TWI342583B - Method for repairing bridge in photo mask - Google Patents

Description

1342583 九、發明說明： 本申請案要求優先權保護，其根據在2006年12月29 日申請之韓國專利申請案第10-2006-138838號，其所有內 容皆包含於其中以供參照。 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種光罩，特別是一種用於修正在光罩 中之橋接的方法。 【先前技術】 隨著半導體元件已變得更高度整合，在晶圓上形成之 圖案尺寸已不斷縮小。欲形成這種精細圖案，通常是採用 使用光罩的光微影（photolithography)製程。雖然有各種光 罩，相位移遮罩係特別作用爲有效地藉由在該遮罩適當地 平移光之相位來降低圖案之空間頻率，或利用用以增加邊 緣對比度的干涉效應。已知使用相位移遮罩來執行曝光處 理有助於實現高解析度並提高聚焦深度。然而，在製造該 相位移遮罩期間，會產生缺陷圖案，其.在相鄰的相位移層 圖案之間造成橋接（bridge)。該缺陷圖案的存在會造成不可 能在晶圓上畫上所需的圖案，因而造成元件缺陷。因此， 在進行光微影製程以前，必須先移除造成橋接的缺陷圖案。 第1至3圖係說明在傳統光罩中用於修正橋接之習知 技術方法的截面圖。參照第1圖，在透明石英基板1〇〇上， 從下到上連續配置相位移層圖案110及光遮蔽層圖案 120。該相位移層圖案110 —般由氮化矽鉬（MoSiN)層所形 成，且該光遮蔽層圖案120 —般由鉻（Cr)層所形成。如上所 1342583 述，在製造該光罩期間，會產生缺陷圖案112，其在該相位 移層圖案110的相鄰部分之間造成橋接。 參照第2圖，欲移除該缺陷圖案1 12，雷射束222照射 1 在該缺陷圖案112上。依情況要求，可使用離子束，取代 該雷射束。在任一情況中，使用具有開口 211的遮蔽層210 來保護正常圖案。該光束222透過該遮蔽層210之開口 211 而照射在該缺陷圖案112上，藉以移除該缺陷圖案112。然 而，若該遮蔽層210未被正確地對準，可能會造成已通過該 參遮蔽層210之光束2 24照射在與該缺陷圖案112相鄰的該光 遮蔽層圖案120上。在此情況中，如第3圖所示，會對應 爲實質正常的完成圖案造成傷害，如元件符號310所示， 也會對該透明基板100造成傷害，如元件符號3 20所示。 【發明內容】 本發明提供一種用於修正在光罩中之橋接的方法，該 光罩具有在相位移層圖案的相鄰部分之間造成橋接的缺陷 圖案，該方法包括以下步驟：在透明基板上配置相位移層 ® 圖案及光遮蔽層圖案，其中該相位移層圖案配置在該光遮 蔽層及該透明基板之間；該光罩之整個表面上形成阻劑 層，其中該光罩具有在相位移層圖案的相鄰部分之間造成 橋接的缺陷圖案：藉由蝕刻該阻劑層來露出該缺陷圖案： 以及移除該露出的缺陷圖案。 較佳爲形成氮化矽鉬（MoSiN)層之相位移層圖案，以及 形成鉻（Cr)層之光遮蔽層圖案。 較佳爲藉由乾式蝕刻處理來進行露出該缺陷圖案及移 -6- 1342583 除該露出之缺陷圖案之步驟。 較佳爲利用蝕刻氣體來執行該乾式蝕刻處理，該蝕刻 氣體在該阻劑層及該光遮蔽層圖案之間具有足夠高的蝕刻 1 選擇性，以防止該光遮蔽層圖案被蝕刻，直到該露出之缺 • 陷圖案被移除。 【實施方式】 以下，參照附加圖式來詳細說明本發明之較佳實施 例。然而，本發明能以各種不同的型態來實行，且不受限 _於以下說明。 第4至8圖係說明根據本發明之實施例而用於在光罩 中修正橋接之方法的截面圖。參照第4圖，在透明石英基 板400上，從下到上連續配置相位移層圖案410及光遮蔽 層圖案4 20，其中該相位移層圖案410配置在該透明基板 4 00及該光遮蔽層圖案420之間。該相位移層圖案410較佳 由氮化矽鉬（MoSiN)層所形成，且該光遮蔽層圖案420較佳 由鉻（Cr)層所形..成。雖然本說明實施例中列舉了相位移遮 ® 罩的構成，但本發明可採用等效之其他種類的光罩。欲製 造該光罩，首先在透明石英基板400上，從下到上連續形 成相位移層及光遮蔽層，然後在該光遮蔽層上形成阻劑層 圖案。使用該阻劑層圖案做爲蝕刻遮罩並藉由蝕刻處理， 來連續形成該光遮蔽層圖案420及該相位移層圖案410。在 用於形成該光遮蔽層圖案4 20的蝕刻處理中，粒子會產生 且留在欲蝕刻之該相位移層上。留在該相位移層上的粒子 可防止該相位移層被蝕刻，因此出現造成橋接的缺陷圖案 1342583 412。該缺陷圖案412甚至可能會出現在製造該光罩的其他 處理中。 參照第5圖，欲移除該缺陷圖案412,首先在該光罩的 ‘ 整個表面上形成阻劑層（resist layer)500，使得該透明基板 - 4 00、該相位移層圖案410、該缺陷圖案412及該光遮蔽層 圖案420都被該阻劑層500所覆蓋。該阻劑層500可以是 任何適當的光阻層。 參照第6圖，如箭頭600所τκ ’在該光罩的整個表面 φ上執行乾式鈾刻處理，以使用等離子乾式蝕刻爲例。該乾 式蝕刻處理使用一種蝕刻氣體，該蝕刻氣體在該阻劑層500 及該光遮蔽層圖案4 20之間具有足夠高的蝕刻選擇性，在 蝕刻該阻劑層500時，實質上不會有光遮蔽層圖案420會 遭到蝕刻。分別根據形成該光遮蔽層圖案4 2 0及該阻劑層 5 00的材料來選擇該蝕刻氣體之性質。隨著該蝕刻處理之實 施，該缺陷圖案412之表面被暴露在外，同時，該阻劑層 5 00.以等同於該缺陷圖案412之厚度的厚度，而留在除了該 •缺陷圖案412以外之剩餘區域上。 參照第7圖，如箭頭700所示，持續該乾式蝕刻處理。 該持續的蝕刻是針對該缺陷圖案（第6圖之4 12)及該阻劑層 5 00。隨著持續的蝕刻，該露出的缺陷圖案（第6圖之412) 遭到移除，且該阻劑層5 00幾乎被移除或僅剩下微小的厚 度（e.g.____A) ° 參照第8圖，進一步持續該蝕刻，使得該殘餘的阻劑 層（第7圖之500)被移除，以露出該透明基板400之表面。 1342583 以此方式，藉由移除造成橋接的整個缺陷圖案，且不會對 正常圖案及該透明基板造成損害，而可製造該光罩。雖然 在本說明實施例中使用等離子乾式蝕刻處理，但其亦可依 ^ 情況要求而使用雷射束或離子束。 由以上說明可清楚了解，利用用於修正在光罩中之橋 接的發明方法，阻劑層作爲正常圖案的保護層。其可促進 移除任何造成橋接的缺陷圖案，且不會對正常圖案及在底 下的透明基板造成損害。 9 【圖式簡單說明】 第1至3圖係說明在傳統光罩中用於修正橋接之習知 技術方法的截面圖。 第4至8圖係說明根據本發明之實施例而用於在光罩 中修正橋接之方法的截面圖。 【主要元件符號說明】 100 透 明 基 板 110 相 位 移 層 圖 案 112 缺 陷 圖 案 1 20 光 遮 蔽 層 圖 案 210 遮 蔽 層 211 開 P 222 雷 射 束 224 光 束 400 透 明 基 板 4 10 相 位 移 層 圖 案 -9- 1342583 412 缺 陷 ΕΞΙ 圖 案 420 光 遮 蔽 層圖案 500 阻 劑 層 600 箭 頭 700 箭 頭

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Claims (1)

1342583 第96124241號「用於在光罩中修正橋接之方法」專利案 (2010年12月27曰修正） 十、申請專利範圍： 1. 一種用於在光罩中修正橋接的方法，該光罩具有缺陷圖 案，該缺陷圖案造成在相位移層圖案的相鄰部分之間的 橋接，該方法包括以下步驟： 在透明基板上配置相位移層圖案及光遮蔽層圖案， 其中該相位移層圖案配置在該光遮蔽層及該透明基板之 • 間； 在該光罩之整個表面上形成阻劑層； 使用蝕刻氣體在該光罩之整個表面上執行蝕刻處 理，使得在蝕刻該阻劑層時，實質上沒有該光遮蔽層會 遭到蝕刻，然後該蝕刻的阻劑層係配置在該透明基板 上，且藉由該蝕刻的阻劑層露出該缺陷圖案，而該蝕刻 氣體在該阻劑層與該光遮蔽層之間具有足夠高的蝕刻選 擇性；以及 ® 在該露出的缺陷圖案及該阻劑層上執行持續蝕刻處 理，直到移除該露出之缺陷圖案爲止。 2 ·如申請專利範圍第1項之方法5其包含形成氮化矽鉬 (MoSiN)層之相位移層圖案，以及形成鉻（Cr)層之光遮蔽 層圖案。 3. 如申請專利範圔第1項之方法’其包含藉由乾式蝕刻處 理來執行該蝕刻製程及該持續鈾刻處理。 4. 如申請專利範圍第3項之方法’其包含利用蝕刻氣體來 1342583 執行該乾式蝕刻處理，該蝕刻氣體在該阻劑層及該光遮 蔽層圖案之間具有足夠高的蝕刻選擇性，以防止該光遮 蔽層圖案被餓刻，直到該露出之缺陷圖案被移除爲止。