DE102005030359B4

DE102005030359B4 - Vorrichtung und Verfahren zum Herstellen eines Dünnfilms

Info

Publication number: DE102005030359B4
Application number: DE102005030359.5A
Authority: DE
Inventors: Dae-Jin Jeon; Jae-Ho Yang
Original assignee: LG Display Co Ltd
Current assignee: LG Display Co Ltd
Priority date: 2004-06-29
Filing date: 2005-06-29
Publication date: 2017-12-28
Anticipated expiration: 2025-06-30
Also published as: US7339648B2; TWI320110B; CN1716012A; JP4330159B2; KR101060609B1; TW200606506A; DE102005030359A1; CN100378520C; KR20060000615A; JP2006013489A; US20050285982A1

Abstract

Vorrichtung (50) zum Herstellen eines Dünnfilms auf einem Substrat (64), mit: – einer Kammer (52) mit einem Gaseinlass (54); – einer in der Kammer (52) angeordneten oberen Elektrode (58) mit einer Anzahl von Düsen (60); und – einer unteren Elektrode (62) in der Kammer (52) zum Tragen des Substrats (64), wobei die untere Elektrode (62) von der oberen Elektrode (58) in einer vertikalen Richtung beabstandet ist; gekennzeichnet durch – eine Selektions-Einlassplatte (70) mit zumindest einem ersten und einem zweiten Einlassloch (72, 74), die jeweils über unterschiedlichen Bereichen der oberen Elektrode (58) angeordnet sind, – ein Selektions-Einlassventil (76) zum selektiven Öffnen des zumindest einen ersten oder des zumindest einen zweiten Einlassloches (72, 74), sodass durch den Gaseinlass (54) zugeführtes Gas verschiedenen Bereichen der oberen Elektrode (58) zuführbar ist, wobei – das selektive Öffnen durch Verschiebung des Selektions-Einlassventils (76) in vertikaler Richtung erfolgt.

Description

Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung und ein Verfahren zum Herstellen eines Dünnfilms auf einem Substrat.
Aufgrund der schnellen Entwicklung auf dem Gebiet der Informationstechnologie müssen Displays immer größere Informationsmengen anzeigen. Dazu werden neben Kathodenstrahlröhren insbesondere Flachdisplays entwickelt, die flach und leicht sind und niedrigen Energieverbrauch zeigen. Unter diesen werden Flüssigkristalldisplays (LCDs) in weitem Umfang für Monitore von Notebook-Computern, PCs, Büroautomatisierungsgeräten wie Fotokopierern sowie Handgeräten wie Mobiltelefonen und Funkrufeinrichtungen verwendet, da sie hervorragende Bildauflösung und Bildqualität auch bei farbigen Bildern zeigen.
Ein LCD verfügt über ein oberes Substrat, ein unteres Substrat sowie eine zwischen diesen beiden angebrachte Flüssigkristallschicht. Ein LCD nutzt die optische Anisotropie und die Doppelbrechung der Flüssigkristallmoleküle in der Flüssigkristall-Materialschicht, um Bilddaten durch Steuern eines an diese angelegten elektrischen Felds zu erzeugen, wobei durch dieses Feld die Anordnung der Flüssigkristallmoleküle geändert wird, um deren Lichttransmission zu variieren.
Ein LCD verfügt auch über einen Dünnschichttransistor (TFT), der als Schaltelement arbeitet. Ein LCD mit einem TFT wird allgemein als Aktivmatrix-LCD (AMLCD) bezeichnet. Ein AMLCD verfügt über eine hohe Bildauflösung, und es kann bewegte Bilder anzeigen.
Im Allgemeinen wird ein AMLCD durch einen Prozess hergestellt, zu dem ein Reinigen der Substrate, das Herstellen von Mustern auf diesen, das Herstellen von Ausrichtungsschichten, das Befestigen der Substrate aneinander, das Herstellen einer Flüssigkristallschicht zwischen den Substraten und der Einbau von Schaltkreisen gehören. Der Reinigungsprozess für die Substrate kann vor oder nach dem Prozess zum Herstellen der Muster auf ihnen ausgeführt werden, wobei bei diesem Prozess Teilchen auf den Substraten durch Reinigungsmittel entfernt werden.
Außerdem ist der Prozess zum Herstellen von Mustern auf den Substraten in einen solchen zum Herstellen von Mustern auf dem oberen Substrat und einen solchen zum Herstellen von Muster auf dem unteren Substrat unterteilt. Während des Prozesses zum Herstellen von Mustern auf dem oberen Substrat werden eine Farbfilterschicht, eine Schwarzmatrix und eine gemeinsame Elektrode auf ihm hergestellt. Während des Prozesses zum Herstellen von Muster auf dem unteren Substrat werden Gateleitungen und Datenleitungen, die zum Ausbilden von Pixelbereichen einander schneiden, ein mit jeder dieser Schnittstellen verbundener jeweiliger TFT und eine mit diesem in jedem Pixelbereich verbundene Pixelelektrode auf ihm hergestellt.
Ferner werden nach dem Herstellen der Muster auf den Substraten Ausrichtungsschichten auf dieselben aufgetragen und gerieben. Als Nächstes kann auf dem unteren Substrat ein Abdichtmittel hergestellt werden, um das untere und das obere Substrat miteinander zu verbinden. Zwischen die aneinander befestigten Substrate wird durch ein Einfüllloch ein Flüssigkristall eingefüllt, um eine Flüssigkristallschicht zu bilden, woraufhin das Einfüllloch dicht verschlossen wird.
Darüber hinaus durchlaufen die aneinander befestigten Substrate mit der darin vorhandenen Flüssigkristallschicht einen weiteren Reinigungs- und einen Schleifprozess, um eine Flüssigkristalltafel herzustellen, an der dann integrierte Schaltkreise angebracht werden.
Vorrichtungen zum Herstellen eines LCD verfügen über luftdichte Kammern, damit die Prozesse im Hochvakuum ausgeführt werden können. In weitem Umfang wird eine Clusterkammer verwendet, mit der mehrere Substrate innerhalb kurzer Zeit bearbeitet werden können. Eine Clusterkammer beinhaltet Prozesskammern, eine Schleusenkammer und eine Transportkammer. Insbesondere werden in den Prozesskammern Prozesse zum direkten Behandeln von Substraten ausgeführt. Die Transportkammer lagert Substrate und transportiert sie in die Prozesskammern oder aus ihnen heraus. Zu den Prozesskammern gehören eine Kammer für PECVD (plasma enhanced chemical vapor deposition) sowie eine solche zur Trockenätzung.
Die 1 ist eine Schnittansicht zum Veranschaulichen einer Trockenätzvorrichtung zum Herstellen eines LCD gemäß der einschlägigen Technik, und die 2 ist eine Draufsicht zum Veranschaulichen einer oberen Elektrode in dieser Vorrichtung. Wie es in der 1 dargestellt ist, verfügt diese Vorrichtung über einen Gaseinlass 12, der oben an einer Kammer 10 ausgebildet ist, sowie einen Gasauslass 11, der unten an dieser ausgebildet ist. Gase werden von einer Gasvorratseinheit (nicht dargestellt) durch den Gaseinlass 12 in die Kammer 10 eingeleitet und durch den Gasauslass 11 aus ihr ausgelassen.
Außerdem verfügt die Kammer 10 über eine untere Elektrode 21 und eine obere Elektrode 31, die voneinander beabstandet sind. Ein Substrat 22 mit einem zu strukturierenden Dünnfilm wird auf die untere Elektrode 21 innerhalb der Kammer 10 geladen. Diese untere Elektrode 21 ist mit einer äußeren Spannungsversorgung 13 verbunden, die ihr eine hochfrequente (HF) Spannung zuführt.
Der Raum zwischen der unteren Elektrode 21 und der oberen Elektrode 31 wird häufig als Reaktionsbereich bezeichnet. Die obere Elektrode 31 ist geerdet, und sie verfügt über eine Anzahl von Löchern 32. Wie es aus der 2 erkennbar ist, sind diese Löcher 32 auf Matrixweise über die obere Elektrode 31 hinweg angeordnet.
Gemäß erneuter Bezugnahme auf die 1 verfügt die Kammer 10 ferner über Gaseinlassplatten 41, 42 und 43, die über der oberen Elektrode 31 angeordnet sind, um die durch den Gaseinlass 12 eingelassenen Gase gleichmäßig zu verteilen. Die Anzahl der Gaseinlassplatten 41, 42 und 43 kann bedarfsabhängig variieren. Durch sie werden die Gase gleichmäßig eingelassen und zur oberen Elektrode 31 geleitet. Dann verbreiten sich die Gase mittels der mehreren Löcher 32 der oberen Elektrode 31 im Reaktionsbereich zwischen der oberen Elektrode 31 und der unteren Elektrode 21.
Darüber hinaus verfügt die Kammer 10 über eine untere und eine obere Abschirmung 23 und 33, die um die untere Elektrode 21 bzw. die obere Elektrode 31 herum angeordnet sind. Ein Teil der oberen Abschirmung 33 erstreckt sich in den Reaktionsbereich, so dass die Dichte eines Plasmas in einem dem Substrat 22 entsprechenden Gebiet erhöht ist.
Jedoch ist es bei dieser bekannten Trockenätzvorrichtung schwierig, Gas gleichmäßig über die gesamte Oberfläche eines Substrats zu verteilen, wenn die Substratgröße zunimmt. Außerdem können für einen zentralen Bereich und einen Randbereich eines Substrats keine verschiedenen Ätzraten eingestellt werden. Z. B. sollte eine aktive Schicht im Randbereich eines Substrats weiter geätzt werden, während im zentralen Bereich desselben eine Passivierungsschicht weiter geätzt werden sollte.
US 2004/0082251 A1 offenbart eine Vorrichtung zur anpassbaren Gasverteilung für die Verarbeitung von Halbleitersubstraten.
US 5 453 124 A offenbart eine programmierbare Gasinjektionseinheit für eine Halbleiterverarbeitungsvorrichtung.
JP 2004-103776 A offenbart eine Vorrichtung zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Vorrichtung und ein Verfahren zum Herstellen eines Dünnfilms auf einem Substrat, mit denen unterschiedliche Bereiche des Substrats unterschiedlich bearbeitet werden können, zu schaffen.
Diese Aufgabe ist durch die Vorrichtung gemäß dem beigefügten Anspruch 1 und das Verfahren gemäß dem Anspruch 11 gelöst. Mit der Vorrichtung und dem Verfahren gemäß der Erfindung können Gase der Oberfläche eines Substrats selektiv zugeführt werden, und ein Dünnfilm kann positionsabhängig mit variierender Rate über die Oberfläche eines Substrats hinweg abgeschieden/geätzt werden.
Die Erfindung wird nachfolgend anhand von durch Figuren veranschaulichten Ausführungsformen näher erläutert.
1 ist eine Schnittansicht zum Veranschaulichen einer Trockenätzvorrichtung zum Herstellen eines LCD gemäß einer bekannten Technik;
2 ist eine Draufsicht einer oberen Elektrode bei der in der 1 dargestellten Vorrichtung;
3 ist eine schematische Schnittansicht zum Veranschaulichen einer Vorrichtung zum Herstellen eines LCD gemäß einer Ausführungsform der Erfindung; und
4A und 4B sind Schnittansichten zum Veranschaulichen einer Einlassplatte bei einer Vorrichtung gemäß einer Ausführungsform der Erfindung.
Die in der 3 dargestellte Vorrichtung 50 verfügt über eine Kammer 52, an der oben ein Gaseinlass 54 und unten ein Gasauslass 56 ausgebildet sind. Gase werden von einer Gasvorratseinheit (nicht dargestellt) durch den Gaseinlass 54 in die Kammer 52 eingeleitet, und sie werden durch den Gasauslass 56 aus ihr ausgelassen. Die Vorrichtung 50 ist beispielsweise eine Trockenätzvorrichtung oder eine Plasmaätzvorrichtung. Statt einer Vorrichtung zum Ätzen kann sie jedoch auch eine solche zur Materialabscheidung sein, wie für CVD (chemical vapor deposition) oder PECVD (plasma enhanced chemical vapor deposition).
Außerdem verfügt die Kammer 52 über eine untere Elektrode 62 und eine obere Elektrode 58, die voneinander beabstandet sind. Auf die untere Elektrode 62 innerhalb der Kammer 52 wird ein Substrat 64 geladen, das einen durch einen Ätzprozess zu strukturierenden Dünnfilm tragen kann. Die untere Elektrode 62 ist mit einer äußeren Spannungsversorgung 63 verbunden, die sich außerhalb der Kammer 52 befinden kann und ihr eine hochfrequente (HF) Spannung zuführt.
Der Raum zwischen der unteren Elektrode 62 und der oberen Elektrode 58 wird als Reaktionsbereich bezeichnet. Die obere Elektrode 58 ist geerdet, und sie verfügt über mehrere Einlassdüsen 60 zum Einlassen von durch den Gaseinlass 54 zugeführten Gasen. Die Einlassdüsen 60 können matrixförmig über die obere Elektrode 58 hinweg angeordnet sein.
Ferner verfügt die Kammer 52 über Gaseinlassplatten 65, 66 und 67, die über der oberen Elektrode 58 angeordnet sind. Jede dieser Gaseinlassplatten 65, 66 und 67 verfügt über mehrere Düsen (nicht dargestellt) zum gleichmäßigen Verteilen der durch den Gaseinlass 54 eingelassenen Gase. Die Anzahl der Gaseinlassplatten kann bedarfsabhängig variieren, wobei jedoch mindestens eine Gaseinlassplatte vorhanden ist.
Außerdem verfügt die Kammer 52 über eine Selektions-Einlassplatte 70, die zwischen der oberen Elektrode 58 und den Gaseinlassplatten 65, 66 und 67 angeordnet ist. Die Selektions-Einlassplatte 70 steuert unter Verwendung eines Selektions-Einlassventils 76 die Gasverteilung über die obere Elektrode 58 hinweg. Demgemäß werden die durch den Gaseinlass 54 eingelassenen Gase durch die Düsen der Gaseinlassplatten 65, 66 und 67, das Selektions-Einlassventil 76 und dann durch die Einlassdüsen 60 der oberen Elektrode 58 selektiv über das Substrat 64 verteilt.
Gemäß den 4A und 4B verfügt die Selektions-Einlassplatte über mindestens ein erstes Einlassloch 72 und mindestens ein zweites Einlassloch 74. Das erste Einlassloch 72 kann einem zentralen Bereich der in der 3 dargestellten oberen Elektrode 58 entsprechen, um Gase auf einen zentralen Bereich des in der 3 dargestellten Substrats 64 zu konzentrieren. Außerdem kann das zweite Einlassloch 74 dem Randbereich der oberen Elektrode 58 entsprechen, um Gase auf einen Randbereich des Substrats 64 zu konzentrieren.
Die Selektions-Einlassplatte 70 verfügt ferner in ihrem Zentrum über das Selektions-Einlassventil 76, um Gase selektiv entweder durch das erste Einlassloch 72 oder das Einlassloch 74 einzulassen. Das Selektions-Einlassventil kann, gesteuert durch ein Steuerungssystem außerhalb der Kammer 52, selektiv nach oben und unten bewegt werden. Insbesondere kann es über ein erstes Loch 76a und ein zweites Loch 76b verfügen, die miteinander verbunden sein können. Das erste Loch 76a kann auch an der Oberseite des Selektions-Einlassventils 76 über eine Öffnung verfügen, und das zweite Loch 76b kann an einer Seitenfläche desselben über eine Öffnung verfügen. Z. B. können das erste Loch 76a und das zweite Loch 76b so miteinander verbunden sein, dass eine umgekehrte T-Form gebildet ist.
Wenn, wie es in der 4A dargestellt ist, das Selektions- Einlassventil 76 in eine untere Position verstellt ist, ist das zweite Loch 76b mit dem ersten Einlassloch 72 verbunden, um Gase durch dieses einzulassen. Wenn das zweite Loch 76b des Selektions-Einlassventils 76 dem ersten Einlassloch 72 entspricht, strömen durch die Gaseinlassplatten 65, 66 und 67 zugeführte Gase durch das erste Loch 76a, das zweite Loch 76b und dann das erste Einlassloch 72 zum zentralen Bereich der oberen Elektrode 58.
In der in der 4B dargestellten Positionierung ist das Selektions-Einlassventil 76 in die obere Position verstellt, und das zweite Loch 76b ist mit dem zweiten Einlassloch 74 verbunden, um Gase durch dieses einzulassen. Demgemäß strömen, wenn das zweite Loch 76b des Selektions-Einlassventils 76 dem zweiten Einlassloch 74 entspricht, durch die Gaseinlassplatten 65, 66 und 67 zugeführte Gase durch das erste Loch 76a, das zweite Loch 76b und dann das zweite Einlassloch 74 zum Randbereich der oberen Elektrode 58.
Ferner ist bei dieser Ausführungsform eine nicht dargestellte Magnetspule vorhanden, um das Selektions-Einlassventil 76 selektiv nach oben und unten zu verstellen. Dadurch wird das Selektions-Einlassventil 76 entsprechend Steuersignalen verstellt, die von außen an die Magnetspule gelegt werden.
Das Selektions-Einlassventil 76 kann, was jedoch nicht dargestellt ist, über mehr als ein einzelnes erstes und ein einzelnes zweites Einlassloch verfügen, und es kann an mindestens eine weitere Position als die obere und die untere Position verstellt werden, um dadurch die Gasverteilung feiner kontrollieren zu können. Gemäß einer nicht dargestellten Ausführungsform verfügt das Selektions-Einlassventil 76 über ein erstes, ein zweites und ein drittes Einlassloch, um Gase auf den zentralen, den mittleren und den Randbereich der oberen Elektrode 58 zu konzentrieren. Durch Verstellen des Selektions-Einlassventils 76 werden Gase selektiv durch das erste Einlassloch 72 oder das zweite Einlassloch 74 eingelassen. So kann die Gaseinlassrate variiert werden.
Die durch den in der 3 dargestellten Gaseinlass 54 eingeleiteten Gase verteilen sich durch die Düsen der Gaseinlassplatten 65, 66 und 67, das erste Loch 76a und das zweite Loch 76b des Selektions-Einlassventils 76, das erste und das zweite Einlassloch 72 und 74 und dann durch die Einlassdüsen 60 der oberen Elektrode 58 über das Substrat 54.
Demgemäß verfügt die Vorrichtung gemäß der beschriebenen Ausführungsform über eine Selektions-Einlassplatte 70 zum selektiven Konzentrieren von Gasen auf zumindest den zentralen und den Randbereich einer oberen Elektrode. Dadurch werden verschiedene Bereiche eines Substrats selektiv behandelt, da die Gaseinlassrate über die Oberfläche des Substrats hinweg selektiv kontrolliert wird, so dass ein Dünnfilm über die Oberfläche eines Substrats hinweg mit variabler Rate abgeschieden/geätzt werden kann.
Der genannte Dünnfilm kann auf einem beliebigen Typ von Substrat, z. B. einem isolierenden oder einem halbleitenden Substrat, abgeschieden/geätzt werden.

Claims

Vorrichtung (50) zum Herstellen eines Dünnfilms auf einem Substrat (64), mit: – einer Kammer (52) mit einem Gaseinlass (54); – einer in der Kammer (52) angeordneten oberen Elektrode (58) mit einer Anzahl von Düsen (60); und – einer unteren Elektrode (62) in der Kammer (52) zum Tragen des Substrats (64), wobei die untere Elektrode (62) von der oberen Elektrode (58) in einer vertikalen Richtung beabstandet ist; gekennzeichnet durch – eine Selektions-Einlassplatte (70) mit zumindest einem ersten und einem zweiten Einlassloch (72, 74), die jeweils über unterschiedlichen Bereichen der oberen Elektrode (58) angeordnet sind, – ein Selektions-Einlassventil (76) zum selektiven Öffnen des zumindest einen ersten oder des zumindest einen zweiten Einlassloches (72, 74), sodass durch den Gaseinlass (54) zugeführtes Gas verschiedenen Bereichen der oberen Elektrode (58) zuführbar ist, wobei – das selektive Öffnen durch Verschiebung des Selektions-Einlassventils (76) in vertikaler Richtung erfolgt.
Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Selektions-Einlassventil (76) über mindestens ein erstes Loch (76a) und ein zweites Loch (76b) verfügt, die miteinander verbunden sind, wobei das erste Loch (76a) eine Öffnung an der Oberseite des Selektions-Einlassventils (76) aufweist und das zweite Loch (76b) eine Öffnung an einer Seitenfläche desselben aufweist.
Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Selektions-Einlassventil (76) über mindestens ein erstes Loch (76a) und ein zweites Loch (76b) verfügt, die miteinander verbunden sind und eine umgekehrte T-Form bilden.
Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Selektions-Einlassventil (76) durch eine Magnetspule verstellbar ist.
Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Selektions-Einlassventil (76) in einem zentralen Bereich der Selektions-Einlassplatte (70) vorhanden ist.
Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Selektions-Einlassplatte (70) zumindest ein einem zentralen Bereich der oberen Elektrode (58) entsprechendes erstes Einlassloch (72) und ein einem Randbereich der oberen Elektrode (58) entsprechendes zweites Einlassloch (74) aufweist.
Vorrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Selektions-Einlassplatte (70) zumindest ein drittes Einlassloch zwischen dem ersten und dem zweiten Einlassloch (72, 74) aufweist, das in einem Bereich zwischen dem zentralen Bereich und dem Randbereich der oberen Elektrode (58) liegt.
Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass dieselbe eine Ätzvorrichtung oder eine Vorrichtung zur chemischen Dampfabscheidung ist.
Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen dem Gaseinlass (54) und der Selektions-Einlassplatte (70) mindestens eine Gaseinlassplatte (65, 66, 67) vorhanden ist.
Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen der oberen Elektrode (58) und der unteren Elektrode (62) eine Spannungsversorgung (63) vorhanden ist.
Verfahren zum Herstellen eines Dünnfilms auf einem Substrat (64), umfassend: – Zuführen eines Gases zu einer in einer Kammer (52) mit einer oberen Elektrode (58) und einer dazu vertikal beabstandeten unteren Elektrode (62) angeordneten Selektions-Einlassplatte (70) mit zumindest einem ersten und einem zweiten Einlassloch (72, 74), welche jeweils über unterschiedlichen Bereichen der oberen Elektrode (58) angeordnet sind; und – selektives Einlassen des Gases in das zumindest eine erste oder das zumindest eine zweite Einlassloch (72, 74) durch Verschieben eines Selektions-Einlassventils (76) in der Selektions-Einlassplatte (70) in vertikaler Richtung.
Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass zum selektiven Einlassen des Gases in das zumindest eine erste oder das zumindest eine zweite Einlassloch (72, 74) das Einlassen des Gases durch das zumindest eine erste Einlassloch (72) oder das zumindest eine zweite Einlassloch (74) gehört, wobei das zumindest eine erste Einlassloch (72) in einem zentralen Bereich der oberen Elektrode (58) und das zumindest eine zweite Einlassloch (74) in einem Randbereich derselben liegt.
Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass zum selektiven Einlassen des Gases in das zumindest eine erste oder das zumindest eine zweite Einlassloch (72, 74) das Einlassen des Gases durch ein erstes (72), ein zweites (74) und/oder ein drittes Einlassloch gehört, wobei das erste Einlassloch (72) in einem zentralen Bereich der oberen Elektrode (58), das zweite Einlassloch (74) in einem Randbereich der oberen Elektrode (58) und das dritte Einlassloch in einem Bereich zwischen dem zentralen Bereich und dem Randbereich der oberen Elektrode (58) liegen.
Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass es zum selektiven Einlassen des Gases in das zumindest eine erste oder das zumindest eine zweite Einlassloch (72, 74) gehört, das von einem Gaseinlass (54) zugeführte Gas kanalisiert durch das erste Loch (76a) des Selektions-Einlassventils (76) und dann durch ein zweites Loch (76b) desselben einzulassen, wobei das erste Loch (76a) eine Öffnung an der Oberseite des Selektions-Einlassventils (76) aufweist und das zweite Loch (76b) eine Öffnung an einer Seitenfläche desselben aufweist.
Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass es zum selektiven Einlassen des Gases in das zumindest eine erste oder das zumindest eine zweite Einlassloch (72, 74) gehört, das von einem Gaseinlass (54) zugeführte Gas kanalisiert durch ein erstes Loch (76a) des Selektions-Einlassventils (76) und dann durch ein zweites Loch (76b) desselben einzulassen, wobei das erste und das zweite Loch (76a, 76b) des Selektions-Einlassventils (76) miteinander verbunden sind und diese eine umgekehrte T-Form bilden.
Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass das selektive Einlassen des Gases in das zumindest eine erste oder das zumindest eine zweite Einlassloch (72, 74) ein Teil eines Ätzprozesses oder eines Prozesses mit chemischer Dampfabscheidung ist.
Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass das von einem Gaseinlass (54) zugeführte Gas durch mindestens eine Gaseinlassplatte (65, 66, 67) verteilt wird, bevor das Gas dem Selektions-Einlassventil (76) zugeführt wird.