TWI335483B - Pixel structure and liquid crystal display panel - Google Patents

Pixel structure and liquid crystal display panel Download PDF

Info

Publication number
TWI335483B
TWI335483B TW095108958A TW95108958A TWI335483B TW I335483 B TWI335483 B TW I335483B TW 095108958 A TW095108958 A TW 095108958A TW 95108958 A TW95108958 A TW 95108958A TW I335483 B TWI335483 B TW I335483B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
liquid crystal
crystal display
display panel
wiring
substrate
Prior art date
Application number
TW095108958A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200736774A (en
Inventor
Chun Huan Chang
Original Assignee
Au Optronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Au Optronics Corp filed Critical Au Optronics Corp
Priority to TW095108958A priority Critical patent/TWI335483B/zh
Priority to US11/557,954 priority patent/US20070216686A1/en
Priority to KR1020060138405A priority patent/KR100833420B1/ko
Priority to JP2007002972A priority patent/JP4690349B2/ja
Publication of TW200736774A publication Critical patent/TW200736774A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI335483B publication Critical patent/TWI335483B/zh

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/136227Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343Electrodes

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Description

17S74twf.doc/g 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域’】 本發明是有關於一種晝素結構與顯示面板,且特別是 有關於一種能改善液晶顯示面板之顯示品質的晝素結構與 液晶顯不面板。 【先前技術】 為了配合現代之生活模式,視訊或影像裝置之體積曰 漸趨於輕薄。雖然傳統之陰極射線管(cath〇de ray tube,CRT) 顯不器仍有其優點,但是由於其内部電子搶的結構,使得 陰極射線管顯示器之體積顯得龐大而且佔空間,並且在陰 管顯示器輸出影像的同時會產生輻射線,造成眼睛 傷害等問題。目此’配合光電技術與半導體製造技術所發 屏:之平面型顯示器_ panel display,FpD),例如液晶顯示 裔’已逐漸成為顯示器產品之主流。 ,L習知一種薄膜電晶體陣列基板的上視圖。請 =圖1’習知的薄膜電晶體陣列基板1〇上包括一玻璃基 配置於玻縣板11上的複數個畫素結構15,各 il^T4 > ' I13 /寻腰電日日體16以及一透明道带带枚 氧化物(indiumtin〇xide V電電極(例如銦錫 掃描配後溥膜電晶體16與對應的 配線13電性相連,透明導電電極Π 別好此缚胰電晶體μ雷性相诖。μ 與位於1下方的丑田^相連此外,透明導電電極Π 去舰線14形成—儲存電容。 膜%aa體陣列基板1G與1色濾絲板(未繪示) 17874twf.doc/g 可被形 13與^過的共用配線14間會產生所謂的串ΙΓΞ 17 1; =、不到干擾,進而影響液晶顯示面板的顯示 口口貝° f解決上胡題’習知提出另—麵電晶體陣列基板 圖2繪示習知另—種薄膜電晶體陣列基板的上視 圖”月參照圖2 ’習知薄膜電晶體陣列基板2Q中,共用配 線24是平行於資料配線13而配置於玻璃基板U上,如此 可使資料配線13與制配線24之間不會產生串音效應。 此外,薄膜電晶體陣列基板2 G的製作是採用高開口率之製 程’使畫素單元25之透明導電電極27部份重疊於相鄰資 料配線13上。 由於母彡明^電電極27部份重疊於相鄰資料配線 13上,因此每一透明導電電極2?與其左右兩側的資料配 線13之間,分別會有寄生電容(pamsitic⑶押也肪“ between pixel and data line)CpA Cpd,產生。寄生電容 & 與cpd’的電容值取決於透明導電電極27與相鄰資料配線 13重豐之面積。 雖然根據各道光罩的規劃,每一透明導電電極27與 相鄰 > 料配線13重豐之面積應為相等。但在實際製造上, 使用各迢光罩的微影製程間都會有所謂的重疊量偏移 (overlay shift)產生。這種重疊量偏移在大尺寸面板的製裎 1335483 17874twf.doc/g 配線對齊配置。其中,彩色濾光基板之黑矩陣層的線寬可 例如但不限定是介於6微米(#m)〜2〇微米(#m)之間。此 黑矩陣層更與主動元件陣列基板之共用配線對齊配置。 在本發明一貫施例之液晶顯示面板中,主動元件陣列 基板的每一資料配線下方更包括配置至少一遮光層。此 外,彩色濾光基板之黑矩陣層與主動元件陣列基板之資料 配線對齊配置。此黑矩陣層更與主動元件陣列基板之共用 配線對齊配置。 綜上所述,在本發明之晝素結構中,資料配線並未與 共用配線重疊,故資料配線與共用配線之間不會有串音效 應產生。此外,每一晝素電極覆蓋到資料配線的面積相同, 不會因為製程上的重疊量偏移而改變晝素電極覆蓋資料配 線的面積。所以,在利用本發明之晝素結構製作的主動元 件陣列基板中,各晝素電極皆可維持在預定的灰階電壓準 位。當此主動元件陣列基板更進一步應用於一液晶顯示面 板’此液晶顯示面板之顯示不均現象可大幅地被改善,進 而具有更佳的顯示品質。 為讓本發明之上述和其他目的、特徵和優點能更明顯 易懂’下文特舉較佳實施例,並配合所附圖式,作詳細說 明如下。 【實施方式】 弟一實施例 圖3 A不本發明第一實施例之液晶顯不面板的別面 示意圖,圖3B繪示圖3A中的液晶顯示面板之主動元件陣
9 17874twf.doc/g 列基板的局部上視圖’其中.圖3A中的主動元件陣列基板 為沿圖3B之剖面線c-’C,的剖面示意圖。請同時參照圖3a 與圖3B ’本貧施例之液晶顯示面板4〇〇包括一主動元件陣 列基板100、一彩色濾光基板2〇〇以及一液晶層3〇〇。液晶 層300配置於主動元件陣列基板1〇〇與彩色濾光基板2〇〇 之間。 主動元件陣列基板100包括一第一基板110、複數條 掃描配線120、複數條資料配線13〇、複數個主動元件142、 複數個晝素電極144以及複數條共用配線15〇。第一基板 110可例如是玻璃基板、石英基板或其他透明材料之基 板。掃描配線120可例如為鋁合金配線或是其他導體材料 所形成的配線’其彼此平行排列配置於第一基板11()上。 資料配線130則可例如為鉻金屬配線、鋁合金配線或是其 他導體材料所形成的配線,其亦彼此平行排列配置於第一 基板110上,但與掃描配線12〇成垂直配置。主動元件142 可例如為一薄膜電晶體或是其他具有三端子的開關元件 (tri-polar switching device),其配置於第一基板 110 上,且 每一主動元件142係緊鄰於一掃描配線12〇及一資料配線 130之交會處並與該掃描配線12〇及該資料配線13〇電性 相連。畫素電極144配置於第一基板no上,且每一晝素 電極144與其中一主動元件142電性相連。此晝素電極144 可例如疋一透明電極(transmissive eiectrocje)、反射電極 (reflective electrode)或是半穿透半反射電極(transf|ective electrode),而畫素電極144的材質可例如為銦錫氧化物、 1335483 17874twf.doc/g 錮鋅氧化物(indium zinc oxide, IZO)、金屬或是其他透明或 不透明之導電材料。此外,晝素電極144是配置於資料配 線130上方且跨過資料配線130。共用配線15〇可為鉻金 屬配線、鋁合金配線或是其他適當導體材料所形成的配 線’其與資料配線130呈平行地配置於第一基板no上, 且位於畫素電極〗44之下方,而每一共用配線15〇是對應 配置於相鄰兩畫素電極144之間,且相鄰兩晝素電極144 分別覆蓋共用配線150之至少二側部份。 彩色濾光基板200包括一第二基板21〇以及一彩色濾 光陣列240。第二基板210可例如是玻璃基板、石英基板 或其他透明材料之基板。彩色濾光陣列240配置於第二基 板210上,且此彩色濾光陣列24〇包括一黑矩陣層22〇二 及一彩色濾光膜層230。黑矩陣層220的材料可例如為鉻 金屬、黑色樹脂或其他遮光材料。彩色濾光膜層23〇的 料則可例如為彩色樹脂或其他彩色染料。 需注意的是,掃描配線12〇、資料配線、主動_ 件I42、畫素電極I44以及共用配線ls〇構成了畫素結= 140。換δ之,晝素結構14〇包括一掃描配線12〇、一資 配線130、一主動兀件142、一晝素電極144以及一丘阶 線 150。 /、®己 依照本發明-較佳實施例,如圖3Β所示,主 陣列基板100的資料配線13〇與共用配線15〇相互平行。 此外’如ffi 3八戶斤示,主動元件陣列基板1〇〇更包括 坦層,此平坦層副的材料可例如為有機絕緣材質或 1335483 17874twf.doc/g 無機絕緣材質,且此平坦層160配置於晝素電極144與資 料配線130之間。 ’ 由於在主動元件陣列基板100中,資料配線130並未 與共用配線150重疊,資料配線130與共用配線150之間 不會有串音效應產生,因此畫素電極144的灰階電壓準位 在資料配線130變換不同訊號時不會受到干擾。換言之,
能增進液晶顯示面板400的顯示品質。此外,晝素結構140 之設計是使晝素電極144配置於資料配線130的上方並跨 過資料配線130。如此,既使在主動元件陣列基板1〇〇的 製造過程中,各道光罩的微影製程間有重疊量偏移產生, 每一晝素電極144與對應之資料配線130重疊的面積依然 不會改變。每一晝素電極144與位於其下方的資料配線13〇 間所產生的寄生電容Cpd皆具有相同的電容值。如此— 來,在主動元件陣列基板1〇〇中,所有晝素電極144皆可 達到預定的灰階電壓準位,因此液晶顯示面板之顯示不均 現象能大幅地被改善,進而達到增進顯示品質之目的。 第二實施例 圖4A繪示本發明第二實施例之液晶顯示面板的剖面 不意圖,圖4B繪不圖4 A中液晶顯不面板之主動元件p車 基板的局部上視圖,其中圖4A中的主動元件陣 ^ 沿圖4B之剖面線D-D,的剖面示意圖。請同時來职土图為 與圖4B,本實施例之液晶顯示面板600類似於第二二4八 之液晶顯示面板400 ’不同之處在於:在主動元件陣 板500中,晝素結構540之晝素電極544具有複數個^基 12 1335483 17874twf.doc/g 544a’這些開口 544a位於資料配線i3〇的上方。更詳細而 言,這些開口 544a分佈的範圍會位在資料配線130的線寬 範圍内。如此,各晝素電極544與資料配線130的重疊面 積可以縮小,使畫素電極544與資料配線130間的寄生電 谷Cpd之電谷值也隨之變小’因此能降低縱向的串音(cr〇ss talk)現象。 承上述’在本實施例中,為了避免液晶顯示面板6〇〇 的資料配線130或共用配線150上方區域出現漏光的現 象’彩色濾光基板200的黑矩陣層220與主動元件陣列基 板500的資料配線130對齊,且黑矩陣層220也與共用配 線150對齊。換言之,彩色遽光基板200的黑矩陣層220 除了會遮住資料配線130之外,也會遮住共用配線15〇。 而黑矩陣層220的線寬可例如但不限定介於6微米(em) 〜20微米(//m)之間。 第三實施例 圖5A繪示本發明第三實施例之液晶顯示面板的剖面 示意圖,圖5B繪示圖5A中的液晶顯示面板之主動元件陣 列基板的局部上視圖’其中圖5A中的主動元件陣列基板 為沿圖5B之剖面線E-E,的剖面示意圖,圖5C繪示圖5B 之主動元件陣列基板的沿剖面線F-F,之剖面示意圖。請同 時參照圖5A與圖5C,液晶顯示面板800為第二實施例之 液晶顯示面板600的變化。在液晶顯示面板8〇〇中,元件 陣列基板700的每一資料配線130下方更包括至少一遮光 層710,此遮光層710配置於資料配線130下方,以遮蔽
13 1335483 17874twf.doc/g
該處漏光的現象。遮光層7.10可例如為鉻金屬、鋁金屬或 是其他遮光材料層。依據一較佳實施例,彩色濾光基板200 的黑矩陣層220與主動元件陣列基板70〇的資料配線130 對齊’且黑矩陣層220也與共用配線150對齊配置。換言 之’黑矩陣層220除了會遮住資料配線13〇之外,也會遮 住共用配線150。在本實施例中,黑矩陣層22〇的線寬例 如是介於6微米(//m)〜15微米(Am)之間。由於資料配線 130底下已經配置有遮光層71〇,因此對應配置於資料配線 130上方的黑矩陣層220的線寬可以縮小,以提升開口率。 透過主動元件陣列基板700中的遮光層71〇以及彩色 濾、光基板2GG的黑矩陣層22〇,可以遮蔽錄晶顯示面板 800的資料配線13〇或共用配線15〇上方區域的漏光的現 象,以使液晶顯示面板800具有更佳的顯示品質。 綜上所述,本發明之畫素結構與液晶顯示面板至少且 有下列優點:
,一 Γ 量畜箱構中,資料配線與共用配線平 二’ ^卩減配線並未與翻崎重疊,故資料配線斑丘 用配線之邮會有Φ音效應產生。因此彻本發明之晝素 結構製作躲晶黯面板具有較佳騎品f。 —’、 到資料配結構的設計可使每-晝素電極覆蓋 14 1335483 17874twf.doc/g 二、在本發明之晝素結構中,晝素電極配置於資料配 線上且跨過資料配線,.使各晝素電極覆蓋到資料配線的面 積相同’所以在利用本發明之晝素結構製作的主動元件陣 =基板中’各晝素電極皆可正常充電(或放電)到預定的電 _ 荷|°當此主動元件陣列基板更進一步應用於一液晶顯示 _ 面板’此液晶顯示面板之顯示不均現象可大幅地被改善, 進而具有較佳的顯示品質。 • 四、、在本發明第二實施例中,晝素電極具有複數個開 σ ’可減少晝素電極與資料配線的重疊面積,以使晝素電 極與對應貢料配線間的寄生電容減小,故能進一步改善縱 向串音的現象。 _五、在本發明第三實施例中,在每一資料配線下方更 =置至少一遮光層,用以遮蔽漏光區域。因此在此實施例 ,黑矩陣的線寬可以縮小,以提升部分開口率。 〜雖然本發明已以較佳實施例揭露如上,然其並非用以 % 本發明,任何熟習此技藝者,在不脫離本發明之精神 =圍内’當可作些許之更動與潤飾,因此本發明之保護 耗圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。 【圖式簡單說明】 圖1繪示一種薄膜電晶體陣列基板的上視圖。 . 圖2綠示另—種薄膜電晶體_基㈣上視圖。 示意緣示本發明第一實施例之液晶顯示面板的剖面 圖3Β、%不圖3Α中的液晶顯示面板之主動元件陣列基 15 1335483 17874twf.doc/g 板的局部上視圖。 . 圖4A繪示本發明·第二實施例之液晶顯示面板的剖面 示意圖。 圖4B繪示圖4A中的液晶顯示面板之主動元件陣列基 板的局部上視圖。 圖5A繪示本發明第三實施例之液晶顯示面板的剖面 示意圖。 圖5B繪示圖5A中的液晶顯示面板之主動元件陣列基 板的局部上視圖。 圖5C繪示圖5B之主動元件陣列基板的沿剖面線F-F’ 之剖面示意圖。 【主要元件符號說明】 10、20 :薄膜電晶體陣列基板 11 :玻璃基板 12、 120 :掃描配線 13、 130 :資料配線 14、 24、150 :共用配線 15、 25 :畫素單元 16 :薄膜電晶體 17、27 :透明導電電極 100、500、700 :主動元件陣列基板 110 :苐一基板 140、540、740 :晝素結構 142 :主動元件
】6 1335483 17874twf.doc/g 144、544 :晝素電極 160 :平坦層 · 200 :彩色濾光基板 210 :第二基板 220 :黑矩陣層 230 :彩色濾光膜層 240 :彩色濾光陣列 300 :液晶層 400、600、800 .液晶顯不面板 544a :開口 710 :遮光層
17

Claims (1)

1335483 17874twf.doc/g 該彩色濾光基板之該黑矩陣層與該主動元件陣列基板之該 些資料配線對齊配置^ ^ 〜 11. 如申請專利範圍第1〇項所述之液晶顯示面板,並 中該彩色滤光基板之該黑矩陣層的線寬是介於〜烈 // m之間。 12. 如申請專利範圍第1〇項所述之液晶顯示面板,其 中該彩色濾'光基板之該黑矩陣層更與該主動元件陣列基板 之該些共用配線對齊配置。 13 ·如申請專利範圍第9項所述之液晶顯示面板,其中 該主動元件陣列基板的每一資料配線下方更包括配置至少 一遮光層。 14.如申請專利範圍第13項所述之液晶顯示面板,其 中該彩色濾光基板之該黑矩陣層與該主動元件陣列基板之 該些資料配線對齊配置。 土 15·如申請專利範圍第14項所述之液晶顯示面板,其 中該彩色濾光基板之該黑矩陣層更與該主動元件陣列基板 之該些共用配線對齊配置。 20
TW095108958A 2006-03-16 2006-03-16 Pixel structure and liquid crystal display panel TWI335483B (en)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW095108958A TWI335483B (en) 2006-03-16 2006-03-16 Pixel structure and liquid crystal display panel
US11/557,954 US20070216686A1 (en) 2006-03-16 2006-11-08 Pixel structure and liquid crystal display panel
KR1020060138405A KR100833420B1 (ko) 2006-03-16 2006-12-29 픽셀 구조체 및 액정 표시 패널
JP2007002972A JP4690349B2 (ja) 2006-03-16 2007-01-11 ピクセル構造および液晶ディスプレイパネル

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW095108958A TWI335483B (en) 2006-03-16 2006-03-16 Pixel structure and liquid crystal display panel

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200736774A TW200736774A (en) 2007-10-01
TWI335483B true TWI335483B (en) 2011-01-01

Family

ID=38517295

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW095108958A TWI335483B (en) 2006-03-16 2006-03-16 Pixel structure and liquid crystal display panel

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20070216686A1 (zh)
JP (1) JP4690349B2 (zh)
KR (1) KR100833420B1 (zh)
TW (1) TWI335483B (zh)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009150925A (ja) * 2007-12-18 2009-07-09 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 液晶表示装置
TWI409556B (zh) * 2008-01-09 2013-09-21 Chunghwa Picture Tubes Ltd 畫素結構與主動元件陣列基板
TW200941107A (en) * 2008-03-28 2009-10-01 Aussmak Optoelectronic Corp E-paper apparatus and driving substrate thereof
TWI396025B (zh) * 2009-06-30 2013-05-11 Au Optronics Corp 主動元件陣列基板
JP5344253B2 (ja) * 2010-01-19 2013-11-20 Nltテクノロジー株式会社 横電界方式の液晶表示装置
US20130106919A1 (en) * 2011-11-01 2013-05-02 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Pixel structure and liquid crystal display thereof
CN111812899B (zh) * 2020-07-01 2022-10-04 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板及显示面板

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100225910B1 (ko) * 1996-04-04 1999-10-15 구자홍 액정표시장치(liquid crystal display device)
JP3087841B2 (ja) * 1996-10-29 2000-09-11 日本電気株式会社 広視野角液晶表示装置
JP3819561B2 (ja) * 1997-10-01 2006-09-13 三洋電機株式会社 液晶表示装置
US6433841B1 (en) * 1997-12-19 2002-08-13 Seiko Epson Corporation Electro-optical apparatus having faces holding electro-optical material in between flattened by using concave recess, manufacturing method thereof, and electronic device using same
JP4180690B2 (ja) * 1998-06-05 2008-11-12 東芝松下ディスプレイテクノロジー株式会社 液晶表示装置
GB9825868D0 (en) * 1998-11-27 1999-01-20 Koninkl Philips Electronics Nv Active matrix liquid crystal display devices
JP4115649B2 (ja) * 2000-03-30 2008-07-09 シャープ株式会社 アクティブマトリクス型液晶表示装置
JP4049639B2 (ja) * 2002-08-30 2008-02-20 シャープ株式会社 液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置
TW575961B (en) * 2002-12-03 2004-02-11 Quanta Display Inc Pixel structure

Also Published As

Publication number Publication date
JP4690349B2 (ja) 2011-06-01
JP2007316590A (ja) 2007-12-06
KR20070094450A (ko) 2007-09-20
TW200736774A (en) 2007-10-01
US20070216686A1 (en) 2007-09-20
KR100833420B1 (ko) 2008-05-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8159641B2 (en) Array substrate having common electrode with slits that overlap data lines, and liquid crystal display apparatus having the array substrate
US7995164B2 (en) Array substrate having a particular light shielding portion in the non-display region
KR100486133B1 (ko) 액티브매트릭스 표시장치
JP4162890B2 (ja) 液晶表示装置
US8692756B2 (en) Liquid crystal display device and method for manufacturing same
US20110085121A1 (en) Fringe Field Switching Mode Liquid Crystal Display Device and Method of Fabricating the Same
JP3796070B2 (ja) 液晶表示装置
JP4784382B2 (ja) 液晶表示装置
TWI335483B (en) Pixel structure and liquid crystal display panel
EP2991121B1 (en) Array substrate, method for manufacturing array substrate and display device
KR101818452B1 (ko) 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법
US10768496B2 (en) Thin film transistor substrate and display panel
KR20130015737A (ko) 액정표시장치
US9235091B2 (en) Liquid crystal display device and manufacturing method thereof
US8115215B2 (en) Array substrate and method for manufacturing the same
KR101799938B1 (ko) 액정표시장치
TWI451179B (zh) 畫素結構及其製造方法
KR20090034579A (ko) 박막 트랜지스터 표시판 및 그의 제조 방법
KR101819601B1 (ko) 액정표시장치
US7755735B2 (en) Pixel structure of liquid crystal display panel and method having first and second patterned conductive layers having respectively first and second data line sections and with second patterned conductive layer additionally including source, drain, and a floating light-shielding pattern disposed over the first data line section
JPH1010581A (ja) 表示装置
KR101402047B1 (ko) 표시 기판, 이의 제조 방법 및 이를 갖는 표시 장치
KR102042530B1 (ko) 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 이의 제조 방법
JP2001092378A (ja) アクティブマトリクス基板
US11668987B2 (en) Display device and method for manufacturing display device