TWI328807B - Optical recording medium, multi-layered optical recording medium, and optical recording method and recording apparatus using the same - Google Patents

Description

1328807 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於具有相變光學記錄層並且能夠高密度記 錄的光學記錄媒體，譬如可重寫DVD (數位多功能光碟 )，其係可被稱爲&光學資訊記錄媒體〃或者 ' 光碟〃並 係關於一光學記錄方法與使用該光學記錄媒體的光學記錄 設備。

本發明亦關於具有均包含記錄層之兩或更多資訊層的 多層光學記錄媒體，在該記錄層中，資訊可藉由用雷射束 照射資訊層來重寫記錄與播放，以誘發該些記錄層之材料 上的光學變化，本發明並且係關於一光學記錄方法與使用 多層光學記錄媒體的光學記錄設備。 【先前技術】 最近，光學記錄媒體的高速記錄需求已經增加。特別 是就碟型光學記錄媒體而言，因爲記錄速度與播放速度可 藉由加速轉動速度來加快速度，故會加快速度記錄之進展 。在光碟之間，能夠在記錄期間內僅以調制程度照射光來 記錄資訊的光學記錄媒體，其係因爲其簡單記錄機制而致 使媒體本身與記錄設備的準確度降低’並且以播放設備來 確保高度相容性，其係因爲可同樣地使用密集調制光來播 放。爲了上述的原因，這些光學記錄媒體會變得普遍’且 高度密質化與高速記錄的需求會進一步地增加。 在這些光碟之中，那些使用相變材料者會由於重複重 ψ: -5- 1328807 寫資訊許多次的能力，而變得主要被使用。在使用相變材 料之光碟的情形中，藉助密集調制程度的光照射，資訊會 藉由使記錄層材料受到冷卻情況與退火情況而被記錄。在 冷卻情況中，記錄層材料會變成非晶質，且在退火情況中 ，記錄層材料會變成晶系。由於在非晶質相與晶系相之間 不同的光學特性，所以可將資訊記錄。換句話說，相變光 學記錄媒體係爲那些其中在基板上的薄記錄層會被以雷射 束照射，以加熱該記錄層，並在該記錄層結構上之結晶相 與非晶相之間作相變，以改變光碟的反射度，從而記錄或 拭除資訊。基本上，非記錄部份則會形成具有高反射度的 結晶相，且資訊會藉由於具低反射度之非晶相中形成標記 與於具有高反射度之結晶相形成空白形成在非記錄部份上 來加以記錄。 因爲此一記錄層材料之^冷卻"與A退火"的複雜機 制會被使用當作一記錄準則，所以在高速記錄中，誠如一 般所知地，資訊會藉由以記錄光束照射記錄媒體來記錄， 其中脈衝會被分裂並且密集調制成三個。 用於重複記錄包含記號與空白之資料之波形發射圖案 或記錄策略的實例，包括那些使用於DVD + RW或類似物 者，如圖7所示。在非晶質狀態中的記號係藉由重複性交 替峰値功率（Pw = Pp)束與偏壓功率（Pb)束的脈衝照射 來形成，且在晶系狀態中的空白則藉由用拭除功率（Pe ) 束的連續照射來形成，該拭除功率束是在峰値功率（Pvv =Pp )束與偏壓功率（Pb )束之間的中間層上。就一空白 -6- 1328807

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或多空白而言，拭除功率束會被二進制化，以用於脈衝圖 案中的照射。 當記錄層以包含峰値功率束與偏壓功率束的脈衝列來 照射時，該記錄層會被重複地熔化與冷卻以形成非晶質記 號。當將記錄層以拭除功率束照射時，該記錄層會在被結 晶化的固相狀態中被熔化並且緩慢冷卻或退火，然後形成 一空白。包含峰値功率束與偏壓功率束的脈衝列基本上會 被分類成引導脈衝、中間脈衝與最後脈衝。最短的記號 3T係僅僅使用引導脈衝與最後脈衝來記錄，且當4T或更 大的記號被記錄時，除了引導脈衝與最後脈衝以外，中間 脈衝會被使用。中間脈衝會被稱爲"多脈衝〃並被設定用 於每一 1T週期，每當記號長度的長度增加1T時，脈衝 數則會增加1個。亦即是，關於記號長度nT，脈衝列的 數目係爲値（η — 1)。 當以比4Χ DVD還快的高速來記錄資訊時，基本時鐘 週期T的時間會被縮短，因此在光源驅動元件上所負擔的 負載會增加。當記錄層被以1T週期的脈衝列照射時，加 熱時間與冷卻時間兩者會被縮短，其係會造成無法得到以 足夠大小形成非晶質記號的問題。爲了避免該問題，有種 種建議，其中，減少用來形成非晶質記號的脈衝數，亦即 ，該脈衝週期會被設定成具有比1T長的週期，以確保有 足夠的時間來加熱與冷卻，以致於可形成以足夠大小的非 晶質記號（例如，日本專利申請案早期公開（JP-A )號 2002-237051、2002-288837 與 2001-331936 以及其它文件 1328807 此外，在高速記錄中，可以第一記錄的低抖動來記錄 資訊，不過，當重複被記錄時，大大提昇抖動的事件會徹 底發生。圖1顯示在重複被記錄之隨機圖案內抖動變化的 實例。在第一次反覆記錄時大大增加的抖動會被逐漸降低 大約10次的反覆記錄並被決定，且從該層特性由數千次 反覆記錄降低到數百萬次反覆記錄之時間到當抖動被再度 升高之時間的抖動變化是小的。在早期反覆記錄之抖動的 升高亦可以與IX DVD至2X DVD —樣快的低速記錄來觀 察，不過，抖動的變化並不如此亦見，而且甚至當抖動以 與IX DVD至2X DVD —樣快的低速記錄來升高時，可能 可滿足標準抖動値。因爲該記錄線性速度會被加快，所以 常常會有在第一次反覆記錄之抖動特別高並超過標準抖動 的情形，雖然優良的記錄可在第一次記錄或在重複記錄 1 〇次或更多次以後進行。 在早期重複記錄之此一抖動增加，其係假定是由形成 於最初過程的早期結晶相與在記錄期間內所形成的結晶相 之間狀態的某些差異所造成。爲了此原因，在早期結晶相 與記錄期間所形成之結晶相混合的早期重複記錄中，記號 形狀的變化則會發生，這造成抖動値的增加。假定幾乎整 個記錄軌跡以大約十次反覆記錄之記錄期間內所形成的結 晶相來形成，因此記號形狀的變化則會被緩和，以降低抖 動。 因此’在早期反覆記錄中的抖動則會依據早期結晶狀 -8 - 1328807

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態而大幅不同。早期反覆記錄中的抖動，其係可藉由在與 記錄期間內所形成之結晶狀態類似之情況中產生早期結晶 相而來降低。特別是，當初始化高速記錄之記錄層時，早 期反覆記錄中的抖動會傾向藉由以較高線性速度使用大孔 徑光束來掃瞄記錄層而降低，以熔化並結晶該記錄層。 不過，以高速記錄形成的結晶狀態基本上不穩定，而 且甚至因爲在初始化過程以後立即顯示良好特性的光學記 錄媒體，故會有一傾向使該情況隨著時間流逝而改變，且 在相同記錄情況下將無法進行良好的記錄。該設備係顯示 於圖2。圖2顯示立即在初始化以後甚至在早期重複記錄 中，以低抖動來致能記錄的一實例，不過，當在相同記錄 情況下在第一重複記錄以後的一個月，可將資訊再度記錄 於非記錄部份時，抖動會被升高。因此，甚至在早期結晶 狀態不等於在記錄時形成之結晶狀態的時候，在早期重複 記錄中減少抖動是必要的。 由於在第一次重複記錄時有效減少抖動的記錄方法， 日本專利申請案早期公開（JP-A)號2004-46956描述引 導部份之加熱脈衝的開始時間會延遲1 T或更多。根據本 發明發明人的硏讀，當將週期1 T使用於脈沖列時，該記 錄方法係爲一有效方法。不過’當將脈衝週期設定成比 1Τ更長以對應較高速度記錄時，該記錄方法無效。 此外’日本專利案（JP-B)第3223907號揭露出可藉 由延長引導部份之加熱脈衝的照射時間來良好地進行記錄 。該記錄方法亦可有效地降低早期重複記錄中抖動的升高 -9- •疒 1328807 。不過，在高速記錄的情形中，該記錄方法的問題係爲因 爲峰値功率値基本上高，故該等層會因隨著拉長照射時間 之退化而輕易受損，且該重複記錄容忍度會降低。該記錄 方法的問題亦爲，記錄於鄰近軌跡的記號會被部份拭除， 且交叉拭除的頻率會增加。 相變光學記錄媒體，譬如可重寫光碟（CD-RW )，基 本上具有基本結構，其中包含相變材料的記錄層形成在可 塑性基板上，且能夠改善記錄層之光吸收與具有熱擴散效 應的反射層會形成在記錄層上，且該層結構會被照射以來 自基板表面的雷射束，以從而記錄與播放資訊。 藉助雷射束來重複加熱相變材料以及冷卻相變材料， 使用於相變光學記錄媒體之記錄層的相變記錄材料，會感 應晶系狀態與非晶質狀態之間的相變，而且該等材料在被 快速加熱與冷卻時係處於非晶質狀態，該些材料在被緩慢 冷卻時是在晶系狀態。相變光學記錄媒體係爲那些施加特 徵以記錄資訊者，而且資訊會藉由應用晶系狀態與非晶質 狀態之間之光學常數差造成的反射度差來播放。 相變光學記錄媒體基本上包含形成於基板與記錄層之 間的上保護層（稱爲上介質層），以及形成於記錄層與反 射層之間的下保護層（稱爲下介質層），以用來避免藉助 照射光束之熱施加所造成的氧化、透射與變形。藉由控制 該等層的厚度，這些保護層具有控制記錄媒體之光學特性 的功能。再者，上保護層亦具有使基板免於當記錄記錄層 時所產生之熱的軟化之功能。 -10-

1328807 最近，由於經由電腦或類似物所使用之資訊量& ，具有被記錄在可重寫光碟（譬如、DVD-RAM、 RW與DVD + RW)之信號的記錄量會增加，且信號， 高度密集會被快速滿足。就現在2005，光碟（CD) 大約650百萬位元的儲存容量，且數位多功能光碟！ )具有大約70億位元的儲存容量，不過在最近的与 高密度記錄的需求會被希望進一步增加。 依照藉由使用此一光學記錄媒體的高密度記錄2 例如已經提出將欲使用雷射波長縮短到藍雷射波長 方法，以及藉由增加欲使用來拾取記錄與播放資訊之 數値孔徑（NA )，而將欲使用來照射光學記錄媒體 射束光點大小縮小的一種方法。這些方法的硏發已超 進展，並且接近實際使用。 另一方面，依照一種改善光學記錄媒體本身以 存容量的方法，出現了種種不同提案，以用於藉由 φ 法產生的雙層光學記錄媒體，在該方法中，兩資訊 具有至少一記錄層與一反射層配置在基板之一表面上 層結構中，且這些資訊層經由紫外線硬化樹脂與類似 接合。接合於該等資訊層之間的中間層具有光學上分 * 資訊層的功能，且因爲使用於記錄與播放需求以儘可 •及遠到內側資訊層的雷射束，中間層包含避免儘可能 吸收光線的材料。不過，就雙層光學記錄媒體而言， 許多問題待解決。例如’當雷射束不足以被透射到從 束照射側觀看之形成在前側上的資訊層（第一資訊層 I增加 D VD- :訊的 具有 DVD 來， 法， —種 物鏡 之雷 有所 加儲 種方 分別 的疊 物來 隔兩 能擴 遠地 仍有 雷射 )時 -11 - 1328807

’資訊則無法被記錄與播放在內側資訊層（第二資訊層） 的記錄層中’因此組成第一資訊層的反射層便必須是非常 薄的半透明反射層。 以將使用於記錄層之相變材料照射以雷射束以加熱相 變材料達到熔點或更高溫度，隨後並將相變材料冷卻以改 變晶系狀態爲非晶質狀態以從而形成記錄記號之該方式， 來進行相變光學記錄媒體上的記錄。藉由加熱記錄層之相 變材料到結晶溫度或更高溫度，隨後並將相變材料退火以 改變非晶質狀態爲晶系狀態，來拭除資訊。 在習知單層光學記錄媒體中，因爲反射層可被足夠厚 地形成，所以使雷射束照射引起之剩餘的熱快速散開是可 能的。因此，非晶質狀態會由於進行的冷卻效果而輕易形 成。同樣地，就雙層光學記錄媒體而言，不一定要產生雷 射束以透射到第二資訊層，因此從習知單層光學記錄媒體 觀看，第二反射層與第二記錄層可被形成以分別具有一厚 度，且當第一資訊層具有高透光率時，可能可得到優良的 記錄特性並且輕易地播放資訊。 不過，當將資訊記錄在雙層光學記錄媒體的第一資訊 層上，並使用厚度大約10奈米之極薄半透明反射層時， 因爲熱擴散效果降低，故難以形成非晶質記號。爲了允許 資訊被記錄與播放在第二資訊層的記錄層上，第一資訊層 較佳地具有高的透光率。然後，爲了記錄或拭除雙層光學 記錄媒體之第一資訊層上的非晶形記號，必須以高於單層 光學記錄媒體之記錄功率或拭除功率的雷射束來照射第一

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資訊層，在該單層光學記錄媒體中，可厚厚地形成反射層 。例如，已知範圍從大約6毫瓦至9毫瓦的拭除功率Pe 會以範圍從3 . 5米/秒至2 7 · 9米/秒的記錄線性速率引起在 習知DVD單層光學記錄媒體上的良好特性。相反地，在 範圍從3.5米/秒至14米/秒的記錄線性速率上，照射 DVD雙層光學記錄媒體之第一資訊層所使用的拭除功率 Pe需要大約6毫瓦至9毫瓦，且在比單層光學記錄媒體 還慢之記錄線性速率的背景下，它需要具有高密度能量的 拭除功率。 此外，因爲雙層光學記錄媒體需要高拭除功率Pe， 但亦具有薄第一反射層，所以第一資訊層的熱擴散特性簡 直比單層光學記錄媒體還貧乏，且還有一超薄形成之第一 記錄層遇到的熱效應問題。當以範圍從3 . 5米/秒至1 4米/ 秒的記錄線性速率來記錄資訊時，需要具有功率是拭除功 率兩倍或更多倍的記錄功率Ρρ，此一高記錄功率所產生 的殘餘熱能進一步會造成第一記錄層上的熱損壞，因此有 避免熱損傷的問題。 例如，日本專利申請案早期公開（JP-A )號2004-63 005提出一種方法，其中拭除功率束會被二進制化，以 用以於空間形成時以脈衝能量照射。不過，在該提案中， 緊接著在具有峰値功率Ρρ以來形成記號之引導脈衝之前 的拭除功率並不會被減少爲偏壓功率Pb層，且當藉由記 錄方法來記錄資訊時，則會有過度施加由殘餘熱能引起的 熱能的問題。 -13- 1328807

此外，當藉由記錄方法來記錄資訊時，在該方法中， 僅僅在形成記錄記號之前所使用的拭除功率會被暫時地增 加，如日本專利申請案早期公開（JP-A)號2002-288830 所見，它亦造成過度施加熱能的問題。

在僅將偏壓功率Pb緊鄰引導脈衝之前設定的方法中 ，如日本專利申請案早期公開（JP-Α)號200 1 -273 63 8、 2004-47053與2005-63586所見，當如雙層光學記錄媒體 所見，記錄與拭除在具有貧乏熱擴散特性之第一資訊層中 進行時，該效果會不足的，且雖然以單層光學記錄媒體可 有效發揮效果的話，但會有難以得到優良記錄特性的問題

因此，當將資訊記錄在從多層光學記錄媒體之雷射束 通量照射側觀看配置在前側上之第一資訊層中所形成之第 一記錄層上時，該多層光學記錄媒體包含兩或更多資訊層 ，在該等資訊層上，資訊可藉由以雷射束照射該等資訊層 來重寫式地記錄與播放，以感應記錄層材料上的光學改變 ，而能夠避免第一記錄層受到之熱損害、適當記錄與拭除 資訊並具有優良記錄特性之多層光學記錄媒體用的記錄方 法則尙未被提供。因此，此一方法的即時硏發是令人希望 的。 【發明內容】 因此本發明之目的在於提供一種光學記錄媒體’其係 能夠在甚至以6X DVD至8X DVD —樣快的高速記錄而不

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引起重複記錄容忍度之退化與串音增加下，不管早期晶系 狀態而減少早期重複記錄抖動的增加，並提供一種光學記 錄方法與一種使用該光學記錄媒體的光學記錄設備。 當將資訊記錄在從具有包含相變記錄層之兩或更多資 訊層的多層光學記錄媒體之雷射束通量照射側所觀看配置 在前側上之第一資訊層中所形成的第一記錄層上時，本發 明實施例亦提供能夠避免第一記錄層受到之熱損害、適當 記錄與拭除資訊並具有優良重複記錄特性的一種多層光學 記錄媒體，與在記錄靈敏度上突出的兩或更多層記錄層， 以及一種記錄方法與一種多層光學記錄媒體用的記錄設備 根據本發明第一態樣，有提供一種用於包括Μ相變 記錄層之多層光學記錄媒體用的記錄方法，Μ22，該方 法包含： 將一記號記錄在該等記錄層的第Κ層，其係藉由使 φ 用一利用包括複數個雷射束脈衝之記錄脈衝列的雷射，來 照射該第Κ記錄層，該第Κ記錄層用的記錄脈衝列具有 t(i〇[T]週期，其中： 第1記錄層係爲最接近雷射束的記錄層，第Μ記錄 ’層則是最遠離雷射束的記錄層，Τ則是時鐘週期；其中， .以下的關係式會被滿足： t U〗< t ( Μ )，且在雷射束照射的方向上，記錄脈衝列的 週期並不會從一記錄層減少到下一記錄層。 在根據第一態樣之多層光學記錄媒體用的光學記錄方 -15- 1328807

法中，配置在前側之記錄層的重複記錄特性與記錄在最內 側之記錄靈敏度可被改善。 藉由使用在記錄層前側it的記錄策略與使用在記錄 層最內側2T的記錄策略，可得到以下效果。 (1 )可在記錄層前側得到良好的抖動特性； (2 )可改善記錄層最內側的記錄靈敏度（以低記錄 功率來致能記錄）；以及

(3 )可得到用來改善在記錄層最內側之調制程度最 大値的效果（如圖3 2所見，在其最內側調制程度的飽和 値（2T記錄策略側）係比在前側調制程度（1 T記錄策略 側）高2%) 如圖34所示，在記錄具有長度nT之記號的1T記錄 策略中，（η — 1)脈衝會被使用。

在2Τ的記錄策略中，如圖35所示，當具有長度nT 之記號使用m脈衝時’ ‘ η’等於2m，其係提供‘ η’是 偶數，且‘η’等於2m力Π 1 ’其係提供‘ n’是奇數（其 中，m 2 1 )。 在3T的記錄策略中’如圖36所示，當具有長度nT 之記號使用m脈衝時（其中’mgl) ’以下方程式會被 實施： 當‘η’除以3餘1時，n=3m—2 當‘η，除以3餘2時，n=3m_l 以及 當‘η’是3的倍數時，n=3m ⑻ -16- 1328807 本發明實施例提供一種方法，其中使用於第一與第二 層的記錄脈衝會滿足以下關係式： t(1) < t(2)。 本發明實施例包含使用具有週期1 T之記錄脈衝列， 將一記號記錄在第一記錄層中；以及使用具有週期2T之 記錄脈衝列，將一記號記錄在第二記錄層中。

本發明實施例包含使用具有週期1 T之記錄脈衝列， 將一記號記錄在第一記錄層中；以及 使用具有週期2T之記錄脈衝列，將一記號記錄在其 它記錄層中。 本發明實施例提供一種方法，其中當具有長度nT的 記號被記錄在除了第Μ記錄層以外之Μ相變記錄層的記 錄層中時，以下的關係式會被滿足：

(n-1.5) T^Tr^ (n-1) T 其中η係爲不小於1的整數，且Tr代表引導脈衝的 前緣到最後脈衝的前緣間的間隔。 本發明實施例提供—種方法，其中會滿足以下的關係 式： 12TS TmpS 0.3T，其中Tmp代表記錄脈衝的寬度。 本發明實施例提供—種方法，其中該等記號會被記錄 在除了從雷射束照射側觀看之配置在最內側上之記錄層以 外的記錄層上，且記錄記號係由記錄脈衝列所形成，該記 錄脈衝列被設定使得冷卻功率位準Pci、Pc2.....PcN ( 其中，N係爲1或更大的整數）在偏壓功率位準Pb與記 -17- 1328807

錄功率位準Pp之間被調制，並在拭除功率位準Pe以及在 引導脈衝前面之偏壓功率位準Pb與在最後脈衝後面之偏 壓功率位準Pb的至少一偏壓功率位準Pb之間被設定，以 便滿足以下關係式：

Pp> Pe> Pcl> Pc2··· > PcN> Pb 本發明實施例提供一種方法，其中該等記號係由記錄 脈衝列所形成，該記錄脈衝列被設定使得冷卻功率位準

Pci ' Pc2.....PcN(其中，N係爲1或更大的整數）在 偏壓功率位準Pb與記錄功率位準Pp之間作調制，並被設 定在拭除功率位準Pe以及引導脈衝前面之偏壓功率位準 Pb之間，以便滿足以下關係式：

Pp> Pe> Pcl> Pc2··· > PcN> Pb 本發明實施例提供一種方法，其中該等記號係由記錄 脈衝列所形成，該記錄脈衝列被設定使得冷卻功率位準

Pci、Pc2.....PcN (其中，N係爲1或更大的整數）在

偏壓功率位準Pb與記錄功率位準Pp之間作調制，並被設 定在拭除功率位準Pe以及在最後脈衝後面之偏壓功率位 準Pb之間，以便滿足以下關係式：

Pp> Pe> Pcl> Pc2··· > PcN> Pb 本發明實施例提供一種方法，其中該等記號係由記錄 脈衝列所形成，該記錄脈衝列被設定使得冷卻功率位準

Pci、Pc2.....PcN (其中，N係爲1或更大的整數）在 偏壓功率位準P b與記錄功率位準P p之間作調制，並被設 定在拭除功率位準P e以及引導脈衝前面與最後脈衝後面 (S) -18- 1328807 的偏壓功率位準p b之間’以便滿足以下關係式：

Pp> Pe> Pcl> Pc2 -· > PcN> Pb 在冷卻功率位準Pci、Pc2.....PeN中的値N係爲 從1至3的任一個整數。 當將資訊記錄在兩個或更多個相變記錄層之每一層上 時，該資訊會藉由改變用於兩或更多相變記錄層的每一層 之記錄功率位準PP與拭除功率位準Pe間之比率e ( Pe/Pp )以及記錄功率位準pP與冷卻功率位準Pci、Pc2 .....PcN 之間比率 dl、…dN ( Pcl/Pp.....PcN/Pp ) 的至少其中一個加以記錄。 本發明實施例提供一種方法’其中當在記錄具有長度 nT(其中，η係爲一或更大的整數，且T代表時鐘週期） 之記錄記號時所使用記錄功率位準ΡΡ的照射脈衝數目以 m來代表時（其中，m係爲一或更大的整數），假設値η 係爲一偶數，則滿足n = 2m的關係，假設値η係爲一奇 φ 數，則滿足n=2m+l的關係。該記號可藉由僅僅將最短 記號增加一脈衝來記錄。 本發明實施例提供一種方法，其中在拭除功率位準 Pe的照射時，包括低於拭除功率Pe之拭除功率位準Ρ^ 的脈衝結構。 本發明實施例提供一種方法，其中當將資訊記錄在多 層光學記錄媒體之每一資訊層時，該資訊會被依序從雷射 束通量照射側觀看之配置在前側上的資訊層記錄。 T係爲每一記錄層用的相同時鐘週期。

-19- 1328807 根據本發明第二態樣，有提供一種多層光學記錄媒體 用的記錄設備，該記錄媒體包括Μ相變記錄層，Mg 2, 該設備係被安排以： 使用一雷射，將一記號記錄在記錄層第K記錄層， 該雷射被配置以使用包括複數個雷射束脈衝之記錄脈衝列 來照射該第K記錄層，第K層用的記錄脈衝列具有 tm[T】週期，其中： 第1記錄層係爲最接近雷射束的記錄層，第Μ記錄 層則是最遠離雷射束的記錄層且1 g K S Μ，Τ則是時鐘週 期； 其中，以下的關係式會被滿足： t (】）< t (Μ)，且在雷射束照射的方向上，記錄脈衝列的 週期並不會從一記錄層減少到下一記錄層。 其中一設備中，配置在前側之記錄層的重複記錄特性 與在最內側之記錄的記錄靈敏度會被改善。 在一些實施例中’該設備被安排使得用於第一與第二 層的記錄脈衝可滿足以下關係式： t(1) < t(2) 0 在一些實施例中’該設備被安排以：使用具有週期 1 T之記錄脈衝列’將一記號記錄在第一記錄層中；以及 使用具有週期2 T之記錄脈衝列’將一記號記錄在第二記 錄層中。 在一些實施例中，該設備被安排以：使用具有週期 1 T之記錄脈衝列，將一記號記錄在第一記錄層中；以及 -20- 1328807

使用具有週期2T之記錄脈衝列，將一記號記錄在其他記 錄層中。 在一些實施例中，該設備被安排使得當具有長度nT 的記號被記錄在除了第Μ記錄層以外之Μ相變記錄層的 記錄層中時，以下的關係式會被滿足： (η- 1.5 ) Tr^ ( η - 1 ) Τ 其中η係爲不小於1的整數，且Tr代表引導脈衝的 前緣到最後脈衝的前緣間的間隔。 在一些實施例中，該設備被安排使得以下的關係式會 被滿足： 0· 1 2T s Tmp S 0.3T，其中 Tmp代表記錄脈衝的寬度 在一些實施例中，該設備被安排使得記號會被記錄在 除了從雷射束照射側觀看之配置在最內側上之記錄層以外 的記錄層上，且記號係由記錄脈衝列所形成，該記錄脈衝 φ 列被設定使得冷卻功率位準Pci、Pc2.....PcN (其中， N係爲1或更大的整數）被調制在偏壓功率位準Pb與記 錄功率位準Pp之間，並設定在拭除功率位準Pe以及在引 導脈衝前面之偏壓功率位準Pb與在最後脈衝後面之偏壓 功率位準Pb的至少一偏壓功率位準Pb之間，以便滿足以 •下關係式：

Pp> Pe> Pcl> Pc2··· > PcN> Pb 在一些實施例中，該設備被安排使得該等記號係由記 錄脈衝列所形成，該記錄脈衝列被設定使得冷卻功率位準 -21 - 1328807

Pci、Pc2.....PcN(其中，N係爲1或更大的整數）被 調整在偏壓功率位準Pb與記錄功率位準PP之間，並被設 定在拭除功率位準Pe以及引導脈衝前面的偏壓功率位準 Pb之間，以便滿足以下關係式：

Pp> Pe> Pci > Pc2··· > PcN> Pb 在一些實施例中，該設備被安排使得該等記號係由記 錄脈衝列所形成，該記錄脈衝列被設定使得冷卻功率位準

Pci、Pc2.....PcN(其中，N係爲1或更大的整數）被 調制在偏壓功率位準Pb與記錄功率位準PP之間，並被設 定在拭除功率位準Pe以及在最後脈衝後面的偏壓功率位 準Pb之間，以便滿足以下關係式：

Pp> Pe> Pcl> Pc2··· > PcN> Pb 在一些實施例中，該設備被安排使得該等記號係由記 錄脈衝列所形成，該記錄脈衝列被設定使得冷卻功率位準

Pci ' Pc2.....PcN (其中，N係爲1或更大的整數）被 調制在偏壓功率位準p b與記錄功率位準p p之間，並被設 定在拭除功率位準Pe以及引導脈衝前面與最後脈衝後面 的偏壓功率位準Pb之間，以便滿足以下關係式：

Pp> Pe> Pci > Pc2··· > PcN> Pb 在冷卻功率位準Pci、Pc2.....pcN中的値N係爲 從1至3的任一個整數》 在一些實施例中，該設備被安排使得當將資訊記錄在 兩個或更多相變記錄層之每一層上時，該資訊會藉由改變 用於兩或更多相變記錄層的每一層之在記錄功率位準ρρ -22-

1328807 與拭除功率位準Pe之間比率e ( 準Pp與冷卻功率位準Pci、Pc2、 …dN ( Pcl/Pp、··· ' PcN/Pp )的兰 在一些實施例中，該設備被3 度nT(其中，n係爲一或更大的 期）之記錄記號時所使用記錄功乌 目以m來代表時（其中，m係;i 設値η爲一偶數，則滿足n = 2m 奇數，則滿足 η = 2 m + 1的關係。 最短記號一個脈衝來記錄》 在一些實施例中，該設備被宝 Pe的照射時，包括低於拭除功率 的脈衝結構。 在一些實施例中，該設備被多 多層光學記錄媒體之每一資訊層與 射束通量照射側觀看之配置在前俚 T係爲每一記錄層用的相同時 【實施方式】 (光學記錄媒體、光學記錄方法 根據如本發明一些實施例所 將光學記錄媒體照射以雷射束， 來記錄資訊時，在該記號長度記 間長度係由nT代表（T代表基

Pe/Pp)以及記錄功率位 …、PcN之間比率d 1、 |少其中一個加以記錄。 ί排使得當在記錄具有長 整數，且Τ代表時鐘週 i位準Pp的照射脈衝數 &一或更大的整數），假 的關係，假設値η爲一 該記號係藉由僅僅增加 f排使得在拭除功率位準 Pe之拭除功率位準Pe 丨排使得當將資訊記錄在 〖，該資訊會被依序從雷 I上的資訊層記錄。 鐘週期。 光學記錄設備） 計之光學記錄方法，當 藉由記號長度記錄方法 方法中，記錄記號的時 時鐘週期’ n係爲自然 -23- 1328807 數），記錄記號係由交替照射功率Pp之加熱脈衝與功率 Pb之冷卻脈衝，m 〃次來形成（Pp > Pb ) ’條件m $ ( n/2 + 1 )會被滿足，且引導冷卻脈衝的照射時間係爲0.2T 至 0·4Τ。 根據本發明實施例所設計之光學記錄媒體會被使用於 光學記錄方法中，其係並且包含一基板、一第一保護層、 一相變記錄層、一第二保護層與一反射層，其中每一個皆 呈疊層結構地形成在基板上，且該相變記錄層包含銻以及 從鍺、鎵、銦、鋅、錳、錫、銀、鎂、鈣、鉍、硒與碲組 成群組中選出的一個或更多個元件。 在根據本發明一實施例所設計之光學記錄設備中，將 光學記錄媒體照射以雷射束，並藉由記號長度記錄方法來 記錄資訊，在該記號長度記錄方法中，記錄記號的時間長 度係由ηΤ代表（Τ代表基礎時鐘週期，η係爲自然數） 。該光學記錄設備包含架構以轉動光學記錄媒體的一轉動 驅動機制、架構以發出雷射束以照射光學記錄媒體的一雷 射光源、與架構以發出雷射光源的一光源驅動單元、架構 以藉由設定與雷射光源所發射雷射束之發出波形有關之記 錄策略來控制光源驅動單元的一發射波形控制單元，設定 該記錄策略以便能夠藉由以加熱脈衝功率Pp與冷卻脈衝 功率Pb來輪流照射"m〃次所形成，( n/2 + 1 )，且 第一次冷卻脈衝的照射時間係爲0.2T至0.4T。 本發明實施例可被應用在光學記錄方法，且包括使用 來以商速’例如以與6X DVD至8X DVD —樣快或更大之 1328807 記錄速率’將資訊記錄到光學記錄媒體之光學資訊播放設 備的光學記錄設備’可藉由藉助光束照射的強度調制來記 錄、拭除或重寫資訊。 圖3顯示依據適用於本發明一些實施例之光學記錄方 法的DVD規格與高速規格之相變光學記錄媒體的實例。

在圖3中’相變光學記錄媒體1〇6包含在具有導引槽 之透明基板1〇1上的第一保護層102、相變記錄層103、 第二保護層104、反射層106、抗硫化層107與有機保護 層108，並且根據必要進一步包含其它層。 透明基板1 〇 1的材料並不特別受到限制，可根據預期 的用途適當遙出’不過，聚碳酸醋樹脂可較佳根據耐熱、 耐撞、低吸收水特性與類似情形來使用。 基板1 01的折射率較佳地爲1 . 5至1.6 5 »當折射率大 於1 · 6 5時，整個光碟的折射率會下降，且當折射率小於 1.5時，調制程度會因爲折射率的增加而變短。基板ιοί ^ 的厚度較佳地是0.59毫米至0.62毫米。當基板的厚度比 0.62毫米厚時，會有拾取透鏡之聚焦性能的問題，且當厚 度比0.59毫米薄的時候，會有由於缺乏記錄與播放設備 夾鉗而轉動次數不穩定的問題。再者，當圓周厚度的均勻 ~ 性超過上述範圍時，會有在光碟圓周上信號強度改變的情 ，形。 就相變記錄層103而言，可使用一材料，該材料包含 銻以及從鍺、鎵、銦、鋅、錳、錫、銀、鎂、鈣、鉍'硒 與碲組成群組中選出的一個或更多個元素。 -25- 1328807 當將銻使用當作一基質並合併以與鍊成二價鍵合並具 有大約600 °C或更小之共鎔點的元素，或者形成固態溶液 的元素時’可能可形成一適合進行非晶質狀態與晶系狀態 之間重複記錄的記錄層。依據合倂銻之元素的種類與數量 ，譬如結晶速率、記錄特性、儲存穩定性以及初始化簡化 的特性則會被控制。合倂銻的元素係爲一個或更多個，並 可根據必要性爲好幾種。其它元素可被添加到在以上元素 與銻之間爲二價或更大的合金。 當以高速來重複記錄資訊時，非晶質記號必須以高速 來結晶化，因此，特別當以與6X DVD至8X DVD —樣快 或更大之高速來進行記錄時，銻的使用基本上是50原子 %至90原子％，且較佳地是60原子％至85原子％。當銻 的使用小於50原子％時，結晶速率會非常緩慢，以致於 非晶質記號能夠在重複記錄時仍然不會被拭除，其係造成 抖動的增加與失誤的次數。當使用超過90原子％時，則 難以形成非晶質記號。 當相變記錄層1 03的厚度比8奈米薄的時候，調制程 度會小，且播放光束的穩定性會劣化。當比22奈米厚時 ，抖動會大幅增加。因此，相變記錄層103的厚度基本上 是8奈米至22奈米，且較佳地，當它被設定在11奈米至 16奈米範圍內時，尤其會改善重複記錄容忍度。 就反射層105而言，以鋁爲基礎的合金傳統上會被使 用。鋁具有高反射度與高導熱性，並當形成於光碟時在短 暫穩定性上相當突出。不過，當記錄材料的結晶速率高時 -26- 1328807

，記錄記號會被使用鋁合金作爲反射層105的光碟所輕易 地薄化，而很難以足夠的調制程度來進行記錄。由於此原 因，當結晶速率高時，熔化區域中的再結晶區域會在記錄 時變得比較大，欲形成之非晶質區域的大小則會變得減小 。爲了減少再結晶區域的大小，將第二保護層104變薄是 唯一必要的，以便具有冷卻結構，不過，僅僅簡單地將第 二保護層變薄簡直無法使記錄層的溫度充分地增加，且熔 化區域的大小會減少。因此，甚至當再結晶區域的大小減 少時，欲形成之非晶質區域的大小結果則會縮小。在以波 長650奈米至67〇奈米的折射率（n+ik)中，當値‘η’ 與‘k’兩者小於鋁的金屬被使用於反射層時，記錄層的 吸收率則會增加，且調制程度亦會增加。値‘ η’與‘ k’ 兩者小於鋁的金屬實例包括金、銀、銅以及依據其爲主要 元件的合金。其中，成爲主要元件意味著該元件被包括在 以90原子％或更多的材料中，並較佳地包括在95%或更 多φ。 金、銀與銅分別具有比鋁更高的導熱性，且當這些金 屬被使用當作反射層時，會有增加記錄層之光吸收率以及 提高記錄層之溫度的效果，以增加熔化區域的尺寸，並且 增加冷卻速率以在冷卻時縮小再結晶區域的大小，以從而 形成比在使用鋁合金之情形下更大的非晶質區域。記錄記 號的調制程度係藉由光學調制程度與記號大小所決定，且 隨著光學調制程度與記錄記號大小的增加，記錄記號調制 程度的大小則會增加。因此，甚至當以高線性速率來記錄 -27- 1328807

資訊時，其係使用具有高結晶速率之材料爲記錄層，大記 錄記號會因爲反射層具有高吸收率與高冷卻速率而經由此 反射層之使用來形成，且由於結晶相與非結晶相之間反射 率差異的增加，所以有可能以高調制程度來記錄資訊。

在金、銀與銅以及依據此的合金之中，尤其是，銀與 銀合金的成本相當低廉，且相較於成本亦低廉的銅與銅合 金更難以氧化，因此可能可產生展現確實穩定度的記錄媒 體，且銀及銀合金較佳地使用於該反射層。

當反射層的厚度是90奈米或更多時，幾乎不會有光 束透射，且光束可被有效應用，因此，該厚度較佳地是 90奈米或更多。隨著反射層105厚度的增加，記錄媒體 的冷卻速率則會被提高，且當使用具有高結晶速率之記錄 層時會是有利的，不過，該冷卻速率卻於厚度200奈米或 更小處飽和，即使當使反射層105較200奈米厚時，在記 錄特性上並沒有任何改變，並僅花用額外的時間來形成該 層。因此，較佳地是形成具有厚度2 0 0奈米或更小的反射 層 1 0 5。 當將銀或銀合金使用當作反射層1 0 5並將包括硫的材 料使用作爲第二保護層時，有需要抗硫化層107。抗硫化 層之要求特性的實例包括不包括硫，以及不傳送 (transmitting)到硫。本發明的發明人形成種種氧化層、氮 化層或類似物’以作爲抗硫化層1 07，以提昇其記錄特性 與儲存穩定性。結果，評估結果顯示碳化矽 '矽、或由碳 化矽或矽之任一者製成的材料作成之主要元件具有優良的

(S -28 - 1328807

功能。於此，作爲主要元件意味著在所述材料中包含90 莫耳（mole) %或更高，較佳爲95莫耳％的碳化矽或矽。 抗硫化層107的厚度較佳地是3奈米至22奈米。當 抗硫化層107的厚度是3奈米或更大時，抗硫化功能會因 爲濺鍍所形成之層被均勻形成而發揮作用，不過，當其厚 度比3奈米薄時，部份造成缺陷的可能性則劇烈地變更高 。當厚度超過22奈米時，該反射度會伴隨厚度的增加而 減少，且因爲抗硫化層的沈積速率最大等於記錄層，所以 當抗硫化層107比記錄層厚時，生產效率會降低。爲了這 些原因，抗硫化層1〇7較佳地會被形成爲最大時不具有比 記錄層的厚度更厚的厚度。結果，抗硫化層107的較佳上 限厚度係爲22奈米。 就第一保護層102與第二保護層104而言，除了如耐 熱性作爲保護層的功能以外，它們還分別會具有高折射率 與高耐熱度，因此，使用具有莫耳比率接近8:2之硫化鋅 與二氧化矽的混合物，其中可藉由控制厚度來有效地利用 入射光束。 第一保護層102的厚度較佳地是40奈米至220奈米 ，更較佳地是40奈米至80奈米。該厚度値主要由反射度 所決定，且在厚度範圍內，選出達到足夠反射度與足夠記 錄靈敏度的厚度。當第一保護層1 〇2的厚度比40奈米薄 的時候，耐熱性不良，且對基板1帶來的損害會增加’其 係造成在重複記錄時抖動的增加。當第一保護層1〇2的厚 度比22〇奈米厚時，記錄靈敏度會由於過量的高反射度而 1328807 降低。 第二保護層104的厚度較佳地是2奈米至20奈米’ 更佳地是6奈米至14奈米。該厚度値主要由導熱性所決 定。因爲反射層進一步形成在第二保護層104上’所以在 記錄層上被吸收的熱能會經由被冷卻的第二保護層104而 擴散到反射層。因此，當第二保護層104形成在過薄層中 時，熱擴散速度會太快以致於無法充分增加記錄層的溫度 ，因而造成記錄靈敏度降低。當第二保護層104過厚時， 這會使非晶質記號由於冷卻速率不足而難以形成。 藉由濺鍍按第一保護層102、相變記錄層103、第二 保護層104、抗硫化層107與反射層105之順序而在基板 101上形成上述層，之後，有機保護層108藉由旋塗形成 在反射層105上。此狀況中的該等層或進一步受到接合步 驟隨後並受到初始步驟的該等層則會被使用當作光學記錄 媒體6。該接合係爲一步驟，其中，具有與基板相同大小 並基本上由與基板相同材料製的板係經由有機保護層而接 合到基板。 該初始化係爲一步驟，其中該層結構被照射以具有大 約1瓦至2瓦以大約lx數十微米至數百微米而形成的雷 射束，在形成該等層後之非晶質狀態中的相變記錄層1〇3 隨即被初始化。 此後’將說明本發明實施例的光學記錄方法至依據上 述高速規格的光學記錄媒體6,尤其是記錄策略。 於此’使用一記錄記號長度與記號間長度調制系統來 -30- 1328807

記錄資訊，在該系統中，PWM (脈衝寬度調制）會被應用 於光學記錄媒體6。根據記錄系統，資訊可藉由控制記錄 記號的長度與記錄記號之間的長度來記錄，其係使用基本 時鐘週期T爲一單元。該記號系統的特徵在於高密集化的 能力，其係因爲該記錄系統能夠進行比在記號位置調制系 統中更高的記錄密度，該記號位置調制系統係爲光學記錄 媒體的其中的一記錄方法，且該記錄系統係爲在光碟中採 用的調制系統，譬如應用於CD、DD (雙密度）CD中的8 至14調制（EFM)與應用於DVD中的8至14調制+ (EFM + ) 。在記錄記號長度與記號間長度調制系統中，適當控制記 錄記號長度與記錄記號間的長度（後文稱爲a空白長度〃 )是重要的。在這些調制系統中，記錄記號長度與空白長 度兩者均相對於基礎時鐘週期T都具有時間長度ηΤ (η 是自然數3或更大）。 根據本發明實施例，關於使用峰値功率Pp、拭除功 率Pe與偏壓功率pd三値的記錄策略，其係依據一種假設 :使用一種減少脈衝數目方法，以致於能夠有效加熱與冷 卻記錄層以作爲高速規格，亦即是，其係依據一種方法， 其中··具有長度ηΤ的非晶質記號係藉由照射以‘ m’脈 衝來形成（m係爲一整數並滿足條件m S ( n/2 + 1 ))， ’m’脈衝係藉由重複交替峰値功率Pp束與偏壓功率Pb 束來形成’其中m代表一整數；在非晶質記號之間的長 度ηΤ的結晶化空白係藉由照射拭除功率Pe束來形成。因 此’依據8至14調制（EFM) +調制系統而形成之最小記號 -31 - 1328807

3T係以2脈衝或更少脈衝形成，4T與5T被以3脈衝或 更少脈衝形成，6Τ與7Τ被以4脈衝或更少脈衝形成，8Τ 與9Τ被以5脈衝或更少脈衝形成，10Τ與1 1Τ被以6脈 衝或更少形成，且14Τ被以8脈衝或更少脈衝形成。脈衝 數主要由記錄線性速率決定，且記錄線性速率越快，所減 少的脈衝數更多。 在上述的高速規格情況下，在具有形成非晶質記號的 加熱脈衝與冷卻脈衝之脈衝列中的引導冷卻脈衝時間係爲 0.2Τ至0.4Τ。當記號藉由照射以三或更多加熱脈衝與冷 卻脈衝而形成時，第二冷卻脈衝時間係爲1 . 0Τ至2 · 5 Τ。 拭除功率Pe對峰値功率Ρρ的比率係爲O.lSPe/PpSO.4 這些發明設計可能可較厚地形成非晶質記號邊緣，因 此，該等邊緣的形狀幾乎不會受到週邊晶體狀態所影響， 且有可能防止在重複記錄早期的抖動增加，並且在不劣化 重複記錄容忍度之下，避免交叉拭除。 當記號邊緣較薄時，晶體狀態的差別會容易被反應爲 抖動的增加，重複記錄早期抖動的增加則進一步會增加。 此現象之發生是因爲在使用銻爲主要元件之記錄層的情形 中，結晶化由於晶體生長而從晶體的邊緣進行。 —般而言，溫度越高，晶體生長越快。爲了此因素， 當結晶相與非晶質相之間的邊界存在於溫度較高的軌道中 間部份時，結晶化會容易進行，且當在晶體狀態有差異時 ，在以脈衝列照射的過程中，容易發生記號邊緣形狀的變 (S) -32- 1328807 化。當記號邊緣厚且在結晶相與非晶質相之間的邊界遠離 軌道中心部份時，即使當在晶體狀態中有差異時，因爲溫 度低且晶體生長速率慢，所以也難以發生記號邊緣形狀的 變化。

再者，因爲記錄與播放光束基本上具有高斯分佈，所 以在播放時，該束受到在軌道中心部份上記號之形狀改變 的影響大於起因於存在於遠離軌道中心部份之記號形狀改 變的反射改變。爲了上述的該些因素，可以說當記號邊緣 形狀起初很厚時，難以受到結晶狀態差異所影響，當記號 邊緣形狀薄時，可容易受到結晶狀態差異所影響。因此， 厚厚地記錄記號邊緣係爲一有效的方法。 因爲，使用於高速記錄之相變記錄層的結晶速率基本 上很快，所以從本發明實施例之引導冷卻脈衝的設定來看 ，縮短冷卻脈衝的照射時間則幾乎不會予以考慮。此乃因 爲當將冷卻脈衝的照射時間縮短時，緊鄰冷卻脈衝之前之 φ 加熱脈衝所形成的非晶質記號會被再度結晶化，且足夠大 的非晶質記號則無法被形成，其係造成抖動的增加。不過 ’本發明的發明人發現，藉由大膽縮短引導冷卻脈衝的照 射時間，可形成大尺寸的記號邊緣。由考量模擬與穿透式 電子顯微鏡圖片的觀察，可發現到第一加熱脈衝所形成的 * 非晶質部份會由於再結晶化而消失，不過，在照射以第二 加熱脈衝期間內的溫度則會被第一加熱脈衝的預熱效應所 提高，而且所提高的溫度會使熔化區域加寬，結果並擴大 記號邊緣。圖4槪要地顯示該現象。 -33- 1328807 同樣地，也有可能在未設定引導冷卻脈衝時， 尺寸的記號邊緣，且按照第一加熱脈衝則會以第一 衝可能持續到第二加熱脈衝的方式來加長第一加熱 不過，在此情形中，由於峰値功率的連續照射，溫 度升高’且層品質的惡化加速，其係造成重複記錄 的降低。此外，因爲相鄰軌道溫度的提升，它會造 拭除現象，在該現象中，記錄於相鄰軌道中的非晶 會被部份拭除。 引導冷卻脈衝應在0.2T至0.4T之間。當引導 衝被設定成具有比〇·2Τ短的週期時，難以得到冷 ，且它所顯現的行爲類似那些在延長第一加熱脈衝 者，這造成重複記錄容忍度的降低與串音的增加。 導冷卻脈衝設定成具有比0.4T更長之週期時，由 熱脈衝所形成的非晶質部份仍會存在，因此非晶質 具有薄邊緣，這造成在重複記錄早期抖動的增加。 誠如習知所考慮到的，在藉由三個或更多脈衝 記號之情形中的第二冷卻脈衝需要被充分延長。利 構，可防止由第三加熱脈衝進行再結晶化，以形成 的記號邊緣。第二冷卻脈衝被設定成具有1 ·〇Τ至 間的週期。當第二冷卻脈衝被設定成具有比1 ·οτ 週期時，第三加熱脈衝影響在照射以第二冷卻脈衝 中所形成非晶寶部份的再結晶之進行，這造成抖動 。當第二冷卻脈衝比2.5Τ更長時，則無法形成連 形成大 加熱脈 脈衝。 度會過 容忍度 成交叉 質記號 冷卻脈 卻效果 的情形 當將引 第一加 部份會 列形成 用此架 大尺寸 L5T之 更短的 之過程 的增加 續記號 -34-

1328807 當拭除功率p e對峰値功率Pp的比率小於0.4 的時候，有效地運用上述的記錄策略。由於本發明 的硏究，當以與6X DVD那樣快或更大的速度來記 時，拭除功率Pe對峰値功率Pp的比率會增加超站 即使在第一次記錄時抖動也會增加。原因並不清楚 ，我們認爲因爲在高速記錄的情形下記錄時間短， 錄層無法被充分加熱，除非增加値Pp，不過，當個 同樣被增加時，它會造成冷卻的不足，相反地，抖 增加。不過，當値Pe低時，第一峰値功率所引起 上升很可能不充分。在此情形中，在重複記錄早期 動有增加的趨勢，不過，問題可藉由使用第一加熱 爲預熱脈衝來解決，如本發明實施例所見。不過 Pe/Pp小於0.1時，拭除功率有可能不足，且在整 記錄時，抖動會增加，既使第一記錄顯示出優良抖 也是如此。 接著，將參考圖5來說明依據上述記錄策略， 光學記錄方法之光學記錄設備的結構實例。 光學記錄設備包含旋轉控制機制1 22，其具有 驅動光學記錄媒體106之主軸馬達121;與光學頭 在該光學頭中，一物鏡與譬如雷射二極體LD 123 射光源會被以一搜尋且移動方式配置在光碟徑向方 而光學記錄媒體1 06則被照射以經過該物鏡的聚焦 。致動控制機制25會被連接到物鏡驅動單元以及 1 24的輸出系統。包括可程式帶通濾波器26的搖 或更小 發明人 錄資訊 I 0.4 > ，不過 所以記 [Pe亦 動則會 的溫度 中的抖 脈衝作 ，當値 個重複 動特性 來實施 :轉動 124 . 的一雷 向中， 雷射束 光學頭 晃檢測 -35- 1328807 單元27會連接到致動控制機制25。將來自被檢測搖晃信 號之位址解調制的位址解碼電路2 8會被連接到搖晃檢測 單元27»包括鎖相迴路合成電路29的記錄時鐘產生單元 3 〇會被連接到位址解碼電路2 8。驅動控制器3 1則連接到 鎖相迴路合成電路2 9。轉動控制機制1 2 2、致動控制機制 25與搖晃檢測單元27以及位址解碼電路28亦同樣地與 連接到系統控制器3 2的驅動控制器3 1連接。 系統控制器3 2係依據所謂的微電腦組態，該微電腦 組態包含中央處理單元或類似物。8至1 4調制解碼器3 4 、記號長度計數器3 5、脈衝數目控制單元3 6係連接到系 統控制器3 2。欲爲發射波形控制單元的記錄脈衝控制單 元3 7係連接到8至14調制編碼器3 4、記號長度計數器 3 5、脈衝數目控制單元3 6以及系統控制器3 2。記錄脈衝 列控制單元3 7包含產生由記錄策略所定義之多元脈衝（ 峰値功率Pp用的開啓脈衝，以及偏壓功率Pb用的關閉脈 衝）的多元脈衝產生單元38、邊緣選擇器39與脈衝邊緣 產生單元40。 LD驅動器單元42係連接到記錄脈衝列控制單元3 7 的輸出側。LD驅動器單元42充當做光源驅動單元，其係 架構以藉由切換記錄功率Pw (峰値功率Pp)、拭除功率 Pe與偏壓功率Pb用的每一個別驅動電源41來驅動光學 頭124中的雷射二極體LD 123。 在此架構中，爲了記錄資訊於光學記錄媒體106中， 主軸馬達121的轉動數係在驅動控制器31之控制下爲轉 -36- 1328807

動控制機制1 2 2所控制，以致於具有對應想要記錄速度的 一記錄速度，然後並從光學頭1 24所得到的推拉信號，藉 由可程式BPF26分別檢測出的搖晃信號來定址解調制， 且記錄通道時鐘則由鎖相迴路合成電路29產生。接著， 爲了藉由使用雷射二極體LD 1 23而產生記錄脈衝列，記 錄通道時鐘與予以被記錄之資訊的8至14調制（EFM) + 資料被輸入至記錄脈衝列控制單元3 7中，且在記錄脈衝 列控制單元3 7中的多元脈衝產生單元3 8會根據如圖7所 示的記錄策略產生多元脈衝，且LD發射波形可藉由切換 驅動電流源41得到，該些電流源41會被設定成爲與LD 驅動器單元42中的峰値功率Pp、拭除功率pe與偏壓功 率Pb相對應的每一單獨的照射功率。 在如圖5所示的記錄脈衝列控制單元3 7中，用來計 數從8至14調制（EFM)編碼器34所得到之8至14調制 (EFM) +信號之記號長度的記號長度計數器35係被排列與 架構來經由脈衝數目控制單元3 6產生多元脈衝，以致於 每當記號計數値增加2 T時，能夠產生脈衝列（記錄功率 Pw =藉由峰値功率pp的開啓脈衝以及藉由偏壓功率Pb的 關閉脈衝）。 作爲多元脈衝產生單元38的另一架構，產生其中記 錄通道時鐘被分成兩個頻率的記錄頻率分開時鐘，邊緣脈 衝則使用來自記錄頻率分開時鐘的多階段延遲電路來產生 ’前面與後面邊緣則藉由邊緣選擇器來選擇，以從而每當 記錄通道時鐘增加2T時產生脈衝列（記錄功率Pw =藉由 -37- 1328807 峰値功率Pp的開啓脈衝以及藉由偏壓功率Pb的關閉脈衝 )。在此架構中，多元脈衝產生單元的實質操作頻率係爲 1 /2，且進一步較高速度記錄操作則是可能的。

根據本發明實施例，可能可提供一種光學記錄方法與 光學記錄設備，其使得能夠在不引起重複記錄耐久性的變 差和串音增大的情況下，與早期結晶狀態無關地減少在重 複記錄早期的抖動增大，這是由於能夠在像6X DVD至 8X DVD —樣快之高速記錄時較厚地形成標記邊緣。 (用於多層光學記錄媒體的記錄方法與記錄設備） 在本發明一些實施例之多層光學記錄媒體的記錄方法 中，當將資訊記錄在依據時鐘週期T從雷射光束照射側所 看到之第K記錄層上時（其中K爲1或更大之整數）的 記錄脈衝列週期以t(k)[T]表示時，會滿足條件客

t(2)‘…客t(k)$ t(k+1>。不過，當所有符號以等號代表時， 該條件會被排除。 在其它實施例中，在包括Μ相變記錄層之多層光學 記錄媒體的記錄方法中（Μ22)，藉由使用多數雷射束 脈衝的記錄脈衝列，而用雷射來照射記錄層中之在第Κ 記錄層’以在第Κ記錄層中記錄記號，用於第Κ記錄層 的記錄脈衝列具有週期t(l〇[T]。第1記錄層係爲最接近雷 射束的記錄層，第Μ記錄層則是最遠離雷射束的記錄層 ’ Τ係爲一時鐘週期。在這些實施例中，滿足以下的關係 (S) -38- 1328807

t(l>< t(M)，記錄脈衝列的週期在雷射束照射的方向上 ，從一記錄層到下一記錄層並不會減小。 在許多情形中，T1等於1。當T1等於1並將資訊記 錄到第二記錄層或更後的記錄層時，效果係藉由提供週期 1.5或更多以供記錄來產生。基本上，以3T週期之記錄 策略的記錄亦是有可能的。亦即是，當將値K設定在2 或更大時，（（1〇的範圍較佳地是1.5至3，1.5St(k)S3。不 過，實際上，較佳地是以2T週期來記錄資訊，以能夠避 免記錄策略之參數數目的增加。因此，當從雷射束照射測 觀看之最前側處配置之記錄層上進行記錄時，使用具有 1T週期的記錄策略，且當將記錄進行到除了配置在最前 側記錄層以外之記錄層區域時，較佳係使用具有2 T週期 的記錄策略。 當在配置於記錄之最前側的記錄層上進行記錄，並設 定記錄脈衝列以具有it週期時，覆寫特性會被改善。在 將記錄脈衝列設定成具有2T週期的條件下，記錄是可能 的，不過，當重複記錄次數增加時，抖動特性比在1T週 期之情形中還差’這是因爲它主要受到最短記號長度（見 圖2 5 )的不對齊所影響。要注意的是，該情形實例顯示 出該測試使用在實例B-17中所使用的雙層光學記錄媒體 來進行。 當將記錄進行到除了配置在最前側記錄層以外之記錄 層區域，且將2T週期使用於記錄脈衝列時，因爲可使記 錄脈衝列的脈衝寬度更寬並將冷卻時間取爲更長，所以可 -39- 1328807 以改善記錄靈敏度。在使用1 τ週期的條件下，雖然記錄 是可能的，但記錄靈敏度會降低大約15% (見圖26與27 )° 根據本發明實施例的光學記錄方法，可以改善具有兩 或更多相變記錄層之多層光學記錄媒體的、除了從雷射束 照射側所觀看之最內側記錄層以外的該等記錄層記錄特性

如圖24所示，在譬如DVD + RW的習知單層可覆寫光 學記錄媒體中，例如當使用1T週期的記錄策略時，從相 對於資料延遲1 T的時間位置開始記錄資料（見圖24中的 (1))已經是一種主要的記錄方法。不過，對於用於在 具有兩或更多相變記錄層之多層光學記錄媒體的，除了從 雷射束照射側所觀看的最內記錄層以外之記錄層上記錄的 方法，如在圖24中的（2)與（3)所示，當形成具有記 號長度nT之記號時，較佳地使用一記錄方法，其中，引 導脈衝與最後脈衝之間的上升時間寬度Tr會變寬。 此乃因爲除了從多層光學記錄媒體的，除了從雷射束 照射側所觀看之最內記錄層以外的資訊層必須具有高透光 率，並且不能形成厚金屬層，因此，必須藉由使用透明電 介質來補充散熱效果。當使金屬層變厚時，可得到充分的 散熱效果，並可容易形成記錄記號，不過，當使用透明介 質時，導熱度低於金屬層的導熱度，因此無法發揮足夠的 散熱效果，且容易發生非晶質記號的再結晶。因此，上述 記錄方法的目標在於藉由將上升時間寬度Tr設置得較寬

-40- 1328807 而得到希望的記號長度。

在所述記錄方法中，如圖24之（2 )所示，就時間而 論’引導脈衝上升得早，且就時間而論，延遲最後脈衝的 上升，且如圖24之（3 )所示，也允許僅使引導脈衝較早 上升。値Tr的範圍較佳地會被設定成（η— 1.5) TSTrS (η — 1 ) T。例如，當記錄8Τ記號時，使用會滿足條件 6.5TS TrS 7Τ的値Tr。再者，爲了增加形成非晶質記號 的區域，加熱以後的冷卻時間必須具有較長的時間。因此 ，記錄脈衝寬度Tmp會被較佳地儘可能弄窄。當時鐘週 期以T代表時，在不顧記錄線性速率的情形下，較佳地具 有0. 12TS TmpS 0.3T的範圍。當記錄脈衝寬度Tmp被設 定成比0.12T短時，它需要高記錄功率，且尤其當記錄線 性速率快時，譬如9.2米/秒，時鐘週期T會是15.9毫微 秒，因此，記錄脈衝寬度Tmp係爲等於1.9毫微秒的 〇.1 2T，且以希望記錄功率來記錄資訊有其困難，其係因 爲就在記錄設備中從雷射二極體（LD )所發射之雷射的 反應時間（上升時間及下降時間）太慢。當使記錄脈衝寬度 Tmp比0.3T長時，由於缺乏冷卻時間，爲下一脈衝殘餘 熱所引起再結晶會造成問題，因此，無法確保想要的調制 程度。 —般而言，較佳地是在維持上述Tr範圍之下使用圖 28所示之記錄脈衝策略的參數，不過，Tr的範圍並不限 於上述。例如，DVD使用8至14調制（EFM) +資料調制模 式’且3T記號與4T記號的出現次數會大於其它長記號 -41 - 1328807

的出現次數。因此，3T與4T記號會對記錄特性或抖動特 性具有更多影響。當3Τ記號與4Τ記號進行記錄時，像 (dTtop3 ) 、 ( dTtop4 ) 、 ( dTlp3 ) 、 ( dTlp4 ) ' (

dTera3)與（dTera4)的參數會被個別設定。圖29與圖 3 0分別顯示當改變參數數目時，記錄特性（抖動）的比 較結果。吾人發現當將最後脈衝3T或4T個別設定時， 記錄特性會被改善。該記錄係使用圖31所示參數所代表 的記錄策略來進行。記號％ — 〃意味著該記錄會延遲於參 考時鐘或上升時間以後。

根據本發明實施例的光學記錄方法，多層光學記錄媒 體的記錄特性會被改善。再者，作爲要被應用在除了從雷 射束照射側所觀看之最內記錄層以外之記錄層的記錄方法 ，當藉由用雷射束照射在基板上具有兩或更多相變記錄層 之多層光學記錄媒體來形成記錄記號時，藉由使用雷射束 之發射波形以當作包含複數個脈衝的記錄脈衝列並調制該 記錄脈衝列來記錄資訊，於偏壓功率位準Pb與記錄功率 位準Pp之間調制記錄記號，且設置在拭除功率位準Pb與 引導脈衝以前與最後脈衝以後的至少一偏壓功率位準之間 的冷卻功率位準Pci、Pc2.....PcN ( N係爲一或更大的 整數），以便藉由滿足以下條件所代表之關係的脈衝列來 形成記錄記號：

Pp> Pe> Pcl> Pc2··· > PcN> Pb 本發明實施例之多層光學記錄媒體的記錄設備會被設 定成使得本發明實施例之多層光學記錄媒體的記錄方法能

-42-

1328807 夠進行’一光學裝置引導雷射束從雷射光源發射 鏡’且該聚光透鏡會將雷射束聚光並照射到多層 媒體上’以從而在多層光學記錄媒體上記錄資訊 設備引導一部份雷射束從雷射光源發射到雷射束 並依據雷射束檢測器所檢測出的雷射束檢測量來 光源的光量。雷射束檢測器將雷射束檢測量轉換 或電流，以當作檢測信號來輸出。 記錄設備進一步包含根據必要性所設計的種 元。只要上述各別單元的移動可被控制，該些控 不會特別受到限制，其係可根據預期的用途適當 其實例包括譬如定序器的儀器與電腦。 本發明某些實施例之多層記錄媒體用的記錄 以下態樣的任一態樣： 本發明某些實施例的第一態樣係爲一光學記 其中記錄記號係被調制於偏壓功率位準Pb與記 準Pp之間，且拭除功率位準Pe與引導脈衝以前 率位準Pb之間的冷卻功率位準Pci、Pc2..... 中，N係爲1或更大的整數），其係會被設定成 滿足以下條件所代表之關係的脈衝列來形成記錄;

Pp> Pe> Pcl> Pc2··· > PcN> Pb 本發明某些實施例的第二態樣係爲一光學記 其中記錄記號係被調制於偏壓功率位準Pb與記 準Pp之間，且拭除功率位準Pe與最後脈衝以後 率位準Pb之間的冷卻功率位準Pci、Pc2..... 到聚光透 光學記錄 。該記錄 檢測器， 控制雷射 成一電壓 種控制單 制單元就 選出，且 方法包含 錄方法， 錄功率位 的偏壓功 PcN (其 能夠藉由 記號： 錄方法， 錄功率位 的偏壓功 PcN (其 -43- 1328807 中，N係爲1或更大的整數），其係會被設定成能夠藉由 滿足以下條件所代表之關係的脈衝列來形成記錄記號：

Pp> Pe> Pcl> Pc2〜> PcN> Pb 本發明某些實施例的第三態樣係爲一光學記錄方法， 其中記錄記號係被調制於偏壓功率位準Pb與記錄功率位 準Pp之間，且拭除功率位準Pe與引導脈衝以前以及最後 脈衝以後的偏壓功率位準Pb之間的冷卻功率位準Pc 1、

Pc2.....PcN (其中，N係爲1或更大的整數），其係會 被設定成能夠藉由滿足以下條件所代表之關係的脈衝列來 形成記錄記號=

Pp> Pe> Pcl> Pc2·*· > PcN> Pb 在第一態樣至第三態樣中，在冷卻功率位準 Pc 1、 Pc2…、PcN中的値N係爲整數1至3其中任一個。 於此，特定雷射波形發射圖案的實例包括那些使用於 DVD + RW者，如圖1 5與16所示。非晶質記號係藉由以 峰値功率（Pp)束與偏壓功率（Pb)束交替地重複照射所 形成。另一方面，結晶狀態中形成的空白係藉由在峰値功 率Pp與偏壓功率（Pb )束之間以中間位準的拭除功率（ Pe)束連續照射而形成。 當以包含峰値功率（Pp )束與偏壓功率（Pb )束之記 錄脈衝列來照射記錄層時，該記錄層被重複熔化與淬火， 以形成非晶質記號於其上。當以拭除功率（Pe )束來照射 記錄層時，該記錄層會被熔化，隨後在固相狀態中緩慢冷 卻或退火以便結晶，因此而形成空白。 -44- 1328807 基本上，包含峰値功率（PP)束與偏壓功率（Pb)束 的記錄脈衝列會被分成引導脈衝、中間脈衝與最後脈衝。 最短記號3T則藉由僅僅使用引導脈衝與最後脈衝來記錄 ，且當4T或更大之記號形成時，中間脈衝亦可被使用。 中間脈衝被稱爲"多元脈衝〃，其係並以每一1 T週期設

定，並且其方法是每當記號長度之長度增加1T，脈衝數 量就增加1個。該記錄方法被稱爲Αιτ週期記錄策略〃 ，且當形成具有長度nT之記號時的記錄脈衝數則是（η — 1 )。不過，Τ代表時鐘週期。附帶地，當以比 4Χ DVD + RW還快之記錄速率來記錄資訊時，時鐘週期會縮 短，因此經常採用使用2Τ週期的記錄方法（2Τ週期記錄 策略）。 在根據本發明某些實施例之第一態樣之多層光學記錄 媒體用的記錄方法中，當値Ν是1時，如圖11所示，記 錄記號係被調制於偏壓功率位準Pb與記錄功率位準Ρρ之 間，且拭除功率位準Pe與引導脈衝以前的偏壓功率位準 Pb之間的冷卻功率位準Pci則滿足關係Pp> Pe> Pci > Pb 當値N是2時，如圖12所示，記錄記號係被調制於 偏壓功率位準Pb與記錄功率位準Ρρ之間，且拭除功率位 準Pb與引導脈衝以前的偏壓功率位準Pb之間的冷卻功率 位準Pci與Pc2則滿足關係Pp>Pe>Pcl>Pc2>Pb。 在根據本發明第二態樣之多層光學記錄媒體用的記錄 方法中，當値N是1時，如圖13所示，清楚的是，記錄

-45 - 1328807 記號係被調制於偏壓功率位準p b與記錄功率位準p p之間 ，且拭除功率位準Pe與最後脈衝以後的偏壓功率位準pb 之間的冷卻功率位準Pci則滿足關係Pp> Pe> Pcl> Pb。 在根據本發明某些實施例之第三態樣之多層光學記錄 媒體用的記錄方法中’當値1^是1時’如圖14所示’令 人清楚的是，記錄記號係被調制於偏壓功率位準P b與記 錄功率位準Pp之間，且拭除功率位準Pe與引導脈衝以前 以及最後脈衝以後的偏壓功率位準Pb之間的冷卻功率位 準Pci則滿足關係Pp > Pe > Pc 1 > Pb。 因爲本發明實施例多層光學記錄媒體用的記錄方法可 使用滿足第一態樣至第三態樣任一關係之在引導脈衝以前 與最後脈衝以後所剩下的至少任一殘餘熱，故可能可避免 第一記錄層進一步受到熱損害、適當地進行記錄與拭除、 改善記錄特性以及應用到種種光學記錄媒體，不過，該記 錄方法特別適合使用於以下將說明的本發明實施例多層光 學記錄媒體。 在如圖15與16所示之習知記錄方法中，將記錄功率 Pp與拭除功率Pe的比率ε ( Pe/Pp )設定爲某一位準以 進行記錄的一種記錄方法經常會被使用。這方法之產生乃 爲了使抖動與不對稱能夠良好地維持在更廣的記錄功率範 圍中。於此’當記號與空白的反射位準在切片位準上被二 進制化時’抖動則代表在邊緣線與使用窗寬度的時鐘之間 的標準時間不對齊。抖動越低，記錄特性越良好。該不對 稱性係爲一種特性値，其表示對應〗4T空白的晶系反射係 -46 - 1328807 數11 4H與對應於1 4T記號的非晶質反射係數11 4L之平均 値與對應3T空白的晶系反射係數13H與對應於3T記號 的非晶質反射係數I3L之平均値不重合的程度。該表示式 係由（I14H+I14L) - (13H+13L) /2(I14H-I14L)( 見圖19)所代表。因爲反射信號係依據切片位準來二進

制化，所以最接近零的不對稱性是最佳的》當不對稱性尙 失其形狀時，記號與空白之間的邊緣線有可能不適當地識 別。該不對稱性會由於過高或過低的記錄功率Pp或者過 高或過低的拭除功率Pe而尙失其形狀，進而造成抖動的 降低。因此，這些比率必須固定以平衡功率，並從而避免 記錄特性變差。 因此，在本發明實施例的記錄方法中，較佳地不僅只 有記錄功率Pp與拭除功率Pe的比率ε個別設定於第一記 錄層與第二記錄層，同時也獨立設定記錄功率Pp與冷卻 功率 Pc 1、Pc2、…、PcN 的比率 <5 1 ' …<5 N ( = Pc 1/Pρ 、…、PcN/Pp) 〇 例如，使用於第一記錄層的相變記錄材料以及成分與 第二記錄層者相同的情形被考慮如下。當使用下述光學記 錄方法，以相同記錄速度，將記錄記號記錄在每—資訊層 上時，其中記錄記號係被調制於偏壓功率位準Pb與記錄 功率位準Pp之間，且於拭除功率位準Pe與引導脈衝以前 以及最後脈衝以後的至少一偏壓功率位準Pb之間設定冷 卻功率位準Pci、Pc2.....PcN(其中，N係爲1或更大 的整數），以便藉由滿足以下條件所代表之關係的脈衝列 -47 - 1328807 來形成記錄記號：Pp>Pe>Pcl>Pc2…〉PcN>Pb，對於

比較每一資訊層分別具有相同値ε與相同値δ 1、…<5 N 的情形與每一資訊層分別具有不同値ε與不同値6丨、… <5 Ν的情形之結果硏判，可得到如圖20所示的結果。圖 2〇顯示當使用圖11所示記錄策略，在實例Β-19中所說 明之雙層相變光學記錄媒體上進行記錄時的資料結果，其 係對應稍後所描述之實例Β-28與比較性實例Β-23的情形 〇 如圖20所示，當使用與第一資訊層之最佳適合功率 比率（ε = 0.18，（5 1= 0.09)所不同之功率比率（e = 0.38 ’ ό 1 = 0.19 )而在第二資訊層上進行記錄時的記錄 特性’其係會比當使用與第一資訊層之最佳適合功率比率 相同的功率比率而在第二資訊層上進行記錄時更良好。特 別是，當使用相同功率比率在第二資訊層上進行記錄時之 最佳適合記錄功率的抖動（稱爲底部抖動）係爲8.7%。 相反地，使用不同功率比率對第一資訊層與第二資訊層進 行記錄時的底部抖動是8.1 %。如上述，可以確認對每一 資訊層而言都有最佳合適的功率比率。 再者，如表1所示，當使用功率比率（ε = 0.38，ό I = 〇· 1 9 )在第二資訊層上進行記錄時，底部抖動係爲 8.3%。這顯示不僅比率£的效果，而且比率61的效果也 會對記錄特性具有影響。 -48 - 1328807 表1 ε δ 1 底部抖動 第一資訊層 0.18 0.09 8.5 第二資訊層 0.18 0.09 9.7 0.38 0.09 8.3 0.38 0.1 9 8.1

在本發明實施例的光學記錄方法中，當記錄記號具有 長度ηΤ(其中，T係爲時鐘週期，且η係爲一或更大的 整數）時記錄功率位準Ρρ的照射脈衝數目以ni來代表（ m係爲一或更大的整數），且當‘η’爲一偶數時，則滿 足n=2m的關係，且當‘η’爲一奇數，則滿足n=2m+l 的關係，那麼產生良好的記錄靈敏度則是可能的。 習知地，當在對應IX DVD至4X DVD之單層光學記 錄媒體上進行記錄時，因爲一組加熱照射脈衝與冷卻照射 脈衝係有關每一時鐘週期重複進行的方法會被廣泛使用（ 1 T週期策略），所以此一媒體的掃瞄線性速率慢。此記 錄方法係爲當具有長度nT之非晶質記號被記錄時，（η- 1 )加熱照射脈衝與（η - 1 )冷卻照射脈衝之照射被交替 進行。不過，因爲時鐘週期隨著記錄線性速率之提高而縮 短，所以當如習知所進行地，將單層光學記錄媒體照射以 依據1 Τ週期的一組加熱照射脈衝與冷卻脈衝時，不能保 證充分的冷卻時間。換句話說，即使當以某加熱脈衝與冷 卻脈衝來進行照射並形成非晶質記號時，一度形成的非晶 質記號會被在下一 1Τ週期以後的加熱脈衝所造成的殘餘 熱所再結晶化，這造成特別是長記號變得更薄並且難以具 -49- 1328807 有調制程度的問題。爲了解決此一問題’有必要儘可能採 用愈長的冷卻脈衝照射時間。 因此，在大於4X DVD的高速記錄中’有可能形成厚 且均勻的非晶質記號並且藉由應用一記錄方法來確保高調 制程度，在該記錄方法中，一組加熱照射脈衝與冷卻照射 脈衝會以每兩時鐘週期來重複進行（27週期策略）。在 該記錄方法中，較佳地當記錄具有長度nT之非晶質記號 及加熱照射脈衝的數目以m來代表（其中’ m係爲一或 更大的整數）時，較佳地，當‘n’爲一偶數時’n=2m 的關係會被滿足，且當‘η’爲一奇數時，n=2m+l的關 係會被滿足。當使用於IX DVD至4X DVD —樣快之記錄 線性速率時，使用2 T週期策略的記錄策略會完成簡單的 記錄。再者，如上述，可能可使用較低記錄功率，並且以 比使用1T週期之記錄策略來記錄時更良好的靈敏度來記 錄資訊，這是因爲有可能採用更長冷卻時間並且提昇淬火 效果。因爲譬如第一資訊層與第二資訊層之每一各別記錄 層的記錄靈敏度會被改善，故以本發明實施例之多層光學 記錄媒體的記錄方法亦較佳。 在此情形中，在多層光學記錄媒體上的重複記錄可以 藉由特別增加該最短記號僅僅一脈衝就可更良好地進行。 在本發明實施例的光學記錄方法中，拭除功率位準 Pe包含在以拭除功率位準Pe照射之期間內，比拭除功率 Pe還低之拭除功率位準Pe_的脈衝結構，而且該組態進一 步能夠避免配置在前側上之資訊層的熱損害。 -50- 1328807

圖21顯示雷射的發射波形。類似雷射照射波形的已 知技術實例包括那些在日本專利申請案早期公開（JP-A ) 第2004-63 005號中所揭露的。在該技術中，拭除功率Pe +在Pe區域中被配置呈脈衝形狀，以供應拭除所需要的 能量，以便能夠當記錄線性速率增加時，防止記錄記號殘 留在空白部件中而未被拭除。爲了解決該問題，在本發明 實施例中，爲了避免用相當高拭除功率Pe來照射所引起 之多層光學記錄媒體前側上的資訊層的熱損害，脈衝結構 被配置在拭除功率Pe區域中。以此架構，可能可改善 配置在前側上之資訊層的重複記錄特性。 在本發明實施例的光學記錄方法中，當將資訊記錄在 多層光學記錄媒體的每一個別資訊層上時，較佳地是連續 從由雷射束通量照射側所觀看之配置在前側上的資訊層記 錄資訊。 使用於多層光學記錄媒體之記錄層之相變材料的結晶 φ 狀態與非晶質狀態分別具有不同的光學常數，且結晶狀態 具有比非晶質狀態更高的吸收係數。換句話說，因爲非晶 質狀態具有比結晶狀態更小程度的吸收光線，所以非晶質 狀態會比結晶狀態具有更高的光線透光率。然後，當由從 ' 雷射束通量照射側觀看之配置在前側上的資訊層依序進行 - 記錄時，非晶質記號會藉由記錄而形成在資訊層上，且具 有廣面積非晶質記號的狀態則會依序地從前側形成，且雷 射束能輕易地透射，以使配置在最內側之資訊層上的記錄 容易進行。 -51 - 1328807 當使用記錄設備，實際將資訊記錄在光學記錄媒體上 時，從第一資訊層記錄資訊能夠完成比從第二資訊層記錄 資訊低數個百分比的記錄功率。第一資訊層的透光率作用 在將資訊記錄於第二資訊層所需之記錄功率，在相對有效 改善記錄靈敏度上係更有效的。 圖33係爲示範性顯示與本發明實施例有關之光學記 錄設備的圖式。光學記錄設備220設有：主軸馬達222， 其係適用於轉動性驅動當作與本發明實施例有關之單面多 層光學記錄媒體的光碟215;光學拾取裝置223;搜尋馬 達221，用來在滑架（si edge)方向上驅動光學拾取裝置223 ;雷射控制電路224 ;編碼器225 ;驅動控制單元226 ; 播放信號處理電路228;緩衝隨機存取記憶體234;緩衝 管理器2 3 7 ;介面2 3 8，快閃記億體2 3 9 ;中央處理單元 240 ;以及隨機存取記憶體241與類似物。 應該注意的是，圖3 3所示的箭頭分別指出基本信號 與資訊流，其係並不預期指出在每一方塊之間的所有連接 關係。在此實施例中，光學記錄設備220與單邊多層光學 記錄媒體相容。 (多層光學記錄媒體） 本發明實施例的多層光學記錄媒體係被使用於本發明 實施例多層光學記錄媒體用的記錄方法，其係並且包含各 具有相變記錄層的兩或更多資訊層，在該相變記錄層中， 資訊係藉由引起晶系狀態與非晶質狀態之間的可逆相變而 -52- 1328807 被記錄，其係並且根據必要性而進一步包含其它層》就多 層光學記錄媒體而言，較佳地使用一態樣，其中，除了從 雷射束照射側所觀看配置在最內側之資訊層以外的資訊層 包含一上保護層、一相變記錄層、一下保護層、一反射層 與一散熱層。

在此情形中’除了從雷射束照射側所觀看配置在最內 側之資訊層以外之每一個別資訊層的透光率較佳地是3 0% 至7 〇 %以及更佳地4 0 %至7 0 %。當透光率低於3 0 %時， 難以在配置於內側上之第二資訊層上記錄、拭除與播放資 訊。當透光率高於70 %時，難以在第一資訊層上記錄、拭 除與播放資訊》 於此’透光率可藉由 STEAG AG.製造的ETA-Optik 所測量。在透光率的測量中，在雙層光學記錄媒體的情形 中’透光率、反射率與吸收率會從透光強度與反射光強度 測量’該些強度係由以雷射束來僅僅照射具有第一資訊層 ^ 形成於上的第一基板所決定。亦即是，該透光率係在第一 基板接合到第二基板以前被測量。 就多層先學錄媒體而言，特別較佳使用具有從雷射 束照射側起的第一資訊層與第二資訊層的雙層光學記錄媒 •體。 圖1 7係爲與本發明某些實施例之態樣有關之雙層光 學記錄媒體的槪要截面圖。雙層光學記錄媒體包含依此順 序配置在第一基板3上的第一資訊層1、中間層4、第二 資訊層2與第二基板5，並根據必要性進一步包含其它層 -53- 1328807 第一資訊層包含第一下保護層11、第一記錄層12、 第一上保護層13、第一反射層14與散熱層15。 第二資訊層2包含第二下保護層21、第二記錄層22 、第二上保護層23與第二反射層24。 阻障層係分別形成在上保護層1 3與第一反射層1 4之 間，以及第二上保護層23與第二反射層24之間。 一第一基板一 第一基板3必須充分地透射用來照射的雷射束，以記 錄與播放資訊，而且從那些在本技藝中所已知的，其係可 被適當使用。 就使用於第一基板3的材料而言，基本上玻璃、陶瓷 、樹脂或類似物可被使用，不過，根據可成形性與成本較 佳地可使用樹脂。 樹脂實例包括聚碳酸酯樹脂、壓克力樹脂、環氧樹脂 、聚苯乙烯樹脂、丙烯腈-苯乙烯共聚物、聚乙烯樹脂、 聚丙烯樹脂、矽酮樹脂、氟樹脂、丙烯腈丁二烯苯乙烯樹 脂與優麗漆樹脂。在這些樹脂中，較佳地使用聚碳酸酯樹 脂與壓克力樹脂，譬如聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA )，其 成形性、光學特性與成本良好。 在形成了第一基板3的資訊層的表面上，可以形成通 常稱爲溝槽（groove)部份或平台（land)部份的凹凸圖案， 該圖案係爲呈螺旋形狀或同心形式的溝槽，且該圖案基本 -54- !328807 上藉由射出成形方法、光聚合方法或類似情形來形成。 第一基板的厚度並沒有特別被限制，其係可根據預期 用途被適當選出’且其係較佳地是10微米至600微米。 就第二基板的材料而言，可使用與第一基板3相同的 材料，也可使用對記錄與播放光束而言不透明的材料，且 第二基板5的材料與溝槽形狀可以與第一基板3者不同。 第二基板5的厚度並不特別受限，其係可根據想要用 φ 途被適當選出’並較佳地選出第二基板5的厚度，以便包 括第一基板5厚度的整個厚度是1.2毫米。 一相變記錄層（第一記錄層與第二記錄層）一

關於相變記錄層，當從習知記錄層之材料的硏發觀點 來看時，有兩個材料硏發的主流。亦即是，一種相變記錄 層材料流包括是可記錄記錄層用材料的碲化鍺、可逆相變 的銻與碲之間的碲化銻合金；以及記錄層用的材料，包含 來自固態溶液或兩材料共熔合成物的GeSbTe三元合金。 相變記錄層的其它材料主流包括銻與碲之間的合金，且記 錄層材料係爲已知，其中微量元素會被加到碲化銻系統， 爲銻與碲化銻之間共熔合成物的銻含量大約是7 0 %。 就具有兩記錄層的光學記錄媒體而言，鑑於第二資訊 層上的資訊記錄與播放，第一資訊層必須具有高透光率。 因此，使記錄層變薄的努力會試著與降低反射層吸收率的 努力並行。當使記錄層變薄時，結晶化速率會降低，所以 ，使記錄層本身材料具有高結晶速率是有利的。因此，在 -55- 1328807 記錄層材料流中，具有大約70%銻含量的後面碲化銻共熔 合成物是較佳的。 f過’由於增加銻數量會加速結晶速率，換句話說， 加速予以回應的記錄線性速率，會降低結晶溫度。甚至當 進行記錄時，會有記錄記號的儲存特性劣化之疑慮。已經 硏究利用與GeSbTe及SbTe的Sb量相比更少量的Sb來 更快地加速結晶速度、換句話說，加快要反應的記錄線性 速率的材料。吾人發現到，記錄線性速率可在銻化銦材料 中使用少量銻來改善。因此，就需要薄記錄層厚度之第一 資訊層的記錄層材料而言，可適當使用銻化銦。 然後，如圖2 8所示，可能可使儲存情況穩定化，而 不需要再結晶非晶質記號。較佳地是將上述的相變材料使 用於包括在使用於雙層光學記錄媒體之第一資訊層中的記 錄層。 第一記錄層與第二記錄層可藉由種種氣相生長法來形 成，譬如真空蒸鍍方法、濺鍍方法、電漿化學氣相沈積方 法、光學化學氣相沈積方法、離子電鍍方法與電子束蒸鍍 方法。在這些方法中，濺鍍方法會由於大量生產率與層特 性的優越性而被較佳使用，且特別是具有脈衝波形的直流 濺鍍方法會被更佳地使用，因爲在目標記錄層合成物與真 實形成記錄層之間會有較少的合成物差異，且藉由譬如電 弧之濺鏟來形成記錄層時所發生的不正常放電與放電的延 遲啓動則會被減少。 第一記錄層的厚度較佳地是4奈米至15奈米’更佳 -56- 1328807 地是6奈米至12奈米。當厚度小於4奈米時’難以均勻 地形成記錄層，且當厚度超過15奈米時，透光率會被降 低。 第二記錄層的厚度並不會被特別受限，可根據預期用 途被適當選出，其係較佳地是3奈米至25奈米。當厚度 小於3奈米時，難以均勻地形成記錄層，且當厚度超過 25奈米時，記錄靈敏度會被降低。 一反射層（第一反射層與第二反射層）一 如圖17所示，具有兩記錄層的光學記錄媒體需要使 記錄與播放用的雷射束儘可能地透射到第二資訊層。因此 ，在第一反射層中幾乎不會吸收雷射束，並可輕易地透射 雷射束的材料會被較佳地使用。此一材料的特定實例包括 銀與銅。另一方面，第二反射層不必如第一反射層般地半 透明。

就用來形成如上述第一反射層與第二反射層諸層的方 法而言，有種種的氣相生長方法，例如，第一與第二反射 層可藉由真空蒸鍍方法、濺鑛方法、電漿化學氣相沈積方 法、光學化學氣相沈積方法、離子電鍍方法與電子束蒸鏟 方法所形成。在這些氣相生長方法中，濺鍍方法在大量生 產率、層特性或類似情形中比較突出。 一保護層（上保護層與下保護層）~ 就在單層光學記錄媒體中使用於上保護層的材料而言 -57- 1328807 ’較佳地是透明、透光良好、熔點比記錄層高者，而且主 要使用效果爲避免記錄層之劣化與變質、改善與記錄層接 合強度並且改善記錄特性的材料，譬如金屬氧化物、氮化 物、硫化物、碳化物或類似物。此一材料的具體實例包括 金屬氧化物，譬如氧化矽、二氧化矽、氧化鋅、氧化錫、 氧化鋁、氧化鈦、氧化銦、氧化鎂 '氧化锆與氧化钽；氮 化物’譬如氮化矽、氮化鋁、氮化鈦、氮化硼與氮化鉻； 硫化物’譬如硫化鋅、硫化銦、硫化钽；碳化物，譬如碳 化矽、碳化鉬、碳化硼、碳化鎢、碳化鈦與碳化锆；類鑽 碳（DLCs)或其混合物。這些材料的每—材料可被單獨 使用’以形成保護層，或者可是兩元素的混合。這些材料 的每一個包括根據必要性而包含雜質。該混合物的實例包 括硫化鋅-二氧化矽的混合物與氧化鉅-二氧化砂的混合物 。在它們之間’硫化鋅-二氧化矽混合物特別較佳。該混 合物的莫耳比，（ZnS) 8G(Si02) 2Q最佳。 不過’在多層光學記錄媒體的情形中，當將資訊記錄 在第一記錄層時，散熱特性會僅僅因爲第一反射層薄而降 低，追造成難以記錄資訊的問題。因此，較佳地是使用具 有導熱率儘可能與第一上保護層一樣優越的材料。因此， 較佳使用具有散熱特性高於硫化鋅-二氧化矽的材料。例 如’較佳地是使用錫氧化物。錫氧化物包括一金屬氧化物 ，譬如銦氧化物、鋅氧化物、飽氧化物與銘氧化物。由於 使用錫氧化物，甚至當第一反射層的厚度相當厚時，非晶 質記號也都能夠輕易地形成在第一記錄層上。錫氧化物、 -58-

1328807 鉅氧化物與鋁氧化物各自無法加速有關反射層的劣化 這些合成物速率的每一個皆可依據生產過程、成本、 的生產時間與類似物來選出。不過，當錫氧化物的數 時，用來記錄所需要的功率會有增加的傾向。當鉅氧 數量大時，雖然其係爲避免沈積速率減速的材料，但 以在第一資訊層上發揮記錄特性。當鋁氧化物的數量 ，該沈積速率有減速的傾向。 就第二上保護層而言，可如習知所使用地使用 鋅-二氧化矽，或者可使用錫氧化物。該原因係爲當 二記錄層上進行記錄時，可因爲第二反射層在厚度上 厚地形成，而可得到充分地散熱。當將硫化鋅-二氧 使用於第二上保護層，並將銀使用於第二反射層時， 碳化鈦-二氧化鈦的介面層可夾擠於第二上保護層與 反射層之間。此乃因爲硫S與Ag的反應會避免在光 錄媒體上產生問題。 就第一下保護層與第二下保護層的材料而言，較 是透明、透光良好、熔點比記錄層高者，而且主要使 果爲避免記錄層之劣化與變質、改善與記錄層接合強 且改善記錄特性的材料，譬如金屬氧化物、氮化物、 物、碳化物或類似物。此一材料的具體實例包括金屬 物，譬如氧化矽、二氧化矽、氧化鋅、氧化錫、氧化 氧化鈦、氧化銦、氧化鎂、氧化锆與氧化钽；氮化物 如氮化矽、氮化鋁、氮化鈦、氮化硼與氮化鍩；硫化 譬如硫化鋅、硫化銦、硫化鉅；碳化物，譬如碳化矽 ，且 允許 量大 化物 卻難 大時 硫化 在第 足夠 化矽 譬如 第二 學記 佳地 用效 度並 硫化 氧化 鋁、 ，譬 物， 、碳 -59- 1328807 化鉅、碳化硼、碳化鎢、碳化鈦與碳化锆：類鑽滕（ DLCs )或其混合物。這些材料的每一材料可被單獨使用 ，以形成保護層’或者可是兩元素的混合。這些材料的每 一個包括根據必要性的雜質。該混合物的實例包括硫化 鋅-二氧化矽的混合物與氧化鉅-二氧化矽的混合物。在它 們之間’硫化辞-二氧化矽混合物特別較佳。該混合物的 莫耳比，（ZnS ) 8Q ( Si02 ) 2❶最佳。因爲硫化鋅-二氧化 矽具有高折射率‘η’以及接近零的消光係數‘k’ ，因此 它能夠改善記錄層的光吸收效率，減少熱傳導性，並適度 地抑制光吸收所產生的散熱’其係可能可增加記錄層上的 溫度直到可使記錄層熔化的溫度。 就一種用來形成如上述第一上保護層、第二上保護層 、第一下保護層、與第二下保護層諸層的方法而言，有種 種氣相生長方法，例如第一與第二保護層可藉由真空蒸鑛 方法、濺鍍方法、等離子體化學氣相沈積方法、光學化學 氣相沈積方法、離子電鍍方法與電子束蒸鎪方法來形成。 濺鍍方法在大量生產率、層特性或類似情形中比較突出。 一散熱層一 散熱層必須具有高熱傳導性，以致於能夠冷卻受到雷 射照射的第一記錄層。散熱層同樣必須在雷射波長上具有 低吸收率，以便能夠在配置於最內側之第二資訊層上進行 記錄。綜合上述，散熱層較佳包括從氮化物、硫化物、碳 化物與氟化物選出的至少一者。該等材料實例包括氮化鋁 -60- 1328807 、氧化鋁、碳化矽、氮化矽、IZO (氧化銦鋅）、ITO ( 氧化銦錫）、DLC (類鑽碳）與ΒΝ»在這些材料中，IZO 與ITO被視爲最佳。包括在ITO (氧化銦錫）的錫氧化物 較佳地以按照質量1 %至按照質量1 〇%的數量包括在內。 當錫含量小於或大於該範圍時，熱傳導性與導熱率會減少 。再者，爲了儲存穩定性的改善，可添加其它元素。這些

元素可被添加到不影響到光學特性的程度，其係並且較佳 地以按照質量的0.1%至按照質量的5%數量包括在內。當 這些元素所添加的數量小於該範圍時，無法得到該效果。 當所添加的數量大於該範圍時，光吸收會增加，其係造成 透光率的減少。在使用於記錄與播放資訊之雷射束的波長 中，吸收係數較佳地是1.0或更小，更佳地是0.5或更小 。當吸收係數大於1_〇時，第一資訊層的吸收速率會增加 ，而且在第二資訊層上記錄與播放資訊是困難的。 IΖ Ο (氧化銦-氧化鋅）較佳地使用以替代IT 0 (氧化 ^ 銦-氧化錫），此乃因爲由於光學記錄媒體內部應力的減 少，細微厚度的改變幾乎不會發生》 就一種用來形成此一散熱層的方法而言，有種種氣相 生長方法，例如散熱層可藉由真空蒸鍍方法、濺鍍方法、 • 等離子體化學氣相沈積方法、光學化學氣相沈積方法、離 -子電鍍方法與電子束蒸鍍方法來形成。在這些氣相生長方 法中，濺鍍方法在大量生產率、層特性或類似情形中比較 突出。 -61 - 1328807 —中間層一

在記錄與播放資訊之照射雷射束的波長中，中間層較 佳地具有低吸收速率。根據可成形性與成本，用於中間層 的材料較佳地是樹脂，也可使用紫外光固化樹脂、延遲作 用樹脂與熱塑性樹指。在第二基板與中間層上，可形成一 凹凸圖案，譬如由與第一資訊層上相同的射出成型方法或 光聚合方法形成的溝槽與引導溝槽。該中間層之形成爲了 使一拾取器能夠區分第一資訊層與第二資訊層，以光學性 地區分兩資訊層。 中間層的厚度並不會特別受限，可根據預期用途被適 當選出，其係較佳地是10微米至70微米。當厚度小於 1〇微米時，串音會發生於兩資訊層之間，且當厚度大於 70微米時，球面像差會發生在第二記錄層上的記錄與播 放資訊期間內，並難以記錄與播放。

一阻障層一 錄媒體包含一阻障層於上 反射層的材料而言，銀合 料而言’硫化鋅與二氧化 層相鄰形成時，在保護層 銀，且這可能會使儲存穩 地是當使用銀材料時形成 ’其熔點需要高於記錄層 括金屬氧化物，譬如氧化 本發明實施例的多層光學記 保護層與反射層之間。就使用於 金最佳。就使用於上保護層的材 矽的混合物最佳，不過，當這兩 中的硫可能會侵蝕在反射層中的 定性降低。爲了解決麻煩，較佳 阻障層。該阻障層不需要包括硫 。該阻障物用材料的特定實例包

十··(S -62- 1328807 矽、氧化鋅、二氧化矽、氧化鋁、氧化鈦、氧化銦、氧化 鎂與氧化銷；氮化物，譬如氮化砂、氮化錯、氮化駄與氮 化鉻；硫化物，譬如硫化鋅、硫化銦、硫化鉬；碳化物， 譬如碳化矽、碳化鉬、碳化硼、碳化鎢、碳化鈦與碳化锆 ;或其混合物。該阻障層在雷射波長上必須具有低吸收率

該阻障層可藉由種種氣相生長方法來形成，例如，藉 由真空蒸鑛方法、濺鍍方法、電漿化學氣相沈積方法、光 學化學氣相沈積方法、離子電鍍方法與電子束蒸鍍方法。 在這些氣相生長方法中，濺鍍方法在大量生產率、層特性 或類似情形中比較突出。 阻障層的厚度較佳地是2奈米至10奈米。當厚度小 於2奈米時，無法得到避免銀侵蝕的效果，且儲存穩定性 會降低。另一方面，當厚度大於1〇奈米時，有無法得到 散熱效果，且透光率會降低。 接著，本發明實施例的雙層光學記錄媒體並不特別受 限，其係可根據預期用途被適當選出，不過，較佳地製造 如下。雙層光學記錄媒體的生產方法包括形成層製程、初 始化製程與接合製程，基本上，這些製程的每一製程皆按 此順序實施。 在形成層製程中，在圖1 7中，第一資訊層係形成在 具有溝糟形成於上之第一基板的表面上，且第二資訊層形 成在具有溝槽形成於上之第二基板的表面上。第一資訊層 與第二資訊層可藉由種種氣相生長方法來形成，例如，藉 -63- 1328807 由真空蒸鍍方法、濺鍍方法、電漿化學氣相沈積方法、光 學化學氣相沈積方法、離子電鍍方法與電子束蒸鍍方法。 在這些氣相生長方法中，濺鍍方法在大量生產率、層特性 或類似情形中比較突出。在濺鍍方法中，一般而言，在使 譬如氬氣之鈍氣氣體流動的同時會形成所述層，不過，它 們可能在將氧氣、氮氣或類似物混合於要濺鍍的鈍氣中發 生反應。 在初始化製程中，第一資訊層與第二資訊層的整個表 面係藉由用譬如雷射束的能量光束來照射整個表面而被初 始化，亦即是，將該記錄層結晶化。當該等層可能可藉由 在初始化期間內雷射束能量的作用而浮起時，第一資訊層 與第二資訊層可使用紫外光樹脂或類似物來旋塗，且資訊 層可用紫外光來照射以固化，隨後塗上。此外，在起初進 行隨後的接合製程以後，第一資訊層與第二資訊層可從第 —基板側被初始化。 在接合製程中，以第一基板面對第二基板的方式，將 第一基板經由中間層而接合到第二基板。例如，紫外光樹 脂會被塗層在第一基板與第二基板之任一層表面上，以致 於第一資訊層的層表面與第二資訊層的層表面能夠被排列 成面對面、被加壓與接合，隨後該接合區域會被照射以紫 外光，從而固化該紫外光樹脂。 根據本發明實施例，可能可提供能夠解決習知問題的 多層光學記錄媒體。當將資訊記錄在從具有兩或更多資訊 層之多層光學記錄媒體中雷射束通量照射側所觀看之住在 -64 - 1328807 配置於最前側之第一資訊層的第一記錄層上時，其中每一 資訊層包含相變記錄層’多層光學記錄媒體則能夠避免記 錄層所受到的熱損害’並且適當地進行記錄與拭除，以及 具有優良的記錄特性。亦可能可提供一種用於多層光學記 錄媒體的光學記錄方法’以及一種多層光學記錄媒體用的 光學記錄設備。再者’本發明實施例亦能夠使第二記錄層 或更多記錄層的記錄靈敏度更傑出。

實例 此後，將參考具體實例來詳細說明本發明實施例，不 過’本發明貫施例並不限於本揭露實例。 實例A-1

在具有直徑12cm、厚度0.6毫米與0.74微米軌距之 引導溝槽的聚碳酸脂光碟基板上，厚度60奈米硫化鋅-二 氧化矽製的第一保護層、厚度15奈米In3Sb17Te8Q製的記 錄層、厚度12奈米硫化鋅-二氧化矽製的第二保護層、厚 度4奈米碳化矽製的抗硫化層以及厚度140奈米銀製成的 反射層，其係按此順序由濺鍍方法形成。有機保護層會被 塗在所得到的反射層，且厚度0.6毫米的聚碳酸脂光碟則 進一步被接合在有機保護層上，從而產生相變光學記錄媒 體。然後，最初使用具有大直徑透鏡的雷射二極體’將相 變光學記錄媒體結晶化。 將記錄進行於以下所描述狀況之下所得到的光學記錄

-65- 1328807 媒體上，以檢查重複記錄的抖動》 就該記錄而言，具有線性密度0.267微米/位元的隨 機圖案，其係藉由以42米/秒的記錄線性速率，使用具有 波長660奈米與數値孔徑ΝΑ0.6 5之光學頭的8至14調 制（EFM)+調制方法來記錄，該記錄線性速率則與12X DVD —樣快。圖8顯示每一記號長度用波形的發射圖案 (記錄策略）。表2顯示在記號起始位置所開始之每一功 率（Pe'Pp與Pb)所擁有時標被參考時鐘T標準化的數 値。在本發明實施例的實例中，所有引導冷卻脈衝被設定 在0.2T。第二冷卻脈衝依據記號長度而不同，其係並且 設定在1_〇Τ至1.8T之間。 圖6顯示當每一功率之設定値（Pe、ΡΡ與Pb)被設 定爲Pp=38毫瓦、Pb=0.1毫瓦且Pe=6.5毫瓦。如圖6 結果所見，抖動甚至在第一次重複記錄時也不會明顯增加 ，該結果顯示優良的重複記錄特性。 圖9顯示在改變記號6T或更大之記號的第二冷卻脈 衝的長度下’當在第一次記錄將隨機圖案記錄時以及將隨 機圖案重複記錄十次以後，在引導部份之記號抖動的檢查 結果。當記號6T或更大之第二冷卻脈衝的長度比ΐ·〇τ短 時’在引導部份之記號的抖動則會明顯增加。當記號6T 或更大之第二冷卻脈衝的長度比2.5T長時，在第一次記 錄的抖動會很低，不過，重複記錄1 0次以後的抖動則會 明顯增加。 圖10顯示將Pp固定在38毫瓦，且Pe値會改變，以 -66 - 1328807

改變値Pe/Pp的情形下’當在第一次記錄記錄隨機圖案時 以及將隨機圖案重複記錄1 〇次以後的個別抖動。當値 Pe/Pp小於0.1時，在第一次記錄的抖動會很低，不過， 抖動則會由於重複記錄而大幅增加。當値Pe/Pp大於0.4 時，在第一次記錄與重複記錄以後兩者，抖動則會增加。 -67- 1328807

£ o o Cl £ α Oh O o o o o a Ph yn o »〇 i〇 £ o o o c3 ^Ti oi Cl C1h i〇 o l〇 o £ o o o o ι/Ί in ^Ti a Qh in O in V〇 £ o o o o P O CN o 〇 O o o a Oh 寸 o m O o m O in o d ^Ti »〇 £ 〇 o oc in in in in in a, cu o' in u^j £ CN o <N c5 <N o CN o (N o (N d> (N O CN CN o Cl, Dh ^T) o vn o o o i〇 o 00 o o p 00 o 00 o 00 d oo o 00 o OO o 00 o H H 10T 11T 14T

(s) -68- 1328807 實例A - 2 與在實例A-1中所準備相同的光學記錄媒體之記錄特 性’其係以與實例Ad相同的方式來檢查，除了以表3所 示的情況來設定記錄策略以外。當記號長度是6T或更大 時’引導冷卻脈衝的照射時間則被設定在0.4T，第二冷 卻脈衝的照射時間設定在1 .3 T。 圖6顯示當每一功率的設定値（pe、PP與Pb )被設 疋爲PP=38毫瓦、Pb=0.1毫瓦且Pe=6.5毫瓦時的抖動 °誠如圖6之結果所見，抖動甚至在第一次重複記錄時沒 有'明顯增加，該結果顯示良好的重複記錄特性。

-69- (8) 1328807

£ o o α PU £ in i〇 £ O o o c5 »〇 α PL, o 二 Ο. o o o o r4 α fV o Vl a o »n s o o o o ίΓϊ (N in οΓ o o o »〇 i〇 O £ 〇 o o o q o (N q p q r**H O o Oh Oh 寸 o in o in O 〇 o l〇 〇 o £ p s 00 rn m rn cn rn m m Oh Oh O to o to o in 〇 *〇 O to »〇 £ (N 〇 (N 〇 <N o o 寸 o 寸 o o 寸 〇 寸 〇 寸 o a, Oh 〇 o 〇 o o in i〇 <U oo o o o 00 o 00 o 00 o 00 c5 00 o 00 o’ 00 o H H 11T 14T

(S) -70 - 1328807 實例A-3 與在實例A-1中所準備相同的光學記錄媒體之記錄特 性’其係以與實例A-1相同的方式來檢查，除了以表4所 示的情況來設定記錄策略以外。當記號長度是6T或更大 時’第二冷卻脈衝的照射時間則被設定在2.5 T，且當記 號長度增大T的偶數倍的脈衝，以便成爲比實例A-1中的 脈衝小1.0 T。

圖6顯示當每一功率的設定値（pe、PP與Pb )被設 定爲Pp=38毫瓦、Pb=〇.l毫瓦且pe=6.5毫瓦時的抖動 。誠如圖6之結果所見，抖動甚至在第一次重複記錄時沒 有明顯增加，該結果顯示良好的重複記錄特性。

-71 - 1328807 £ α CL, £ 〇 〇 CL Ou, oo £ 〇 〇 卜 a CL, £ o o o d p yn Q- Oh in 00 o κη £ o o O o o ί〇 a cu o oo d ί〇 £ o o o o o o o in a a7 寸 o o oo c? o o l〇 m O in ο £ o o 00 to CN iT) (N m CN to U^i CN m CN Η a, PH U^i 〇 £ CN CN o (N o (N 〇 (N o (N O CN CN 〇 (N o (Ν a in ^T) o to oo o o o oo o oo o 00 o OO oo oo οο H H & 10T 11T 14Τ

•72- I3288〇7 實例A-4 光學記錄媒體6係以與實例A-1相同的方式產生，除 了記錄材料會被改變成具有稍微低於實例A-1之結晶速率 的 Ill5Sbi7Te78。 除了記錄速率改變成8X DVD (大約27.9米/秒）’ 記錄策略條件與表2所示的相同以外，光學記錄媒體的記 錄特性則是以與實例A_ 1相同的方式來檢查》

圖6顯示當每一功率的設定値（Pe、Pp與Pb)被設 定爲Pp=30毫瓦、Pb=0.1毫瓦且Pe=6毫瓦時的抖動 。誠如圖6之結果所見，抖動甚至在第一次重複記錄時沒 有明顯增加，該結果顯示出良好的重複記錄特性。 比較性實例A - 1 與在實例A-1中所準備相同的光學記錄媒體之記錄特 性，其係以與實例A- 1相同的方式來檢查，除了以表5所 示的情況來設定記錄策略以外。 圖6顯示當每一功率的設定値（Pe、Pp與Pb )被設 定爲Pp=38毫瓦、Pb=0.1毫瓦且Pe=6毫瓦時的抖動 。誠如圖6之結果所見，重複記錄抖動的最初增加既小且 優良，不過，重複記錄容忍度卻很差，且在第一千次記錄 時，抖動會大幅增加。此外，檢查了交叉拭除的影響。當 將隨機圖案記錄在鄰近一軌道的軌道上時，相較於僅僅將 隨機圖案記錄在一軌道上的情形，在已經記錄隨機圖案之 該一軌道上的抖動會被增加大約1%，且吾人發現交叉拭 除的影響大。這顯示在高速記錄的情形中，冷卻效果無法 隨著冷卻脈衝設定爲〇. 1 T或更小而得到。

-73- 1328807

£ o α CL, £ »〇 α CU i〇 £ o o o o cx in o £ o o o o v〇 (N uo α PU o V-ϊ o £ o o o o ί〇 rj in α 〇L^ m in O 们 £ o o o o o (N o O o Ο O α, CL, 寸 c5 uo 们 o o yr^ O in tn O V-j l〇 £ p p oo in »〇 cq »n ν〇 yn Cli o in o ΙΟ o in O i〇 £ r < i—H * 4 -— 1—^ 〇, Or yr^ in in <n in o in £ 00 o 〇 o 00 o oo o OO o oo o oo o oo o 00 o ㈡ H H 10T 1 11T 14T

(S) -74- 1328807 比較性實例A - 2 與在實例A-1中所準備相同的光學記錄媒體之記錄特 性’其係以與實例A-1相同的方式來檢查，除了以表6所 示的情況來設定記錄策略以外。當記號長度是6T或更大 時，引導冷卻脈衝會被設定在0.5T，且第二冷卻脈衝則 被設定在1.2 T。

圖6顯示當每一功率的設定値（Pe、PP與Pb)被設 定爲Pp=38毫瓦、Pb=0.1毫瓦且Pe=6毫瓦時的抖動 。誠如圖6之結果所見，第一次重複記錄抖動的增加會大 幅增加。這被認爲記號邊緣形狀會由於過長的引導冷卻脈 衝而變薄，且在該記號前面邊緣的抖動則會顯示出對結晶 狀態差的較大靈敏度。

-75- 1328807

£ O o α C1h l〇 £ ΙΤϊ α cu £ o o o uo ο. CU in o to UO £ o o o o ^T) CN i〇 α Oh yn O vr^ l〇 £ o o o o oi ο. PL, d> in o 们 o £ o o o o o 〇 (N o 〇 o 〇 o α, Pu 寸 o in yn O o o in £ o p oo <N iN Γν} rg (N <N CN α, cu to in 〇 O »〇 o ΙΤϊ o £ (N 〇 (N o o l〇 iri CL, Oh »Ti o o o o in o in a> cu 00 o o o oo oo oo 00 o oo oo oo H δ H H ^71 1 14T

(S) -76- 1328807 PULSTEC INDUSTRIAL CO., LTD 製造的 ODU-IOOO 會被使用當作在以下實例B-l至B_47與比較性實例B·1 至Β·3 2中光學記錄媒體的估算裝置，在記錄期間內使用 來照射的雷射波長係爲660奈米，且該物鏡的數値孔徑（ ΝΑ)是0.65。用於播放的雷射束功率則被設定於1.4毫 瓦。

在第一記錄層的相鄰三軌道上進行記錄，並將在三軌 道之中間軌道上的記錄記號播放，以從而估算光學記錄媒 體。該記錄係使用it週期的記錄策略來進行。關於估算 特性用的估算標準，當記號3Τ至11Τ、記號14Τ與空白 被隨機記錄時資料-至-時鐘抖動（DC抖動）係爲1 1%或 更小的情形會被估算爲合格。於此，當在切片位準上將記 號與空白之反射位準二進制化時，D C抖動則代表將在邊 緣線與時鐘之間的時間落差標準化。D C抖動越低，記錄 特性越優良。 實例B-1至B-4以及比較性實例B-1至B-3 在具有12釐米直徑、0.6毫米厚度與引導軌道之凹凸 面之聚碳酸脂樹脂製成的第一基板上，該引導軌道係爲在 一側上具有軌距0.74微米的連續搖晃溝槽（搖晃溝槽） ’厚度70奈米硫化鋅（80吴耳百分比）-二氧化砂（2〇 莫耳百分比）製的第一下保護層、厚度7.5奈米 AgG.2In3.5Sb69.8Te22Ge4.5製的第—記錄層、厚度5奈米氧 化銦（7.5莫耳百分比）-氧化鋅（22 5莫耳百分比）氧 -77- 1328807 化錫（60莫耳百分比）-氧化钽（10莫耳百分比） 一上保護層、由銅製成之按質量包含1.1 %鉬厚度 米的第一保護層、以及厚度65奈米氧化銦（90莫 比）-氧化鋅（10莫耳百分比）製的散熱層，其係 序藉由濺鍍方法在存在氬氣時形成，以從而形成第 層。該濺鍍係使用具有8腔室的濺鍍設備來進 Balzers AG 製造）。 與第一基板類似的一基板係形成當作第二基板 二基板上，厚度140奈米由銀製成的第二反射層、 奈米由碳化鈦（70莫耳百分比）-二氧化鈦（30莫 比）製成的一介面層、厚度20奈米由硫化鋅（80 分比）-二氧化矽（20莫耳百分比）製成的一第二 層、厚度 15 奈米 Ag〇.2In3.5Sb7().2Te22.6Ge3.5 製的 錄層、以及厚度140奈米由硫化鋅（80莫耳百分1 氧化矽（20莫耳百分比）製成的第二下保護層， 此順序以與在第一資訊層相同的方式來形成，從而 二資訊層。 接著，紫外光固化樹脂（Nippon Kayaku Co., 造的 KARAYAD DVD003M )會被塗層在第一資訊 表面上，且第二資訊層的側表面會被接合到第一資 層表面，並被旋塗，以藉由紫外光從第一基板側照 光固化樹脂，使紫外光固化樹脂固化，以形成厚度 米的中間層，並從而產生具有兩資訊層的雙層相變 錄媒體》 製的第 7.5奈 耳百分 按此順 一資訊 行（由 。在第 厚度4 耳百分 莫耳百 上保護 第二記 匕）-二 其係按 形成第 Ltd製 層的層 訊層的 射紫外 55微 光學記 -78- 1328807

接著，第一資訊層與第二資訊層係藉由用來自第一基 板側的雷射束來照射資訊層而被初始化。該初始化係藉由 聚焦從雷射二極體發射（發射波長·· 810±10奈米）經過 光學拾取器（數値孔徑（NA ) =0.55 )的雷射束來進行。 就第一記錄層的初始化情況而言，光學記錄媒體係以線性 速率5米/秒，每一週期50微米/週期的饋送，初始化功 率900毫瓦，以及半徑位置23毫米至59毫米，在固定線 性速率（CLV )模式下轉動。就第二記錄層的初始化情況 而言，光學記錄媒體係以線性速率5米/秒，每一週期40 微米/週期的饋送，初始化功率1，25 0毫瓦，以及半徑位 置23毫米至59毫米，在固定線性速率（CLV)模式下來 轉動。第二資訊層首先被初始化，隨後第一資訊層被初始 化。在初始化以後第一資訊層的透光率係爲42 · 5 %，且吾 人確認可得到充分的透光率。透光率係使用 STEAG AG. 所製造的ETA-Optik來測量》 以9.2米/秒的記錄線性速率在光學記錄媒體上進行 記錄。就該記錄策略而言，可使用1T週期的記錄策略， 並將脈衝寬度設定在0.188T。 表7顯示該些測試結果。例如，DOW1 0意味著重複 記錄1 0次。表7所示的測試結果係爲當將記錄功率從3 4 毫瓦改變到40毫瓦時所得到抖動之間的最佳抖動。 以1T週期與2T週期的記錄策略，在第二資訊層上 進行記錄。結果，得到調制程度60%之1 T週期記錄策略 與2T週期記錄策略的記錄功率對於1T週期大約47毫瓦 -79- 1328807 以及對於2T週期大約40毫瓦’且以2T週期的記錄策略 來進行記錄時的記錄靈敏度則比使用1Τ週期的記錄策略 更良好。依據實例Β·1至Β·4中Tr的差’在記錄功率中 會有極少的差異。 表7 記錄線性速率 Tr[T] DOW DOW DOW 9.2米/秒 10 100 500 比較性實例B -1 n-0.9 8.5 10.5 12.2 實例B -1 η -1 8.3 9.3 10.9 實例B-2 η * 1.2 7.9 9.1 10.8 實例B - 3 η-1.4 7.7 8.9 10.7 實例B-4 η - 1 . 5 8.0 9.0 10.9 比較性實例B-2 η - 1 . 6 8.5 10.7 12.4 比較性實例B - 3 η - 2 11.1 13.8 15.6 實例B-5至B-8以及比較性實例B-4至B-6 雙層光學記錄媒體是以與實例B-1相同的方式來產生 ’除了將上保護層改變爲氧化銦（9.2莫耳百分比）-氧化 鋅（27.5莫耳百分比）-氧化錫（53.5莫耳百分比）·氧化 鉬（10莫耳百分比）以外’且雙層光學記錄媒體用的記 錄測試是以與實例B -1相同的方式來進行。在初始化以後 第一資訊層的透光率係爲42.8%，且吾人確認可得到充分 的透光率。透光率係使用STEAG AG.所製造的ETA-Optik 來測量。 表8顯示該測試結果。表8所示的測試結果是將記錄 功率從34毫瓦改變爲40毫瓦時所得到抖動之中的最佳抖 -80- 1328807 動。 以IT週期與2T週期的記錄策略’在第二資訊層上 進行記錄。結果，得到調制程度60%之1 T週期記錄策略 與2T週期記錄策略的記錄功率對於1T週期大約46毫瓦 及對於2T週期大約39.5毫瓦，且以2T週期的記錄策略 來進行記錄時的記錄靈敏度則比1T週期的記錄策略更良 好。依據實例B-5至B-8中Tr的差’在記錄功率中會有

表8 記錄線性速率 9.2米/秒 Tr[T] DOW 10 DOW 100 DOW 500 比較性實例B-4 n-0.9 8.2 10.3 12.0 實例B-5 π-1 8.1 9.1 10.7 實例B-6 η- 1 . 2 7.9 8.9 10.5 實例B-7 η-1.4 7.6 8.7 10.6 實例B-8 η-1 .5 7.8 8.8 10.7 比較性實例B-5 η-1 · 6 8 10.5 12.1 比較性實例B-6 η-2 10.7 1 3.4 14.6 實例B-9至B-12以及比較性實例B-7至B-9 雙層光學記錄媒體是以與實例B-1相同的方式來產生 ，除了將第一記錄層的厚度改變爲8奈米以外，且雙層光 學記錄媒體用的記錄測試是以與實例B-1相同的方式來進 行。在初始化以後第一資訊層的透光率係爲3 8.5 %，且吾 人確認可得到充分的透光率。透光率係使用S TEA G AG. 所製造的ETA-Optik來測量^ -81 - 1328807 表9顯示該測試結果。表9所示的測試結果是將記錄 功率從34毫瓦改變爲4〇毫瓦時所得到抖動之中的最佳抖 動。 使用1T週期與2T週期的記錄策略’在第二資訊層 上進行記錄。結果’得到調制程度60%之1 T週期記錄策 略與2Τ週期記錄策略的記錄功率對於1丁週期大約54鼋 瓦及對於2Τ週期大約46毫瓦’且以2Τ週期的記錄策略 來進行記錄時的記錄靈敏度則比1 Τ週期的記錄策略更良 好。依據實例Β-9至Β-12中Tr的差，在記錄功率中會有 極少的差異。 ^ 7 一一·--- 記錄線性速率 9.2米/秒 Tr[T] DOW 10 DOW 100 DOW 5 00 比較性實例3^— n-0.9 7.9 9.3 11.2 青例Β - 9 η-1 7.8 8.5 10.8 實例Β -1上 — η · 1.2 7.6 7.9 8.7 實例Β -1J__ η-1.4 7.3 7.8 9.0 實例Β -1 2 η -1 . 5 7.5 8.8 9.8 卜卜,_件宵例Β · 8 η -1.6 7.9 9.5 11.1 比較性實例ϋ- η-2 8.9 11.1 12.9 實例B-13至以及比較性實例B-10至B-I2 姐在實例B-1中相同的雙層光學記錄媒體被使用來進 行記錄測試。 記錄線性速率被設定於4·6米/秒’ 1T週期的記錄策 略會被使用，且脈衝寬度會被設定於〇·125Τ° -82- 1328807 表1 〇顯示該測試結果》表1 〇所示的測試結果是將記 錄功率從28毫瓦改變爲34毫瓦時所得到抖動之中的最佳 抖動。

使用1Τ週期與2Τ週期的記錄策略，在第二資訊層 上進行記錄。結果，得到調制程度6 0%之1 Τ週期記錄策 略與2Τ週期記錄策略的記錄功率對於it週期大約42毫 瓦及對於2Τ週期的大約35毫瓦，且以2Τ週期的記錄策 略來進行記錄時的記錄靈敏度則比1 Τ週期的記錄策略更 良好。依據實例Β-13至Β-16中Tr的差，在記錄功率中 會有極少的差異。 表10 記錄線性速率 Tr[T] DOW DOW DOW 4.6米/秒 10 100 500 比較性實例B -1 0 n-0.9 8.2 9.6 11.8 實例B -1 3 η-1 8.2 8.8 10.9 實例B -1 4 η -1.2 7.9 8.6 9.2 實例B -1 5 η -1 · 4 7.6 8.5 9.5 實例B -1 6 η -1 . 5 7.8 9 10.1 比較性實例B -1 1 η -1 . 6 8.2 9.6 12.2 比較性實例B -1 2 η - 2 9.1 11.5 14.2 實例B-1 7以及比較性實例B-1 3 與在實例B-1中相同的雙層光學記錄媒體被使用來進 行記錄測試。 如圖25所示，當以IT週期記錄策略在第一記錄層上 進行記錄時的重複記錄特性會比以2T週期的記錄策略更 1328807 爲改善。在it週期記錄策略中的記錄功率係爲37毫瓦’ 且在2T週期記錄策略中的記錄功率是31毫瓦。 實例B-1以及比較性實例B-1 4 與在實例B-1中相同的雙層光學記錄媒體會被使用來 進行記錄測試。 如圖26與27所示，當以2T週期記錄策略在第二記 錄層上進行記錄時的記錄靈敏度會比以1T週期的記錄策 略更良好。 接著，如圖1 7所示的雙層光學記錄媒體係以如實例 Β-19至Β-35以及比較性實例Β-15至Β-28所描述的方式 來產生，以估算該雙層光學記錄媒體。 準備具有12釐米直徑、0.6毫米厚度與引導軌道之凹 凸面之聚碳酸脂樹脂製成的第一基板，該引導軌道係爲在 一側上具有軌距0.74微米的連續搖晃溝槽（搖晃溝槽） ，以下各個層是藉由濺鑛方法在存在氬氣時形成於第一基 板上，其係使用具有8腔室的濺鍍設備（由 Balzers AG 製造）。 首先，在第一基板上，形成厚度60奈米之硫化鋅（ 80莫耳百分比）-二氧化矽（20莫耳百分比）製的第一下 保護層。 接著’在第一下保護層上，形成厚度8奈米 Ago.2ln5Sb69.8Ge5Te2Q 製的第一記錄層。 在第一記錄層上’形成厚度5奈米氧化銦（7.5莫耳 -84- l3288〇7 百分比）-氧化鋅（22.5莫耳百分比）-氧化錫（60莫耳百 分比）-氧化鉅（10莫耳百分比）製的第一上保護層。 在第一上保護層上，形成厚度8奈米銅製成的第一反 射層。 在第一反射層上’形成厚度140奈米氧化銦（90莫 耳百分比）-氧化鋅（10莫耳百分比）製的散熱層❶ 由於上述的層結構’第一資訊層會形成在第一基板上

於此，第一資訊層的透光率係使用STEAG AG.製造 的E T A - Ο p t i k來測量’且透光率係爲4 1 %。 接著，準備與第一基板類似的第二基板，且每一各別 層係藉由以與第一基板相同方式的濺鍍來形成在第二基板 上。 首先’在第二基板上，形成厚度14〇奈米銀製成的第 ~~反射層。

在第二反射層上，形成厚度n奈米氧化矽（8〇莫耳 百分比）-氧化鉬（4莫耳百分比）-氧化鋁（16莫耳百分 比）製的第二上保護層。 在第二上保護層上，形成厚度14奈米 Ag〇.2ln3.5Sb7l.4Te2].4Ge3.5 製的第二記錄層。 在第二記錄層上’形成厚度12〇奈米之硫化鋅（80 吳耳百分比）-二氧化矽（20莫耳百分比）製的第二下保 5蒦層。 由於上述的層結構’第二資訊層會形成在第一基板上 -85- 1328807 接著’第一資訊層與第二資訊層係藉由用分別 一基板與第二資訊層層表面的雷射束來照射資訊層 化。該初始化係藉由聚焦從雷射二極體發射（發射 8 1 0 ± 1 0奈米）經過光學拾取器（數値孔徑（n A )= 的雷射束來進行。就初始化條件而言，光學記錄媒 線性速率3米/秒，每一週期36微米/週期的饋送 位置23毫米至58毫米，以及初始化功率700毫瓦 定線性速率（CLV )模式來轉動。 接著，紫外光固化樹脂（Nippon Kayaku Co.， 造的 KARAYAD DVD003 M)被塗層在第一資訊層 面上，且第二資訊層的層表面會被接合到第一資訊 表面，並被旋塗，以藉由用來自第一基板側的紫外 紫外光固化樹脂，將紫外光固化樹脂固化，以形 55微米的中間層，並從而產生具有兩資訊層的雙 光學記錄媒體。 將形成在所得到雙層光學記錄媒體之基板上連 溝槽的推-拉（PP )信號估算。第一資訊層的推-拉 下文稱爲"PP1 ")係爲0.45，且第二資訊層的推-(下文稱爲"PP2")係爲0.43。 、'PP"係爲在連 溝槽上簡單追蹤所必須的物理値。當値ΡΡ過度小 大時，會有使播放信號之設備難以進行尋軌的問題 得到的値ΡΡ1與ΡΡ2兩者皆爲合適的値。搖晃溝 波雜訊比（WCN )會被測量。在第一資訊層中信號 來自第 而初始 波長·· 0.55 ) 體係以 ，半徑 ，在固 Ltd製 的層表 層的層 光照射 成厚度 層相變 續搖晃 信號（ 拉信號 續搖晃 或過度 。其中 槽的載 的載波 -86- 1328807 雜訊比（於後文稱爲^WCN1〃 ）係爲5〇分貝，且在第二 資訊層中信號的載波雜訊比（於後文稱爲、WCN2〃 ）係 爲46分貝。於此’當値WCN小於一特定値時，因爲它顯 不準備了具有低搖晃週期性與不良均勻性的基板而不適宜 。不過’其中得到的値WCN1與WCN2兩者皆爲適宜的 値。

當使用所得到雙層光學記錄媒體時，可藉由改變如下 述的記錄情況來進行記錄。 實例B -1 9 當使用圖1 1所示的脈衝波形時，可藉由設定記錄線 性速率14米/秒、記錄功率Pp46毫瓦、拭除功率Pe7毫 瓦、冷卻功率Pci爲4毫瓦以及偏壓功率Pb 0.1毫瓦之値 來進行記錄。該多元脈衝寬度則被設定在〇 · 3 T。 結果，DC抖動則顯示出10.7%的適當値。 比較性實例B-15 當使用圖16所示的脈衝波形時’可藉由設定記錄線 性速率14米/秒、記錄功率Pp46毫瓦、拭除功率Pe"7毫 瓦、冷卻功率Pci 4毫瓦以及偏壓功率PbO.l毫瓦之値 來進行記錄。該多元脈衝寬度則被設定在〇·3Τ° 結果，D C抖動係爲1 3 · 7 %，且D C抖動的特性比實例 Β-19 差 ° -87- 1328807 實例B - 2 0 當使用圖11所示的脈衝波形時，可藉由設定記錄線 性速率8.41米/秒、記錄功率Ρρ38毫瓦 '拭除功率Pe6.8 毫瓦、冷卻功率Pc 1 3.9毫瓦以及偏壓功率PbO. 1毫瓦 之値來進行記錄。該多元脈衝寬度則被設定在〇.2T。 結果，DC抖動則顯示出10.3 %的適當値。 比較性實例B-16 當使用圖16所示的脈衝波形時，可藉由設定記錄線 性速率8.41米/秒、記錄功率Pp38毫瓦、拭除功率Pe6.8 毫瓦、以及偏壓功率PbO. 1毫瓦之値來進行記錄。該多元 脈衝寬度則被設定在0.2T。 結果，DC抖動係爲12.5%，且DC抖動的特性比實例 B-20 差。 實例B-21 當使用圖1 1所示的脈衝波形時，可藉由設定記錄線 性速率7米/秒、記錄功率Pp36毫瓦、拭除功率Pe6.6毫 瓦、冷卻功率Pci 3.5毫瓦以及偏壓功率PbO.l毫瓦之値 來進行記錄。該多元脈衝寬度則被設定在〇.1 8T。 結果，DC抖動則顯示出10.4%的適當値。 比較性實例B-17 當使用圖16所示的脈衝波形時，可藉由設定記錄線 -88- 1328807 性速率7米/秒、記錄功率Pp36毫瓦、拭除功率Pe6.6毫 瓦、以及偏壓功率PbO」毫瓦之値來進行記錄。該多元脈 衝寬度則被設定在〇.18T。 結果’ DC抖動係爲12.9%，且DC抖動的特性比實例 B-21 差。 實例B-22

當使用圖1 1所示的脈衝波形時，可藉由設定記錄線 性速率3.5米/秒、記錄功率Pp33毫瓦、拭除功率Pe6.3 毫瓦、冷卻功率Pci 3.4毫瓦以及偏壓功率PbO.l毫瓦之 値來進行記錄。該多元脈衝寬度則被設定在〇 . 1 3 結果’ DC抖動則顯示出9.8%的適當値。 比較性實例B-18 當使用圖1 6所示的脈衝波形時，可藉由設定記錄線 φ 性速率3.5米/秒、記錄功率Pp33毫瓦、拭除功率Pe6.3 毫瓦、以及偏壓功率PbO.l毫瓦之値來進行記錄。該多元 脈衝寬度則被設定在0 . 1 3 T。 結果，DC抖勖係爲丨丨.5%，且DC抖動的特性比實例 ’ B-22 差。 實例B - 2 3 當使用圖1 3所示的脈衝波形時，可藉由設定記錄線 性速率14米/秒、記錄功率pp46毫瓦、拭除功率Pe7_2 -89- 1328807 毫瓦、冷卻功率Pci 4.2毫瓦以及偏壓功率PbO.l毫瓦之 値來進行記錄。該多元脈衝寬度則被設定在0.3T。 結果，DC抖動則顯示出10.8 %的適當値。 比較性實例B -1 8 當使用圖16所示的脈衝波形時，可藉由設定記錄線 性速率14米/秒、記錄功率Pp46毫瓦 '拭除功率pe7.2 毫瓦、以及偏壓功率PbO.l毫瓦之値來進行記錄。該多元 脈衝寬度則被設定在0.3T。 結果，DC抖動係爲1 3.9%，且DC抖動的特性比實例 B-23 差。 實例B - 2 4 當使用圖1 3所示的脈衝波形時，可藉由設定記錄線 性速率8.4 1米/秒、記錄功率Pp40毫瓦、拭除功率Pe7 毫瓦、冷卻功率Pci 4毫瓦以及偏壓功率PbO.l毫瓦之値 來進行記錄。該多元脈衝寬度則被設定在〇·4Τ。 結果，DC抖動則顯示出1 0.1 %的適當値。 比較性實例B-20 當使用圖16所示的脈衝波形時，可藉由設定記錄線 性速率8.41米/秒、記錄功率Pp40毫瓦、拭除功率Pe7 毫瓦、以及偏壓功率PbO.l毫瓦之値來進行記錄。該多元 脈衝寬度則被設定在〇·4Τ。 •90- 1328807 結果，DC抖動係爲12.9%，且DC抖動的特性比實例 Β·24 差。 實例Β-25

當使用圖14所示的脈衝波形時，可藉由設定記錄線 性速率8.41米/秒、記錄功率Ρρ40毫瓦、拭除功率Pe7.3 毫瓦、冷卻功率Pci 4.3毫瓦以及偏壓功率Pb0.1毫瓦之 値來進行記錄。該多元脈衝寬度則被設定在0.2T。 結果，DC抖動則顯示出1 0.1 %的適當値。 比較性實例B-21 當使用圖1 6所示的脈衝波形時，可藉由設定記錄線 性速率8.41米/秒、記錄功率Pp40毫瓦、拭除功率Pe7.3 毫瓦、以及偏壓功率PbO.l毫瓦之値來進行記錄。該多元 脈衝寬度則被設定在0.2T。 結果，DC抖動係爲1 2.1 %，且DC抖動的特性比實例 B-25 差。 實例B - 2 6 當使用圖14所示的脈衝波形時，可藉由設定記錄線 性速率7米/秒，記錄功率Pp36毫瓦、拭除功率Pe7. 1毫 瓦 '冷卻功率Pci 4.1毫瓦以及偏壓功率PbO.l毫瓦之値 來進行記錄。該多元脈衝寬度則被設定在〇 . 1 8T。 結果，D C抖動則顯示出1 0.6 %的適當値。 -91 - 1328807 比較性實例B-22 當使用圖16所示的脈衝波形時，可藉由設定記錄線 性速率7米/秒、記錄功率Pp36毫瓦、拭除功率Pe7.1毫 瓦、以及偏壓功率PbO.l毫瓦之値來進行記錄。該多元脈 衝寬度則.被設定在〇· 1ST。 結果，D C抖動係爲1 2 · 8 %，且D C抖動的特性比實例 B-26 差。 實例B - 2 7 當使用圖12所示的脈衝波形時，可藉由設定記錄線 性速率8.41米/秒、記錄功率Pp39毫瓦、拭除功率Pe7 毫瓦、冷卻功率Pci 4毫瓦與Pc2 2毫瓦以及偏壓功率 PbO. 1毫瓦之値來進行記錄。該多元脈衝寬度則被設定在 0.2T。 結果，DC抖動則顯示出10.5 %的適當値。 實例B - 2 8 在具有12釐米直徑、0.6毫米厚度與引導軌道之凹凸 面之聚碳酸脂樹脂製成的第一基板上，該引導軌道係爲在 一側上具有軌距0·74微米的連續搖晃溝槽（搖晃溝槽） ’厚度60奈米硫化鋅（80莫耳百分比）-二氧化矽（20 莫耳百分比）製的第一下保護層、厚度 8奈米 Ag〇.2ln3.5Sb7i.4Te2i.4Ge3.5製的第一記錄層、厚度 5奈米 -92- 1328807 氧化銦（7·5莫耳百分比）-氧化鋅（22.5莫耳百分比）-氧化錫（60莫耳百分比）-氧化鉅（1〇莫耳百分比）製的 第一上保護層、由銅製成之按質量包含1·〇%鉬厚度8奈 米的第一反射層、以及厚度60奈米氧化銦（90莫耳百分 比）-氧化鋅（10莫耳百分比）製的散熱層，其係按此順 序藉由濺鍍方法在存在氬氣時形成，以從而形成第一資訊 層。該濺鍍係使用實例B-19所使用的濺鍍設備來進行。

類似第一基板的基板會被使用當作第二基板《•在第二 基板上，銀製成厚度140奈米的第二反射散熱層、厚度 20奈米氧化銦（7.5莫耳百分比）-氧化鋅（22.5莫耳百 分比）-氧化錫（60莫耳百分比）-氧化钽（10莫耳百分 比）製的第二上保護層、厚度 15 奈米

Ag〇.2ln3.5Sb7i.4Te2i.4Ge3.5 製的第二記錄層、厚度 120 奈 米硫化鋅（80莫耳百分比）-二氧化矽（20莫耳百分比） 製的第二下保護層，其係按此順序用與在第一資訊層中相 φ 同的方式來形成，以從而形成第二資訊層。 接著，第一資訊層與第二資訊層係藉由用分別來自第 一基板與第二資訊層層表面的雷射束來照射資訊層而被初 始化。該初始化係藉由聚焦從雷射二極體發射（發射波長 ’ ：810±10奈米）經過光學拾取器（數値孔徑（NA ) =0.55 )的雷射束來進行。就第一記錄層的初始化情況而言，光 學記錄媒體係以線性速率3米/秒，每一週期36微米/週 期的饋送，初始化功率900毫瓦，半徑位置23毫米至58 毫米以及初始化功率700毫瓦，在固定線性速率（CLV ) -93- 1328807 模式下轉動。就第二記錄層的初始化情況而言，光學記錄 媒體係以線性速率3米/秒，每一週期36微米/週期的饋 送，半徑位置23毫米至58毫米，以及初始化功率500毫 瓦，在固定線性速率（CLV )模式下轉動。 在初始化以後第一資訊層的透光率係爲40%，且吾人 確認可獲得足夠的透光率。該透光率係使用 STEAG AG. 製造的ETA-Optik來測量。 接著，紫外光固化樹脂（Nippon Kayaku Co·, Ltd製 造的 KARAYAD DVD003M )被塗層在第一資訊層的層表 面上，且第二資訊層的層表面會被接合到第一資訊層的層 表面，並被旋塗，以藉由用來自第一基板側的紫外光照射 紫外光固化樹脂，將紫外光固化樹脂固化，以形成厚度 55微米的中間層，並從而產生具有兩資訊層的雙層相變 光學記錄媒體。 將形成在所得到雙層光學記錄媒體之基板上連續搖晃 溝槽的推·拉（PP )信號估算。値PP1係爲0.47 ’且値 PP2係爲0.42。其中得到的値PP1與PP2兩者皆爲合適的 値。此外，値WCN1係爲5 1分貝，且値WCN2係爲45 分貝，於此得到的値WCN1與WCN2兩者皆爲適宜的値 〇 使用圖1 1所示的脈衝波形，以8.4米/秒的記錄線性 速率在因此產生的雙層相變光學記錄媒體上進行記錄。使 用於在第一資訊層上記錄與第二資訊層的功率比會彼此不 问。表11與圖20則顯不該結果。 •94- 1328807 比較性實例B-23 除了第一記錄層與第二記錄層的記錄功率位準PP對 拭除功率位準Pe比ε以及記錄功率位準pp對冷卻功率位 準Pci比6被設定爲相同値以外，在具有與實例B-2 8中 所生產雙層相變光學記錄媒體相同層結構與層厚度的雙層 相變光學記錄媒體上進行記錄。表11與圖20則顯示該結

實例B - 2 9 當使用圖1 1所示的脈衝波形時，以9.9米/秒的記錄 線性速率，在具有與實例B-28所產生雙層相變光學記錄 媒體相同層結構與層厚度的雙層相變光學記錄媒體上進行 記錄。使用於第一資訊層上與第二資訊層上的記錄功率比 彼此不同。

比較性實例B-24 除了第一記錄層與第二記錄層的記錄功率位準Pp對 拭除功率位準Pe比ε以及記錄功率位準pp對冷卻功率位 準Pci比δ被設定爲相同値以外，按照與實例b_29中相 同的方式，在具有與實例Β-28中所生產雙層相變光學記 錄媒體相同層結構與層厚度的雙層相變光學記錄媒體上進 行記錄。 -95- 1328807 實例B - 3 0 當使用圖11所示的脈衝波形時，以1 錄線性速率，在具有與實例Β-；28所產生雙 錄媒體相同層結構與層厚度的雙層相變光學 行記錄。使用於第一資訊層上之記錄與第二 比彼此不同。 比較性實例Β-25 除了第一記錄層與第二記錄層的記錄功 拭除功率位準Pe比ε以及記錄功率位準Ρρ 準Pci比δ被設定爲相同値以外’用與實例 方式’在具有與實例Β-28中所生產雙層相 體相同層結構與層厚度的雙層相變光學記錄 錄。 實例Β - 3 1 當使用圖13所禾的脈衝波形時’以8· 線性速率，在具有與實例Β-28所產生雙層 媒體相同層結構與層厚度的雙層相變光學記 記錄。使用於第一資訊層上之記錄與第一資 彼此不同。 比較性實例Β-26 除了第__記錄層與第一記錄層的記錄功 1.5米/秒的記 層相變光學記 記錄媒體上進 資訊層的功率 率位準Ρρ對 對冷卻功率位 Β - 3 0相同的 變光學記錄媒 媒體上進行記 4米/秒的記錄 相變光學記錄 錄媒體上進行 訊層的功率比 率位準Ρρ對 -96- 1328807 拭除功率位準Pe比ε以及記錄功率位準PP對冷卻功率位 準Pci比5被設定爲相同値以外，用與實例B-3 1相同的 方式，在具有與實例B-28中所生產雙層相變光學記錄媒 體相同層結構與層厚度的雙層相變光學記錄媒體上進行記 錄》 實例B-32

當使用圖1 4所示的脈衝波形時，以8.4米/秒的記錄 線性速率，在具有與實例B-28所產生雙層相變光學記錄 媒體相同層結構與層厚度的雙層相變光學記錄媒體上進行 記錄。使用於第一資訊層上之記錄與第二資訊層的各個功 率比彼此不同。 比較性實例B-27 除了第一記錄層與第二記錄層的記錄功率位準Pp對 ^ 拭除功率位準P e比ε以及記錄功率位準p p對冷卻功率位 準P c 1比（5被設定爲相同値以外，用與實例Β - 3 2相同的 方式，在具有與實例Β-28中所生產雙層相變光學記錄媒 體相同層結構與層厚度的雙層相變光學記錄媒體上進行記 •錄。 實例Β-33 當使用圖12所示的脈衝波形時，以8.4米/秒的記錄 線性速率’在具有與實例Β-28所產生雙層相變光學記錄 -97- 1328807 媒體相同層結構與層厚度的雙層相變光學記錄媒體上進行 記錄。使用於第一資訊層上之記錄與第二資訊層的各個功 率比彼此不同。 比較性實例B - 2 8

除了第一記錄層與第二記錄層的記錄功率位準Pp對 拭除功率位準Pe比ε以及記錄功率位準Pp對冷卻功率位 準P c 1比<5被設定爲相同値以外’用與實例B _ 3 3相同的 方式，在具有與實例B-28中所生產雙層相變光學記錄媒 體相同層結構與層厚度的雙層相變光學記錄媒體上進行記 錄。 表1 1顯示在實例B·28至B-33以及比較性實例B-23 至B-28中雙層相變光學記錄媒體之記錄特性的估算値。

⑸ -98- 1328807

一一漱 國製 圖.11 圖.11 圖_11 圖.13 圖.14 圖.12 g OC 〇〇 〇〇 卜 〇\ VO οό CN οό v〇 00 ΟΟ v〇 σ< οό Ον 1 10.1 οό οό 〇〇 VO On 〇6 ΚΤ) 〇〇 卜 〇6 10.0 οό 寸 οό οό 10.0 (N 1 1 1 1 1 1 1 I 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 0.05 0.09. 0.05 0.05 1 0.09 I —0:19 — I 0.09 I 0.09 | 10.09 1 L〇.i81 1 0.09 I I 0.09 1 L〇.〇91 0.17 0.09 I 0.09 0.09 0.19 0.09 0.09 0.09 0.19 1 0.09 | 0.09 0^9 1 L〇丑 1 0.09 1 0.09 Pc2 (毫瓦） 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 I 1 (Ν ΓΛ Τ—Η <Ν 寸 oi Pci (毫瓦） 〇 *· Η On 〇 — ^J· o On 卜 xr ON ο ο Ch 〇 ^J· 〇\ rn rn 4 ΟΟ ΓΟ Ον ΟΟ CO cn ^3r CO [0.18 | 1 0..38 1 ：0.18 0.18 | I 0.18 1 | 0.37 | | 0.18 | 1 0.18 0.17 1 0.35 0.17 0.17 0.18 0.38 0.18 0.18 0.18 0.39 0.18 0.18 0.18 0.39 0.18 0.18 拭除 功率Pe (毫瓦） 18.2 OS οό od | 18.5 | r〇 00 寸 os uo 00 19.6 <Τ) οό os On 卜* 19.0 Os 卜^ Ο as 卜 18.7 卜 Ό od 卜 18.7 卜· 卜’ V〇 od 記錄 功率Pp 虞瓦） 等 (N k〇 Ό Ό in 沄 42.5 42.5 記錄層 1 搬 ! 1 ! 派 11 搬 i 搬 ! 1 搬 1 城 11 濉 1 搬 11 搬 1 1] 減 1 搬 11 搬 1 濉 11 搬 1 搬 Π 搬 1 搬 11 搬 m 11 濉 m 11 派 記錄線性速率 (米/秒） 寸 00 Os C\ *°· Η S 寸 〇〇 寸 od ω例28 比較性W例23 W例29 比較性ΪΪ例24 1JX例 30 比較性ϊϊ例25 1JX 例 31 比較性W例26 G例32 比較性ΰ例27 1ΪΓ例 33 比較性Ilf例28 -99- 1328807 實例B - 3 4 當使用圖11所示的脈衝波形時，對於具有與在實例 B-28中所產生雙層相變光學記錄媒體相同的層結構與層 厚度之雙層相變光學記錄媒體，以8.4米/秒記錄線性速 率’用2T週期的記錄策略在第二記錄層上進行記錄。 圖22顯示該結果。它顯示具有2Τ週期記錄策略的記 錄靈敏度會給予比實例Β _ 2 8中更優良大約1 〇 %的等級 (rating)，其中則以it週期的記錄策略來進行記錄。 實例B - 3 5 在具有與實例B-28所產生雙層相變光學記錄媒體相 同層結構與層厚度之雙層相變光學記錄媒體上進行記錄， 記錄策略1 T週期，記錄線性速率8.4米/秒，記錄功率 Pp42毫瓦，拭除功率Pe7毫瓦，以及Pe_4毫瓦。 表1 2顯示該結果。其係顯示相較於如圖1 5與1 6所 示的習知記錄方法，第一資訊層的重複記錄特性有所改善 。要注意的是，在習知方法中’第二次或更多次的重複記 錄明白顯示比在第一次記錄時更差的結果，而且所得的數 値沒有任何意義，因此未量測在習知方法中作重複記錄。 -100- 1328807 表12_ 第一資訊層 記錄線性速率8.4米/秒 1T週期記錄策略 記錄功率Pp=42毫瓦 習知記錄方法 (圖 15 & 16 ) 本發明實施例 錄方法 在本發明實施例記 重複記錄次數 抖動（％) (%) w乃te甲添/JU r e ί斗動f %) 1 8.8 __ ------rn/J V /0 / ο n 5 9.5 8.9 ---- 〇· / o 〇 10 9.5 __8.8 ---- 〇. y Q fi 50 9.7 8.9 ----0.0 100 10.1 9.2 8 7 200 11.2 10.5 Q S 500 13.4 12 10.6 實例B - 3 6

除了將桌一記錄層與桌一記錄層兩者的材料改變爲 Ag〇.5In3.9Sb69.6Te24Ge2並將第二上保護層的材料改變爲硫 化辞（80莫耳百分比）-二氧化矽（20莫耳百分比）以外 ，具有與實例B_28相同層結構與層厚度的雙層相變光學 記錄媒體係用與實例B-28相同的方式產生。使用圖11所 示的脈衝波形，可將記錄線性速率15.3米/秒、記錄功率 Pp30毫瓦、拭除功率Pe7毫瓦、冷卻功率Pci 4毫瓦以 及偏壓功率PbO.l毫瓦之値設定以進行記錄。該多元脈衝 寬度則被設定在0.3T。 在第一記錄層軌道上重複記錄100次以後的DC抖動 會顯示出9.8%的適當値 -101 - 1328807 比較性實例B - 2 9 使用圖16所示的脈衝波形，在具有與實例B-36相同 層結構與層厚度之雙層相變光學記錄媒體上，以設定記錄 線性速率15.3米/秒、記錄功率Pp30毫瓦、拭除功率Pe7 毫瓦與偏壓功率PbO.l毫瓦之値，來進行記錄。該多元脈 衝寬度係被設定在0.3 T。 在第一記錄層之軌道上重複記錄100次以後的DC抖 動是1 1 .3%，其係並且比實例B-36差。 實例B-37 使用圖II所示的脈衝波形，在具有與實例B-36相同 層結構與層厚度之雙層相變光學記錄媒體上，以設定記錄 線性速率9.2米/秒、記錄功率Pp28毫瓦、拭除功率pe6 毫瓦、冷卻功率Pci 3毫瓦與偏壓功率PbO.l毫瓦之値 ，來進行記錄。該多元脈衝寬度係被設定在0.2T。 在第一記錄層軌道上重複記錄1 〇〇次以後的DC抖動 會顯示出9.6 %的適當値。 比較性實例B - 3 0 使用圖1 6所示的脈衝波形，在具有與實例B - 3 6相同 層結構與層厚度之雙層相變光學記錄媒體上，以設定記錄 線性速率9.2米/秒、記錄功率Pp28毫瓦、拭除功率Pe6 毫瓦與偏壓功率PbO.l毫瓦之値，來進行記錄。該多元脈 -102- 1328807 衝寬度係被設定在0.2T。 在第一記錄層之軌道上重複記錄100次以後的DC抖 動是10.9%，其係並且比實例B-37差。 實例B-38

使用圖11所示的脈衝波形，在具有與實例B-36相同 層結構與層厚度之雙層相變光學記錄媒體上，以設定記錄 線性速率8·4米/秒、記錄功率Ρρ2ό毫瓦、拭除功率Pe6 毫瓦、冷卻功率Pci 3毫瓦與偏壓功率PbO.l毫瓦之値 ，來進行記錄。該多元脈衝寬度係被設定在0.2T。 在第一記錄層軌道上重複記錄1 〇〇次以後的DC抖動 會顯示出1 〇 %的適當値。 比較性實例B-31 使用圖16所τκ的脈衝波形’在具有與實例b_36相同 層結構與層厚度之雙層相變光學記錄媒體上，以設定記錄 線性速率8.4米/秒、記錄功率Pp26毫瓦、拭除功率pe6 晕;瓦與偏壓功率PbO.l笔;瓦之値’來進fr記錄。該多元脈 衝寬度係被設定在0.2 τ。 在第一記錄層之軌道上重複記錄100次以後的DC抖 動是11.1%，其係並且比實例B-38差。 實例B - 3 9 使用圖1 3所示的脈衝波形，在具有與實例B _ 3 6相同 -103- 『1328807 層結構與層厚度之雙層相變光學記錄媒體上，以設定記_ 線性速率15.3米/秒、記錄功率Pp30毫瓦、拭除功_

Pe6.2毫瓦、冷卻功率Pci 2.8毫瓦與偏壓功率PbO」毫 瓦之値，來進行記錄。該多元脈衝寬度係被設定在〇3τ 〇 在第一記錄層軌道上重複記錄100次以後的DC抖_ 會顯示出9.5%的適當値。 實例B - 4 0 使用圖1 3所示的脈衝波形，在具有與實例B-36相同 層結構與層厚度之雙層相變光學記錄媒體上，以設定記錄 線性速率9.2米/秒、記錄功率PP30毫瓦、拭除功率pe6 毫瓦、冷卻功率Pci 3毫瓦與偏壓功率PbO.l毫瓦之値 ’來進行記錄。該多元脈衝寬度係被設定在0.2T。 在第一記錄層軌道上重複記錄1 00次以後的DC抖動 會顯示出9.6 %的適當値。 實例B-41

使用圖14所示的脈衝波形，在具有與實例b-36相同 層結構與層厚度之雙層相變光學記錄媒體上，以設定記錄 線性速率1 5.3米/秒、記錄功率pp3〇毫瓦、拭除功率 Pe6.5毫瓦、冷卻功率Pcl 3.2毫瓦與偏壓功率PbO.l毫 瓦之値，來進行記錄。該多元脈衝寬度係被設定在〇 3T -104- 1328807 在第一記錄層軌道上重複記錄100次以後的DC抖動 會顯示出9 · 7 %的適當値。 實例B-42

使用圖14所示的脈衝波形，在具有與實例B-36相同 層結構與層厚度之雙層相變光學記錄媒體上，以設定記錄 線性速率 9.2米/秒、記錄功率 Pp28毫瓦、拭除功率 Pe5.9毫瓦、冷卻功率Pci 2.8毫瓦與偏壓功率PbO.l毫 瓦之値，來進行記錄。該多元脈衝寬度係被設定在0.2T 在第一記錄層軌道上重複記錄次以後的DC抖動 會顯示出9 · 5 %的適當値。 實例B-43 使用圖1 2所示的脈衝波形，在具有與實例B - 3 6相同 層結構與層厚度之雙層相變光學記錄媒體上，以設定記錄 線性速率15_3米/秒、記錄功率Pp3〇毫瓦、拭除功率Pe7 毫瓦、冷卻功率Pcl 4毫瓦與Pc22毫瓦以及偏壓功率 PbO.l毫瓦之値’來進行記錄。該多元脈衝寬度係被設定 在 0.3T ° 在第一記錄層軌道上重複記錄100次以後的DC抖動 會顯示出9.3 %的適當値。 實例B-44 -105- 1328807 使用圖12所不的脈衝波形，在具有與實例b_36相同 層結構與層厚度之雙層相變光學記錄媒體上，以設定記錄 線性速率9.2米/秒、§3錄功率Pp28毫瓦、拭除功龙 Pe6.2毫瓦、冷卻功率Pci 4毫瓦與pC2 2.1毫瓦以及 偏壓功率PbO. 1毫瓦之値’來進行記錄。該多元脈衝寬度 係被設定在0.2T。 在第一記錄層軌道上重複記錄100次以後的DC抖動 會顯示出9.4 %的適當値。 實例B-4 5 使用圖21所示的脈衝波形，在具有與實例B-36相同 層結構與層厚度之雙層相變光學記錄媒體上，以設定記錄 線性速率15.3米/秒、記錄功率Pp30毫瓦、拭除功率 pe7.2毫瓦、拭除功率Pe_ 4.2毫瓦、冷卻功率p c 1 6.6 毫瓦以及偏壓功率Pb0_l毫瓦之値，來進行記錄。該多元 脈衝寬度係被設定在0.3 T。 在第一記錄層軌道上重複記錄1000次以後的DC抖 動會顯示出9.4%的適當値。 實例B-46 使用圖21所示的脈衝波形’在具有與實例B-36相同 層結構與層厚度之雙層相變光學記錄媒體上’以設定記錄 線性速率9.2米/秒、記錄功率pP28毫瓦、拭除功率 Pe6.8毫瓦與pe* 3.8毫瓦、冷卻功率Pcl 3.8毫瓦以及 -106- 1328807 偏壓功率PbO.l毫瓦之値，來進行記錄。該多元脈衝寬度 係被設定在0.2T。 在第一記錄層軌道上重複記錄1000次以後的DC抖 動會顯示出9.2%的適當値。 實例B - 4 7

在具有與實例B-36相同層結構與層厚度之雙層相變 光學記錄媒體上，首先以9.2米/秒記錄線性速率，在第 一資訊層上的半徑位置24毫米至58毫米進行記錄，隨後 以9 · 2米/秒記錄線性速率，在第二資訊層上的半徑位置 40毫米進行記錄。 圖23顯示該結果。它顯示實例B-47的記錄方法能夠 得到比在比較性實例B-32中具有更低功率的更高調制程 度。 φ 比較性實例B_32 在具有與實例B-36相同層結構與層厚度之雙層相變 光學記錄媒體上，以9.2米/秒記錄線性速率，在第二資 訊層上的半徑位置40毫米中進行記錄，並在第一資訊層 上不進ίτ任何記錄。 ‘圖23顯不該結果。它顯不該記錄方法能夠做爲比在 實例Β-47中記錄靈敏度更差且需要功率更高的實例。 本發明實施例的光學記錄媒體及其光學記錄方法與光 學記錄設備，其係可在不顧早期結晶狀態之下減少早期重 -107- 1328807 複記錄時抖動的增加，而不會造成甚至在與6X DVD至 8X DVD —樣快或更高的高速記錄時重複記錄容忍度的降 低與串音的增加，其係並且可被應用到種種光碟（CD) 與數位多功能光碟（DVD)。 本發明實施例的多層光學記錄媒體及其光學記錄方法 與光學記錄設備，其係能夠避免記錄層所受到的熱損害、 適當記錄與拭除資訊、並且改善重複記錄特性’因此他們 適合使用於多層光碟（CD)、多層數位多功能光碟（ DVD)、與適合藍光波長的多層光學記錄媒體。 【圖式簡單說明】 圖1係爲示範性顯示在重複記錄之隨機圖案內一抖動 變化實例的圖式。 圖2係爲顯示當在初始化後一個月將隨機圖案重複記 錄時，緊接著在初始化與抖動以後所示抖動的圖式。 圖3係爲示範性顯示依據DVD規格與高速規格之相 變光學記錄媒體實例的槪要圖。 圖4係爲示範性顯示第一加熱脈衝所形成之非晶質部 份由於再結晶而消失之外觀的圖式，不過在第二加熱脈衝 被照射時的溫度係藉由第一加熱脈衝的事先加熱效果所提 高，以擴大熔化區域並因此增加記號的週圍部份。 圖5係爲示範性顯示使用來實施本發明實施例之光學 記錄方法之光學記錄設備的方塊圖。 圖6係爲顯示在將隨機圖案重複記錄於實例A-1至 -108- 1328807 A-4以及比較性實例Α·1與A-2後之抖動的圖式。 圖7係爲顯不用來重複記錄包含記號與空白之資料之 波形發射圖案（記錄策略）的圖式，該些記號與空白會被 使用於DVD + RW與類似物》 圖8係爲顯示使用於實例之每一記號長度用之波形發 射圖案（記錄策略）的圖式。

圖9係爲當在第一次記錄將隨機圖案記錄時並且在將 隨機圖案重複記錄十次以後，該記號之第二冷卻脈衝長度 改變，顯示引導記號6T或更大之抖動檢查結果的圖式。 圖10係爲當在第一記錄將隨機圖案記錄時並將隨機 圖案重複記錄1 〇次以後，Pp固定在3 8毫瓦並改變Pe値 以改變Pe/Pp値。 圖Π係爲當在與設定功率位準Pci至PcN之本發明 —些實施例第一態樣有關之記錄方法中’ N=1時’示範性 顯示雷射發射圖案實例的圖式。 圖12係爲當在與設定功率位準Pci至PcN之本發明 一些實施例第一態樣有關之記錄方法中’ N = 2時’示範性 顯示雷射發射圖案實例的圖式。 圖13係爲當在與設定功率位準Pci至PcN之本發明 —些實施例第二態樣有關之記錄方法中’ N= 1時’示範性 顯示雷射發射圖案實例的圖式。 圖14係爲當在與設定功率位準Pc 1至PcN之本發明 一些實施例第三態樣有關之記錄方法中’ N = 1時’示範性 顯示雷射發射圖案實例的圖式。 -109- 1328807 圖15係爲示範性顯示在習知記錄方法中之雷射發射 圖案實例的圖式。 圖16係爲示範性顯示在習知記錄方法中雷射發射圖 案之另一實例的圖式。 圖1 7係爲示範性顯示根據本發明實施例所設計之雙 層光學記錄媒體之疊層結構實例的截面圖。 圖18係爲顯示在單層光學記錄媒體之記錄層中鉛含 量與記錄線性速率之間關係的圖式。 圖19係爲顯示不對稱的圖式。 圖20係爲當以圖1 1所示之記錄策略將資訊記錄到第 一與第二資訊層時，顯示比較第一資訊層的記錄特性與第 二資訊層的圖式。 圖21係爲當包括拭除功率pe·時，顯示雷射發射波形 的圖式。 圖22係爲顯示在實例B-34所準備之雙層相變光學記 錄媒體之第二資訊層記錄特性相較於在實例B-34所準備 之雙層相變光學記錄媒體的圖式。 圖2 3係爲顯示相較於那些在比較性實例B _ 3 2所得到 之在實例B-47所得到之調制程度的圖式。 圖 24 包括（1) 、（2)與（3): (1)顯示習知單層光學記錄媒體之一種記錄方法的 實例。 (2 )顯示從光束照射側觀看形成在習知雙層光學記 錄媒體前側上之資訊層記錄方法實例。 -110- 1328807 (3 )顯示從光束照射側觀看形成在習知雙層光學記 錄媒體前側上之資訊層記錄方法的另一實例。 圖2 5係爲顯示抖動比較在實例B -1 7中所準備之雙層 相變光學記錄媒體的圖式。 圖26係爲顯示抖動比較在實例B-1 8中所準備之雙層 相變光學記錄媒體的圖式。

圖2 7係爲顯示調制程度比較在實例B-1 8中所準備之 雙層相變光學記錄媒體的圖式。 圖28係爲顯示在本發明中所使用之記錄脈衝策略參 數的圖式。 圖2 9係爲顯示在從雷射束照射側觀看配置在前側之 記錄層上，反覆記錄達到1 〇次之記錄特性與改變參數數 目之比較結果的圖式。 圖3 0係爲顯示在從雷射束照射側觀看配置在前側之 記錄層上，反覆記錄達到500次之記錄特性與改變參數數 目之比較結果的圖式。 圖31顯示真實使用於圖29與30之記錄策略的參數 圖3 2係爲顯示記錄功率與調制程度之間關係的圖式 〇 圖33係爲示範性顯示光學記錄設備的圖式，在該光 學記錄設備上安裝了本發明的單邊多層光學記錄媒體。 圖34係爲顯示1T記錄策略波形的圖式。 圖35係爲顯示2T記錄策略波形的圖式。 -111 - 1328807 圖36係爲顯示3T記錄策略波形的圖式 【主要元件符號說明】 1 :第一資訊層 101 :基板 102 :第一保護層 1 0 3 :相位改變記錄層 104 :第二保護層 1 0 5 :反射層 1 〇 7 :反射層 106 :光學記錄媒體 I 〇 8 :有機保護層 II :第一下保護層 1 2 :第一記錄層 1 2 1 :主軸馬達 1 2 2 :轉動控制機制 123 :雷射二極體LD 1 2 4 :光學頭 】3 :第一上保護層 1 4 :第一反射層 2 :第二資訊層 21 :第二下保護層 2 1 5 :轉動性驅動光碟 2 2 :第二記錄層 -112- 1328807 220 :光學記錄設備 221 :搜尋馬達 222 :主軸馬達 223 :光學拾取裝置 2 2 4 :雷射控制電路 22 5 :編碼器 226:驅動控制電路

22 8 :重複信號處理電路 23 :第二上保護層 234 :緩衝隨機存取記憶體 2 3 7 :緩衝管理器 238 :介面 23 9 :快閃記憶體

24 :第二反射層 240:中央處理單元 241 :隨機存取記憶體 2 5 :致動控制機制 26 :可程式帶通濾波器 2 7 :搖晃檢測電路 28 :位址解碼電路 29 :鎖相迴路合成電路 3 :第一基板 30:記錄時鐘產生單元 3 1 :驅動控制器 -113- 1328807 3 2 :系統控制器 3 4 : 8至1 4調制編碼器 3 5 :記號長度計數器 3 6 :脈衝數控制單元 3 7 :記錄脈衝列控制單元 3 8 :多元脈衝產生單元 39:記錄策略，邊緣選擇器 4 :中間層 40:脈衝邊緣產生單元 4 1 :各別驅動電源 4 2 :液晶驅動器單元 6 :光學記錄媒體

Claims (1)

1328807 十、申請專利範圍 1. 一種用於包括Μ相變記錄層之多層光學記錄媒體用 的記錄方法，Μ22，該方法包含： 藉由使用包括複數個雷射束脈衝之記錄脈衝列而用雷 射照射該等記錄層中之第Κ記錄層，以在該第Κ記錄層 中記錄記號，用於該第Κ記錄層的記錄脈衝列具有t(M[T] 的週期，其中：

弟1記錄層係爲最接近該雷射束的記錄層，第Μ記 錄層則是最遠離該雷射束的記錄層，Τ則是時鐘週期； 其中以下的關係式會被滿足： t ( 1 ) < t ( Μ ) ’且在該雷射束照射的方向上，該記錄脈衝 列的週期從一記錄層到下一記錄層不會減少。 2·如申請專利範圍第1項之方法，其中用於第一與第 二層的記錄脈衝會滿足以下關係式： t( 1 ) < t(2) 0

3 ·如申請專利範圍第1項之方法，包含： 使用具有1 τ週期之記錄脈衝列，將—記號記錄在第 一記錄層中；以及 使用具有2T週期之記錄脈衝列，將—記號記錄在第 二記錄層中。 4.如申請專利範圍第1項之方法，包含·· 使用具有1 τ週期之記錄脈衝列，將一記號記錄在第 —記錄層中；以及 使用具有2T週期之記錄脈衝列，將一記號記錄在其 -115- 1328807 它記錄層中。 5. 如申請專利範圍第1項之方法，其中當具有長度 ηΤ的記號被記錄在除了第Μ記錄層以外之該Μ相變ΐ己錄 層的該等記錄層中時，以下的關係式會被滿足： (η - 1 .5 ) T ^ Tr ^ ( η - 1 ) Τ 其中η係爲不小於1的整數，且Tr代表引導脈衝的 前緣到最後脈衝的前緣間的間隔。 6. 如申請專利範圍第1項之方法，其中會滿足以下的 關係式： 0.12TS Tmp彡0.3T，其中 Tmp代表記錄脈衝的寬度 〇 7 .如申請專利範圍第1項之方法，其中記號會被記錄 在除了從該雷射束照射側觀看之配置在最內側上之該記錄 層以外的該等記錄層上，且該等記錄記號係由記錄脈衝列 所形成，該記錄脈衝列被設定使得冷卻功率位準P c 1、 Pc2.....PcN (其中N係爲1或更大的整數）在偏壓功 率位準Pb與記錄功率位準Pp之間被調制並在拭除功率位 準Pe以及在引導脈衝前面之該偏壓功率位準Pb與在最後 脈衝後面之該偏壓功率位準Pb的至少一偏壓功率位準pb 之間被設定，以便滿足以下關係式： Pp> Pe> Pcl> Pc2··· > PcN> Pb。 8.如申請專利範圍第7項之方法，其中該等記號係由 記錄脈衝列所形成，該記錄脈衝列被設定使得該等冷卻功 率位準Pci、Pc2.....PcN (其中N係爲1或更大的整數 -116-

1328807 )在該偏壓功率位準Pb與該記錄功率位準Pp之 並被設定在該拭除功率位準Pe以及該引導脈衝 偏壓功率位準P b之間’以便滿足以下關係式： Pp > Pe > Pc 1 > Pc2 …> PcN > Pb。 9.如申請專利範圍第7項之方法，其中該等 記錄脈衝列所形成，該記錄脈衝列被設定使得該 率位準Pci、Pc2.....PcN (其中N係爲1或更 )在該偏壓功率位準Pb與該記錄功率位準Pp之 並被設定在該拭除功率位準Pe以及在該最後脈 該偏壓功率位準Pb之間，以便滿足以下關係式： Pp> Pe> Pcl> Pc2··· > PcN> Pb 〇 1 〇 .如申請專利範圍第7項之方法，其中該 由記錄脈衝列所形成，該記錄脈衝列被設定使得 功率位準Pci、Pc2.....PcN (其中N係爲1或 數）在該偏壓功率位準Pb與該記錄功率位準Pp φ 制以及被設定在該拭除功率位準Pe以及該引導 與該最後脈衝後面的該偏壓功率位準Pb之間， 以下關係式： Pp> Pe> Pcl> Pc2··· > PcN> Pb。 11. 如申請專利範圍第7項之方法，其中在 功率位準Pci、Pc2.....PcN中的値N係爲從 任一個整數。 12. 如申請專利範圍第7項之方法，其中當 錄在兩個或更多個相變記錄層之每一層上時，該 間被調制 前面之該 記號係由 等冷卻功 大的整數 間被調制 衝後面之 等記號係 該等冷卻 更大的整 之間被調 脈衝前面 以便滿足 該等冷卻 1至3的 將資訊記 資訊會藉 -117- 1328807 由改變用於兩或更多相變記錄層的每一層之在該記錄功率 位準Pp與該拭除功率位準Pe間之比率e ( Pe/Pp )以及 該記錄功率位準Pp與該等冷卻功率位準Pcl、Pc2..... PcN之間比率dl、…dN ( Pc 1 /Pp.....PcN/Pp )的至少 其中一個加以記錄。 1 3 .如申請專利範圍第7項之方法，其中當在記錄具 有長度nT (其中η係爲一或更大的整數’且T代表時鐘 週期）之記錄記號時所使用該記錄功率位準ΡΡ的照射脈 衝數目以m來代表時（其中m係爲一或更大的整數）’ 假設値η係爲一偶數，則滿足η = 2 m的關係’假設値η 係爲一奇數，則滿足n = 2m+ 1的關係。 1 4 ·如申請專利範圍第1 3項之方法’其中該記號係藉 由僅僅增加最短記號一個脈衝來記錄。 1 5 _如申請專利範圍第1項之方法，其中在該拭除功 率位準Pe的照射期間包括低於該拭除功率Pe之拭除功率 位準Pe_的脈衝結構。 1 6.如申請專利範圍第1項之方法，其中當將資訊記 錄在該多層光學記錄媒體之該等資訊層之每一層上時，該 資訊會從該雷射束通量照射側觀看之配置在前側上的該資 訊層依序記錄。 17.如申請專利範圍第1項之方法，其中T係爲每一 記錄層用的相同時鐘週期。 18· —種多層光學記錄媒體用的記錄設備，該記錄媒 體包括Μ相變記錄層，M22,該設備係具備有：轉動機 -118- 1328807 構，使該光學記錄媒體旋轉；雷射光源，發出照射該光學 記錄媒體的雷射光；光源驅動手段，使該雷射光源發出該 雷射光；及發光波形控制手段，控制光源驅動手段，作爲 雷射光源所發出之光束之發射波形相關的記錄策略的光記 錄裝置，該設備係以：

使用一雷射’將一記號記錄在該等記錄層的第K層 ’該雷射被配置以使用包括複數個雷射束脈衝之記錄脈衝 列來照射該第K記錄層，該第K層用的該記錄脈衝列具 有t(k)[T]的週期，其中： 第1記錄層係爲最接近該雷射束的記錄層，第Μ記 錄層則是最遠離該雷射束的記錄層，且1SKSM，Τ則是 時鐘週期； 其中以下的關係式會被滿足： t ( η < t (Μ) ’且在將該雷射束配置以照射的方向上，記 錄脈衝列的週期從一記錄層到下一記錄層並不會減少。 19·如申請專利範圍第18項之設備，其中該設備被配 置使得用於該第一與該第二層的記錄脈衝可滿足以下關係 式： t(i) < t(2)。 20.如申請專利範圍第1 8項之設備，其中該設備被配 置以： 使用具有it週期之記錄脈衝列，將一記號記錄在第 一記錄層中；以及 使用具有2T週期之記錄脈衝列，將一記號記錄在該 -119- 1328807 第二記錄層中。 21. 如申請專利範圍第18項之設備，其中該設備被配 置以： 使用具有1T週期之記錄脈衝列，將一記號記錄在第 一記錄層中；以及 使用具有2T週期之記錄脈衝列’將一記號記錄在其 他記錄層中。 22. 如申請專利範圍第1 8項之設備，其中該設備被配 置使得當具有長度nT的記號被記錄在除了第Μ記錄層以 外之該Μ相變記錄層的該等記錄層中時，以下的關係式 會被滿足： (η - 1 .5 ) T ^ Tr ^ ( η - 1 ) Τ 其中η係爲不小於1的整數，且Tr代表引導脈衝的 前緣到最後脈衝的前緣間的間隔。 2 3 .如申請專利範圍第1 8項之設備，其中以下的關係 式會被滿足： 0.12TSTmp各0.3T’其中Tmp代表記錄脈衝的寬度 〇 24.如申請專利範圍第18項之設備’其中該設備被配 置使得記號會被記錄在除了從該雷射束照射側觀看之配置 在最內側上之記錄層以外的該等記錄層上，且該等記號係 由記錄脈衝列所形成’該記錄脈衝列被設定使得冷卻功率 位準Pc 1 ' Pc2.....PcN (其中N係爲1或更大的整數） 被調制在偏壓功率位準Pb與記錄功率位準Pp之間，以及 -120- 1328807 設定在拭除功率位準Pe以及在引導脈衝前面之該偏壓功 率位準Pb與在最後脈衝後面之該偏壓功率位準Pb的至少 一偏壓功率位準Pb之間，以便滿足以下關係式： Pp> Pe> Pcl> Pc2..· > PcN> Pb。 25.如申請專利範圍第24項之設備，其中該等記號係 由記錄脈衝列所形成，該記錄脈衝列被設定使得該等冷卻 功率位準Pci、Pc2.....PcN (其中N係爲1或更大的整

數）被調制在該偏壓功率位準Pb與該記錄功率位準Pp之 間，以及被設定在該拭除功率位準Pe以及該引導脈衝前 面的該偏壓功率位準Pb之間，以便滿足以下關係式·· Pp> Pe> Pcl> Pc2." > PcN> Pb 〇 2 6.如申請專利範圍第24項之設備，其中該等記號係 由記錄脈衝列所形成，該記錄脈衝列被設定使得該等冷卻 功率位準Pci' Pc2.....PcN (其中N係爲1或更大的整

數）被調制在該偏壓功率位準Pb與該記錄功率位準Pp之 間，並被設定在該拭除功率位準Pe以及在該最後脈衝後 面的該偏壓功率位準Pb之間，以便滿足以下關係式： Pp> Pe> Pcl> Pc2·.· > PcN> Pb。 27.如申請專利範圍第24項之設備，其中該等記號係 由記錄脈衝列所形成，該記錄脈衝列被設定使得該等冷卻 功率位準Pci、Pc2.....PcN (其中N係爲1或更大的整 數）被調制在該偏壓功率位準Pb與該記錄功率位準Pp之 間，並被設定在該拭除功率位準Pe以及該引導脈衝前面 與該最後脈衝後面的該偏壓功率位準Pb之間，以便滿足 -121 - 1328807 以下關係式： Pp> Pe> Pcl> Pc2.“ > PcN> Pb。 28.如申請專利範圍第24項之設備，其中在該等冷卻 功率位準Pci、Pc2.....PcN中的値N係爲從1至3的 任一個整數。 2 9.如申請專利範圍第24項之設備，其中該設備被配 置使得當將資訊記錄在兩個或更多個相變記錄層之每一層 上時，該資訊會藉由改變用於兩或更多相變記錄層的每一 層之在該記錄功率位準Pp與該拭除功率位準Pe之間比率 e ( Pe/Pp )以及該記錄功率位準Pp與該等冷卻功率位準 Pci、Pc2.....PcN 之間比率 dl、... dN ( Pcl/Pp..... PcN/Pp )的至少其中一個加以記錄。 30.如申請專利範圍第24項之設備，其中當在記錄具 有長度nT (其中η係爲一或更大的整數，且T代表時鐘 週期）之記錄記號時所使用該記錄功率位準Pp的該照射 脈衝數目以m來代表時（其中m係爲一或更大的整數） ，假設値η爲一偶數，則滿足n=2m的關係，假設値η 爲一奇數，則滿足n = 2m+l的關係。 3 1 .如申請專利範圍第3 0項之設備，其中該記號係藉 由僅僅增加最短記號一個脈衝來記錄。 32.如申請專利範圍第〗8項之設備，其中在該拭除功 率位準Pe的照射期間’包括低於該拭除功率Pe之拭除功 率位準Pe_的脈衝結構。 3 3 .如申請專利範圍第1 8項之設備，其中當將資訊記 -122- 1328807 錄在該多層光學記錄媒體之該等資訊層之每一層上時，該 資訊會被從該雷射束通量照射側觀看之配置前側上的該資 訊層依序記錄。 34.如申請專利範圍第18項之設備，其中τ係爲每一 記錄層用的相同時鐘週期》 35· —種光學記錄方法，包含：

用一雷射束來照射一光學記錄媒體，以及 藉由記號長度記錄方法，將資訊記錄在該光學記錄媒 體上，在該記號長度記錄方法中，記錄記號的時間長度係 由nT代表（其中η係爲一自然數，且τ代表基本時鐘週期 其中該光學記錄媒體係以、m〃次交替之記錄功率Ρρ 之加熱脈衝與冷卻功率Pb之冷卻脈衝的雷射束來照射（ 其中Pb滿足Pp > Pb )，從而形成該記錄記號，滿足條件 ( n/2 + 1 )，及該引導冷卻脈衝的照射時間爲0.2T至 0.4T。 3 6.如申請專利範圍第35項之光學記錄方法，其中當 該値m是3或更大時，該第二冷卻脈衝的該照射時間係 爲 1 ·0Τ 至 2.5T。 3 7.如申請專利範圍第35項之光學記錄方法，其中一 空白係藉由照射功率Pe的雷射束來形成（其中pe滿足 Pp > Pe > Pb )，且滿足條件 〇. 1 S Pe/Pp S 0_4。 38.如申請專利範圍第35項之光學記錄方法，其中該 光學記錄媒體係爲一相變的光學記錄媒體。 -123- 1328807 39. 如申請專利範圍第38項之光學記錄方法，其中該 相變光學記錄媒體包含第一保護層、相變記錄層、第二保 護層以及反射層’其中每一層均形成在一基板上，旦該相 變記錄層包含銻以及從鍺、鎵、銦、鋅、錳'錫、銀、鎂 、鈣、鉍、硒與碲所組成群組中選出的一個或更多個元素 〇 40. 如申請專利範圍第39項之光學記錄方法，其中該 在該相變記錄層中的銻含量是50原子％至90原子％。 4 1.如申請專利範圍第39項之光學記錄方法，其中該 反射層包含銀與銀合金》 4 2.如申請專利範圍第39項之光學記錄方法，其中該 第一保護層與該第二保護層分別包含硫化鋅與二氧化砂的 混合物。 43.如申請專利範圍第39項之光學記錄方法，其中該 相變光學記錄媒體進一步包含在該反射層與該第二保護層 之間的抗硫化層，該反射層包含銀與銀合金的任何一個， 且該第二保護層包含硫化鋅與二氧化矽的混合物。 44·—種光學記錄媒體，包含·· 基板， 第一保護層， 相變記錄層， 第二保護層，以及 反射層’其中每一層均形成在該基板上， 其中該相變記錄層包含銻以及從鍺、鎵、鋼、鲜、猛 -124- 1328807 '錫、銀、鎂、鈣、鉍、硒與碲所組成群組中選出的一個 $更多個元素，且該光學記錄媒體係被使用於一光學記錄 方法，該方法包含用一雷射束來照射一光學記錄媒體，以 及 藉由記號長度記錄方法，將資訊記錄在該光學記錄媒 體上，在該記號長度記錄方法中，記錄記號的時間長度係 由ηΤ代表（其中n係爲一自然數，且T代表基本時鐘週期 )， 其中該光學記錄媒體係被以"m”次交替之記錄功率 PP之加熱脈衝與冷卻功率Pb之冷卻脈衝的雷射束來照射 (其中Pb滿足Pp〉Pb )，從而形成該記錄記號，滿足條 件m客（n/2 + 1 )，且該引導冷卻脈衝的照射時間爲0.2T 至 0.4T。 45·如申請專利範圍第44項之光學記錄媒體，其中在 該相變記錄層中的銻含量是50原子％至90原子。/。。

4 6.如申請專利範圍第44項之光學記錄媒體，其中該 反射層包含銀與銀合金。 47. 如申請專利範圍第44項之光學記錄媒體，其中該 第一保護層與該第二保護層分別包含硫化鋅與二氧化矽的 混合物。 48. 如申請專利範圍第44項之光學記錄媒體，進一步 包含在該反射層與該第二保護層之間的抗硫化層，其中該 反射層包含銀與銀合金的任何一個，且該第二保護層包含 硫化鋅與二氧化矽的混合物。 -125- 1328807 49. 一種光學記錄設備，包含： 轉動驅動機制，架構以轉動光學記錄媒體， 雷射束源，架構以發射雷射束，以照射該光學記 iMfa 體， 雷射束源驅動單元，架構以使該雷射束源發出該 束，以及 發射波形控制單元，架構以控制該雷射束源驅動 ，作爲與從該雷射束源所發出之該雷射束之發射波形 的記錄策略， 其中藉由記號長度記錄方法，將資訊記錄在該光 錄媒體上，在該記錄長度記錄方法中，記錄記號的時 度係由nT代表（其中n係爲一自然數，且T代表基本 週期），該記錄策略被設定使得該光學記錄媒體被以’ 次交替之記錄功率Pp之加熱脈衝與冷卻功率Pb之冷 衝的雷射束來照射（其中Pb滿足pp> Pb )，從而形 記錄記號，滿足條件m S ( n/2 + 1 ),且該引導冷卻 的照射時間爲0.2T至0.4T。 50. 如申請專利範圍第49項之光學記錄設備，其 該値m是3或更大時，且該記錄策略被設定使得該 冷卻脈衝的該照射時間係爲1.0T至2.5T。 51. 如申請專利範圍第49項之光學記錄設備’其 記錄策略被設定使得一空白係藉由利用功率Pe的雷 來照射該光學記錄媒體所形成（其中Pe滿足Pp> Pe )，且滿足條件 0.1SPe/PpS0,4。 錄媒 雷射 單元 有關 學記 間長 時鐘 Λ m # 卻脈 成該 脈衝 中當 A*/r- — - 中該 射束 ：> Pb -126- 1328807 52.—種多層光學記錄媒體用的光學記錄方法，包含 用雷射束來照射在基板上具有至少兩或更多相變記錄 層的一多層光學記錄媒體， 設定一記錄脈衝列，該脈衝列包含用於該雷射束之發 出波形的複數個脈衝，以及

調制該記錄脈衝列’從而將記錄記號記錄在該多層光 學記錄媒體上， 其中當依據時鐘週期T從該雷射束照射側所看到之第 K記錄層上之記錄時（其中κ爲1或更大之整數）所使用 的該記錄脈衝列的週期以t(k)[T]表示時，滿足條件Igt(1} ‘ t(2)s…s t(k)‘ t(k+l)(其中當所有符號以等號代表時， 該條件被排除）。 53.如申請專利範圍第52項之多層光學記錄媒體用的 光學記錄方法，其中該値t(1)小於t(2>。

54·如申請專利範圍第52項之多層光學記錄媒體用的 光學記錄方法，其中當依據該時鐘週期T來進行記錄時， 配置在從該雷射束照射側所看到之最前側之記錄層上之記 錄時所使用的該記錄脈衝列會被設定成具有1 T之週期， 且在除了該記錄層以外之諸記錄層上之記錄時所使用的該 記錄脈衝列則會被設定成具有2 T之週期。 55.如申請專利範圍第54項之多層光學記錄媒體用的 光學記錄方法’其中當具有長度nT (其中η係爲1或更 大的整數’且Τ代表一時鐘週期）的記錄記號被形成在除 -127- 1328807 了配置在從該雷射束照射側觀看之最內側之一記錄層以外 的諸記錄層上時，在該引導脈衝的前緣與該最後脈衝Tr 的前緣間的間隔會被設定成能夠滿足以下條件： (n-l_5) TSTrS (η— 1) Τ。 56. 如申請專利範圍第52項之多層光學記錄媒體用的 光學記錄方法，其中記錄記號會被記錄在除了從該雷射束 照射側觀看之配置在最內側上之該記錄層以外的該等記錄 層上，且該等記錄記號係由記錄脈衝列所形成，該記錄脈 衝列被設定使得冷卻功率位準Pci、Pc2.....PcN (其中 N係爲1或更大的整數）被調制在偏壓功率位準Pb與記 錄功率位準Pp之間，並被設定在拭除功率位準Pe以及在 引導脈衝前面之該偏壓功率位準Pb與在最後脈衝後面之 該偏壓功率位準P b的至少一偏壓功率位準P b之間，以便 滿足以下關係式： Pp > Pe > Pc 1 > Pc2 ... > PcN > Pb。 57. 如申請專利範圍第56項之多層光學記錄媒體用的 光學記錄方法，其中該等記錄記號係由記錄脈衝列所形成 ，該記錄脈衝列被設定使得該等冷卻功率位準Pc 1、Pc2 .....PcN (其中N係爲1或更大的整數）被調制在該偏 壓功率位準Pb與該記錄功率位準Pp之間，並被設定在該 拭除功率位準Pe以及該引導脈衝前面的該偏壓功率位準 Pb之間，以便滿足以下關係式： Pp> Pe> Pcl> Pc2·.· > PcN> Pb。 58_如申請專利範圍第56項之多層光學記錄媒體用的 -128-

1328807 光學記錄方法，其中該等記錄記號係由記錄脈ί ，該記錄脈衝列被設定使得該等冷卻功率位準 .....PcN (其中Ν係爲1或更大的整數）被調 壓功率位準Pb與該記錄功率位準Pp之間，並被 拭除功率位準Pe以及在該最後脈衝後面的該偏 準Pb之間，以便滿足以下關係式： Pp> Pe> Pci > Pc2.·. > PCN> Pb。 5 9 .如申請專利範圍第5 6項之多層光學記錄 光學記錄方法，其中該等記錄記號係由記錄脈衝 ，該記錄脈衝列被設定使得該等冷卻功率位準 .....PcN (其中N係爲1或更大的整數）被調 壓功率位準Pb與該記錄功率位準Pp之間，並被 拭除功率位準Pe以及該引導脈衝前面與該最後 的該偏壓功率位準Pb之間，以便滿足以下關係ϊ Pp> Pe> Pcl> Pc2..· > PcN> Pb。 60.如申請專利範圍第56項之多層光學記錄 光學記錄方法，其中在該等冷卻功率位準Pci， 、PcN中的値N係爲從〗至3的任一個整數。 6 1 .如申請專利範圍第5 6項之多層光學記錄 光學記錄方法，其中當將資訊被記錄在兩個或更 記錄層之每一層上時’該資訊會藉由改變用於兩 變記錄層的每一層之在該記錄功率位準pP與該 位準Pe之間比率ε (Pe/Pp)以及該記錄功率位 該等冷卻功率位準Pci、Pc2.....PcN之間比鸟 列所形成 Pci、P c 2 制在該偏 設定在該 壓功率位 媒體用的 列所形成 Pci ' P c 2 制在該偏 設定在該 脈衝後面 媒體用的 P c 2、… 媒體用的 多個相變 或更多相 拭除功率 準Pp與 ί (5 1 x … -129- 1328807 5 N ( Pcl/Pp.....PcN/Pp )的至少其中一個加以記錄。 62·如申請專利範圍第56項之多層光學記錄媒體用的 光學記錄方法，其中當在記錄具有長度nT (其中n係爲 —或更大的整數，且Τ代表時鐘週期）之記錄記號時所使 用該記錄功率位準Ρρ的該照射脈衝數目以m來代表時（ 其中m係爲—或更大的整數），假設値η係爲一偶數， 則滿足n=2m的關係，且假設値η係爲一奇數，則滿足η =2m + l的關係。 63.如申請專利範圍第62項之多層光學記錄媒體用的 光學記錄方法，其中該記錄記號係藉由僅僅增加最短記號 —個脈衝來記錄。 64·如申請專利範圍第52項之多層光學記錄媒體用的 光學記錄方法，其中在該拭除功率位準Pe的照射期間， 包括低於該拭除功率Pe之拭除功率位準Pe·的脈衝結構。 65.如申請專利範圍第52項之多層光學記錄媒體用的 光學記錄方法，其中當將資訊記錄在該多層光學記錄媒體 之該等資訊層之每一層上的時候，該資訊會被依序從該雷 射束通量照射側觀看之配置在前側上的該資訊層記錄。 6 6.—種用於多層光學記錄媒體的光學記錄設備，包 含： 轉動機構，使該光學記錄媒體旋轉； 雷射光源，發出照射該光學記錄媒體的雷射光； 光源驅動手段，使該雷射光源發出該雷射光：及 發光波形控制手段，控制光源驅動手段，作爲雷射光 -130- 1328807 源所發出之光束之發射波形相關的記錄策略的光記錄 裝置 雷射束，以及 該多層光學記錄媒體’包含基板以及配置在該基 的兩或更多相變記錄層， 其中該等記錄記號係由包含複數個脈衝的記錄脈 所形成，該記錄脈衝列被設定使得冷卻功率位準P

Pc2.....pcN (其中N係爲1或更大的整數）被調 偏壓功率位準p b與記錄功率位準P P之間，並被設定 除功率位準P e以及在引導脈衝前面之該偏壓功率位i 與在最後脈衝後面之該偏壓功率位準P b的至少一偏 率位準Pb之間，以便滿足以下關係式：

Pp> Pe> Pcl> Pc2."〉PcN> Pb。 67. 如申請專利範圍第66項之多層光學記錄媒體 光學記錄設備’其中該等記錄記號係由記錄脈衝列所 ，該記錄脈衝列被設定使得該等冷卻功率位準P c 1 .....PcN (其中N係爲1或更大的整數）被調制在 壓功率位準Pb與該記錄功率位準pp之間，並被設定 拭除功率位準Pe以及該引導脈衝前面的該偏壓功率 Pb之間，以便滿足以下關係式： Pp> Pe> Pcl> Pc2_“ > PcN> Pb。 68. 如申請專利範圍第66項之多層光學記錄媒體 光學記錄設備’其中該等記錄記號係由記錄脈衝列所 ，該記錄脈衝列被設定使得該等冷卻功率位準Pc 1 板上 衝列 cl、 制在 在拭 i Pb 壓功 用的 形成 Pc2 該偏 在該 位準 用的 形成 Pc2 1328807 .....PcN (其中N係爲1或更大的整數）被調制在該偏 壓功率位準P b與該記錄功率位準P p之間，並被設定在該 拭除功率位準Pe以及在該最後脈衝後面的該偏壓功率位 準Pb之間，以便滿足以下關係式： Pp> Pe> Pcl> Pc2.·· > PcN> Pb 〇 69. 如申請專利範圍第66項之多層光學記錄媒體用的 光學記錄設備，其中該等記錄記號係由記錄脈衝列所形成 ，該記錄脈衝列被設定使得該等冷卻功率位準Pcl、Pc2 .....PcN (其中N係爲1或更大的整數）被調制在該偏 壓功率位準Pb與該記錄功率位準Pp之間’並被設定在該 拭除功率位準Pe以及該引導脈衝前面與該最後脈衝後面 的該偏壓功率位準Pb之間’以便滿足以下關係式： Pp> Pe> Pcl> Pc2_" > PcN〉Pb 〇 70. 如申請專利範圍第66項之多層光學記錄媒體用的 光學記錄設備’其中在該等冷卻功率位準Pcl、Pc2、… 、PcN中的値N係爲從1至3的任一個整數。 71. 如申請專利範圍第66項之多層光學記錄媒體用的 光學記錄設備，其中當將資訊被記錄在兩個或更多個相變 記錄層之每一層上時’該資訊會藉由改變用於兩或更多相 變記錄層的每一層之在該記錄功率位準pp與該拭除功率 位準Pe之間比率ε ( Pe/Pp )以及該記錄功率位準Pp與 該等冷卻功率位準Pel、Pc2.....PcN之間比率51、… δ N ( Pc 1 /Pp.....P'c N/Pp)的至少其中一個加以記錄。 72. 如申請專利範圍第60項之多層光學記錄媒體用的 -132- 1328807 光學記錄設備，其中當在記錄具有長度ηΤ (其中n係爲 一或更大的整數，且Τ代表時鐘週期）之記錄記號時所使 用該記錄功率位準Ρρ的該照射脈衝數目以m來代表時（ 其中m係爲一或更大的整數），假設値η係爲一偶數時 ，則滿足η = 2 m的關係，且假設値η係爲一奇數時，則 滿足n=2m+l的關係。

73. 如申請專利範圍第72項之多層光學記錄媒體用的 光學記錄設備，其中資訊係藉由僅僅增加最短記號一個脈 衝來記錄。 74. 如申請專利範圍第66項之多層光學記錄媒體用的 光學記錄設備，其中在該拭除功率位準P e的照射期間包 括低於該拭除功率Pe之拭除功率位準Pe·的脈衝結構。 75. 如申請專利範圍第66項之多層光學記錄媒體用的 光學記錄設備，其中當將資訊被記錄在該多層光學記錄媒 體之該等資訊層之每一層上的時候，該資訊會被依序從該 雷射束通量照射側觀看之配置在前側上的該資訊層記錄。 76. —種多層光學記錄媒體，包含： 各具有相變記錄層的兩或更多資訊層， 其中，資訊是藉由用雷射束照射該多層光學記錄媒體 ，以誘發在每一該相變記錄層上之結晶形態與非結晶形態 間的可逆相變加以記錄，而且資訊係關於藉由多層光學記 錄媒體用的一光學記錄方法來記錄的一記錄脈衝策略，該 策略包含 用雷射束來照射在基板上具有至少兩或更多相變記錄 -133- 1328807 層的多層光學記錄媒體’ 設定記錄脈衝列，該脈衝列包含該雷射光束之發射波 形用的複數個脈衝，以及 調制該記錄脈衝列，從而將記錄記號記錄在該多層光 學記錄媒體上， 其中當依據時鐘週期T從該雷射束照射側所看到之第 K記錄層上之記錄時所使用的該記錄脈衝列週期以t(k)[T] 代表時，滿足條件1 S t(1)S t(2)S…S t(k)$ t(k+1)(其中當 所有符號以等號代表時，該條件被排除）。 77. 如申請專利範圍第76項之多層光學記錄媒體，其 中除了配置在從該雷射束照射側所觀看之最內側之該資訊 層以外的每一該等資訊層，其係包含上保護層、相變記錄 層、下保護層、反射層與熱擴散層。 78. 如申請專利範圍第76項之多層光學記錄媒體，其 中除了配置在從該雷射束照射所觀看之最內側之該資訊層 以外的每一該等資訊層的透光率係爲30%至70%。 79. 如申請專利範圍第76項之多層光學記錄媒體，其 係爲兩層光學記錄媒體，包含按從該雷射束照射側觀看之 此順序的第一資訊層與第二資訊層。 -134-