些具體實施例 中，該輻射束可包括一干涉信號。在一具體實施例中，可 依據穿過取樣楕中之樣本之干涉信號來決定微量氣體之吸 收輪廓β在一具體實施例中，藉由為取樣槽加壓，可增大 (相對於基線信號）微量氣體之吸收輪廓之振幅。 另一方面，本發明以一種自一光學系統移除一污染物之 方法為特徵。該方法包括決定一吸收光譜儀之至少一取樣 區域中之一污染物之一濃度並在該污染物之該濃度超過一 污h值之條件下’將該取樣區域加熱至—消除污染溫度， 以移除S玄污染物。在加熱該取樣區域的同時監視該污染物 之/辰度，而且可在該污染物之濃度到達—消除污染值時撤

Il5042.doc 1343995 除或停止該取樣區域之加熱。 另-方面，本發明以-種能夠測量一微量氣體之裝置為 特徵。該裝置包括：一干涉計，Α白 秸 卞y T再自—來源接收該第一輻

射束且形成包含一干涉信號之一第二輻射束；—取樣槽， 其係以光學方式與該干涉計通信…流動機制，I建立穿 過該取樣槽之—氣體樣本流；一模組，其係用以加熱至少 該取樣槽；一谓測器’其係以光學方式與該取樣槽通信； 以及…處理器，其係以電性方式與㈣測器及該模組通 信。該倘測器接收穿過該取樣槽中之取樣之干涉信號。該 處理器依據該干涉信號決定該樣本中之一污染物之一濃 度；在該取樣槽中之該污染物之濃度超過—污染值之條件 下，發信號通知該模組將該取樣槽加熱至一消除污染溫 度，以移除該污染物；在該模組加熱該取樣槽的同時監視 該π染物之濃度；以及，在該污染物之濃度到達一消除污

染值之條件下，發信號通知該模組撤除或停止該取樣槽之 加熱。 在其他範例中，以上方面中的任一方面或本文所述任一 裝置或方法可包括以下特徵中的一或多個特徵。在各種具 體實施例中，該微量氣體之濃度小於大約500 ppb。在— 具體實施例中，該微量氣體之濃度係在大約1〇 ppb與大約 5 0 ppb之間。在一具體實施例中，該外殼係可攜式且界定 一用以吸入包含該氣體樣本之環境空氣之孔。該孔可以流 體方式與該取樣槽通信。在一具體實施例中，該取樣槽之 體積小於大約0.8公升。在某些具體實施例中，該取樣槽 H5042.doc -10· 之絡彳工程度係在大約5米與大約1 2米之間。在一具體實施 例中’該裝置亦包括—置放於可攜式外殼中之加熱元件， 其係用以將至少該取樣槽加熱至大約4 〇。匸與大約】⑽。^間 的--溫度。 在某些具體實施例中，可將該外殼安裝於建築物之空氣 處理系統中。-警報器可發出聲音，以警告空氣處理系統 中存在一污染物。 在一具體實施例中，該氣體樣本以大於大約每分鐘3公 计之速率流經取樣槽。在大約10秒之時間間隔中，該取樣 槽之氣體交換率可在大約80%與大約95%之間。在一具體 實;例中’该氣體樣本包括一化學戰劑、一毒性無機化入 物或一毒性有機化合物。對於大約50 ppb之氣體（例如，沙 林、太奔、索曼 '硫芥子氣或VX)，該裝置之回應時間小 於大約20秒。 在各種具體實施例中，可按一第一解析度測量一第一吸 收光譜以偵測該微量氣體，而且，可按一較高解析度測量 一第二吸收光譜。在某些具體實施例中，可按一第一敏气 度測量一第一吸收光譜以偵測該微量氣體，而且，可按〜 較高敏感度測量一第二吸收光譜。 在各種具體實施例中，該場表面可包括一凹形反射式表 面且該物鏡表面可包括一實質上球狀、凹形反射式表面。 該物鏡表面可包括一圓柱形組件，其可增加至少一平面中 焦點之重合，以使穿過取樣槽之折疊式路徑之輻射束之輸 出最大化。在一具體實施例中，可依據穿過取樣區域中之 M5042.d -11 - 1343995 έ玄較高解析度光譜可有助於微量氣體之識別。 在各種具體實施例中，輻射來源14與干涉計1 8可包含一 單一儀器。在某些具體實施例中’干涉計丨8係此項技術中 所熟知的一Michelson干涉計。在一具體實施例中，干涉 4 18係可自 MKS Instruments，Inc.(Wilmington，MA)獲得的 一 BRIK干涉計。一 brik干涉計可包括：一組合器，其使 入射轄射分離並組合；一移動式角隅稜鏡，其係用以調變 該輕射；一白光源，其係用以識別中央叢發；以及，一垂 直腔表面發射雷射（VCSEL)，其係用以監視該角隅稜鏡之 速率。BRIK干涉計可不受傾斜與橫向運動誤差以及熱變 化的影響’其可增強干涉計之強度。 在一具體實施例中，干涉計18可為包括一輻射源、一固 定鏡、一活動鏡、一光學器件模組及一偵測器模組（例 如’彳貞測器30)之一模組。干涉計模組可測量其來源所產 生且透過一樣本（例如，取樣槽22中所包含之樣本26)所透 射之所有光頻》將輻射引導至光學器件模組（例如，分光 杰）’其可將該輻射分成兩輻射束：一第一信號與一第二 L號活動鏡產生此等兩最初實質上相同之電磁能量束之 間之一可變路徑長度差。該活動鏡通常按-‘⑨定速率移動 或知描。$第-信號行進一與第二信號不同的距離(在此 ”體實施例中，係由於活動鏡之移動）之後，可藉由光學 态件挺組來重新組合第—與第二信號’從而產生—輻射測 量信號，其具有藉由兩轄射束之干涉加以調變的一強度。 此干涉# if虎穿過樣本且藉由侦測器來測量該干涉信號。不

Il5042.doc -13- :训 u 113體、液體或氣體）之存在可調變㈣器所 貞測之輻射強度。因此M貞測 有關之作“ r 貞心之輸出係-可變、與時間 生夕 H係取決於固定鏡與活動鏡之減位置所產 切特差^樣本所產生之電磁㈣之調變。可將 此輸出信號描述成一干涉圖。 之可將4干涉圖表示成所接收到之能量強度相對於活動鏡 “位置之繪圖。熟習此項技術者將該干涉圖稱為與時間成 >ς關係的彳5號。該干涉圖係與活動鏡之位移所產生之 可又光學路徑差成函數關係。由於通常且較佳地按一恆定 速率掃描活動鏡之位置’故熟習此項技術者將該干涉圖稱 為 夺域彳5號。可將該干涉圖理解成來源所發射且穿過 ，本之所有月b置波長之總和。藉由使用數學上的傅利葉變 換（FT)程序，電腦或處理器可將干涉圖轉換成一光譜，其 可表示透過樣本所吸收或所透射之光之特徵。因為個別類 型的分子吸收特定能量波長，所以可基於干涉圖及對應的 光4來決疋樣本中所存在之分子。同樣地，可使用透過樣 本所吸收或所透射之能量之幅度來決定一（或多個）分子在 樣本中之濃度。 在各種具體實施例中，並不使用干涉計來形成一干涉信 號。使用一吸收光譜儀來記錄一光學信號，而且，透過取 樣區域所透射之信號導出微量物種之有關資訊。例如，可 使用一吸收光譜或一微分光譜。 在各種具體實施例中，取樣槽22可為一折疊式路徑及/ 或一多行程吸收管。取樣槽22可包括用以封閉一光學組件 U5042.doc ]4 電腦上的定量分析軟體。處理器34可包括一處理單元及/ 或記憶體。在計算樣本内之多氣體濃度的同時，處理器34 可連續獲取並處理光譜。處理器34可將資訊（例如，微量 氣體之識別、微量氣體之光譜及/或微量氣體之濃度）發送 至-顯示器38。處理器34可以圓形及表格格式保存又光^濃 度時間歷史且可保存所測量之光譜及駐留光譜，而且;顯 示此等内容。處理器34可收集並保存各種其他資料以便 隨後進行重新處理或檢視。顯示器38可為—陰極射線管顯 不器、發光二極體（LED)顯示器、平面螢幕顯示器或此項 技術中所熟知的其他合適的顯示器。 在各種具體實施财，可將外殼42調適成提供—偵測系 統，其具有可摸式 '堅固及輕型中的一或多個特徵。外殼 42可包括一手柄及/或可很容易固定於一運輸機制（例如， 一手拉車或手推車）。外殼42可足夠堅固，以致可防止光 學器件不對齊或避免運輸及/或跌落時組件破碎。在各種 具體實施例中，裝詈]〇夕舌θ 1 , 』r裝置10之重置可小至4〇磅。在一具體實施 中裝置10係疋全自包含式（例如，在外殼42中包括收 集-樣本、記錄一光譜 '處理該光譜及顯示該樣本之相 資訊所必需的所有組件）。 圖2顯示裝置！ 〇可使用之—光學組態之—說明性具體實 施例。藉由-第—鏡52將來自來源14(例如，發光桿 射引導至干涉計18(例如，包括一漠化钟分光器）。藉由田 拋物面鏡，M)將該轄射束引導至—第—折疊鏡U並進入 取樣槽22中。該輕射束離開取樣槽且藉由一第二折疊鏡62 H5042.doc -16- 其將該輻射束引導至偵測 將其引導至一橢圓面鏡66 (em)， 器30。 表性具體實施例中’該拋物面鏡54之有效焦距為 大約Η)5·0 mm、母焦距為大約89 62麵且偏心值可為大約 74.2_。拋物面鏡54之直徑可為大約3〇〇_，而且反射 角可為大約4 5 ° 〇 在-具體實施例中’橢圓面鏡“之主半軸可為大約 1 12.5、短半軸可為大約56 〇9且橢圓面之傾斜角可為大約 7.11°。橢圓面鏡66之直徑可為大約则_，而且反射角 (主射線）可為大約75。。 在各種具體實施例中’第一折疊鏡58之直徑可為大仙 mm，而第二折疊鏡62之直徑可為大約30 mm。 該等鏡及光學器件可包括一金塗層、一銀塗層或—鋁塗 層。在一具體實施例中，橢圓與拋物面鏡係塗布有金，而 平面折疊鏡係塗布有銀。 在各種具體實施例中，取樣槽可包括一物鏡表面74與一 %表面78。物鏡表面74可為實質上球狀及凹形。場表面 可為凹形且以與物鏡表面74呈對置關係之方式定位場表面 Μ。物鏡表面74可包括至少一圓柱形組件，其可増加至少 一平面中焦點之重合，以使表面74與78間傳播之—輻射束 之輸出最大化。在一具體實施例中，物鏡表面74可包括複 數個實質上球狀、凹形反射式物鏡表面，而且，每一表面 可包括一圓柱形組件，其可增加至少一平面中焦點之重 合’以使該輻射束之輸出最大化。物鏡表面之曲率中心可 I I5042.doc 1343995 秸田項加至少一平面中焦點之重 5 ，可更好地控制失真、散光、球面像差及蓉形像差，進 而可貫現較高輸出。添加圓柱形組件可用以減小一平面中 之有效曲率半徑，卩而使入射於反射式表面上之光更好地 接近正交平面中之焦點。在一具體實施例令，物鏡表面74 具有疊加於其上之一圓柱形組件，其於兩正交平面中提供 不同曲率半徑。物鏡表面74可具有接近環面之一輪廓。

取樣槽22之總路徑長度可在大約5 m與大約15爪之間， 不過’可視應用而使用較長及較短的路徑長度。在—詳細 具體實施例中，取樣槽22之總路徑長度為大約1〇18 m， 其導致物鏡表面74與場表面78之間之總行程數為大約判。 可針對0.5-mm偵測器及i球面度收集角來最佳化取樣槽22 之光學器件。偵測器之光學放大率可為大約8:丨。物鏡表 面74與％表面78可具有一金塗層’在8〇〇至12〇〇 cm·1之 間’其具有一大約98.5°/。的標稱反射比。取樣槽之内部體 積可在大約0‘2 L至大約0.8 L之間，不過，可視應用而使 用較大及較小的體積。在一詳細具體實施例中，該體積係 大約0.45 L。 在一具體實施例中，可使用以將輻射束引導至取樣槽22 且穿過取樣槽22、用以使輻射束聚焦於取樣槽22之一入射 狹縫上及/或用以將輻射束引導至偵測器之鏡及光學器件 最佳化以與取樣槽之光學特徵匹配，其可使輕射輸出最大 化且可增強偵測系統之敏感度》 例如’在一具體實施例中’以恰當方式對齊之光學組態 M5042.doc -18- 之效率可為大約88.8%。如本文之用4，效率可為照射影 像方形區域之射線數與發射角範圍内所發射之射線之總數 之比°在-具體實_巾’可調整折#鏡58與62及债測器 3 〇之位置，其使得可補償干涉計丨8、拋物面鏡w、取樣槽 22及偵測器30之間的各種機械公差誤差。在一具體實施例 中，可使用以下標稱（所設計）光學距離來最佳化輸出。 •偵測器至橢圓面鏡之距離（χι)為大約21 39 mm。 •橢圓面鏡至折疊鏡之距離（X2)為大約132.86 mm。 •折疊鏡至取樣槽（場鏡之表面）之距離（χ3)為大約7〇 〇〇 •取樣槽路徑長度為大約1〇18193mm。 •取樣槽至折疊鏡之距離（Χ4)為大約7〇 mm。 •折疊鏡至拋物面鏡之距離（X5)為大約35 mm» 圖3顯示用於將一樣本引入取樣槽22中之一範例性流動 系統82之一說明性具體實施例。流動系統82包括藉由氣體 管道11 0連接之一過濾器86、一流量感測器9〇、一可選加 熱元件94、氣體管22、一壓力感測器98、一閥102及一幫 浦1 06。箭頭顯示流動方向。流動系統82之組件中的一或 多個可包括浸濕零件（例如，鐵氟龍、不銹鋼及Kalrez)， 以耐受消除污染溫度且抵抗CWA與TIC之腐蝕性。 過濾器86可為進線2 μηι不銹鋼過濾器，其可自Mott Corporation(Farmington，CT)獲得。流量感測器90可為一包 括不銹鋼浸濕零件之質量流量感測器，例如，可自 McMillan Company(Georgetown，TX)獲得之流量感測器0 加熱元件94可為線式加熱器，其可自Watlow Electric 115042.doc •19-

Manufacturing Company(St. Louis，MO)獲得。壓力感測器 98可為一 Baratron壓力感測器，其可自MKS Instruments (Wilmington，ΜΑ)獲得。閥102可為不銹鋼閥且包括一鐵氟 龍〇形環’例如，可自Swagelok(Sol〇n，〇Η)獲得之閥。氣 體管道110可為3/8"直徑之管子，其可自Swagd〇k獲得。 幫浦1 0 6可為具有一加熱頭之”微"隔膜幫浦。可使用自

Air Dimensions，Inc.(Deerfield Beach, FL)獲得之 Dia-Vac B161幫浦。在一具體實施例中，可使用自Hargraves Technology Corporation(Mooresville，NC)獲得之微型隔膜 幫浦。在所述具體實施例中’幫浦1 〇6可位於取樣槽22之 下游，以透過取樣槽22汲取空氣。因此，可將系統中的任 何洩漏拖離分析器，而不是推到分析器中，從而可使污染 分析器之内部組件之危險最小化《此外，可防止涉及幫浦 之彈性材料之一非預期化學反應之不必要產物進入取樣槽 22 〇 在各種具體實施例中，經過流動系統8 2之流速可在 2 L/min與10 L/min之間，不過，可視應用而使用較大及較 小流速。在一具體貫施例中，該流速係在3 L/min與6 L/min之 間。樣本之壓力可為大約1 atm，不過，可視應用而維持 較大及較小壓力。在某些具體實施例中，該取樣槽可運作 在高壓下，例如高達4 atnl ^取樣槽之作業溫度可在大約 1 〇°C與大約40°C之間，不過，可視應用而維持較大及較小 溫度。在一具體實施例中，該偵測系統可包括一將樣本加 熱至大約40°C與大約1 8〇。〇之間之加熱元件。在一具體實 H5042.doc • 20- 1343995 施例中，該溫度可增至大約15(rc，以對裝置作消除污染 處理。 在各種具體實施例中，取樣槽之路徑長度可在大約5 m 與大約12 m之間。可藉由氣體取樣流速來限制場表面與物 鏡表面之間之間隔。在一具體實施例中，具有16⑽間隔 與32個行程之5.11米的取樣槽之内部體積可為大約〇 2 l。 在另一具體實施例中，對於相同行程數（即，具有32個行 程），具有20.3 cm間隔之取樣槽之體積可為大約〇4 L。在 另一具體實施例中，具有25,4 ^爪間隔之取樣槽之體積可 為大約0.6 L。可決定至少每1〇秒就可提供充足”新鮮”環境 氣體供應之一流速，不過亦可採用較小取樣速率。在各種 具體實施例中，可最佳化該流速（例如，在2 [岫比與1〇 L/min之間）’以提供—最佳氣體交換率。例如，在一具體 貫施例中’ 2 0秒價測時間間隔中的氣體交換率係至少 8 0 /〇。在—具體實施例中’ 1 〇秒偵測時間間隔中的氣體交 換率係在大約80%與大約95%之間。 可將路徑長度/ΝΕΑ比用作用於量化偵測系統之敏感度 之度1 ’其中路徑長度係以米為單位所測量的取樣槽之 總輻射束路徑長度，而ΝΕΑ係採用吸收率單位（AU)所測量 之雜訊等效吸收率。假設敏感度係受偵測系統之非對稱誤 差（亦破稱作隨機雜訊，例如，偵測器及電子雜訊）限制， 則偵測限制可與路徑長度/ΝΕΑ比成反比。例如，若該比 加倍’則特定樣本之偵測限制（以ppb或mg/m3為單位）將減 半因此’其係敏感度性能之一恰當量化度量。此度量未 I15042.doc 21 1343995 考里因先進取樣技術（例如，氣體加壓與冷截獲）所帶來之 敏感度增強。 β ϋ由考量限制性系統雜訊(例如’偵測器及數位化雜 6孔）’可最佳化各種系統組態之路徑長度/νεα比。可最佳 . &之參數包括流速、取樣槽體積、光學路徑長度、穿過取 之彳τ程數、光學組態、鏡反射率、鏡反射材料及所使 用之偵測器。例如，最㈣測器係尺寸、成本及使用壽命 • 限制範圍内具有最高D*值與速度（較低回應時間）之谓測 器。 對於受憤測器雜訊限制之光譜儀而言，敏感度或路徑長 度/NEA比係與D*值成正比。偵測器頻寬可決定最大掃描 速度，其it而決定所允許測量週期内可執行之最大資料平 均數。對於受偵測器或電子雜訊限制之系統而言，敏感度 一般隨平均掃描數或（例如）執行此等掃描之時間之平方根 而〜大。在-具體實施例中，Stirling冷卻式偵測器可提供 鲁至少1.5M05 m/AU之路#長度/NEA敏感度比。则_測 器因其低成本與免維護壽命而可提供—便宜替代物，不 過’其可能具有較低D *值且較慢。 • 可藉由最佳化場表面與物鏡表面間之距離以及此等表面 間之行程數來決定路徑長度/NEA值。囷4顯示各種表面間 隔（例士 6·3英忖（16,0 cm)、8英0寸（20.3 cm)及1〇英吋 (25.4⑽））條件下路徑長度/ΝΕΑ與鏡反射之函數關係之曲 線圖。如圖4所示，在大約92個行程之處，出現最大路徑 長度/ΝΕΑ值。不過’在92個行程之處，因鏡表面處之反 M5042.doc •22· 1343995 射損耗而僅透射光之25%。在一詳細具體實施例中，取樣 槽之透射率係在大約50%與大約60%之間。在鏡反射比為 98.5%之條件下’ 60%透射率係與大約32個行程對應，如 圖4之垂直線所示^ 50%透射率係與大約48個行程對應。 表1顯示用於提供一用以偵測樣本中之微量氣體之取樣系 統之範例性參數組合。 表1。用於提供一用以偵測取樣中之微量氣體之取樣系 統之範例性參數組合。 系統 表面間隔 (cm) 行程數 總路徑 長度(m) 路徑長度 /ΝΕΑ (m/AU) 管體積 (L) 流速1 (L/m) 流速2 (L/m) A 16.0 32 5.11 1.4 x 103 0.2 2 3 B 20.3 32 6.5 1.8 χ 103 0.4 4 6 C 25.4 32 8.1 2.3 χ ΙΟ3 0.6 6 9 D 16.0 48 7.7 1.9 χ ΙΟ3 0.3 3 4 5 E 21.1 48 10.18 2.5 χ ΙΟ3 0.5 5 7 5 F 25.4 48 12.2 r 3.0 χ ΙΟ3 0.8 r 8 12 -23· 1 流速可在1 0秒間隔内獲得80%之氣體交換率。 2 流速可在10秒間隔内獲得90%之氣體交換率。 3 i 15042.doc 1343995 之微量沙林；濃度在大約12.9 ppb與大約39 ppb之間之微 量太奔；濃度在大約7.3 PPb與大約22 8 ppb之間之微量太 奔；濃度在大約36·7 ppb與大約37G.6响之間之微量硫芬 子氣；或，濃度在大約丨2.9 Ppb與大約43 9 ppb之間之微量 V X神經毒氣。

可將氣體更新率(其係取樣槽中新鮮氣體供應之堆積之 測量m路徑長度/ΝΕΑ比辆合，從而可獲得—偵測系統回 應時間，將該偵測系統回應時間指定成"ζ秒内所偵測到之 X mg/m3(或ppb)氣體γ"。偵測系統回應時間包括測量時間 與計算時間（例如，大約5秒）。表2顯示各種毒劑（例如，沙 林、太奔、索曼、硫芥子氣及吻申經毒氣)之範例性偵測 系統回應時間。 表2。使用本發明之. 例性偵測系統回應時間 偵測系統所測量之微量氣體之範 所有回應時間皆以秒為單位。

微量氣體 10 ppb 之回應時間 20 ppb 之回▲時間 30 ppb 之回應時間 5〇 ppb 之回▲時間

圖5係使用一階梯形輪廓輸入情況下（例如，微量氣體在 測量循環開始時進入取樣槽）微量氣體之濃度相對於時間 之曲線圖。測量週期”A”係收集資料及/或記錄干涉圖之時 間。計算週期’’B”係將干涉圖轉換成一光譜之時間，而 且，執行一光譜分析以產生資料，可依據該資料決定警報

Il5042.doc -24- 1343995 位準及/或濃度值。

圖6顯示一系列測量之時間線。在測量週期1期間製劑j 進入取樣槽並加以偵測。在計算週期1期間分析干涉圖。 在測量週期1期間製劑2進入取樣槽。若製劑2之濃度足夠 大’則可在測量週期1之剩餘部分期間對其加以彳貞測。若 不可伯測製劑2，則在隨後一測量週期（例如，測量週期2) 期間加以偵測，而且，在隨後之計算週期（例如，計算週 期2)期間分析干涉圖。 在一具體實施例中，可按時間順序，採用固定預定間隔 來分離讀數。在各種具體實施例中，該間隔可在大約丨秒 與大約1分鐘之間，不過，可視應用而使用較小或較大間 隔。在某些具體實施例中，該間隔係大約5秒、大約1〇秒 或大約20秒。因此，回應時間係取決於此間隔以及偵測系 統可偵測製劑之時間。

在各種具體實施例中，偵測系統可基於一外部因素（例 如，微量氣體之偵測、警示位準、日時間、房間或建築物 内可能受製劑影響之人數、特定測量應用或方案或上述因 素之組合）來調適一或多個參數β例如，在高警示狀況 下’可使用-較小間隔’以使偵測時間最小化及微量製劑 之可偵測性最大化。在一低警示狀況下，可使用—較大間 隔’其可保護偵測系統之壽命且可減小偽警報(偽陽性或 偽陰性）之可能性。 此外’超過一特 測系統減小該間隔 定製劑之臨限位準之個別測量可觸發伯 ，從而可在較短時間内執行額外測量。 D5042.doc -25- 1343995 在各種具體實施例中’可按一第一站化— 昂解析度或敏感度記錄一 第一光譜。若偵測到一污染物，目，丨7、 > 、 則可分別按一較高解析度 或敏感度記錄一第二光譜。此外，伯 _ 偵測益可具有一待機模 式’在έ玄待機模式下偵測器在較其、、〇 # 仅阿，皿度下運作，藉此減小 其敏感度。受到外部因素觸發時，可 ^ 可降低偵測器之溫度以 改善其敏感度。

於一外部因素或所 加掃描數以增強偵 在記錄此等額外掃 。在一具體實施例 在各種具體實施例中’偵測系統可基 感知之警示來改變掃描數。例如，可增 測系統之敏感度。在一具體實施例中， 描時，偵測系統可按較高解析度運作 中’每一掃描可包括一已增大的平均數或個別掃描。 在各種具體實施例中，偵測系統僅將光譜之低頻區域 (例如，低於1300 cm·1)數位化，因此偵測系統可以較快速 率掃描。可使用一電子濾波器或偵測器回應功能來移除較

向頻區域（例如，大於1300 cm·1)，從而可防止頻疊或使其 最小化。 在某些具體實施例中，偵測系統採用光譜之一部分來情 測微量氣體之存在。可分析光譜之一第二部分，以確認微 量氣體之存在及/或決定微量氣體之濃度位準。 在一具體實施例中，可將偵測系統封裝成一小型、自包 s多氣體分析器。例如，偵測系統可為一用於記錄、繪 製、分析及彙報空氣品質之診斷工具。圖7與8顯示用於監 視空氣品質（例如，環境空氣之微量氣體）之一範例性偵測 系統。參考圖7，該偵測系統包括一外殼42,、一第一顯示 115〇42.d〇c -26- 1343995 器38 —第二顯示器38M、一氣體入口 46, 一氣體出口 5(Γ 及用於連接至外部器件之一埠丨丨8。

外殼42'可為一三維矩形盒，其包括一頂部面板122、側 面板126及一底部面板13〇(圖8所示）。可使頂部面板122與 一側面板126鉸接，因此可打開外殼42,進行維修。頂部面 板122之外部表面可包括附著於此或嵌入其中之第一顯示 益38與第二顯示器38"。第一顯示器38,可為一液晶顯示器 (LCD)，例如，可採用一觸控螢幕顯示器。第一顯示器 可接收用於操作偵測系統之指令且可顯示一圖形使用者介 面（GUI)。第二顯示器38"可為一發光二極體（LED)顯示 器，例如可採用一系列LED，其發光來指示一警示位準、 警報狀態及/或偵測系統功能狀態。例如，該第二顯示器 38〃可包括彼此分離的一第一系列綠、黃及紅led(其係用 以指示一警報狀態）以及一第二系列綠、黃及紅LED(其係 用以指不感測器功能狀態）。在各種具體實施例中，外殼 42'可界定一用以吸入環境空氣之孔。該孔可用以將氣體& 樣本引入流動系統中’以供取樣槽中之谓測用。 圖8顯示轉動頂部面板122將其打開時底部面板】22盥底 部面板130之内部視圖。底部面板包括一内部機架，其包 括-用於容置光學組件之光學器件盒〗34。可採用铭殼(： 如’咖-叫形成光學器件盒13仏在—具體實施例中， 光學器件盒134係一密封盒。如圖8所示，光學器件盒I% 包括一來源14，、一干涉計18、_取樣槽22、1:器 3〇’、一拋物面鏡54，、一第一折疊鏡58、一第二折疊鏡 Ϊ i5042.doc -27- 1343995 62、一橢圓面鏡66，、一物鏡表面”,及一場表面78,。光學 器件I 1 34亦可包括一流動系統，其包括_闕i 38(其係用 以調整氣體流量）、一壓力感測器98,、一幫浦1〇6,及供連 接用之氣體管道110與配件142。亦可將各種組件之電源供 應146以及一風扇15〇附著於底部面板13〇 ^可在靜止空氣 中操作偵測系統’而且’風扇15G可維持系統之内部溫 度。底部面板130亦包括一連接器154，以與頂部面板122 介接。 如圖8所示，頂部面板122可包括附著於此之電子組件。 例如，頂部面板122可包括_資料獲取模組158、一鏡運動 控制模組162、一單板電腦166、一功率分配模組17〇及一 硬驅動器〗72。資料獲取模组1 5 8可包括一前置放大器、一 類比至數位轉換器及一資料獲取板。該前置放大器可放大 自偵測器30,接收到之類比信號。可使用類比至數位轉換 器將該類比信號轉換成一數位信號◦該資料獲取板可為自

Netburner(San Diego, CA)獲得之 Netburner處理器板。單板 電腦166可為一現成PC母板，其運行…比如…且將一 gui呈 現給使用者。 功率分配模組170可處理功率並將其分配給系統中的其 他模組，而且可實施用以監視偵測系統之功能性之功能與 狀態感測器。例如，功率分配模組17〇可將Ac功率分配給 系統電源供應146與風扇15〇，而且可控制溫度控制器 4 例如可自 Dwyer Instruments，Inc.(Michigan City，IN) 獲仔之L〇ve Controls。功率分配模組！ 7〇亦監視取樣槽壓 I15042.doc •28- 1343995 力、棱跨空氣過濾器之差壓、取樣槽溫度及偵測器溫度， 以A/D方式轉換輸出且將結果反向傳達至單板電腦166。功 率分配模組170亦可在來自單板電腦166之指令控制下，控 制Stirhng冷卻式偵測器之冷卻器馬達。頂部面板1 22亦可 . 包括取樣槽溫度發射器。 . 可使用附著於頂部面板1 22之模組來執行資料處理，其 可致動即時資料分析。光譜庫可包括大約3〇〇至大約4〇〇種 φ 氣體之光譜指紋，不過，在記錄光譜時可添加更多氣體。 可採用一標準電腦程式語言（例如，MATLAB或C ++)來執 行資料處理。可將所記錄之光譜傳輸至MATLAB進行光譜 後處理，以計算氣體濃度、駐留光譜及/或偽警率。在各 種具體實施例中，偵測系統可以每年少於大約六個偽警報 之方式運作。偽警報之產生原因可為雜訊、異常光譜效 應、分析碼、模型誤差、光譜庫中之誤差或未知干擾因 素。 • 電腦軟體可運行於具有圖形遠端控制能力之以java為主 之平σ上。其可併入標準服務’包括使用者登錄、以網路 為主之GUI、警報觸發及/或至用戶端電腦（其可遠離偵測 系統定位）之乙太網路介面，電腦軟體可執行遠端功能及 • 控制診斷。此外，埠可用以將該系統連接至一獨立電 腦’其可執行資料處理與資料分析。 將外殼42’設計成可耐受5〇 G衝擊。在一具體實施例 中’外设42之長度可為大約4〇6 mm且寬度可為大約559 mm。偵測系統之質量可為大約2〇 kg。可將外殼42，安裝於 1 i5042.doc -29- 1343995 牆壁上、活動式推車上或手推車上，而i，其可包括—手 柄（未顯示）’以便以手動方式或使用機械提升裝置執行栽 送。在-具體實施例中，可將外殼作為建築物之空氣處理 系統之部分加以安裝。偵測器感測到污染物之存在時，可 採取挽救措施以消除污染物帶來之問題。例如，一警報。。 可採用聲音方式通知撤離建築物’或者，可增加空氣處:

系統中之空氣流動以將公共區域中的污染物趕走或將微旦 氣體稀釋至可接受位準。 里 在各種具體實施例中，萬-發生污染’則可在高溫下摔 作編.统，以對系統作消除污染處理。可對該系統加以 配置’使得可將取樣槽與流動系統加熱至大約15〇 約2〇〇°C間之—溫度，同時剩餘組件（包括電子元件與 組件）可維持處於低於大約贼之溫度下。例#，可使: 熱至大㈣之組件與周圍組件隔離，以防止損壞電子σ

-件及避免重新對齊或損壞光學組件。取樣槽與流 =高溫下之運作可加速污染物之解吸。在—具體實施例 ’可在對祕作消除污染處理的同時操作们料統 而可監視消除污染程序。在—具體實施例中，纟消除污汰 期間採用氮氣或環境空氣來淨化谓測系統。該氣體可包： 例如’大於或等於大約30%之相對濕度在各種且 體貫施例中，可在小於大約 八 理，而且，易將該系統返回作::::作消除污染處 在一具體實施例中，可決定偵測系統中一污染 度，而且，若該污染物之濃度超過— _ ‘ 〇木值，則至少可將 H5042.doc •30· 1343995 取樣區域加熱至一消除污染溫度，以移除該污染物。在加 熱該取樣區域的同時可監視該污染物之濃度，而且在該污 *物之’辰度到達一消除污染值時，可撤除或停止該加熱。 該污染值可為-物質之—抑制傾測系統之性能之濃度。該 消除污染值可為該物質之-濃度，在該濃度下_系統可 以不受該污染物影響之方式運作。 在各種具體實施例中’可在高壓下操作福測系統之取樣 槽。儘管路徑長度/ΝΕΑ比可能不會改變，但隨著量更大 的微里氣體樣本存在於具有相同路徑長度之取樣槽中，偵 測系統之敏感度可能會增強。此進而可產生一較大（與基 線信號相比）吸收信號◊在保持取樣槽體積不變的同時， 可藉由增加流速來提高壓力。 可以固定方式安裝場表面與物鏡表面，因此在提高壓力 時’其位置保持實質上不變。例如，可將場表面與物鏡表 面安裝於桿上，以固持此等表面。此外，該取樣槽可為實 質上氣密的取樣槽。可使取樣槽中之物鏡表面與場表面浸 在樣本氣體中，從而可為場表面與物鏡表面中的每一個之 背表面施加一正壓力，以防止在高壓下變形。在各種具體 實施例中，該壓力可在1 atm與大約10 atm之間。在一具體 實她例中，該壓力係4 atm。 在某些具體實施例中，可在兩不同壓力下測量信號且可 獲得此等信號之比。該信號比可移除基線雜訊、增強敏感 度及/或增大（相對於基線信號）微量氣體之吸收輪廓之振 幅。 H5042.doc 31 在取樣槽中處於一第一壓力下時測量穿過一環境空氣樣 射束之-第-信號。採用環境空氣將該取樣槽加 壓至-第二壓力。在取樣槽中處於該第二壓力下時測量穿 過該環境空氣樣本之轄射束之—第二信號。可將該第一信 號與該第二信號組合以決定一指示一微量氣體之存在之信 唬。例々。’可將該等信號組合以產生微量氣體之吸收輪 靡。在一具體實施例中，該轄射束可包括一干涉信號。可 依據遠干涉信號來決定微量氣體之吸收輪廊。在—具體實 施例中，該第-壓力係大約i _，而該第二壓力係在大 約1 atm與10 atm之間。在一詳細具體實施例中，該第一壓 力係大約1 atm，而該第二壓力係大約4 atm。 在各種具體實施例中’將該第一信號用作該第二信號之 一基線信號，因為增加壓力時取樣槽之光學對齊保持實質 上不變。在某些具體實施例中，測量一基線信號且將其用 作該第一信號與該第二信號之基線信號。 在各種具體實施例中，該流動系統可包括一冷指，其係 藉由將所關注之-氣態取樣冷卻至低於其飽和溫度來截獲 該氣態樣本1多揮發性材料在_75 t之溫度或低於該溫 度之條件下凝結。在-具體實施例中，在取樣槽之氣體出 口中形成一低溫冷截獲。一指定時間週期或收集週期之 後，可藉由加熱所戴獲之一或若干氣體使其快速蒸發 或"閃燃，，而反向進入取樣槽令，而且，可執行一光镨挪 量。在維持取樣槽處於大氣壓力下的同時，此技術可使目 標氣體之量增加大約一或兩個幅度等級。在一具體實施例 M5042.doc -32- 中，可在一時間間隔之後（例如，大約每1 0秒）執行連續流 置測量’同時按一較長時間間隔出現閃燃。 在各種具體實施例中，該偵測系統可包括一長波通濾波 器。由A/D轉換器引起之雜訊之幅度等級可與由偵測器引 起之雜訊之幅度等級相同。併入一長波通濾波器可阻斷較 高波數區域’而且，藉由透過減小干涉圖中央叢發幅度， 進而減小數位化器之動態範圍要求，可改善敏感度。不具 有光學遽波器之偵測器之動態範圍可在大約6〇〇 與大 約5000 cm 1之間。由於低於15〇〇 時毒性目標物質中的 許多係可偵測的，故可使用一長波通濾波器來消除高於 1 500 cm·1之光譜，以獲得敏感度。例如，採用一標準現成 長波通;慮、波器（其截止頻率為大約1 667 cm*)時，路徑長度 /ΝΕΑ比之增益可為大約2〇%至大約3〇%。此外，使用一長 波通濾波器時，可藉由允許偵測器採用較高增益（例如， 採用一特定偵測器可實現的最高增益）運作而改善偵測系 統之#號對雜訊比》在各種具體實施例中，可使用一低敏 感度偵測器（例如，MCT偵測器或DTGS偵測器）來記錄較 高頻率區域中之光譜。 雖然已參考特定說明性具體實施例特別顯示並說明本發 明’但應日月ό，在形式及細節方面可作各種變化而不背離 隨附申請專利範圍所定義之本發明之精神與範嘴。 【圖式簡單說明】 藉由結合附圖參考以上說明，可更好地明白本發明之上 述優點以及其他優點。在圖式由 Α 甘固式中，不同視圖中的相同參考 II5042.doc •33- 1343995

38 顯示器 38' 第一顯示器 38" 第二顯示器 42 ' 42' 外殼 46 入口 46' 氣體入口 50 出口 50, 氣體出口 52 第一鏡 54、 54' 拋物面鏡 58 ' 58' 第一折疊鏡 62 ' 62' 第二折疊鏡 66 ' 66' 橢圓面鏡 74 ' ΊΑ' 物鏡表面 78 ' Ί%’ 場表面 82 流動系統 86 過濾器 90 流量感測器 94 加熱元件 98、 98f 壓力感測器 102 閥 106 ' 106; 幫浦 110 氣體管道 118 埠 115042.doc ·35· 1343995 122 頂部面板 126 側面板 130 底部面板 134 光學器件盒 138 閥 142 配件 146 電源供應 150 風扇 154 連接器 158 資料獲取模組 162 鏡運動控制模組 166 单板電腦 170 功率分配模組 172 硬驅動器 174 溫度控制器 ! 15042.doc -36-

Claims (1)

1343995 月i泊修ϋ替換頁 第095136164號專利申請案 中文申請專利範圍替換本(100年2月） 十、申請專利範圍： 1 ‘ 一種能夠測量一微量氣體之裝置，其包含： 一第一輻射束之一來源； 一干涉計，其自該來源接收該第一輻射束且形成包含 一干涉信號之一第二輻射束； 一取樣槽，其係以光學方式與該干涉計通信；該取樣 槽包含： 一凹形反射式場表面，其係位於該取樣槽之一第一 端處；以及 一貫質上球狀、凹形反射式物鏡表面，其係位於該 取樣槽之一第二端處且與該場表面呈對置關係，該物 鏡表面具有一圓柱形組件，其可增加至少一平面中焦 點之重合，以經由該場表面與該物鏡表面中的每一個 上之多個反射使穿過該取樣槽之該第二輻射束之輸出 最大化； 一流動機制’其建立穿過該取樣槽之—環境空氣樣本 流； 一冷卻式偵測器，其係以光學方式與該取樣槽通信， 該冷卻式偵測器接收穿過該取樣槽中之該樣本之該干涉 信號； -處理@，其係以電性方式與該冷卻式侦㈣器通信， 該處理器依據該干涉信號決定該環境空氣樣本中之一微 量氣體之一吸收輪廓；以及 -外殼’其中置放該來源、該干涉計、該取樣槽該 H5042-I000223.doc 1343995 —— 一 ~-----. "------- 流動機制、該冷卻式偵測器及該處理器； 其中最佳化該取樣槽之體積及該第二輻射束之反射數 目以偵測—具有一在環境空氣樣本中少於大約500ppb濃 度之微量氣體。 2. 如請求項1之裝置，其中該微量氣體之濃度在大約1 0 ppb 與大約50 ppb之間。 3. 如請求項1之裝置，其中該外殼係可攜式且界定一用以 吸入該環境空氣樣本之孔，該孔係以流體方式與該取樣 槽通信。 4·如請求項1之裝置，其中該外殼係可安裝於一建築物之 一空氣處理系統中。 5.如凊求項4之裝置，其進一步包含一用以警告該氣體處 理系統中存在一污染物之警報器。 6·如請求項1之裝置，其中該取樣槽之體積小於大約〇 8公 升。 7·如請求項1之裝置，其中該環境空氣樣本以大於大約每 分鐘3公升之一速率流經該取樣槽。 8.如請求項1之裝置，其中該取樣槽包含一在大約5米與大 約12米之間之路徑長度。 9·如請求項1之裝置，其中在大約10秒之一時間間隔中， 該取樣槽之氙體交換李可在大約80%舆大約95%之間》 10.如請求項1之裝置，其中對於濃度為大約50 ppb之沙林、 太奔、索曼、硫芥子氣及VX中的至少一者，該裝置之回 應時間係小於大約20秒。 115042.1000223.do,

年l糾日修.丨公 1343995 化如請求们之裝置，其進-步包含一置放於該外殼中之 加熱元件’其係用以將至少該取樣槽加熱至大約机與 大約1801間的一溫度。 I2·如請求項1之裝置，其進一步包含： 一杈組，其係用以加熱至少該取樣槽‘及 /處理器從該吸收輪廓決定該環境空氣樣本中之一污 ^物濃度’若該取樣槽中之該污染物之該濃度超過 一污染值，發信號通知該模組將該取樣槽加熱至一消除 污染溫度，以#除該污染#，在該模纪加熱該取樣槽的 :時監視該污染物之濃度’以及若該污染物之濃度到達 一消除污染值，發信號通知該模組撤除或停止該取樣槽 之加熱。 13. 如叫求項丨之裝置’其中該處理器以一偵測參數之一第 -值決定該微量氣體之存在且以㈣測參數之一第二值 識別該微量氣體。 14. 如咕求項13之裝置，其中該㈣參數為解析度、光譜範 圍、掃描間隔或掃描數之一或多個。 15. 如求項13之裝置，其中該處理器以該偵測參數之該第 二值決定該微量氣體之濃度。 16 t 4求項13之裝置，其中該㈣參數為解析度，該處理 器以一第一解析度決定該微量氣體之存在且以一較高解 析度識別該微量氣體。 f长項13之|置，其中該伯測參數為光譜範圍，該處 理器以一第一光譜範圍決定該微量氣體之存在且以—第 II5042-I000223.doc 二光譜範圍識別該微量氣體β 18. 如：求項】3之裝置’其中該轉數為掃描間隔，該處 理杰以H描間隔決定該微量氣體之存在且使用一 較低之掃描間隔識別該微量氣體。 19. :請求項13之裝置，其中該偵測參數為掃描數，該處理 盗使用-第-掃描&決定該微f氣體之存在且使用一較 高掃描數識別該微量氣體。 2〇_如請求項丨之裝置，其中該取樣槽之體積在〇 2與〇 8公升 之間變化且該光學路徑長度在5公尺與12公尺之間變 化，使得該取樣槽之體積與該第二輻射束之反射數目最 佳化以偵測一具有在空氣樣本中濃度小於約5〇〇 ppb之微 量氣體，且該環境空氣樣本以一大於約每分鐘3公升之 流速流過該取樣槽。 2 1 ‘ 一種以光學方式測量一微量氣體之方法其包含： 提供一可攜式吸收光譜儀，其包含一取樣槽，該取樣 槽包括位於一第一端處之一場表面與位於一第二端處之 一物鏡表面’該場表面與該物鏡表面呈對置關係以形成 一折疊式路徑； 使一環境空氣取樣流經該取樣槽；以及 使該取樣槽之體積及一輻射束在該折疊式路徑中之行 程數最佳化以使該取樣措中傳播之該輕射束之輸出最大 化’以便偵測該環境空氣樣本中濃度小於大約5〇〇 ppb之 一微量氣體。 22.如請求項21之方法，其中該場表面包含一凹形反射式表 I15042-I000223.doc 1343995 • ®且該物鏡表面包含—實質上球狀、凹形反 該物鏡表面具有一圓柱形組件，其可增加至少一平面中 焦點之重合，以使穿過該取樣槽之該折疊式路徑之該輻 射束之輸出最大化。 23‘如請求項21之方法，其進一步包含依據穿過該取樣槽中 之該樣本之一干涉信號來決定該微量氣體之一吸收 廓。 | 24‘如請求項21之方法，其進—步包含·· 按一第一解析度測量一第一吸收光譜，以偵測該微量 氣體；以及 按一較高解析度測量一第二吸收光譜。 25.如請求項21之方法，其進一步包含： 按一第一敏感度測量一第一吸收光譜，以偵測該微量 氣體；以及 按一較高敏感度測量一第二吸收光譜。 鲁26.如請求項21之方法’其進一步包含使該樣本流動使得 在大約10秒之一時間間隔中，該取樣槽之氣體交換率可 在大約80%與大約95%之間。 27. 如請求項21之方法，其進一步包含將該取樣槽加熱至大 ' 約40°C與大約180°C之間之一溫度。 28. 如請求項21之方法，其中該取樣槽係實質上氣密；且進 一步包含： 在該取樣槽中處於一第一壓力下時測量穿過一環境空 氣樣本之該輻射束之一第一信號； 115042-1000223.doc K43995 採用環境空氣將該取樣槽加壓至一第二壓力； 在β亥取樣槽中處於該第一壓力下時測量穿過該環境空 氣樣本之該輻射束之一第二信號；以及 將該第一信號與該第二信號組合以決定一指示一微量 氣體之存在之信號。 29.如請求項28之方法’其中該場表面包含一凹形反射式表 面且該物鏡表面包含一實質上球狀、凹形反射式表面， 該物鏡表面具有一圓柱形組件，其可增加至少一平面中 焦點之重合’以使穿過該取樣槽之該折疊式路徑之該輻 射束之輸出最大化。 3〇.如請求項28之方法，其進一步包含將該第一信號與該第 二信號組合以決定該微量氣體之一吸收輪廓。 3 1 ‘如請求項30之方法，其進一步包含藉由為該取樣槽加壓 而相對於一基線信號增大該微量氣體之該吸收輪廓之振 幅。 32. 如請求項2 1之方法，進一步包含： 決定該吸收光譜儀之至少一取樣區域中之一污染物之 在該污染物之該濃度超過一污染值之條件下，將該取 樣區域加熱至一消除污染溫度，以移除該污染物； 在加熱該取樣區域的同時監視該污染物之濃度；以及 在該污染物之濃度到達一消除污染值時撤除或停止該 取樣區域之加熱。 33. 如請求項21之方法，其中該取樣槽之體積在0 2與〇 8公 115042-1000223.doc 1343995 升之間變化且該光學路徑長度在5公尺與1 2公尺之間變 化，使得該取樣槽之體積與該第二輻射束之反射數目最 佳化以偵測一具有在空翁崧士丄Α — 二巩樣本中濃度小於約5〇〇 量氣體，且該環境空H 工礼樣本以—大於約每分鐘 流速流過該取樣槽。 Α升之

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