TWI336222B - Method for fabricating flexible array substrate and substrate module - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 175
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 56
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 39
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 39
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 27
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 13
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 4
- 238000004049 embossing Methods 0.000 claims description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000013316 zoning Methods 0.000 description 1
Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
- H01L27/1262—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or coating of the substrate
- H01L27/1266—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or coating of the substrate the substrate on which the devices are formed not being the final device substrate, e.g. using a temporary substrate
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1218—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or structure of the substrate
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- Thin Film Transistor (AREA)
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Description
1336222 AU0605051 21909twf.doc/n 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於一種陣列基板的製造方法,且特別是 有關於一種可撓式陣列基板的製造方法。 【先前技術】 以可撓性基板取代硬質基板製作顯示器已成為下世 代顯不器發展的趨勢。平面顯示器是否具備可撓性,取決 ^其所使㈣基板材質。當平面顯示騎使用的基板為硬 質基板(rigid substrate)時,平面顯示器將不具有可撓性。反 當平Φ㈣騎使㈣基板為可她基板(如歸基板) 時,平面顯示器便具有良好的可撓性。目前,在硬質其板 上製作薄膜電晶翻技術已漸趨絲,但在㈣二 製作薄膜電晶體的技術仍有待開發。 土 板板導入製㈣需求’可利用硬質基 板支撐可撓性基板’於現有設備中進行製程,以降低製迕 般來說,若要在可撓性基板上製作_電晶體’ 通吊需先將可撓性基板黏著於硬f基板上,之後再進行一 2的成膜製程。目前將可撓性基板黏著於硬質基板上的 法通常是以骑劑全面性塗佈於可撓性基板與硬質基板 =間。然而’全面性塗佈黏著劑會使得轉劑的用量較^, =ίΓ:Γ基,硬質基板時,黏著劑中容易有氣 。再者’於製程結束後,必須考慮到可繞性基板 疋谷易攸硬質基板上取下而不傷及成膜製程中所製作的 AU0605051 21909twf.doc/n 元件因此可撓性基板與硬質基板之間的接合(bonding) 將影響可撓性陣列基板的製程良率。 【發明内容】 本發明提供一種可撓性陣列基板的製造方法,以提升 可撓性陣列基板的製程良率。 本發明另提供一種基板模組,以改善可撓性基板與硬 質基板之間黏著劑中的氣泡問題。 本發明提出一種可撓性陣列基板的製造方法,其包括 下列步驟。首先,提供一具有一第一表面以及一第二表面 之可撓性基板。然後,於可撓性基板之第一表面上形成多 個溝渠。接著,提供一黏著劑於溝渠中。然後,藉由黏著 劑接合可撓性基板以及一硬質基板。之後,於可撓性基板 之第二表面上進行一成膜製程。 在本發明之一實施例中,提供黏著劑於溝渠中之方法 例如是提供黏著劑於可橈性基板之第一表面上之溝渠中。 在本發明之一實施例中’可撓性陣列基板的製造方法 更包括移除位於可撓性基板之第一表面上之黏著劑。 在本發明之一實施例中,可撓性陣列基板的製造方法 更包括切割可撓性基板以形成多個可撓性區塊。 在本發明之一實施例中,移除位於可撓性基板之第一 表面上之黏著劑之步驟是在切割可撓性基板以形成可撓性 區塊之步驟後進行。 在本發明之一實施例中,可撓性陣列基板的製造方法 1336222 AU0605051 21909twf.doc/n 更包括提供一能量於黏著劑’其中能量例如是光、熱或上 述組合。 在本發明之一實施例中’在完成該成膜製程後,可燒 性陣列基板的製造方法可進一步使可撓性基板與硬質基^ 分離。 、 ^ 在本發明之一實施例中,上述之可撓性基板例如是一 塑膠基板,而硬質基板例如是一玻璃基板。
在本發明之一實施例中,溝渠的形成方法例如是蝕 刻、浮雕印刷(embossing)或是雷射加工(lasermachining)。 在本發明之一實施例中,上述之溝渠例如是彼此平行 或是彼此交錯地排列於可撓性基板之第一表面上。 一在本發明之一實施例中’上述之成獏製程例如是主動 元件陣列製程、彩色濾、光片製程,或前述製程之組合。此 外,主動70件陣列製程例如是非晶矽薄膜電晶體陣列掣 程、多晶♦薄膜電晶體陣列製程或有機薄膜電晶體陣列製 程。
—本發明另提出-種基板模組,其包括一硬質基板以及 二具有-第_表面以及-第二表面之可紐基板,其中可 板之第—表面上具有多個溝渠。此基板模組更包括 士己置=溝渠内之黏著劑’其中可撓性基板之第—表面是 糟由黏著層黏著於硬質基板上。 溝準本發明在可撓性基板之絲场成溝渠,並藉由 t二:;=rrf板與硬f基板,因此可以避 郷者以有_產生。此外,在本發明之部分實施例中, 7 1336222 AU0605051 21909twf.doc/n 當可撓性基板被切割成多個可撓性區塊時,能夠使黏著劑 被同步移除,以輕易地將可撓性區塊與硬質基板分離。因 此,本發明藉由提供可撓性基板與硬質基板一種較佳的黏 著方式,進而改善可撓性陣列基板的製程良率。 為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易懂,下文特 舉較佳實施例,並配合所附圖式,作詳細說明如下。 【實施方式】 圖1A至圖1E為依照本發明實施例所繪示之可撓性陣 列基板的製造流程剖面圖,圖2A至圖2(:所繪示為利用浮 雕印刷形成溝渠之方法,而圖3A至圖3B分別為本發明實 施例中可撓性基板之溝渠排列上視圖。 ★首先,請參照圖1A,提供一可撓性基板1〇〇,其具有 第-表面102以及第二表面刚。在本發明之一實施例中, 可撓性基板100例如是塑谬基板,❿塑勝基板之 是 PES、PET、PI 等。 ,接著請參照圖1B,於可撓性基板1〇〇之第一表面1〇2 上,成多個溝渠1〇6。請參照圖3A與圖3B,溝渠 如疋彼此平行(如圖3A)或彼此交錯(如圖3B)地排列於 二之第Γ表面10)2上。在本實施例中,溝渠‘ 兽:立例如是對應於一個顯示面板的邊界。而 t 1〇6的形成方法例如是進賴刻製程、浮雕印刷或是 辫ϋ二。蝕刻製程以及雷射加工為此領域中具有通常知 識者所熟知,故於此不再贅述。 8 1336222 AU0605051 21909twf.doc/n 另外,利用浮雕印刷形成溝渠106之方法可以如圖2a 至圖2C的製造流程所示。請參照圖2A,首先,提供一具 有第一表面102以及第二表面1〇4之可撓性基板1〇〇,以 及一具有多個突出部202之模具(mold)200。由圖2A可知, 模具200配置於可撓性基板1〇〇之第一表面1〇2的上方。 接著請參照圖2B,對模具200施以一下壓力或對可 撓性基板100施以一上壓力(未繪示),使模具2〇〇壓著於 可撓性基板1〇〇之第一表面1〇2上。由圖2B所示,模具 200之突出部202擠壓並陷入可撓性基板1〇〇中,以於可 撓性基板100之第一表面1〇2上形成與模具2〇〇之突出部 相對應之溝渠106。 δ青參照圖2C,將模具200升起,使可撓性基板1〇〇 與模具200分離。 接著,請繼續參照圖1C,提供一黏著劑112於可撓性 基板100之第一表面1〇2上之溝渠106中,並藉由黏著劑 112接合可撓性基板100以及一硬質基板1〇8。在本發明之 一實施例中,硬質基板108例如是玻璃基板。提供黏著劑 112於溝渠1〇6中的方法例如是將可撓性基板1〇〇以及硬 質基板108置入一密閉腔室中,並將此密閉腔室抽真空。 將相貼合的可撓性基板1〇〇與硬質基板108浸泡在盛有黏 著劑112的容器中。然後,使該密閉腔室的氣壓回復至大 氣壓力。利用真空環境或是低壓環境中壓力的改變以及毛 細現象’可使得容器中的黏著劑112導入可撓性基板100 與硬貝基板108之間的溝渠1〇6。之後,提供一能量(如 9 AU0605051 21909twf.doc/n 光、熱或前述組合)於黏著劑112以固化黏著劑112。詳 吕之,當黏著劑112為熱固化性材料時,本實施例可利用 加熱的方式使黏著劑112固化;當黏著劑112為光敏性材 料(如紫外線固化膠)時’本實施例可利用照射光線(如 紫外光)的方式使黏著劑112固化。因此,在可撓性基板 100之第一表面102藉由溝渠106内的黏著劑112黏^於 硬質基板108之後,即形成所謂的基板模組120。 接著請參照圖1D,於可撓性基板1〇〇之第二表面1〇4 上進行成膜製程。在本實施例中,成膜製程例如是主動元 件陣列製程、彩色濾光片製程,或前述製程之組合。詳言 之’ ¥可挽性基板1 〇〇是用以製作出主動元件陣列基板 時’本實施例可在可撓性基板100上進行主動元件陣列製 程;當可撓性基板100是用以製作出彩色濾光片基板時, 本實施例可在可撓性基板100上進行彩色渡光片製程。當 然’本實施例亦可在可撓性基板1〇〇上同時進行主動元件 陣列基板以及彩色渡光片製程,以形成具有彩色滤光薄膜 之主動元件陣列基板。承上述,主動元件陣列製程例如是 非晶石夕薄膜電晶體陣列製程、多晶石夕薄膜電晶體陣列製程 或有機薄膜電晶體陣列製程。 請參照圖1E ’切割可撓性基板1〇〇,以形成多個可撓 性區塊110。將可撓性基板1〇〇切割成可撓性區塊11〇的 方法例如是使用雷射切割(laser cutting)或是機械切割。在 本貝施例中’可挽性區塊Π0的邊界例如是對應於一個顯 示面板的邊界’亦即可撓性區塊110的邊界例如是對應於 1336222 AU0605051 21909twf.doc/n 溝渠106的分布位置。 如圖1E所示,本發明之可撓性陣列基板的製造方法 可進一步包括移除位於可撓性基板1〇〇之第一表面102上 的黏著劑112,以使可撓性區塊11〇與硬質基板1〇8分離。 值得注意的是’由於可撓性區塊110的邊界例如是對應於 溝渠106的分布位置’因此黏著劑112可在切割可撓性基 板100以形成可撓性區塊11〇時同步被移除。 綜上所述,本發明藉由可撓性基板之溝渠中的黏著劑 將可撓性基板與硬質基板相接合,因此可以避免黏著劑中 氣泡的產生。而且在進行切割可撓性基板以形成可撓性區 塊之後,本發明能將可撓性區塊輕易地與硬質基板分離而 不傷及成膜製程所製作的元件或結構。此外,切割可撓性 基板以形成可撓性區塊的同時,位於溝渠内的黏著劑^一 併被移除,因此不會有黏著劑殘留的問題產生。換言二, 之可撓性陣列基板的製造方法可以降低製造:本並 k 1¾製程的良率。 雖然本發明已以較佳實施例揭露如上,然其並非用以 限定本發明,任何所屬技術領域中具有通常知 脫離本發明之精神和範_,當可作些 =本發明之保護範圍當視後附之申請專利:二 【圖式簡單說明】 圖1 A至圖1E為依照本發明實施例所繪示之可挽性 11 1336222 AU0605051 21909twf.doc/n 陣列基板的製造流程剖面圖。 圖2A至圖2C所繪示為利用浮雕印刷形成溝渠之方 法。 圖3A至圖3B分別為本發明實施例中可撓性基板之溝 渠排列上視圖。 【主要元件符號說明】 100 :可撓性基板 102 :第一表面 104 ··第二表面 106 :溝渠 108:硬質基板 ' 110:可撓性區塊 • 112:黏著劑 120 :基板模組 200 :模具 # 202 :突出部 12
Claims (1)
1336222 AU0605051 21909twf.doc/n 十、申請專利範固: 1.一種可撓性陣列基板的製造方法,包括: 長1供一可撓性基板’該可撓性基板具有一第一表面以 及一第二表面; 於該可撓性基板之該第一表面上形成多個溝渠; 提供一黏著劑於該些溝渠中; 藉由該黏著劑接合該可撓性基板以及一硬質基板;以
於該可撓性基板之該第二表面上進行一成膜製程。 2.如申請專利範圍第1項所述之可撓性陣列基板的製 造方法,其中提供該黏著劑於該些溝渠中之步驟包括提供 該W者劑於該可撓性基板之該第一表面上之該些溝渠中。 土 3.如申請專利範圍第2項所述之可撓性陣列基^^的製 造方法,更包括移除位於該可撓性基板之該第一表面上之 該黏著劑。
^ 4.如申請專利範圍第3項所述之可撓性陣列基板的製 造方法,更包括_該可撓性基板卿❹個可撓性區塊。 5.如申請專利範圍第4項所述之可撓性陣 其中移綠於該可撓性基板之該第—表面上= 之步較在_該可撓性基㈣軸_可撓性區 塊之步驟後進行。
^如中請專利範圍第w所述之可撓性陣列基板的製 =法’更包括切_可撓性基板,㈣彡成多個可換性區 13 1336222 AU0605051 21909twf.doc/n 7. 如申請專利範圍第1項所述之可撓性陣列基板的製 造方法,更包括提供一能量於該黏著劑。 8. 如申請專利範圍第7項所述之可撓性陣列基板的製 造方法’其中該能量包括光、熱或上述組合。 9. 如申請專利範圍第1項所述之可撓性陣列基板的製 造方法’在完成該成膜製程後,更包括令該可撓性基板與 該硬質基板分離。
10. 如申請專利範圍第1項所述之可撓性陣列基板的 製造方法’其中該可撓性基板包括一塑膠基板。 ,U.如申請專利範圍第1項所述之可撓性陣列基板的 製造方法,其中該硬質基板包括一玻璃基板。 制I2’如申凊專利範圍第ί項所述之可撓性陣列基板的 製造方法,其中該些溝渠的形成方法包括蝕刻、浮雕印刷 或是雷射加工。 制、生13·、如申請專利範圍第1項所述之可撓性陣列基板的
衣k方法其中該些溝渠是彼此平行地排列於該可撓性基 板之該第一表面上。 14:如巾請專職圍第丨項所述之可撓轉列基板的 |仏方,,其中該些溝渠是彼此交錯地排列於該可撓性基 板之該第一表面上。 專她圍第1項所述之可撓轉列基板的 ’其中該成膜製程包括主動元件陣列製程、彩色 /慮无片氣程’或前述製程之組合。 如申》月專利範圍第15項所述之可撓性陣列基板的 1336222 AU0605051 21909twf.doc/n 製造方法、,其中該主動元件陣列製程包括非糾薄 體陣列製程、多轉薄膜電晶斷列製程 膜曰曰曰 體陣列製程。 守犋電日曰 i7·—種基板模組,包括: 一硬質基板;以及 一可撓性基板,具有一第一表面以及一第二表面,1 中該可撓性基板之該第一表面上具有多個溝渠;义,八
-黏著劑’配置於該些溝渠内’其巾柯撓性基板之 該第一表面是藉由該黏著劑黏著於該硬質基板上。 18. 如申請專娜圍第17項所狀基板模組,其中該 可撓性基板包括塑膠基板。 ~ 19. 如申請專利範圍第17項所述之基板模組,其中該 硬質基板包括玻璃基板。 Λ 20. 如申請專利範圍第17項所述之基板模組其中該 些溝渠是彼此平行地排列於該可撓性基板之該第一表面 h 〇
21.,申請專利範圍第17項所述之基板模組,其中該 些溝渠是彼此交錯地排列於該可撓性基板之該第一表面
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Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW095146585A TWI336222B (en) | 2006-12-13 | 2006-12-13 | Method for fabricating flexible array substrate and substrate module |
KR1020070012700A KR100852735B1 (ko) | 2006-12-13 | 2007-02-07 | 가요성 어레이 기판의 제조 방법 및 기판 모듈 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW095146585A TWI336222B (en) | 2006-12-13 | 2006-12-13 | Method for fabricating flexible array substrate and substrate module |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW200826765A TW200826765A (en) | 2008-06-16 |
TWI336222B true TWI336222B (en) | 2011-01-11 |
Family
ID=39802377
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW095146585A TWI336222B (en) | 2006-12-13 | 2006-12-13 | Method for fabricating flexible array substrate and substrate module |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100852735B1 (zh) |
TW (1) | TWI336222B (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8957505B2 (en) | 2012-09-19 | 2015-02-17 | Au Optronics Corporation | Device substrate and fabrication method thereof |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101881754B1 (ko) * | 2011-08-23 | 2018-08-27 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉서블 표시장치용 지지기판 및 이를 포함하는 플렉서블 표시장치와 플렉서블 표시장치의 제조방법 |
TWI669992B (zh) * | 2018-03-16 | 2019-08-21 | 友達光電股份有限公司 | 可撓性電子裝置及其製造方法 |
CN111223399A (zh) * | 2018-11-27 | 2020-06-02 | 中华映管股份有限公司 | 柔性显示面板的制作方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20060124940A (ko) * | 2005-06-01 | 2006-12-06 | 삼성전자주식회사 | 가요성 표시 장치의 제조 방법 |
-
2006
- 2006-12-13 TW TW095146585A patent/TWI336222B/zh active
-
2007
- 2007-02-07 KR KR1020070012700A patent/KR100852735B1/ko active IP Right Grant
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US8957505B2 (en) | 2012-09-19 | 2015-02-17 | Au Optronics Corporation | Device substrate and fabrication method thereof |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20080055567A (ko) | 2008-06-19 |
KR100852735B1 (ko) | 2008-08-18 |
TW200826765A (en) | 2008-06-16 |
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