TW200414563A - Light emitting diode and a method of manufacturing the same - Google Patents

Description

200414563 五、發明說明（l) -- 發明所屬之技術領域 本發明是有關於一種由π- V族元素（H[〜v gr0Up element)構成的發光二極體（light emitting diode，簡 稱LED )及其製作方法，且特別是有關於一種可』:6式微~型 粗糙表面的發光二極體及其製作方法。 先前技術 HI - V族元素構成的發光二極體為一種寬能隙 (bandgap)的材質’其發光波長從紫外光一直涵蓋到紅 光’因此可說是幾乎涵蓋所有可見光的波段，其中氮化嫁 (GaN)發光二極體元件深受注目。如第1圖所示，其繪示習 知一種具有氮化鎵化合物半導體的發光二極體結構示意白 圖。 請參照第1圖，此類型的發光二極體丨〇 〇係形成在一義 底1 0上’如氧化銘（A丨2 〇3)基底。基底1 〇上依序為晶核層 (nucleation layeiOU與N型摻雜導電緩衝層（n —type曰 conductive buffer layer)14。緩衝層 14 之上為有一層作 為發光用的主動層（active layer)18，且於其上下分別平 成有束缚層（confinement layer) 16、20。束缚層16、^ 的摻雜型是相反的，如圖所示，下束缚層丨6為N型摻雜的 氮化鎵（η-GaN)，而上束缚層2〇為p型摻雜的氮化鎵 (p-GaN)。之後，於上束缚層2〇之上形成接觸層22，其 型摻雜的氮化鎵。接著，再形成透明電極24，形成此透 電極之材質通常為N型摻雜，如氧化銦錫（Indium Un oxide)、氧化錫鎘（Cadmium tin oxide)或極薄之金屬，

10558twf.ptd 第7頁 200414563 五、發明說明（2) 在緩衝層1 4與束缚 域上形成電極2 6，作 圖中之發光二極體的 體1 0 0的電極2 4、2 6 導通。此時，電流由 動層1 8所發出的光如 極體100内部產生全 將大幅降低發光二極 « 發光二極體及其製作 二極體内部發生全反 並做為發光二極體1 0 0的陽極。此外 層1 6、束缚層2 0、主動層1 8隔離的區 為發光二極體1 0 0的陰極。 接著，請參考第2圖，其繪示第1 發光區域範圍示意圖。當在發光二極 施加順向偏壓時，此發光二極體便會 電極2 4流向主動層1 8。然而’由於主 圖所示，其中有部分光線會在發光二 反射的現象，因此其所造成的光損失 體1 0 0之發光效率。 發明内容 因此，本發明之目的是提供一種 方法，以避免主動層所發出的光發光 射。 本發明之另一目的是提供一種發光二極體及其製作方 法，以增加發光二極體之發光效率。 出一種架構於一基底 、一下束缚層、一上 上述發光二極體結構 上、主動層位於下束 極電極位於上束縛層 與上束缚層、主動層 縛層之界面、下束縛 層之界面、上束缚層 根據上述與其它目的，本發明提 上的發光二極體，至少包括一主動層 束缚層、陽極電極以及陰極電極。而 中各部件之配置係下束缚層位於基底 缚層上、上束缚層位於主動層上、陽 上、陰極電極則位於下束縛層上並且 與陽極電極隔離。其中，基底與下束 層與主動層之界面、主動層與上束缚

1

II

10558twf.pul 第8頁 200414563 五、發明說明（3) 與陽極電極之界 律性的粗糙面。 本發明再提 少包括一主動層 緩衝層、陽極電 中各部件之配置 層上、主動層位 陽極電極位在上 上束缚層、下束 衝與下束缚層之 與上束缚層之界 層與陰極電極之 本發明又提 然後 面以及下束缚層與陰極電極之界面均為規 出一種架構於一基 、不同 極以及 係緩衝 於下束 束缚層 缚層、 界面、 面、上 界面均 導電型 陰極電 層位於 缚層上 上、陰 主動層 下束缚 束缚層 為規律 出一種發光 的上 才虽 〇 基底 、上 極電 與陽 層與 與陽 性的 極體 供一基底 規律性 層、主 極電極 極隔離 另 括先提 衝層進 著，於 束缚層 隔離層 的粗彳造面 動層以及 以及於下 的區域上 外，本發 供 行 基底 表面 緩衝層上 。接著， 上且與上 ，對基 。接著 上束縛 束缚層 形成陰 明又提 ，再於 處理， 依序形 於上束 束缚層 底進行一表 ，於基底上 層。接著， 上且與上束 極電極。 出一種發光 基底上形成 使其表面成 成共形的下 缚層上形成 、下束缚層 底上的發光二極體，至 束缚層與下束缚層、一 而上述發光二極體結構 上、下束缚層位於緩衝 束缚層位於主動層上、 極則位於緩衝上並且與 極電極隔離。其中，緩 主動層之界面、主動層 極電極之界面以及緩衝 粗链面。 的製作方法，包括先提 面處理，使其表面成為 依序形成共形的下束缚 於上束缚層上形成一陽 缚層、主動層與陽極電 二極體的製作方法，包 一緩衝層。然後，對緩 為規律性的粗链面。接 束缚層、主動層以及上 一陽極電極以及於導電 、主動層與陽極電極隔

10558twf.ptd 第9頁 200414563 五、發明說明（4) 離的區域上形成一陰極電極。 本發明因 處理，或是於 成為一規律性 他蠢晶層’使 糙面，如此， 的現象，進而 在進行表面處 間距（p i t c h )， 子效率有直接 以及後績蠢晶 之發光二極體 為讓本發 顯易懂，下文 說明如下： 實施方式 本發明之 底或緩衝層進 面，致使後續 ^聿的粗彳造面’ 生全反射。依 少有兩種型態 一步的說明。 為在製作發光二極體之前先對基底進行表面 製程期間對緩衝層進行表面處理，使其表面 的粗縫面，之後再於此粗糙面上依序形成其 得發光二極體元件表面同樣為一規律性的粗 便能夠避免主動層所發出的光線發生全反射 增加發光二極體之發光效率。此外，本發明 理時，可控制所形成的溝渠或是開口之間的 此間距的控制與發光二極體元件的外部量 的關連，因此僅需針對溝渠或是開口的間距 製程的條件參數進行控制，即可使得本發明 的外部量子效率最佳化。 明之上述和其他目的、特徵、和優點能更明 特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細 主要概念係利用製作發光二極體期間，對基 行表面處理，使其表面成為一規律性的粗糙 形成的各層皆與基底或緩衝層共形而具有規 以避免主動層所發出的光在發光二極體内發 此概念所形成的電晶體結構及其製作方法至 。以下將配合第3、4圖以及第5、6圖做更進 第一實施例

11 mi

10558twf.ptd 第10頁 200414563 五、發明說明（5) 第一實施例之發光 極體 的 第3圖係依照本發明之 製造流程步驟圖。 此基 請參照第3圖，首先於步驟3〇〇中，提供— 底之材質可以是氧化銘(Α1Λ)、碳化石夕(Μ)、γ， (ΖηΟ)、石基底、碟化嫁（Gap)、神化 ^辞 基广:Γ[接著，於步驟302中，對基底二或其 又^ J 使，、表面成為規律性的粗糙面，i中對仃 行表面處理之方式例如是施行一微影/蝕刻製程，'基底進 底的表面上具有規律性的圖案，如數條溝渠或數個。使基 排列的開口等。另外，對基底進行表面處理之方式^車別 括先在基底上形成一層沈積層，再對此沈積層施可包 影/蝕刻製程，以使基底表面上的沈積層具有規律性〜微 案，如數條溝渠或數個呈陣列排列的開口等。而當、告圖 例在對基底進行表面處理時，可控制所形成的溝渠=施 口之間的間距（pitch)，此間距的控制與發光二極體元1開 的外部量子效率有直接的關連，其範圍譬如在丨〜丨0微米（ 髀）之間，較佳者為1〜5微米之間。因此，本發明僅需針 對溝渠或是開口的間距以及後續磊晶製程的條件參數進行 控制，即可使得發光二極體的外部量子效率最佳化。 接著’於步驟3 0 4中，於基底上依序形成共形的下束 缚層、主動層（active layer)以及上束缚層，其中主動層 之材質包括以Π-V族元素為主的一量子井（quantum well)結構，而此量子井結構例如是AlaInbGai—a_bN / AlxIn vGai-x-vN ，其中 a，b^〇 ;〇$a + b<l ; x, y ^ 0 ;〇$x + y<l ； l〇558iwl\Pia 第11頁 200414563

X >c >a。而下束缚層例如是N型摻雜的氮化鎵（n —GaN)， 五、發明說明（6) 而上束缚層例如是p型摻雜的氮化鎵（p — G a |\[)。 此外，因為P或N型氮化鎵系列半導體與上述常用之基 底晶格匹配性仍有改善的空間，因此在形成下束縛層之前 可先形成一層晶核層（nucleation layer)於基底之上，再 於晶核層上形成一緩衝層（b u f f e r 1 a y e r )，以提高後續之 氮化鎵系列化合物結晶成長之品質，同時也提高產品良 率’其中晶核層之材質包括A 1。I r^.Gajtv^Ku，v ^ 〇 ; 〇 $ u + v $ 1 )、緩衝層之材質則可使用例如A lc I nd G a! d N ( c，d - 〇 · 0 Sc + d < 1 )等之未摻雜材質。 ’ 之後，於步驟30 6中，於上束缚層上形成一陽極電 （顯 極’其材料譬如為金屬，例如N i / A u、N i / P t、N i / P d、

Ni/Co 、Pd/Au 、Pt/Au 、Ti/Au 、Cr/Au 、Sn/Au 、Ta/Au 、

TiN、TiWNx或是WSix等。再者，陽極電極也可以是n型之 ~ 透明導電氧化層（transparent conductive oxide，簡稱 TC0)例如 ITO、CTO、ZnO: A1、ZnGa2 04、Sn02 :Sb、Ga203 :Sn、Agln02 ·· Sn、ln2 03 : Zn等，或P型之透明導電氧化層例 如CuA102、LaCuOS、NiO、CuGa02、SrCu2 02 等等。 隨後，於步驟308中，於下束缚層上且與上束缚層、 主動層以及陽極電極隔離的區域上形成陰極電極，其中陰 極電極之材質至少包括Ti/Al、Ti/Al/Ti/Au、 Ti/Al/Pt/Au 、Ti/Al/Ni/Au 、Ti/Al/Pd/Au 、

Ti/Al/Cr/Au 、Ti/Al/Co/Au 、 Cr/Au 、Cr/Pt/Au 、 Cr/Pd/Au、Cr/Ti/Au、Cr/TiWx/Au > Cr/Al/Cr/Au、

10558twf.ptd 第12頁 200414563 五、發明說明（7)

Cr/Al/Pt/Au 、Cr/Al/Pd/Au 、Cr/Al/Ti/Au 、

Cr/Al/C〇/Au 、Cr/Al/Ni/Au 、Pd/Al/Ti/Au 、

Pd/Al/Pt/Au 、Pd/Al/Ni/Au 、Pd/Al/Pd/Au 、、 Pd/Al/Cr/Au 、Pd/Al/Co/Au 、Nd/Al/Pt/Au 、

Nd/Al/Ti/Au 、Nd/Al/Ni/Au 、Nd/Al/Cr/Au Nd/Al/Co/A 、 ΙΙΓ/Al/Ti/Au、Hf/Al/Pt/Au、II f / A 1/N i / Au、

Ilf/Al/Pd/Au、Hf/Al/Cr/Au、Hf/Al/Co/Au、

Zr/Al/Ti/Au > Zr/Al/Pt/Au 、Zr/A 1/Ni/An 、

Zr/Al/Pd/Au 、 Zr/Al/Cr/Au 、 Zr/Al/Co/Au 、

TiNx/Ti/Au 、TiNx/Pt/Au 、TiNx/Ni/Au 、TiNx/Pd/Au 、 TiNx/Cr/Au 、TiNx/Co/Au TiWNx/Ti/Au 、TiWNx/Pt/Au 、

TiWNx/Ni/Au 、丁iWNx/Pd/Au 、TiWNx/Cr/Au 、

TiWNx/Co/Au 、NiAl/ Pt/Au 、NiAl/Cr/Au 、NiAl/Ni/Au 、 NiAl/Ti/Au 、Ti/NiAl/Pt/Au 、Ti/NiAl/ Ti/Au 、

Ti/NiAl/Ni/Au 或Ti/NiAl/Cr/Au 等。 另外’於上束缚層上形成陽極電極之前，可於上束缚 層上先形成一接觸層，其材質例如是P型摻雜的氮化鎵。 而利用上述實施例所製作出的一種架構於一基底4 〇上 的發光二極體以及其發光區域範圍示意圖，如第/圖所

示。 請參照第4圖，本實施例之發光二極體包括一主動^ 418、一下束缚層416、一上束縛層42〇、一晶核層Μ?、: 緩衝層414、一接觸層422、陽極電極424以 而上述發光二極體結構中各部件之配置=二

]〇558iwf.Ptd 第13頁 200414563 五、發明說明（8) '—"' ---- 2 6位Λ基底4 〇上、晶核層4 1 2在基底4 0與下束縛層4 1 β $ 曰、緩衝層4 1 4在晶核層4 1 2與下束缚層4丨6之間、主 418則位於下束缚層416上、上束縛層42〇位於主動層μ 8曰 上、陽極電極424位於上束缚層42〇上、接觸層422位於 束縳層42 0與陽極電極424之間、陰極電極42 6則位於下 、、專層416上並且與上束縛層420、主動層418與陽極電極0 請繼續參照第4圖，本實施例的重要特徵之一是基底 40與晶核層412之界面、晶核層412與緩衝層414之界二: 緩衝層414與下束縛層416之界面、下束缚層416與主動層 418之界面、主動層418與上束缚層42〇之界面、上束縛^ 420與接觸422之界面、接觸層422與陽極電極424之界面以 及緩衝層414與陰極電極42 6之界面均為規律性的粗糙面。 因此，從主動層418發出的大部分光將直接從發光二極體 射出，而不會於發光二極體内部發生全反射。 第二實施例 本發明退可利用製作發光二極體期間，對緩衝層進行 表面處理，使其表面成為一規律性的粗縫面，以避免主動 層所發出的光在發光二極體内發生全反射。請參考第5 圖，其係依照本發明之一第二實施例之發光二極體的製造 流程步驟圖。 請參照第5圖，首先於步驟5〇〇中，提供一基底，其材 為可以包括前述之第一實施例中的基底材質。然後，於步 騄5 0 2中，於基底上形成一緩衝層，其材質則可使用例如 200414563 五、發明說明（9) A lc I ndGa卜 c—d N (c，d^0;0$c + d<l)等之未摻雜材質。接 著，於步驟5 0 4中’對緩衝層進行一表面處理，使其表面 成為規律性的粗糙面，其中對緩衝層進行表面處理之方式 例如是施行一微影/蝕刻製程，以使緩衝層的表面上具有 規律性的圖案，如數條溝渠或數個呈陣列排列的開口等。 而當本實施例在對緩衝層進行表面處理時，可控制所形成 的溝渠或是開口之間的間距，此間距的控制與發光二極體 元件的外部量子效率有直接的關連，其範圍譬如在卜1 〇微 米（騁）之間，較佳者為卜5微米之間。因此，本發明僅需 針對溝渠或是開口的間距以及後續磊晶製程的條件參數進 行控制，即可使得發光二極體的外部量子效率最佳化。 接著，於步驟5 0 6中，於緩衝層上依序形成共形的下 束缚層、主動層以及上束缚層，其中下束缚層之材質例如 是N型摻雜的氮化鎵、上束縛層之材質例如是P型摻雜的氮 化鎵、主動層之材質譬如以Π- V族元素為主的一量子井 結構，而此量子井結構例如是人13111^311，/^1)(111^31_?(_^， 其中 a，b^0 ； 0 ^ a + b < 1 ；x,y^0 ；0^x + y<l ； x > c > a o 此外，因為P或N型氮化鎵系列半導體與上述常用之基 底晶格匹配性仍有改善的空間，所以在形成緩衝層之前可 先形成一層晶核層於基底之上，以提高後續之氮化鎵系列 化合物結晶成長之品質，同時也提高產品良率，其中晶核 層之材質包括A lu I nvGa卜 U_VN (u，v20;0Su + vSl)。 之後，於步驟508中，於上束縛層上形成一陽極電

10558twf.ptd 第15頁 200414563 五、發明說明（10) P極型之其Λ料Λ如為金[N型之透明導電氧化層(TC0)或是 述第—實施例中所述。 才貝的砰細犯例如刖 击Μ隨後，於步驟510中，於緩衝層上且與下束缚層、上 、Ί、主動層以及陽極電極隔離的區域上形成一陰極電 :種^陰極電極之材質可以包括前述之第-ΐ二“ 2外，於上束縛層上形成陽極電極之前，可於上束缚 a i:成一接觸層’其材質例如是ρ型摻雜的氮化鎵。 :利用上述實施例所製作出的_種架構於一基細上 一，先—極體以及其發光區域範圍示意圖，如第6圖所 >|\ ° 睛参照第6圖，本實施例之發光二極體包括一主動層 緩衝二束缚層616、一上束缚層620、一晶核層612、-a 4、一接觸層622、陽極電極624以及陰極電極 位於美而底 發光曰二極體結構中各部件之配置係緩衝層614 上、晶核層6 1 2在基底6 0與緩衝層6 1 4之間、 f缚層616在緩衝層614上、主動層618則位於下束缚層… 击練束縛層62〇位於主動層618上、陽極電極624位於上 上、接觸層622位於上束缚層62g與陽極電極似 間、陰極電極626則位於緩衝層614上並且與下束缚層 離。*缚層62 0、主動層618以及陽極電極624互相隔 明、孩績苓照第β圖，本實施例的重要特徵之一是緩衝

200414563 五、發明說明（11) 層614與下束缚層616之界面、下 毋二 ^ 个、、守層bl6與主動層618之 界面、主動層618與上束缚層6 2 0之界面、上束缚層62〇與 接觸6 2 2之界面、接觸層6 2 2與陽極電極624之界面以及緩 衝層6 1 4與陰極電極6 2 6之界面均為規律性的粗糙面。 為證貫本發明之功效，請參考下列之表一，其係根據 前述第一實施例所製作的發光二極體與習知的發光二極體 在通入的電流值為20毫安培（mA)時所獲得的輸出功率比較 表’其中功率的單位為mW。 表一 «

10558twf.ptd 第17頁 200414563 五、發明說明（12) 裉攄第一冒施传斲製作的 發光二極體 習知的發光二極體 電壓値V'f) 坊率(power) 電壓値Vf) 坊率(power) 3.21 4.86 3.08 4.766 3.15 4.234 3.15 3.936 3.15 4.958 3.15 4.317 3.24 4.819 3.15 3.753 3.28 5.242 3.15 4.132 3.15 4.777 3.15 3.872 3.28 5.543 3.15 4.321 3.34 4.951 3.15 3.734 3.34 4.66 3.15 3.691 3.21 4.906 3.15 4.43 3.28 4.702 3.15 3.621 3.21 5.094 3.15 3.974 3.15 4.562 3.15 3.857 3.28 4.713 3.15 4.223 3.15 5.102 3.15 4.679 3.15 5.449 3.15 3.925 3.28 4.389 3.15 4.426 3.28 4.547 3.15 4.034 3.34 4.728 3.15 4.026 3.28 4.464 平均値 平均値 增進％ 4.835 4.090368421 18.20451124 標準差 標準差 0.336391689 0.329110115 « 由表一可知，本發明之發光二極體在輸出功率上較習 知的發光二極體足足增加約1 8. 2%的功效。 因此，本發明之特點在於利用製作發光二極體之前先 對基底進行表面處理，或是於製程期間對緩衝層進行表面

]〇558twf.pid 第18頁 200414563 表面成 的光於 之發光 本發明 之間的 外部量 或是開 即可使 發明已 ，任何 當可作 附之申 為一規律性的粗链面，所以能夠避免主 内部發生全反射，進而增加 五、發明說明（13) 處理，使其 動層所發出 發光二極體 此外， 渠或是開口 極體元件的 需針對溝渠 進行控制， 雖然本 限定本發明 和範圍内， 範圍當視後 發光二極體 效率。 在進行表面 間距（p i t c h 子效率有直 口的間距以 得發光二極 以較佳實施 熟習此技藝 各種之更動 請專利範圍 處理時，可控制所形成的溝 )，此間距的控制與發光二 接的關連。因此，本發明僅 及後續磊晶製程的條件參數 體的外部量子效率最佳化。 例揭露如上，然其並非用以 者，在不脫離本發明之精神 與潤飾，因此本發明之保護 所界定者為準。

l()558twf. pt d 第19頁 200414563 圖式簡單說明 第1圖是習知一種具有氮化鎵化合物半導體的發光二 極體結構示意圖； 第2圖繪示第1圖中之發光二極體的發光區域範圍示意 圖， 第3圖係依照本發明之一第一實施例之發光二極體的 製造流程步驟圖； 第4圖係依照本發明之第一實施例所製作之發光二極 體的結構以及發光區域範圍示意圖； 第5圖係依照本發明之一第二實施例之發光二極體的 制 造流程步驟圖；以及 鲁 第6圖係依照本發明之第二實施例所製作之發光二極 體的結構以及發光區域範圍示意圖。 圖式標示說明 1 0，40，60 :基底 412 414 20 418 422 12, 14， 16, 18， 22， 2 4 ： 26， 100 300 302 ，614 416， ，618 ，622 透明電極 424 ， 426 ， 624 :發光二極體 ，5 0 0 :提供一基底 :對基底進行一表面處理，使其表面成為規律性 6 2 0 :束缚層 6 1 2 :晶核層 :緩衝層 420 ， 616 :主動層 :接觸層 6 2 6 :電極

10558twf.ptd 第20頁 200414563 圖式簡單說明 的粗米造面 3 0 4 :於基底上依序形成共形的下束縛層、主動層以 及上束缚層 3 0 6，5 0 8 :於上束缚層上形成一陽極電極 308 :於下束缚層上且與上束缚層、主動層以及陽極 電極隔離的區域上形成一陰極電極 5 0 2 :於基底上形成一緩衝層 5 0 4 :對緩衝層進行一表面處理，使其表面成為規律 性的粗_邊面 5 0 6 :於緩衝層上依序形成共形的下束縛層、主動層 以及上束縛層 510 ··於緩衝層上且與下束缚層、上束缚層、主動層 以及陽極電極隔離的區域上形成一陰極電極

i()55«lwi'. pt d 第21頁

Claims (1)

1. 申請專利範圍 括 種發光二極 體結構，架構於 緩衝層，位於該基 基底上，至 少包 底上 屛之界 ^ 一 叫π琢緩衝層上 律性的-第-粗且該緩衝層 動層之界心：於該下束縛層上，且，τ φ 曰心介甶為規律性的一 且泫下束缚 束缚層，位於該主2:造面； ’一 π㈢之界面為規律性的一:上，且該主動層與該上 —陽極電極，位在兮二^齟糙面； 陽極電極之界面為規律性的一 j層上，且該上束缚層與 :陰極電極，位於該緩衝m造面；以及 盥兮二 4主動層以及該陽極電搞★ 〃、该上束缚層、該- 2 π極之界面為規律d目隔離，其中該緩衝/ 中該第1項所述構 -/…亥緩衝層之界面為規 枝収、.，。構， 3·如申請專利範圍第丨 的一弟六粗糙面 包括： ^之之發光二極體結構， 一=核層，位於該基底與該下束缚層之 4·如Ϊ ί專Κ該亡束缚層與該陽極電極之間及 中該基底心曰校：圍：3項所述之發光二極體結構， 氏、垓日日核層之界面為規律性的一第七 •如申請專利範圍第4項所述之發夫一枚麻、、疋 該 其 200414563 申請專利範圍 面。 6 ·如申請專利範圍第3項所述之發光二極體結構，其 中該晶核層材質包括Α1υ InvGai n VN (u，v ^0 ; 〇 Su + v $ 1 )。 7 ·如申凊專利範圍第1項所述之發光二極體結構，其 中該級衝層之材質包川（c，d go; 〇 $c + ci < 1 ) 之未播雜材質。 8 ·如申請專利範圍第1項所述之發光二極體結構，其 中該基底之材質包括氧化鋁、碳化矽、氧化鋅、矽基底、 磷化鎵、砷化鎵其中之一。

   9 ·如申請專利範圍第1項所述之發光二極體結構，其 中該主動層之材質包括以ffl — V族元素為主的一量子井結 構。 1 0 ·如申請專利範圍第9項所述之發光二極體結構，其 中該量子井結構包括Ala IribGaitbN/AlxIriyGai x_yN，其中a，b ^ 〇 ;〇$a + b<l ； x, y ^ 〇 ; 0 ^x + y < 1 ;x>c>a。 Π ·如申請專利範圍第1項所述之發光二極體結構，其 中該陰極電極之材質至少包括Ti/Al、Ti/Al/Ti/Au、 Ti/Al/Pt/Au 、Ti/Al/Ni/Au 、Ti/Al/Pd/Au 、 Ti/Al/Cr/Au 、Ti/Al/Co/Au 、Cr/Au 、Cr/Pt/Au 、 Cr/Pd/Au 、Cr/Ti/Au 、Cr/TiWx/Au 、Cr/Al/Cr/Au 、 Cr/Al/Pt/Au 、Cr/Al/Pd/Au 、Cr/Al/Ti/Au 、 Cr/Al/Co/Au 、（:r/Al/Ni/Au、Pd/Al/Ti/Au 、 Pd/Al/Pt/Au 、 Pd/Al/Ni/Au 、 Pd/Al/Pd/Au 、、 Pd/Al/Cr/Au 、Pd/Al/Co/Au 、Nd/Al/Pt/Au 、

   10$58twf.ptd 第23頁 200414563 六、申請專利範圍 Nd/Al/Ti/Au 、Nd/Al/Ni/Au 、Nd/Al/Cr/Au Nd/Al/Co/A 、 1Π / A 1 / 丁 i / A u、II f / A 1 / P t / A u、II f / A 1 / N i / A u、 llf/Al/Pd/Au、llf/Al/Cr/Au、lIf/Al/Co/Au、 Zr/Al/丁 ι/Au、Zr/Al/Pt/Au、Zr/Al/Ni/Au、 Zr/Al/Pd/Au 、Zr/Al/Cr/Au 、Zr/Al/Co/Au 、 TiNx/Ti/Au 、TiNx/Pt/Au > TiNx/Ni/Au 、TiNx/Pd/Au 、 T i N x / C r / A u、T i N x / C o / A u T i W N x / T i / A u、T i W N x / P t / A u、 TiWNx/Ni/Au 、TiWNx/Pd/Au 、TiWNx/Cr/Au 、 TiWNx/Co/Au 、NiAl/ Pt/Au 、NiAl/Cr/Au 、NiAl/Ni/Au 、 NiAl/ Ti/Au 、 Ti/NiAl/ Pt/Au 、 Ti/NiAl/ Ti/Au 、 鲁 Ti/NiAl/Ni/Au 、Ti/NiAl/Cr/Au其中之一。 1 2 ·如申請專利範圍第i項所述之發光二極體結構，其 中該陽極電極之材質包括Ni/All、Ni/Pt、Ni/Pd、Ni/Co、 Pd/Au、Pt/Au、Ti/Au、CrVAu、Sn/Au、Ta/Au、TiN、 ‘ TiWNx以及wsix其中之一。 1 3 ·如申請專利範圍第1項所述之發光二極體結構，其 中該陽極電極之材質包括一 N型透明導電氧化層與一 p型透 明導電氧化層其中之一。 1 4 ·如申請專利範圍第1 3項所述之發光二極體結構， 其中该N型透明導電氧化層包括1丁〇、CT〇、Zn〇:A1、znGa2 _ 〇4、Sn〇2:Sb、Ga2〇3:Sn、AgIn02:Sn 以及 Ιη20:3:Ζη 其中之 ·如申請專利範圍第1 3項所述之發光二極體結構， 其中"亥？型透明導電氧化層包括CuA102、LaCuOS、NiO、

   10558twf.ptd 第24頁 200414563 t、申請專利範圍 CuGa02以及SrCu2 02其中之一。 1 6.如申請專利範圍第1項所述之發光二極體結構，其 中該第一粗糖面、該第二粗縫面、該第三粗縫面、該第四 粗糙面以及該第五粗糙面之圖案包括複數條溝渠。 1 7.如申請專利範圍弟1 6項所述之發光二極體結構， 其中該些溝渠之間的間距在1〜1 0微米之間。 1 8.如申請專利範圍第1項所述之發光二極體結構，其 中該第一粗縫面、該第二粗彳造面、該第三粗链面、該第四 粗糙面以及該第五粗糙面之圖案包括複數個開口。 1 9.如申請專利範圍第1 8項所述之發光二極體結構， 其中該些開口的形狀包括溝渠型、圓形、方形、橢圓形、 三角形其中之一。 2 0.如申請專利範圍第1 8項所述之發光二極體結構， 其中該些開口之間的間距在1〜1 0微米之間。 2 1.如申請專利範圍第1項所述之發光二極體結構，其 中該下束缚層之材質包括N型摻雜的氮化鎵以及該上束缚 層之材質包括P型摻雜的氮化鎵。 2 2. —種發光二極體的製作方法，包括： 提供一基底； 對該基底進行一表面處理，使該基底之表面成為規律 性的一粗糙面； 於該基底上依序形成共形的一下束缚層、一主動層以 及一上束缚層； 於該上束缚層上形成一陽極電極；以及 1 11 Hi I 10558twf.ptd 第25頁 200414563 六、申請專利範圍 於該下束缚層上形成一陰極電極，且該陰極電極與該 上束缚層、該主動層與該陽極電極互相隔離。 2 3 ·如申請專利範圍第2 2項所述之發光二極體的製作 方法，其中對該基底進行該表面處理之步驟包括施行一微 影/蝕刻製程。 2 4.如申請專利範圍第2 2項所述之發光二極體的製作 方法，其中對該基底進行該表面處理之步驟包括： 在該基底上形成一沈積層；以及 對該沈積層施行一微影/餘刻製程。 2 5.如申請專利範圍第2 2項所述之發光二極體的製作 方法，其中該粗糙面之圖案包括複數條溝渠。 2 6.如申請專利範圍第2 2項所述之發光二極體的製作 方法，其中該粗糙面之圖案包括複數個開口。 2 7.如申請專利範圍第2 6項所述之發光二極體的製作 方法，其中該些開口的形狀包括圓形、方形、橢圓形、三 角形其中之一。 2 8.如申請專利範圍第2 2項所述之發光二極體的製作 方法，其中對該基底進行該表面處理之後，更包括： 於該基底上形成一晶核層；以及 於該晶核層上形成一緩衝層。 2 9.如申請專利範圍第2 2項所述之發光二極體的製作 方法，其中於該上束缚層上形成該陽極電極之前，更包括 形成一接觸層於該上束缚層上。 3 0. —種發光二極體的製作方法，包括：

   10558twf.ptd 第26頁 200414563 六、申請專利範圍 提供一基底； 於該基底上形成一缓衝層； 對該緩衝層進行一表面處理，使該緩衝層之表面成為 規律性的一粗糙面； 於該緩衝層上依序形成共形的一下束缚層、一主動層 以及一上束縛層； 於該上束缚層上形成一陽極電極；以及 於該緩衝層上形成一陰極電極，且該陰極電極與該上 束缚層、該下束缚層、該主動層以及該陽極電極互相隔 離。 3 1 .如申請專利範圍第3 0項所述之發光二極體的製作 方法，其中對該緩衝層進行該表面處理之步驟包括施行一 微影製程。 3 2.如申請專利範圍第3 0項所述之發光二極體的製作 方法，其中該粗糙面之圖案包括複數條溝渠。 3 3.如申請專利範圍第3 0項所述之發光二極體的製作 方法，其中該粗糙面之圖案包括複數個開口。 3 4.如申請專利範圍第3 3項所述之發光二極體的製作 方法，其中該些開口的形狀包括圓形、方形、橢圓形、三 角形其中之一。 3 5.如申請專利範圍第3 0項所述之發光二極體的製作 方法，其中於該基底上形成該緩衝層之前，更包括於該基 底上形成一晶核層。 3 6.如申請專利範圍第3 0項所述之發光二極體的製作

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