TWI320110B - Method and apparatus for forming a thin film on a substrate and liquid crystal display device - Google Patents

Description

1320110 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本=係論及-種可形成薄膜之設備和方法，更财地論係 一種可在基板上面形朗膜之設備，和使耻設備所製造之液晶 顯示裝置。 【先前技術】 曰夕ΐϊ資ϊΐ技巾之迅速發展所致，—顯示裝置勢必要顯示大 極射線管_裝置，業已普遍觀作顯示裝 Li和耗電量低之平板顯示裝置，已有積極地 和顯示影像品質，而廣泛被使 LCD裝置魏含有··上基板、下基板、和佈置在此等上 内層。此LCD裝置係使用上述液晶材ί層 之產絲像倾，細敎其液晶分子 膜電：f =作==薄主=體。此種内含薄 m 裝置係具有高影像解析度，以及係可顯示移

通常’ AMLCD裝置之製造，係透過清洗 『pattern)、形成配向層、使基板接合、在J :板。i述清洗基板之程序，可能 幵遍式的輊序之别和之後’方會被執行以及在此g 1320110 基板之程序躺’基板上面之微粒’將會被清洗劑移除。 杯卜上面形成樣式之程序，係被區分為在上基 板上面形成樣式之程序’和在下基板上面形成樣式之程序。在該 上基板上面形成樣式之程序_，係在此上基板上面，形成滤色 =、ίίΐΐ其Γ共㈣極。在該下基板上面形成樣式之程序 』間，係在此下基板上面，為界定出像素區_形成—些彼此交 叉之閘極線和資訊線、連接至此賴極線何訊線之每—交叉點 的薄膜電晶體、和連接至每-像素區域内之細電晶體的像素電 極。 此外，在該樣式形成在對應基板上面並被摩擦之後此等基 板，，敷配向層。其次’密封劑可使形成在該下基板上面，藉二 1 吏該等下基板和上基板相接合。紐，透過注人孔將液晶注又此 等相接合之基板間，而形成液晶層，並將此注入孔密封。 ^外’上述互相接合而在其間含有液晶層之基板，係使通過 和摩齡序，_形成液晶面板。—些積體電路係 使裝接至此液晶面板。 。用以，造液晶顯示裝置之設備，係包含有氣密室，其可使該 ，矛在尚真空度下執行。可在短時間内處理多數基板之組 室，係已被廣泛使用。此群組室係包含有：一些處理室、負荷鎖 定室、和轉移室。特言之，在該處理室中，有一些直接處理λ 之程序被執行。該轉移室可儲存基板，以及可進出該處理室ς使 此等基板轉移。該等處理室係包含有：一供電漿增強化學蒗 積（PECVD)設備使用之腔室，和供乾钱刻設備使用之腔室。、 第1圖係可例示依據相關技藝製造液晶顯示裝置之乾蝕 備的橫截面圖，以及第2 ®係可例示第丨圖巾所顯示之乾餘^ 備的上部電極之平面圖。誠如第丨圖中所示，乾姓刻設備係包= 有：形成在腔室10之上側部内的氣體入口 12，和形成在此腔二 10之1下側部内的氣體出口 1丨。氣體係自氣體儲存單元（未示〇 通過该氣體入口 12注入至該腔室1〇，以及通過該氣體出口 η自 6 ⑧ 1320110 此腔室10排出。

搞<51此U腔至10係包含有彼此間隔之下部電極21和上部雷 極3卜含有要被樣式化之薄膜的基板 〜J 之下部電極21上面。特言之，該下部電極2lm= ㈣，力供應^下㈣極21之外部電力供應器13。將射頻 被稱ϊί應空間，經常係 ^ 茨上口p電極31係使接地，以及俜且右 ί而=;=。2圖中所示’此等孔32係橫跨該上部電極 42 m該f室10係進—步包含有—些氣體注入板41、 ^和3、，彼等係佈置在該上部電極31上面，可使透過上述氣 之數I 平均分配。鱗請注人板4卜42、和43 !接者’峨體係透過此上部電極31之多數孔32， 政佈進1專上部電極31與下部電極21間之反應區域内。 軸，峨《之密度二 乾=設:： 3二:f寺;言’正當鈍化層進-頻刻進該基板 刀内a寺，主動層會進一步姓刻進此基板之側緣部分内。 【發明内容】 和-S用種用以製造液晶顯示裝置之設備’ 使用此βχ備砂造成之液晶顯示裝置，其可大幅排除上述 ③ '1320110 相關目:點戶:，-項或多項問題。 製造液晶顯稀在f供—種可選擇處理基板之諸區域來 示裝置。 又備，和一種使用此設備而製造成之液晶顯 備，在提供—種可製造液晶顯示裝置之設 基板之表面而提崎造成之液晶顯示裝置，其可選擇橫跨 置而在變化之s;體殿==板之表面’依據彼等位 份將徵ϊ優點’將闡明在下文之說明中，以及部 發明之目的*甘内今而臻明確，或可由本發明之實務而習得。本 1主張，* 他優點，將可由此書面制巾特·明之結構和 :遠，諸圖，而得以實現及達成。 現及in %日日^目的和其他優點’以及依據本明如本說明書所體 含有？且目的，一種用以在基板上面形成薄膜之設備係包 極係具此腔室内之上部電極’此上部電 極，此下，在此腔室内而可在其上支撐基板之下部電 選摆極係與該上部電極相分隔；和在該上部電極上方之 使绣禍，此選擇性注入板，係包含有選擇性注入閥，其可 面。"以乳體入口供應之氣體，選擇集中至一部份之上部電極上 板；和在此Μ，i ί晶顯示裝置係包含有：第—基板；第二基 中的-個，ίΐι 4二基板間之液晶層，該等第—和第二基板 包含有.且糸"、有溥膜此薄膜係由一種設備形成，此種設備係 電極係具;在此腔室内之上部電極，此上部 電極，并有f數之喂嘴；在此腔室内而可在其上支撐基板之下部 之，弯摆祕下。卩電極係與遠上部電極相分隔，和在該上部電極上方 可入板，此選擇性注入板，係包含有選擇性注入閥，| 上面匕邊氣體入口供應之氣體，選擇集中至一部份之上部電& 在另一特徵中 ⑧ 、I32011〇 擇性注入閥’使此氣體選擇集中至上述腔ΐ内^^1=|選 使橫跨 下《極所支撐之基板而注入3等 3下，使 係彼此分隔。 /聽科上4電極和下部電極 -另特徵中"'種液晶顯示裝置係包含有：第-臭拓·楚 二，，和在此等第一與第二基板間之液晶層，該等二第一

溥膜之方法來形成，此種方法所包含步 面形成 室内；在哕㈣肉、登裡步驟有.將軋體供應進腔 擇動選擇性注人板之選擇性注入閥；透過 隼入氣體;使用該選擇性注入閥，航氣體選擇 集中至上述腔至内之—部份上部電極上面；以及橫跨此 化之i體注人率下，使橫跨下部電極所支樓之i板而注 入*亥氣體，該等上部電極和下部電極係彼此分隔。 理應瞭解的是，本發明先前之一般性說明和下文之詳細說 明，係屬例示性和解釋性，以及係意在提供所主張本發明之進一 步解釋。

【實施方式】 茲將詳細論及本發明之較佳實施例，彼等之範例係例示在所 附圖式中。 第3圖係可例示依據本發明製造液晶顯示裝置之設備的橫截 面圖。在第3圖中，設備50係包含有腔室52。形成在此腔室52 之上侧部内的氣體入口 54，以及形成在此腔室52之下側部内的 氣體出口 56。氣體係自氣體儲存單元（未示出）通過該氣體入口 54注入進該腔室52内，以及係通過該氣體出口 56自此腔室52 排出。此設備50可能係乾蝕刻設備或電漿蝕刻設備。此外，該設 1320110 化學錢騎(⑽则或電料触學蒸氣;殿積 62 t Λ，二_ u_#l做戰至此腔至52内之下部電極62上面，以;5輿 3 可能純含由侧料力轉式化之薄膜ί 二外Ϊ 52°之2 62係使連接至外部電力供應器63，其係可位 ^腔至52之外部，以及係可將射頻㈣電力供應給該下部電極 、㈣等下部電極62與上部電極58之間的空間，經常你

ΪΪίΐί、Ϊ域。特言之，該上部電極58係使接地，以及係包^ 夕數可土射上猶過氣體人σ %所提供之驗敝人 此注^喷嘴60可橫跨該上部電極58，而成矩陣之方式排列。。 氣體置在該i㈣極58上方之 •^7」^ 和67特5之，母一氣體注入板65、66、 二嘴ίί、多數T使透過氣體入口54注入之氣體平均分佈 ^喷嘴（未不出）。該等氣體注入板65、66、和67之數目，係可 基於需求而加以改變，而使此設備5〇可能至少具有一片氣體注 板。 /八 此外，該腔室52係包含有一佈置在該上部電極58與該等 體注入板65、66、和67之間的選擇性注入板70。特言之，此選 ，性注人板7〇 ’可㈣使肖-選雜注人闊76，來控制橫跨該上 部電極58之氣體分佈。因此，藉著該選擇性注入閥邗使上述透 過氣體入口 54注入之氣體，通過該等氣體注入板65、66、和67 之噴嘴，而選擇地分佈橫跨該基板64，以及接著使通過該上部 極58之注入噴嘴6〇。 第4Α和4Β圖係一些可例示依據本發明之實施例的設備之注 的橫截面圖。在第4Α和4Β圖中，選擇性注入板7〇包含有至 J第一〉主入孔72和至少第二注入孔74。該第一注入孔72可能對 應於上部電極58 (顯示在第3圖中）之中央部分’藉以使該氣體 、切〇11〇 侧緣部分，藉以使該部電極58 (顯示在第謂t)之 铡緣部分上面。 集令至此基板64 (顯示在第3圖中）之 +心内的選擇性注選擇性注入板7〇之 注入孔74選擇地、、主入^ 透過该等第一注入孔72或第二 該腔室52之^部的控^注人閥76 ’可能係受到在 選擇性注人卩㈣綱立耻下飾，言之，該 和第二孔76b係可彼 ^^孔^此等第一孔76a 閥76之上表面虚且古pq °亥第孔76a亦可在該選擇性注入 73 Γ 二孔76b係可彼此連接，且可形成^一孔76a和第 時，76軸至下部位置 一注入孔7?、、：>：入>*触連接至上述之第注入孔72，藉以透過此第 76b，對庫於上述選擇性注入閥％之第二孔 和βπΐ ΐΐ第 孔72時，上述透過氣體注入板65、66、 第二：f 3圖中）供應之氣體，將會通過上述之第一孔服、 在i 3圖中')注入孔72 ’而至該上部電極58 (顯示 時，S二76移動至上部位置 孔74注入軋體。因此，當上述選擇性注入閥76之第二 Ϊ ί應ΐΐ第二注入孔74時，上述透過氣體注入板阳、6Γ 第二ill在第3圖中）供應之氣體，將會通過上述之第—孔76a、 樣圖刷增極58(顯示 此外’雖未顯示出’有螺線管可配備來選擇使該選擇性注入 闊76上下移動。所以，該選擇性注入目76，係可依據一些自外 '1.320110 部系統（未示出）供應至該螺線管之控制信號而移動。 此外’雖未顯示出，該選擇性注入閥76係可包含 之第-和第二=入孔，以及可使移動至—不同於該等上部和下苦; 位置之位置，藉以更細微地控制氣體之分佈。舉例而十， 性注，閥76，係可包含有第-、第二、和第三注入孔：彼^可八 別使氣體集巾至該上部電極58 (顯示在第3 ®中）之巾心邱八刀 中，部分、和侧緣部分上面。結果，藉由移動該選擇性注入^ : 使氣體選擇注人通過該等第-注人孔72或第二注人孔7 該氣體注入率係可使改變。 此， 因此，上述透過氣體入口 54(顯示在第3圖中）注入 係通過該等氣體注入才反65、66、和67 (顯示在第3圖中）之嗜’ 通^述選擇性注入閥76之第一和第二孔恤和施、該 喷嘴60 ,麵分配橫跨該基板64 (顯示在第3圖Pg58之注入 所以，此依據本發明之實施例的設備，係包含有選 S其集中至上部電極之至少μ部=== t二及可橫跨該基板之表面，選擇控制氣體注入率，藉 =之速率下，橫跨該基板之表面，澱積/侧薄膜。 何以㈣’此依據本發明之實施例的設備，可被用來在任 !)薄2基或半導體基板為例之類型的基板上面，澱積/蝕 技藝之專業人貞將可明瞭，在*雜本發明之精神虚界定 ϊϊΐ:2於製造液晶顯示裝置之設備及使用此設備所ϊ造之 係=使完成各種修飾體和變更形式。因此，本發明 所^供^is月在所附申請專利範圍和彼等之等價體的範圍内 所徒供之修飾體和變更形式。 1.320110 【圖式簡單說明】 第1圖係可例示依據相關技藝製造液晶顯示裝置之乾韻剡設 備的橫截面圖； ° 平面^圖係可例示第1圖中所顯示之韻刻設備的上部電極之 面圖第^圖係可例示依據本發明製造液晶顯示裝置之設備的橫截 第4A和4B圖則係一些可例示依據本發明之設備的注入板之 I 橫截面圖。 【主要元件符號說明】 10腔室 11氣體出口 12氣體入口 13外部電力供應器 21下部電極 22基板 • 23下部屏蔽 33上部屏蔽 31上部電極 32孔 41,42,43氣體注入板 50設備 52腔室 54氣體入口 56氣體出口 58上部電極 1.320110 60注入喷嘴 62下部電極 63外部電力供應器 64基板 65, 66, 67氣體注入板 . 70選擇性注入板 72第一注入孔 ' 74第二注入孔 76選擇性注入閥 76a第一孔 • 76b第二孔

Claims (1)

1. 1320110 十、申請專利範圍： ^ 一種用以在基板上面形成薄膜之設備，其係包含有·· 一腔室’係具有一氣體入口； 一上部電極，係在該腔室内且具有多數之喷嘴； 郊番Lit電極，係、在該腔室内，且用以在其上支縣板，此下 邛電極係與該上部電極相分隔；和 Λ ί擇性注入板，具有第—及第二注入孔，且該第一及第二 u、位於该上部電極上一不同位置之上，且該不同位置相較 不同距•’且一選擇性注入閥選擇性與該第一及第 二終宏亚用以控制使—透過該氣體人口供應之一氣體在 〜疋時間日讀提供至該上部電極的—所欲部份上。 備，圍第1項之用以在基板上面形成薄膜之設 孔，、ΐ第^擇性注入閥至少包含彼此連接之一第一孔和一第 :該第:f二;闊之上表面處的開口，以 、”有在„亥、擇性/主入閥之側表面處的開口。 備，圍”項之用以在基板上面形成薄膜之設 備：申 備，圍第1項之用以在基板上面形成薄膜之設 備”中遠選擇性注入閥係在該選擇性注入板之中央 備，ΙΓΐϊϊ㈣1項之^在基板上面形成薄膜《 /、中知知性注入板係至少包含有對應於該上部以； 15 1320110 該上部電極之側緣部分的該第二 央。卩分的該第一注入孔和對應於 注入孔。 μ、 備，圍第6項之用以在基板上面形成薄膜之設 :注至少包含有在該第-注入賴 部電極$ 孔孔，此第三注人孔侧應於上述上 °p電極之中央部分與側緣部分之間的部分。 借irTtr清專利乾圍* 1項之用以在基板上面形成薄膜之設 、、中，錢備係-侧設備與—化學蒸歧積設備中的一個。 借9使ΐΓίί利範圍第1項之用以在基板上面形成薄膜之設 ί二其中在錢體注人口與選擇性注人板之間，係進一步包含 有至少一氣體注入板。 也L〇.如申請專利範圍第1項之用以在基板上面形成薄膜之設 & i八中進一步係包含有一連接至該等上部和下部電極之電力供 應器。 # 11 一種液晶顯示裝置，其係包含有： 一第一基板； ▲ 一第二基板，此等第一和第二基板中的一個，係具有一薄 膜，此薄膜係由一如申請專利範圍第丨項之用以在基板上面形成 ， 薄獏之設備來形成；和 在該第一基板與該第二基板之間的一液晶層。 12. —種可在基板上面形成薄膜之方法’其包含之步驟有： 供應一氣體至一具有一腔室之一開口結構的選擇性注入閥 中，其中該開口與該氣體相通，並選擇性與一第一及一第二注入 1^5 1320110 孔相通 署卜:i該第—及第二注入孔皆位於該上部電極上之一不同位 置上，且该不同位置彼此間具有不同距離；及 2性導m緣體至該第—及第二注人孔中，藉選擇性使咳 、擇性注人閥與該第—及第二注人孔相通的方式為之。 ° =·如申請專利棚第12項之可在基板上面形成薄膜 ^括移動^擇性注人閥至―上部位和—下部位中之—者的步 ϋ如申請專利範圍帛12項之可在基板上面形成 ί括ί二;ΐ擇性導引該氣體至該第一及第二注入孔中的步: 包括使透過該第-注人孔和該第二注入孔中的—個，、= 孔係對應於該上部電極之巾央部分，以及 = 該上部_⑽緣部分。 a⑽對應於 如申請專利範圍第12項之可在基板上面形成薄膜 、、中’該選擇性導引該氣體至該第一及第二注入孔中 法 之方 包，使透，該第-注人孔、該第二注人孔、和—第三注入孔^的 一個^該第一注入孔係對應於該上部電極之中央部分，該* 入孔係對應於該上部電極之繼部分，以及該帛三私庵 於該上部電極之中央部分與側緣部分中間的部分。’、心 16.如申請專利範圍第12項之可在基板上面形成薄膜 法’其中’該選擇性導引該氣體至該第一及第二注入孔井 Ζί過ί選Γ生注入閥之第—孔，以及接著透過該選擇性ί入 閥之弟-孔，導人-氣體人σ所供應之氣體，該第—孔係 一 在該選擇性注人閥之上表面處的開口，以及該第二孔係具有一在 1320110 #玄選擇性注入閥之側表面處的開口。 17.如申請專利範圍第12項之可在絲上面形成薄膜 ^，其中，該選擇性導引該氣體至該第一及第二注入孔中的 匕括透過該選擇性注人閥之第—孔，以及接著透過該選,ζ =之第二孔’導人—氣體人口所供應之氣體，該選擇性關 第一和第二孔彼此相連接且形成為一反"Τ"形。 法Λ8中如申項之可在基板上面形成薄膜之方 其中遠選擇性導引該氣體至該第一及第二注入孔中的牛驟 係一蝕刻程序或一化學蒸氣殿積程序之一部分。 a 19·如申請專利範圍第12項之可在基板上面形成薄膜之方 牛，其ί進一步包含之步驟有：在供應該氣體至該選擇性注入閥 V驟之刖透過至少一氣體注入板分配一氣體入口所供應之氣體。 20. —種液晶顯示裝置，其係包含有： 一第一基板； ▲ 一―第二基板，此等第一和第二基板中的一個，係具有一薄 犋’此薄膜係由如申請專利範圍第12項之可在基板上面形成薄膜 之方法來形成；和 在該第一基板與該第二基板間之一液晶層。 18