TWI334740B - Electronic devices - Google Patents

Description

1334740 玖、發明說明：_ 【發明所屬之技術領’域】 本發明關於一種電激發光（EL)裝置（諸如有機發光二極 體（OLED))及其改良。 【先前技術】 OLED為一種光電子裝置，其已發展而使用在平板顯示器 中作為現存技術（諸如陰極射線管及液晶顯示器）之替代 品。OLED具有能提供許多優點的潛力，包括重量輕且體積 不龐大、低功率、寬視角、可應用至大顯示面積及較便宜 製造。 OLED裝置包括一位於二片電極間之有機電激發光（EL·) 層。至少一片電極呈透明而允許來自EL層的光穿透。在操 作上，當經由電極穿越該裝置施加電壓時，電洞會從一個 電極（陽極）注入EL層的一邊，而電子會從其它電極（陰極） 注入其它邊。電洞及電子會在施加電壓下以相反方向移動 而通過EL詹，直到它們相遇及重組而形成一激發狀態，此 狀態隨後會隨著光發射而衰減。 電洞應該可有效地從陽極傳送進入EL層之最高經佔據的 分子軌域（HOMO)能階。類似地，電子應該可有效地從陰極 傳送進入EL層之最低未佔據的分子軌域（LUMO)能階。不幸 的是，陽極的功函數經常與EL層的HOMO能階不同。相同 問題亦存在於陰極與EL層之LUMO能階間。事實上，因為 陽極及陰極相關的電子能階經常不會理想地與有機EL材料 之各別的最高經佔據的分子執域（HOMO)及最低未佔據的 1334740 分子軌域（LUMO)相配，故通常會修改基本的OLED結構以 改善能階的相配度，’因此來改善電洞及/或電子注入效率。 廣泛使用的方法為在EL層與陽極及/或陰極間各別使用一 額外的有機層。此額外的層通常指為電洞注入層（HIL)及電 子注入層（EIL)。HIL及/或EIL可改善能階的相配度，因此 可改善裝置的效率。此外，HIL及EIL可提供其它目的，諸 如可各別為電子阻礙及電洞阻礙（即HIL或EIL每個皆為單 型式/單方向的載體傳輸材料）。已變成典型的是在陽極上使 用一導電有機材料作為HIL層，諸如聚苯胺（PAni)或聚亞乙 基二氧基嘆吩（polyethylenedioxythiophene)(PEDOT)。 不難發現各別在HIL及/或EIL與EL層間使用一層或多層 進一步的有機層之裝置，以甚至達成進一步提高能階之相 配度及因此仍然較高的操作效率。在HIL或EIL與EL層間之 進一步有機層各別稱為電洞傳輸層（HTL)及電子傳輸層 (ETL·),以與各另直接接觸陽極或陰極的HIL·或EIL·區別。 此術語使用於此。先述技藝之裝置結構則圖式地顯示在 圖1。 雖然最近幾年已在EL裝置上發生上述之發展，在許多觀 點中仍然對改良存在有需求。本發明係關於EL裝置之有機 層的改良，特別是（但是非唯一）在HIL及HTL上。 【發明内容】 與HIL及HTL有關之可改善性能的區域實例包括高效 率、低驅動電壓、透明度、塗佈能力、化學穩定性及生命 週期。再者，由多重HIL及HTL組成之現存裝置結構可使得

O:\90\9O313.DOC 1334740 該製造複雜且昂貴。將想要的是使用單層來取代現存的多 層而獲得類似或改善的性能。 本發明之目標包括減低或克服一個或多個上述先述技藝 的問題。本發明的進一步目標將從下列說明而明瞭。 本發明以當將某些聚芳基胺（特別是聚三芳基胺）使用在 EL裝置的有機層中時可提供明顯優點之研究結果做為基 礎。 使用芳基胺化合物作為OLED的HTL已揭示在EP 0 721 93 5(出光興產（Idemitsu Kosan))中，但是其並無揭示芳基胺 之聚合物。使用這些小分子芳基胺所形成的HTL薄膜不總 是令人滿意。典型上，會對這些型式的分子使用氣相沉積 法，但是此製程對基材的溫度及沉積速率非常敏感，以保 証非晶相結構。此外，小分子芳基胺HTL之相當低的玻璃 轉換溫度（Tg)會導致不穩定性。已發展出大（例如星芒狀） 芳基胺（參見例如WO 98/02018)來部分解決Tg的問題，但是 仍然需要複雜的氣相沉積方法。同樣，此分子具有較差的 電洞遷移率。 已由道化學公司（Dow Chemical Company)揭示出使用聚 芳基胺材料作為OLED的HIL或HTL，參見例如美國5,728,801、 EP 0 827 366及WO 99/54943。但是，可改善這些特別的聚芳基 胺材料之電洞遷移率及一般的薄膜形成性質，和由彼製得 的裝置之一般效率。 在另一個道的專利（美國6,309,763)已揭示出在一層中使 用苐與芳基胺的共聚物EL裝置。其亦揭示出該共聚物可與 O:\90\90313.DOC -9- 1334740 另一種聚合物α可為一镡芳基胺共聚物）混合。可將該聚第 /芳基胺共聚物使用在電洞傳輸層、EL層中；或不同共聚物 之混合可在單層中達成傳輸及發光功能。但是，該文章不 建議使用100%的芳基胺層。 通常來說Μ吏用聚芳基胺的先述技藝無法解決裝置品質 (特別是生命週期及發光效率）的重要問題。 根據本發明已提供一種電激發光裝置，其具有一陽極、 -陰極且在該陽極與該陰極間有Κ多層有機層，該有 機層的至7 1包含一有機電激發光材料’其中該有機層 的至夕層包含具有式1之重覆單元的聚合材料： 式1 : AT*

L I 其中； Y1若在不同的重覆單元中可各自獨立地代表N、P、S、 As及/或Se，較佳為N ; A'1及為芳香族基團，且Ar3僅有Y1為N、P或As時才存 在，而其實例也為一芳香族基團；其中沿丨與Μ可相同或 不同’且若在不同的重覆單元中可各自獨立地代表多價（較 佳為二價)的芳香族基團(較佳為單核，但是可選擇性為多 核::其可選擇性地由至少-個選擇性經取代的〜。二價碳 ，何生基團及/或至少—個其它可選擇的取代基取代；及心3 右在不同的重覆單元中可各自獨立地代表單或多價(較佳

O:\9O\90313.DOC -10· 1334740 為二價）的芳香族基團（較佳為單核，但是可選擇性為多 核）’其可選擇性地由至少—個選擇性經取代的％二價碳 基衍生基團及/或至少-個其它可選擇的取代基取代； 及該重覆單元在該聚合物中的平均數目⑻為至少h，較 佳為至少40。 在使用上，當在陽極與陰極間施加電壓時，電洞可注入 該與陽極毗連的層及電子可注入該與陰極毗連的層，藉此 光可從包含該電激發光材料的至少一層發射。 【實施方式】 該EL裝置較佳為-種〇LED。陽極或陰#的至少一個為透 明的。名稱有機層"意謂著一包含有機材料的層❹ 該裝置可僅包含-層有機層，在此實射，該包含本發 明之聚合材料的有機層與包含££材料的那層相同。該裝置 典型地包含二層或更多層有機層，其中該包含本發明之聚 合材料的有機層與包含£1^材料的那層不同。包含該聚合材 料的至少一層有機層已發現可優良地用來形成一電洞注入 層（HIL)及/或電洞傳輸層（HTL)，即與該EL層分隔而位於 層與陽極之間。 在式1中，從Ar3延伸出的箭號意欲指出該基團可為單價 或多價。若該基團為單價，該箭號代表一與合適的終端基 團（諸如氫）或另一個取代基（其在聚合反應之條件下對耦合 呈惰性，例如烷基或芳基）之鍵結。若該基團為多價（例如二 價）’則箭號代表一與另—個重覆單元（即該聚合物鏈為分枝 及/或經交聯）之鍵結。

O:\90\90313.DOC -11 - r1334740 該聚合物可县有任何鏈終端基團，例如，任何可使用在 聚合製程中來製造此聚合物的離去基團或終端草套基團。 較佳的是’該聚合物基本上由具有式!的重覆單元所组 成0 WO 99/32537為本中請人之專利中請案，其描述—種具有 式I之重覆單元的聚合物及其製造方法。在此專利申靖案 中，此一般型式的聚合物可藉由加入終端罩套劑以控制最 後聚合物的分子量及因此其作為電荷傳輸材料之想要的性 質而製備。如在W〇 99/32537中，在該發明的該聚合物中， 至少-個終端基團可選擇性地聯結至“、V及選擇性的 Ar3基團而位於該聚合物鏈的終端，以便|住該聚合物鍵且 防止聚合物進一步生纟；及至少一個終端基團可衍生自至 ^個使用在1合反應中來形成該聚合材料的終端罩套劑 以控制其分子量。但是，w〇 99/32537的揭露内容教導較低 分子量（較低m值）的聚合物較佳。特別是，在此文章中描述 出m值大於3 1對電荷傳輸層來說具有差的性能（參見實驗$ 及其圖2)。 WO 00/78843為另-篇本中請人的專利中請案，其描述一 種具有式1之t覆單元的聚合物。在此專利申㈣中，該聚 5物可藉由從一具有式丨的重覆單元之起始聚合材料分離 出一分子量碎片而製備。如W〇 99/32537般，其例示出較低 分子量（較低的值）的聚合物最佳。 與先述技藝比較，本發明已按照驚人的研究結果製得一 包含式1的重覆單元之聚合材料，其具有至少為35(較佳為

O:\90\90313.DOC -12· 1334740 至少4〇)的平均-重覆單元數目（m)，而在OLED中具有較好的 性能。 根據本發明之較佳的聚三芳基胺實例可由式2及3提供：

在本發明中，存在於每個聚合物分子中之式丨的重覆單元 數目（其於本文亦可由整數"n"表示）可從2至2〇 〇〇〇，較佳為 3至10,000，更佳為4至5,〇〇〇,仍然更佳為5至500及最佳為6 至100。但是，在該聚合物中的平均重覆單元數目（m)為至 少35，較佳為至少4〇。 具有式1之聚合材料較佳為環經取代（即，在Arl、Ar2及選 擇性的Ar3基團之一個或多個上經取代），該環可由至少一 個選擇性經取代且包含六個或更多個碳原子（即q或較高） 的線性、分枝或環狀二價碳基衍生基團取代，較佳為選擇 性經取代的烴基，最佳為&或較高的烷基或烷氧基基團。 Ar1、Ar2及Ar·3基團可較佳地各自獨立地由至少一個選擇性 經取代之線性、分枝或環狀的匕或較高的二價碳基衍生基 團取代，較佳為一選擇性經取代之C6或較高的烷基或烷氧 基基團。已驚人地發現此取代可提高薄膜形成。例如，該 材料可容易形成一穩定且具有長的生命週期之厚薄膜。 本發明之聚合材料（即具有式1)較佳呈多分散性。較佳為

OiN90\90313.doc -13· 1334740

Mw/Mn少於20」更佳為少於1〇。較佳為該多分散性從丨」至 5。更佳為該多分散性從1.丨至3。 本發明之聚合材料可有利地具有下列性質：高载體遷移 率、與黏著劑的相容性、改善的溶解度、高耐久性及/或未 摻雜的高電阻率。該聚合材料可高度有效地使用在EL裝置 中。其具有優秀的薄膜形成性質，特別是當m值為至少35 且該聚合物以一個或多個選擇性經取代的線性、分枝或環 狀之C6或較長的二價碳基衍生基團（較佳為烷基或烷氧基） 取代二者時。 本發明之聚合材料可以純的聚合材料或以該聚合材料與 一種或多種具有不同的電及/或物理性質之其它聚合或單 體材料的混合物使用。 該聚合材料可有利而容易且便宜地沉積在該裝置上，因 為該材料為一種可塗佈的溶液’即其可容易地從溶液來沉 積。較佳的是，該聚合材料可利用溶液塗佈技術來塗佈。 較佳的疋，將該材料以薄膜形式鋪放。該材料可選擇性地 圖案化或結構化並藉由多種塗佈或印刷技術以薄膜形式铺 放，包括（但是非為限制）浸塗法、輥塗法、逆輥塗法、桿式 塗佈法旋轉塗佈法、照相凹版式塗敷法、光刻塗佈法（包 括光微影光刻製程）、噴墨塗佈法(包括連續及即需即印 (drop on demand) ’且藉由壓電或熱製程燒製”絹網塗佈法 (Sreeen C〇athlg)、喷霧塗佈法及網版塗佈法（web coating)。 在根據本發明之裝置的製造上，除了分別描述在下列之 所謂的，，頂端發射裝置"外’可將包含本發明之聚合材料層

O:\90\90313.DOC -14· 到該陽極上或到個別的叫其可利用熟知的方法 知·供在1%極）上，振篓4丨 Ρ 用溶液塗佈法或習知的氣相沉積法 >儿積隨後的層（包括EL層）β 根據本發明的另一個 裝置的方法，該方法勺括 一種形成該電激發光 μ 匕括從一溶液沉積該包含聚合材料的 2該方法可選擇性地進—步包括利用氣相沉積法或從溶 積法來沉積至少-層其它層(例如EL層 述提及’本發明《聚合材料具有冑良的薄膜形成能 力及高遷移率二者。較佳的是，該材料可塗佈高厚度（較佳 為大’更佳為大於6G奈米，仍然更佳為大於100奈 1胃最佳為大於200奈米及較佳最高為5〇〇奈米），而仍然可 f于Γ7產# &些厚層已發現可提供許多優點，例如可提 裝置的生命週期、再製性、產率及發光。不由任何理論 ^限制’咸信此些厚層可藉由讓該結構對基材缺陷較不敏 * 13裝置產率。當該層直接塗佈到氧化銦錫（ITO)陽極 時可特別改良該些厚層的產率，如咸信其可幫助消除㈤ 的粗糙度而比習知的注入層（諸如PAni或pED〇T)還好。已 發現藉由本發明之聚合材料形成的厚層彳改善裝置的生命 週期。再次，不由任何理論所限制，咸信此亦由於減低表 面缺陷的效應。特別是’該厚層可減低短路效應及在電極 處的局部斑點（l〇Cal Sp〇t)，因此可增加£[層的生命週期。 就這一點而言，該材料已發現對發藍光的EL材料特別有用。 該聚合材料較佳地具有大於1〇-3cm2V·、-,的電洞遷移 率，其在此厚層的製造中為一啟動因子（enabUng

O:\SW903I3.DOC -15- 1334740 低的驅動電壓能夠用於高發光效率。本發明之聚合材料的 高電洞遷移率意謂著穿越包含該材料的層之電壓降可非常 小y習知的PAni或PED0T注入層具有低導電度，以避免在 ••肩不裝置中於相鄰的圖素間有"串音"。但是，本發明之聚 〇材料的厚層可由於其單極本質而有效地進行此功能。 本發明之聚合材料亦可在該材料與該陽極（例如ιτ〇陽極） 間有利地產生而品質的歐姆介面。此依次可在裝置的生命 週期上產生改良，因為非歐姆接觸已部分認為對由於在陽 極處局部建立的電場所產生之熱點（其會造成毗連的注入 層故Ρ早）敏感。先前不容易發現允許歐姆接觸的適當電洞傳 輸材料。先前已試圖使用經摻雜的傳輸層。但是，此摻雜 難以在真貫的製造製程中執行且尚未說明其具有吸引力的 生命週期。 ΙΤΟ由於其透明度、高導電度及在玻璃或聚合物基材上的 可用度而為高度較佳的陽極材料。ΙΤΟ具有一在48_5 6¥間 的功函數。在較佳的具體實施例中，該聚合材料具有接近 此值的離子化位能，例如4 8·5·2 ev❶因此’電洞可無阻礙 地注入包含該聚合材料的有機層。 傳統上’可使用諸如pAni或pED〇T等材料做為HIL的角 色。典型地會在;pAni或ped〇t層與EL層間使用一各別的 HTL °我們已發現本發明之聚合材料可由於其相配的離子 化位能及優良的表面平整能力（當例如從溶液以厚層塗佈 時）而有效地進行PAni或PEDOT的注入功能與各別的HTL 角色二者。因此，在一個優良的具體實施例中，本發明提 O:\90\903I3.DOC -16- 1334740 供一種包含緩聚合材料的hil，即不需要例如pAni或 PEDOT。在更優良的具體實施例中，本發明提供一種£1^裝 置，其在該陽極與（有機的）EL層間中僅有一有機層，如顯 示在第2圖。此包含在陽極與EL層間之聚合材料的單一有機 層（HIL)與顯示在圖1的先述技藝裝置結構比較可大大地簡 化該裝置及其製程。此外，並無損失效率；更確切來說， 在許多實例中已改善效率。此可解決在先述技藝中需要多 層有機層（HIL、HTL等等）的問題。 需了解的是若必要時可存在有其它具體實施例，其中本 發明之聚合材料可與個別的HIL(例如包含pAni或pED〇T) 一起使用，然而仍然提供優勢。因此，在另一個具體實施 例中’本發明提供一種包含該聚合材料的htl。 在另一個具體實施例中，可有一包含本發明之聚合材料 的HIL ;此外，可有一層或多層包含本發明之聚合材料的 HTL ;就其離子化位能來說，可例如各自獨立地最佳化在 每層HIL及HTL中的聚合材料，以各別與陽極及£1^層相配。 可使用包含二種或更多種根據本發明的不同聚合材料之 混合物的組成物。 本發明之聚合材料當使用來取代某些習知的£1^裝置材料 (例如PAm或PEDOT)時，可在透明度及彩色再現上產生改 良，特別是對發藍光的EL裝置》此由於該聚合材料實質上 透明或呈“白色”。該聚合材料與習知的材料(諸如pAni)比較 亦實質上為（較佳為完全地）非晶相。 已發現本發明之聚合材料在阻礙f子上超過習知的材料 -17· 1334740 (例如ΡΑηι或P^DOT)而較好，因此可導致在裝置效率上產 生改良。 本發明之聚合材料已發現可比習知的HIL材料（諸如PAM 或PEDOT)更具化學穩定性。習知的pAni及pED〇T材料可例， 如經酸摻雜且擁有抗衡離子，而此些會隨著時間漂移進入· 蛾連層且造成裝置性能降低。但是，本發明之聚合材料不 需要杬衡離子，因此可消除此問題。此對三倍發射裝置 (triple emitting device)特別有利。 本發明之聚合材料具有相當高的玻璃轉換溫度％)，此可鲁 導致改善穩定性。 聚合材料可與相關的黏著劑樹脂一起使用，以進一步改 善薄膜形成及/或調整黏度用來改善溶液塗佈能力。該黏著 劑亦可選擇性地交聯以改善層的堆疊完整性’如更詳細描 述在下列。黏著劑對全部的有機層皆經溶液塗佈之ELI ^ 來說較佳。 較佳的黏著劑為電絕緣體。較佳的黏著劑包括（非為限制） 至少-種聚醯胺、聚胺曱酸酯、聚醚、聚酯、環氧樹脂、肇 聚酮、聚碳酸酯H乙縣聚合物（例如聚乙稀基嗣及 /或聚乙烯醇縮丁酸）、聚苯乙婦、聚丙稀酿胺、其共聚物（諸 如芳香族共聚物的聚碳酸酯聚酯類）及/或其混合物。 那些揭不在本申請人之專利申請案wo 99/32537(特別是 在該作為公告之中請案的第24及25頁）中之黏著劑對Z ”用，其揭露内容以參考之方式併於本文。此夕;· 申請人之專利申請案W0 02/45184 (特別是在該作為公告的*

O:\90\90313.DOC 1334740 申:人之專利.申請詩〇〇2/45184 (特別是在該作為公告的 申請案第3、4、8-U.頁）中所主張及描述的那些㈣劑包括 編列在表1及2中的那些皆對本發明有用，其揭露内容亦以 參考之方式併於本文。 為了改善在包含該聚合材料的層與毗連層間之堆疊完整 f ’包含該聚合材料的層可選擇性地交聯。該交聯可藉由 交聯該聚合材料而達成，例如利用在該聚合物中可交聯的 官能基及/或藉由交聯存在於其中㈣著騎脂，例如揭示 在 WO 02/45184 中。 本發明之聚合材料可有利地對㈣的裝置結構提供一些 途徑’對在某些主動陣咖㈣結構巾較佳的‘頂端發射裝 置’來說’其可藉由讓該透明電極沉積在OLED堆疊頂端上 以增加亮度及解析度。對該透明的頂端電極之沉積來說， 非常想要的是使用快速製程（諸如㈣）。例如用來沉積 1厂。但是’這些方法可能由於所沉積的粒子之高動力學能 量而損害該易受傷的活性有機層。例如藉由本發明之聚合 材料所形成的厚電洞傳輸層可提供㈣，允許粗野i 商業上可實行的製造方法（高產率）而沒有影響裝置性能（效 率、驅動電壓、生命週期）。 現在將解釋於本文中所使用之多項名稱的定義。 在本文所提供的任何聚合物式中，該聚合物可具有任何 終端或末端罩套基團（包括氫）。 當在本文的式中有一表列出的標籤（例如Arl、八^及A〆） 或指標（例如，η，)(其可說成代表—表列出的基團或數字 O:\90\9O313.DOC -19- 1334740 值），且這些可說成”在每個實例中各自獨立"時，此說明每 個標籤及/或指標可彼此各自獨立地代表任何所列出而各 自獨立地在每個重覆單元内、各自獨立地在每個式内及/或 各自獨立地在每個經取代（如適當的話）之基團上的那些基 團。因此’在每個例子中，許多不同的基團可由單一標籤（例 如Ar1)來表示。 名稱可選擇的取代基"及/或"選擇性經取代的"當使用於 本文（除非接著列出其它取代基）時，其意謂著例如下列基團 的至少一種（或由這些基團取代）··磺基、颯基、甲醯基、胺 基、亞胺基、腈基、巯基、氰基、硝基、鹵基、ci4烷基、 Cw烷氧基、羥基及/或其組合。這些可選擇的基團可在相 同基團及/或眾多（較佳為二個）先前提及的基團（例如胺基 及砜基若直接彼此接附時則代表胺磺醯基基團）中包含全 部可能的化學組合。較佳可選擇的取代基包括：Cm烷基、 甲氧基及/或乙氧基（這些的任何一種可選擇性地由至少一 個鹵基取代）；及/或胺基（其可選擇性地由至少一個甲基及/ 或乙基取代）；及/或齒基之任何一種。如使用於本文，名稱 鹵基’意謂著氟、氣、溴及碘。如使用於本文，名稱"二價 碳基衍生的，，代表任何單價或多價包含至少一個碳原子的 有機基團部分，其可沒有任何非碳原子（例如_CEC_)或可選 擇性地與i少一個其它非碳原子(例如烷氧基、冑基等等） 結合。該非碳原子可包含除了碳外的任何元素（包括任何化 學可能的混合物或其組合），其與礙一起可包含一有機基團 部分。較佳的是’該非碳原子選自於氫及/或雜原子的至少

O:\90\9O3l3.DOC -20- 1334740 一種；更佳為選自於氫：磷、鹵基、氮、氧及/或硫的至少 一種；最佳為選自於氫、氮、氧及/或硫的至少一種❶二價 碳基衍生基團包括在眾多（較佳為二種）先前提及的碳及/或 包括非碳原子部分（例如，烷氧基及羰基若直接彼此接附 時’則代表烧氧基幾基基團）之相同基團中全部可能的化學 組合》 如使用於本文’名稱”烴基"代表任何包含至少一個氫原 子及至少一個石反原子的基團部分。但是，煙基基團可選擇 性地經取代。較佳的是，"烴基"基團包括下列包含碳部分 的至少一種：烷基、烷氧基、烷醯基、羧基、羰基、曱醯 基及/或其組合；其可選擇性地與下列包含雜原子部分的至 少一種組合：氧、硫、亞颯基、颯基、胺基、亞胺基、腈 基及/或其組合。更佳的烴基基團包含至少一種：烷基及/ 或烷氧基（其可選擇性以至少一個鹵基取代 如使用於本文’名稱”烷基"若適當的話可容易地由代表 不同飽和程度及/或價數，例如包含雙鍵、三鍵的部分及/ 或芳香族部分（例如烯基、炔基及/或芳基）；和接附至二個 或更多個取代基之多價物種（諸如亞院基）的名稱置換。 除非上下文有明確說明，否則包含三個或更多個原子的 鏈之基團於此意謂著一該鏈完全或部分為線性、分枝及/或 形成環（包括螺及/或稠環）的基團。 除非上下文有明確說明，否則如使用於本文的複數形式 之名稱，於本文可推斷為包括單一形式且反之亦然。 遍及此專利說明書之描述及申請專利範圍，名稱”包含"

O:\90\90313.DOC -21· 1334740 ’且不意欲（及確實不）排除其它組分。 ㈤了解的疋，可製得本發明之前述具时 同時仍然落在本發明夕d A 而 _ 發月之範圍内。除非其它方面有說明，否 則揭示在此專利說明書中的每項特徵皆可由能提供相同、 同等物或類似目的之替代特徵來置換。因此，除非其它方 面有說明’否則所揭示的每個特徵僅為―總稱系列的同等 物或類似特徵之—個實例。 揭示於此專利說明書中的全部特徵可以任何組合來姓 合，除非此些特徵及/或步驟的至少某些為互相唯一的租 合。特別是，本發明的較佳特徵可應用至本發明的全部觀 點且可以任何組合來使用。同樣地，可各別地使用描述在 不基本上組合之特徵（不組合）。 需了解的是上述描述的許多特徵（特別是較佳的具體實 施例）為發明其自己的權利及不僅為本發明的具體實施例 部分。除了任何發明目前所主張的或替代品外，可對這些 特徵尋找各自獨立的保護。 【圖式簡單說明】 圖1為先述技藝之習知的OLED裝置結構圖 圖2為根據本發明之〇led裝置結構圖

Claims (1)

1. f 0=136249號專利申請案 I ' a 中文申請專利範圍替換本("年8月）I啊年匕供日修(史)正本 拾、申請專利範圍：1 *--------：~~ 1…種電激發光裝置、，其具有—陽極及一陰極（其★之一呈 透明狀），且在該陽極與該陰極間有—層或多層有機層， 該有機層的至少一層包含一有機電激發光材料，其；該 有機層的至少一層包含一 ^ . ^ 5具有式1之重覆早7L的聚合材 料： 式1 : 一[- Ar3 L f J 其中： Y右在不同的重覆單元中可各自獨立地代表N、p、s、 As及/或Se ; ΑΓ及八1"2為芳香族基團，且Ar3僅有γΐ為N、P*As時才存 在，而其實例也為芳香族基團；其中Arl&Ar2可相同或不 同，且若在不同的重覆單元中可各自獨立地代表多價的 芳香族基團，其可選擇性由至少一個選擇性經取代的 Cl-4〇碳基衍生基團及/或至少一個其它可選擇的取代基取 代；及Ar3若在不同的重覆單元中可各自獨立地代表單或 多價的芳香族基團，其可選擇性由至少一個選擇性經取 代的基衍生基團及/或至少一個其它可選擇的取代 基取代，及其中該重覆單元在該聚合物中的平均數目（m) 為至少35。 2.如申請專利範圍第1項之電激發光裝置，其中該重覆單元 90313-990816.doc 丄〜4/40 竹年公月ι办曰修(更)正铮換頁 ______ r2 在該聚合物中的平均數目（m)為至少40。 3·如申請專利範圍第1或2項之電激發光裝置，其中該聚合 材料為環經取代的材料，其可由至少一個選擇性經取代 的線性、分枝或環狀之(：6或較高的碳基衍生基團取代。 4.如申請專利範圍第3項之電激發光裝置，其中該至少一個 選擇性經取代的線性、分枝或環狀之碳基衍生基團包括 烷基或烷氧基基團。 5_如申明專利範圍第1或2項之電激發光裝置，其中該聚合 材料呈多分散性。 6. 如申明專利範圍第1或2項之電激發光裝置，其中該裝置 僅包含一層有機層，以致於包含該聚合材料的有機層與 包含該電激發光材料的層為相同層。 7. 如申凊專利範圍第丨或2項之電激發光裝置，其中該裝置 包含一層或更多層有機層，包含該聚合材料的至少一層 有機層與包含該電激發光材料的至少一層有機層分隔 開，且其位於在包含該電激發光材料之層與該陽極間。 8. 如申明專利範圍第丨或2項之電激發光裝置，其中該聚合 材料可使用作為一該聚合材料與一種或多種其它具有不 同電及/或物理性質之聚合或單體材料的混合物。 9. 如申靖專利範圍第8項之電激發光裝置，其中該混合物包 含一種或更多種如申請專利範圍第丨項之聚合材料的摻 , 合物。 -1〇·如申請專利範圍第1或2項之電激發光裝置，纟中該聚合 材料可從溶液來沉積。 90313-990816.doc ^ ^ >1 \)〇 Ώ ( f) jt ^ •_""**"*參’—-''一 — . . —r', 11.如申請專利範圍 圍第1或2項之電激發光裝置，其中該聚人 材料可利用選自於、下丨 σ 乂曰於下列群組之塗佈或印刷技 浸塗法、輥塗法、、S Α 师， 逆輥塗法、桿式塗佈法、旋轉塗佈、 照相凹版式塗敷法、也μ & & 击光刻塗佈法（包括光微影光刻方法）、 =墨塗佈法（包括連續及即需即印，且藉由壓電式或熱製 耘k崖）、細網塗佈法、噴霧塗佈及網版塗佈法。 如申明專利範圍第1或2項之電激發光裝置，其中包含該 聚合材料的層厚度大於40奈米。 如申π專利範圍第12項之電激發光裝置’其中包含該聚 合材料的層厚度大於6〇奈米。 •如申π專利範圍第13項之電激發光裝置，其中包含該聚 合材料的層厚度大於1〇〇奈米。 5·如申凊專利範圍第14項之電激發光裝置，其中包含該聚 合材料的層厚度大於200奈米。 •如申胡專利範圍第12項之電激發光裝置，其中包含該聚 合材料的層厚度高達5〇〇奈米。 Π.如申清專利範圍第丨或2項之電激發光裝置，其中該聚合 材料之電洞遷移率大於1〇-3em2v-ls-丨。 18. 如申請專利範圍第丨或2項之電激發光裝置，其中該聚合 材料可與S玄陽極形成一歐姆介面。 19. 如申請專利範圍第1或2項之電激發光裝置，其中該陽極 包含一銦及錫的氧化物（ITC^。 20_如申請專利範圍第19項之電激發光裝置其中該聚合材 料具有範圍4.8-5.2 eV的離子化位能。 90313-9908l6.doc 丄334/4U 丨6日修(更)正替换頁 21 ·如申請專利範圍^717項二發光裝置，其中包含， 聚合材料的層直接與該陽極接觸。" 22. =Γ利範圍第21項之電激發光裝置，其中包含該聚 σ相層為在該陽極與包含該電激發光材料之層間唯 一的有機層。 23. ^申清專利範圍第U2項之電激發光裝置，其中該聚合 材料混合在一黏著劑樹脂中。 24. 如中st專利範圍第23項之電激發光裝置，其中該黏著劑 樹月曰選自於下列群組：％酿胺、聚胺甲酸酿、聚醚、聚 =三％氧樹脂、聚酮、聚碳酸酯、聚颯、乙烯基聚合物、 聚笨乙烯、聚丙烯醯胺、其共聚物及/或其混合物。 25. 如申w專利範圍第1或2項之電激發光裝置，其中包含該 聚合材料的層經交聯。 26. 如申凊專利範圍第25項之電激發光裝置，其中該層可藉 由父聯該聚合材料及/或藉由交聯該黏著劑樹脂而交聯。 27·如申凊專利範圍第丨或2項之電激發光裝置，其中該電激 發光材料可使用來發射藍光。 28’如申睛專利範圍第1或2項之電激發光裝置，其為一種頂 端發射裝置’其中在包含該聚合材料的層後，沉積透明 陰極。 29.如申請專利範圍第1或2項之電激發光裝置，其中丫丨為^^。 3〇.如申請專利範圍第1或2項之電激發光裝置，其中Ar1及Ar2 右在不同的重覆單元中可各自獨立地代表二價的芳香族 基團。 31.如申請專利範圍第3〇項之電激發光裝置，其中該芳香族 90313-990816.doc 啊年？月(6日條(更)正替換頁 〜--------- 基團為單核或多核芳号族基團。 32. 如申請專利範圍第，丨或2項之電激發光裝置，其中若在 不同的重覆單元中可各自獨立地代表二價的芳香族基 團。 33. 如申响專利範圍第32項之電激發光裝置，其中該芳香族 基團為單核或多核芳香族基團。 34· —種形成如申請專利範圍第丨或2項之電激發光裝置的方 '、/、匕括從’谷液來沉積一包含該聚合材料的層。 3 5.如申„月專利範圍第34項之形成電激發光裝置的方法，更 包括利用氣相沉積法來沉積至少一層其它層。 90313-990816.doc