TWI328700B - Liquid crystal device and electronic apparatus - Google Patents

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TWI328700B
TWI328700B TW095110992A TW95110992A TWI328700B TW I328700 B TWI328700 B TW I328700B TW 095110992 A TW095110992 A TW 095110992A TW 95110992 A TW95110992 A TW 95110992A TW I328700 B TWI328700 B TW I328700B
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Yoichi Noda
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Seiko Epson Corp
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Description

1328700 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關具有多隙構造之液晶裝置。 【先前技術】 自以往即習知於液晶面板(液晶裝置),針對紅色、綠 色(G)、藍色(B)各色將液晶層之厚度(胞厚)最佳化,以抑制
波長分散所造成之光漏洩之技術,即所謂多隙構造(參考例 如專利文獻1、2、3) » / ' [專利文獻1 ]曰本特開平4-362919號公報 [專利文獻2]曰本特開平7_175〇5〇號公報 [專利文獻1]曰本特開2003-5213號公報 [發明所欲解決之問題] 於以往之多P㈣造巾’為了胞厚之最佳化,因此針對各 色控制彩色濾光器之著色層之膜厚,或於透光性之像素電 極(ITO膜)上’形成丙料系樹脂膜或⑪氧化膜等所組成之 頂塗層膜,針對各色控制該頂塗層膜之厚度。 、曲^而」上述控制著色層之膜厚之技術係具有伴隨於顏料 :又之6周整’色座標特性容易降低之課題。例如形成較厚 :色層時,若欲使其與其他著色層之明m,於該厚 著色層之顏料濃度會變薄’其結果全體之色座標會接近 色0 ㈡ ::’於上述電極上形成頂塗層膜之技術係具有導致步 驟數i曰加,難以謀求低成本化之課題。 本么明之目的在於提供具有提升顯示品f且對低成本化 109l57.doc 1328700 有利之多隙構造之液晶裝置。 【發明内容】 本發明之液晶裝置之特徵在於包含多隙構造; 對基板’其係對向配置;液晶層, 之門.m麻甘^ ”係配置於前述1對基板 間,複數者色層,其係形成於前述i對基板之至 對應於複數色;及複數電極,盆係 八係形成於前述1對基板之一 且對應於前述複數色;於前述複數電極之間設有膜厚差。 若根據此液晶裝置,根據對應於複數色之複數電極間之 喊厚差而實現多隙,因此可避免以往多隙構造之色座桿特 降低之課題。而且’於此液晶裝置中,藉由多隙及色座 ‘之最佳化,可達成顯示品質之提升。 於上述液晶裝置中’其構成可進而包含:劃分前述複數 電極之岸堤。 於此情況,前述複數電極係採用液相法而形成。 於液相法巾,將液體材料配置於基板上,將其膜進行孰 處理而獲得導電性之電極。作為液體材料之配置技術,有 液滴吐出法(喷墨法)、Cap塗佈法、旋轉塗佈法等。上述岸 堤係於將複數電極之液體材料配置於基板上時,用於規定 配置區域H ’液相法之使用係容易謀求製程之簡化或 減少材料使用量’ a此對降低製造成本有利。 於此情況,前述複數電極更宜採用喷墨法形成。 藉由採用喷墨法’可容易實施針對各配置區域,變化液 體材料量或液體材料濃度。 本發明之電子機n之特徵在於包含:先前所記載之本發 I09157.doc 1328700 明之液晶裝置。 若根據此構成,可獲得具有優良之顯示品質且可低價提 供之電子機器。 【實施方式】 以下,參考圖式說明有關本發明。 圖1係本發明之液晶裝置之實施型態之一例,其模式性地
表示具有多隙構造之被動矩陣型之液晶裝置(液晶顯示裝 置)之剖面構造。 具有在玻璃等所組 、第二基板1〇2)間, 型)液晶等所組成之 如圖1所示’液晶裝置1〇〇為透過型, 成之對向配置之1對基板(第一基板1〇1 配置有TN(Twisted Nematic :扭轉向列 裝置1 0 0係具備:用以對液 或作為光源之背光(均不圖 液晶層103之構成。並且,液晶 晶層供給驅動信號之驅動器IC、 示)等。 於第-基板101,在其内面配設有彩色德光器1〇4。彩 遽光器104係包含紅色⑻著色層1〇4R、綠色⑹著色 1〇扣、藍色(B)著色層胸,其等複數著色層刚r、_ 雜規則排列於基板⑻之平自内。^,於此等著色 雜、觸、_之間,形成有遮光構件等所組成之岸 ⑼。此外’於彩色濾光器_及岸㈣^,配設有樹脂 所組成之保護膜106。 此外,於該保護膜刚上,透光性之複數電極 條紋狀。複數電極1G7係含IT〇(Indium仏〇心氧化查 錫)等透光性導電膜。並且,於伴 ' 保濩膜106上,形成有含相 I09l57.doc 1328700 脂等之定向膜108。 於第二基板102上,在其内面,透光性之複數電極1〇9(像 τ、電極)係以與第一基板101側之複數電極107交叉之方式 形成條紋狀。複數電極109係由ITO(Indium Tin Oxide :氧 化銦錫)等透光性導電材料所形成。複數電極109係包含: • 电極1 09R,其係配置在著色層1 04R之對向位置且對應於紅 . 色(R)’笔極109G,其係配置在著色層104G之對向位置且對 φ 應於綠色(G);及電極ι〇9Β,其係配置在著色層104B之對向 位置且對應於藍色(B)。於複數電極1〇9R、1〇9G、ι〇9Β之 間’形成有劃分複數電極l〇9R、i〇9G、109B之岸堤11〇。 亦即’於厍堤1 1 0之開口部1 1 〇 a、1 i 〇 b、1 1 〇 e配設有複數電 極109R、l〇9G ' 109B。岸堤11〇係藉由利用光微影等所進 行之圖案化’於基板1 〇2上一次形成。 並且,於複數電極109R、109G、109B及岸堤11〇上,形 成有含樹脂等之定向膜1 1 1。 • 而且,藉由於第一基板101之任意電極107與第二基板102 之任思電極1 0 9之間施加電壓’反應於其,兩電極1 〇 7、1 〇 9 之交叉部分之液晶層103之液晶分子之方向變化。此外,於 彩色;慮光器10 4及第二基板10 2之各外面側,設有偏光板(未 圖示),於基板101 ' 102彼此間,配設有間隔物及用以將液 晶層103與外氣隔絕之密封材料(均未圖示)。作為密封材 料,可使用例如熱硬化型或光硬化型之樹脂等。 於是,於本例之液晶裝置1 00中,根據第二基板1 〇2之複 數電極109R、109G、109Β間之膜厚差而實現多隙。 I09157.doc 1328700
亦即,對應於紅色(R)之電極l〇9R之膜厚(tR)、對應於綠 色(〇)之电極i〇9G之膜厚(tG)、及對應於藍色(B)之電極 109B之膜厚(tB)中,3種膜厚互異,或2種膜厚大致相同且 該膜厚與其他1種膜厚互異。而且,根據其臈厚差,於對應 於紅色(R)之著色層104R與電極109R之間之液晶層1〇3之厚 度(dR)、對應於綠色之著色層i〇4G與電極1〇9(}之間之液 晶層103之厚度(dG) '及對應於藍色(B)之著色層1〇4B與電 極109B之間之液晶層103之厚度(dB)間設置厚度差。若電極 l〇9R(109G、1〇9B)之膜厚tR(tG、tB)較厚,對應於其之液 晶層103之厚度dR(dG、dB)會相對較薄,相反地,若電極 l〇9R(109G、109B)之膜厚tR(tG、tB)較薄,對應於其之液 晶層103之厚度dR(dG、dB)會相對較厚。例如若tR<tG< tB,則 dR> dG> dB。 複數電極109R、109G、109B間之膜厚差係根 據液晶 層103
之各色(R、G、B)之最佳厚度來決定。關於液晶層之厚度之 最佳化,可援用例如日本特開平4_362919號公報及日本特 開平W9770號公報所記載之技術。而且,各電極贿、 l〇9G、1〇9B之膜厚係設定為確保所需導電性之厚度以上。 如此,於本例之液晶裝置100中,根據第二基板1〇2之複 數電極1〇9R、1〇9G、109B間之膜厚差來實現多隙。因此,
關於彩色濾光器104之各著色層1〇4R 104G、i〇4B之形狀 或形成方法,限制甚少,可藉由控制各著色層i〇4r、i〇4g、 104B之顏料濃度(顏料密度)或膜厚,來謀求色座標之最佳 化。而且,此液晶裝置10G係、藉由利用上述多隙來防止光漏 109l57.doc 1328700 茂或將色座標最佳化等,來達成顯示品質之提升。 而且’如圖2所示,於著色層職、職、麵間設有 、厚差之h況,根據其來調整複數電極1 09R、1 〇9G、1 09B 間之膜厚即可。 晶裝置1 00中’由於在第二基板102 、109G、109B之岸堤ι10,因此於
回到圖1,於本例之液 形成劃分複數電極1 09R
複數電極109R、109G、1〇9B之形成可採用液相法。於液相 =中,於基板上配置液體材料,將其膜進行熱處理而獲得 V電f生電極。作為液體材料之配置技術,可舉例如液滴吐 出法(喷墨法)、Cap塗佈法、旋轉塗佈法等。上述岸堤ιι〇 ^作為在基板1〇2上配置複數電極1Q9R、1Q9G、iq9b之液 體材料時,規;t配置區域之區隔構件而制。*且,由於 使用液相法可容易謀求製程簡化或減少材料使用量,因此 對降低製造成本有利。特別是藉由採用噴墨法,可容易實 施針對各配置區域變化液體材料量或變化液體材料濃度。 圖3⑷係表示適宜用於喷墨法之液滴吐出裝置π之概略 構成之立體圖。 液滴吐出裝置IJ係具備:液滴吐出頭3〇1、χ轴方向驅動 軸304、Υ軸方向導引軸3〇5、控制裝置c〇nt、台面邛7、 清洗機構308、基台309及加熱器315。 台面307係支撐藉由此液滴吐出裝置而設有墨水(液體 材料)之基板P,具備將基板(P)固定於基準位置之未圖示之 固定機構。 液滴吐出頭3〇1係具備複數吐出噴嘴之多噴嘴型之液滴 109l57.doc •10·
^JZO/UU 吐出頭’使長度方向與γ ,,.,ψ „7Λ1 方向—致。複數吐出喷嘴係於液 滴吐出頭30】之下面排列 Ρ &、Α 1 + 釉方向,並以一定間隔設置。 仗液滴吐出頭301之吐出喷嘴, 板⑻吐出墨水。 對於由台面術所支據之基 /轴方向驅動馬達3〇2連接於抑方向驅動轴304。X袖方 二動馬達302為步進式馬達等,若從控制裝置⑶π供給
*方向之驅動 <吕號’將使X軸方向驅動轴304旋轉。若X
轴方向驅動轴3〇4旋轉,液滴吐出頭3〇1將往X軸方向移動。 Y軸方向導引轴305係對於基台期不動地固^。台面3〇7 具備Y轴方向驅動馬達3034軸方向驅動馬達如為步進式 馬達等,若從控制裝置C〇NT供給有γ軸方向之驅動信號, 台面307將往γ軸方向移動。 控制裝置CON丁係對於液滴吐出頭3〇1供給液滴之吐出控 制用電壓’而且對於叫方向驅動馬達3〇2,供給控制液滴 土出頭30 1之X軸方向移動之驅動脈衝信號,並且對於γ軸 方向驅動馬達3〇3’供給控制台面3〇7之γ軸方向移動之驅動 脈衝信號。 洗淨機構308係洗淨液滴吐出頭3〇卜於洗淨機構3〇8,具 備未圖不之γ軸方向驅動馬達。藉由此γ軸方向驅動馬達之 驅動,洗淨機構沿著γ軸方向導引軸3〇5移動。洗淨機構 之移動亦藉由控制裝置CONT控制。 於此,加熱器315係藉由燈退火將基板(Ρ)進行熱處理之 機構,進行含於塗佈在基板(ρ)上之液體材料之溶媒之蒸發 及乾燥。此加熱器3丨5之電源導入及遮斷亦藉由控制裝置 I09l57.doc 1328700 C Ο N T控制。 欣滴吐出裝置IJ係一面相對地掃描 及美妬又校液滴吐出頭301 土板()之口面307,一面對於基板 L7 IT BR 、^印成滴。在此, 、D月’ χ軸方向為掃描方向,與X轴方向正交之 方向為非掃描方向。因此’液滴 一中„ BS a | 項^1之吐出噴嘴係以 3⑷V: 置於非掃描方向之Y軸方向。再者,於圖 3⑷:二“出係對於基板(ρ)之行進方向呈直角而配
置但亦可凋整液滴吐出頭301之角戶,祛 m佳古— 使其對於基板(p) 之仃進方向父叉。如此的話,藉 ^ ^ 月及滴吐出頭3 01 之角度而調節喷嘴間之間距。又, 嘴面之距離亦可。 以即基板(P)與噴 圖3(b)係用以說明藉由壓電方式 之液滴吐出頭之概略構成圖。 之液體材料之吐出 原理
於圖3(b)中’鄰接於收容液體材料(墨水)之液體室切而 設置屋電元件322。於液體室321,經由包含材料槽之液體 材料供給系統323供給液體材料。歷電元件322連接於驅動 電路324,經由此驅動電路324,將電壓施加於壓電元件 322’使壓電元件322變形,從而液體室321彈性變形。而且, 藉由此彈性變形時之内容積之變化,自噴嘴奶吐出液體材 斗於此清况,藉由變化施加電壓值,可控制壓電元件322 之歪曲量。此外,藉由變化施加電壓之頻率,控制壓電元 件322之歪曲速度。由於藉由壓電方式之液滴吐出係不對材 料加熱,因此具有難以對材料組成造成影響之優點。 圖4係表示使用噴墨法形成圖!之複數電極】〇9R、、 i09l57.doc •12· 1328700 109B之方法之一例之圖。以下參考圖4,說明有關上述電極 之形成方法。 首先,如圖4(a)所示,準備作為基體之基板1〇2,於其一 面側形成岸堤11 0。 作為基板102,可使用玻璃、石英玻璃、以晶圓、塑膠膜、 金屬板等各種材料。此外,亦包含在此等各種材料基板之 表面,形成有半導體層、金屬膜、介電體膜、有機膜等底 層’或TFT(薄膜電晶體)等開關元件者。 岸堤Π0係將基板面平面地劃分之區隔構件,於此岸堤之 形成,可使用光微影法或印刷法等任意方&。例如使用光 微影法之情況,係以旋轉塗佈、喷霧塗佈、輕塗佈、壓模 塗佈、浸潰塗佈等特定方法,配合形成於基板上之岸堤高 度,塗佈丙稀酸樹脂等有機系感光性材料而形成感光性材 料層。接著’配合所欲形成之岸堤形狀,對感光性材.料層 照,紫外線,藉此形成具備特定開口部心、丨⑽、⑴c 厗疋1 I 0作為厗k u 〇之材料,係使用丙稀酸樹脂、聚 醯亞胺樹脂、稀烴樹脂、三聚氰胺樹脂等高分子材料。岸 =10亦可為使用含聚石夕氮貌之液體材料等所形成之無機 物構造體。 為了提升對上述開口部11〇
Ua 110b、1 l〇c内之材料墨水 之配置性,因應於雪要而拟山1日 〜於而要而對厗堤n〇進行撥液化處理。 作為撥液化處理,可錄田Λ丨, 〇如於大氣氣氛中將四氟化碳 作為處理氣體之電漿處 (4電漿處理法)。CF4電漿處 理之條件為例如電漿功率 K力羊50 kW〜〗〇〇() kw、四氟化碳氣體 '09l57.doc 1328700 流量50 ml/minM 00 ml/min、對電漿放電電極之基板搬送迷 度 0.5 mni/sec 〜1020 mm/sec、基板溫度 7〇t:〜9〇t:。而且, 作為處理氣體並不限於四氟化碳(tetraflu〇r〇methane),亦可 使用其他氟化碳系氣體。 藉由進行此撥液化處理,對岸堤11〇,於構成此之樹脂中 導入氟基而賦予高撥液性。 此外,於上述撥液化處理前,以將露出於開口部丨i〇a、 1 l〇b、110c之底面之基板表面進行清淨化為目的,因應需 要而進行使用〇2電漿之灰化處理或uv(紫外線)照射處理。 藉由進行此處理,可除去基板表面之岸堤之殘渣,加大撥 液化處理後之岸堤110之接觸角與該基板表面之接觸角之 差距,可於後段之步驟中,將配置於岸堤110之開口部内之 液滴正確地封閉於開口部之内部。此外,岸堤110由丙烯酸 樹脂或聚醯亞胺樹脂組成之情況,若於CF4電漿處理前,預 先將岸堤110暴露於〇2電漿中,會具有更易氟化(撥液化)之 性負,因此以此等樹脂材料形成岸堤丨丨〇之情況,宜於CF4 電聚處理前施以〇2灰化處理。 具體而言,上述〇2灰化處理係藉由自電漿放電電極,對 基板照射電漿狀態之氧來進行。作為處理條件則為例如電 漿功率50 W〜1000 w、氧氣流量5〇 mi/min〜1〇〇 mi/min、對 電衆放電電極之基板之板搬送速度〇 51〇 mm/sec〜1〇 mm/sec、基板溫度 70°C 〜9〇t:。 而且,由於對岸堤11〇之撥液化處理…卜電漿處理),雖 對由先則進行之殘渣處理而親液化之基板表面多少會有影 I09l57.doc 14 1328700 響’但特別是於基板由玻璃等組成之情況,由於難以引起 撥液化處理所造成之氟基導入’因此實質上不會損及基板 之親液性,亦即無損於潤濕性。此外,關於岸堤i丨〇,藉由 利用具有撥液性之材料(例如具有氟基之樹脂材料)形成,亦 可省略其撥液處理。 其次’如圖4(b)所示’對設於岸堤110之開口部110a、
Φ 微粒子間獲得良妊遙雪Μ 乐业u # A W
域(岸堤1 1 0之開口部),配 1 l〇b、1 l〇c之各個,自先前之液滴吐出裝置之液滴吐出頭 3〇1(參考圖3)滴下電極10911、109G、1〇9B之材料墨水。例 如使用使ITO、IZ0、FT0等透光性導電材料之微粒子分散 於溶媒(分散介質)之材料墨水。此外,亦可使用含IT〇微粒 子及矽有機化合物之液體材料、或含ΙΤ〇微粒子、銦有機化 合物及錫有機化合物之液體材料。藉由使用此等液體材 料’可形成ΙΤΟ微粒子彼此藉由從前述金屬冑機化合物所產 生之Si〇2或ΙΤΟ之矩陣,而強固地黏著之構造之透光性導電 膜,即使燒製溫度較低,IT0微粒子仍緻密地配置,可形成 7濃度之墨水,於形成較薄膜厚之區 配置較少量之墨水及/或低濃度之墨 I09l57.doc 15 1328700 水。藉由使用噴墨法,可容易實施針對各配置區域而變化 液體材料量,或變化液體材料濃度。 其次,如圖4(c)所示,於電極1〇9R、1〇9(}' 1〇9B之材料 配置後,為了除去分散介質,因應於需要而進行乾燥處理。 乾燥處理可藉由例如加熱基板之通常之熱盤、電爐等之加 熱處理進行。處理條件為例如加熱溫度丨8〇<>c、加熱時間6〇
分鐘程度。此加熱係於氮氣氣氛下等進行,未必須於大氣 中進行。 ” 此外’此乾燥處理亦可藉由燈退火來進行。作為使用於 燈退火之光之光源,並未特別限定,可將紅外線燈、氣燈、 YAG雷射、氬雷射、碳酸氣體雷射、χπ、Μ丨、_卜
Kr: KrCM、ArF、Ara等之準分子雷射等作為光源使用。 此等光源一般使用輸出10 w〜5000冒之範圍者,但於本例 中,100 W〜1000 w之範圍即足夠。
,對電極職、109G、1〇9B之各材料之乾燥膜進行 k製處理(熱處理及/或光處理)。 此燒製處理之目的係於為了提升微粒子間之電性接觸、 散介質或提升液中之分散性,而於導電性微粒 ’·、曰有機物等之塗層劑之情況,除去該塗層劑等。 兩此熱處理及/或光處理通常在大氣中進行,但亦可因應於 j在氮、風、乳等惰性氣體氣氛中進行。熱處理及:或 理之處理溫度係考慮分散介質之沸點(蒸 體之種類或厂堅力、微粒子之分散性或氧化性等熱動向:: 層劑之有無或量、基材之耐熱溫度等而適當地決定。。 109157.doc 1328700 而且,藉由上述燒製處理,確保電極1〇9R、i〇9G、i〇9b 之各材料之乾燥膜中之微粒子間之電性接觸,從而轉換成 透光性之導電性膜。其結果,於岸堤】^ 〇之開口部1】〇a、 UOc’分別形成獏厚差互異之複數電極】⑽r、】〇9g、 I 09B。 圖5為本發明之液晶裝置之其他實施型態例,其模式性地 表不液晶裝置(液晶顯示裝置)之剖面構造。而且於圖5中, :、有與圖I所不之液晶裝置! 〇〇相同功能之構成要素係標示 同一符號,並省略或簡化其說明。 圖5所示之液晶裝置15〇為半透過反射型。 亦即於第一基板1〇1,在彩色遽光器1〇4之各著色層 1〇伙、104G、104B之底部,部分地形成反射膜12〇、121、 122。反射膜12〇、121、122分別具有光可透過之開口部 120a、121a、122a。 於此液晶裝置150,來自第二基板1〇2側之光之一部分係 於反射膜120、12】、122反射,並自第二基板1〇2之外面側 往外部射出,並且其他光係通過反射膜12〇、ΐ2ι、Η]之開 口部12〇a、121a、122a,自第一基板101之外面側往外部射 出。 而且,於此半透過反射型之液晶裝置150中,亦與圖!之 液晶裝置100相同,根據第二基板1〇2之複數電極i〇9r、 l〇9G、1〇9Β間之膜厚差而實現多隙。 圖6係表示將本發明適用於主動矩陣方式之液晶裝置之 例之圖。而且於圖6中,具有與圖丨所示之液晶裝置ι〇〇相同 I09l57.doc 1328700 功月b之構成要素係標示相同符號,並省略或簡化其說明。 如圖6所示’於主動矩陣方式之液晶裝置2〇〇,對應於複 數電極109R、109G、109B而於基板102上形成TFT元件205。 而且於此主動矩陣方式之液晶裝置2〇〇,亦與圖】之液晶 裝置100相同’根據第二基板1〇2之複數電極1〇9R、l〇9G、 - 1 〇 9 B間之膜厚差而實現多隙。 圖7係表不將本發明適用於主動矩陣方式之液晶裝置之 φ 其他例之圖。而且於圖7中,具有與圖6所示之液晶裝置200 相同功能之構成要素係標示相同符號,並省略或簡化其說 明。 於圖7之液晶裝置250,與圖6之液晶裝置2〇〇相同,對應 於複數電極109R、l〇9G、109B而於基板1〇2上形成TFT元件 205 〇 而且於此主動矩陣方式之液晶裝置250,亦與圖6之液晶 裝置200相同’根據第二基板1〇2之複數電極、 春 1 09B間之膜厚差而實現多隙。 此外,於此液晶裝置250,於形成有TFT元件2〇5之同一 基板102上’形成設有膜厚差之複數電極l〇9R、1〇9(3、 109B、及3著色層i〇4r、1〇4G、1〇4B之彩色濾光器ι〇4。 而且,於對向之基板1〇丨之全面,形成電極1〇8(全塗膜)。 藉由此構成,於形成電極1〇8時,可不受彩色濾光器1〇4 之熱限制。因此於電極i 08之形成方法上,可採用限制甚 少、液相法等對低成本化有利之形成方法。 此外,藉由於彩色濾光器i 〇4添加導電粒子,使其具有導 I09157.doc 1328700 電性,亦可防止介電體進入電極109與液晶層間而造成信號 波形之變形。 而且於上述例中,為了配置液滴(液體材料)而採用使用 液滴吐出裝置之液滴吐出法,但作為其他方法’亦可採用 例如圖8所示之Cap塗佈法。Cap塗佈法係利用毛細現象之成 膜法,將狹縫171插入於塗佈液17〇中,若於該狀態使塗佈 液面上升,於狹縫171之上端會產生液面隆起172。對此液 面隆起172使基板(P)接觸,使基板(p)往特定方向平行移 動,藉此可於基板(P)面塗佈塗佈液17〇。 此外於上述例中’採用液相法(液滴|j土出法)形成電極 職、聊、麵,但亦可採用蒸鐘法(含cvd法)或減鑛 法等其他手法來形成’或組合蒸鑛法(含CVD法)或濺鑛法、 及液相法來形成電極109R、1〇9G、1()9B〇 *於此情況,亦可例如使用蒸鍍法(含CVD法)或濺鍍法 等’於基板全面形成透光性之導電膜,其次藉由將該膜進 行圖案化而形成所需形狀之電極。 此外,於上述例中,作為液相法中之材料配置之區隔構 件(劃分部)係於基板上形成岸堤,但作為劃分部,亦可於基 板上形成對配置材料顯不撥液性之區域。顯示撥液性之區 戍之形成卩舉例如在基板表面形成自我組織化單分子膜 之方法或施以電毁處理之方法、或於基板表面塗佈具備撥 液性之高分子化会拍j& 勿之方法4。藉由任一撥液化處理,均 可於基板表面賦予高撥液性。 於上述自我組織膜形成法中’形成含有機分子膜等之自 I09157.doc 我組織化膜。 —用以處理基板表面之有機分子膜係具備可結合於基板之 月b基於其相反側為親液基或撥液基等將基板之表面性 ^質(控制表面能)之官能基、及連結此等官能基之碳之直鏈 或部分分支之碳鏈;且結合於基板而自我組織化,形成 例如單分子膜之分子膜。
自我組織化單分子膜{SAMS : SeKAssembled Mahers) 係藉由將分子固定於固體表面之方法、可形成高定向高密 度之分子層之方法之自我組織化(SA : 法所 ^作之膜。自我組織化法係能以埃(A)層級來操作分子之環 境及幾何學配置。此外,自我組織化單分子膜為有機分子 之固疋化技術之-有效方法,由於製作法簡便及存在於分 子與基板間之化學結合’膜之熱安定性高,是用以製作埃 層級之分子元件之重要技,術。此外,自我組織化單分子膜 基本上為自我集合過程’可自發地形成微 她
自我組織化單分子膜可碎#从^ 3之 十Μ 了間便地形成用於超微小電子電路 敏在、之南度圖案。 =為上述具有高定向性之化合物,係藉由例如使用氣基 夕:,以线基位於膜表面之方式將各化合物定向而形成 自我組織膜,於膜表面賦予均勻之撥液性。 此外,作為形成自我組織化膜之化合物,可舉出十 】,…四氫癸基三乙氧基錢、十七氟十 甲氧基㈣、十七氣切,2四氣癸基…炫、十、二二 …四氣辛基三乙氧基㈣、十三氣切,2四氣辛-基:- I09l57.doc •20· 1328700 甲氧基石夕烧、十二貌·m2四氯辛基三氯石夕烧、三敦丙基 二甲氧基矽烷等氟基矽烷(以下稱"FAS")。於使用時,單獨 使用1種化σ物或組合2種以上之化合物使用均可。而且藉 由使用F A S,可獲得與基板之密接性及良好之撥液性。 FAS—般係以構造sRnSix(4_n)表示。於此,n表示五以 上、3以下之整數,χ為甲氧基、乙氧基、鹵原子等加水分 解基。此外,R為I烧基,具有(CF3)(CF2)X(CH2)}^ (於此,
X表示〇以上、10以下之整數,y表示0以上、4以下之整數) 構k,於複數個尺或乂結合於⑴之情況,尺或父分別均相同或 同句可以X表示之加水分解基係藉由加水分解形成矽烷 醇’與基板(破璃、矽)等底層之羥基反應,以矽氧烷結合而 與基板結合。另-方面’ R係於表面具有(CF3)等敦基,因 此將基板等之底層表面改質為不會潤濕(表面能低)之表面。 於電漿處理法中,在常.壓或真空中對基板進行電漿照 射。用於電漿處理之氣體種類可考慮基板之表面材質等而 進行各種選擇。作為處理氣體’可例示例如4氟化碳、全氟 己烷、全氟癸烷等。 而且,將基板表面加I為撥液性之處自,,亦彳藉由將具 有所需撥液性之膜’例如將已進行四氟化乙稀加:之聚醯 亞胺膜等㈣於基板表面來進行。此外,㈣將聚酿亞胺 膜直接作為基板使用。 此外,基板表面具有比所需撥液性高之撥液性之情況, 藉由照射17〇〜400 nm之紫外光,或使基板暴露於臭氧 乱汛中’以便進行將基板表面親液化之處理而控制表面狀 109I57.doc -21 · 態。 (電子機器) 圖9係表示關於本發明之電子機器之—例之立體圖β 於此圖所不之仃動電話1300係具備本發明之液晶顯示教 置以作為小尺寸之顯示部m】,具備複數操作独1302、 收話口 1303及送話口 1304而構成。 一上述各實施型態之光電裝置不限於上述行動電話,亦適 f作為電子書、個人電腦、數位相機、影像監視器、取景 益型或監視器直視型之錄影機、車用導航裝置、呼叫器、 電子。己事本、電子計算機、文字處理機、工作站、電視電 舌p〇s終立而裝置、具備觸控式面板之機器等之圖像顯示 機構而使用。此種電子機器不但低價且可靠性優異。 以上’參考附圖說明有關本發明之適宜之實施型態但 本心月田然不限於該例。若為熟悉該技.藝人士,顯然可於 專)範圍所s己載之技術思想之範_内,想到各種變更 例或修正例,亦可了解關於其等當然屬於本發明之技術範 圍。 【圖式簡單說明】 ,圖1係表示本發明之液晶裝置之實施型態之一例,其模式 ί生地表不具有多隙構造之被動矩陣型之液晶裝置之剖面構 造圖。 圖2係杈式性地表示在複數著色層設有臈厚差之型能之 圖。 心 圖3⑷、(b)係表示適宜用在喷墨法之液滴吐出裝置之概 I09l57.doc •22- 1328700 略構成之立體圖。 圖4(a)〜(c)係表示使用噴墨法形成複數電極之方法 例之圖。 圖5係表示本發明之液晶裝置之其他實施型態例之圖。 圖6係表示將本發明適用於主動矩陣方式之液晶裝置之 例之圖。 圖7係表示將本發明適用於主動矩陣方式之液晶裝置之 其他例之圖。 圖8係用以說明Cap塗佈法之概略剖面圖。 圖9係表示電子機器之一例之立體構成圖。 【主要元件符號說明】 100、 150 > 200 ' 250 液晶裝置 101、 102 基板 103 液晶層 104 彩色濾光 器 104R 、104G 、104B 著色層 105 岸堤 106 保護膜 107 電極(對向 電 極) 108、 111 定向獏 109R 、109G 、109B 電極(像素 電 極) 110 岸堤 110a、 110b' 110c 開口部 205 元件 109l57.doc -23·

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1328700 . 第095110992號專利申請案 中文申請專利範圍替換本(98年12月) 十、申請專利範園 種液晶裝置,其特徵在於:其具有多隙構造,且包括: 對向配置之一對基板; 配置於前述一對基板之間之液晶層; 形成於前述一對基板之至少一方,對應於第一色之第 一著色層及對應於第二色之第二著色層;及 形成於前述-對基板之-方,對應於前述第一著色層 之第-電極及對應於前述第二著色層之第二電極、盘劃 分前述第一電極及前述第二電極之岸堤(bank); 前述第-電極與前述第二電極之間設有膜厚差。 2.如請求項1之液晶裝置,其中前述第一電極及前述第二電 極係採用液相法而形成。 電 3·如請求項2之液晶裝置’其中前述第 極係採用噴墨法而形成。 月a第一電 4. 一種電子機器,其特徵在於包含請求項⑴ 液晶裝置。 中任項之 109157-981230.doc
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