TWI338317B - Cylinder for thermal processing chamber - Google Patents

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TWI338317B
TWI338317B TW093116575A TW93116575A TWI338317B TW I338317 B TWI338317 B TW I338317B TW 093116575 A TW093116575 A TW 093116575A TW 93116575 A TW93116575 A TW 93116575A TW I338317 B TWI338317 B TW I338317B
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microns
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reaction chamber
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Sundar Ramamurthy
Vedapuram S Achutharaman
Ho Tong Fang
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Applied Materials Inc
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Description

1338317 玖、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於半導體處理，特別 於一熱處理室（例如快速熱處理室）中 【先前技術】 積體電路市場持續需要更大的記憶 開關速度與更小的特徵尺寸。在此工業 需求的方式之一，即是藉由於大爐管中 (例如矽晶圓）改變為於小反應室中處 現今，工程師持續致力於增加半導 半導體良率。本文中所指半導體基材典 型等級積體（ULSI )電路之半導體晶圓 一般而言，在這樣的反應室中有四1 成層、圖案化、摻雜與熱處理。熱處理 程，包括有快速熱處理（RTP )、快速熱 熱清潔（RTC )、快速熱化學氣相沉積（ 氧化（RTO )與快速熱氮化（RTN )。 於一 RTP製程中，晶圓係被載入至 氣大氣之處理室中。晶圓溫度上升至反 於 850°C~120(TC範圍之間，該溫度之 源，例如鎢齒素燈，其可輻射性地加熱 於升溫之前、過程中或之後導入，例如 二氧化矽。 是有關於一種使用 之支撐圓柱。 體容量、更快速的 所採取以滿足該些 批次處理複數基材 理單一基材》 體基材產能且增加 型地包括用於超大 〇 [0基本製程，亦即， 係指一些不同的製 退火（RTA )、快速 :RTCVD)、快速熱 一攝氏數百度的氮 應條件，一般是介 升溫是使用多個熱 晶圓。反應氣雅可 可導入氡氣以成長 對於 應用 補式 與閘 率之 公尺 數個 中， 溫度 成長 厚、 性， 缺陷 低之 小溫 產生 移平 度均 測量 基材 為基 熱處理過程中，半導體晶圓表面上方之熱製程均勻性 製造均勻性的半導想元件是很重要的。例如，於特定 快速熱氧化（RTO )或快速熱氮化（rtn )以形成互 金氧半導體（CMOS )閉介電質時，厚度、成長溫度、 介電質之均勻性都是會影举整個元件效能與半導艘良 重要參數。目前，CMOS元件是由僅6〇〜8〇埃（1〇_10 )厚的介電質而製造’因此其厚度均勻性必須維持於 百分比之内，此等級的均勻性需要於高溫處理過程 横越基材之溫度差異.不能超過攝氏幾度。因此，降低 非均勻性之技術顯得非常重要。 溫度均勻性對於不同製程步驟，包括膜沉積、氧化物 與蚀刻’提供了橫越基材而均勻的製程變數（例如膜 阻質與蝕刻深度）。此外，必須維持基材中之溫度均勻 以避免熱應力引起之晶圓扣壞’例如組曲（warpage)、 生成與滑移（slip )。此類型的損壞是由因熱均勻性降 熱梯度所造成。晶圊常常不能忍受高溫處理過程中之 差。例如’若於120(TC下可允許溫差上升，則 之應力可能造成矽結晶中之滑移（sUp )，此產生的滑 面將破壞任何其通過的元件。為了達到那樣等級之溫 勻性’對於閉路溫度控制中可信賴的即時、多點溫度 是有需要的。 達到溫度均勻性之方式之一是藉由於處理過程中旋轉 ’如此會移除沿著方位角的自由度之溫度依賴性，因 材之中央轴（其係垂直於基材表面）為與旋轉軸共線， 1338317 1 ί 所有沿著晶圓的環之點（於任何半徑）係暴露於相同照射 量β藉由提供多個高溫計與一回饋系統，甚至可實質上移 除殘餘之徑向溫度依賴性，且可達到可接受之溫度均勻性 並維持橫越整個基材。 今曰使用之機械旋轉系統之一例係如第1囷所示。此 類型系統即類似位於美國加州Santa Clara之APPLIED MATERIALS, Inc.所使用與販售者。此類系統之細部結構 係如美國專利US5，1 55,336標題為”Rapid Therma丨Heating Apparatus and Method”所提供，該專利是於ι 992年ι〇月 13日公告、受讓於本發明之受讓人，其在此被併入本文做 為參考。在這樣的機械旋轉系統中，基材支撐件是旋轉地 架設於一軸承組件’該軸承組件並依序耦接至一真空密封 奥動级件《例如，第1圖係繪示該系統之一部分截面囷。 _晶圓1 02係置放於一邊緣環！ 〇4上，該邊緣環1 〇4係依 序摩擦接合（friction-fit)於一圓柱1〇6上。圓柱1〇6位 於一磁性的上部軸承轉件丨08之一突出部上。該上部軸承 轉件1〇8配置於井m之中，且被支撐於數個滾珠轴承122 (僅顯示其中之一）上，相對於—下部軸承轉件118。該 下部轴承轉件118係架設於一室底部12〇之上。一水冷卻 反射物124位於室底部120上方而為一溫度量測系統之一 零件。該溫度量測系統倚賴一反射物124之間的黑色物體 或反射物凹處122'晶園1〇2、邊緣環1〇4與圓柱1〇6，以 精確量測晶圓1 02之溫度。這樣的黑色物體或反射物凹處 之進一部細部結構可於申請人之美國專利US6，174,〇8〇、 5 US6,007,241 > US6,406,179 ' US6,374,1 5〇 ' US6,226,453 或US6,183,130中得知，該些專利皆在此被併入本文做為 參考。溫度量測系統典型地包括數個嵌入於室底部120之 高溫計® 一磁鐵114設置於鄰近室底部120之相對於該上部轴 承轉件108之部分。該磁鐵114位於一馬達驅動磁鐵環n6 上》該磁鐵11 4係經由室底部1 2 0磁性地耦接至磁性轴承 轉件108。藉由機械性旋轉該磁鐵114環繞中央轴128,該 上部軸承轉件108可因為其磁性地耦接至該磁鐵U4而被 予以旋轉。尤其，轉矩係自馬達親動磁鐵環116被傳送至 上部轴承轉件108»上部轴承轉件1〇8之旋轉會造成所希 望之晶圓102之旋轉’其中該晶圓1〇2係經由圓柱1〇6與 邊緣環1 04耦接至上部軸承轉件》 近日發展已研發出一磁性漂浮系統，以避免滾珠軸承 1 22與轉件之間接觸造成與使用潤滑油之粒子產生。這樣 的一磁性漂浮系統係被描述於Tietz α〖之美國專利 US6，157,106，同樣在此被併入本文做為參考。 如同前述，溫度量測系統 重要之製程參數。因此，將溫 108熱隔離開於熱源（未顯示 要的。故，支撐圓柱106典型 因為其具有優良的熱絕緣性質
約 1.5 〜2.5(J-kg-m)/(m2-sec-〇C 定的’且對於典型用於熱處理 所得到之精確溫度量測係一 度量測系統與上部軸承轉件 於圖上）產生之輻射是很重 地是陶瓷或石英材質，這是 。較佳之煞傳導範圍是介於 )β並且’陶瓷與石英是熱穩 之化學物為惰性的。 1338317 然而’這些材質（陶瓷與石英）對於熱源產生之紅外 線為可穿透的。因此’不具有一不穿透復蓋物，紅外線可 穿越過支樓圓柱並干擾溫度量測所進行之高敏感性溫度量 測。故，支樓圆枉通常被塗佈一對紅外線為不穿透之材質， 例如多晶梦。 一化學沉積製程，例如化學氣相沉積（CVD)，典型地 用來將該圓柱塗佈以多晶石夕。CVD製程一般執行於一 CVD 反應室中’即所謂的鍾罩室（beUjar chamber)，該鍾罩室 包含一熱源。數個（一般為三個）支撐梢係被置放於熱源 頂部。然後，圓柱則被面（即支撐圓柱頂部）向下地置放 於該些支撐梢上’使得該圓柱與該些支撐梢接觸。該cv 室接著被密封’且一用於形成多晶矽之氣體則導引入該反 應室中。該室被加熱，則一多晶矽層接著形成於該支撐圓 柱上’如同該技藝所熟知者。多晶矽於之成圓柱上之沉積 速率約為於1100。(；為2.3pm/min。 對於用於2〇〇毫米半導想晶圓的支撐圓柱而言，這樣 的製程執行地相當好，但是，當半導體推進至3〇〇毫米半 導趙晶圓的世代時，現今的圓柱與其製造方法就有了一些 缺失。 其一缺失就是非均勻的矽層被塗覆於圓柱上。由於此 300毫來支撐圓柱之大尺寸或體積及該圓柱之熱絕緣性 質’於該CVD室中均勻加熱該圓柱是很困難的。實際上， 並不了解應如何均勻加熱石英。使用一 1D熱源（例如承 載趙）加熱一薄（約〇.3吋）、高（1吋）的石英圓柱（外 1338317 直徑13吋）是很困難的，所以均勻塗佈該圓柱之技術也是 很困難的（這是因為該製程與溫度息息相關）。支撐圓柱之 非均勻加熱造成了形成於支撐圓柱表面上的非均勻多晶矽 層’如同第2A圖中圓枉之放大截面圊所示。該非均勻多 晶石夕層可能會包含圓枉之紅外線不穿透性。事實上，圓柱 之一些區域204可能會具有厚的多晶矽層’而其他區域202 一點都沒有多晶矽層。如前所述，若圓柱可允許紅外線穿 透反射物凹處124(第1圖），就可能造成錯誤的溫度量測， 而產生不精確的溫度控制與極度多缺陷的半導體元件及低 半導趙良率β . 另—缺失是多晶矽層之裂開，如第2Β圖所示，第2Β 圖為支撐圓柱之第二個放大截面圓《石英與多晶發具有不 同的熱膨脹係數，因此會以不同速率來升溫與冷卻。石英 與多晶矽之熱膨脹係數分別為0_ 5與3.8 ’室溫至1〇〇〇 ec， (ppm/°C )或（i〇A-6in/in/t )。 當多晶矽層以不同於石英之速率冷卻時’多晶矽層將 於多晶矽204中形成裂縫206。對於裸眼’這些多晶矽中 之裂縫206於圓柱表面產生一類似蛇皮之外觀。具有類似 蛇皮之外觀的該些圓柱則立即被否定為缺陷零件。因此， 製造可接受圓柱的成本將會很高。 該支撐圓柱之非均勻加熱之另一缺失即是，多晶矽之 誇張化成長可能發生於支撐圓枉之某些地點且不是其他地 點。此誇張化成長典型地具有樹狀突起、突出或小瘤之形 狀，如同第2C圖中支撐圊柱之第二個放大截面圖所示》 當邊緣環104(第1圖）靜置於圓柱上時，樹狀突起或小 愈 % 2〇8會使得邊緣環於支撐圓桎上被不適當地置放，即不 齊平。其會造成邊緣環於圓柱上之不穩定性且/或晶圓之非 對稱或離心旋轉。此外，樹狀突起之形成會影響自熱源或 * 足st算之晶圓高度。其會負面地影響晶圓上每—地點被照 ， 射 Θ * /或尚溫计126(第1围）進行之溫度量測的溫度。並 且’樹狀突起會藉由允許紅外線穿越於支撐環1〇4(第1 與支撐圓柱106(第1圖）之間而危及反射物凹處124 第1圖）。換句話說’樹狀突起會造成一圓柱與支推環之 間π Μ不精確接合，且/或危及支撐環自圓柱之熱隔離。這些 &失會最終地造成具缺陷的半導體元件與低半導體良率^ 故’極需要一對於紅外線為不穿透、易於製造、具有 i^勻的多晶石夕層、不含樹狀突起與/或小瘤、以及不具有 會裂開的多晶矽層之圓柱》 【發明内容】 根據本發明，本發明提供一種用於一半導體射處理設 # 備 ( 〈例如一 RTP室）之圓柱。該圓柱包括一核心與一覆蓋 仗大部分核心之塗復物〃該核心為熱阻抗或熱絕緣材質。 “ 該核心具有内側壁與外側壁，以及相對之第一與第二端。 該外側壁相對於開内側壁，為距離更遠於該圓杈之一中央 縱向軸。該第一端與一支撐一爭導體基材之邊緣環接觸。 該塗覆物實質上對於紅外線為不穿透，且覆蓋住該核心之 所有外表面，除了該第一端之外。該核心較佳為石英成陶 9 1338317 曼材質’而該塗覆物較佳 為多晶矽材質 〇 於一較佳實施例中 微米與約10 0微米之間 米之間，又更佳為介於 厚度為塗復物於内側壁
’塗覆物之累積厚度為介於約6〇 ’更佳為介於約70微米與約9〇微 約75微米與約85微米之間。累積 與外側壁上之結合厚度，即（a + b) 具有一實質上均勻之厚度。而且， 於一較佳實施例中，内側壁於鄰近第一端處係至少部分地 向外側壁傾斜。 根據本發明’本發明更提供一種用以製造一用於一熱 處理設備（例如一 RTP室）中之圓柱的方法。首先，提供 一反應室與一熱阻抗圓柱形核心，該核心具有内側壁與外 側壁且相對之第一與第二端，該第一端支撐一邊緣環。然 後，置放該核心於一反應室中之一環上’該第一端與該環 接觸。密封該反應室，且加熱該反應室至1100°C。接著， 導入用以形成一塗覆物之氣體進入該反應室中，如此將沉 積一塗覆物於該核心之實質上所有外表面，除了該第一端 之外，該塗覆物實質上對於紅外線為不穿透。該加熱與該 導入步驟係被控制成該塗覆物之沉積速率為介於約1·6微 米/分鐘與1.8微米/分鐘之間。該核心為石英或陶瓷材質’
且該塗覆物為多晶矽。 因此，前述圓枉具有一足以阻擋紅外線之均勻多晶石夕 塗復物。該均勻多晶矽塗覆物不含有樹狀突起或小瘤，藉 此可允許邊緣環正對地靜置於圓柱之第一端上。其亦可解 決任何因為邊緣環不正確地置放於圓柱上所造成的離心旋 10 1338317 轉。再者，這樣的圓柱可避免輻射經由圓柱與邊緣環的界 面進入反射物凹處。最後，均勻多晶矽塗層並不會裂開， 因此得以避免零件不良。 因此，一均勻塗覆物可以提供更佳的晶圓溫度均勻 性、可允許更佳的溫度量測與控制及更佳的重複性。 【實施方式】
第3圖為一圓柱3 00之截面圖。該完整的圓柱在外形 上為圓柱形的或環狀的。一用於支撐晶圓的邊緣環1 04位 於圆柱3 00上方。於使用時，邊緣環104靜置於圓柱3 00 上方。圓柱300至少包含一被塗覆物302覆蓋之核心3 04。 核心304較佳為具有良好熱絕緣性質之陶瓷或石英材質》 圓柱300亦較佳對於一般用於熱處理環境的化學物為化學 惰性之材質。
塗.覆物3 02對於紅外線為不穿透。於一較佳實施例， 塗覆物為多晶矽。塗覆物302亦較佳具有一實質上均勻之 厚度，即厚度A與厚度B相等。 圓柱300具有一被配置用以與邊缘環104接觸之第一 端306，與一遠離該第一端306之第二端308。較佳者，第 一端與第二端垂直於圓柱之旋轉轴128(第1圖）。圓柱300 亦包括一内側壁3 1 0與一相對外側壁3 1 2。内側壁3 1 0比 外側壁3 1 2更鄰近於旋轉軸12 8 (第1圖）。内側壁3 10與 外側壁312皆自第一端306延伸至第二端308。 圓柱較佳包含沿著第一端與第二端間的圆柱長度之第 11 1338317 一區域314與第二區域316。第一區域 端306，而第二區域316較鄰近於第二 3 1 6中，内側壁與外側壁較佳為相互平 區域中，自其與第二區域連接處至第一』 較佳地向外側壁3 1 2傾斜。其使得外側ί 與邊緣環接合。 於另一實施例中，自第一區域與第 一端306，外側壁3 12向内側壁3 10傾 中，自第一區域與第二區域連接處至第 3 1 0與外側壁3 1 2向其之間傾斜。於任 旋轉軸128(第1圖）的第一端3 06之 軸128(第1圖）的第二端308之面積 佳的邊緣環104自圓柱300之熱絕緣。 於一較佳實施例中，塗覆物308復 表面，除了垂直於圓柱之旋轉軸128( 306之外。此種於第一端3 06缺乏塗覆 建立起一平坦承座以靜置於其上。因為 復於第一端306，第一端306與邊緣環 更佳地控制。再者，核心3〇4之第一端 製作，其允許製作一實質上垂直於旋轉 邊緣環104較佳為對紅外線不穿透之碳 因此，第一端306不需要被塗覆有不穿 是因為第一端306與邊緣環104之間形 得。輕射穿越進入反射物凹處124。 3U較鄰近於第一 端3 08。第二區境 行。然而，於第一 截3 0 6，内側壁3 1 〇 逢維持挺直/平垣以 一區域連接處至第 斜。於又一實施例 一端 3 0 6，内侧壁 一種態樣，垂直於 面積較垂直於熒轉 還小。其會允許更 蓋住核心304之外 第1圖）的第一端 物對於邊緣環104 塗覆物302並未塗 1 0 4間之接合可被 3 06較佳為機器所 轴之更精確邊緣。 化矽（S i C )材質。 透塗覆物302，這 成的邊界並不會使 12 1338317 於一較佳實施例中，塗覆物厚度A與塗覆物厚度B， 即所謂的累積厚度，為介於60微米與100微米之間，即 60μηα5Α + Β幺ΙΟΟμπι。於一更佳實施例中，厚度Α與厚度Β 為介於70微米與90微米之間，即70μιη5Α + Β<90μηι。於 一更佳實施例中，厚度Α與厚度Β為介於75微米與85微 米之間，即 75μιη<Α + Β<85μιη。這些厚度足以阻擋輻射進 入反射物凹處1 24。
如同前述，原以為更薄的塗覆物無法提供對歧離輻射 有足夠的絕緣。然而，實質上更薄的均勻塗覆物可提供對 歧離輻射有滿意的絕緣。例如，第6Α圖顯示使用一具有 大於100微米累積厚度塗覆物的非均勻圓柱之一溫度對時 間之實驗圖600。第6Β圖為使用一具有70微米均勻塗覆 物的圓柱之一溫度對時間之實驗圖 602。這些用以獲得該 些實驗圖的實驗係量測於一 RTP室中的300毫米裸晶圓之 溫度。一裸晶圓即是無任何半導體形成於其上之晶圓。
Τ 1 ~Τ7代表由七個自晶圓圓心徑向延伸的高溫計所量測而 得之溫度。區域604與606顯示了初始溫度下降，其意謂 著輻射有洩漏穿過圓柱。每一高溫計依其位置與室的不同 而其偏離程度有所不同《如同圖所顯示，高溫計於區域604 與606所量測的溫度值差異極小。故，一具有70微米均勻 塗覆物的圓柱，可如同一具有100微米非均勻塗覆物的圓 柱，避免輻射洩漏。 第4圖為一用以沉積不穿透塗覆物3 02於圓柱3 00的 核心304上之沉積設備400，而第5圖為用以沉積該塗復 13 1338317 物3 02於該核心304上之流程圖500 β 一合適的設備為由 GEMINI 且 CIBE SYSTEMS 所提供服務之 Gemini ΠΙ Reactor。該設備400包括一基座4〇2、一内嵌於基座4〇2 内之熱源（未顯示）與一蓋子404。熱源較佳為一石墨收 受器且/或電阻式加熱器。蓋子404被固定至基座4〇2以於 其内形成一反應室414。
於操作時，步驟502中，一固定環4〇6被置入於反應 室414内。固定環較佳為碳化矽材質（與邊緣環較佳之材 質相同）。步雜504中’核心304之第一端3〇6 (第3圊） 被置放成與邊緣環接觸，即圓柱300之第—端為向下。步 称506中’密封反應室414。步称508中，熱源接著加熱 反應室414至所希望之製程溫度。於一較佳實施例中，反 應室被加熱至介於110(TC〜1250-C之問。於一更佳實施例 中’反應室被加熱至介於122(TC+/-5t »步鄉510中，一 用以形成塗覆物302之沉積氣體412被導入反應室414。 於-較佳實施例中，該…一氧（He)栽氣中的三氣甲 炫（TCS)。步驟512中，氣體與熱源的反應產生一欲被沉 積之多晶矽層於核心304之所有暴露表面上，除了被固定 環遮掩柱的核心第一端306 (第3圖）尤外。 於—較佳實施例中，塗復物302於約122〇ec+/_5<t下 以約1.W.8微米/分鐘之沉積速率沉積於核心3〇4上。該 沉積速率實質上低於習知技術，0此可允許更易控制之沉 精。控制能力的增加可允許-實質上欲被沉積於核心上之 均句塗復物厚而且，增加的控制能力可降低或削減樹 14 1338317 狀突起或小瘤之形成。較薄的塗覆物亦降低或削減了多晶 矽之裂開。 本案前述特定實施例係僅做為解釋與描述之用，其並 非用以做為限制本發明至所揭露之態樣。顯然地，根據前 述教示可以具有諸多變形與變化。例如，可應用不同塗覆 技術。所選擇與描述之實施例係用以最佳解釋本發明原理 與其實際應用’以使得熟習此技藝之人士可依據適當需求 充分實施本發明與具有不同變化之不同實施例。而且方 法令的步驟之順序亦非得必須如所示順序進杵 N +發明之 範圍為由後述申請專利範圍及其均等物所定義 啊此外，前 述任何參考文獻係在此被併入本文做為參考。 【囷式簡單說明】 本發明之其他目的與特徵可由前述說明與隨附申請專 利範圍，在參閱圈式後而明顯得知’其中： 第1圖為一熱處理室之部分截面囷； 第2A圊為一具有一非均勻多晶石夕層的習知圓柱之放 大載面圓； 第2B圖為一在多晶石夕層具有裂縫的習知圓柱之放大 截面圓； 第2C圖為一在多晶矽層形成有樹狀突起或小瘤的習 知圓杈之放大截面圖； 第3圊為一根據本發明一較佳實施例之圓柱之載面 圖； 1338317 第4圖為一根據本發明一較佳實施例之沉積設備之載 面圖； 第5圖為一使用第4圖沉積設備來製造第3圖圓枉之 方法的流程圖； 第6A圖顯示使用一非均勻圓枉之一溫度對時間之實 驗圖；以及
第6B圖為根據本發明一較佳實施例使用一具有均勻 較薄塗覆物的圓柱之一溫度對時間之實驗囷。 元件代表符號簡單說明】 102晶圓 106圓柱 110井 116馬達驅動磁鐵環 1 2 0室底部 124反射物 1 28旋轉軸 204區域 208樹狀突起或小瘤 302塗覆物 306第一端 3 1 0内側壁 3 14第一區域 4 0 0沉積設備 I 04邊緣環 108上部軸承轉件 II 4磁鐵 1 1 8下部軸承轉件 1 2 2滾珠軸承 1 2 6 r§j溫計 202 區域 206裂縫 300圆柱 3 0 4核心 308第二端 3 1 2外侧壁 3 16第二區域 402基座
16 1338317 404蓋子 4 1 2沉積氣體 5 00流程圖 5 04置放核心於環上 508加熱 5 12沉積塗覆物 602溫度對時間之實驗圖 606區域 406固定環 414反應室 502置入固定環於反應室内 506密封室 510導入氣體 600溫度對時間之實驗圖 604 區域
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Claims (1)

1338317 拾、申請專利範圍： 1. 一種用於一半導體熱處理設備中之圓柱，至少包括： 一熱阻抗圓柱形核心，其具有内側壁與外側壁及相 對之第一與第二端，其中該第一端與一支撐一半導體基 材之邊緣環接觸；以及 一塗復物，其實質上對於紅外線為不穿透，該塗覆 物覆蓋住該核心之所有外表面，除了該第一端之外。 2. 如申請專利範圍第1項所述之圓柱，其中該塗覆物之一 累積厚度為介於約6 0微米與約1 0 0微米之間。 3. 如申請專利範圍第1項所述之圓柱.，其中該塗覆物之一 累積厚度為介於約70微米與約90微米之間。 4. 如申請專利範圍第1項所述之圓柱，其中該塗覆物之一 累積厚度為介於約7 5微米與約8 5微米之間。 5. 如申請專利範圍第1項所述之圆柱，其中該塗復物之一 厚度為實質上均勻。 6.如申請專利範圍第1項所述之圓柱，其中該内側壁於鄰 近該第一端處係至少部分地向該外側壁傾斜。 18 1338317 7. 如申請專利範圍第1項所述之圓柱，其t該内側壁與該 外側壁於鄰近該第一端處具有一第一區域與於鄰近該 第二端處具有一第二區域，其中該外側壁具有共線之第 一與第二區域，且該内側壁之該第一區域於鄰近該第一 端處向該外侧壁傾斜。 8. 如申請專利範圍第1項所述之圓柱，其中該核心為石英 或陶瓷材質。 9. 如申請專利範圍第1項所述之圓柱，其中該塗覆物為多 晶矽》 10. —種用於一熱處理設備中之圓柱，至少包括： 一圓柱形核心，係因其熱絕緣性質而被選擇，其具 有内側壁與外側壁及相對之第一與第二端，其中該第一 端支撐一邊緣環；以及 一多晶矽塗覆物，其實質上對於紅外線為不穿透， 該塗覆物覆蓋住該核心之所有外表面，除了該第一端之 外。 11.如申請專利範圍第10項所述之圓柱，其中該核心為石 英。 19 1338317 12. 如申請專利範圍第10項所述之圓柱，其中該塗覆物之 一累積厚度為介於約6 0微米與約1 0 0微米之間。 13. 如申請專利範圍第10項所述之圓柱，其中該塗覆物之 一累積厚度為介於約70微米與約9 0微米之間。
14.如申請專利範圍第10項所述之圓柱，其中該塗覆物之 一累積厚度為介於約75微米與約8 5微米之間。 15.如申請專利範圍第10項所述之圓柱，其中該塗覆物之 一厚度為實質上均勻。 16. 如申請專利範圍第10項所述之圓柱，其中該内側壁於 鄰近該第一端處係至少部分地向該外側壁傾斜》
17. —種用以製造一用於一熱處理設備中之圓柱的方法，該 方法至少包括： 提供一熱阻抗圓柱形核心，其具有内側壁與外側壁 及相對之第一與第二端，其中該第一端支撐一邊緣環； 置放該核心於一反應室中之一環上，該第一端與該 環接觸； 密封該反應室； 20 1338317 加熱該反應室； 導入氣體進入該反應室中；以及 沉積一塗覆物於該核心之實質上所有外表面，除了 該第一端之外，該塗覆物實質上對於紅外線為不穿透。 18. 如申請專利範圍第17項所述之方法，其中該核心為石 英或陶瓷材質，且該塗覆物為多晶矽。
19. 如申請專利範圍第17項所述之方法，其中該加熱步驟 至少包括加熱該反應室至介於約1100°C與約1 250°C之 間。 20.如申請專利範圍第17項所述之方法，其中該加熱與該 導入步驟係被控制致使該塗覆物之沉積速率為介於約 1.6微米/分鐘與1. 8微米/分鐘之間。
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