TWI330785B - A method for detecting the capture range of the data strobe - Google Patents

A method for detecting the capture range of the data strobe Download PDF

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Description

1330785 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於偵測雙倍資料傳輸率同步動態隨機存 取記憶體（Double Data Rate Synchronous DRAM，DDR SDRAM)之輸出資料選通（strobe)信號之方法，特別是有關 於DDR SDRAM輸出資料時，偵測資料選通信號的方法。 【先前技術】 在目如一身又的S料處理糸統（data process system)中，同 步動態存取記憶體（Synchronous DRAM, SDRAM)架構常被 使用於ό己憶體卓元。其與糸統同步運作，每一資料存取動 作都在系統時脈的正緣（rising edge)觸發之下進行，因此能 夠較傳統時脈獨立之記憶體架構提供更快速之資料傳輸效 率。 而新一代，被稱為雙倍資料傳輸率（D〇uble Dau Rate， DDR) SDRAM的SDRAM架構’類似於一般的sdram架 構。但不同的是，系統時脈的正緣及負緣（“⑴叫皆會 觸發一筆資料存取動作，因此在理論上DDR sdram能二 供兩倍於一般SDRAM架構的資料傳輸效率，且在架構上僅 須做微幅的修改即可。但隨著系統時脈不斷的提昇，一些 新的問題也隨之而來。 參閱第1圖所述DDR SDRAM之讀取時序圖。信號clk 為系統時脈’當對DDR SDRAM發出一個時脈的低賴位 準（low logic level)致能信號Rc做為讀取指令 1330785 command)後，並經過一段潛伏（latency)時間1〇2，資料便會 以一個時脈兩筆的速率出現在資料線Dq上以供讀取，在此 假設一次資料讀取作業中可讀取八筆資料，即資料d〇至資 料D7。在將資料提供至資料線DQ上的同時，ddrsdram 同時會提供一與資料線DQ上的資料同步運作的資料選通 (strobe)信號DQS，其每一正緣及負緣皆表示資料線〇卩上 一筆資料的到達，並且在資料線DQ上的第一筆資料D〇出 現前提供一個時脈週期的低邏輯位準前置（preamMe)i〇4以 表示資料即將到達，以及在最後以半個時脈週期的低邏輯 位準後置（p〇Stamble)106來表示資料線DQ上資料的結束， 在這些情況之外，k號DQS皆處於一介於高邏輯位準邙丨钟 logic level)與低邏輯位準狀態之間的高阻抗（high impedance, HI-Z)狀態，因此資料選通信號DQS為一三態信 號。 當DDR SDRAM回傳了資料及資料選通信號dqs之 後，下一步便是要將資料線DQ上的資料接收。一般說來， 接收單元可在讀取指令信號RC發出的一段時間後，開啟輸 入致能（input enable)信號TNI來接收資料線DQ及資料選通 信號DQS。當輸入致能信號TNI在偵測到資料選通信號dqs 的前置104之後，會維持高邏輯位準的致能狀態直到後置 106為止。在輸入致能信號TNI的致能期間’資料接收單元 可提供一與i料選通仏號DQS同步的資料讀取信號ZI用以 作資料接收的控制，資料接收單元會在資料讀取信號以的 正緣及負緣皆對資料線DQ上的資料作讀取的動作。 1330785 但因為系統時脈的提昇 組及主機Μ㈣m 中所使用記憶體模 不同的產品之間料—定值，其會隨==時V。2在 況的不同而產生變化，連帶 叩使用狀 出現時間也會跟著變化二1通㈣DQS的前置104 料_號=:二：經過-固定時間即對資 致能信號™1偵測到f料選通信號DQS的 狀几：曰使資料讀取信號ZI產生-未知(unknow)的 因潛伏時間1〇2的縮短’使輸入致能信號tni 在錯過貝料通信號DQS的前置之後彳 資料的錯失。這些狀況皆會產生資料讀取錯誤，嚴 = 了資料的讀取效率。 嚴罜降低 >由上述可知，可對資料接收單元偵測資料到達的方式進 行改良資料選通信號的前置進行更加準確的擷取，以 減少身料的錯失’提高資料讀取單元對ddr sdram 的讀取效率。 【發明内容】 因此本發明提供一種偵測DDR SDRAM架構中，輸出 資料到達信號的方法。 本發明提供—種對DDR SDRAM架構的資料偵測方 法，用以提高資料的讀取效率。 本發明提供一種使用於資料接收單元的資料偵測方 1330785 雖然本發明已以一較佳實施例揭露如上，然其並非用以 限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神 和範圍内，當可作各種之更動與潤飾，因此本發明之保護 範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。 【圖式簡單說明】 為讓本發明之上述和其他目的、特徵、和優點能更明 顯易懂，下文特舉-較佳實施例，並配合所附圖式 細說明如下： 第1圖為傳統方法對臟SDRAM的資料讀取時序 第2圖為本發明擷取資料讀取潛伏 圖； π间之方法時序 第 以及 圖為本發明方法中計算潛伏時間之方法流 第4圖為本發明之方法流程圖。 件代表符號簡單說明】 102 潛伏時間 104 106 後置 202 204 k號負緣 206 208 信號正緣 210 212 信號正緣 前置 潛伏時間 信號正緣 k號負緣 12 1330785 3 10 TINDQS信號以及ZIX信號為除能的初始狀態 320 當發出讀取指令信號時，致能TINDQS信號並開 始計數 330 根據參考時脈以及資料選通信號dqs決定ζιχ ^號的狀態 34〇當ζιχ信號由致能狀態轉為除能狀態時，停止 數 °τ 。丨妖m两澄伏時
CLK DQ TNI 估算潛伏時間 菖發出讀取命人〆士站_ 當計數據潛料間開始計 一 1等於潛伏時間時，發出—作妒用以 …料選通信號之前置 唬用以 410 420 430 系統時脈 資料線 輸入致能信號 D0-D7資料 ZIX 信號 PHASE計數暫存器 RC讀取指令信號 DQS資料選通信號 21資料讀取信號 TNDQS信號 COUNT計數暫存器
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Claims (1)

  1. 丄 υυ/δ：) - ·' ' rr ·-- - - τ · y V, 拾、申請專利範圍 -種俄測資料選通信號前置的方法，包括有 估算一潛伏時間； 當發出一讀取指令信號時 以及 根據該潛伏時間開始計數； 以標不出 當計數時間等於㈣伏時料，發出一信號用 該資料選通信號之前置。 2.如申請專利範圍第 間包含： 1項所述之方法，其中計數該潛伏時 當發出另-讀取指令信號時’致能—第一信號並根據比 較該資料it通信號之位準電㈣及—|^電壓決定一 第二信號之狀態； 當該第一信號由非致能轉為致能時，根據一參考時脈開 始計算一計數值；以及 當該第二信號由致能狀態轉為非致能狀態時停止根據 該參考時脈計算該計數值； 其中該計數值及為該潛伏時間。 3.如申請專利範圍第2項所述之方法，其中該參考電壓範 圍介於該資料選通信號之高阻抗狀態電壓以及該資料 選通訊號之低邏輯位準電壓之間。 1330785 1<年？月々日修正 4·如申請專利範圍第3項所述之方法，其中若該資料選通 信號之位準電壓大於該參考電壓，則非致能該第二信 號’若該資料選通信號之位準電壓小於該參考電壓，則 致能該第二信號。 5.如申請專利範圍第2項所述之方法，其中該第一信號之 初始狀態為非致能狀態，該第二信號之初始狀態為非致 能狀態。 6 ·如申請專利範圍第2項所述之方法，其中該第一信號的 非致能位準為低邏輯位準，致能位準為高邏輯位準。 7·如申請專利範圍第2項所述之方法，其中該第二信號的 非致能位準為高邏輯位準，致能位準為低邏輯位準。 8·如申請專利範圍帛i項所述之方法，其中該方法係用於 讀取一雙倍資料傳輸率同步動態隨機記憶體之資料。' 9. 一種計數潛伏時間的方法，包括有： 參考電 當發出-讀取指令信號存取-資料時，致能該第 並根據比較一資料選通信號之位準電壓以及 。就 壓決定一第二信號之狀態； 開 = 轉㈣時，根據-參考時脈 15 1330785 當該第二信號由致能狀態轉為非致能狀態時，停止根據 該參考時脈計算該計數值。 W·如申請專利範圍第9項所述之方法’其中該參考電壓 範圍介於該資料選通信號之高阻抗狀態電壓以及該資 料選通訊號之低邏輯位準電壓之間。 11·如申請專利範圍f H)項所述之方法，其中若該資料選 通信號之位準電壓大於該參考電壓，則非致能該第二信 號，若該資料選通信號之位準電壓小於該參考電壓，則 致能該第二信號。 12. 如申請專利範圍第9項所述之方法，其中該第一信號 之初始狀態為非致能狀態。 13. 如申請專利範圍第9項所述之方法，其中該第二信號 之初始狀態為非致能狀態。 14. 如申凊專利範圍第9項所述之方法’其中該第一信號 的非致能位準為低邏輯位準，致能位準為高邏輯位準。 15·如申凊專利範圍第9項所述之方法，其中該第二信號 的非致能位準為高邏輯位準，&能仅準為低邏輯位準。 月卹日修正/更正/補克 9項所述之方法，其中計數值即為 16·如申請專利範圍第 該潛伏時間。 17.如申請專利範圍第9 认綠说 項所返之方法，其中該方法係用 於讀取一雙倍資料傳 得輸率同步動態隨機記憶體之資料。 18·一種計數潛伏時間的方法，包括有： *發出$取心令信號存取—資料時，致能-第-信 號； 當該資料開始存取_，非致能-第二信號；以及 a十數該第一信號開始致能以及該第二信號非致能之間 的時間’以得到該潛伏時間。 19.如申請專利範圍第18項所述之方法，其中該第二信號 之非致能與一資料選通訊號的第一邏輯位準同步。 20·如申請專利範圍第18項所述之方法，其中該第一信號 之初始狀態為非致能狀態。 21·如申請專利範圍第20項所述之方法，其中當該第一信 號為非致能狀態時，該第二信號為非致能狀態。 22.如申請專利範圍第21項所述之方法’其中該第一信號 為致能狀態時，該第二信號之狀態由該資料選通信號決 17 ^330785 定 23. 如申請專利範圍第22項所述之方法，其中當該資料選 通信號之邏輯位準電壓大於一參考電壓時，該第二信號 為非致能狀態。 24. 如申請專利範圍第23項所述之方法，其中當該資料選 通信號之邏輯位準電壓小於該參考電壓時，該 為致能狀態。 X — 1口现 25. 如申請專利範圍第24項所述之方法，其中 ==广選通信號之高阻抗狀態電壓以及該資 枓選通訊號之低邏輯位準電壓之間。 貝 26. 如申請專利範圍第18項所述之方法 之致能位準為离玀赭a堆 L 、r通第—信號 為间朴位準’非致能位準為低邏輯位準。 27. 如申請專利範圍第18項所述之方法 之致能位準為低邏丨中該第二信號 铒位丰，非致能位準為高邏輯位準。 28·如申請專利範圍第丨8 於讀取-雙倍資料傳輪：法，其令該方法係用 搿羊问步動態隨機記憶體之資料。 18
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