TWI331948B - Method and system for improving alignment precision of parts in mems - Google Patents
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Description
1331948 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 • 本發明一般係關於製造技術及微機電系統(MEMS),且詳 ' 言之係關於一種用於在製造期間改良MEMS中元件之對準 精確性之方法及系統。 【先前技術】 使用習知積體電路(1C)方法用電氣裝置或電路系統製造 的微米大小之機械結構被稱為微機電系統*MEMS。當前 • #在對用於諸如投影裝置、顯示器、感應器及資料儲存袭 置之應用的MEMS裝置之開發的許多興趣。舉例而言,ibm 的關於資料儲存裝置之一項目展示一每平方吋丨兆位元的 資料密度,其係當前可用之最密集之磁儲存的2〇倍。該裝 置使用數千個奈米尖端將代表個別位元之刻痕打入一塑料 薄膜。結果與11 〇年多前所開發之資料處理‘打孔卡片,之奈 米形式類似,但是存在兩個關鍵的差異:所用技術為可重 寫性的(意即其可反覆不斷地使用),且在一標準打孔卡片中 • 僅一個孔所占之空間中可能儲存30億位元的資料。 ' 該裝置之核心為一〇·5微米厚、70微米長的¥形矽懸臂之 . 二維陣列。每一懸臂之末端為一不足2微米長的向下指示尖 端。當前實驗配置含有一 1024(32 x32)懸臂之3mmx3mm陣 列其藉由矽表面微加工創造。一精密複雜設計保證了尖 端陣列相對於儲存媒體之精確位準且抑制了振動及外部脈 衝。類似於DRAM晶片中所用之電子裝置的時間複用電子 裝置個別地定址用於平行操作之每一尖端。電磁致動在χ 102714.doc 1331948 及y方向上精確地移動陣列之下的儲存媒體,使得每一尖端 於一側面在其10〇微米的自身儲存域中讀及寫。所覆蓋的短 距離有助於保證低功率消耗。 圖1係此裝置(100)之部分截面視圖。如所示的,每—懸 臂115係安裝在一頂上覆蓋了一具有一控制結構之 CMOS裝置11〇的基板105上,且每一懸臂115包括一向下指 示尖端125,其經調適以讀或寫(R/W)儲存掃描器台13〇之表 面上的一位元。由於電磁致動器135,儲存掃描器台13〇可 如箭頭所示地在至少一維度内移動。包括儲存掃描器台 130、致動器135及支撐結構140之元件必須在一預定距離上 在該CMOS裝置110上精確地對準^ CMOS裝置11〇具有所有 所需電子裝置以控制所需功能’諸如R/w操作。在此實施 例中’ X及Y轴上之對準功能目標為士10 (微米)的數量 級’然而該儲存掃描器台150與該CMOS裝置11〇(其亦用作 一支撐該等R/W懸臂的支撐板)之間的功能間隙具有一 6 的最大距離’其具有次微米級容限(sub_micron t〇ieranee)。 與所需元件對準精確性相關聯的機電特徵之組合導致直 接衝擊裝置成本的精密製造工具之使用。由於生產量(生產 能力)及精確對準需要之間的固有衝突,在消費市場的此種 產品之大量生產中,投資將變得非常高。因此,在不需要 精密及複雜製造工具的情況下,需要一種在製造期間用於 有效對準MEMS之元件之方法及系統。 【發明内容】 因此’本發明之一主要目的係矯正本文上述之先前技術 102714.doc ⑧ 1331948 之缺點。 發月之另目的係提供一種在對準MEMS元件時用於 減少其間之摩擦之方法及系統。 之進步目的係提供一種用於在製造期間改良 MS元件之自我對準精確性、同時控制此等元件之間的 距離之方法及系統。 本發明之又一進一步目的係提供一種用於在製造期間根 據旋轉未對準來改良MEMSit件之自我對準精確性、同時 控制此等元件之間的距離之方法及系統。 此等及其它目的之完成係藉由一用於改良一電子裝置之 至少兩個元件之對準精確性的方法來達成,該等至少兩個 元件係藉由至少一滾動元件而接觸,該方法包括以下步驟: -將該等至少兩個元件對準;及 •將該等至少兩個元件鎖定在一起。 對於熟悉此項技術者而言,依據該等圖式及詳細描述之 檢驗,本發明之進一步優點將變得顯而易見。希望任何額 外的優點併入本文。 【實施方式】 根據本發明,提供一設計策略,其允許藉由一回焊製程、 一基於重力效應之製程或兩者之組合以極高的精確定位來 堆疊微機電系統(Μ E M S)之兩或兩個以上元件,該回焊製程 亦可在該MEMS之該等元件之間形成一最後的電及/或機械 連接。此外,本發明提供一旋轉置放誤差之自動控制校正 及一自動壓力 Ζ控制高度(self f0rced z eontroiled height)或 102714.doc 1331948 功月t* 平衡(functional standoff) 〇 為說明起見,本發明之說明係基於參考關於一資料儲存 裝置之圖1的以上所給之實例。該資料儲存裝置係由—具有 一移動台(亦稱為掃描器或掃描器台)2MEMS及相關聯的 電磁控制器、一CM0S裝置製成,該^^〇8裝置具有所有所 需的電子器件以控制讀及寫(R/W)功能效能且承載大量的 為R/W尖端之單一結構。 如上所述,存在元件層疊之精確功能要求。在χ軸及γ軸 上之對準功此目標為±1〇 (微米)之數量級,然而掃描器 台與亦用作R/W懸臂之一支撐板的該CM〇s裝置之間的功 能間隙具有一 6 μηι最大距離,其具有次微米級容限。 根據本發明’對準系統係基於使用滾動的球體或軸承來 減少MEMS之移動元件之間的摩擦。較佳地,該等球體或 軸承係置放在存在於該等堆疊元件之一上的空腔或凹穴 (niche)中。舉例而言,可在MEMS元件之表面上蝕刻該等空 腔。應注意,沿主軸線旋轉之圓筒形轴承使元件僅沿正交 方向移動’而沿中心旋轉之球體使元件沿χ及y方向移動。 亦應注意’該等球體及軸承被用作分隔物以提供MEms元 件之間的距離之精確控制。 包括圖2a、2b及2c之圖2說明以上提及之球體及軸承。圖 2a為類似於圖1中所示之元件的兩個memS元件(例如,— CMOS裝置11〇'及一支撐一儲存掃描器台之結構14〇,)之部 分截面視圖》CMOS裝置110,包括一空腔200,一球體2〇5可 在其中旋轉,以使CMOS裝置110,及支撐一儲存掃描器台之 102714.doc -9- ⑧ 、,構4 0叮以低摩擦係數對準》較佳地,該系統包括三個 球體(或兩個球體及一個軸承、一個球體及兩個軸承,或三 個軸承)’其未對準以便在要對準的MEMS元件之間創造三 個界面點。圖2b展示存在於一圓筒中的空腔2〇〇之較佳形 狀,該圓筒之轴線與要對準的MEMS元件之間的界面點所 形成之平面垂直。圖2e說明一軸承21〇之使用及相應空腔 215之較佳形狀。如所示的,該相應空腔215之較佳形狀為 一長方體。 可由碳化鎢製成的該等滾動球體或轴承為相對於彼此具 有相對移動的該等移動元件提供一低摩擦係數。寄住有該 等球體或軸承之空腔被製成一定大小以大體上包括MEMS 之堆疊元件的定位容限(p〇siti〇ning t〇lerance)以及所有所 需的製造公差。舉例而言,該球體可具有7 μπι之直徑,該 空腔可具有1 μηι之深度。 仍較佳地,該等球體或軸承在定位該等件之前 得以保持在空腔中並居中。如圖3中所示,旋轉元件係藉由 一溫度耗散材料300而保持在其位置上,該溫度耗散材料在 其它機構想取代該等MEMS元件之相對定位時釋放該等旋 轉元件。較佳地’該溫度耗散材料由一包括水及甘油之凝 膠組成。此凝膠在一回焊輪廓之前端部分中、在大約8〇1 及130°C之間的溫度劇增(temperature excursi〇n)期間完全 耗散且一般必須持續至少14 0秒》此凝膠蒸發且未留下在層 疊之MEMS的兩個元件開始移動時防止球體滾動的殘餘 物。該凝膠可藉由混合10 g甘油及6 g水獲得,在大於45〇c 102714.doc •10- 1331948 的溫度下於一真空腔室中攪拌直到容量減少且水損耗而形 成凝膠。真空混合增加了水在較低溫度下的蒸發速率且避 免了混合操作期間的凝膠形成中之空氣泡的收集。凝膠可 藉由一針(needle)將一點凝膠置放進該等空腔來分配,此針 可主動地分配該凝膠,例如,藉由經由針來注射該凝膠或 以一被動方式轉移該凝膠。另一解決方案在於在將該等球 體或軸承置放入空腔之前將其浸入該凝膠中。 一旦對準已完成,則該層疊MEMS之鎖定機構(諸如焊接) 藉由摩擦力將該等球體或軸承固持在適當位置。 如上所述’使用低成本工業製程,可由一特殊焊接製程、 該等旋轉元件空腔之一特定形狀底部或二者之組合產生 MEMS元件之自我對準。 金屬襯墊之特殊設計及所選焊接合金(諸如標準共晶錫/ 鉛(63Sn/37Pb)或非共晶Sn/Pb二元合金(諸如Sn6〇/4〇pb或 5Sn/95Pb、10Sn/90Pb、3Sn/97Pb)或其它"無鉛"合金(諸如 錫/銀/銅三元合金)或其它以銦或銀或錫為主之合金或其它 金屬合金之利用的實施例允許利用金屬合金沈積物之表面 物理張力。焊接合金可基於整體產品製造系統中所需之焊 接架構階層及基於不同MEMS組件可經受的最大可接受溫 度劇增來選擇。在回焊製程之開始(a)及結尾(b),該等金屬 襯墊與液相合金之間的潤濕現象驅動沿如圖4中所示之兩 個MEMS元件之間的X軸及Y軸的自動居中操作,圖4展示該 MEMS的兩個元件(400、500),每一元件包括一與合金(42〇) 接觸之襯墊(410、415)。 102714.doc ⑧ 1331948 當相同設計中需要時,熔融焊料中之此等張力效應又可 用以藉由創造力矩來創造一用於旋轉自我對準(0轴)之複雜 力系統以圍繞各種特徵枢轉。另外,藉由調適概塾之相對 大小及合金之量,可控制施加於旋轉元件上的壓力。 圖5說明一裝置500,於該裝置實施本發明之一實施例, 該裝置5 00包括由焊接合金515所連接的兩個金屬襯墊5〇5 及510。如上所述,該等MEMS元件之間(例如,CMOS裝置 110'與包括該儲存掃描器台130,、該電磁致動器135ι及該結 構140’之元件之間的距離係根據旋轉元件52〇之直徑及相應 空腔525之深度來確定。 根據圖5中所示之裝置,χ、γ及θ對準可連同與旋轉元件 相抵之Ζ壓縮(Z collapse)—起在一單一回焊步驟中執行。 包括圖6a、6b、6c及6d之圖6說明MEMS元件之對準的主 要步驟。如圖6a所示,支撐該儲存掃描器台之結構14〇,包括 一襯墊510且該CMOS裝置11〇,包括一襯墊505及一空腔 525,其中一球體係藉由一溫度耗散材料3〇〇(諸如一包括水 及甘油之凝膠)來維持並及居中。在襯塾505上沈積一預定 量之焊接材料515。當CMOS裝置110'與支撐該儲存掃描器 台之結構140'對準時’襯墊505及5 10亦被對準。 如上所述’該溫度耗散材料3〇〇在該焊接回焊製程之第一 步驟期間開始耗散並繼續直到完全耗散,同時該溫度到達 該焊接材料515之熔點。如圖6b所述,該焊接材料改變狀態 且開始潤濕該襯墊510。如圖6c所示,該等MEMS元件壓縮 一個元件至另一個元件之頂部直到其碰撞該球體52〇,如參 102714.doc 12 ⑧ 1331948 看圖4所述的,該球體可自由地調節自我對準的該等mems 元件之移動。如圖6d所述,在該自我對準製程的最後,該 荨襯墊505及510被對準且溫度被降低,從而將mems元件 鎖定在一起。
每一襯墊設計受到與使該等層疊MEMS元件之自我對準 之合力相同的力之位置及所起作用的啓發。較佳地,每一
要對準之MEMS元件包括至少三個襯墊,當元件被精確對 準時,一元件之每一襯墊的至少一部分要精確地對準其它 兀件之一襯墊。在一較佳實施例中,存在形成一三角形(意 即,界定一平面)的三個襯墊,其中的兩個襯墊為長方形襯 墊,此等襯墊已展示沿與較長邊成直角之方向具有一更強 的拉力。按照一大約9〇。的角安置的此等長方形襯墊負責給 予X及Y宏觀對準一一致的作用但負責達成該等金屬襯墊 及接著的該等MEMS元件之精確的微觀對準(次微米級^將
該等襯墊製成長方形ϋ使其具有兩邊(間的高縱橫比亦滿 足Ζ控制製程之壓縮特徵的要求之一。 第三襯墊必須維持相同的X及Υ恢復作用(力),但當該襯 墊基本居中時該X及γ恢復作用(力)可能位於一較低水平, 但是當錯位係宏觀水平(數十微米)時,該襯墊具有變成對自 動居中力的一強大貢獻者之選擇。較後襯墊設計之其它主 要功能係充當-樞轉點且允許與由其它兩個長方形襯墊驅 動之作用力相關聯的系統稍微旋轉。 該第三襯墊之設計特徵之界定導致一具有一類似於一 "環形(Donut)”輪廓的襯墊’其中該等合力沿該概塾作用,如 -13- 102714.doc ⑧ 1331948 同該襯墊自身為一長方形襯墊,並 一咼比率’其在某種程度上非常類 熔融合金將潤濕配合襯塾’從而產生-驅動一完全且低 表面能量之3D結構的對準力,僅當存在—可濕潤表面(概 塾)之精確重疊時才可達到該結構。
圖7說明-裝置之局部視圖,本發明係於其中實施且說明 基於每一襯塾設計之主導力向量(箭頭)。如所說明的,一 MEMS元件700包括襯墊71〇、715及72〇,該等襯墊盥 Μ職元件705之相應襯塾料,從而允許在回焊製程期間 對準元件700及705。 圖8描繪兩個MEMS元件之相應襯墊(意即,一對襯墊)以 及允許其對準的主導力。由此圖式可理解,兩個襯墊皆應 具有大約相同的寬度/及不同的長度,以便確定一主要的對 準方向。可校正之較大的未對準距離大約等於該襯墊寬度 之一半,意即以2。
且兩不同邊緣之間具有 似於剩餘的兩個襯墊β 包括圖9a、9b及9c之圖9說明以上論述之用作一枢轉點之 第二襯塾對的襯墊設計之一實例。較佳地,兩個襯墊之環 形圈之内部半徑仏丨及尺2係相等的,R1=R2,然而該等襯墊之 一者的外部半徑大於該第二襯墊之外部半徑,例如, R3>R4。可校正之較大的未對準距離大約等於兩個襯墊之外 部半徑之間的差的一半’意即,(r3_r4)/2。 因此,兩對類似長方形襯墊之使用允許X及γ對準以及旋 轉調適’一對襯墊與另一對襯墊成一大約等於9〇。的角旋轉 且如上所述的係一對環形襯墊。 102714.doc -14- ⑧ 1331948 必須精確確定用於自我對準mems元件及焊接MEMS元 件之相應襯墊之間的所用焊接材料的量。其必須足夠多以 保證襯墊之間的接觸及使MEMS元件對準之有效張力效 應’但是其不必須過大以便保證球體與兩個MEMS元件相 接觸。 與可用可濕潤表面成對之焊接合金之可用容量的所得組 合決定一達成一具有最小表面能量之3D結構的焊料容量之 分配。 焊接材料所需之量係藉由低估平衡狀態下的一特定高度 及襯墊表面所需之容量而達到。此將造成合金的過量消耗 及一隨之而來的壓縮作用,該壓縮作用將傾向於減小超出 該等球體之存在而施加之間隙。 圖10及下列表格展示一基於可能/可用焊接合金體積而 確定尺寸之不同襯墊之實例》沈積該小量的焊接合金之製 程對於目標體積而言確實具有不同成本及不同容限。該等 表格用以基於固定焊接沈積之步驟來設計具有不同表面面 積之目標體積。 圖l〇a說明焊料(1005)沈積後的一長方形襯墊(1000)構型 且圖10b展示自我對準操作及焊料(1005·)消耗後的該等長 方形襯墊(1000、1010)構型。接著用對一具有平行面之棱錐 形平截頭體(pyramidal frustum)之優良近似法來計算該幾 何構型。 假定: -办為上面沈積有合金且寬度及長度皆等於100 μιη之襯 1027U.doc •15· 1331948 . 墊(1000)的面積, -5為寬度等於ΙΟΟμπι之接收襯墊(1010)之面積, . _ λ為連接前之合金沈積物之高度,且其值為一用於極小 .· 體積之焊接沈積製程性能之變量。h的值可為一獨立變量, 其決疋該專概塾幾何形狀的整體大小β -凡為襯墊(1000、1010)之間的合金之目標高度,且 -V為合金體積, 於是, φ ν=Η·^ψ^~ ⑴ 且該接收之襯墊(1010)之長度為: 口金丨木度之回度Ιι(μπι) 15 14 13 12 10 接收襯墊之長度(μπι) 560 510 460 410 320 同樣地,圖10c說明焊料(102〇)沈積後之一環形襯墊 (1015)構型,且圖10(1展示自我對準操作及焊料(1〇2〇,)消耗 後的該環形襯墊(1015、1025)構型。接著用對一具有平行面 之錐形平截頭體及中心處一、體積為狀饵之圓筒形空腔之優 良近似法來計算該幾何構型。 假定: _ 1^及尺2為兩個環形襯墊(1015、1025)之中心處的空心圓 形區域之半徑,且R丨及R2皆等於50 μηι, -R4為上面沈積有合金之襯墊(1〇15)之外部半徑,其等於 1 50 μπι, _ R3為該接收襯墊(1025)之外部半徑, -办為連接前之合金沈積物之高度,且其值為—用於極小 102714.doc 16 1331948 體積之焊接沈積製程性能之變量的值可為一獨立變量 其決定該襯墊幾何形狀的整體大,】、。 -為襯墊(1015、1025)之間的合金之目標高度,且 -V為合金體積, 於是, 且該接收觀塾(1025)之外部半徑|^為 合金深度之高度Κμπι) 15 14 13 12 10 接收襯塾之半徑(μιη) 340 325 310 290 260 (2)
在另一實施例中,該自我對準製程使用重力效應。根據 此實施例,在該等MEMS元件之兩個配合表面上存在兩個 互補的蝕刻空腔。如圖11所示,其中圖lla描繪MEMS元件 110及140"之一部分截面視圖,且圖丨丨b描繪相應的部分透 視圖’形成於CMOS裝置110"中之空腔11〇5看起來象一平坦 化的錐體且形成於結構14〇"中之空腔111〇為一錐體。空腔 1105包括一平坦的底部,如上所述,該球體u〇〇居與該底 部中心且用一諸如凝膠的溫度耗散材料來維持,且當該溫 度耗散材料蒸發後,.該球體可在該空腔中自由滾動。歸因 於重力效應’空腔1110之錐形形狀允許該球體與該錐體中 心自我對準以達到一穩定狀態。當該球體與空腔111〇之錐 體中心對準時空腔形成,使得MEMS元件對準。空腔11〇5 與1110之中心之間的距離a對應於頂部MEMS元件之錯 位’而等於該平坦化的錐體較小表面之半徑的距離B係根據 該自我對準機構可恢復之最大距離。 102714.doc 1331948 圖12說明一用於施加一 2力(z f〇rce)以增加重力效應之 設備。小而輕的磁性"砝碼"1200係以此種方式置放在上部 MEMS元件1205之頂部:其在焊接點或該等焊接點之一子 集上方良好居中。具有可切換電流(及因此產生之可切換磁 場)之磁性螺線管1210以低於所連接之該等元件之方式定 位,使彳于其在每一磁性站碼之下良好居中。若此等螺線管 及砝碼具有行為良好的磁場(且無將來自該等螺線管之磁 場扭曲的其它鐵磁性結構存在),則每—磁性砝碼上的力在 一給定容限内係完全垂直的(不具有平面内分量)。 當該等螺線管中之磁場接通時,該等磁性砝碼在該上部 MEMStg件1205上產生一垂直力,其使該元件與球體1215 相抵’從而允許根據空腔之形狀來對準MEMS元件。力的 大小係由該等磁性砝碼之大小及磁導率以及該等螺線管之 設計及施加至該等螺線管之電流而確定。 該等磁性砝碼係在回焊製程開始之前藉由機器人或其它 構件來置放。適當位置處之具有磁性内含物之單一輕量結 構可簡化該等磁性組件之置放。在大多數情況下重力應足 以將該等磁性砝碼固持在適當位置。冷卻之後,該等磁性 結瑪可自結合堆疊搬離。 磁質量之置放亦可藉由在該上部MEMS元件之頂部上提 供凹槽或其它對準特徵來幫助實現。若在該上部MEMS元 件中提供錐形、圓筒形或方形凹陷,則鋼球(其以低成本及 精確控制尺寸而被廣泛地應用)可用作磁性砝碼。 在该等MEMS元件已對準之後,可應用一焊接製程將該 102714.doc •18- 1331948 等元件鎖定在一起。 即使所述實例係基於在將河_元件對準之前使用以甘 油為主凝膠來維持該等滾動球體/軸承,亦必須瞭解,可使 用其它材料。其它應用可使用此種材料來固持該等滾動球 體/轴承’該等材料在熱循環期間不會完全耗散而是僅僅液 化到不妨障該等球體之移動的程度’同時可達成該等移動 元件之連接且接著在該等元件冷卻後重新凝固。此等材料 包括天然或合成的蠟或松香,例如,石蠟或松脂(松樹脂)。 同樣地,熱耗散材料組合物可包含水膠體之使用,例如, 阿拉伯膠(gum arabic)、刺梧桐樹膠、瓊脂膠(gum agar)、 關島夥(guam gum)。 自然地,為了滿足局部或特殊要求需要,熟悉此項技術 者可應用上述許多修改及變更之解決方案,然而,其中所 有修改及變更必須包含於由下列申請專利範圍所界定的本 發明之保護範疇内。 【圖式簡單說明】 圖1係一裝置之部分截面視圖,本發明可於該裝置中有效 地實施。 圖2(包括圖2a、2b及2c)說明用於減少將要對準之mems 元件之間的摩擦來改良對準精確性之本發明之機構。 圖3描繪如何臨時阻塞圖2之球體或轴承。 圖4(包括圖4a及4b)說明可結合圖2之摩擦減少機構使用 之回焊對準製程之概念。 圖5係圖1之裝置之部分截面視圖’本發明係於該裝置中 •19· 102714.doc ⑧ 1331948 實施。 圖6(包括圖6a、6b、6c及6d)說明MEMS元件之自我對準 • 之一第一實施例的主要步驟。 圖7說明一裝置之部分平面圖’根據該第一實施例’本發 . 明係於該裝置中實施且展示基於每一襯墊設計之主導力向 量。 圖8展示根據該第一實施例之用於對準MEMS元件9a、9b 及9c之襯塾的形狀。 ® 圖10(包括圖10a、10b、l〇c及l〇d)展示襯墊大小及合金體 積之控制之一實例。 圖11(包括圖11a及lib)描繪一使用重力效應來自我對準 MEMS元件之第二實施例。 圖12說明一用於施加一 Z力以增加重力效應之設備。 【主要元件符號說明】 100 先前技術之MEMS裝置 105 基板 110 CMOS裝置 110' CMOS裝置 110" MEMS元件/CMOS裝置 115. 懸臂 120 控制結構 125 向下指示尖端 130 儲存掃描器台 130' 儲存掃描器台 102714.doc -20- 1351331948
1000 、 1010 1005 ' 1005'、1020、1020' 135' 140 140' 140" 150 200 205 210 215 300 400 、 405 410 、 415 420 500 505 510 515 520 525 700 、 705 710 、 715 、 720 電磁致動器 電磁致動器 支撐結構 結構 MEMS元件 儲存掃描器台 空腔 球體 軸承 空腔 溫度耗散材料 MEMS元件 襯墊 合金 裝置 襯墊 襯墊 焊接合金 旋轉元件 空腔 MEMS元件 襯墊 長方形襯墊 焊料 102714.doc -21 - ⑧ 1331948 1015 、 1025 環形襯墊 1100 球體 1105 、 1110 空腔 1200 磁性"砝碼" 1205 上部MEMS元件 1210 磁性螺線管 1215 球體 102714.doc -22-
Claims (1)
1331948 橥〇94丨226〇3號專利申請案 ” 中文申請專利範圍替換本(99年5月) ; 十;申請專利範圍: \ Pfr Sr月7日修(^)正本 1. 一種用於改良-電子裝置之至Τί'ϊΤ?7ϊΤόΓ^4〇,)之 對準精確性之方法’該等至少兩個元件藉由至少一滾動 元件(205)而接觸,該方法包括以下步驟: 將該專至少兩個元件(110'、140')對準; -將該等至少兩個元件鎖定在一起;及 在將3亥等至少兩個元件對準之前釋放該至少一滾動元 件(205)。 2·:請求項1之方法’其中在將該等至少兩個元件對準之 ^^耗散㈣⑽)將該滾動元件(2G5)鎖定在該 等至少兩個元件(11〇,、14〇·)之一上。 3·如π求項2之方法’其中該熱耗散材料包括甘油。 月长項1、2、或3之方法,其中該滾動元件(205)係一球 體或一軸承中之任一者。 5. 如請求項 1、2、或 3 > ·*、、t »+ 丄 ^ # 一 方法’其中該等至少兩個元件(110,、 140,)中之至少— _ 者包括一空腔(2〇〇),在將該等至少兩個 牛子準之則’该滾動元件居於該空腔中心。 6. 如請求項19、·+、, 、 或3之方法,其中該等至少兩個元件 部元件包括一蛞细、A 〇 η… 、、’調適以與該滾動元件相配合之錐形空腔 =二=項I、2、或3之方法,其中該等至少兩個元件中之 :一/括至少—襯墊(505、510)’當該等至少兩個元件 元件:該等至少兩個元件之-第二元件對準 一兀件的該至少-襯墊與該第二元件的該至少 102714-9900507.doc 1331948 一襯墊對準,形成至少一對襯墊,該至少一對褫墊乏襯 塾大小較佳係不同的,該方法進一步包括以下步驟: -於該等至少兩個元件之一第一元件的該至少一趣塾上 沈積膠(515), 將該第二元件大致對準該第一元件,及 - 將該第二元件放在該第一元件上。 8. 如請求項7之方法,其進—步 態之步驟。 包括將該膠還原為— 液體狀 9.如請求項7之方法 1 0.如凊求項8之方法 其中該膠係由垾接合金製成。 其中該膠係由焊接合金製成。 102714-9900507.doc 2·
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP04103257 | 2004-07-08 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW200615076A TW200615076A (en) | 2006-05-16 |
TWI331948B true TWI331948B (en) | 2010-10-21 |
Family
ID=34969607
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW094122603A TWI331948B (en) | 2004-07-08 | 2005-07-04 | Method and system for improving alignment precision of parts in mems |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8707553B2 (zh) |
EP (1) | EP1765724B1 (zh) |
JP (1) | JP4785844B2 (zh) |
KR (1) | KR101013257B1 (zh) |
CN (1) | CN100581985C (zh) |
TW (1) | TWI331948B (zh) |
WO (1) | WO2006005643A1 (zh) |
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-
2005
- 2005-05-17 KR KR1020077000220A patent/KR101013257B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2005-05-17 JP JP2007519749A patent/JP4785844B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2005-05-17 WO PCT/EP2005/052248 patent/WO2006005643A1/en active Application Filing
- 2005-05-17 CN CN200580022642A patent/CN100581985C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2005-05-17 EP EP05749745.5A patent/EP1765724B1/en not_active Not-in-force
- 2005-05-17 US US11/571,811 patent/US8707553B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2005-07-04 TW TW094122603A patent/TWI331948B/zh not_active IP Right Cessation
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Publication number | Publication date |
---|---|
CN100581985C (zh) | 2010-01-20 |
EP1765724A1 (en) | 2007-03-28 |
JP4785844B2 (ja) | 2011-10-05 |
US20090211087A1 (en) | 2009-08-27 |
KR101013257B1 (ko) | 2011-02-09 |
JP2008505770A (ja) | 2008-02-28 |
WO2006005643A1 (en) | 2006-01-19 |
CN1980855A (zh) | 2007-06-13 |
KR20070031996A (ko) | 2007-03-20 |
EP1765724B1 (en) | 2013-12-18 |
US8707553B2 (en) | 2014-04-29 |
TW200615076A (en) | 2006-05-16 |
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