TWI313147B - - Google Patents

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TWI313147B TW091119230A TW91119230A TWI313147B TW I313147 B TWI313147 B TW I313147B TW 091119230 A TW091119230 A TW 091119230A TW 91119230 A TW91119230 A TW 91119230A TW I313147 B TWI313147 B TW I313147B
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    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05HPLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24Generating plasma
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    • H05H1/50Generating plasma using an arc and using applied magnetic fields, e.g. for focusing or rotating the arc

Description

1313147 A7 五、發明說明(/ ) 本發明係關於一種喷射式微波電漿產生器,尤指一種 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 變化時,仍可產生並維持一穩定的電敷之嘴射式電毅產生 器。 電漿(PlaSma)是指一種具相等濃度的正負電荷介 質,或是-種由準電中性(Quasineutral)帶電氣體與中 性粒子所構成之集合體。一般電衆產生的方式,是將所需 之氣體導入一容器内,於一固定氣麼下,以直流電源(D C )、射頻(Radio Frequency )或微波(Micr〇wave)等能 量來源’利用電容式(eapaeitive )、電感式(induct 或粒子與波交互作用的方式使氣體崩潰(Breakd嶋)游離, 如此即可產生電漿。 ;線- 其t喷射式電漿(Piasma Je1;),是將電漿能量聚集在 -小的體積範圍内’以使電漿產生更高反應的能量,此種 S史什或稱為火炬電漿(plasma Tr〇ch),喷射式電漿可應用 在於半導體工業所產生的全氟化物(pFC,perflu〇rinated compounds,例如:CF4,LF6,NF3 )廢氣之處理。而以 Μ波噴射式電漿(Microwave piasma jet )運用於廢氣處 理時’由於微波頻率為2. 45GHz,其所產生之電漿具有較 尚分解氣體的能力,故比其他方式所產生之電漿能得到較 佳之處理效果。 按’德國專利DE 195 11 915 A1號之微波電漿產生器 主要係利用微波將氣體激發,以達到產生電漿之功效。此 一習用微波電漿產生器主要係包括有一可傳送微波能量之 本紙張尺度適用中國國家標準(CNs)A4規格(21〇 x 297公釐) A7 1313147 I— --—-—________ 五、發明說明() 導波管,及一連接於該導波管之金屬圓形管,於此金屬圓 形管内設有一長條形的金屬圓形喷嘴,該金屬圓形喷嘴的 尖端即電漿的開始源點,亦為直徑擴大之金屬管之始點, 此直徑擴大之金屬管之長度必須涵蓋整個電漿火炬,而此 直控擴大之金屬管的用途,即是創造一使得微波易於傳播 的條件,因而可產生一穩定的電漿。 工作氣體係經由金屬圓形喷嘴,導引至金屬圓形喷嘴 的尖端,於此喷嘴尖端之微波電場強度亦最高,因而可產 生一穩定之電漿,但是當工作壓力劇烈變動時,此一習用 微波電漿產生器的設計,無法得到一穩定的電漿,其需經 常調整導波管與金屬圓形管,來調節穩定微波以解決電漿 的穩定度,實有改善的空間與必要性。 本新發明之基礎在於一新的認知:先前假設於電漿内 之電子有如金屬導體般,是不完全正確的,電漿的電性及 特性會文到工作壓力及使用氣體之種類而改變。由實驗得 知,若要得到一穩定之電漿,尚需於電漿產生處,得到一 穩定流動的氣流,此條件於產生電漿的瞬間尤其重要。 I 為此本發明之主要目的在於:提供一種嘴射式微波 電漿產生器,其包括有一方形導波管,一與方形導波管呈 垂直連通之圓形導管,一設置於圓形導管中的内軸,一連 通於圓形導管之電漿容置管,一非導體之中空管及一設置 於電漿容置管内部可導電之螺旋管,其中内軸之頂端係位 於電名令置官之起始點,圓形導管所形成之腔體則被中空 官所分隔,並與方形導波管隔離,藉由電漿容置管、螺旋 本纸張尺度適用中國國家標準(ι::Ν5〉Αϋ (21() x 297公楚-------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本 訂: .線. 五、發明說明( :::=同形成一傳播系統的設計,可對應於工作壓 一系〜、、變動,以及傳播系統内之參數變化,產生並維持 :定之電漿’達到解決微波於傳播、匹配以及 等方面問題之功效者。 只見 特徵 為使貴審查委員能進一步瞭解本發明之結構 及其他目的’彡附以圖式詳細說明如后: (—)·圖式部份: 第圖.係本發明較佳實施例之平面示意圖。 第二圖:係本發明另一較佳實施例之平面示意圖。 (—)圖號部份: (2 )活塞 (4)電漿容置管 (6 )活塞 (8)中空管 (1 0)内軸 (1 2)螺旋管 (1)方形導波管 (3,3,)圓形導管 (5 )電漿 (7)氣體輸入管 (9 )墊圈 (1 1 )頂端 (1 3)中空管 a =螺旋管之螺旋圈間距 D1=圓形導管之直徑 D 2 =電漿容置管之直徑 D 3 =螺旋管之螺旋内徑 本發明主要係提供一種喷射式微波電聚產生器,請配 合參看第-圖所示,本發明之喷射式微波電漿產生器主要 係由-方形導波管(1)、_圓形導管(3,3 、一 1313147 中空管(8)及 A7 五、發明說明(Φ) 電衆容置管(4)、一内軸(1〇) 一螺旋管(1 2)組合所構成。 ΓΡίίΙ方Γ導波S (1)之一端係連接於微波產生器 (:=,以作為傳送由所產生的微波能量,於方形 =⑴的另-端内部設有一活塞(2)以 波能量之匹配; 圓形導官(3, 3’)係以金屬材質製成,並與方形 導波管(1 )垂直相接並呈連通,該位於方形導波管 (1 )側之圓形導管(3 )管段末端係與電漿容置管 (4)相連接,而位於方形導波管(1)的另-側之圓形 導管(3,)管段於末端係㈣有—絲(6)以供調節微波 與《的匹配值’於圓形導管(3,)近方形導波管(工)處 設有兩氣體輸入管⑺,以供工作氣體流入; 中空管(8)係為非導體,此一非導體之中空管 (8)之材質可為石英或陶瓷,該中空管(8)係設置於 圓形導管(3,3,)内部與方形導波管⑴相接處, 並藉由墊圈(9)將中空管(8)管壁與圓形導管(3, 3 )及方形導波管(1)之管壁隔離,如此當工作氣體 流入時,不會流至方形導波管(1 )内; 内軸(1 0)為金屬導體’其係軸向設置於圓形導管 (3,3 )内部,該内軸(1 〇 ) 一端之頂端(1 1 )係 位於電漿容置管(4 )之起始點,其另端係至少延伸至方 形導波管(1 )與圓形導管(3 ’ 3,)相接處,而與圓形 導管(3,3,)形成一同軸電纜之形式’且該内軸(工 本紙張尺度適用中關冢標準(CNS)A格⑵G x 297公楚) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂: --線· 1313147
五、發明說明( 0)之頂端(i i)最好為尖錐狀; 螺旋管(1 2)係可導電,該螺 於電喂容罟其…u 官(1 2 )係設置 於===產生之電漿…包圍限制 具有:同與圓形導管(3)係不相連而 圖觀之1 2·_ζ之微波頻率為例圓形導 B 之直桎D 1大約為5〇_ :電漿容置 之直徑D2大約為85咖,而其長度則最少為電激 j 生範圍之長度;螺旋管(iu之D3 55_,螺旋管(12)之管徑大約為6_,而螺旋管、、、: 2 )各螺旋圈間距a則大約為2〇mm。 在上述„又„十下’於作用時微波係經過方形導波管 (1 )導入圓形導管(3 )中,並經由圓形導管(3 )與 内轴(1 0 )所形成的-同軸電缓系統,而到達電裝容/置 管(4)之起始點,亦即内軸(1 〇)之頂端(丄工), 同時,工作氣體之氣流也會經由氣體輸入管(7),穩定 流經圓形導管(3,3,)而到達内幸“ 1〇)之尖:狀 (1 1 )的頂端,將位於内軸(2 〇)之尖錐狀(丄工) 的頂端之微波電場強度增高,則於電漿容置管(4 )之内 部會產生電漿(5),且電漿(5)係包圍限制於螺旋管 (1 2)之螺旋範圍中。 由此,電毅(5 )、電羅容置管(4)以及本發明戶# 特有的螺旋管(1 2)共同構成一特殊之傳播系統,此系 統特別適合解決微波於傳播、匹配以及傳播頻寬等方面問 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(21〇 X 297公Μ ) <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 訂 -I線· -n H , A7 B7 ^13147 五、發明說明(么) 題,於此傳播系統内,螺旋管(12)與電漿容置管 (4)共同形成一同軸電緵之外軸,所產生之電漿(5 ) 則有如内軸,藉由調整活塞(6 )之位置可達成對此微波 傳播系統之匹配,故對應於工作壓力之劇烈變動,仍可產 生並維持一穩定之電漿。 根據實驗結果,為了使得微波傳播的頻寬增加,本發 明之螺旋管(1 2)亦可為由多個單一之金屬環所組成, 在不影響其效應下,螺旋管(1 2)的圈數及其各圈間之 距離,可自由地調整。 為了得到較佳之結果,本發明之螺旋管(1 2 )將充 滿整個電漿容置管(4),而螺旋管(12)的各螺旋圈 間距a,最小可相當於該螺旋管(1 2 )之管徑。於長時 間使用時,最好能將螺旋管(1 2 )加以冷卻,因此最好 使用管狀材料。 請參看第二圖所示,其係為本發明另一較佳實施例之 平面示意圖,其大致結構係如上述之結構,惟中空管(工 3 )係沿圓形導管(3, ,3)朝電漿容置管(4 )延 伸,並貫通過螺旋管(i 2 )所形成之螺旋段中央,該中 空管(1 3 )之材質為非導體之石英或陶瓷,而螺旋管 』1 2)之兩端係穿出電漿容置管(4)管壁,且該螺旋 管(1 2)係可被冷卻,該中空f (工3 )係通過本發明 喷射式微波«產生器之„ (5)部份,或者可延伸通 過整個喷射式微波電t產生器,對於使用對環保有宝之氣 體、或是經過電躁(5)處理後,產生有害之物質的製 1313147 五、發明說明( 明設計做適度的㈣有效處理廢氣,而 的需求)可加以冷卻的設計,可適用於長時間工作 综上料,本發明確可朗如前揭所料進 漿產生器之功效,上述係為本發明較佳實施: . ' ❽非用錄制本發明之申請㈣,且本發明 確已具備前述能增進既有習作的功效之優點,當 έ· 專利申請之要件,爰依法具文提出申請。 訂 線 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公髮)

Claims (1)

1313| J—4.7 π 以 η 沭r ’ g 六、申請專利範圍 1 ·一種喷射式微波電漿產生器,其包括有: (請先間讀背面之注意事項再塡寫本頁) 一方形導波管,其係作為傳送由微波產生器所產生的 微波能量; 一與方形導波管垂直相接並呈連通之圓形導管,該圓 形導官為金屬材質, 一活塞,係設於該方形導波管的另一側之圓形導管管 段的末端,以供調節微波與電漿的匹配值; 一電漿容置管,該電漿容置管為金屬材質且其直徑大 於圓形導管,電漿容置管並與圓形導管之一端相連通,且 該電漿容置管之長度係足以涵蓋整個電漿之部份; 一非導體之中空管,該中空管係設置於圓形導管與方 形導波管相接處,並藉由墊圈將中空管管壁與圓形導管及 方形導波管之管壁隔離; 一軸向設置於圓形導管内部之内轴,該内軸一端之頂 端係位於電漿容置管之起始點,其另端係至少延伸至方形 導波管與圓形導管相接處,而與圓形導管形成一同軸電纜 之形式;以及 一可導電之螺旋管,其係設置於電漿容置管内部; 如此電漿會產生於螺旋管所構成之螺旋範圍内,而電 漿、電漿容置管以及螺旋管係共同形成一傳播系統,螺旋 管與電漿容置管構成一同軸電纜之外軸,而所產生之電漿 則有如内轴,於此傳播系統内,可對應於工作壓力之劇烈 變動,以及傳播系統内之參數變化,產生並維持一穩定之 電漿,以達到解決微波於傳播、調節以及傳播頻寬等方面 ___ 11 ___ _ —___ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 x 297公釐) 1313147
申請專利範圍 12 之問題。 2 .如申請專利範圍笫 生器,JL 、了 β 1員所述之喷射式微波電漿產 間。 电水奋置管所形成之腔體内部空 3 ·如申請專利範圍第 將產^ ^ ^固弟1或2項所述之喷射式微波電 采屋生斋,其中可墓丄田 、 電之螺旋管與圓形導管兩者不相連 接。 σα如巾明專利&圍第1或2項所述之喷射式微波電 ’生器其中可導電之螺旋管具有可讓冷媒通過的出入 D 〇 。5 .如申清專利範圍第3項所述之噴射式微波電漿產 生器’其中可導電之螺旋管具有可讓冷媒通過的出入口。 6 ·如申請專利範圍第1或2項所述之喷射式微波電 聚產生|§ ’其中圓形導管具有將工作氣體穩定導入之氣體 輸入管。 7 ·如申請專利範圍第3項所述之噴射式微波電漿產 生器’其中圓形導管具有將工作氣體穩定導入之氣體輪入 管。 8 ·如申請專利範圍第4項所述之噴射式微波電漿產 生器,其中圓形導管具有將工作氣體穩定導入之氣體輸入 管0 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再塡寫本頁) #. 訂..
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Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7164095B2 (en) * 2004-07-07 2007-01-16 Noritsu Koki Co., Ltd. Microwave plasma nozzle with enhanced plume stability and heating efficiency
US20060052883A1 (en) * 2004-09-08 2006-03-09 Lee Sang H System and method for optimizing data acquisition of plasma using a feedback control module
TW200742506A (en) * 2006-02-17 2007-11-01 Noritsu Koki Co Ltd Plasma generation apparatus and work process apparatus
DE102006019664B4 (de) * 2006-04-27 2017-01-05 Leibniz-Institut für Plasmaforschung und Technologie e.V. Kaltplasma-Handgerät zur Plasma-Behandlung von Oberflächen
US20100074810A1 (en) * 2008-09-23 2010-03-25 Sang Hun Lee Plasma generating system having tunable plasma nozzle
US7921804B2 (en) * 2008-12-08 2011-04-12 Amarante Technologies, Inc. Plasma generating nozzle having impedance control mechanism
US20100201272A1 (en) * 2009-02-09 2010-08-12 Sang Hun Lee Plasma generating system having nozzle with electrical biasing
US20100254853A1 (en) * 2009-04-06 2010-10-07 Sang Hun Lee Method of sterilization using plasma generated sterilant gas
US20150279626A1 (en) * 2014-03-27 2015-10-01 Mks Instruments, Inc. Microwave plasma applicator with improved power uniformity
US9653266B2 (en) * 2014-03-27 2017-05-16 Mks Instruments, Inc. Microwave plasma applicator with improved power uniformity
PL235377B1 (pl) 2016-04-05 2020-07-13 Edward Reszke Adapter kształtujący mikrofalowe pole elektromagnetyczne nagrzewające toroidalne wyładowanie plazmowe
RU2650197C1 (ru) * 2017-03-09 2018-04-11 Общество С Ограниченной Ответственностью "Твинн" Многоступенчатый плазмотрон

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AU415625B2 (en) * 1965-11-02 1971-07-27 Commonwealth Scientific And Industrial Research Organization Production of metals from their halides
US4297615A (en) * 1979-03-19 1981-10-27 The Regents Of The University Of California High current density cathode structure
DE3905303C2 (de) * 1988-02-24 1996-07-04 Hitachi Ltd Vorrichtung zur Erzeugung eines Plasmas durch Mikrowellen
JP2805009B2 (ja) * 1988-05-11 1998-09-30 株式会社日立製作所 プラズマ発生装置及びプラズマ元素分析装置
JPH02215038A (ja) * 1989-02-15 1990-08-28 Hitachi Ltd マイクロ波プラズマ極微量元素分析装置
US5389153A (en) * 1993-02-19 1995-02-14 Texas Instruments Incorporated Plasma processing system using surface wave plasma generating apparatus and method
DE19511915C2 (de) * 1995-03-31 1997-04-30 Wu Jeng Ming Dipl Ing Plasmabrenner mit einem Mikrowellengenerator
DE19824077A1 (de) * 1998-05-29 1999-12-02 Leybold Systems Gmbh Vorrichtung zur Erzeugung von Plasma

Also Published As

Publication number Publication date
WO2003026365A1 (de) 2003-03-27
US20040262268A1 (en) 2004-12-30
EP1421832B1 (de) 2006-10-04
EP1421832A1 (de) 2004-05-26
DE50208353D1 (de) 2006-11-16

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