TWI330412B - Method for manufacturing semiconductor device - Google Patents

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九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 =關於半導體裝置的製造方法，_是關於在基 底上形成了半導體薄職進行錄、製造半導置 成為可能的半導财置的製造方I本發明 還關於在上㈣衫法愤帛的層4|| 例如用半導體賴形成發光元件㈣^嫌應用於 【先前技術】 / 形成發光元件的方法，有在藍寶石基底上形 層上形成化合物半導體層，在·合物 半導體層上形成發光部的方法（專利文獻工）。 [專利文獻1] 特開平7-202265號公報 =外’眾所周知，在使用GaAs系的半導體作為化合 物+ ¥體的情況下，製程如圖22至圖23所示那樣進行。 在該方法中，首先，如圖22所示，在GaAs基底51 ^形成厚度約5㈣的从7仏。_層52，在該層上形成厚 度約30//m的GaAs薄膜53。 然後，如圖23所示，藉由浸潰在氫氟酸（HF)中， 有選擇地餘刻除去AlG.7Ga().3As層52，能夠將GaAs薄膜 53從GaAs基底51分離。 據認為，在利用上述方法剝離半導體薄膜的情況下， 例如，如果能夠將剝離半導體薄膜後留下的半導體基底作 為用於得到半導體薄膜h基底而進行再利用，就能夠提高 13927pifl 1330412 材料的利用效率。 但是，例如，如圖24所示’使用上述的剝離方法作為 從大口徑的基底得到多個半導體薄膜的方法，據認為是藉 由形成蝕刻溝槽55、分割成多個薄膜區域56’借助於該溝 槽55，使得用於剝離的選擇蝕刻層（例如上述的 Al〇7Ga〇.3As層）52露出’钱刻除去選擇蝕刻層52，得到 多個半導體薄膜的方法。但是，用於蝕刻GaAs薄膜53的 蝕刻劑也蝕刻AlGaAs層52。例如，一般人們熟知的姓刻 GaAs薄膜53的麟酸雙氧水水溶液（填酸+雙氧水+水）或 硫酸雙氧水水溶液（硫酸+雙氧水+水）不僅蝕刻GaAs薄 膜53，而且也蝕刻AlGaAs層52。因此，在形成用於上述 勿割的溝槽55的情況下，存在姓刻貫通AlGaAs層52而 到達GaAs基底51的問題。當蝕刻達到基底51時，在基 底51的再利用之前，需要進行使表面平坦化的處理，這不 是有效的方法。 【發明内容】 本發明的目的在於：解決上述課題，提供能夠有效地 再利用基底的半導體裝置的製造方法，及這難造方法中 所使用的層疊體。 本發明提供一種層疊體，具備： 基底； ^括在上述基底上形朗糊停止層及第1剝離層的 複σ層，以及 在上述複合層上形成的半導體_，其特徵在於： 13927pifl 7 液難刻停止層與上述半導體薄膜相比’用第1蝕刻 液難導體薄膜與上述第1剝離層相比，用第2_ 造方^外，本發料提供具有下述步驟的半導體裝置的製 準備上述層疊體的步驟； 在上述^導體薄膜上形成半導體it件的步驟； 用上述第1_液’在上述半導體薄膜中形成溝槽的 ,用上述第2㈣液’除去上述第1制離層的步驟。 【實施方式】 土以下:參照附圖說明本發明的實施例。由於各圖是示 意性地表示實關的魏的圖，故不是限定了尺寸關係和 位置關係的細節等的圖。 以下的實施例的半導體薄膜是構成發it二極體陣列 (LED陣列）的薄膜，該薄膜是為了被黏接在其他的半導 體基底上、與找其他的半導縣底上軸的軸電路連 接，形成由在上述其他的基底上形成的驅動電路和在 體薄膜内形成的作為被驅動元件的陣觸成的複人 半導體裝置而使用的半導體薄膜。 口 在以下的實施例中，雖然半導體薄膜由多層構成，隹 是本發明也能夠應用於用單層構成半導體薄膜的情形。— 第1實施例 13927pifl 8 ⑶ 0412 圖1至圖4是用於說明本發明的第1實施例的製造方 ί =略剖面圖及概略平面圖。以下’參照這些附圖說明 第1實施例。 圖1所示，最初，準備具有以下各層的層疊體：半 -土底，例如GaAs基底u ;在基底上形成的例如 緩衝層12 ;在緩衝層上形成的例如（AlxGai_x) νίηκ p 钱刻停止層13 ;在制停止層上形成的例如AlAs剝離^ 14，在剝離層上形成的例如n型GaAs下側接觸層Μ ;在 下侧接觸層上形成的例如n型AlsGa!_sAs下側包層16 ;在 下側包層上形成的例如p型从％ A活性層;在活性 ，上形成的例如p型从叫uAs上側包層⑻以及在上側 包層上形成的例如？型GaAs上側接觸層19。在上述各層 中，用钱刻停止層13和在它上面形成的A1As剝離層形^ 複合層，該複合層在GaAs基底11上形成，在上述複合層 上形成了半導體薄膜2〇的層疊體。該層疊體例如是構成^ 導體晶片的層疊體。 這樣的層疊體能夠用下述方法形成。即，在半導體基 底例如GaAs基底11上，順序形成以下各層：例如QaAs 緩衝層12 ;例如（AlxGai-x) ylni-yP钱刻停止層13 ;例如 AlAs剝離層14 ;例如n型GaAs下側接觸層15 ;例如n 型AlsGai-sAs下側包層16;例如p型AltGauAs活性層17; 例如p型AluGai—uAs上侧包層18 ;以及例如p型GaAs上 侧接觸層19。 這些層例如能夠用有機金屬氣相生長法（M〇cvd法） 13927pifl 9 1330412 蠢晶生長形成。 這裏，下側接觸層15、下側包層16、活性層17、 =2、上側接觸層19隨後用剝離法從基^離，構 ^被黏接在其他半導體基底上的半導體薄膜2()。圖示的例 子的半導體薄膜2G是作為LED陣列使用的薄膜 觸層15及上侧接觸層19在剝離了半導體薄膜2〇後擔 為LED中的電極接觸層的作用。 为一方面 …馬了糟由剥離便平導體薄膜20從基底1 分離’剝離層14是能夠被有選擇地蝕刻溶解乃至 膜。另外，如後所述，蝕刻停止層13是當用於形成分割; 導體薄膜20的溝槽的蝕刻時，使蝕刻停止的薄膜。 緩衝層12《為了緩和基底n與半導體薄膜2〇的晶; 常數的失配，同時，緩和因基底u與料體薄膜2〇的】 膨脹率的差異引起的應力的薄膜。 此外，將活性層分為上下2層，可以將下層的活也 定為η型、將上側的活性層定為p型。 進而，可以將下侧接觸層15及下侧包層16定為口型 將上侧包層18及上側接觸層定為n型。在這種情況下，， 將活性層分為上下2層的情況下，將下側定為p型， 側定為η型。 此外’也能夠構成同質接合型的LED以代替上述的異 質接合型的LED。在這種情況τ ’在使各層蟲晶生長後， 用固相擴散法從最上層的表面進行雜質擴散，在活性層内 形成ρη接合。 13927pifl 10 1330412 另外，可以是形成同一組成的磊晶層’在該磊晶層内 形成了 pn接合的LED。例如，作為磊晶半導體層，可以 是形成η型GaAs層’進行仏擴散，也可以是層疊η型 GaAs 層 /ρ 型 GaAs 層。 形成了圖1所示的層疊體或者層疊結構體後，藉由元 件隔離（例如，钱刻除去到除發光區以外的部分的活性層 為止）或者進行上述的擴散區的形成等，形成半導體元件。 如以下將詳細敍述的那樣，藉由形成溝槽21，半導體薄膜 20被分割成多個半導體薄膜片，半導體元件在各半導體薄 膜片形成預定區域内形成。在本實施例中，設想各半導體 薄膜構成LED陣列的情況’在各半導體薄膜片内形成由多 個LED元件構成的LED陣列。 此外，如後所述，在本實施例的說明中，在各半導體 薄膜片形成預定區域内形成半導體元件、例如形成Led陣 列後，對向各半導體薄膜片的分離及從第丨基底進行該 導體薄膜片的剝離的製造步驟進行說明，但也可以採用 述方法說明。換句話說，藉由溝槽21分割半導體薄膜 後，將該半導體薄膜片從第丨基底剝離，在黏接到、 底上後，在半導體賴_成半導體元件（例如 二 去發光區以外部分的至少到活性層為止的部分 二除 的層間絕緣膜形成、加工、電極形成、佈線形成等丁。’、要 如圖2及圖3所示，如上述那樣形成半導體。 進行细祕溝槽21。該綱是為了利職槽Μ 道 體薄膜20分割成多個半導體薄膜片而進行的，用符^導 13927pifl 11 1330412 ^示各自的半導體薄則所佔有的區域。在圖2中，僅僅 t示:多個半導體薄膜片和區域以的⑽，在圖3中僅 、、肴表°此外’在本說明書中，只要認為不發生混 看，將錯由分割得到的半導體薄膜片也稱為半導體薄膜。 圖-ίΐί行蝕刻，首先，在上側接觸層19上，使用沒有 ’使用光阻等感光材料形咸蝕刻罩幕圖形，藉 由該罩幕圖形浸入蝕刻液中。 =為齡m’❹對構成半導體薄義的各層的侧 對位於半導體薄膜2G與基底11之_停止層13 的侧液’例如，使用贿雙氧水水溶液（琉 雙乳水/純水=16/1/1 )、磷酸雙氧水水溶液（碟酸/雙氧 水/水=12/8/80)或者檸檬酸雙氧水水溶液。 =過來說’停止層13是用在半導體薄膜2〇的侧中 4刻液比較難贿_材料，即與半導體薄膜20 比’用因上述㈣液導致_刻速度低的材 料構成。 =圖2所不’自該细進行到似彳停止層υ的上表面 ^束。即’在圖2 *示的狀態中，_溝槽21貫通剝離 =4 使剝離層14在其厚度方向上完全暴露出來， 而在（AlxGai_x) yini yP蝕刻停止層13停止。 速度的不同’即使不嚴格地控制侧 時=_條件，也能㈣_行在停止層13的上表 面可罪地停止。 姓刻溝槽21的寬度Gw例如是約心瓜至聯瓜。 i3927pifl 12 1330412 為了使飯刻液的浸透良好，溝样的當 效地利用基底和半導趙薄膜2;的的材==:! 度以窄為宜。 硯^看，溝槽的覓 分割區域R的尺寸RaxRb約為 域的大小___進行選擇; x5mm到10mmxl5mm的尺寸均可。 攸約5mm 接著，用姓刻法除去剝離層14，t 從基底U_。 叫將半導體薄膜20 該蝕刻藉由將圖2及圖3所示的妹 液盛滿的侧液槽（沒有圖示）内進1凊在祕刻 作為侧液，使用剝離層14的^速度高， =〇及侧停止層13的_速度低的_ 用 卟％的氫氟酸（10%—HF)。 如便用 反過來說，⑽停止層叩在_層14祕 用的則液難以侧的材料’即與剝離層14相比J 述的蝕刻液導致的蝕刻速度低的材料構成。 ⑺口上 藉由蝕刻從基底11剝離了的薄膜2〇被 Γ導他的半導體基底（例如si基底）上， 留 當進行上述的蝕刻，除去薄膜20時，如圖4所 下停止層13、緩衝層12和基底u。 ’、 在圖4中/符號23表示除去了被分割了的半導體薄膜 2〇的痕跡，符號22表示蝕刻溝槽21的區域。 、 接著，對圖4所示的結構體，藉由侧有選擇地除去 l3927pifi 13 1330412 停止層13 ’使緩衝層12的表面露出。 在該蝕刻中，例如使用鹽酸（Ηα)系的蝕刻液。 據此，能夠不侵蝕緩衝層12而有選擇地蝕刻停止層 樣’僅僅留τ 了緩衝層12的基底11 (即基底11與 綾衝層12的組合）能夠被再利用。即，在該緩衝層12上， 3 1:斤示同樣，順序形成層13至19，然後參照圖2至 到半導體^經說鴨㈣獅處理，_再次得 雜/二下’就半導體薄膜2G的各層、關停止層13、剝 塞二〜的'3構及其特性、特別是其飯刻特十生、晶格匹配性 專進仃砰細的說明。

下側11導體薄膜20的GaAS下側接觸層15、AlsGal-SAS ΙΓ, ltGaUAS^ 17'AluGa,uAs^ 18^ 則接?層19例如具有如下的特徵。即，⑽s下 Λ貝1 Γ I Μ疋η型、义你“〜下側包層16是11型、 开/二11s'舌性層17是p型、AluGai-uAs上侧包層18是P ^ GaAs上側接觸層19是p型，a^sAs下側包層16、 t a:。活性層17、AluGai uAs上側包層μ的w的組成 定為◊…，形成所謂的雙異質接合結構， :Ή光效率。發歧率之所以增高是由於在剝 :二二相⑽後’當在以〜下側接觸層”與0^ 19之間流過電流時，藉由叩接合注入的載流 子子用、接合蟲晶界面的能障限制，最終使載流子的複 13927pifl 14 1330412 合機率增高的緣故。 (AUGa^J yini_yp餘刻停止層13是在半導體薄膜2〇 上形成㈣m槽21時’為了防絲麻槽21到達GaAs 基底11的停止層。已知在能触刻GaAs 及AlGaAs的姓 刻劑中，例如’在硫酸雙氧水水溶液、磷酸雙氧水水溶液、 檸檬酸雙氧水水溶液中，構成停止層13的（AlxGa,x)yIni_yP 和構成半導體薄膜20的各層的GaAs及A1GaAs的蝕刻速 度存在很大差I因此’當在半導體薄膜2G中設置钱刻溝 時，該蝕刻溝槽21不會到達QaAs基底n。換句話 說，當在半導體薄膜20上設置蝕刻溝槽21時，為了防止 姓刻溝槽21到達GaAs基底u，*需要肋地控制钱刻條 =由於不茜要嚴雄、地控制姓刻條件，能夠設定長的姓刻 時間’以使AlAs剝離層14可靠地露出。 在形成半導體蟲晶層的情況下，為了防止對磊晶層發 生缺陷’希望進行材料選擇，以使晶體的晶格f數匹配。 =如，在GaAs基底11上，設置（AlxGai x)yIni yP餘刻 如止層13,進而在蝕刻停止層上設置用於形成半導體元件 的半導體薄膜2G的情況下，希望（AlxGai J yIni yP姓刻 停止層13的晶格常數與構成基底u的（^八8的晶格常數 ，等二已知藉 ^設定 G.48^yS°，52 ’（AlxGai_x) yIni.yP 的 a曰格¥數與GaAs的晶格常數相等。（在理想的狀態下， y-0.5的情況下，與GaAs的晶格匹配，但是根據在分子束 磊晶法（MBE法）、有機金屬氣相生長法、液相生長法等 的半導體蠢晶生長層的製作方法和這龄法的蠢晶層 13927pifl 15 1330412 生長條件，晶格匹配的組成比（實際上分析、測量得到的 y的值）產生若干的幅度。 更具體地說’例如’能夠設定χ=〇，〇 ， 即能夠設定GayIni_yP (0.48Sy$0.52)。因此，從防止蟲 晶層發生缺陷的觀點出發，如上所述，希望使蝕刻停止^ 13的組成為，在（AlxGai_山Ini-yP中，例如設定χ=〇，〇 4曰8

SyS0.52，設定 Gaylt^P (〇,48SyS〇.52；)。 如上所述，在基底上的全部的蝕刻溝槽21都在 (AlxGai_x) ylni_yp蝕刻停止層13表面停止的情況下，蝕 刻溝槽21的深度是均勻的，由於AlAs剝離層14的露出 程度在基底的全部H域上也是均自的’用於1續進行的半 導體薄膜20的剝離的AlAs剝離層的蝕刻，在基底整個區 域上均勻地進行，即使在面積大的基底上，也能夠進^ 好的半導體薄膜20的剝離。 如圖4所示，例如，能夠用鹽酸系的钮刻液，不姓刻 GaAs緩衝層12 ’而能夠有選擇地蝕刻除去 剝離後留下的（AlxGai.J yIni_yP_停止層13。由於能 夠有選擇地侧除去（AlxGai.x) yIni yP_停止層13， 即使是面積大的基底，也_在基底的整個表面上，使均 勻狀態的GaAs緩衝層12的表面露出。 因此，能夠再次在GaAs、€衝層上，例如用m〇cvd 法形成良好的半導體磊晶層。 如以上詳細說明的那樣，在上述第！實施例中，在用 於使+導體祕20從GaAs基底丨丨_的AW _層與 13927pifl 16 1330412 G a A s基底11之間，形成設置了對餘刻構成半導體薄膜2 〇 的各層的·，具有非磁彳性的（AlxGai χ) Μ·#姓刻停 止層13的層豐體，由於使用該層疊體形成半導體裝置，能 夠得到以下的效果。 首先，在基底11上，即使設置用於將半導體薄膜20 为割成多個區域的⑽】溝槽2卜也能夠防止㈣溝槽21 到達GaAs基底U，能夠有效地再利用基底n。 另外，不依靠嚴密的蝕刻條件的控制，也能夠在基底 ^個面上使因蝕刻溝槽21造成的剝離層14的露出狀態變 得均句。即使是面積大的基底，也能夠在基底整個面:進 行良好的半導體薄膜的剝離。 第2實施例 f上述第i實施例中，使用在㈤伽·山h yp触刻 T止層13上形成了 AlAs剝離層14的層疊體，而如圖5 所不’也可以省略停止I 13上的剝離層，代之以使用在停 止層13的下側設置了剝離層24的層疊體。換句話說可 以將停止層13和剝離層（14、24)的層疊順序調換。 即，如圖5所示，準備具有以下各層的層疊體：半導 ，例如"型—基底11;在基底上形成的例如GaAs :衝θ 2，在緩衝層上形成的例如AlAs剝離層24 ;在剝 離層亡形成的例如（AlxGa“x) ylm.yP钱刻停止層13，；在 d停止層上形成的例如η型GaAs下側接觸層1 $ .在接 形成的例如ΑΚΑδΤ側包層16;在^則包層上 乂 、列如P型AltGai_tAs活性層17 ;在活性層上形成的 13927pifl 17 p型AluGai uAs上側包層18 ;以及在上侧包層上形成 =如P型GaAs上侧接觸層19。在該層疊體中，用AlAs 1 4層24和在它上面形成的勤丨停止層13形成複合層， 基底U上形成，在上述複合層上形成半 如圖ό所示，當如上所述進行停止層13與剝離層㈠斗、 的調換的情況下，當形成_溝槽2ι時，在姓刻進行 :止層13的上表面時’制結束。因此，溝槽21不貫 。J離層24’剝離層24在基底η的週邊部以外不至露出。 與對第1實施例的敍述相同，作為用於形成溝槽21 =刻液’藉由使用對構成半導體薄膜2G的各層的姓刻速 二问Μτ止層13的蝕刻速度低的蝕刻液，即使不嚴密地控 制餘刻時間等姓刻條件，也能夠使侧在停止 停止。 ％ 如圖7所示，在开)成溝槽21後，藉由姓刻AlAs剝離 層24，剝離半導體薄膜20及停止層13。在該_時，姓 刻液攸基底11的周邊向著中央部，沿剝離層％浸透。如 圖7所不’當進行該剝離時緩衝層12和基底u 留了下來。 在A1fS剝離層24的勉刻步驟中，由於使用AlAs的 银刻速度〶、構成基底u和緩衝層12的GaAs的姓刻速 ，低的（例如钱刻速度比約為1〇7倍）的侧液 (例如氫 氟酉文，GaAs基底u上的QaAs緩衝層12的表面幾乎不 受钱刻_響，再彻料。即，GaAS絲U和它上面 13927pifl 1330412 的GaAs緩衝層12的表面，具有十分平坦的良 達到對立即再度進行磊晶生長無障礙的程度。、& 從基底11分離了的半導體薄膜20和停止層 合，例如，藉由浸漬在鹽酸系的蝕刻液中，使4止屑、f 的全體有麵地溶解，據此，使賴聰槽21 :久 導體薄膜20相互分離，如圖8卿，㈣得 體薄膜。 J干午 此外’在第1實施例及第2實施例令，在GaAs基底 11上設置了 GaAs緩衝層12。緩衝層12是為了使在它的 上面形成㈣晶層性能良好而設置的，但也可以省略緩衝 層12，在基底n上直接形成（AlxGai x) yii^p停止層 或者剝離層14。 /另外，在上述第1及第2實施例中，再利用保留丁緩 衝層12的基底U，也可以例如藉由化學機械拋光等方法 除去緩衝層12，健再基底u。在這種航下，在基 底11上重新形成緩衝層12，在它的上面形成層13至19。 進而，基底11並不限定於GaAs基底，只要能夠與 jAlxGai_x) ylni_yp停止層13進行選擇性的蝕刻，也可以 疋其他材料的基底。 ▲在第1實施例中，對蝕刻停止層13，使用在磊晶生長 中忐夠取得晶格匹配的材料，藉由基底材料的選擇，與半 導體薄膜20進行晶格匹配’也可以使用具有與基底u的 晶格不匹配的組成的（AlxGai_x) yIni_yP停止層13。另外， 也可以在（AlxGai_x) yInKyP停止層13上設置缓衝層，以 13927pifl 19 1330412 緩和與半導體薄膜20的晶格常數的失配。 弟3實施例 在第1實施例中，最初形成圖丨所示的層疊體，在第 3實施例中，最初形成圖9所示的層疊體。 該層疊體具有：半導體基底，例如n型GaAs基底u ; 在基底上形成的例如GaAs緩衝層12 ;在 ，如她_層31;在剝離層上形成的例如κι) y nKyP餘刻停止層13 ;在蝕刻停止層上形成的例如a1As ^離層14 ’在泰j離層上形成的例如n型GaAs下側接觸層 / 在下側接觸層上形成的例如η型AlsGai.sAs下側包層 6 ’在下側包層上形成的例如p型A1伽A活性層17 ; ，活性層上形成的例如p型AluGai uAs上侧包層18 ;以及 上側包層上形朗例如P型GaAs上側接觸層19。 圖^與圖1的不同在於，往往在停止層13與緩衝層 之間汉置第2剝離層3卜此外，為了與第2剝離層31 目區別’將剝離層W稱為第1剝離層。 該第2剝離層31與第2實施例的剝離層31同樣例 如用AlAs層形成。 圖9的層豐體藉由在基底u上，順序蠢晶生長緩衝層 ^第2剝離層31、餘刻停止層13、第1剝離層14、下 :接觸層15、下側包層16、活性層17、上側包層18及上 側接觸層19得到。 在形成了圖9的層疊體後，與對第1實施例已說明過 相同I成餘刻溝槽U (圖)。使該飯刻溝槽 21的深 l3927pifl 20 1330412 這樣，第1剝離層14在其厚度 度到達停止層13的表面 方向上完全露出。 ^用於形成㈣溝槽21的軸m，是賴停止居 刻液，^連度低，★構成薄膜2〇的各層的飯刻速度高的蝕 使用/如，與在第1實施射已經购過的同樣，能夠 ,用&酸雙氧水水溶液、磷酸雙氧水水職、 水水溶液。 又叉礼 如關於第1實施例的說明那樣，作為用於形成钱刻溝 槽21的蝕刻時間，例如即使將蝕刻時間取得十分長，使得 大面積的基底（晶片）的整個面上钱刻溝槽21的深度不致 不充分，蝕刻也能夠在（AlxGai_x) yIni yP蝕刻停止層13 的表面上停止。 接著，如圖11所示，從GaAs基底11剝離半導體薄 膜20。這如對第丨實施例的敍述那樣，藉由用氫氟酸（hf) 姓刻第1剝離層14進行。 如圖11所示’由於利用蝕刻溝槽21被細分化了的半 導體薄膜20下面的第1剝離層14也被細分化，蝕刻液從 钱刻溝槽21高速地浸透第1剝離層14。 另一方面，由於第2剝離層31在基底（晶片）整個面 上被（AlxGak) yIni-yP停止層13與GaAs基底11夾持， 在上下方向上遮蔽餘刻液’钱刻從基底11的周邊向著中央 沿剝離層31進行。因此，如圖η所示，第1剝離層14 的蝕刻除去結束，在半導體薄膜2〇從GaAs基底11分離 的時刻’第2剝離層31僅僅周圍附近的部分被除去，大部 13927pifl 1330412 刀保留了下來。 這裏，使第2剝離層的層厚小於第1剝離層的層厚， ^刻液向第2剝離層的浸透減慢，在第丨嶋層的钮刻 日”能夠使第2剝離廣可靠地保留下來。料，使第2剝 離層的材料與第1剝離層的材料為相同的材料，或者使第 2剝離層的则速度tb第1她層的_速度減慢，這樣， 能夠使第1剝離層在蝕刻時，能夠可靠地使第2剝離層保 留下來。在這種情況下，例如’將帛i剝離層的材料定為 AlpGai-pAs( 1 ^p > 〇 )、將第2剝離層的材料定為叫㈣> (lgq>〇) ’ 能夠使 pgq。 在剝離半導體薄膜20後’例如用鹽酸系的蝕刻液蝕刻 除去（AlxGai_x) yIni_yP#刻停止層13，使第2剝離層31 露出（圖12)。 ^如上所述，在使第2剝離層31露出後，例如，用10% 氫氟酸蝕刻除去第2剝離層31 (圖13)。 在用氫氟酸钱刻第2剝離層31時，由於構成緩衝層 12，GaAs對氫氟酸的蝕刻速度，與構成剝離層3〗的A1As 對氫氟酸的蝕刻速度相比極慢（約1/1〇7)，GaAs緩衝層 12幾乎沒有被侵蝕，在蝕刻除去A1As剝離層3丨後的GaAs 緩衝層12的表面是極平滑的表面。 此外，如上所述，對圖n的結構體，在用鹽酸系的鍅刻液 進行蝕刻除去停止層13後，然後用氫氟酸作為蝕刻液蝕刻 除去剝離層31，對圖u的結構體，也可以代之以藉由利 用使用了氫氟酸㈣刻法除去第2獅層3卜同時除去第 13927pifl 22 1330412 14)。在這種情 沿第2剝離層 2剝滩層31和在它的上面的停止層i3(圖 況下，#刻液從基底11的周圍部向著中心、 31浸透。 另外，第i剝離層Μ的除去和帛2剝離層 能夠用相同的侧液（氫氟酸）進行，能夠同時為= 道步驟）進行這些操作。在這種情況下，藉由適當 1剝離層14及第2剝離層31的經成、厚度等，能夠大致 同時地完成第1剝離層14的除去和第2剝離層31的除去t 關於這一點，將在後面詳細敍述。 根據上述第3實施例，由於在蝕刻停止層13與緩衝層 12之間插入第2剝離層31，當第2剝離層31的蝕刻除去 時，緩衝層12幾乎不受蝕刻的影響，在剝離層31 (及停 止層13)除去後，能夠得到具有十分平坦的表面的緩衝層 12。因此，在再利用配備了緩衝層12的基底11時，能夠 在緩衝層12上生長良好的磊晶層。 此外’在第3實施例中，也可以不設置GaAs緩衝層 12，而是直接在基底u上設置第2剝離層31。在這種情 況下，在對剝離層31進行剝離時，由於GaAs基底11的 表面成為極平坦的表面，當再利用基底時，能夠在GaAs 基底11的表面上生長良好的磊晶層。 第4實施例 在第3實施例中，最初形成圖9所示的層疊體，但也 可以代之以形成圖15所示的層疊體。 該層疊體具有：半導體基底例如η型GaAs基底11 ; 13927pifl 23 1330412 在基底上形成的例如GaAs緩衝層12 ;在緩衝層上形成的 例如AlAs剝離層31 ;在剝離層上形成的例如GaAs緩衝 層33 ;在緩衝層上形成的例如（AlxGai x) ylni yp钱刻停 止層13，在敍刻停止層上形成的例如GaAs緩衝層34 ;在 緩衝層上形成的例如A1As剝離層14 ;在剝離層上形成的 例如η型GaAs下側接觸層15 ;在下侧接觸層上形成的例 如η型AlsGa^As下侧包層16 ;在下侧包層上形成的例如 P型AltGaMAs活性層π ;在活性層上形成的例如p型

AluGaKuAs上側包層18 ;以及在上側包層上形成的例如p 型GaAs上側接觸層19。 圖15與圖9的不同之外在於在停止層13與下側剝離 層31之間設置第2緩衝層33，在停止層13與上侧剝離層 14之間設置第3緩衝層34。為了與第2及第3緩衝層33 及34區別’稱緩衝層12為第1緩衝層。 第2緩衝層33及第3緩衝層34都用形成。 圖15的層豐體藉由在基底丨丨上順序磊晶生長緩衝層 12第2剥離層、緩衝層33、停止層13、緩衝層34、 第1剝離層14、接觸層15、包層16、活性層17、包層18、 接觸層19得到。 、在形成圖丨5所示的層疊體後，與對第丨實施例所作的 =明同樣，形成侧溝槽2卜使第i剝離層14露出（圖 16 ) 〇 一蝕刻溝槽21的深度要至少使AlAs層14露出。在這 晨所示的圖中，例如，使深度達到停止層13的表面。 13927pifl 24 1330412 接著，用氫氟酸蝕刻除去第1剝離層14，剝離半導體 薄膜20 (圖17)。 接著，用氫氟酸钱刻除去第2剝離層31，使GaAs緩 衝層12露出（圖18)。當用氫氟酸蝕刻除去剝離層31時， 蝕刻液（氫氟酸）沿第2剝離層31從基底11的周圍向中 央浸透。 在上述第4實施例中也能得到與上述第3實施例同樣 的效果，另外，同樣的變形也是可能的。 此外，在第4實施例中，由於在設置第2緩衝層或者 第3緩衝層之後，設置停止層、第丨剝離層，能夠提高第 1剝離層及半導體薄膜層的品質，能夠使半導體薄膜的剝 離介面的狀態更好。另外，能夠得到更高品質的半導體元 件。 、 另外，在第4實施例中，雖然設置了第2剝離層31， 但是’如第1實施例那樣，也可以不設置第2剝離層M， 而在僅僅設置了第1剝離層14的結構中，在剝離層與 蝕刻停止層13之間設置緩衝層34。 第5實施例 在第i實施例中’最初形成圖卜斤示的層疊體，作也 可以代之以形成圖19所示的層疊體。 該層疊體具有：半導體基底，例如矽（Si)旯 41 . 在基底上形成的例如GaAs緩衝層12 ;在緩 ' 例如AlAs剝離層14 ;在剝離層上形成的例如曰上形成的 下側接觸層I5 ;在下側接觸層上形成例如，n型GaAs 13927pifl 25 1330412 的下側包層16 ;在下側包層上形成的例如p型AitGai tAs 活性層17;在活性層上形成的例如卩型AluGa^As上側包 層18 ;以及在上侧包層上形成的例如p型GaAs上側接觸 層19。 圖19與圖1的不同之處在於，使用矽（si)基底41 代替GaAs基底11和不設置停止層13。 圖19的層疊體藉由在基底41上順序蠢晶生長緩衝層 12、剝離層14、接觸層15、包層16、活性層17、包層18、 接觸層19得到。 如本實施例那樣，當在Si基底41上形成化合物半導 體的半導體薄膜時，為了降低半導體薄膜的缺陷密度，需 要形成比較厚的緩衝層12。 在形成圖19的層疊體後，與對第！實施例已經說明的 樣’形成餘刻溝槽21使剝離層μ露出（圖2〇)。 使钱刻溝槽21到GaAs緩衝層12的中途停止。 作為蝕刻液，使用能夠蝕刻半導體薄膜2 〇、A丨A s層 14、緩衝層Π的蝕刻液，例如使用磷酸雙氧水水溶液曰 酸+雙氧水+水）。 然後，例如用10%的氫氟酸蝕刻除去剝離層14，使 導體薄膜20從基底41分離（圖21)。 然後’用不則Si基底41的_液，例如使用硫酸 雙氧水水溶液，有選擇地蝕刻除去緩衝層12。 其結果是，得到表面平坦的Si基底41 (圖21)。 該Si基底41具有平坦的表面，能夠再利用。

13927piH 26 1330412 此外’在上述的例子中，如圖2〇所示，使蝕刻溝槽 21到緩衝層12的中途為止’在本實施例中，由於緩衝層 12比較厚’即使敍刻時間等的控制不能正確地進行，也能 夠使触刻的進行在緩衝層12的中途停止。 在第5實施例中’由於使用Si基底41，即使在基底 41上的半導體薄膜中設置蝕刻溝槽21，細分化成一個個半 導體薄膜區’蝕刻溝槽21也不會侵蝕Si基底41，在半導 體薄膜20剝離後’能夠得到平坦的Si基;底41。 此外’對第1及第2實施例（圖1至圖8)所述的幾 個變形’也能夠適用於其他的實施例。 例如，如對第1及第2實施例（圖1至圖8)所述的 那樣，即使在第3及第4實施例（圖9至圖18)中，基底 11也不限定於GaAs基底，只要是能夠有選擇地蝕刻 (AlxGa^J yini yp停止層13的基底’也可以是其他材料 的基底。 另外，如對第1、第2及第3實施例（圖i至圖14) 所述的那樣，即使在第4及第5實施例中（圖5至圖21 的實施例），也可以省略緩衝層12。 a此外還有，在上述各實施例中，作為剝離層14，使 的是用AlAs形成的剝離層，但剝離層14的材料，口 與構成半導體薄膜2G的層晶格匹配的材料只要用、= 成半導體薄膜2G的層ϋ刻速度低的似彳液進 的材料，也可以是其他的材料。 進心相刻

13927piH 27 例如 月㈣姻 AlpGal.PAS(1>p>0)代替 A1AS。 ^ Α θ '、严Ρ可取1 ^Ρ>0的範圍的值’也能夠把AlAs 〜為:T1.時 AlpGai-pAs(1&>。）的情況。 半導二ΐ二了選_的蝕亥4 ’需要使A1的組成比比構成 =Γ:Λ?下側包層16、活性層17、上側包層18 的AlGaAs的Α1的組成比高 導體薄膜20的下侧包層16 ^ AlzG〜As表不+ 料(對下側包層16，〜對;;=、上侧包層輯

18 ’内）時，必須滿足條件㈣Π ’㈣；對上側包層 z<P 進而，在圖9至圖i4;sra u 用Al、AS(1>q>0)=X8的實施例中’當 滿足條件： 、第2剝離層的組成時，必須 z< q 當第1剝離層的蝕刻時，為 分的:刻’希望至少滿足以下條件層的大部 進而，希望第2剝離層31的 望P<q。 的層厚。 旳層厚大於第1剝離層14 層31 :二望』，二第2剝離 1剝離層和第2剝離層__束。\的_，能夠使第 現對於上述各點，進行更詳細的說明。 13927pifl 28 1330412 在用AlGaAs構成剝離層14及31的情況下，ai的电 成比越大，使用氫氟酸作為第2_液得_㈣速度越 尚。因此，第1剝離層14的八1組成比P及第2剝離層31 的A1組成比q，只要滿足： p<q 就能夠使第2剝離層31的糊速度比第丨剝 的高。 另外，第1剝離層14位於被钮刻溝槽21分離成孤立 的島狀半導體薄膜20的下方，在多條溝槽21中被露出， 而第2剝離層31被蝕刻停止層13覆蓋，只不過在基底u 的邊緣部中露出。因此’在這種狀態下，在烟^及第 2剝離層14及31的情況下，氫氟酸必須浸透的第丨及第2 剝離層14及31的長度（沿姓刻進行方向的距離）以及 L2存在如下關係： L2>L1 這裏，假設第1及第2剝離層14及31的蝕刻速度為 S卜S2時’第1及第2剝離層14及31的餘刻所需的時間 分別為ΤΙ、T2 : T1=L1/S1 T2=L2/S2 如上所述，在L2>L1的情況下，成為S2>S1的條件， 即，如果選擇第2剝離層31的蝕刻速度比第丨剝離層14 高的條件，則能夠得到T1與T2大體相等的結果。如果能 夠使T1=T2 ’在用第2蝕刻液的半導體薄膜2〇的剝離步 13927pifl 29 1330412

驟中，不僅能夠剝離半導體薄膜2Q 能夠大體同時結束。換句話說，能夠—·=離層的除去也 束因第1剝離層Η的触刻除去導致的半H大體同時結 離和第2剝離層31的除去。 體/專膜20的剝 另外，如果使第2剝離層31比 第1剝離層14與第2剝離層31的材料相：層^厚，在 钱刻速度快。即，成為S2>S卜因此^離層的材料的 AlGaAs的A1組成比，使 以上說明的 p<q 與此情況相同，能夠使第W離層的 I1™ ^ ^^ —S2 λ^9 # 〇 去大體的剝離’也能夠使第2剝離層的除 大體同時、.4。換句話說，能夠―次進行、 結束因第1祕層14祕嫌去 〇 的剝離和第2剝離層31的除去。的牛*體，寻膜20 M 如上所述也可以用使4q互不相等的方式 以代替使第2娜層31的則組姐大於第i剝離層14 的A1的組成比。例如，也可以使ρ>(ϊ。 另外，如上所述’也可以用使第1剝離層14的厚度與 2剝離層31的厚度互不相等的方式以代替使第2剝離層 31的厚度比第1剝離層14的厚度厚。例如，也可以使第^ 到離層14的厚度比第2剝離層3i的厚度厚。在這種情況 13927pifl 30 丄^0412 下（使p>q和第！剝離層14的厚 的情況下），在第！剝離層14的钱刻時第3離層的厚度 的敍刻幾乎不進行，在使侧停 幻剝離層31 (在晶片整個面上對整個面露出 進二整個面:刻 行整個面_刻）後，能夠對第2剝離^ 3t2同時隹進 钱刻（在^ i = 31的整個面進仔 進行整個面的飾刻)，個面路出的第2剝離層31同時 用（m上τ述各實施例中，作為_亭止層13，使用 x 1-x) yh-yP形成的姓刻停止芦。 的那:且在=於第1實施例(圖1;圖4)已經敍述了 U 4 Λ ίΐ至第4實施例（圖5至® 18) *，在基底 也τ 5彳MGaAS的晶格匹配的觀點出發， .Sy$0.52。更具體地說，例如希望是X=0、0.48 = y=〇·52 的 GMni-yP (0.48^00.52)。 仁疋/、要疋能夠與構成半導體薄膜2〇的層進行選擇 n蚀刻的材料，钱刻停止層13的材料也可以是其他的材 料。例如’能夠使用 InP、InGaAs、InA1As、InGaAsp 等 材料。 处進而，在第1及第3實施例中，藉由調整蝕刻時間， 也月夠在AlAs剝離層14的中途結束蝕刻，即，也能夠使 AlAs剝離層14僅僅在其厚度方向的一部分露出。 另外，在上述各實施例中，半導體薄膜20是作為LED 陣列使用的半導體薄膜，但是本發明不是限定於此，半導 體溥膜也能夠應用於在形成LED以外的各種元件和電路 13927pifl 31 1330412 中使用的情況。 發明的效果 【圖明Γ本發明’能夠有效地再利用基底。 杰了 = 不在本發明的第1實施例的製造方法中，形 成了丰導體桃的層疊結構狀態的概略局部剖面圖。 杰了 在本發明的第1實施例的製造方法中，形 成了溝槽的狀的概略局部剖面圖。 杰了在本發明的第1實施例的製造方法中，形 成了溝槽的狀態的概略局部斜視圖。 去發明的第1實施例的製造方法中，除 去了+導^膜的狀態的概略局部斜視圖。 成了 在本發明的第2實施例的製造方法中，形 成了 4*導魏·_概略 ^是表示在本發_第2實施躺製造^ 步驟中，，成了溝槽的狀態的概略局部剖面圖方法的道 去了在本發明的第2實施例的製造方法中，除 去了+導體_及_停止層的狀態的概略局 除 圖8是表示在本發明的笛？眘 圖。 導體薄膜，蝕刻停止層分離了的狀態的概略半 圖9是表示在本發明的第3實施例的製造方ς圖。 成了半導體薄膜的層疊結構的狀態的概略局形 圖10疋表示在本發明的第3實施例的製 θ 成了溝槽的狀態的概略局部剖面圖。 /中’形 32 ^927^ 生、s "疋表示在本發明的第3實施例的制士^ +導^膜剝離了的狀態的概略局部剖*圖法中，將 去心2停是的略 -τ Ξ - f 法中圖本ΓΓ的第3實施例的變形例的製造方 圖。、了似i停止層及剝離層的狀態的概略局部剖面 成了 辦物中，形 成了、發明的第4實施例的製造方法中，形 成了溝槽的狀態的概略局部剖面圖。 古甲开7 離了 5 的第4實施例的製造方法中，剝 V體溥膜的狀恕的概略局部剖面圖。 去了 表示在本發㈣第4實施綱製造方法中，除 部剖面圖緩衝層、以及_停止層雜態的概略局 成了 ^ I是表f在本發明的第5實施例的製造方法中，形 的Λ疊f構峨㈣概略局㈣面圖。 成了 Hi ㈣第5實施例的製造方法中，形 成了溝槽的狀態的概略局部剖面圖。 τ形 離了 ㈣縣翻料5實關㈣衫法中, 離了+導體薄膜的狀態的概略局部剖面圖。 $ι 13927pifl 33 1330412 圖22是表示在現有半導體裝置的製造方法的一道步 驟中的半導體裝置的狀態的概略局部剖面圖。 圖23是表示在現有的半導體裝置的製造方法中，蝕刻 了 Alo.7Gao.3As層的狀,¾、的概略局部剖面圖。 圖24是表示在現有的半導體裝置的製造方法中，用溝 槽分割了半導體薄膜的狀態的概略局部平面圖。 【主要元件符號說明】 11、 41、51 :基板 12、 33、34 :緩衝層 13 :钱刻停止層 14、24、31 :剝離層 15 :下側接觸層 16 :下側包層 17 :活性層 18 :上側包層 19 :上側接觸層 20 :半導體薄膜 21 :溝 52 : Alo.7Gao.3As 層 53 : GaAs 薄膜 55 :蝕刻溝區域 56 :剝離薄膜區域 R:半導體薄膜片所佔有的區域 Ra、Rb :長度 13927pifl 34 1330412

Gw ·見度 13927ρίΠ 35

Claims (1)

1. 十、申請專利範圍： 1.一種層疊體，具備： 基底； 複合ί括述基底上形成的蝕刻停止層及第 1剝離層的 在於在上述複合層上形成的半導體薄膜，該層疊體的特徵 心：3 =與上述半導體薄膜相比難以用第! 心=联是與上述第1剝離層相比難以用苐2 2=i請專利範圍第1項所述的層疊體，其特徵在於： 上述蝕刻停止層在上述基底上形成； 上述第1剝離層在上述餘刻停止廣上形成；以及 上述半導體薄膜在上述第i剝離層上形成。 3·如申請專利範圍第1項所述的層疊體，其特徵在於： 上述第1剝離層在上述基底上形成； 上述蝕刻停止層在上述第1剝離層上形成；以及 上述半導體薄膜在上述蝕刻停止層上形成。 疊 4. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述的層 ’其特徵在於： 上述基底與上述蝕刻停止層相比是難以用第3蝕刻液 蝕刻的材料。 5. 如申请專利範圍第1項至第3項中任一項所述的層 13927pifl 36 1330412 疊體’其特徵在於： 上述基底是GaAs ; 上述第1剝離層是AlpGai-pAs (lgp^O);以及 停止層是（AlxGadyli^P 層（1^X20、lgy^O) 0 6. 如申請專利範圍第5項所述的層疊體，其特徵在於： 上述半導體薄膜的各層是AlzGai_zAs (Gz^O)。 7. 如申请專利範圍第6項所述的層疊體，其特徵在於： 對於上述半導體薄膜的各層的A1組成比z與上述第J 剝離層的A1的組成比p，z<p。 8. 如申晴專利範圍第6項所述的層疊體，其特徵在於： 上述第1剝離層是AlAs。 9. 如申請專利範圍第5項所述的層疊體，其特徵在於： 在上述停止層的組成（AUGak) yIni-yP中，χ=〇、〇 48 SyS0.52。 _ 10. 如申請專利範圍第2項所述的層疊體，其特徵在 於： 進一步具有在上述基底上形成的第2剝離層； 上述停止層在上述第2剝離層上形成；以及 上述第2剝離層是與上述基底相比容易用上述第 刻液蝕刻、而且也容易用上述第2蝕刻液蝕刻的層。 11. 如申請專利範圍第10項所述的層疊體，其特徵在 於· 上述基底是GaAs基底； 上述弟1剝離層是AlpGat.pAs ( 1 ; 13927pifl 37 丄现412 上述停止層是（AlxGai x) yIni_yI^ (1^χ^、i ^0);以及 > y 上述第2剝離層是AlqGai qAs (lgqg〇)。 於： 12.如申請專利範圍第11項所述的層疊體，其特徵在 於 上述半導體薄膜的各層是AlzGaAs ( 1 -z^。 π.如申請專利範圍第12項所述的層疊體其特徵在 半導體薄膜的各層的Α1Μ成比Z、第1剝離 S的A1組成比P、第2剝離層A1組成比q，z<p、z<q。 Μ·如申請專利範圍第11項所述的層疊體，其特徵在 於· 上述f 1剝離層的A1組成比ρ與上述第2剝離層Μ ，、且成比q互不相等。 於： 15.如申請專利範圍第u項所述的層疊體其特徵在 於： 相等f述第1剥離層的厚度與上述第2剝離層的厚度互不 I6.如申請糊範®第11賴賴層疊體，其特徵在 對於上it第1剝離層和上述第2剥離層，對於上述第 餘刻液上述第2剝離層的钱刻速度比上述第1剝離層 的餘刻速度大。 17.如申明專利範圍第16項所述的層疊體，其特徵在 38 1^30412 於： 對於上述第1剝離層的A1組成比p和上述第2剝離層 的A1組成比q，p < q。 18’如申凊專利範圍第11項所述的層疊體，其特徵在 於： 上述第1剝離層和上述第2剝離層是AlAs。 19·如申請專利範圍第16項或是第18項所述的層疊 體’其特徵在於： 上述第2剝離層的層厚比上述第1剝離層的層厚大。 20.如申請專利範圍第^項所述的層疊體，其特徵在 於： 在上述停止層的組成（AlxGai x) yIni yP中，是χ=〇、 0.48^y^〇,52 〇 21·如申請專利範圍第11項所述的層疊體，其特徵在 於： 進一步包括在上述基底上形成的第1緩衝層； 上述第2剝離層在上述第1緩衝層上形成； 進一步包括在上述第2剝離層上形成的第2緩衝層； 上述停止層在上述第2緩衝層上形成； 進一步包括在上述停止層上形成的第3緩衝層；以及 上述第1剝離層在上述第3緩衝層上形成。 22·如申請專利範圍第1項或是第2項所述的層疊體， 其特徵在於： 進一步具有在上述第1剝離層與上述蝕刻停止層之間 13927pifl 39 1330412 設置的緩衝層。 23,一種層疊體，它具有·· 基底； 在上述基底上形成的剝離層；以及 在上述剝離層上形成的半導體薄膜， 在於： 嘈疊體的特徵 上述基底與上述半導體薄膜及上 以用第1餘刻祕刻的材料；以及 ⑽層相比，是難 2蝕刻液蝕 上述基底與上述剝離層相比，是難 刻的材料。 用弟 .24·如申請專利範圍第23項所述的層疊體， 於 其特徵在 導體ίΪ基底是Sl基底，上述半導體薄膜是“ :25·如申請專利範圍第24項所述的層疊體，其特徵在 表二導體薄膜的各層的材料是用⑽一(泣。) .26·如巾請翻範㈣Μ摘制層㈣，其特徵在 系的半 於 於： 上述剝離層的材料是用AlpGai_pAs (lgp>0)表 材料。 -，…p — i-p…〜仏示的 27·如申請專利範圍第26項所述的層疊體，其特徵在 於 13927pifl 對於上述半導體薄膜的各層的A1組成比z和第2磊晶 層的A1組成比p，z < p。 28. 如申印專利範圍第％項所述的層疊體，其特徵在 於： 上述剝離層的材料是用AlAs表示的材料。 29. 如申請專利範圍第24項所述的層疊體，其特徵在 於： 上述第1基底與上述剥離層相接。 如申請專利範圍第1項、第2項、第3項、第10 項至第18項、第20項及第21項的任一項所述的層疊體， 其特徵在於： 上述半導體薄膜包括：下側接觸層、位於該下側接觸 層上的下側包層、位於該下側包層上的活性層、位於該活 性層上的上侧包層、位於該上侧包層上的上側接觸層。 .31.如申請專利範圍第3〇項所述的層疊體，其特徵在 於： 上述半導體薄膜藉由順序遙晶生長上述下側接觸層、 上述下側包層、上述活性層、上述上側包層及上述上側接 觸層而形成。 32.如申請專利範圍第丨項或是第2項所述的層疊體， 其特徵在於： 上述基底與上述蝕刻停止層相比難以用第3蝕刻液蝕 刻。 33.如申請專利範圍第1項或是第3項所述的層疊體， 13927pifl 1330412 其特徵在於： 上述基底與上述敍刻停止層相比難以用第3钱刻液餘 刻0 34.如申請專利範圍第丨項、第2項 項至第18項、第20項、第21焐芬钕…β ^ 10 一項所述的層疊體，其二:及423項至第29項的任 上述層疊體是構成半導體晶片的廣疊體。 35·-種半導财置㈣造方法純 具有下述步驟： 準備申請專利範圍第2項所述 :上述半導體薄膜上形成半導體元;二驟， 驟 =述第1_液在上述半導㈣财形成溝槽的步 用上述第2蝕刻液除去上述第】剝離層的步驟。 =種+導體裝置的製造方法’其特徵在於： 具有下述步驟： 利範圍第3項所述的侧的步驟； 導體薄膜上形成半導體元件的步驟; 驟 以及述第！_液在上述半導體薄膜中形成溝槽的步 上述第2侧液除去上述第1_層的步驟。 種半導财㈣料方法轉徵在於·· 具有下述步驟·· 準備申請專利範圍第32項所述的層疊體的步驟； 13927ρΐΠ 42 在上述ΐ導體薄膜上形成半導體元件的步驟； 用上述第液在上料導體薄财職溝槽的步 用上述第2餘刻液除去上述第1剝離層的步驟，以及 用第3⑽m除去上述停止層的步驟。^以及 38.-種半導體裝置的製造方法，其特徵在於： 具有下述步驟： 準備申請專利範圍第33項所述的層疊體的步驟； 在上述半導料膜上形辭導體元件的步驟； 用上述第1糊液在上述半導體薄膜中形成溝槽的步 用述第2勤丨液除去上述第1剝離層的步驟，以及 用第3勉刻液除去上述停止層的步驟。 39·一種半導體裝置的製造方法，其特徵在於： 具有下述步驟： -項：利範圍第1〇項至第18項及第20項中的任 項所述的層疊體的步驟； 在上述半導體薄膜上形成半導體元件的步驟； 用上.1#職在上述半導體薄财形成溝槽的步 用上述第2钱刻液除去上述第1剝離層的步驟，以及 a在除去上述第1剝離層的步驟後，除去上述第2剝離 層的步驟。 40.如申請專利範圍第39項所述的半導體裝置的製造 13927pifl 43 方法’其特徵在於： 第2 二離層:/:，而且，在除去上述 礼-種半導^ =具有除去上述停止層的步驟。 種4·賴$置的製造方法，其特徵在於·· 具有下述步驟： :備申請專利範圍第21項所述的層疊體的步驟； 在上述半導體_上形辭導體元件的步驟； 驟；上述第1射彳液在上料導體薄财形成溝槽的步 刻液除去上述第1剝離層的步驟;以及 剝離層，將上述第;的藉由除去上述第2 層從上述基底分層、上物止層及上述第2緩衝 4具2有一下種二體裝置的製造方法，其特徵在於： 層疊專利祀圍第23項至第29項的任-項所述的 在上述半導體_场成半導體树 驟；2述第1綱液在上述半導體薄膜中形成溝槽的步 體薄去上述剝離層，使上述半導 13927pifl 44