TWI337378B - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- TWI337378B TWI337378B TW092126674A TW92126674A TWI337378B TW I337378 B TWI337378 B TW I337378B TW 092126674 A TW092126674 A TW 092126674A TW 92126674 A TW92126674 A TW 92126674A TW I337378 B TWI337378 B TW I337378B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- fixed
- cylindrical body
- wafer holder
- support
- ceramic heater
- Prior art date
Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 188
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 161
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 82
- 229910052849 andalusite Inorganic materials 0.000 claims description 62
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 46
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 36
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 22
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 22
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims description 18
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 17
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 17
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 16
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 14
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- NFFIWVVINABMKP-UHFFFAOYSA-N methylidynetantalum Chemical compound [Ta]#C NFFIWVVINABMKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910003468 tantalcarbide Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 7
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 3
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 3
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims 1
- 229910021653 sulphate ion Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 177
- 239000000463 material Substances 0.000 description 101
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 81
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 75
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 75
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 69
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 45
- 238000000034 method Methods 0.000 description 41
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 30
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 22
- 239000012611 container material Substances 0.000 description 15
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 14
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 10
- UPYKUZBSLRQECL-UKMVMLAPSA-N Lycopene Natural products CC(=C/C=C/C=C(C)/C=C/C=C(C)/C=C/C1C(=C)CCCC1(C)C)C=CC=C(/C)C=CC2C(=C)CCCC2(C)C UPYKUZBSLRQECL-UKMVMLAPSA-N 0.000 description 9
- JEVVKJMRZMXFBT-XWDZUXABSA-N Lycophyll Natural products OC/C(=C/CC/C(=C\C=C\C(=C/C=C/C(=C\C=C\C=C(/C=C/C=C(\C=C\C=C(/CC/C=C(/CO)\C)\C)/C)\C)/C)\C)/C)/C JEVVKJMRZMXFBT-XWDZUXABSA-N 0.000 description 9
- OAIJSZIZWZSQBC-GYZMGTAESA-N lycopene Chemical compound CC(C)=CCC\C(C)=C\C=C\C(\C)=C\C=C\C(\C)=C\C=C\C=C(/C)\C=C\C=C(/C)\C=C\C=C(/C)CCC=C(C)C OAIJSZIZWZSQBC-GYZMGTAESA-N 0.000 description 9
- 235000012661 lycopene Nutrition 0.000 description 9
- 239000001751 lycopene Substances 0.000 description 9
- 229960004999 lycopene Drugs 0.000 description 9
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 9
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 9
- ZCIHMQAPACOQHT-ZGMPDRQDSA-N trans-isorenieratene Natural products CC(=C/C=C/C=C(C)/C=C/C=C(C)/C=C/c1c(C)ccc(C)c1C)C=CC=C(/C)C=Cc2c(C)ccc(C)c2C ZCIHMQAPACOQHT-ZGMPDRQDSA-N 0.000 description 9
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 7
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 7
- 239000010687 lubricating oil Substances 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 4
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N titanium dioxide Inorganic materials O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002023 wood Substances 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 241000237858 Gastropoda Species 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 3
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 3
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 3
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 3
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 3
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 3
- 241001589086 Bellapiscis medius Species 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 210000000078 claw Anatomy 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- RSEIMSPAXMNYFJ-UHFFFAOYSA-N europium(III) oxide Inorganic materials O=[Eu]O[Eu]=O RSEIMSPAXMNYFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 2
- 238000000265 homogenisation Methods 0.000 description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 2
- 239000010802 sludge Substances 0.000 description 2
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000008708 Morus alba Nutrition 0.000 description 1
- 240000000249 Morus alba Species 0.000 description 1
- 241000237536 Mytilus edulis Species 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- GPBUGPUPKAGMDK-UHFFFAOYSA-N azanylidynemolybdenum Chemical compound [Mo]#N GPBUGPUPKAGMDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 1
- 230000001680 brushing effect Effects 0.000 description 1
- 238000003763 carbonization Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 235000013399 edible fruits Nutrition 0.000 description 1
- 238000002309 gasification Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- ZKEYULQFFYBZBG-UHFFFAOYSA-N lanthanum carbide Chemical compound [La].[C-]#[C] ZKEYULQFFYBZBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005461 lubrication Methods 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 235000020638 mussel Nutrition 0.000 description 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 1
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001000 nickel titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 230000035935 pregnancy Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 239000002689 soil Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68792—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the construction of the shaft
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B3/00—Ohmic-resistance heating
- H05B3/10—Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor
- H05B3/12—Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor characterised by the composition or nature of the conductive material
- H05B3/14—Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor characterised by the composition or nature of the conductive material the material being non-metallic
- H05B3/141—Conductive ceramics, e.g. metal oxides, metal carbides, barium titanate, ferrites, zirconia, vitrous compounds
- H05B3/143—Conductive ceramics, e.g. metal oxides, metal carbides, barium titanate, ferrites, zirconia, vitrous compounds applied to semiconductors, e.g. wafers heating
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Resistance Heating (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
378 故、發明說明 【發明所屬之技術領域】
本發响係有關於在半導體製造步驟當中，具備使用於電 及CVD、減壓CVD、Low-k膜淬燒、電漿蝕刻、絕緣膜CVD 等之晶圓保持體、以及晶圓保持體之半導體製造裝置之相 關技術。 【先前技術】 先削技術中，提案有各種用以在半導體晶圓施行成膜或 蝕刻等處理之半導體製造裝置。此等半導體製造裝置係將 具備電阻發熱體之晶圓保持體予以裝備於反應容器内，並 於該晶圓保持體上保持晶圓並加熱，且進行各種處理者。 例如，在特開平4-78Π8號公報係提案有半導體晶圓加熱 裝置’其係具有： 陶，f之加熱器部，其係埋設有電阻發熱體，並設置灰 反應容器内，且設置有晶圓加熱面； .凸狀支持部’其係設置於該加熱器部之晶圓加熱面以外 .面且在和反應谷益之間形成氣密性封裝；以及 電極構件，其係連接於電阻發熱體，且能在實質地不露 出於反應容器之内部空間之狀態下而^至反應容器夕卜 :外’在特開平5·974〇號公報係提案有將複數個筒狀體 ::於陶竟加熱器(晶圓保持體)並予以支持之構造β該構造 係改艮上述特開平4_则號公報記 由無機質絕緣材料所紐成之汽狀邮& ^ ……。耆精 包圍設置於陶资加熱 奋惑电極構件之至少一個， ”1㈣以_而氣密性地接 〈—端，並且將其另-端側插通於設置於反應 88355.doc 公器之肖穿孔，並予以氣密性地封裝。 '争開平4.78 1 38號公報所記載之晶圓加熱裝置’雖係 :裝有凸狀支持部於陶竟加熱器，但，為了使該凸狀支持 &本身w支持加熱器’⑥形成較大之熱容量，因此， 具有來自陶瓷加妖器夕数县士 ”，、 …里之漏失I變大，且晶圓加熱面 之均熱性受損之缺點。 匕外在上述特開平5_9740號公報之晶圓加熱裝置當中 ，由於複數個筒狀體係接合固定於陶瓷加熱器，故在加熱 處理時’附加筒狀體之應力即變大，且在最差之狀態下係 具有筒狀體遭受破壞之危險。亦即，纟Μ加熱器係上升 至固定溫度時’因陶“熱器之熱膨脹，而使得固定於陶 瓷加熱器之筒狀體之間的距離係變大。另一方面，插通筒 狀把（另一端之反應容器，纟自陶瓷加熱器和筒狀體而傳 熱’並產生膨脹。此時，當陶瓷加熱器和反應容器之熱膨 脹量之差異變大時，則施加於筒狀體之應力即變大，並有 破損之情形。 特別是近年來，係進展至矽晶圓之大口徑化，且被要求 能均勾地將12忖之石夕晶圓進行加熱。伴隨於此，而由於進 行晶圓的加熱之陶瓷加熱器亦進展為大型化故在陶竟加 熱器之加熱時，則施加於筒狀體之熱應力亦變大，且更易 於導致所固定之筒狀體之破損。 此外，亦能進伃將大型化之陶瓷加熱器之溫度予以分割 成複數個區塊（區域）並加熱，伴隨於此，而用以測定加熱器 的皿度之溫度測定元件、以及用以供應電力於加熱器之電 88355.doc 1337378 極瑞予或導線之數量亦變多。因&，收容此等之中空的筒 狀姐〈笋里吓增加’進而由於依情形而亦設置中實的柱狀 體’故更增加該筒狀體或柱狀體之破損之危險。 【發明内容】 本發明係有鑑於習知之情形而創作，其目的係提供有關 於固定於料加熱器之複數個茼狀體及/或柱狀體，而能防 二因加熱處理時之熱應力而導致之破損之晶圓保持體、以及 提供使用該晶圓保持體之信賴性較高之半導體製造裝置。 為了達成亡迷之目的’本發明之晶圓保持體，其特徵在 於‘其知在精由筒狀體而支持於反應容器内之陶竞加熱器 上’用以保持半導體晶圓而進行處理，該筒狀體之至少2個 係固定其一端於陶党加熱器、以及固定另外端側於反應容 器之固定筒狀體.且令 陶瓷加熱器之最高到達溫度為τ ι， 陶資:加熱器之熱膨脹係數為α I， 反應容器之最高到達溫度為丁2， 反應容器之熱膨脹係數為α2， 上之最長距離為L丨 之最長距離為L2時 固定筒狀體間之常溫之陶瓷加熱器 固足琦狀體間之常溫之反應容器上 則滿足 l(TlXalXLl)-(T2Xa2xL2)|^〇7mm 之關係式。 本發明所提供之另外的晶 在藉由筒狀體及/或支持體 圓保持體，其特徵在於：其係 而支持於反應容器内之陶瓷加 88355.doc 1337378 ::亡’用以保持半導體晶圓而進行處理’該筒狀體及/或 土持…少2個係固定其-端於陶資加熱器、以及固定另 外端側於反應容器之固定筒狀體及/或固定支持體，且令 陶瓷加熱器之最高到達溫度為T1 , 陶资加熱器之熱膨脹係數為α1， 反應表夺之最高到達溫度為Τ2， 反應容器之熱膨脹係數為α2， 固定筒狀體及/或固定支持體間 之最長距離為L1， 一陶“熱器上 固疋筒狀體及/或固定支持體間之 皿又反應容器上之 取長距離為L2時，則滿足 |(T1 Xal XLl)-(T2Xa2XL2)|‘〇.7 mm 之關係式》 在上述之本發明之晶圓保持體 w休疔把旧中，可述陶瓷加埶器之 熱膨脹係數係8·〇Χΐ〇-6/Κ以下，且 、 係15X10，K以上較為理想。此 /脹係數 e Λ 則迷陶瓷加熱器之鈦胗 脹係數係6.0 X 1〇-6/Κ以下，且及虛a 6 反應容器之熱膨脹係數係20 X 1 〇-6/K以上則更理想。 妖你ζυ 此外，在上述本發明之晶圓保持大
守仏忌中，自前述固定筒 狀體及/或前述固定支持體之卩自^ ^ R a乙陶是加熱器至反庳容哭Α μ 之長度係3 2 0 m m以下較為理相。 反氚合。。為止 〜 ^而自前述固定筒狀髀及/ 或固足支持體之^加熱器至反應容器為止之長度係^ mm以下’且其固疋筒狀體及/或固定支持體之 30 W/mK以下較為理相。 寸干你 88355.doc -9 - 1337378 在上lii本發明之晶圓保持體當中’前述反應容器係不須 用水冷卻較為理相。力 〜 〜在上述本發明之晶圓保持體當中，係 在如述反應容器和输；七uh 和⑴这陶瓷加熱器之間，具備用以反射陶 瓷加熱器的熱之反射板較為理想。 在上述本發a月之晶圓保持體當中’固定其兩端於前述反 £谷器側和如述陶瓷加熱器側之固定筒狀體及/或固定支 持體的各于度係L0 _以内較為理想，而前述固定筒狀 版及/或則述固疋支持體的各平行度係0.2 mm以内則更理 想。 在上述本發明之晶圓保持體當中’具備固定於前述反應 容器且用以和前述反應容器外保持氣密之Ο形環，且和前述 筒狀體及/或支持體之〇形環之擔接面附近的表面粗度係Ra 且為5.0//m以下較為理想。和前述筒狀體及/或支持體之〇 形環之擋接面附近的表面粗度係Ra且為1〇以m以下較則更 理想。Ra係0.3 # m以下較則特別理想。 在上述本發明之晶圓保持體當中，具備固定於前述反應 容器且用以和前述反應容器外保持氣密之〇形環，且存在於 和珂述筒狀體及/或支持體之〇形環之擋接面附近的表面缺 陷的大小係直徑1 m m以下較為理想。存在於和前述筒狀體及 /或支持Ba之〇形環之擋接面附近的表面缺陷的大小係直徑 0.3 mm以下較則更理想。直徑〇 〇5 mm以下較則特別理想。 在上迷本發明之晶圓保持體當中，前述陶瓷加熱器和前 述反應谷器底部的平行度係1.〇 mm以下較為理想，進而前 述陶瓷加熱器和前述反應容器底部的平行度係〇 2 mm以内 88355.doc ΙΛ 1337378 則更理想》 此外上逑本發明之晶圓 狀體及/或固定支抟轉、, 中至月述固疋肩 下日… 應容器為止之長度係⑼麵以 下’且”固疋筒狀體及/或固定支持體 W/mK以下較為理相。“k… .’、寻料係 較為理想。 卜’則述反應容器係不須用水冷卻 上述本發明之晶®保持體，其前述㈣加熱器之主要成 份，係乳健 '氮切、氮_、碳切之中之任意一個 ^為理想。此外’前述喊加熱器之主要成份係'氮化铭， 反應合器之主要成份係鋁或鋁合金、以及前述固定筒 狀體及/或固定支持體之主要成份係多紹紅柱石或多链紅 柱石氧化鋁之複合體則更理想。 本發明係提供以《載有丨述之晶圓保持體為特徵之半導 體製造裝置。作為該半導體製造裝置係以使用sL〇w_k膜淬 燒者較為理想。 【實施方式】 本發明之晶圓保持體i係例如圖丨A所示，具備具有電阻發 熱體3之陶瓷加熱器2、以及將陶瓷加熱器2予以支持於反應 容器4内之複數個筒狀體。此等之筒狀體之中之2個以上， 其一端係藉由接合等而固定於陶瓷加熱器2，且其另_端係 藉由0形環6等而固定於反應容器4之固定筒狀體5。又，在 固定筒狀體5的内部係能收容用以供電至晶圓保持體丨之陶 瓷加熱器2之電阻發熱體3等之電極端子或導線7、或用以測 定晶圓保持體1的溫度之溫度測定元件8。 88355.doc -11 - 1337378 此外，作為本發明之晶圓保持體1之另外的形‘態，係例如 圖1 B所亦旎具備具有電阻發熱體3之陶瓷加熱器2、以 及將陶加熱器2予以支持於反應容器4内之複數個筒狀體 及/或支持體。此等之筒狀體及/或支持體之中之2個以上， 其一端係藉由接合等而固定於陶資加熱器2,且其另一端係 f由0形環6等而固定於反應容器4之^筒狀體5及/或固 -支持5a „茨〜形時，在固定筒狀體5的内部係亦能收容 用以供電至晶圓保持體i之陶免加熱器2之冑阻發熱體3等 之電極端予或導線7、或用以測定晶圓保持tti的溫度之溫 度測定元件8。 如此，晶圓保持體i之陶资加熱器2係藉由能將電極端子 或導線7 '熱電對等之溫度測定元件8予以内包之筒狀體而 支持亦可，此等筒狀體以外之支持構件，例如設置中實之 支持體亦可。此外，亦可使用未固定於陶资加熱器2及/或 反應容器4之筒狀體及/或支持體。又，在此等之情形當中 。’。構成本發明之對象係有關於固定於陶竞加熱器和反應容 器之固定筒狀體及/或固定支持體。 固疋於陶瓷加熱器2之固定筒狀體5及/或固定支持體& ^係在晶圓處理時，藉由施加於陶瓷加熱器2之熱而進行加 熱，其熱係傳遍固定筒狀體5及，或固定支持體“並傳達至 反應容器4。此外，藉由來自㈣加熱器2之熱之放射或輕 射、對流’亦傳熱至反應容器4。因此，陶是加熱器2和反 應容器4係形成熱膨脹之狀態。此時，时筒狀體…或固 定支持體㈣承受因應於陶走加熱器2和反應容器4之熱膨 88355.doc -12· 脹量之差異之應力，且在該應力較大時，即產生破損。 詳細-檢讨β陶瓷加熱器和反應容器之熱膨脹量與固定筒 狀體及/或固疋支持體之破損的關係之結果，而得知當兩者 <熱膨脹量之差係超過0.7 mm時，則固定筒狀體係及/或固 定支持體因其應力而產生破損。@此，本發明之晶圓保持 體係預先設定陶瓷加熱器上和反應容器上之複數個固定茼 狀體及/或固定支持體間之最長距離之差值，在達於最高溫 度時，能成為0.7 mm以下。 亦即，本發明係例如圖1A所示’在具有電阻發熱體3之陶 瓷加熱器2係藉由複數個固定筒狀體$而支持於反應容器4 内’並藉由0形環6而將固定筒狀體5之另一端予以氣密地封 裝於反應谷器4之晶圓保持體1當中，令 陶瓷加熱器2之最高到達溫度為τ 1， 陶瓷加熱器2之熱膨脹係數為αι， 反應容器4之最高到達溫度為Τ2， 反應容器4之熱膨脹係數為α2， 固定筒狀體5間之常溫之陶瓷加熱器2上之最長距離為li， 固定筒狀體5間之常溫之反應容器4上之最長距離為L2時 ’設定上述L1和L2，以使能滿足 關係式：|(TlXctlXLl)-(T2Xa2XL2)|S0.7mm。 此外’在本發明當中係例如圖1B所示，在陶瓷加熱器2 係藉由筒狀體及/或支持體而支持於反應容器4之晶圓保持 體1當中’該筒狀體及/或支持體之至少2個，係固定其一端 於陶瓷;加熱器’並固定另一端於反應容器4之固定筒狀體5 88355.doc •13· 1337378 及/或固疋支持體5a時’設定上述L1和L2，以使陶竞加熱器 2之最号到達溫度T1，陶瓷加熱器2之熱膨脹係數α 1，反疯 容器4之最高到達溫度Τ2，反應容器4之熱膨脹係數α2，固 定筒狀體5及/或固定支持體5a間之常溫之陶資加熱器2上 之最長距離L1，固定筒狀體5及/或固定支持體^間之常溫 之反應容器4上之最長距離L2，能滿足 關係式：|(TlXaiXLl)-(T2Xa2XL2)|S〇.7mm。 此處，固定筒狀體及/或固定支持體間之距離（含有圖“ 之固定筒狀體間的距離，以下相同）係分別作成外尺寸，而 測定所接合之陶瓷加熱器上和反應容器上之距離。又，在 上述關係式當中’（T1XalXL1)係表示陶资加熱器為達於 最高溫度時之陶瓷加熱器上之固定筒狀體及/或固定支持 體間之最長距離，而（T2Xa2XL2)係表示陶瓷加熱器為達 於最高溫度時之反應容器上之固定筒狀體及/或固定支持 體間之最長距離》 一般而言，由於筒狀體及/或支持體係分別對陶瓷加熱器 和反應容器成垂直狀而予以岐，故在陶资加纟 和 應容器側之2個固定筒狀體及/或固定支持體間之距離，則 通常係相同》如此之情形時，在陶瓷加熱器之加熱時，係 因陶瓷加熱器和反應容器之熱膨脹係數之差異等，而使複 數個固定筒狀體及/或固定支持體間之最長距離係在陶瓷 加熱器側和反應容器側’當然形成差異。 因此’根據本發明，如圖1Α所示，在陶党加熱器係僅 筒狀體而支持時，在陶瓷加熱器之加熱時，由上述關係 88355.doc -14· 1337378 而複數個固定筒狀體間之最長距離之差丨(T1XaixuHT2 Xa2X_L2)|係較0.7 mm更大時，例如反應容器側之最長距離 為丨，0 mm長時，係預先設定常溫之陶瓷加熱器側之固體筒 狀體間之距離，以使在加熱時，能較反應容器側更長Ο ]爪爪 以上，據此，即使在最高溫度使用時，亦能將固定筒狀體 間之最長距離之差值予以抑制在〇 7 mm以内。此外，相反 地在陶瓷加熱器側之最長距離為較大時，藉由將常溫之反 應容器側之距離作成較陶瓷加熱器側更長之措施，即能滿 足上述關係式，並能防止筒狀體之破損。 此外，本發明係在未僅以筒狀體而支持陶瓷加熱器時， 則例如圖1B所示，亦能適用於陶瓷加熱器係藉由支持體而 支持之情形時。在該情形時，筒狀體及/或支持體之至少2 個，係固定其一端於陶瓷加熱器，並固定另—端於反應容 器<固定筒狀體及/或固定支持體時，在陶瓷加熱器之加熱 時，由上述關係式而複數個固定筒狀體間之最長距離之差 |(TlXalXLlHT2Xa2XL2)|係較〇,7mm更大時，例如反應 容器側之最長距離為1 .〇 mm長時，係預先設定常溫之陶瓷 加熱器側之固定筒狀體及/或固定支持體間之距離，以使在 加熱時’能較反應容器側更長〇·3 mm以上，據此，即使在 最高溫度使用時，亦能將固定筒狀體及/或固定支持體間之 取長距離之差值予以抑制在〇 7 m m以内。此外，相反地在 陶竞加熱器側之最長距離為較大時’藉由將常溫之反應容 器側之距離作成較陶瓷加熱器側更長之措施，即能滿足上 述關係式，並能防止固定筒狀體及/或固定支持體之破損。 88355.doc -15· 1337378 此外，在陶瓷加熱器之加熱時，係因陶瓷加熱器或反應 容器之熱膨脹，而使複數個固定筒狀體及/或固定支持體之 相對性位置產生變化。其結果，一般而言係安裝於固定筒 狀體及/或固定支持體和反應容器之間之橡膠製之〇形環產 生 < 形，並有使反應容器内之氣密性為若干下降之虞。 但，在該情形下，若將上述關係式之固定筒狀體及/或固 定支持體間之最長距離之差值設定成〇 3 mm以下，亦即丨（τι χα1 ΧΜ)_(Τ2Χα2Χί2)|$〇·3 mm時’則由於氣密性係幾乎 不下降’故更為理想。具體而言，若上述固定筒狀體及/或 固定支持體間之最長距離之差值為Q 3 _以下時，其氮漏 匕率即也確保1 〇 pam /S以下之值。此外，即使固定筒狀體 及/或固定支持體間之最長距離之差值為07_以下，而亦 能確保U)_7Pam—下之值。又般而言，在常溫中將反應 谷器内抽取成真空時，其相關之氣密性則完全不成問題。 本發明之筒狀體係> 收容有用以供電至溫度測定元件或電 阻發熱體之導線或電極端子，只要為筒狀，則不特別限定 开〉狀。另一方面，本發明士古& Η* β a 又支持體係旎支持陶瓷加孰器即 I而圓柱狀或角柱狀者，筒狀者等，其形狀並無特別限 Γ此外，該筒狀體或支持體，其對Μ加熱器或反應容 ::未能固定亦可，該情形時之筒狀體或支持體係不適用 :D卜彳關於陶瓷加熱器和固定筒狀體及/或固定 文持體之固定方法，只要盖± # 使Η狀U “熱器之熱膨脹而 =狀.及/或固疋支持體之距離產生變化之固定方法，則 此適用於全部之固定方法。 88355.d〇c * 16 · 1337378 例如，如圖2A和圖2B所示，在陶瓷加熱器2之晶圓加熱 面和相反側之面（背面），以玻璃1〇而接合固定筒狀體5及/ 或固定支持體5a，或如圖3A和圖3B所示，藉由蠟材η而予 以接合者。此外，如圖4A和圖4B所示，形成母螺絲於陶瓷 加熱器2之背面，並將固定筒狀體5及/或固定支持體&之公 螺絲予以螺進至該處，據此而以螺帽12予以固定即可。進 而亦可如圖5A和圖5B所示，形成挫面部13於陶瓷加熱器2 之背面，並將固定筒狀體5及/或固定支持體5a之一端予以 嵌入該處而固定《此外，亦可如圖6A和圖6B所示，將固定 筒狀體5及/或固定支持體5a和陶瓷加熱器2予以一體形成 。又，有關於1U定支持體，亦可僅以固定支持體而直接支 持陶竞加熱器，此外，亦能設置另外的支持體於固定筒狀 體以外。 另一万面，在筒狀體及/或支持體和反應容器之間，由於 在陶竟加熱器之加熱時（晶圓處理時）’將反應容器内保持真 芏乃至減壓狀態’故能形成藉由。形環或其他方法而使反應 谷器内保持氣密性之構造。 4 作為陶瓷加熱器之熱膨脹係數係以8 〇χι〇-6/κ以下較為 理想’反應容器之熱膨脹係數係以15χι〇.6/κ以上較為理想 。將反應容器之熱膨脹係數作成較陶纪加熱器更大，此係 因為在陶是加熱器加熱時’其相對性地陶是加熱器之一方 係較反應容器而溫度為更高，故能抑制陶泛加熱器之妖膨 脹量於較低’相反地，因增加反應容器之熱膨腺量，而能 協調兩者的熱膨腹量之故，進而將陶泛加熱器之熱膨脹率 88355.doc 1337378 作成6Χ1〇6/Κ以下，且將反應容器之熱膨脹係數作成2〇χ 10 /K0上時’即能減少對陶瓷溫度之使用範圍和固定筒狀 體及/或固定支持體之安裝位置之限制，係為特別理想。 有關於反應容器，特別是近年來小型化之要求係升高。 因此’若筒狀體及/或支持體之熱傳導率係2〇〇 w/mK以下時 ，由於其係能將自陶瓷加熱器至反應容器為止之長度作成 320 mm以下，故極為理想。反之，當筒狀體及/或支持體之 熱傳導率係超過200 W/mK時，則陶瓷加熱器所產生的熱即 傳遍筒狀體及/或支持體，而使反應容器之溫度上升，並超 過0形環之耐熱溫度，由於其係難以將反應容器内保持氣密 性，故較不理想》 進而有關於反應容器，當然因為安裝水冷卻裝置時，則 造成裝置的構造之複雜化，故以非用水冷卻較為理想。此 外，自固定筒狀體及/或固定支持體之陶瓷加熱器至反應容 器為止之長度（距離），係丨5〇 mm以下較為理想。此係因為 筒狀體及/或支持體之長度愈長，則反應容器本身即愈趨於 大型化之故。 不進行反應容器之水冷卻時，為了將固定筒狀體及/或固 疋支持體之上述長度設定成1 5 0 m m以下，則必須抑制自固 定筒狀體及/或固定支持體往反應容器之熱傳導。因此，固 定筒狀體及/或固定支持體之熱傳導率係3〇 w/mK以下較為 理想。進而藉由將固定筒狀體及/或固定支持體之熱傳導率 作成30 W/mK以下，即能減少自陶瓷加熱器而漏失於固定 筒狀體之熱量’並能提升陶瓷加熱器之晶圓加熱面之 88355.doc .18 . 1337378 性0 自該均熱性之觀點而言，係能使用鋁或多鋁紅柱石、氧 化銘和多脉柱石之複合物、而五亦能使用不銹鋼等而= 為固定筒狀體及/或固定支持體之具體的材料◊藉由使用如 此之材料之措施，即能提供固定筒狀體及/或固定支持體之 反應容器之長度係150 mm以内，且無須使用水冷卻於2應 容器，而構造極為簡單’能達成小型化且晶圓加熱面之： 熱性優異之半導體製造裝置。 又，其作為收容於筒狀體内者，係可列舉用以供電至陶 竞加熱器中之電阻發熱體之毕線、或用以產生電衆之奸電 極、用以供電至固定晶圓用之靜電夾頭電極之導線等。此 外，用以測定陶竞的溫度之溫度測定元件亦包含於此。 此外，亦可在反應容器和陶瓷加熱器之間，設置用以反 射陶竟加熱器的熱度之反射板。由於藉由設置反射板而反 射陶走加熱器的熱度，故能減低陶竞加熱器之消費電力。 該情形時’作為反射板的設置位置雖無特別限制，但，距 離反應容器的底面和陶瓷加熱器之中間地點而接近陶瓷加 熱器之側，由於能有效地反射熱度，故為理想。 反射板之表面粗度係Ra4U) _以下較為理想。反射板 係其以上疋表面粗度時，由於自陶瓷加熱器而放射的熱之 内i被反射板所吸收之熱的比率係提高，故較不理想。特 是表面為知·面狀，亦即Ra為〇. 1以m以下係較為理想 此外料反射板的材質若對反應容器内所使用之氣體 為惰性，且對陶走加熱器的使用溫度而具有不產生變形等 88355.doc -19· 1337378 列舉如鋁、不 氮化碎、氣化 的程度之耐熱性時，則無特別限制。例如 銹鋼、—鎮等之金屬類、或氧化鋁、碳化矽 鋁等之陶瓷等。 此外’固定其兩端於反應容n侧和陶Μ熱器側之固定 筒狀體及/或固定支持體的平行度係1〇 mm以内較為理想 。平行度若較其以上更大，則將晶圓保持體安裝於反應容 器時’由於增加餘裕之應力於固；t於陶泛加熱器之固定筒 狀體及/或固定支持體，而有破損之情形，故不理想。若固 定於陶瓷加熱器之固定筒狀體及/或固定支持體的平行度 係1.0 mm以内時，藉由安裝於反應容器側之氣密封裝用之= 形環的變形能，即能緩和此等固定筒狀體及/或固定支持體 和陶瓷加熱器間所產生之應力，並能防止破損。特別是， 若平行度係0.3 mm以内時，由於〇形環之氣密封裝其作為氦 漏比率而亦能作成1 〇·9 PamVs以下，故特別理想。 此外’反應谷器和筒狀體及/或支持體之間的氣密封裝係 使用Ο形環》此時之〇形環其擋接於筒狀體及/或支持體之擋 接面附近的筒狀體及/或支持體的表面粗度係Ra$ 5 〇以m 車乂為理想。具有其以上的表面粗度時’由於即使在筒狀體 及/或支持體之Ο形環擋接面附近使用真空潤滑油，亦相當 難以達成1〇-7 Pam3/s以下之真空度，故不理想。若Ra$ 5 〇 V m，且使用真空潤滑油時，即能達成1〇-7Pam3/s&下之真 芝度。進而擋接面的表面粗度若為RaSl.〇//m，則即使未 使用真空潤滑油時，而亦能達成丨〇-7 Pam3/s以下之真空度。 進而若Ra S 0.3 a m ’由於即使未使用真空潤滑油時，而亦 88355.doc -20- 1337378 能達成10- PamU下之真空度，故特別理想。 此外，fl’j述〇形環其擋接於筒狀體及/或支持體之擋接面 附近的筒狀體及/或支持體的表面缺陷的大小係直徑1〇 mm以下較為理想。其以上之大的缺陷係存在於擋接面附近 時，由於即使使用真2潤滑油，亦相當難以達成1 〇·7 以下之真空度，故不理想，此外’若缺陷的大小為直徑工〇 mm以下時’則藉由使用真空潤滑油，即能達成i〇·7 pam3/s 以下之真艾度。進而存在於擋接面附近之缺陷的大小為直 徑〇_3 mm以下時，則即使未使用真空潤滑油，而亦能達成 1 Ο·7 Pam3/s以下之真空度。此外，缺陷的大小為直徑〇 〇5 以下時，由於即使未使用真空潤滑油，而亦能達成1〇·9 Pam3/s以下之真空度，故特別理想。 陶瓷加熱器和反應容器底面之平行度係丨〇 内較為 理想。當平行度超過此，且將晶圓裝卸於晶圓保持體上時 ，由於有晶圓掉落之情形，故不理想。亦即，在將晶圓安 裝於晶圓保持體時，通常存在3個升降插栓係在陶瓷加熱器 的上部空間支持晶圓。此時，在升降插栓的前端位置所形 成的平面，係以對反應容器能形成平行之狀態而設定。此 外，藉由使3個升降插栓之下降，即能使晶圓搭載於陶瓷加 熱益之晶圓搭載面。 但’此時陶瓷加熱器和反應容器底面之平行度若超過^ 〇 mm時，在升降插栓下降為止之間，晶圓係接觸於陶资加熱 器。因此，在2個升降插栓和陶瓷加熱器的晶圓搭載面雖形 成支持晶圓之狀態’但，在升降插栓下降時，晶圓即傾斜 88355.doc -21 - 而掉洛，且其晶圓之搭載位置係有 ^ 熱器和反應容器之平行产,、 疋’形。若陶瓷力σ 。進而平行度若為: _以下時，則無掉落之虞 丁⑦右為〇·2 mm以下，則在晶圓處理上 產生導致障礙程度的位移，故較 由於不 係指在形成於晶圓揿恭&、日 印®艾位移 情形。 載…圓凹處的邊緣使晶圓上升之 使用於本發明之陶老加熱器之材質雖係無特別限 y、氮切、氮㈣、碳切之中任意—個為— 成份則較為理想。由於對近年來之陶b熱器之溫度分佈 :均-化產生強烈要求’故熱傳導率較高之材料，具體而 T係熱傳導率為超過⑽w/mK之氮化链或碳财等較為理 想，而氮化銘係由於耐触性、絕緣性極為優異，故特別理 想。有關於氮化銘’由於高溫之強度係較另外之陶资而更 高，故特別適合於在高溫中而使用。進而氮化石夕、氮化链 、碳化石夕’其耐熱衝擊性係極為優異，而能達成快速之溫 度 < 升降。此外，氧化鋁係具有相較於另外之陶瓷而在成 本方面較為優異之特徵。有關於此等之陶资，當然必須因 應於其用途而予以靈活使用。 有關於上述之陶瓷加熱器之材質，由於相對於近年來之 晶圓保持體之均熱性之要求，故氮化銘或碳化碎較為理想 ，進而對所使用之各種腐蝕性氣體，而耐蝕性較高之氮化 鋁係特別理想。有關包含於該氮化鋁之燒成助劑量，則0 05 重里％以上3.0重量％以下係特別理想。較其更少之燒成助 劑量’由於係在氮化鋁燒成體之粒子間存在有間隙，並自 88355.doc -22· 1337378 其間隙之部份而進行蝕刻，故產生粒子而較不理想。此外 ，當燒成助劑量超過3.0重量％時，則在氮化鋁粒子之粒界 存在有助劑成份’並自該助劑成份而進行蝕刻，而該情形 下亦產生粒子。 作為反應容器之材質係無特別限制。例如作為其金屬係 能使用鋁或鋁合金 '鎳或其合金，更可使用不銹鋼等。此 外，作為陶瓷係能使用氧化鋁或保暖燈等，並無特別限制。 筒狀體之材質’特別是有關於電阻發熱體、rf電極、内 藏有用以供電至靜電夾頭電極之導線等，則絕緣體較為理 想》此係因當筒狀體和導線間形成電氣性導通時，在減壓 下和真空下之狀態中，在各電極間產生火花，並對反應容 器產生導通等之問題之故。具體而言，陶竞等之無機材料 係較為理想。 一此外’在此等筒狀體當中’有關於對陶资加熱器予以固 定之时筒狀體，在以玻璃或㈣而進行接合時，則以固 定筒狀體和陶$加熱器之間之熱膨脹係數錢小者係較為 理想二具體而t，固定筒狀體之常溫之熱膨脹係數和陶资 器之；/m之熱膨脹係數之差係5 〇 X 1 〇 ’K以下較為理 想。當超越此之熱膨服係數差係存在於兩者之間時由於 在接合時產生陶泛加熱器或固定筒狀體之破損和裂蚊等現 。象’故極不理想。然而’在不直接接合筒狀體於陶是加熱 器’而以螺帽等而予以固定時，則無該限制。 ’’’、 有關於具體的筒狀體之材質，雖亦可使用和陶瓷力口 相同的材質，但，亦能使用多銘紅柱石或氧化紹、‘ 88355.doc -23- ，甚至亦可使用氮化 低，且能減少自：材質其熱傳導率輕 又，即使為筒狀tt H h ^ 孕乂為理想 並無特別限制。 $内1導，.·泉等之情形時’其材質 力—方面，有關於支持體之材 m ^ 〜π只 亚無特別限制。可, ” 金屬、或陶走和金屬之複合體等各種材料 之使料境而進行適當選擇 支二::^體之中’有關於對陶“熱器而固定之固; 支持組的材$，係在以玻璃或蠛材而接合時，固 和Μ加熱器之間之«脹係數差係以較小者為佳。具2 而5 ’固^支持體的常溫之熱膨脹係數和陶竟加熱器的令 溫<熱膨脹係數之差異’係以5 〇χι〇.6/κ以下為佳。超这 此之熱膨服係數之差係存在於兩者之間時，由於在_ 陶资加.為杰或固定支持體係破損，並產生裂紋等，故不 理想。然而，在不直接接合筒狀體於陶竞加熱器，而以螺 帽等予以固定時，則無該限制。 有關於具體的筒狀體之材f，雖亦可使用和岐加熱器 相同的材質’ @，亦能使用多妹柱石或氧化|g、硫礦石 ，甚至亦可使用氮化矽等.由於此等之材質其熱傳導率較 低’且能減少自陶瓷往反應容器之熱傳達量，故較為理想。 基於上述之理由，作為陶瓷加熱器之材質則氮化鋁係特 別理想’作為安裝於此之固定筒狀體及/或固定支持體之材 質，由於氮化鋁之熱膨脹係數之協調性，甚至其熱傳導率 較低，故多鋁紅柱石或多鋁紅柱石-氧化鋁之複合體係特別 88355.doc -24- 1337378 理1、。此外，作為相對於該組合之反應容器之材質，由於 熱膨脹係數之協調命性，故銘或銘合金係特別理想。由於
實際之裝置係依情形上.士 I V而亦有使用腐蝕性氣體之情形，故選 擇因應於其用途之材皙 〜 何另係極為重要，則自無爭議。
此外’藉由使用本發明> θ Η #A 贫月< 00圓保持體’則不致於導致收 容陶瓷加熱器之電極端+ Λ道 ·%子或導，..泉 '甚至溫度測定元件之固 足请狀體及/或固定去4Α. ^ . , ,〇 叉持m I破彳貝，因而形成信賴性較高之 半導體製造裝置。牿, 手別疋在各種半導體製造裝置之中，對 能插入至反應容器内少# ϋ 内又材枓而限制較少之L〇w_k膜淬燒用 裝置，係特別理想。 實施例 (實施例1) 對下述表⑽示之陶竞粉末予以添加特定之燒成助劑，進 而增加溶劑等予以進行球式研磨混合而製成泥狀物。將該 泥狀物進订喷霧乾燥而製作顆粒，並使用特定之模型而將 所取得之顆粒Μ壓縮成形4將所取得之成形體予以脫
脂之後，分別以特定> .，®泠左4L '皿度而進仃燒成，並作成陶竞燒成 體。有關於所取得之各陶咨、诗&础 α ， 合丨司无k成體，係測定熱膨脹係數和 熱傳導率並總結於表1而表示。 88355.doc -25· 1337378 表1 試料 陶瓷加熱器 燒成助劑 熱膨脹係數 熱傳導率 主要成份 (添加量） (X 10·6/Κ) (W/mK、 __1 氮化鉋 4.5 110 2 氮化鉋 Y2〇3(〇.〇5%) 4.5 1 50 3 氮化鉬 Y2〇3(0.5%) 4.5 180 4 氮化鋁 Υ2Ο3(1·0%) 4.5 1 80 5 _ 氮化鋁 Υ2Ο3(5.0%) 4.5 '--- 170 6 ----- 氮化鋁 Eu2O3(0.5%) 4.5 180 7 ------- 氮化鋁 Nd2〇3(〇.5%) 4.5 180 8 碳化發 3 8 ---1 υ v 〇 ^ 9 --,— 氧化叙 --—-- MgQ(0.5%) 7.8 10 _ 氮化矽 —__ Y2〇3(〇.5%) 3.8 —--------— 25 」1 氮化銘 ------- Y2O3O.O%) 4.5 ---- 180 〜---- — 〜π叫姐"丨m合丞极上，楮由捲簾！ 刷寺之方法而形成電阻發熱體電路，並因應於需求而形) ^电極、靜電爽頭電極。由於以特定之條件而將此進行.； k並因應於需求而保護電阻發熱體、RF電極、以及靜, ，%極1¾:接合m於其上。有關^所取得之陶资） ’’’、态係、藉由機械加工而形成用以搭載晶圓之晶圓袋。_ 而安裝用以連接於各電氣電路之電極端子和導線。 在各個陶免加熱！^晶圓力口熱面和相反側之面（背面），； 裝由下述表2所示之材質所組成之固定筒狀體及，或支⑸ ,固疋作為固定方法係使用圖2A和圖2B所示之坡玉 88355.doc * 26 - 1337378 之接合，使用圖3 A和圖3 B所示之活性金屬蠟之蠟材之接合 、圖4A和圖4B所示之螺絲之固定、往圖5A和圖5B所示之陶 瓷加熱器背面之挫面部之嵌入、或圖6A和圖6B所示之陶瓷 加熱器和筒狀體之一體成型之中之任意一項。又，全部之 茼狀體係使用外徑為1 〇 mm、内控·為6 mm者。此外，全部 之支持體係使用外徑10 mm之中實柱狀體。在進行圖5 A和 圖5B之嵌入動作時，挫面部之深度係作成3 ，直徑係作 成10.1 mm。在筒狀體内雖係收容有電極端子和導線，但， 金屬製之筒狀體則僅收容熱電對。 表2 筒狀體材質 熱膨脹係數 熱傳導率 (X 10·6/Κ) (W/mK) 氮化鋁 4.5 180 氮化鋁 3.2 25 氧化鋁 7.8 28 碳化矽 3.8 220 多鋁紅柱石 4.5 1 鎳 13 80 不銹鋼 7.9 17 鶴 4.5 170 鉬 5 150 此時’在測定安裝於陶瓷加熱器之筒狀體及/或支持體之 各平行度時’其係均為〇. 1 mm以内》此外，安裝筒狀體及/ 或支持體之◦形環擋接面附近的表面粗度，其任意一項均為 88355.doc -27· 1337378
Ra S 0.3 # m，以央聲站組& 面的結果，而確認無 尤干顯诚鏡而觀察表 超過0.05 mm之缺陷。 質:::二所=之晶圓保持體，而使用由下述―之* n:形狀之反應容器。安裝晶圓保持㈣“ iC各谷内，並藉由橡膠制^r n^ " >哀而將筒狀體及/或柱狀患 和反應谷器之間子以洛仓& & 仗… 裝°此時，陶资加熱器之晶匿 搭載：和反應容器之各平行度，其係均為〇15_下1 後’精由供電至陶瓷加熱器而升溫至特定溫度，並藉由势 電對：測定陶竞加熱器和反應容器之溫度，進而求得陶資 加熱裔（均熱性。此後，降溫至常溫，並確認固定筒狀體 及/或固定支持體之破損狀況。 表3 反應容器材質 熱膨脹係數 熱傳導率 ----- (X 10'6/Κ) (W/mK) 鎳 13 80 不銹鋼 ' _ 7.9 17 氧化鋁 ---- 7.8 28 鋁 ------- 23 200 在每個陶瓷加熱器和固定筒狀體及/或固定支持體之材 質’將所求得之結果予以區分成試驗條件和試驗結果，而 表不於下述之表4〜45。又’陶瓷加熱器加熱時之反應容器 内之環境氣息係作成真空狀態。陶瓷加熱器之均熱性係使 用晶圓溫度計而予以測定。此外，有關於筒狀體及/或支持 體和反應容器之間之氣密性’係洩漏比率在高溫時，其丨〇.9 88355.doc .28- 1337378 P a m3 / s以下者係以◎，1 CT7 P a m3 / s以下者係以〇而予以表示。 表4 試驗條件 加熱器材質：3(氮化鋁） 試料 筒狀體 容 器 材 質 常溫時筒狀體間 距（m m) 材質 固定 法 長度 (mm) 加熱器侧 (L1) 容器側 (L2) 3-1 多銘紅柱石 玻璃 100 A1 300 300 3-2 多1呂紅柱石 玻璃 100 A1 300 300 3-3 多銘紅柱石 螺絲 100 A1 300 300 3-4 多銘紅柱石 嵌入 100 A1 300 300 3-5 A1N 玻璃 100 A1 300 300 3-6 A1N 嵌入 150 A1 300 300 3-7 A1N 玻璃 150 A1 300 300 3-8 A1N 螺絲 150 A1 300 300 3-9 A1N 螺絲 150 A1 299.5 300 3-10 A1N 螺絲 150 A1 300 300.5 3-11 A1N 一體 成型 150 A1 300 300.5 3-12 Si3N4 玻璃 150 A1 300 300 3-13 ai2〇3 玻璃 150 A1 300 300 3-14 Al2〇3 礙入 150 A1 300 300 3-15 SiC 玻璃 150 A1 300 300 3-16 Ni 堪材 150 A1 300 300 3-17 W 蝶材 150 A1 300 300 3-18 W 嵌入 150 A1 300 300 3-19 Mo 壤材 150 A1 300 300 3-20 不銹鋼 螺絲 150 A1 300 300 88355.doc -29 - 1337378 表5 試驗結果 加熱器材質3 :(氮化鋁） 試 料 使用溫度（°C) 加熱時筒 狀體間距 離差 氣密 性 均熱性 (%) 備考 加熱 器 容器 3-1 500 95 0.02 mm ◎ ±0.2 佳 3-2 850 150 0.11 mm ◎ ±0.2 3-3 850 145 0.15 mm ◎ ±0.2 3-4 850 145 0.15 mm ◎ ±0.2 3-5 850 _ 0形環破損 3-6 800 50 0.73 mm 〇 ±0.4 強制用水 冷卻 3-7 500 180 0.57 mm 〇 ±0.4 3-8 800 50 0.73 mm 強制用水 冷卻、筒狀 體破損 3-9 850 50 0.30 mm ◎ ±0.4 3-10 850 50 0.30 mm ◎ ±0.4 3-11 850 50 0.30 mm ◎ ±0.4 3-12 850 110 0.39 mm 〇 ±0·3 3-13 850 120 0.32 mm 〇 ±0.3 3-14 850 118 0.33 mm 〇 ±0.3 3-15 850 200 0.23 mm ◎ ±0·4 3-16 850 筒狀體安 裝時破損 3-17 500 170 0.50 mm 〇 ±0.4 3-18 500 167 0.48 mm 〇 ±0.4 3-19 500 170 0.50 mm 〇 ±0.4 3-20 500 105 0.05 mm ◎ ±0.3 88355.doc -30· 1337378 表6 試驗條件 加熱器材質：3 (氮化鋁） 試料 筒狀體 容器 常溫時筒狀體間距 材質 (mm) 材質 固定 長度 加熱器 容器側 法 (mm) 側（LI) (L2) 3-21 多銘紅柱石 玻璃 100 Ni 300 300 3-22 多紹紅柱石 玻璃 100 Ni 300 300 3-23 多銘紅柱石 螺絲 100 Ni 300 300 3-24 多1呂紅柱石 嵌入 100 Ni 300 300 3-25 A1N 玻璃 100 Ni 300 300 3-26 A1N 玻璃 150 Ni 300 300 3-27 A1N 螺絲 150 Ni 300 300 3-28 A1N 螺絲 150 Ni 299.5 300 3-29 A1N 螺絲 150 Ni 300 300.5 3-30 A1N 一體 150 Ni 300 300.5 成型 3-31 Si3N4 玻璃 150 Ni 300 300 3-32 Si3N4 玻璃 150 Ni 299.7 300 3-33 Si3N4 玻璃 150 Ni 300 300.3 3-34 AI2O3 玻璃 150 Ni 300 300 3-35 SiC 玻璃 150 Ni 300 300 3-36 W 蠘材 150 Ni 300 300 3-37 Mo 蠟材 150 Ni 300 300 3-38 不銹鋼 螺絲 150 Ni 300 300 3-39 不绣鋼 嵌入 150 Ni 300 300 88355.doc -31 - 1337378 表7 試驗結果 加熱器材質3 :(氮化鋁） 試料 使用溫度(°C) 加熱時筒狀 體間距離差 氣密 性 均熱性 (%) 備考 加熱器 容器 3-21 500 95 0.30 mm ◎ ±0.2 3-22 850 150 0.56 mm 〇 ±0.2 3-23 850 145 0.58 mm 〇 ±0.2 3-24 850 145 0.58 mm 〇 ±0.2 3-25 850 0形環破損 3-26 500 180 0.03 mm ◎ ±0.4 強制用水冷卻 、筒狀體破損 3-27 800 50 0.88 mm 3-28 850 50 0.45 mm 〇 ±0.4 強制用水冷卻 3-29 850 50 0.45 mm 〇 ±0.4 強制用水冷卻 3-30 850 50 0.45 mm 〇 ±0.4 強制用水冷卻 3-31 850 110 0.72 mm 筒狀體破損 3-32 850 110 0.42 mm 〇 ±0.4 3-33 850 110 0.42 mm 〇 ±0.4 3-34 850 120 0.68 mm 〇 ±0.3 3-35 850 200 0.37 mm 〇 ±0.4 3-36 500 170 0.01 mm ◎ ±0.4 3-37 500 170 0.01 mm ◎ ±0.4 3-38 500 105 0.27 mm ◎ ±0.3 3-39 500 105 0.27 mm ◎ ±0.3 88355.doc -32· 1337378 表8 試驗條件 加熱器材質：3 (氮化鋁） 試料 筒狀體 容器材 質 常溫時筒狀體間距 (mm) 材質 固定 法 長度 (mm) 加熱器 側(L1) 容器側 (L2) 3-40 多铭紅柱石 玻璃 100 不绣鋼 300 300 3-41 多銘紅柱石 玻璃 100 不錄鋼 300 300 3-42 多在呂紅柱石 玻璃 100 不銹鋼 299.5 300 3-43 多铭紅柱石 玻璃 100 不銹鋼 300 300.3 3-44 A1N 玻璃 100 不銹鋼 300 300 3-45 A1N 玻璃 150 不绣鋼 300 300 3-46 A1N 螺絲 150 不錄鋼 300 300 3-47 A1N 螺絲 150 不銹鋼 299.5 300 3-48 A1N 一體 成型 150 不銹鋼 300 300 3-49 A1N 螺絲 150 不銹鋼 300 300.5 3-50 Si3N4 玻璃 150 不錄鋼 300 300 3-51 AI2O3 玻璃 150 不鎮鋼 300 300 3-52 AI2O3 玻璃 150 不銹鋼 299.5 300 3-53 AI2O3 玻璃 150 不銹鋼 300 300.5 3-54 AI2O3 振入 150 不銹鋼 300 300.5 3-55 SiC 玻璃 150 不銹鋼 300 300 3-56 Ni 蠟材 150 不銹鋼 300 300 3-57 W 堪材 150 不鎮鋼 300 300 3-58 Mo 蠟材 150 不銹鋼 300 300 3-59 不銹鋼 螺絲 150 不銹鋼 300 300 88355.doc -33 - 1337378 表9 試驗結果 加熱器材質：3 (氮化鋁） 試料 使用溫度(°C) 加熱時筒狀 體間距離差 氣密 性 均熱性 (%) 備考 加熱器 容器 3-40 500 95 0.45 mm 〇 ±0.2 3-41 850 150 0.79 mm 筒狀體破損 3-42 850 150 0.29 mm ◎ ±0.2 3-43 850 150 0.49 mm 〇 ±0.2 3-44 850 _ 0形環破損 3-45 500 180 0.25 mm ◎ ±0.4 3-46 800 50 0.96 mm 強制用水冷卻 、筒狀體破損 3-47 850 50 0.53 mm 〇 ±0.4 強制用水冷卻 3-48 850 50 1.03 mm 強制水冷、筒狀 體破損 3-49 850 50 0.53 mm 〇 ±0·4 強制用水冷卻 3-50 850 110 0.89 mm 筒狀體破損 3-51 850 120 0.86 mm 筒狀體破損 3-52 850 120 0.36 mm 〇 ±0.4 3-53 850 120 0.36 mm 〇 ±0.4 3-54 850 118 0.37 mm 〇 ±0.4 3-55 850 200 0.67 mm 〇 ±0.4 3-56 850 筒狀體安裝時 破損 3-57 500 170 0.27 mm ◎ ±0.4 3-58 500 170 0.27 mm ◎ ±0.4 3-59 500 105 0.43 mm 〇 ±0.3 88355.doc -34- 1337378 表ίο 試驗條件 加熱器材質：3 (氮化鋁） 試料 筒狀體 容器 材質 常溫時筒狀體間距 (mm) 材質 固定 法 長度 (mm) 力σ熱器 側（L1) 容器侧 (L2) 3-60 多铭紅柱石 玻璃 100 Al2〇3 300 300 3-61 多銘紅柱石 玻璃 100 A1203 300 300 3-62 多紹紅柱石 玻璃 100 A1203 299.5 300 3-63 多铭紅柱石 玻璃 100 Al203 300 300.3 3-64 多1呂紅柱石 嵌入 100 A1203 300 300.3 3-65 A1N 玻璃 100 A1203 300 300 3-66 A1N 一體 成型 150 A1203 300 300 3-67 A1N 玻璃 150 A1203 300 300 3-68 A1N 螺絲 150 A1203 300 300 3-69 A1N 螺絲 150 A1203 299.5 300 3-70 A1N 螺絲 150 A1203 300 300.5 3-71 Si3N4 玻璃 150 Al?〇3 300 300 3-72 Al2〇3 玻璃 150 AI2O3 300 300 3-73 A1203 玻璃 150 AI2O3 299.5 300 3-74 A1203 玻璃 150 AI2O3 300 300.5 3-75 SiC 玻璃 150 AI2O3 300 300 3-76 Ni 蠟材 150 AI2O3 300 300 3-77 W 蠛材 150 AI2O3 300 300 3-78 Mo 蠟材 150 AI2O3 300 300 3-79 不錄鋼 螺絲 150 Al2〇3 300 300 88355.doc -35 - 1337378 表η 試驗結果 加熱器材質：3 (氮化鋁） 試料 使用溫度(°C) 加熱時筒狀 體間距離差 氣密 性 均熱性 (%) 備考 加熱器 容器 3-60 500 100 0.44 mm 〇 ±0.2 3-61 850 155 0.78 mm 筒狀體破損 3-62 850 155 0.28 mm ◎ ±0.2 3-63 850 155 0.48 mm 〇 ±0.2 3-64 850 152 0.49 mm 〇 ±0.2 3-65 850 _ 0形環破損 3-66 800 195 0.62 mm 〇 ±0.4 3-67 500 190 0.23 mm ◎ ±0.4 3-68 800 50 0.96 mm 強制水冷、筒 狀體破損 3-69 850 50 0.53 mm 〇 ±0.4 強制用水冷卻 3-70 850 50 0.53 mm 〇 ±0.4 強制用水冷卻 3-71 850 115 0.88 mm 筒狀體破損 3-72 850 125 0.85 mm 筒狀體破損 3-73 850 125 0.35 mm 〇 ±0.4 3-74 850 125 0.35 mm 〇 ±0.4 3-75 850 210 0.66 mm 〇 ±0.4 3-76 850 筒狀體安裝時 破損 3-77 500 180 0.25 mm ◎ ±0.4 3-78 500 180 0.25 mm ◎ ±0.4 3-79 500 110 0.42 mm 〇 ±0.3 88355.doc •36· 1337378 表12 試驗條件 加熱器材質：8 (碳化矽） 試料 筒狀體 容器 材質 常溫時筒狀體間距 (mm) 材質 固定法 長度 (mm) 加熱器 側（L1) 容器側 (L2) 8-1 多在呂紅柱石 玻璃 100 A1 300 300 8-2 多銘紅柱石 玻璃 100 A1 300 300 8-3 多在呂紅柱石 螺絲 100 A1 300 300 8-4 多紹紅柱石 嵌入 100 A1 300 300 8-5 A1N 玻璃 100 A1 300 300 8-6 A1N 玻璃 150 A1 300 300 8-7 A1N 螺絲 150 A1 300 300 8-8 Si3N4 玻璃 150 A1 300 300 8-9 Al2〇3 玻璃 150 A1 300 300 8-10 SiC 玻璃 150 A1 300 300 8-11 SiC 一體成型 150 A1 300 300 8-12 Ni 蠟材 150 A1 300 300 8-13 W 螺·材 150 A1 300 300 8-14 Mo 蠟材 150 A1 300 300 8-15 不銹鋼 螺絲 150 A1 300 300 88355.doc -37 - 1337378 表13 試驗結譽 加熱器材質:8 (碳化矽） 試料 使用溫度(°C) 加熱時筒狀 氣密 均熱性 備考 加熱器 容器 體間距離差 性 (%) 8-1 500 95 0.09 mm ◎ ±0.2 8-2 850 148 0.05 mm ◎ ±0.2 8-3 850 145 0.03 mm ◎ ±0.2 8-4 850 142 0.01 mm ◎ ±0.2 8-5 850 . 0形環破損 8-6 500 182 0.69 mm 〇 ±0.4 8-7 850 50 0.62 mm 〇 強制用水冷卻 8-8 850 111 0.20 mm ◎ ±0.3 8-9 850 120 0.14 mm ◎ ±0.3 8-10 850 200 0.41 mm 〇 ±0.4 8-11 850 205 0.45 mm 〇 ±0.4 8-12 850 筒狀體安裝 時破損 8-13 500 170 0.60 mm 〇 ±0.4 8-14 500 170 0.60 mm 〇 ±0.4 8-15 500 105 0.15 mm ◎ ±0.3 88355.doc -38- 1337378 表14 試驗條件 加熱器材質：8 (碳化矽） 試料 筒狀體 容器 常溫時筒狀體間距 材質 (mm) 材質 固定 長度 加熱器 容器侧 法 (mm) 側（LI) (L2) 8-16 多銘紅柱石 玻璃 100 Ni 300 300 8-17 多铭紅柱石 玻璃 100 Ni 300 300 8-18 多銘紅柱石 螺絲 100 Ni 300 300 8-19 A1N 玻璃 100 Ni 300 300 8-20 A1N 玻璃 150 Ni 300 300 8-21 A1N 螺絲 150 Ni 300 300 8-22 A1N 螺絲 150 Ni 299.5 300 8-23 A1N 螺絲 150 Ni 300 300.4 8-24 Si3N4 玻璃 150 Ni 300 300 8-25 AI2O3 玻璃 150 Ni 300 300 8-26 SiC 玻璃 150 Ni 300 300 8-27 SiC 一體 150 Ni 300 300 成型 8-28 W 壌材 150 Ni 300 300 8-29 Mo 螺材 150 Ni 300 300 8-30 不銹鋼 螺絲 150 Ni 300 300 88355.doc -39- 1337378 表15 試驗結果 加熱器材質:8 (碳化矽） 試料 使用溫度（°C) 加熱時筒狀 氣密 均熱性 備考 加熱器 容器 體間距離差 性 (%) 8-16 500 95 0.20 mm ◎ ±0.2 8-17 850 152 0.38 mm 〇 ±0.2 8-18 850 145 0.40 mm 〇 ±0.2 8-19 850 0形環破損 8-20 500 180 0.13 mm ◎ ±0.4 8-21 800 50 0.72 mm 強制用水冷卻 、筒狀體破損 8-22 850 50 0.27 mm ◎ ±0.4 8-23 850 50 0.37 mm 〇 ±0·4 8-24 850 111 0.54 mm 〇 ±0.4 8-25 850 120 0.50 mm 〇 ±0.3 8-26 850 203 0.18 mm ◎ ±0.4 8-27 850 208 0.16 mm ◎ ±0.4 8-28 500 170 0.09 mm ◎ ±0.4 8-29 500 170 0.09 mm ◎ ±0.4 8-30 500 105 0.16 mm ◎ ±0.3 88355.doc -40- 1337378 表1 6 試驗條件 加熱器材質：8 (碳化矽） 試料 筒狀體 容器 常溫時筒狀體間距 材質 (mm) 材質 固定 長度 加熱器 容器側 法 (mm) 側（L1) (L2) 8-31 多紹紅柱石 玻璃 100 不錐鋼 300 300 8-32 多銘紅柱石 玻璃 100 不镑鋼 300 300 8-33 多铭紅柱石 螺絲 100 不銹鋼 300 300 8-34 多is紅柱石 嵌入 100 不銹鋼 300 300 8-35 A1N 玻璃 100 不镑鋼 300 300 8-36 A1N 玻璃 150 不銹鋼 300 300 8-37 A1N 螺絲 150 不銹鋼 300 300 8-38 A1N 螺絲 150 不銹鋼 299.5 300 8-39 A1N 螺絲 150 不銹鋼 300 300.4 8-40 Si3N4 玻璃 150 不鎮鋼 300 300 8-41 ai2〇3 玻璃 150 不銹鋼 300 300 8-42 SiC 玻璃 150 不銹鋼 300 300 8-43 Ni 壤材 150 不銹鋼 300 300 8-44 W 螺材 150 不銹鋼 300 300 8-45 Mo 蠟材 150 不銹鋼 300 300 8-46 不镑鋼 螺絲 150 不銹鋼 300 300 88355.doc -41 - 1337378 表17 試驗結果 加熱器材質：8 (碳化矽） 試料 使用溫度(°C) 加熱時筒狀 體間距離差 氣密 性 均熱性 (%) 備考 加熱器 容器 8-31 500 95 0.34 mm 〇 ±0.2 8-32 850 153 0.61 mm 〇 ±0.2 8-33 850 153 0.61 mm 〇 ±0.2 8-34 850 152 0.61 mm 〇 ±0.2 8-35 850 0形環破損 8-36 500 180 0.14 mm ◎ ±0.4 8-37 800 50 0.79 mm 強制用水冷卻 、筒狀體破損 8-38 850 50 0.35 mm 〇 ±0.4 8-39 850 50 0.45 mm 〇 ±0.4 8-40 850 110 0.71 mm 筒狀體破損 8-41 850 123 0.68 mm 〇 ±0.4 8-42 850 202 0.49 mm 〇 ±0.4 8-43 850 筒狀體安裝時破損 8-44 500 171 0.16 mm ◎ ±0.4 8-45 500 171 0.16 mm ◎ ±0.4 8-46 500 107 0.32 mm 〇 ±0.3 88355.doc -42 - 1337378 表18 試驗條件 加熱器材質：8 (碳化矽） 試料 筒狀體 容器 常溫時筒狀體間距 材質 (mm) 材質 固定 長度 加熱器 容器侧 法 (mm) 側（L1) (L2) 8-47 多在呂紅柱石 玻璃 100 Al2〇3 300 300 8-48 多铭紅柱石 玻璃 100 Al2〇3 300 300 8-49 A1N 玻璃 100 Al2〇3 300 300 8-50 A1N 玻璃 150 Al2〇3 300 300 8-51 A1N 螺絲 150 Al2〇3 300 300 8-52 A1N 螺絲 150 AI2O3 299.5 300 8-53 A1N 螺絲 150 Al2〇3 300 300.4 8-54 Si3N4 玻璃 150 AI2O3 300 300 8-55 AI2O3 玻璃 150 AI2O3 300 300 8-56 SiC 一體 150 Al2〇3 300 300 成型 8-57 SiC 玻璃 150 A12 O3 300 300 8-58 Ni 堪材 150 AI2O3 300 300 8-59 W 螺材 150 ai2〇3 300 300 8-60 Mo 蝶材 150 ai2〇3 300 300 8-61 不銹鋼 螺絲 150 ai2〇3 300 300 88355.doc -43 - 1337378 表19 試驗結果 加熱器材質：8 (碳化矽） 試料 使用溫度(°C) 加熱時筒狀 氣密 均熱性 備考 加熱器 容器 體間距離差 性 (%) 8-47 500 98 0.34 mm 〇 ±0.2 8-48 850 158 0.60 mm 〇 ±0.2 8-49 850 0形環破損 8-50 500 189 0.13 mm ◎ ±0.4 8-51 800 50 0.79 mm 強制用水冷卻 、筒狀體破損 8-52 850 50 0.35 mm 〇 ±0.4 8-53 850 50 0.45 mm 〇 ±0.4 8-54 850 111 0.71 mm 筒狀體破損 8-55 850 128 0.67 mm 〇 ±0.4 8-56 850 215 0.47 mm 〇 ±0.4 8-57 850 213 0.47 mm 〇 ±0·4 8-58 850 筒狀體安裝 時破損 8-59 500 179 0.15 mm ◎ ±0.4 8-60 500 180 0.15 mm ◎ ±0.4 8-61 500 111 0.3 1 mm 〇 ±0.3 88355.doc •44 · 1337378 表20 試驗條件 加熱器材質:9 (氧化铭） 試料 筒狀體 容器 常溫時筒狀體間距 材質 (mm) 材質 固定 長度 加熱器 容器側 法 (mm) 侧（L1) (L2) 9-1 多紹紅柱石 玻璃 100 A1 300 300 9-2 多名呂紅柱石 玻璃 100 A1 300 300 9-3 多銘紅柱石 嵌入 100 A1 300 300 9-4 多銘紅柱石 螺絲 100 A1 300 300 9-5 A1N 玻璃 100 A1 300 300 9-6 A1N 玻璃 150 A1 300 300 9-7 A1N 螺絲 150 A1 300 300 9-8 A1N 螺絲 150 A1 299.5 300 9-9 Si3N4 玻璃 150 A1 300 300 9-10 AI2O3 玻璃 150 A1 300 300 9-11 SiC 玻璃 150 A1 300 300 9-12 Ni 螺材 150 A1 300 300 9-13 W 蠟材 150 A1 300 300 9-14 Mo 堪材 150 A1 300 300 9-15 不銹鋼 螺絲 150 A1 300 300 88355.doc -45 - 1337378 表21 試驗結果 加熱器材質：9 (氧化鋁） 試料 使用溫度(°C) 加熱時筒狀 體間距離差 氣密 性 均熱性 (%) 備考 加熱器 容器 9-1 500 93 0.53 mm 〇 ±0.6 9-2 850 148 0.97 mm 筒狀體破損 9-3 500 92 0.54 mm 〇 ±0.6 9-4 850 142 1.01 mm 筒狀體破損 9-5 850 . 0形環破損 9-6 500 181 0.08 mm ◎ ±1.0 9-7 800 49 1.53 mm 強制用水冷卻 、筒狀體破損 9-8 850 51 1.13 mm 筒狀體破損 9-9 850 111 1.22 mm 筒狀體破損 9-10 850 118 1.17 mm 筒狀體破損 9-11 850 202 0.60 mm 〇 ±1.0 9-12 850 筒狀體安裝 時破損 9-13 500 175 0.04 mm ◎ ±1.0 9-14 500 174 0.03 mm ◎ ±1.0 9-15 500 102 0.47 mm 〇 ±0.8 88355.doc -46- 1337378 表22 試驗條件 加熱器材質：9 (氧化鋁） 試料 筒狀體 容器 常溫時筒狀體間距 材質 (mm) 材質 固定 長度 加熱器 容器侧 法 (mm) 侧（LI) (L2) 9-16 多銘紅柱石 玻璃 100 Ni 300 300 9-17 多銘紅柱石 玻璃 100 Ni 300 300 9-18 多銘紅柱石 螺絲 100 Ni 300 300 9-19 A1N 玻璃 100 Ni 300 300 9-20 A1N 玻璃 150 Ni 300 300 9-21 A1N 螺絲 150 Ni 300 300 9-22 A1N 螺絲 150 Ni 299.5 300 9-23 Si3N4 玻璃 150 Ni 300 300 9-24 Si3N4 玻璃 150 Ni 299.7 300 9-25 AI2O3 玻璃 150 Ni 300 300 9-26 SiC 玻璃 150 Ni 300 300 9-27 W 蠟材 150 Ni 300 300 9-28 Mo 躐材 150 Ni 300 300 9-29 不绣鋼 螺絲 150 Ni 300 300 88355.doc -47 - 1337378 表23 試驗結果 加熱器材質：9 (氧化鋁） 試料 使用溫度(°C) 加熱時筒狀 體間距離差 氣密性 均熱性 (%) 備考 加熱器 容器 9-16 500 96 0.80 mm 筒狀體破損 9-17 850 152 1.40 mm 筒狀體破損 9-18 850 144 1.43 mm 筒狀體破損 9-19 850 0形環破損 9-20 500 179 0.47 mm 〇 ±1.0 9-21 800 50 1.68 mm 強制用水冷 卻、筒狀體 破損 9-22 850 51 1.29 mm 筒狀體破損 9-23 850 109 1.56 mm 筒狀體破損 9-24 850 109 1.26 mm 筒狀體破損 9-25 850 121 1.52 mm 筒狀體破損 9-26 850 202 1.20 mm 筒狀體破損 9-27 500 170 0.51 mm 〇 ±1.0 9-28 500 170 0.5 1 mm 〇 ±1.0 9-29 500 105 0.76 mm 筒狀體破損 88355.doc -48- 1337378 表24 試驗條件 加熱器材質9 (¾化鋁） 試料 筒狀體 容器 常溫時筒狀體間距 材質 (mm) 材質 固定 長度 加熱器 容器侧 法 (mm) 側（L1) (L2) 9-30 多銘紅柱石 玻璃 100 不錆鋼 300 300 9-31 多在呂紅柱石 玻璃 100 不銹鋼 300 300 9-32 多1呂紅柱石 玻璃 100 不錄鋼 299.5 300 9-33 A1N 玻璃 100 不錄鋼 300 300 9-34 A1N 玻璃 150 不銹鋼 299.7 300 9-35 A1N 螺絲 150 不銹鋼 300 300 9-36 A1N 螺絲 150 不銹鋼 299.5 300 9-37 Si3N4 玻璃 150 不鎮鋼 300 300 9-38 Al2〇3 玻璃 150 不銹鋼 300 300 9-39 Al2〇3 玻璃 150 不錐鋼 299.5 300 9-40 Al2〇3 歲入 150 不錄鋼 299.5 300 9-41 SiC 玻璃 150 不錄鋼 300 300 9-42 Ni 蠟材 150 不鎮鋼 300 300 9-43 W 蝶材 150 不錄鋼 300 300 9-44 Mo 堪材 150 不錄鋼 300 300 9-45 不銹鋼 螺絲 150 不銹鋼 300 300 88355.doc •49- 1337378 表25 試驗結果 加熱器材質：9 (氧化鋁） 試料 使用溫度(°C) 加熱時筒狀 氣密 均熱性 備考 加熱器 容器 體間距離差 性 (%) 9-30 500 95 0.94 mm 筒狀體破損 9-31 850 150 1.63 mm 筒狀體破損 9-32 850 150 1.13 mm 筒狀體破損 9-33 850 . 0形環破損 9-34 500 180 0.44 mm 〇 ±1.0 9-35 800 50 1.75 mm 強制用水冷卻 、筒狀體破損 9-36 850 50 1.37 mm 強制用水冷卻 9-37 850 110 1.73 mm 筒狀體破損 9-38 850 120 1.70 mm 筒狀體破損 9-39 850 120 1.20 mm 筒狀體破損 9-40 850 118 1.21 mm 筒狀體破損 9-41 850 200 1.51 mm 筒狀體破損 9-42 850 筒狀體安裝 時破損 9-43 500 170 0.77 mm 筒狀體破損 9-44 500 170 0.77 mm 筒狀體破損 9-45 500 105 0.92 mm 筒狀體破損 88355.doc -50- 1337378 表26 試驗條件 加熱器材質：9 (氧化鋁） 試料 筒狀體 容器 常溫時筒狀體間距 材質 (mm) 材質 固定法 長度 加熱器 容器側 (mm) 侧（LI) (L2) 9-46 多銘紅柱石 玻璃 100 Al2〇3 300 300 9-47 多銘紅柱石 玻璃 100 A1203 300 300 9-48 多銘紅柱石 玻璃 100 A1203 299.5 300 9-49 A1N 玻璃 100 Al203 300 300 9-50 A1N 玻璃 150 AI2〇3 300 300 9-51 A1N 玻璃 150 A1203 299.7 300 9-52 A1N 螺絲 150 Al203 300 300 9-53 A1N 螺絲 150 Al203 299.5 300 9-54 Si3N4 玻璃 150 a!203 300 300 9-55 AI2O3 玻璃 150 Al2〇3 300 300 9-56 AI2O3 玻璃 150 A1203 299.5 300 9-57 AI2O3 一體成型 150 A1203 299.5 300 9-58 SiC 玻璃 150 Al2〇3 300 300 9-59 Ni 堪材 150 Al2〇3 300 300 9-60 W 堪材 150 Al2〇3 300 300 9-61 Mo 蟻材 150 Al2〇3 300 300 9-62 不錄鋼 螺絲 150 Al203 300 300 B8355.doc -51 - 1337378 表27 試驗結琴 加熱器材質：9 (氧化鋁） 試料 使用溫度(°C) 加熱時筒狀 氣密 均熱性 備考 加熱器 容器 體間距離差 性 (%) 9-46 500 98 0.94 mm 筒狀體破損 9-47 850 153 1.63 mm 筒狀體破損 9-48 850 153 1.13 mm 筒狀體破損 9-49 850 • 0形環破損 9-50 500 191 0.72 mm 筒狀體破損 9-51 500 191 0.42 mm 〇 ±1.0 9-52 800 50 1.76 mm 強制用水冷卻 、筒狀體破損 9-53 850 50 1.37 mm 強制用水冷卻 9-54 850 115 1.72 mm 筒狀體破損 9-55 850 124 1.70 mm 筒狀體破損 9-56 850 124 1.20 mm 筒狀體破損 9-57 500 98 0.44 mm 〇 ±0.9 9-58 850 211 1.50 mm 筒狀體破損 9-59 850 筒狀體安裝時 破損 9-60 500 179 0.75 mm 筒狀體破損 9-61 500 178 0.75 mm 筒狀體破損 9-62 500 109 0.91 mm 筒狀體破損 88355.doc -52- 1337378 表28 試驗條件 加熱器材質：1 0 (氮化矽） 試料 筒狀體 容器 材質 常溫時筒狀體間距 (mm) 材質 固定法 長度 (mm) 加熱器 側（L1) 容器側 (L2) 10-1 多招紅柱石 玻璃 100 A1 300 300 10-2 多銘紅柱石 玻璃 100 A1 300 300 10-3 多銘紅柱石 螺絲 100 A1 300 300 10-4 多铭紅柱石 螺絲 120 A1 300 300 10-5 多铭紅柱石 歲入 120 A1 300 300 10-6 A1N 玻璃 100 A1 300 300 10-7 A1N 玻璃 150 A1 300 300 10-8 A1N 螺絲 150 A1 300 300 10-9 A1N 螺絲 150 A1 300 300 10-10 Si3N4 玻璃 150 A1 300 300 10-11 Si3N4 一體成型 150 A1 300 300 10-12 Al2〇3 玻璃 150 A1 300 300 10-13 SiC 玻璃 150 A1 300 300 10-14 Ni 增材 150 A1 300 300 10-15 W 蠟材 150 A1 300 300 10-16 Mo 蠟材 150 A1 300 300 10-17 不銹鋼 螺絲 150 A1 300 300 88355.doc -53 - 1337378 表29 Ί式^、名吉_果 加熱器材質：10 (氮化矽） 試料 使用溫度(°C) 加熱時筒狀 體間距離差 氣密 性 均熱性 (%) 備考 加熱器 容器 10-1 500 95 0.09 mm ◎ ±0.6 10-2 850 148 0.05 mm ◎ ±0.6 10-3 850 145 0.03 mm ◎ ±0.6 10-4 1100 185 0.02 mm ◎ ±0.6 10-5 1100 184 0.02 mm ◎ ±0.6 10-6 850 . 0形環破損 10-7 500 182 0.69 mm 〇 ±1.0 10-8 850 50 0.62 mm 〇 ±1.0 強制用水冷卻 10-9 1100 50 0.91 mm 強制用水冷卻 、筒狀體破損 10-10 850 111 0.20 mm ◎ ±0.8 10-11 850 113 0.19 mm ◎ ±0.8 10-12 850 120 0.14 mm ◎ ±0.8 10-13 850 200 0.41 mm 〇 ±1.0 10-14 850 筒狀體安裝 時破損 10-15 500 170 0.60 mm 〇 ±1.0 10-16 500 170 0.60 mm 〇 ±1.0 10-17 500 105 0.15 mm ◎ ±0‘8 88355.doc -54- 1337378 表30 試驗條件 加熱器材質：1 0 (氮化矽） 試料 筒狀體 容器 常溫時筒狀體間距 材質 (mm) 材質 固定 長度 加熱器 容器側 法 (mm) 側（LI) (L2) 10-18 多銘紅柱石 玻璃 100 Ni 300 300 10-19 多1呂紅柱石 玻璃 100 Ni 300 300 10-20 多铭紅柱石 歲入 100 Ni 300 300 10-21 多铭紅柱石 螺絲 100 Ni 300 300 10-22 A1N 玻璃 100 Ni 300 300 10-23 A1N 玻璃 150 Ni 300 300 10-24 A1N 螺絲 150 Ni 300 300 10-25 A1N 螺絲 150 Ni 300 300.4 10-26 Si3N4 玻璃 150 Ni 300 300 10-27 Si3N4 一體 150 Ni 300 300 成型 10-28 Al2〇3 玻璃 150 Ni 300 300 10-29 SiC 玻璃 150 Ni 300 300 10-30 W 螺材 150 Ni 300 300 10-31 Mo 堪材 150 Ni 300 300 10-32 不銹鋼 螺絲 150 Ni 300 300 88355.doc -55 - 1337378 表31 試驗結果 加熱器材質：10 (氮化矽） 試料 使用溫度(°C) 加熱時筒狀 體間距離差 氣密 性 均熱性 (%) 備考 加熱器 容器 10-18 500 95 0.20 mm ◎ ±0.6 10-19 850 152 0.38 mm 〇 ±0.6 10-20 850 151 0.38 mm 〇 ±0.6 10-21 850 145 0.40 mm 〇 ±0.6 10-22 850 0形環破損 10-23 500 180 0.13 mm ◎ ±1.0 10-24 850 50 0.77 mm 強制用水冷卻 、筒狀體破損 10-25 850 50 0.37 mm 〇 ±1.0 10-26 850 111 0.54 mm 〇 ±1.0 10-27 850 114 0.52 mm 〇 ±1.0 10-28 850 120 0.50 mm 〇 ±0.8 10-29 850 203 0.18 mm ◎ ±1.0 10-30 500 170 0.09 mm ◎ ±1.0 10-31 500 170 0.09 mm ◎ ±1.0 10-32 500 105 0.16 mm ◎ ±0.8 88355.doc -56- 1337378 表32 試驗條件 加熱器材質：1 〇 (氮化矽） 試料 筒狀體 容器 常溫時筒狀體間距 材質 (mm) 材質 固定 長度 加熱器 容器側 法 (mm) 侧（L1) (L2) 10-33 多銘紅柱石 玻璃 100 不鎮鋼 300 300 10-34 多1呂紅柱石 玻璃 100 不銹鋼 300 300 10-35 A1N 玻璃 100 不銹鋼 300 300 10-36 A1N 玻璃 150 不銹鋼 300 300 10-37 A1N 螺絲 150 不銹鋼 300 300 10-38 A1N 螺絲 150 不銹鋼 299.5 300 10-39 Si3N4 玻璃 150 不銹鋼 300 300 10-40 AI2O3 玻璃 150 不銹鋼 300 300 10-41 SiC 玻璃 150 不銹鋼 300 300 10-42 Ni 蝶材 150 不銹鋼 300 300 10-43 W 螺·材 150 不銹鋼 300 300 10-44 Mo 堪材 150 不銹鋼 300 300 10-45 不銹鋼 螺絲 150 不銹鋼 300 300 88355.doc -57- 1337378 表33 試驗結果 加熱器材質：10 (氮化矽） 試料 使用溫度(°C) 加熱時筒狀 氣密 均熱性 備考 加熱器 容器 體間距離差 性 (%) 10-33 500 95 0.34 mm 〇 土 0.6 10-34 850 153 0.61 mm 〇 ±0.6 10-35 850 . 〇形環破損 10-36 500 180 0.14 mm ◎ ±1.0 10-37 800 50 0.79 mm 強制水冷、筒 狀體破損 10-38 850 50 0.35 mm 〇 ±1.0 10-39 850 110 0.71 mm 筒狀體破損 10-40 850 123 0.68 mm 〇 ± 1‘0 10-41 850 202 0.49 mm 〇 ±1.0 10-42 850 筒狀體安裝 時破損 10-43 500 171 0.16 mm ◎ ±1.0 10-44 500 171 0.16 mm ◎ ±1.0 10-45 500 107 0.32 mm 〇 ±0.8 88355.doc -58- 1337378 表34 試驗條件 加熱器材質：1 0 (氮化矽） 試料 筒狀體 容器材 常溫時筒狀體間距 質 (mm) 材質 固定 長度 力口熱器 容器側 法 (mm) 侧（LI) (L2) 10-46 多銘紅柱石 玻璃 100 Al2〇3 300 300 10-47 多銘紅柱石 玻璃 100 Al2〇3 300 300 10-48 A1N 玻璃 100 A1203 300 300 10-49 A1N 玻璃 150 Al2〇3 300 300 10-50 A1N 螺絲 150 A1203 300 300 10-51 A1N 螺絲 150 Al2〇3 299.5 300 10-52 Si3N4 玻璃 150 A1203 300 300 10-53 ai2〇3 玻璃 150 Al2〇3 300 300 10-54 SiC 玻璃 150 Al2〇3 300 300 10-55 Ni 蠛材 150 A1203 300 300 10-56 W 堪材 150 Al2〇3 300 300 10-57 Mo 堪材 150 Al2〇3 300 300 10-58 不銹鋼 螺絲 150 Al2〇3 300 300 88355.doc -59 - 1337378 表35 試驗結果 加熱器材質：1 〇 (氮化矽） 試料 使用溫度(°C) 加熱時筒狀 體間距離差 氣密 性 均熱性 (%) 備考 加熱器 容器 10-46 500 99 0.34 mm 〇 ±0.6 10-47 850 161 0.59 mm 〇 ±0.6 10-48 850 . 0形環破損 10-49 500 189 0.13 mm ◎ ±1.0 10-50 800 50 0.79 mm 強制用水冷卻 、筒狀體破損 10-51 850 50 0.35 mm 〇 ±1.0 10-52 850 113 0.70 mm 〇 ±1.0 10-53 850 126 0.67 mm 〇 ±1.0 10-54 850 208 0.48 mm 〇 ±1.0 10-55 850 筒狀體安裝 時破損 10-56 500 174 0.16 mm ◎ ±1.0 10-57 500 175 0.16 mm ◎ ±1.0 10-58 500 110 0.3 1 mm 〇 ±0.8 88355.doc -60- 1337378 表3 6 試驗條件 容器材質：鋁 試料 筒狀體 加熱器 常溫時筒狀體間距 材質 (mm) 材質 固定 長度 加熱器 容器側 法 (mm) 側（L1) (L2) A1-1 多1呂紅柱石 玻璃 100 1 300 300 A1-2 多1呂紅柱石 螺絲 100 1 300 300 A1-3 多铭紅柱石 玻璃 100 2 300 300 A1-4 多銘紅柱石 螺絲 100 2 300 300 A1-5 多1呂紅柱石 玻璃 100 4 300 300 A1-6 多铭紅柱石 螺絲 100 4 300 300 A1-7 多铭紅柱石 玻璃 100 5 300 300 A1-8 多紹紅柱石 螺絲 100 5 300 300 A1-9 多i呂紅柱石 玻璃 100 6 300 300 A1-10 多銘紅柱石 螺絲 100 6 300 300 A1-11 多1呂紅柱石 玻璃 100 7 300 300 A1-12 多紹紅柱石 螺絲 100 7 300 300 88355.doc -61 - 1337378 表37 試驗結果 容器材質：鋁 試料 使用溫度(°C) 加熱時筒狀 氣密性 均熱性 備考 加熱器 容器 體間距離差 (%) A1-1 850 150 0.11 mm ◎ ±0.3 A1-2 850 145 0.15 mm ◎ ±0.3 A1-3 850 150 0.11 mm ◎ ±0.2 A1-4 850 145 0.15 mm ◎ ±0.2 A1-5 850 150 0.11 mm ◎ ±0.2 A1-6 850 145 0.15 mm ◎ ±0.2 A1-7 850 150 0.11 mm ◎ ±0.2 A1-8 850 145 0.15 mm ◎ ±0.2 A1-9 850 150 0.11 mm ◎ ±0.2 A1-10 850 145 0.15 mm ◎ ±0.2 A1-11 850 150 0.11 mm ◎ ±0.2 A1-12 850 145 0.15 mm ◎ ±0.2 88355.doc -62- 1337378 表38 試驗條件 容器材質：鎳 試料 筒狀體 加熱器 常溫時筒狀體間 材質 距（mm) 材質 固定 長度 加熱器 容器側 法 (mm) 側（L1) (L2) Ni-1 多铭紅柱石 玻璃 100 1 300 300 Ni-2 多铭紅柱石 螺絲 100 1 300 300 Ni-3 多銘紅柱石 玻璃 100 2 300 300 Ni-4 多銘紅柱石 螺絲 100 2 300 300 Ni-5 多紹紅柱石 玻璃 100 4 300 300 Ni-6 多1呂紅柱石 螺絲 100 4 300 300 Ni-7 多1呂紅柱石 玻璃 100 5 300 300 Ni-8 多福紅柱石 螺絲 100 5 300 300 Ni-9 多铭紅柱石 玻璃 100 6 300 300 Ni-10 多銘紅柱石 螺絲 100 6 300 300 Ni-11 多紹紅柱石 玻璃 100 7 300 300 Ni-12 多1呂紅柱石 螺絲 100 7 300 300 88355.doc -63 - 1337378 表39 試驗結果 容器材質：鋁 試料 使用溫度(°C) 加熱時筒狀體 氣密 均熱性 備考 加熱器 容器 間距離差 性 (%) Ni-1 850 150 0.56 mm 〇 ±0.3 Ni-2 850 145 0.58 mm 〇 ±0.3 Ni-3 850 150 0.56 mm 〇 ±0.2 Ni-4 850 145 0.58 mm 〇 ±0.2 Ni-5 850 150 0.56 mm 〇 ±0.2 Ni-6 850 145 0.58 mm 〇 ±0.2 Ni-7 850 150 0.56 mm 〇 ±0.2 Ni-8 850 145 0.58 mm 〇 ±0.2 Ni-9 850 150 0.56 mm 〇 ±0.2 Ni-10 850 145 0.58 mm 〇 ±0.2 Ni-11 850 150 0.56 mm 〇 ±0.2 Ni-12 850 145 0.58 mm 〇 ±0.2 88355.doc 64· 1337378 表40 試驗條件 容器材質：不銹鋼 試料 筒狀體 加熱器 材質 常溫時筒狀體間距 (mm) 材質 固定 法 長度 (mm) 加熱器 側(L1) 容器側 (L2) SUS-1 多在呂紅柱石 玻璃 100 1 300 300 SUS-2 多銘紅柱石 螺絲 100 1 300 300 SUS-3 多銘紅柱石 玻璃 100 1 299.7 300 SUS-4 多1呂紅柱石 玻璃 100 2 300 300 SUS-5 多ί呂紅柱石 螺絲 100 2 300 300 SUS-6 多銘紅柱石 玻璃 100 2 299.7 300 SUS-7 多铭紅柱石 玻璃 100 4 300 300 SUS-8 多在呂紅柱石 螺絲 100 4 300 300 SUS-9 多銘紅柱石 玻璃 100 4 299.7 300 SUS-10 多铭紅柱石 玻璃 100 5 300 300 SUS-11 多銘紅柱石 螺絲 100 5 300 300 SUS-12 多紹紅柱石 玻璃 100 5 299.7 300 SUS-13 多銘紅柱石 玻璃 100 6 300 300 SUS-14 多銘紅柱石 螺絲 100 6 300 300 SUS-15 多銘紅柱石 玻璃 100 6 299.7 300 SUS-16 多銘紅柱石 玻璃 100 7 300 300 SUS-17 多铭紅柱石 螺絲 100 7 300 300 SUS-18 多铭紅柱石 玻璃 100 7 299.7 300 SUS-19 多銘紅柱石 玻璃 100 1 300 300 SUS-20 多在呂紅柱石 螺絲 100 1 300 300 SUS-21 多銘紅柱石 玻璃 100 2 300 300 SUS-22 多銘紅柱石 螺絲 100 2 300 300 SUS-23 多銘紅柱石 玻璃 100 4 300 300 SUS-24 多銘紅柱石 螺絲 100 4 300 300 SUS-25 多銘紅柱石 玻璃 100 5 300 300 SUS-26 多銘紅柱石 螺絲 100 5 300 300 SUS-27 多銘紅柱石 玻璃 100 6 300 300 SUS-28 多紹紅柱石 螺絲 100 6 300 300 SUS-29 多紹紅柱石 玻璃 100 7 300 300 SUS-30 多銘紅柱石 螺絲 100 7 300 300
88355.doc -65 - 1337378 表41 試驗結果 容器材質：不銹鋼 試料 使用溫度(°c) 加熱時筒狀 氣密 均熱性 備考 加熱器 容器 體間距離差 性 (%) SUS-1 850 150 0.79 mm 筒狀體破損 SUS-2 850 145 0.80 mm 筒狀體破損 SUS-3 850 150 0.49 mm 〇 ±0.2 SUS-4 850 150 0.79 mm 筒狀體破損 SUS-5 850 145 0.80 mm 筒狀體破損 SUS-6 850 150 0.49 mm 〇 ±0·2 SUS-7 850 150 0.79 mm 筒狀體破損 SUS-8 850 145 0.80 mm 筒狀體破損 SUS-9 850 150 0.49 mm 〇 ±0.2 SUS-10 850 150 0.79 mm 筒狀體破損 SUS-11 850 145 0.80 mm 筒狀體破損 SUS-12 850 150 0.49 mm 〇 ±0.2 SUS-13 850 150 0.79 mm 筒狀體破損 SUS-14 850 145 0.80 mm 筒狀體破損 SUS-15 850 150 0.49 mm 〇 ±0.2 SUS-16 850 150 0.79 mm 筒狀體破損 SUS-17 850 145 0.80 mm 筒狀體破損 SUS-18 850 150 0.49 mm 〇 ±0.2 SUS-19 500 95 0.45 mm 〇 ±0.2 SUS-20 500 93 0.45 mm 〇 ±0.2 SUS-21 500 95 0.45 mm 〇 ±0.2 SUS-22 500 93 0.45 mm 〇 ±0.2 SUS-23 500 95 0.45 mm 〇 ±0.2 SUS-24 500 93 0.45 mm 〇 ±0.2 SUS-25 500 95 0.45 mm 〇 ±0.2 SUS-26 500 93 0.45 mm 〇 ±0.2 SUS-27 500 95 0.45 mm 〇 ±0.2 SUS-28 500 93 0.45 mm 〇 ±0.2 SUS-29 500 95 0.45 mm 〇 ±0.2 SUS-30 500 93 0.45 mm 〇 ±0.2
88355.doc -66· 1337378 表42 試驗條件 容器材1 ί :氧化鋁 試料 筒狀體 加熱 常溫時筒狀體間距 器材 (mm) 材質 固定 長度 質 加熱器側 容器侧 法 (mm) (L1) (L2) Al2〇3-l 多銘紅柱石 玻璃 100 1 300 300 a1203-2 多i呂紅柱石 螺絲 100 1 300 300 A1203-3 多銘紅柱石 玻璃 100 2 300 300 A1203-4 多銘紅柱石 螺絲 100 2 300 300 Al2〇3-5 多銘紅柱石 玻璃 100 4 300 300 Α1·2〇3-6 多銘紅柱石 螺絲 100 4 300 300 Al2〇3-7 多銘紅柱石 玻璃 100 5 300 300 Al2〇3~8 多铭紅柱石 螺絲 100 5 300 300 Α12〇3-9 多銘紅柱石 玻璃 100 6 300 300 Α12Ο3Ί0 多铭紅柱石 螺絲 100 6 300 300 Α12〇3-11 多铭紅柱石 玻璃 100 7 300 300 Α12〇3-12 多铭紅柱石 螺絲 100 7 300 300 88355.doc -67- 1337378 表43 試驗結果 容器材質：氧化鋁 試料 使用溫度(°C) 加熱時筒狀 氣密 均熱性 備考 加熱器 容器 體間距離差 性 (%) AI2O3-1 500 96 0.45 mm 〇 ±0.2 Al2〇3-2 500 94 0.46 mm 〇 士0.2 Al2〇3-3 500 96 0.45 mm 〇 ±0.2 Al2〇3-4 500 94 0.46 mm 〇 ±0.2 AI2O3-5 500 96 0.45 mm 〇 ±0.2 Α1ζ〇3-6 500 94 0.46 mm 〇 ±0·2 Al2〇3-7 500 96 0.45 mm 〇 士 0.2 Al2〇3~8 500 94 0.46 mm 〇 ±0.2 Al2〇3-9 500 96 0.45 mm 〇 ±0·2 αι2ο3-ι〇 500 94 0.46 mm 〇 ±0.2 αι2ο3-ιι 500 96 0.45 mm 〇 ±0.2 Α12〇3-12 500 94 0.46 mm 〇 ±0.2 88355.doc 68- 1337378 表44 試驗條件 加熱器材質：3 (氮化鋁） 試料 柱狀體 容器 材質 常溫時柱狀體間距 (mm) 材質 固定法 長度 (mm) 加熱器 側（L1) 容器側 (L2) 3-80 多铭紅柱石 玻璃 100 A1 300 300 3-81 多铭紅柱石 玻璃 100 A1 300 300 3-82 多在呂紅柱石 螺絲 100 A1 300 300 3-83 多銘紅柱石 嵌入 100 A1 300 300 3-84 A1N 玻璃 100 A1 300 300 3-85 A1N 嵌入 150 A1 300 300 3-86 A1N 玻璃 150 A1 300 300 3-87 A1N 螺絲 150 A1 300 300 3-88 A1N 螺絲 150 A1 299.5 300 3-89 A1N 螺絲 150 A1 300 300.5 3-90 A1N 一體成型 150 A1 300 300.5 3-91 Si3N4 玻璃 150 A1 300 300 3-92 AI2O3 玻璃 150 A1 300 300 3-93 AI2O3 嵌入 150 A1 300 300 3-94 SiC 玻璃 150 A1 300 300 3-95 Ni 壤材 150 A1 300 300 3-96 W 蝶材 150 A1 300 300 3-97 w 嵌入 150 A1 300 300 3-98 Mo 壤材 150 A1 300 300 3-99 不銹鋼 螺絲 150 A1 300 300 88355.doc -69 - 1337378 表45 試驗結果 加熱器材質：3 (氮化鋁） 試料 使用溫度(°C) 加熱時筒 狀體間距 離差 氣密 性 均熱性 (%) 備考 加熱 器 容器 3-80 500 95 0.02 mm ◎ ±0.2 佳 3-81 850 150 0.11 mm ◎ ±0.2 3-82 850 145 0.15 mm ◎ ±0.2 3-83 850 145 0.15 mm ◎ ±0.2 3-84 850 _ 0形環破損 3-85 800 50 0.73 mm 〇 ±0.4 強制用水冷卻 3-86 500 180 0.57 mm 〇 ±0.4 3-87 800 50 0.73 mm 強制水冷、柱狀 體破損 3-88 850 50 0.30 mm ◎ ±0.4 3-89 850 50 0.30 mm ◎ ±0.4 3-90 850 50 0.30 mm ◎ ±0.4 3-91 850 110 0.39 mm 〇 ±0.3 3-92 850 120 0.32 mm 〇 ±0.3 3-93 850 118 0.33 mm 〇 ±0.3 3-94 850 200 0.23 mm ◎ ±0.4 3-95 850 - 柱狀體安裝時 破損 3-96 500 170 0.50 mm 〇 ±0.4 3-97 500 167 0.48 mm 〇 ±0.4 3-98 500 170 0.50 mm 〇 ±0.4 3-99 500 105 0.05 mm ◎ ±0.3 88355.doc -70- 1337378 (實施例2) 使用實施例所使用之試料3-1之晶圓保持體。將不銹鋼製 的反射板予以安裝於此’並將陶瓷加熱器升溫至, 測定其消費電力。在反射板’係以能貫通筒狀體及/或支持 體之狀態’而開啟直徑12 mm之孔。此外，改變反射板和陶 瓷加熱器之間的安裝距離’而進行消費電力之測定。此時 之不錄鋼板係厚度0.5 mm’直徑330 mm，表面粗度Ra=〇〇5 ym。將其結果表示於下述表46。 表46 加熱器/反射板間距離（mm) 消費電力fW) 益 »·»、 _ 1200 15 ----- 850 30 ' —. 900 50 1050 70 1150 90 1200 此外’有關於自陶瓷：加熱器而將反射板的位置固.定於1 5 mm，並改變反射板的表面粗度者，測定相同之消費電力。 將所得之結果表示於表47。由此等之結果，而列定藉由使 用表面粗度Ra為1.0/zm以下，甚至係o.iym以下之反射板 ’並設置於接近陶瓷加熱器之位置，即能減低消費電力。 88355.doc 71 1337378 表47 反射板表面粗唐Ra 消費電力 _ _ 0.05 850 0.10 900 0.5 950 -—^_ --___1〇50_ _ 3.0 1200 (實施例3) 和實施例1同樣地，藉由附帶破璃而安裝多鋁紅柱石製的 筒狀體和支持體的—端於實施例】所使用之氮化紹加熱器 。此時，#筒狀體和支持體之陶瓷加熱器接合面的端面進 行研磨加工，並藉由改變往陶是加熱器之安裝角度而改變 平行度。進而安裝該筒狀體和支持體之另—端側於銘製之 反應容器’且將反應容器内抽取成真空狀態，而測定氮漏 比率。將其結果表示^ τ述表48。又，此時所使用之多链 紅柱石之筒狀體和支持體之〇形環擋接面附近之表面粗度 均為Rag〇.3gm，以光學顯微鏡而觀察其表面的結果，確 沿被超過0 · 〇 5 mm之缺陷。 表48 筒狀體/支持體平行度（mm) —-- 氦漏比率 1.5 ------ Vf am to) --容器安裝時破損 _ 1.0 l.Oxi π-7 0.5 -——__ -. 7.0 X 1 〇·9 0.3 ------1 -. 1.0 X 1〇-9 88355.doc • 72· 1337378 (實施例4) 繼，有關於複數個多銘紅柱石之筒狀體，改變安裝於 反應容器時之〇形環擋接面附近之表面粗度，並以和實施例 1相同的方法’藉由附帶破璃之方式而安裝其—端於陶竞加 熱益又後’將反應容器内抽取成真空狀態，並測定封止部 伤之氦漏比率。將其結果表示於下述表4 9。 表49 表面粗度 真空潤滑 氦漏比率 Ra (μηι) 油塗敷 (Pam3/q、 6.0 有 益法刺含 ... 5.0 有 1.0X1 〇'7 5.0 無 ---- 無法測定 3.0 有 2.5 X 1〇'8 1.0 有 —'—--- 1 .〇 X ίο-9 1.0 無 ---- 1.0 X 1〇-7 0.5 無 5.0 X 10·9 ___0,3 無 1.0 X 1〇-9 ___0.2 0.7X 1〇-9 (實施例5) 對實施例1所使用之氮化铭加熱器，使用和實施例〖相同 的多鋁紅柱石製的筒狀體。自此等多鋁紅柱石製的筒狀體 之中’在0形環擋接面附近’挑選出大小相異之缺陷者，並 和無缺陷者均分別將此等附帶玻璃於氮化鋁加熱器。此後 ’安裝筒狀體之另一端側於反應容器，並於抽取成真空狀 88355.doc -73- 1337378 態之後，測定〇形環擔接面之氦漏比 册其結果表示
述表 5 0 ; ~F 表50 _ 缺陷直徑（mm) 真空潤滑油塗敷
(實施例6) 和實施例!同樣地，藉由附帶破璃而 筒狀體和支持體於實施例1所使用之^ ，工王石寒 將筒狀體和支持體之陶完加散器接2叙加熱器。此3 工，並藉由改變往陶竟加熱器之安；面的端面進行研磨 器和反應容器之平行度。 裝角度而改變陶资加 之反應4器，且將反應容器内此悄竞加熱器於銘 圓之裝卸試驗。 將其結果表示於下述表51狀』並進盯 88355.doc 1337378 表51 加熱器/容器 平行度imm、 ------------------ ------ 晶圓安裝結果 1.5 安裝時掉落 1.0 ----- ——'— 未掉落，晶圓端面係上升至晶圓凹S … 0.5 -—----' --. 未掉落，晶圓端面係上升至晶圓凹适 0,2 均無掉落、上升之情形 0.1 ' —.-均無掉落、上升之情形 (實施例7) 為了比較陶瓷加勢器之耐蝕性，而對上述表1所示之各陶 受燒成體進行表面研磨，有關於加工後之各燒成體試料 以如下之要領而確認其實用性。 首先’將另外所使用之氮化鋁系陶瓷作成陣列狀，並準 備埋設…燈絲於此之碟狀加熱器。繼之，裝載表I之各燒成 體試料於該加熱器上，並配置於使用13 56 MHz之高頻之電 毁產生裝置之真空箱室内。在加熱溫度⑽。c、A氣體之 電聚密度1.4 WW之環境下，將此等之各燒成體試料予以 處理5小時。此後’確認電聚照射面之蚀刻凹洞之密度（使用 掃描型電子顯微鏡而觀察時，存在於表面任意之_〆 之視野内之最大口徑為1 m以上 乂·四洞數），並將其結果予 以表示於下述表52。 88355.doc -75- 1337378 表52 試料- 陶定力D熱器 ----要成Y八 燒成助劑 (添加量） 凹洞數 1 ----惠化叙 • ----— 18 2 '—-- 氣仆^r Υ2〇τ (0.05%) 9 3 ------— 氮彳匕# Y20, (0.5%) --- 4 4 -------- 1 Vj 氣化名R Υ20, (1.0%) ' 6 5 匕鋁 Υ203 (5.0%) 17 6 __氮化！呂 Eu203 (0.5%) 11 7 ' ----- ___銘 Nd203 (0.5%) —--- 10 8 碳化矽 ------- 22 9 '~~ ---- 氧化銘 MgO (0.5%) ——^ 25 10 匕矽 Y2O3 (0.5%) ----^ 32 11 • *— 氮化鋁 Y2〇3 (3.0%) —--_ 13 ------- 由以上之結果而得知，有關於耐蝕性，則以氮化鋁為優 異，特別是其燒成助劑量為0 〇5重量％以上〖〇重量％以下者 較為理想。 (實施例8) 對有關於獲得實施例1中極佳結果之各個晶圓保持體，分 別組裝於半導體製造裝置，而進行電漿CVD、減壓CVD、 Low-k膜淬燒、電漿蝕刻、以及絕緣膜cvd之各項處理。其 結果，在任意一項之晶圓處理中，均不致於產生固定筒狀 體或支持體之破損’特別是在Low-k膜淬燒用當中，係能獲 得極特別之均質的膜質。 •76· 88355.doc (實施例9) 繼之、、 β己載有關於本發明之各種構造例。此等之構造係 此因應於各用途或反應容器的形狀等而作各種選擇。例如 如圖7Α所示，設置支持體5b於反應容器4的中央附近。此 時，如未將支持體5b固定於反應容器4時，則對陶瓷加熱器 ，接。支持體5b即可，未接合亦可。此外，相反地，亦可 =取將支持體5b以蠟附於反應容器4側等之方法而予以固 疋，而在陶瓷加熱器2側係未固定之構造。此外，如圖Μ 或圖7B所示，設置複數個筒狀體&或支持體几，據此即能 支，加熱器。此時，未固定筒狀心或支持體讣於反 ^容器4時，則對陶竟加熱器2而接合筒狀體&或支持體外 ^可’未接合亦可。此外，相反地，亦可採取將筒狀體^ 或支持體5b以蠟附於反應容器4側等之方法而予以固定，而 在陶瓷加熱咨2側係未固定之構造。又，未固定如此之筒狀 體&或支持㈣於陶竞加熱器之構造時，由於該筒狀㈣ 或支持體5b係無須滿足本發明之關係式，故能設置於自由 的位置。 產業上之利用可能性 根據本發明，則有關於用以供電至陶走加熱器之電極端 子或導線 '甚至係能收容溫度測定元件之筒狀體、或支持 陶竟加熱器之支持體，即使固定於陶党加熱器和反應容器 時’亦無產生破損之情形’並能提供可大幅提升信賴性之 晶圓保持體、以及使用該晶圓保持體之半導體製造裝置。 【圖式簡單說明】 88355.doc -77- 丄 :1A係本發明之晶圓保持體之—具體例，且表示設置於 反應容器内之狀態之概略截面圖。 圖1B係本發明之晶圓保持體之另外的具體例，且表示設 置於反應容器内之壯能， 狀態〈概略截面圖。 圖2 A係表示本發明少h λ <陶竟加熱器和筒狀體之玻璃之固定 万法之概略截面圖。 圖2 Β係表示本發明 方法之概略截面圖。 圖3 Α係表示本發明 方法之概略截面圖。 圖3 B係表示本發明 方法之概略截面圖。 之陶资加熱器和支持體之玻璃之固定 <陶竞加熱器和筒狀體之蠟材之固定 之陶资加熱器和支持體之蠟材之固定 圖4A係表示本發明 方法之概略截面圖。 熱器和筒狀體之螺帽之固定 圖4B係表示本發明 方法之概格截面圖。是加熱器和支持體之螺帽之固定 圖5 A係表示本發明 方法之概略截面圖。 圖5B係表示本發明 方法之概略截面圖。
之陶瓷加熱器和 之陶瓷加熱器和 筒狀體之嵌入之固 支持體之嵌入、之固 定 定 圖6 A係表示本發明 方法之概略截面圖 圖6B係表示本發明 方法之概略截面圖 〈陶瓷加熱器和筒狀體之—體化之固 〇 之陶走加熱器和支持體之-體化之固 88355.doc •78- 1337378 圖7 A係具備複數個筒狀體或支持體之晶圓保持體之一例 ，且表示設置於反應容器内之狀態之概略截面圖。 圖7B係具備複數個筒狀體或支持體之晶圓保持體之另外 例，且表示設置於反應容器内之狀態之概略截面圖。 【圖式代表符號說明】 1 晶圓保持體 2 陶瓷:加熱器 3 電阻發熱體 4 反應容器 5 固定筒狀體 5 a 固定支持體 5b 支持體 5c 筒狀體 6 0形環 7 導線 8 溫度測定元件 10 玻璃 11 蠛材 12 螺帽 13 挫面部 88355.doc -79 -
Claims (1)
1337378第〇92]26674號專利申請案 -,__,—, · 中文申請專利範圍替換本(卯年2月）呢年1.月本 拾、申請專利範圍 -- I. 一種晶圓保持體，其特徵為用於在藉由筒狀體而支持於 反應容器内之陶瓷加熱器上保持半導體晶圓而進行處 理；且該筒狀體之至少2個係將一端固定於陶瓷加熱器 及將另一端側固定於反應容器之固定筒狀體；設 陶瓷加熱器之最高到達溫度為τ 1、 陶瓷加熱器之熱膨脹係數為α 1、 反應容器之最高到達溫度為Τ2、 反應容器之熱膨脹係數為α2、 固疋筒狀體間之常溫之在陶瓷加熱器上之最長距離 為L1、 固定筒狀體間之常溫之在反應容器上之最長距離為 L2時，則滿足： |(TlxalxLl)-(T2xa2xL2)|^ 0.7 mm 之關係式。 2.如申請專利範圍第1項之晶圓保持體，其中 前述關係式係 |(TlxalxLl)-(T2xa2xL2)|S 0·3 mm。 3. 4. 如申請專利範圍第1之晶圓保持體，纟中前述陶瓷加 熱器之熱膨脹係數為8.0χ10·6/Κ以下，且反應容器之熱膨 脹係數為15χ10·6/Κ以上。 / ，其中前述陶瓷加 且反應容器之熱膨 如申請專利範圍第3項之晶圓保持體 熱器之熱膨脹係數為6 〇χ1〇-6/Κ以下， 脹係數為20χ10·6/κ以上。 88355-980212.doc 1337378 5.如申請專利範圍第i項之晶圓保持體，其中自前述固定， 筒狀體及/或固定支持體之陶曼加熱器至反應容器為止 之長度係320 mm以下。 6·如申請專利範圍第1項之晶圓保持體，其中自前述固定 筒狀體及/或固定支持體之陶瓷加熱器至反應容器為止 之長度係150 mm以下，且其固定筒狀體及/或固定支持 體之熱傳導率係3 0 以下。 7，如申請專利範圍第1項之晶圓保持體，其中前述反應容 器未被水冷卻。 I 8. 如申請專利範圍第丨項之晶圓保持體，其中在前述反應 容器和前述陶瓷加熱器之間，具備用以反射陶瓷加熱器 的熱之反射板。 9. 如申請專利範圍第1項之晶圓保持體，其中固定兩端於 月’J述反應谷器側和前述陶瓷加熱器側之固定筒狀體及/ 或固疋支持體的各平行度係1 〇 mm以内。 1 0.如申請專利範圍第9項之晶圓保持體，其中前述固定筒 狀體及/或固疋支持體的各平行度係〇.3 mm以内。 籲 Π.如申請專利範圍第1項之晶圓保持體，其中具備固定於 月’J述反應容器且用以和前述反應容器外保持氣密的〇形 環’前述筒狀體及/或支持體之和0形環抵接面附近的表 面粗度Ra為5.〇ym以下。 12·如申請專利範圍第丨丨項之晶圓保持體，其中前述筒狀體 及/或支持體之和〇形環抵接面附近的表面粗度以為10 // m以下。 88355-980212.doc -2- 1337378 13_如申請專利範圍第12項之晶圓保持體，其中前述筒狀體 及/或支持體之和〇形環抵接面附近的表面粗度以為〇3 m以、下。 14. 如申請專利範圍第1項之晶圓保持體，其中具備固定於 前述反應容器且用以和前述反應容器外保持氣密之〇形 環’存在於前述筒狀體及/或支持體之和〇形環抵接面附 近的表面缺陷的大小係直徑1 mm以下。 15. 如申請專利範圍第14項之晶圓保持體，其中存在於前述 筒狀體及/或支持體之和〇形環抵接面附近的表面缺陷 的大小係直徑0.3 mm以下。 16. 如申請專利範圍第15項之晶圓保持體，其中存在於前述 筒狀體及/或支持體之和〇形環抵接面附近的表面缺陷 的大小係直徑〇.〇5 mm以下。 1 7.如申請專利範圍第1項之晶圓保持體，其中前述陶瓷加 ,，，、器和刖述反應谷器底部的平行度係1. 〇 mm以内。 18. 如申請專利範圍第17項之晶圓保持體，其中前述陶瓷加 熱器和别述反應谷器底部的平.行度係0.2 mm以内。 19. 如申請專利範圍第1項之晶圓保持體，其中前述陶究加 熱器之主要成份係氧化鋁、氮化矽、氮化鋁、碳化矽中 之任何一個。 2〇♦如”專利範圍第i項之晶圓保持體，纟中前述陶究加 熱益之主要成份係I化紹，前述反應容器之主要成份係 鋁或鋁合金，以及前述固定筒狀體及/或固定支持體之主 要成份係多銘紅柱石或多紹紅柱石_氧化銘之複合體。 88355-980212.doc 21.1337378 一種半導體製造I置，其特徵在於：搭載有如申請專利 範圍第1項之晶圓保持體。 22. 23. 如申請專利範圍第21項之半導體製造裝置，其中使用於 Low-k膜燒成。 一種晶圓保持體，其特徵為用於在藉由筒狀體及/或支持 體而支持於反應容器内之陶瓷加熱器上保持半導體晶 圓而進行處理；且該筒狀體及/或支持體之至少2個係將 一端固定於陶瓷加熱器及將另一端側固定於反應容器 之固定筒狀體及/或固定支持體；設 陶瓷加熱器之最高到達溫度為T1、 陶瓷加熱器之熱膨脹係數為αΐ、 反應容器之最高到達溫度為Τ2、 反應容器之熱膨脹係數為cx2、 固定筒狀體及/或固定支持體間之常溫之在陶竞加熱 器上之最長距離為L1、 固定筒狀體及/或固定支持體間之常溫之在反應容器 上之最長距離為L2時，則滿足： |(TlxalxLl)-(T2xa2xL2)|^ 0.7 mm 之關係式。 24. 25. 如申請專利範圍第23項之晶圓保持體，其中 前述關係式係 KTlxalxLl)-(T2xa2xL2)|S 0.3 mm。 如申請專利範圍第23項之晶圓保持體，其中前述陶究加 熱器之熱膨脹係數為8.0x1 O'K以下，且反應容器之熱膨 88355-980212.doc -4- 1337378 脹係數為15χ1(Γ6/Κ以上。 26. 如申請專·圍仏項之晶圓保持體，其中前述陶究力 熱器之熱膨脹係數為6·0χ10·6/Κ以下，且反應容器之^ 脹係數為20χ10·6/Κ以上。 夕 27. 如申請專利範圍第23項之晶圓保持體，其中自前述固定 筒狀體及/或固定支持體之陶竞加熱器至反應容器為止 之長度係3 20 mm以下。 28. 如申請專利範圍第32項之晶圓保持體，其中自前述固定 筒狀體及/或固定支持體之陶:光加熱器至反應容器為止 之長度係150 mm以下，且其固定筒狀體及/或固定支持 體之熱傳導率係30 W/mK以下。 29. 如申請專利範圍第23項之晶圓保持體，其中前述反應容 器未被水冷卻。 30. 如申研專利範圍第23項之晶圓保持體，其中在前述反應 容器和前述陶瓷加熱器之間，具備用以反射陶瓷加熱器 的熱之反射板。 31. 如申請專利範圍第23項之晶圓保持體，其中固定兩端於 則述反應谷器側和前述陶瓷加熱器側之固定筒狀體及/ 或固定支持體的各平行度係i.Omm以内。 32·如申請專利範圍第31項之晶圓保持體，其中前述固定筒 狀體及/或固定支持體的各平行度係〇 3 mm以内。 33.如申請專利範圍第23項之晶圓保持體，其中具備固定於 刖述反應谷器且用以和前述反應容器外保持氣密的〇形 環，前述筒狀體及/或支持體之和〇形環抵接面附近的表 88355-980212.doc 1337378 面粗度Ra為5.0；am以下。 34.如申請專利範圍第33項之晶圓保持體，其中前述筒狀體 及/或支持體之和0形環抵接面附近的表面粗度以為1.0 // m以下。 3 5.如申請專利範圍第34項之晶圓保持體，其中前述筒狀體 及’或支持體之和Ο形環抵接面附近的表面粗度以為0.3 # m以下。 3 6.如申請專利範圍第23項之晶圓保持體，其中具備固定於 前述反應容器且用以和前述反應容器外保持氣密之〇形 環’存在於前述筒狀體及/或支持體之和〇形環抵接面附 近的表面缺陷的大小係直徑1 mm以下。 37.如申請專利範圍第36項之晶圓保持體，其中存在於前述 筒狀體及/或支持體之和〇形環抵接面附近的表面缺陷 的大小係直徑0.3 mm以下。 3 8.如申請專利範圍第37項之晶圓保持體，其中存在於前述 筒狀體及/或支持體之和〇形環抵接面附近的表面缺陷 的大小係直徑0.05 mm以下。 39. 如申請專利範圍第23項之晶圓保持體，其中前述陶究加 熱器和前述反應容器底部的平行度係丨.〇 mm以内。 40. 如申請專利範圍第39項之晶圓保持體，其中前述陶瓷加 熱器和前述反應容器底部的平行度係0_2mm以内。 41. 如申請專利範圍第23項之晶圓保持體，其中前述陶瓷力 熱器之主要成份係氧化鋁、氮化矽、氮化鋁、碳化矽中 之任何一個。 88355-9802I2.doc 1337378 42. 如申請專利範圍第23項之晶圓保持體，其甲前述陶兗加 熱器之主要成份係氮化鋁，前述反應容器之主要成份係 鋁或鋁合金，以及前述固定筒狀體及/或固定支持體之主 要成份係多紹紅柱石或多銘紅柱石-氧化銘之複合體。 43. —種半導體製造裝置，其特徵在於··搭載有如申請專利 範圍第23項之晶圓保持體。 44. 如申請專利範圍第43項之半導體製造裝置，其中使用於 Low-k膜燒成。 88355-980212.doc
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002282120 | 2002-09-27 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW200416848A TW200416848A (en) | 2004-09-01 |
| TWI337378B true TWI337378B (zh) | 2011-02-11 |
Family
ID=32040527
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW092126674A TW200416848A (en) | 2002-09-27 | 2003-09-26 | Wafer holder and semiconductor manufacturing device |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20050166848A1 (zh) |
| EP (1) | EP1544898A1 (zh) |
| KR (1) | KR100985970B1 (zh) |
| CN (1) | CN100355020C (zh) |
| TW (1) | TW200416848A (zh) |
| WO (2) | WO2004030411A1 (zh) |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW200508413A (en) * | 2003-08-06 | 2005-03-01 | Ulvac Inc | Device and method for manufacturing thin films |
| EP1772901B1 (en) * | 2005-10-07 | 2012-07-25 | Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. | Wafer holding article and method for semiconductor processing |
| DE102005056536A1 (de) * | 2005-11-28 | 2007-05-31 | Aixtron Ag | CVD-Reaktor mit widerstandsbeheiztem Suszeptor |
| KR100867191B1 (ko) * | 2006-11-02 | 2008-11-06 | 주식회사 유진테크 | 기판처리장치 및 기판처리방법 |
| WO2010114482A1 (en) * | 2009-04-02 | 2010-10-07 | Trimech Technology Pte Ltd | Long thermode assembly |
| US20100326357A1 (en) * | 2009-06-30 | 2010-12-30 | Wei-Hung Huang | Nozzle and furnace having the same |
| US20120196453A1 (en) * | 2011-02-01 | 2012-08-02 | Arizona Board Of Regents For And On Behalf Of Arizona State University | Systems and Methods for Susceptor Assisted Microwave Annealing |
| US10242890B2 (en) * | 2011-08-08 | 2019-03-26 | Applied Materials, Inc. | Substrate support with heater |
| TW201436091A (zh) * | 2013-01-30 | 2014-09-16 | Kyocera Corp | 試料保持具及使用其之電漿蝕刻裝置 |
| CN106319483A (zh) * | 2015-06-17 | 2017-01-11 | 英属开曼群岛商精曜有限公司 | 加热装置 |
| JP6690918B2 (ja) * | 2015-10-16 | 2020-04-28 | 日本特殊陶業株式会社 | 加熱部材、静電チャック、及びセラミックヒータ |
| JP6697363B2 (ja) * | 2015-10-30 | 2020-05-20 | 日本碍子株式会社 | 半導体製造装置用部材、その製法及びシャフト付きヒータ |
| KR102137719B1 (ko) * | 2016-03-25 | 2020-07-24 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | Rf 전력 전달이 향상된 세라믹 가열기 |
| CN105789097B (zh) * | 2016-05-04 | 2019-03-26 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 系统级封装用陶瓷针栅阵列外壳平行缝焊用夹具 |
| KR102329513B1 (ko) * | 2016-05-10 | 2021-11-23 | 램 리써치 코포레이션 | 적층된 히터와 히터 전압 입력부들 사이의 연결부들 |
| JP6847610B2 (ja) * | 2016-09-14 | 2021-03-24 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 熱処理装置 |
| JP6758143B2 (ja) * | 2016-09-29 | 2020-09-23 | 日本特殊陶業株式会社 | 加熱装置 |
| JP6837806B2 (ja) * | 2016-10-31 | 2021-03-03 | 信越化学工業株式会社 | 加熱素子 |
| JP6470878B1 (ja) | 2017-06-13 | 2019-02-13 | 日本碍子株式会社 | 半導体製造装置用部材 |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3249765B2 (ja) * | 1997-05-07 | 2002-01-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
| JPH0628258B2 (ja) * | 1990-07-20 | 1994-04-13 | 日本碍子株式会社 | 半導体ウエハー加熱装置及びその製造方法 |
| US5306895A (en) * | 1991-03-26 | 1994-04-26 | Ngk Insulators, Ltd. | Corrosion-resistant member for chemical apparatus using halogen series corrosive gas |
| JP2525974B2 (ja) * | 1991-03-26 | 1996-08-21 | 日本碍子株式会社 | 半導体ウエハ―加熱装置 |
| JP3180930B2 (ja) * | 1992-10-09 | 2001-07-03 | アネルバ株式会社 | 薄膜作製装置 |
| US5753891A (en) * | 1994-08-31 | 1998-05-19 | Tokyo Electron Limited | Treatment apparatus |
| JP3028462B2 (ja) * | 1995-05-12 | 2000-04-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置 |
| US6035101A (en) * | 1997-02-12 | 2000-03-07 | Applied Materials, Inc. | High temperature multi-layered alloy heater assembly and related methods |
| JP3318514B2 (ja) * | 1997-08-06 | 2002-08-26 | 日本碍子株式会社 | 半導体支持装置 |
| JP3512650B2 (ja) * | 1998-09-30 | 2004-03-31 | 京セラ株式会社 | 加熱装置 |
| JP3142520B2 (ja) * | 1998-10-30 | 2001-03-07 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 電気導入端子の接続構造 |
| JP4005268B2 (ja) * | 1999-06-01 | 2007-11-07 | 日本碍子株式会社 | セラミックスと金属との接合構造およびこれに使用する中間挿入材 |
| JP2001015249A (ja) * | 1999-06-30 | 2001-01-19 | Kyocera Corp | セラミックヒーター |
| JP4203206B2 (ja) * | 2000-03-24 | 2008-12-24 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置 |
| JP2002260832A (ja) * | 2001-02-28 | 2002-09-13 | Kyocera Corp | セラミックヒーター及びこれを用いたウエハ加熱装置 |
| JP3870824B2 (ja) * | 2001-09-11 | 2007-01-24 | 住友電気工業株式会社 | 被処理物保持体、半導体製造装置用サセプタおよび処理装置 |
| KR100937540B1 (ko) * | 2002-03-13 | 2010-01-19 | 스미토모덴키고교가부시키가이샤 | 반도체 제조 장치용 유지체 |
| JP3808407B2 (ja) * | 2002-07-05 | 2006-08-09 | 住友大阪セメント株式会社 | 電極内蔵型サセプタ及びその製造方法 |
-
2003
- 2003-03-19 WO PCT/JP2003/003380 patent/WO2004030411A1/ja active Application Filing
- 2003-09-26 TW TW092126674A patent/TW200416848A/zh not_active IP Right Cessation
- 2003-09-26 US US10/503,784 patent/US20050166848A1/en not_active Abandoned
- 2003-09-26 EP EP03748595A patent/EP1544898A1/en not_active Withdrawn
- 2003-09-26 KR KR1020047009494A patent/KR100985970B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2003-09-26 WO PCT/JP2003/012311 patent/WO2004030055A1/ja active Application Filing
- 2003-09-26 CN CNB038018373A patent/CN100355020C/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2004030055A1 (ja) | 2004-04-08 |
| KR100985970B1 (ko) | 2010-10-06 |
| CN1610961A (zh) | 2005-04-27 |
| KR20050042746A (ko) | 2005-05-10 |
| TW200416848A (en) | 2004-09-01 |
| WO2004030411A1 (ja) | 2004-04-08 |
| CN100355020C (zh) | 2007-12-12 |
| EP1544898A1 (en) | 2005-06-22 |
| US20050166848A1 (en) | 2005-08-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI337378B (zh) | ||
| US6921881B2 (en) | Ceramic joint body | |
| EP1418160A1 (en) | CERAMIC CONNECTION BODY&comma; METHOD OF CONNECTING THE CERAMIC BODIES&comma; AND CERAMIC STRUCTURAL BODY | |
| WO2004028208A1 (ja) | ウエハー保持体及び半導体製造装置 | |
| WO2001063972A1 (fr) | Substrat en ceramique et son procede de production | |
| JP2004132702A (ja) | 測温装置及びそれを用いたセラミックスヒータ | |
| US9536728B2 (en) | Lamp for rapid thermal processing chamber | |
| WO2002042241A1 (fr) | Corps fritte de nitrure d'aluminium, procede de production d'un corps fritte de nitrure d'aluminium, substrat ceramique et procede de production d'un substrat ceramique | |
| TW200525618A (en) | Semiconductor manufacturing apparatus | |
| JP2008004926A (ja) | ウエハ保持体とその製造方法及び半導体製造装置 | |
| US20090283034A1 (en) | Wafer holder, manufacturing method thereof and semiconductor manufacturing apparatus | |
| JP2002329567A (ja) | セラミック基板および接合体の製造方法 | |
| JP2001237053A (ja) | 半導体製造・検査装置用セラミックヒータおよび支持ピン | |
| TWI248130B (en) | Semiconductor or liquid crystal manufacturing apparatus | |
| JP4305443B2 (ja) | 半導体製造装置用保持体 | |
| JP2008145244A (ja) | 熱電対 | |
| JP2004140347A (ja) | ウエハー保持体及び半導体製造装置 | |
| JP2001267381A (ja) | 半導体製造・検査装置 | |
| TW200304909A (en) | Aluminum nitride sintered compact, ceramic substrate, ceramic heater and electrostatic chuck | |
| FR1465758A (fr) | Thermocouple | |
| JP2003168724A (ja) | 半導体製造・検査装置用セラミック基板およびその製造方法 | |
| JP2003059628A (ja) | 半導体製造・検査装置用セラミックヒータ | |
| JP2002252270A (ja) | ホットプレートユニット | |
| JP2003292386A (ja) | 接合体およびその製造方法 | |
| JP2001313330A (ja) | 半導体製造・検査装置用セラミック基板 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |