TWI313070B - - Google Patents
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- TWI313070B TWI313070B TW92102153A TW92102153A TWI313070B TW I313070 B TWI313070 B TW I313070B TW 92102153 A TW92102153 A TW 92102153A TW 92102153 A TW92102153 A TW 92102153A TW I313070 B TWI313070 B TW I313070B
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!313070 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明疋有關於一種由Π-V族元素(Uj_V group element)構成 的發光二極體(light emitting diode,簡稱LED)及其製作方法,且特 別是有關於一種可控制式微型粗糙表面的發光二極體及其製作方 法。 、 【先前技術】 ΠΙ-V族元素構成的發光一極體為一種寬能隙(bandgap)的材 質,其發光波長從紫外光一直涵蓋到紅光,因此可說是幾乎涵蓋 所有可見光的波段,其中氮化鎵(GaN)發光二極體元件深受注目。 如第1圖所示,其繪示習知一種具有氮化鎵化合物半導體的發光 二極體結構示意圖。 請參照第1圖,此類型的發光二極體1〇〇係形成在一基底1〇 上,如氧化紹(Ai2〇3)基底。基底10上依序為晶核層(nucleati〇n layer)12 與 N 型換雜導電緩衝層(lHype c〇nductive buffeHay㈤14。 緩衝層14之上為有一層作為發光用的主動層(active丨吵沉)丨8,且於 八上下刀別形成有束缚層(confinement layer) 16、20。束缚層16、 20的換雜型是相反的’如圖所示,下束缚層i6gN型換雜的氣 化鎵(n-GaN) ’而上束缚層2〇為P型摻雜的氮化鎵㈣㈣。之後, 於上束缚層2〇之上形成接觸層22,其為換雜的氮化錄。接著, 再形成透明電極24,形成此透明電極之材質通常㈣型捧雜,如 氧化銦錫(Indium tin oxide)、氧化錫録(㈤如·如〇xi蛛戈極薄之 金屬,並做為發光二減100的陽極。此外,在緩衝層14與束缚 5 1313070 層16、束缚層2G、主動層18隔離的區域上形成電極%,作為發 光二極體100的陰極。 接著,請參考第2圖’其繪示第i圖中之發光二極體的發光區 域範圍示細。當在發光二極體漏的電極24、26施加順向偏壓 時,此發光二和讀便會導通。此時,電流由電極24流向主動層18。 然而’由於主動層18所發出的光如圖所示,其中有部分光線會在 發光二極體内部產生全反射的現象,因此其所造成的光損失 將大幅降低發光二極體100之發光效率。 【發明内容】 、、因此’本發明之目的是提供—種發光二極體及其製作方法, 以避免主動層所發出的光發光二極體内部發生全反射。 士發明之另-目的是提供—歸光二顧及鄕作方法,以 增加發光二極體之發光效率。 根據上述·它目的,本剌糾—種轉於—基底上的發 t極體,至少包括-主動層、—下束騎、—上束缚層、陽極 電極以及陰極雜。社述發光二極體結構巾各料之配置係下 束缚層位於基底上、絲層位於下束騎上、上束騎位於主動 層上、_電極位於上束缚層上、陰極電極則位於下束缚層上並 且與上束缚層、主動層與陽極電極隔離。其中,基躲下^缚層 之界面、下束缚層與絲層之界面、主動層與上束缚層之界面、曰 j缚層觸極電極之界面以及下束缚層與陰極電極之界面 規律性的粗輕面。 至少包括 本發明再提[齡構於-絲上的發光二極 1313070 雷ί動不同導電型的上束縛層與下束缚層、-緩衝層、陽極 衝層述發光二極體結構中各部件之配置係緩 ^上束缚層位於主動層上、陽極電極位在上束縛層上、^ 隔離立Γί衝上纽與上束缚層、下束缚層、主動層與陽極電極 L緩衝與下束缚層之界面、下束缚層與主動層之界面、 触ϋί缚層之界面、上束缚層與陽極電極之界面以及緩衝 層與陰極電極之界面均為規律性的粗糙面。 輯 本發曰月又提出-種發光二極體的製作方法,包括 行一表面處理,使其表面成為規律性的_ t 基底上依序形成共形的下束縛層、主動層以及上束 命曰接著’於上束缚層上形成一陽極電極以及於下束缚層上且 ,、上=層、主_與陽極f極隔離的區域上形成陰極電。 另外,本發明又提出-種發光二極體的製作方法, 底力ί於基底上形成一緩衝層。然後,對緩衝層進行-表 ,二的下束缚層、主動層以及上束缚層。接著,於上束缚f ^形成-%極電極以及於導電隔離層上且與上束缚層、下曰 層、主動層與陽極電極隔離的區域上形成—陰極電極。 β本發明因為在製作發光二極體之職對基底進行表 , ==製程_對緩衝層進行表面處理,使其表面成為一 的粗糙面,线躲此姆面上财形献餘 二極體元件表面_為-規律性的粗触,如此, 動層所發出的光線發生全反射的現象, °避免 ”率。此外’她在進行表面處理時, 或是開口之間的間距(piteh) ’此間距的控制與發光二極體元件的; 1313070 ’因此僅_'溝渠或是開口的間距以 極體的外部量子效率最佳化。 毛月之發先一 下文ίίίίΐϋ述Ϊ其他目的、特徵、和優點能更明顯易懂’ 下文特牛較佳實知例’並配合所附圖式,作詳細說明如下: 【實施方式】 、本發明之主要概念係利用製作發光二極體期間,對基底或緩衝 層進行表面處理,使其表面成為—規雜的祕面,致使後續形 成的各層皆與基底或緩衝層獅而具有規律的祕面,以避免主 動層所發出的光在發光二極_發生全反射。依此概念所形成的 電晶體結構及其製作方法至対兩種麵。以下將配合第3、4圖 以及第5、6圖做更進一步的說明。 第一實施例 第3圖係依照本發明之—第一實施例之發光二極體的製造流 程步驟圖。 請參照第3圖,首先於步驟中’提供一基底,此基底之 材質可以是氧化銘(Α12〇3)、碳化石夕(Sic)、氧化辞(Ζη0)、石夕⑼基 底、鱗化鎵(GaP)、神化鎵(GaAs)等或其他適用的基底材質。接著, 於步驟3G2中’對基底進行—表面處理,使其表面成為規律性的 粗糙面,其中對基底進行表面處理之方式例如是施行一微影/餘刻 製程,以使基底的表面上具有規律性的圖案,如數條溝渠或數個 呈陣列排列的開口等。另外,對基底進行表面處理之方式也可包 1313070 ,在基底上开^成一層沈積層,再對此沈積層施行另一微影/飿刻 製程,以使基底表面上的沈積層具有規律性的圖案,如數條溝渠 或數個呈陣列排列的開口等。而當本實施例在對基底進行表面處 理時’可控制所形成的溝渠或是開口之間的間距(pitch),此間距的 控制與發光二極體元件的外部量子效率有直接的關連,其範圍嬖 如在1〜10微米(㈣之間,較佳者為卜5微米之間。因此,本發明 僅而針對溝渠或是開口的間距以及後、魏晶製程的條件參數進行 控制,即可使得發光二極體的外部量子效率最佳化。 春 接著,於步驟綱中’於基底上依序形成共形的下束缚層、 主動層(activelayer)以及上束缚層,其中主動層之材質包括以曰瓜_ V族元素為主的-量子井(quantumwe_構,而此量子井結構例 如疋 AlalnbGa^bN/AlJriyGa—N,其中 a,b》〇;(^a+b<1 ; &岭 〇 ; (Kx+y<l ;x>c>a。而下束缚層例如是N型摻雜的氮化嫁㈣㈣, 而上束缚層例如是p型摻雜的氮化。 此外’因為P或N型氮化鎵系列半導體與上述常用之基底晶鲁 格匹配性财改善社間’ S此在軸下束_之前可先形成一 層晶核層(—ye雜基底之上,再於晶核層上形成一緩衝 層(bufferlayer) ’以提高後續之氮化鎵系列化合物結晶成長之品 質’同時也提高產品良率,其中晶核層之材質包括
AluInvGai_u_vN(U,錢(Ku+Wl)、緩衝層之材質則可使用例如 AlJiidGak-dN (c,d>0;(Kc+d<l)等之未摻雜材質。 1313070 之後,於步驟306中,於上束缚層上形成一陽極電極,其材 料譬如為金屬’例如 Ni/Au、Ni/Pt、Ni/Pd、Ni/Co、Pd/Au、Pt/Au、 Ti/Au、Cr/Au、Sn/Au、Ta/Au、TiN、TiWNx 或是 WSix 等。再者, &極電極也可以疋N型之透明導電氧化層(transparent conductive oxide,簡稱 TCO)例如 ITO、CTO、ZnO:A卜 ZnGa204、Sn02:Sb、
Ga2〇3:Sn、AglnOySn、In2〇3:Zn等,或P型之透明導電氧化層例 如 CuA102、LaCuOS、NiO、CuGa02、SrCu202 等等。 隨後,於步驟308中,於下束缚層上且與上束缚層、主動層 以及陽極電極隔離的區域上形成陰極電極,其中陰極電極之材質 至少包括 Ti/Al、Ti/Al/Ti/Au、Ti/Al/Pt/Au、Ti/Al/Ni/Au、 Ti/Al/Pd/Au、Ti/Al/Cr/Au、Ti/Al/Co/Au、Cr/Au、Cr/Pt/Au、 Cr/Pd/Au、Cr/Ti/Au、Cr/TiWx/Au、Cr/Al/Cr/Au、Cr/Al/Pt/Au、 Cr/A_Au、Cr/Al/Ti/Au、Cr/Al/Co/Au、Cr/Al/Ni/Au、Pd/Al/Ti/Au、
Pd/Al/Pt/Au ' Pd/Al/Ni/Au > Pd/Al/Pd/Au ' Pd/Al/Cr/Au ' Pd/Al/Co/Au、Nd/Al/Pt/Au、Nd/Al/Ti/Au、Nd/Al/Ni/Au、
Nd/Al/Cr/Au ' Nd/Al/Co/Au > Hf^Al/Ti/Au > Hf/Al/Pt/Au ' H^Al/Ni/Au ' Hf/Al/Pd/Au ' H^Al/Cr/Au > Hf/Al/Co/Au '
Zr/Al/Ti/Au、Zr/Al/Pt/Au、Zr/Al/Ni/Au、Zr/Al/Pd/Au、Zr/Al/Cr/Au、 Zr/Al/Co/Au ' TiNx/Ti/Au ' TiNx/Pt/Au ' TiNx/Ni/Au ' TiNx/Pd/Au '
TiNx/Cr/Au > TiNx/Co/Au TiWNx/Ti/Au ' TiWNx/Pt/Au ' TiWNx/Ni/Au ' TiWNx/Pd/Au > TiWNx/Cr/Au' TiWNx/Co/Au ' NiAl/ Pt/Au' NiAl/Cr/Au' NiAl/Ni/Au' NiAl/Ti/Au' Ti/NiAl/Pt/Au' Ti/NiAl/ Ti/Au、Ti/NiAl/Ni/Au 或 Ti/NiAl/Cr/Au 等。 另外,於上束缚層上形成陽極電極之前,可於上束缚層上先 形成一接觸層,其材質例如是P型摻雜的氮化鎵。 而利用上述實施例所製作出的一種架構於一基底40上的發光 1313070 二極體以及其發光區域範圍示意圖,如第4圖所示。 請參照第4圖,本實施例之發光二極體包括一主動層418、一 下束缚層416、一上束缚層420、一晶核層412、一緩衝層414、 一接觸層422、陽極電極424以及陰極電極426。而上述發光二極 體結構中各部件之配置係下束缚層416位於基底40上、晶核層412 在基底40與下束缚層416之間、緩衝層414在晶核層412與下束 缚層416之間、主動層418則位於下束缚層416上、上束缚層420 位於主動層418上、陽極電極424位於上束缚層420上、接觸層 422位於上束缚層420與陽極電極424之間、陰極電極426則位於 下束缚層416上並且與上束缚層420、主動層418與陽極電極424 隔離。 請繼續參照第4圖,本實施例的重要特徵之一是基底4〇與晶 核層412之界面、晶核層412與緩衝層414之界面、緩衝層414 與下束缚層416之界面、下束缚層416與主動層418之界^、主 動層418與上束缚層之界面、上束缚層42〇與接觸422之界 面、接觸層422與陽極電極424之界面以及緩衝層414與陰極電 極426之界面均為規律性的粗糖面。目此,從主動層·發出的 大部分光將直接從發光二極體射出,而不會於發光二極 _第二實施例 理 本發明還可糊㈣縣二鋪_,對緩觸進行表面處 ’使其表面成為-規律性的祕面,以避免主輔所發 在^二極肋發生全反射。請參考第5圖,其餘縣發明之 一第二實施例之發光二極體的製造流程步驟圖。 請參照第5 @,首先於步驟500中,提供一基底,其材質可 以包括前述之第-實施例中的基底材f。然後,於步驟5〇2中, 1313070 恢未摻崎質。接著姆_巾,對緩衝層 = 处使其表面成為規律性的粗糙面,其中對缓衝層 志仃表面處理之方式例如是贿-微影/烟製程,以使緩衝層的 面上具有規律性的圖案,如數條溝渠或數個呈陣列排列的開口 =而穌實酬在騎_進躲錢辦,可㈣所形成的 j或疋開Π之間的間距’此間距的控制與發光二極體元件的外 部量子效率有直接_連,其範_如在㈣之間,較 者為,5微米之S。因此’本㈣僅需針對·或是開口的間 的外部量子效率最佳化。 接著’於步驟506中’於緩衝層上依序形成共形的下束缚層、 主動層以及上賴層,其中下束騎之材_如是N型換雜的氮 化鎵、上束縛層之材質例如是p型摻雜的氮化鎵、主動層之材質 譬如以瓜-V族元素為主的一量子井結構,而此量子井結構例如是鲁 Alaln^^/AUn^a^^N » a,b>〇 ; 〇<a+b<1 ; χ^〇 . 〇<x+y<l ; x>c>a ° 此外’因為P·型氮化_辭導體與上述相之基底晶 格匹配性仍纽善的娜,_麵錢觸之討絲成一層 晶核層於基底d提高後叙氮化_舰合物結晶成長之 品質,同時也提高產品良率,其t晶核層之材質包括 12 1313070
AluInvGai-u-vN(u,v>Oj〇<u+v<l^ 〇 之後’於步驟508巾’於上束缚層上形成一陽極電極,其材 ,譬如為金屬、N型之透明導電氧化層(TC〇)或是p型之透明導電 氧化層而上述各種材g的詳細範例如前述第—實施例中所述。 P遺後’於步驟510 +,於緩衝層上且與下束缚層、上、 主動層以及陽極電極隔離的區域上形成—陰極,其中陰極曰電 極之材質可以包括前述之第—實施例中的各種材質。 另外’於上束缚層上形成陽極電極之前,可於上束缚層上先 形成-接觸層’其材質例如是!>型摻雜的氮化鎵。 而利用上述實施例所製作出的—種架構於_基底⑻上的發光眷 二極=以及,發光區域範圍示意圖,如第6圖所示。 清參照第6圖,本實施例之發光二極體包括一主動層618、一 下束缚層616、-上束缚層62G、一晶核層612、一緩衝層614、 :接觸層622、陽極電極624以及陰極電極626。而上述發光二極 體、、,。構中各部件之配置係緩衝層614位於基底㈤上、晶核層⑽ 在基底60與緩衝層614之間、下束缚層616在緩衝層614上、主 動層則位於下束缚層616上、上束缚層62〇位於主動層618 上陽極電極624位於上束缚層620上、接觸層622位於上束缚❿ 層620與陽極電極624之間、陰極電極626則位於緩衝層614上 並且與下束缚層616、上束缚層62〇、主動層618以及陽極電極624 互相隔離。 續參照第6圖’本實施例的重要特徵之-是緩衝層614 與下束缚層616之界面、下束缚層616與主動層618之界面、主 動層618與上束缚層62〇之界面、上束缚層620與接觸622之界 面、接觸層622與陽極電極624之界面以及緩衝層614與陰極電 極626之界面均為規律性的粗鍵面。 13 1313070 為證實本發明之功效,請參者 抑麻电—丄 麥考下列之表一,其係根據前述第 -實靶例所t作的發先二極體與f知的發 值為20毫安培(mA)時所獲得的輪 一本體在、入的電机 為mW。 出功率比較表,其中功率的單位
由*可#本發%之發光二極體在輸出功率上較習知的發光 14 1313070 二極體足足增加約18.2%的功效。 f此*本發明之特點在於_製作㈣二極體之前先 進仃表域理’歧於製錢__層進行絲輕,^ =成為:規律性的_面,所以能夠避免主動層所發出的光於 先二極體内部發生全反射,進而增加發光二極體之發光效率。 此外,本發明在進行表面處理時,可控制所形成的溝渠或是 f 口之間的間距(pitch)’此間距的控制與發光二極體元件的外部量 子效率有直接的關連。耻,本發明健針對溝渠或是開口的間
距以及後續紹製㈣條件參數進行㈣,即可使得發光二極體 的外部量子效率最佳化。 、、沐f明已以較佳實_彳揭露如上,財並獅以限定本 毛明’任何熟習此技藝者,在不脫離本發明之精神和範圍内,當 可作各種之更動與潤飾’因此本發日月之保護範圍當視後附之 專利範圍所界定者為準。 【圖式簡單說明】 第1圖是習知一種具有氮化鎵化合物半導體的發光二極體結 構示意圖; 第2圖繪示第1圖中之發光二極體的發光區域範圍示意圖; 第3圖係依照本發明之一第一實施例之發光二極體的製造流 程步驟圖; 第4圖係依照本發明之第一實施例所製作之發光二極體的結 構以及發光區域範圍示意圖; 第5圖係依照本發明之一第二實施例之發光二極體的製造流 程步驟圖;以及 15 1313070 第6圖係依照本發明之第二實施例 構以及發光區域範圍示意圖 菸恭伞庶砝誌ifi 士咅hi。 &作之發光二極體的結 【主要元件符號說明】 10,40,60 :基底 12,412,612 :晶核層 14,414,614 :緩衝層 16,20 ’ 416 ’ 420 ’ 616 ’ 620 :束缚層 18,418,618 :主動層 22 ’ 422 ’ 622 :接觸層 24 :透明電極 26 ’ 424,426 ’ 624,626 :電極 100 :發光二極體 300,500 :提供一基底 :皮表面處理’使其表面成為規律性的粗糙面 30 .祕底上鱗軸共_下束.絲層以及上束缚 m 306 ’ 508 :於上束缚層上形成一陽極電極 且與上賴層、絲層以及雜電極隔離 的區域上形成一陰極電極 502 ·於基底上形成一緩衝層 而5〇4 :對緩衝層進行一表面處理,使其表面成為規律性的粗糙 缚層5〇6於緩衝層上依序形成共形的下束缚層、主動層以及上束 電極隔離的區域上形、上賴層、絲層以及陽極 16
Claims (1)
- 【—— -----------------------------' 卜御1修⑻正本 十、申請專利範圍: l種發光二極體結構,架構於一基底上,至少包括: 一缓衝層,位於該基底上; 且該緩衝層與下束缚層之界 且該下束缚層與該主動層之 且該主動層與該上束缚層之 一下束缚層,位於該緩衝層上, 面為規律性的一第一粗糙面; 一主動層’位於該下束缚層上, 界面為規律性的一第二粗糖面; 一上束缚層,位於該主動層上, 界面為規律性的一第三粗縫面; 1極電極,位在該上束_ ±,膽上束_與該陽 極之界面為規律性的一第四粗縫面;以及 一陰極電極,位於該緩衝層上,且與該上束缚層、該下束 層、該主動層以及該陽極電極相隔離,其中該緩衝層與該陰極 極之界面為規律性的一第五粗链面。 ’ 2. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體結構’其中該基广 與該緩衝層之界面為規律性的一第六粗糙面。 、^土氐 3. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體結構,更包括· 一晶核層,位於該基底與該下束缚層之間;以及 一接觸層,位於該上束缚層與該陽極電極之間。 4. 如申請專利範圍第3項所述之發光二極體結構,其中該美底 與該晶核層之界面為規律性的一第七粗糖面。 Χ土- 5.如申請專利範圍第4項所述之發光二極體結構,其中該晶核 層與該下束缚層之界面為規律性的一第八粗糙面。 乂 6·如申請專利範圍第3項所述之發光二極體結構,其中該晶核 層材質包括 AlJ^Ga^N (u,虻〇;(Ku+v<l)。 曰 乂 7.如申請專利範圍第1項所述之發光二極體結構,其中該緩衝 17 1313070 層之材質包括 AlcIndGa^N (c,d20;0^c+d<〇 〇 8.如申請專利範圍第丨項所述之發光二極體結構,其中該基底 之材質包括氧化鋁、碳化矽、氧化鋅、矽基底、磷化鎵、砷化鎵 其中之一。 9·如申請專利範圍第1項所述之發光二極體結構,其中該主動 層之材質包括以ΠΙ-V族元素為主的一量子井結構。 10·如申請專利範圍第9項所述之發光二極體結構,其中該量子 井結構包括 AlJiibGa^bN/AlJiiyGai-x-yN,其中 a,b>0;0Sa+b<l; x,y>0; 0<x+y<l; x>c>a ° 11.如申請專利範圍第1項所述之發光二極體結構,其中該陰極 電極之材質至少包括 Ti/Al、Ti/Al/Ti/Au、Ti/Al/Pt/Au、Ti/Al/Ni/Au、 Ti/Al/Pd/Au ' Ti/Al/Cr/Au ' Ti/Al/Co/Au ' Cr/Au ' Cr/Pt/Au ' Cr/Pd/Au、Cr/Ti/Au、Cr/TiWx/Au、Cr/Al/Cr/Au、Cr/Al/Pt/Au、 Cr/Al/Pd/Au、Cr/Al/Ti/Au、Cr/Al/Co/Au、Cr/Al/Ni/Au、Pd/Al/Ti/Au、 Pd/Al/Pt/Au > Pd/Al/Ni/Au ' Pd/Al/Pd/Au ' Pd/Al/Cr/Au ' Pd/AVCo/Au ' Nd/Al/Pt/Au ' Nd/AyTi/Au > Nd/Al/Ni/Au ' Nd/Al/Cr/Au > Nd/Al/Co/Au ' H^Al/Ti/Au ' H£/Al/Pt/Au ' Hf /Al/Ni/Au > H^Al/Pd/Au' Hf/Al/Cr/Au' Hf/Al/Co/Au > Zr/Al/Ti/Au > Zr/Al/Pt/Au' Zr/Al/Ni/Au > Zr/Al/Pd/Au' Zr/Al/Cr/Au' Zr/Al/Co/Au > TiNx/Ti/Au、TiNx/Pt/Au、TiNx/Ni/Au、TiNx/Pd/Au、TiNx/Cr/Au、 TiNx/Co/Au TiWNx/Ti/Au、TiWNx/Pt/Au、TiWNx/Ni/Au、 TiWNx/Pd/Au > TiWNx/Cr/Au > TiWNx/Co/Au > NiAl/ Pt/Au ' NiAVCr/Au ' NiAl/Ni/Au ' NiAl/ Ti/Au ' Ti/NiAl/ Pt/Au > Ti/NiAl/ Ti/Au、Ti/NiAl/Ni/Au、Ti/NiAl/Cr/Au 其中之一。 12.如申請專利範圍第1項所述之發光二極體結構,其中該陽極 電極之材質包括 Ni/Au、Ni/Pt、Ni/Pd、Ni/Co、Pd/Au、Pt/Au、Ti/Au、 1313070 Cr/Au、Sn/Au、Ta/Au、TiN、TiWNx 以及 WSix 其中之一。 13. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體結構,其中該陽 極電極之材質包括一 N型透明導電氧化層與一 P型透明導電氧化 層其中之一。 14. 如申請專利範圍第13項所述之發光二極體結構,其中該n 型透明導電氧化層包括 ITO、CTO、ZnO:Al、ZnGa2〇4、Sn02:Sb、 Ga203:Sn、AgM)2:Sn 以及 Ιη203:Ζη 其中之一。 15. 如申請專利範圍第13項所述之發光二極體結構,其中該p 型透明導電氧化層包括CuA102、LaCuOS、NiO、CuGa02以及 SrCii2〇2 其中之一。 16·如申請專利範圍第1項所述之發光二極體結構,其中該第 一粗縫面、該第二粗縫面、該第三粗链面、該第四粗糖面以及該 第五粗糙面之圖案包括複數條溝渠。 17. 如申請專利範圍第16項所述之發光二極體結構,其中該些 溝渠之間的間距在1〜1〇微米之間。 18. 如申請專利範圍第丨項所述之發光二極體結構,其中該第 一粗糖面、該第二粗輪面、該第三粗糙面、該第四粗糙面以及該 第五粗輪面之圖案包括複數個開口。 19. 如申請專利範圍第18項所述之發光二極體結構,其中該些 開口的形狀包括溝渠型、圓形、方形、橢圓形、三角形其中之一。 20. 如申請專利範圍第18項所述之發光二極體結構,其中該些 開口之間的間距在1〜1〇微米之間。 21. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體結構,其中該下 束缚層之材質包括N型摻雜的氮化鎵以及該上束缚層之材質包括 P型摻雜的氮化鎵。 22. —種發光二極體的製作方法,包括: 19 1313070 提供一基底; 粗糙=基底進行—表面處理,使該基底之表面成為規律性的一 束缚ί該基底上依序形成共形的—下束缚層、—主動層以及一上 於該上束缚層上形成一it極電極;以及 爲、:層上形成一陰減極’且該陰極電極與該上束缚 曰、該主動層與該陽極電極互相隔離。 、’ 23. 如申請專利範圍第22項所述之發光二極體的製作盆 中對該基錢機表域歡麵包括施行—鄕/侧製程。,、 24. 如申明專利範圍第22項所述之發光二極體的製作方立 中對該基底進行該表面處理之步驟包括: 一 在該基底上形成一沈積層;以及 對該沈積層施行一微影/飯刻製程。 申請專利範圍第22項所述之發光二極體的製作方法,其 中該粗趟面之圖案包括複數條溝渠。 /、 26·如申5月專利範圍帛22項所述之發光二極體的製作方复 中該粗糖面之圖案包括複數個開口。 ’、 27. 如申請專利範圍第26項所述之發光二極體的製作 发 中該些開口的形狀包括圓形、方形、侧形、三角形其中之—:、 28. 如申δ月專利範圍第η項所述之發光二極體的製作方 中對該基底進行該表面處理之後,更包括: 、 於該基底上形成一晶核層;以及 於該晶核層上形成一緩衝層。 29. 如申請專利範圍第22項所述之發光二極體的製作方法,其 中於該上束缚層上形成該陽極電極之前,更包括形成—接觸層於 20 1313070 該上束縛層上。 3〇.-種發*二極體的製作方法,包括: 提供一基底; 於該基底上形成一緩衝層; 對該猶層進行—表喊理’使該麟層之表面成為性 的一粗糙面; 於該緩衝社依細成共糊-T東缚層、-絲層以及-上束缚層; 於該上束缚層上形成—陽極電極;以及 於該緩衝層上形成一陰極電極,且該陰極電極與該上束缚 曰該下束、4層、該主動層以及該陽極電極互相隔離。 中對項所述之發光二極體的製作方法,其 鲛衝層進订該表面處理之步驟包括施行—微影製程。 清專利範圍第30項所述之發光二極體的製作方法,其 中該粗I面之圖案包括複數條溝渠。 ^ 申請專利範圍第%項所述之發光二極體的製作方法,其 中該粗k面之圖案包括複數個開口。 申°,專纖圍第33項所述之發光二極 中方形、橢圓形、三角形其作中二其 中料其总明專利乾圍第3〇項所述之發光二極體的製作方法,其 層。 支㈣之剛’更包括於該基底上形成-晶核 中二專利範圍第SO項所述之發光二極體的製作方法,t 該上束缚層上。城電極之前,更包括形成-接觸層於
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW92102153A TW200414563A (en) | 2003-01-30 | 2003-01-30 | Light emitting diode and a method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW92102153A TW200414563A (en) | 2003-01-30 | 2003-01-30 | Light emitting diode and a method of manufacturing the same |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW200414563A TW200414563A (en) | 2004-08-01 |
TWI313070B true TWI313070B (zh) | 2009-08-01 |
Family
ID=45072708
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW92102153A TW200414563A (en) | 2003-01-30 | 2003-01-30 | Light emitting diode and a method of manufacturing the same |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
TW (1) | TW200414563A (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9166116B2 (en) | 2012-05-29 | 2015-10-20 | Formosa Epitaxy Incorporation | Light emitting device |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI418056B (zh) * | 2007-11-01 | 2013-12-01 | Epistar Corp | 發光元件 |
DE102007057756B4 (de) * | 2007-11-30 | 2022-03-10 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterkörpers |
TWI393269B (zh) * | 2008-06-17 | 2013-04-11 | Epistar Corp | 發光元件 |
TWI464908B (zh) * | 2012-08-30 | 2014-12-11 | Formosa Epitaxy Inc | Light emitting device |
-
2003
- 2003-01-30 TW TW92102153A patent/TW200414563A/zh not_active IP Right Cessation
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9166116B2 (en) | 2012-05-29 | 2015-10-20 | Formosa Epitaxy Incorporation | Light emitting device |
US9741699B2 (en) | 2012-05-29 | 2017-08-22 | Epistar Corporation | Light emitting device |
US10247395B2 (en) | 2012-05-29 | 2019-04-02 | Epistar Corporation | Light emitting device |
US10670244B2 (en) | 2012-05-29 | 2020-06-02 | Epistar Corporation | Light emitting device |
US11255524B2 (en) | 2012-05-29 | 2022-02-22 | Epistar Corporation | Light emitting device |
US11808436B2 (en) | 2012-05-29 | 2023-11-07 | Epistar Corporation | Light emitting apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW200414563A (en) | 2004-08-01 |
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