TWI311777B - - Google Patents

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1311777 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於-種將半導體晶圓、顯示器用基板、或電 子裝置等被洗淨物洗淨之洗淨方法及洗淨裝置，尤其係關 於可不損傷被洗淨物中的裝置圖案等而除去其中之顆粒 者。 【先前技術】 、：導體裝置之製造步驟中’含有於半導體晶圓表面重複 進仃成膜或敍刻等處理而形成微細圖案之步驟。為形成微 細圓案，須將半導體晶圓之兩面尤其是薄膜形成面保持清 潔，故而業者現使用基板洗淨裝置來進行半導體晶圓之洗 淨處理。於進行如此之半導體晶圓洗淨處理之基板洗淨f 置中，使用雙流體喷嘴，藉由高厂堅空氣或高壓氣氣將_ 霧化後撞擊基板’而除去顆粒(例如參照曰本專利特開 2002-270564 號公報）。 與半導體晶圓相同，即使於液晶顯示器或pDp基板等被 洗淨物中，亦使用相同之洗㈣置進行洗淨。 於上述半導體晶圓之洗淨方法中，存在如下之問題。 即’於藉由兩壓空氣或高壓氮氣將純水霧化以除去顆粒之 方法中，顆粒-旦脫離半導體晶圓表面，即於在半導體晶 圓上的液膜中被輸送、排出之過程中再附著於晶圓表面， 且無法充分除去顆粒。 又，存在以下問題：於為提高顆粒除去率而提高純水 109639-980121.doc 1311777 壓力以及南壓空氣或高壓氮氣壓力之情形時，損傷形成 於半導體晶圓表面之裝置圖案，因而並不適於實際使 用0 又，雙流體喷嘴之材質，於可不考慮金屬雜質之步驟中 係SUS製，然而於必須控制金屬雜質之步驟中，因使用由 鐵氟龍、聚鱗醚酮（Polyesteresterketone，PEEK)等樹脂製 造者，故於將液體進行霧化時以及於氣體中被搬送時產生 靜電。存在以下可能：該靜電轉移至基板上或旋轉杯（spin cup)等裝置之構成材料上，帶靜電之基板吸附氣流中之粒 子’導致被顆粒污染。 進而，因於洗淨後水殘留於基板上，故現以自旋轉動或 N2吹氣等方法將水乾燥。此時，存在以下可能：水表面張 力將相鄰之圖案彼此拉近，導致微細圖案受損。 【發明内容】 本發明之目的在於不損傷半導體晶圓、顯示器用基板 或電子裝置等被洗淨物之表面’而將微細顆粒充分除 去。 作為本發明之態樣例’洗淨方法及洗淨裝置係以如下之 方式構成。 洗淨方法包含：供給鹼性洗淨水之步驟；供給高壓氣體 之步驟；及將被供給之上述洗淨水與上述氣體混合而形成 霧狀，喷射至被洗淨物上之步驟。 洗淨裝置包含：供給驗性洗淨水之洗淨水供給機構；供 109639-980121.doc 1311777 .給高壓氣體之高壓氣體供給機構；及將所供給之上述洗淨 水與上述氣體混合而形成霧狀，喷射至被洗淨物上之雙流 • 體噴嘴。 、 洗淨裝置包含：供給洗淨水之洗淨水供給機構；供給高 壓氣體之高壓氣體供給機構；及將所供給之上述洗淨水與 上述氣體混合而形成霧狀，嘴射至被洗淨物上之雙流體嘴 嘴；上述雙流體喷嘴含有在非導電性樹脂中混入碳填充料 _ 之導電性材料。 洗淨裝置包含.供給洗淨水之洗淨水供給機構；供給高 壓乳體之尚壓氣體供給機構；及將所供給之上述洗淨水與 上述氣體混合而形成霧狀’噴射至被洗淨物上之雙流體喷 嘴，上述雙流體喷嘴含有欽、组、錯以及該等之合金中之 任一材料。 洗淨裝置包含.供給洗淨水之洗淨水供給機構；供給高 壓軋體之尚壓氣體供給機構；及將所供給之上述洗淨水與 • 上述氣體混合而形成霧狀，喷射至被洗淨物上之雙流體噴 嘴，上述雙流體喷嘴係含有在石夕、碳化石夕以及該等混合物 之任一者中摻入雜質者。 β洗淨裝置包含.供給洗淨水之洗淨水供給機構；供給高 墾氣體之尚壓氣體供給機構；及將所供給之上述洗淨水與 上述氣體混而合形成霧狀，喷射至被洗淨物上之非導電性 雙流體喷嘴；於該雙流體喷嘴中設置有用以將流經上述雙 流體噴嘴之上述洗淨水或上述氣體接地之接地部位。 109639-980121.doc 1311777 洗淨裝置包含：供給洗淨水之洗淨水供給機構；供給高 壓氣體之高壓氣體供給機構；將所供給之上述洗淨水與上 述氣體混合而形成霧狀，喷射至被洗淨物上之雙流體喷 嘴，及將上述被洗淨物進行除電之電離器。 洗淨方法包含：供給洗淨水；供給高壓氣體；藉由以雙 流體噴嘴將所供給之上述洗淨水與上述氣體混合而形成霧 狀噴射至被洗淨物上，將上述被洗淨物以電離器進行除 電。 洗淨方法包含：供給含有有機溶劑之洗淨液；供給高壓 氣體；將所供給之上述洗淨液與上述氣體混合而形成霧 狀’喷射至被洗淨物上。 洗淨褒置包含：供給含有有機溶劑之洗淨液之洗淨液供 給機構；供給高壓氣體之高壓氣體供給機構；及將所供給 之上述洗淨液與上述氣體混合㈣成霧狀，喷射至被洗淨 物上之雙流體喷嘴。 以下内谷揭不本發明之其他利益，其可自内容中部分瞭 解，或經由實踐學習。本發明之利益可自尤其是下文中所 指出之手段及組合中得以瞭解或獲得。 所附之圖式與本說明書一起構成其一部分，圖式圖解本 發明之實施例’且與上述一. 秀又忒明及下迷實施例之具體說 明一起用以解釋本發明之原理。 【實施方式】 圖1係表示本發明之第1眘始 μ 乐貫知形悲之基板洗淨裝置之構成 之說明圖。又’圖2〜圖5係矣-从w , 你表不於基板洗淨裝置丨〇中使用 109639-980l21.doc 1311777 鹼水溶液之理由之說明圖。 基板洗淨裝置ίο具有··洗淨部20、高壓空氣供給部4〇、 洗淨水供給部50、聯合控制該等各部之控制部6〇。 洗淨部20係以如下之方式構成：由控制部6〇控制之電動 馬達21、安裝於該電動馬達21之旋轉軸22上之保持半導體 晶圓W之旋轉卡盤23、與旋轉卡盤23相對配置之雙流體喷 嘴3〇 ^雙流體喷嘴30，具有於其中心部流通高壓空之氣體 流路3 1、以將該氣體流路3丨包圍之方式配置之洗淨水流通 之洗淨水路32。氣體流路3 1與下述空氣配管42連接，導入 兩壓空氣’洗淨水路32與下述洗淨水配管52連接，導入洗 淨水。又’藉由未加以圖示之升降/移動機構，以可改變 半導體晶圓W面内洗淨水的供給位置之方式支持雙流體喷 嘴30。 南壓空氣供給部40具有：高壓空氣產生部41、用以將高 壓空氣自該咼壓空氣產生部41輸送至雙流體喷嘴3〇之空氣 配管42、設置於該空氣配管42之途中之壓力調整部43、於 該壓力調整部43中用以測定空氣壓力之壓力感測器44、設 置於空氣配管42之途中之流量感測器45。再者，壓力調整 部43，藉由來自控制部60之指令進行壓力調整。又，將壓 力感測器44及流量感測器45之輸出輸入控制部60。 洗淨水供給部50具有：純水供給槽5 1、用以將洗淨水自 該純水供給槽5 1輸送至雙流體喷嘴30之洗淨水配管52、設 置於該洗淨水配管52中間之壓力調整部53、用以測定該壓 109639-980121.doc • 10· 1311777 力調整部53中之洗淨水壓力之壓力感測器54、設置於洗淨 水配管52中間之流量感測器55、設置於洗淨水配管52之途 中之藉由於純水中添加鹼水溶液而製成洗淨水之鹼水溶液 供給部56。再者’壓力調整部53，可根據來自控制部6〇之 指不進行壓力調整。又，將壓力感測器54及流量感測器55 之輸出輸入控制部60。 再者’作為上述驗水溶液’可使用：銨、四曱基氫氧化

銨、膽鹼、羥胺等有機鹼。進而，使用預先容納鹼水溶液 之鹼水溶液供給槽來代替純水供給槽51，可省略去鹼水溶 液供給部5 6。 於以如此方式構成之基板洗淨裝置10中，可進行如下述 之半導體晶圓W之洗淨。即，藉由旋轉電動馬達21，而使 半導體晶圓w旋轉。此時之旋轉速度為例如5〇〇rpm左右。 又，將鹼水溶液自鹼水溶液供給部56添加於自純水供給槽 5 1中所供給出之純水中。 繼而，若以來自控制部60之信號打開壓力調整部43、 53，而將空氣及洗淨水供給至雙流體噴嘴儿，則洗淨水被 高壓空氣霧化後，被噴霧於半導體晶圓w之表面。藉此使 顆粒流出。糾，❹制信號自控制部6()輸送至各^力調 整部43、53’適當調整空氣及洗淨水之壓力，而以特定壓 力將洗淨水喷霧。同時，自各壓力感測器44、54及流量感 測器45、55中所檢測出之結果，被逐次地反饋回控制部 60 〇 之情形時之作用加以詳 此處，就使用鹼性者作為洗淨水 109639-980121.doc -11 -

1311777 細敍述。即，於洗淨水中，於滑移面（圖2中8)中，產 位。該⑼位因材質不同而不同，並且如圖3戶“，隨著洗 f水之PH值變化而變化。於半導體晶圓歡材質中，於二 氧切（Si〇2)上形成氮切（SiN)，又，顆粒p為氧化銘。 另-方面，2個物質間的位能係分子間力與靜電位之 和，形成如圖4中所表示之關係…㈣位為同一符號 之情形時成為斥力’於ζ電位為不同符號之情形時為吸引 力。因此，於驗性（ρΗ值為8以上）之情形時，各物質之〔電 位為負值，如圖5所示，兩物質間產生電性排斥。 因此，因於驗性洗淨水中，半導體晶圓w之表面電位及 顆粒P之表面電位兩者均為負值’故而可抑制顆粒p再附著 於半導體晶圓W上。再者’亦可藉由選擇半導休晶圓〜表 面之材質以及所使用之鹼性洗淨水，而附加有除去由半導 體晶圓W表面之微蝕刻所產生之顆粒卩之效果。 如上所述，若根據本實施形態之基板洗淨裝置丨〇之洗淨 方法，則可防止一度脫離於半導體晶圓…表面之顆粒之再 附著，故而可高效率地除去顆粒P。因此無須以強壓力喷 射洗淨水’從而可防止裝置圖案之損傷。 此處，就實驗例加以說明。以圖案檢查裝置測定形成 55 nm之寬度/間距圖案之半導體晶圓w，且將缺陷數計 數。以洗淨裝置10，以下述"條件1"〜"條件3”，洗淨半導體 晶圓基板。 條件 1 :純水0_2 MPa(l〇〇 ml/min)，高壓空氣〇 2 Mpa(6〇 L/min)，晶圓旋轉速度500 rpm。條件2 :純水〇 3 MPa(2〇〇 109639-980121.doc 1311777 ml/min)，n壓空氣〇3 MPa(8〇 L/min)，晶圓旋轉速度5〇〇 rpm。條件 3 : 〇·2 mmol/1 氨水 〇_2 MPa(100 ml/min)，高壓 空氣0·2 MPa(60 L/min)，晶圓W旋轉速度500 rpm。 以圖案檢查裝置測定經上述處理後之半導體晶圓w，且 將缺陷數計數。又，以掃描式電子顯微鏡再檢查機 (Review SEM)觀察所增加之缺陷，且確認圖案中有無損 傷。该結果是：作為缺陷而計數之粒子除去率，於條件^ 為60%，於條件2為80%，於條件3為85%。又，於條件！、 條件3中未見圖案之損傷，但於條件2中於丨〇處發現有圖案 損傷。因此，洗淨水及高壓空氣之壓力，較好的是Ο」 MPa以下。又，若考慮到洗淨效果，則洗淨水及高壓空氣 之壓力，較好的是0.1 MPa以上。 圖6係表示本發明第二實施形態之基板洗淨裝置11〇之構 成之說明圖，圖7係表示共同加入之雙流體噴嘴之縱剖面 圖，圖8係表示相同雙流體喷嘴之變形例之縱剖面圖。 U〇具有：洗淨部120、高壓氮氣供給部140、洗淨水供 給部150、聯合控制該等各部之控制部16〇。 洗淨部120具有：由控制部160控制之電動馬達121、安 裝於該電動馬達121上之絲鳇u 1 ? 7、/&：!：主Ψ、接 上必奴轉軸122、保持半導體晶圓|之 旋轉卡盤123、與旋轉卡盤123相對配置之雙流體喷嘴 130。 ' 如圖7所示，雙流體喷嘴130具有：接地之噴嘴本體 109639-980121.doc -13- 1311777 13卜設置於該喷嘴本體131中^之流通高職氣之氣體 流路132、以包圍該氣體流路132之方式配置之流通洗淨水 之洗淨水路i33。再者，圖6中之134表示喷嘴孔口。氣體 流路！32與下述氮氣配管142連接，而導人高壓氮氣；洗淨 水路133與下述洗淨水配管152連接，而導入洗淨水。又， 藉由未加以圖示之升降/移動機構，以可改變半導體晶圓你 面内之洗淨水的供給位置之方式支持雙流體噴嘴13〇。 噴嘴本體131，例如可使用在非導電性樹脂（聚醯亞胺、 聚醚醚酮、氟樹脂及該等之混合物等）中混入碳填充料 者。再者，亦可使用鈦、钽、锆以及該等之合金。進而， 亦可使用在矽、碳化矽以及該等之混合物中之任一者中摻 雜雜質者》該等導電性材料難以產生金屬離子，或者完全 不產生金屬離子，即使在必須控制金屬雜質之半導體晶圓 W等基板之洗淨步驟中使用時亦無妨。再者，除該等材料 以外，若為金屬離子之產生量較少或者不產生金屬離子之 導電性材料’則亦可使用其他材料。 高壓氮氣供給部140具有：高壓氮氣產生部141、用以將 南壓氮氣自該高壓氮氣產生部141輸送至雙流體喷嘴13〇之 氮氣配管142、設置於該氮氣配管i42之途中之壓力調整部 143、用以測定該壓力調整部143中之氮氣壓力之壓力感測 器144、設置於氮氣配管142之途中之流量感測器145。再 者，壓力調整部143，根據來自控制部16〇之指示進行壓力 調整。又，將壓力感測器144及流量感測器145之輸出輸入 控制部160。 109639-980121.doc -14- 1311777 洗淨水供給部1 50具有：洗淨水供給槽15 1、將洗淨水自 該洗淨水供給槽151輸送至雙流體喷嘴130之洗淨水配管 152、設置於該洗淨水配管152之途中之壓力調整部153、 用以測定該壓力調整部1 53中之洗淨水壓力之壓力感測器 154、設置於洗淨水配管152之途中之流量感測器155。再 者’壓力調整部153，根據控制部1 60的指示進行壓力調 整。又，將壓力感測器154及流量感測器155之輸出輸入控 制部160。 於以如此方式構成之基板洗淨裝置11〇中，以如下之方式 進行半導體晶圓W之洗淨。即，藉由旋轉電動馬達〗21，使 半導體晶圓W旋轉。此時之旋轉速度為例如50〇 rpm左右。 繼而，若根據來自控制部16〇的信號打開壓力調整部 143、15 3 ’將氮氣及洗淨水供給至雙流體喷嘴丨3 〇，則洗 淨水被尚壓氮氣霧化後，被噴霧於半導體晶圓1表面上。 藉此使顆粒流出。此時，將控制信號自控制部丨6〇輸送至 各壓力調整部143、153，適當調整氮氣及洗淨水壓力，以 將特定塵力之洗淨水喷霧。同時，將來自各麼力感測器 144 154及流里感測|| 145、155之被檢測結果，逐次地反 饋至控制部160。 雙流體喷嘴130，即使以& μ、+，+ 士二、s & 使Μ如上述之方式暴露於高壓氮氣 或^淨水中，亦幾乎無金屬離子產生，因而金屬雜質並不 附著於半導H5W上。又’因全體為導電性且接地，故 =於帶靜電之情料，亦可除電。因此，半導體晶圓w 或清淨部1 20並不帶播蕾 ， ，可防止半導體晶圓W吸引氣流 109639-980121.doc 1311777 中之粒子’從而可防止被顆粒污染。 如上所述’若根據本實施形態之丨i 〇，則因雙流體噴嘴 130之材質具有導電性，故可控制霧化洗淨水時之剝離靜 電至最小限度。因此，可抑制雙流體喷嘴13〇及半導體晶 圓W等帶靜電’可防止半導體晶圓w吸引氣流中之粒子， 可防止被顆粒污染。因此，可提高洗淨後基板之清淨度。 此處，就實驗例加以說明。以圖案檢查裝置測定形成55 nm之寬度/間隙之圖案之半導體晶圓w ,將缺陷計數。以 洗淨裝置110 ’以下述條件洗淨該半導體晶圓基板。即： 純水壓力 0.2 MPa(100 mL/min)，高壓空氣 〇.2 MPa(60 L/min)，半導體晶圓旋轉速度5〇〇 rpm。 再者，作為雙流體喷嘴13〇之材質，使用：（】）聚四氟乙 烯（PTFE)、（2)加入碳填充料之聚四氟乙烯、（3)聚醚醚_ (PEEK)、⑷加入碳填充料的聚醚醚酮、⑺鈦、（6)碳化石夕 (導電性）之6種。聚四氟乙烯及聚醚醚酮為非導電性樹脂， 藉由混入碳填充料而使其具有導電性。 以圖案檢查裝置測定上述處理後之半導體晶圓w，將缺 陷數計數。該結果是：缺陷除去率為：（〗）5〗％、（2)65%、 (3)55%、（4)69%、（5)80°/。、（6)74❶/〇。根據該結果可知，於 使用導電性材料作為雙流體喷嘴3〇之材質之情形時，可防 止由靜電所造成之再附著，從而可提高缺陷之除去率。 圖8係表示本實施形態之雙流體噴嘴13〇之變形例之圖。 於雙流體噴嘴130的喷嘴本體1 3 1係由非導電性材料形成之 情形時，可藉由將以鈦等金屬所形成之附件（接地部位）135 109639-980121,doc -16- 1311777 安裝於噴嘴孔口 134周圍，且將該附件135接地，而將洗淨 水除電。 再者，如上所述，藉由將雙流體喷嘴13〇除電，而防止 靜電之產生，此外亦可藉由使用圖6中之124中所表示之電 離器，而積極地將帶靜電之半導體晶圓w或洗淨部12〇進 行除電，進而亦可將上述多個方法組合以提高潔淨度。 圖9係表示本發明之第三實施形態之基板洗淨裝置21〇之 構成之說明圖，圖1〇及圖n係表示基板洗淨裝置21〇中之 氮氣流量與裝置圖案損傷數之關係圖。 21〇具有：洗淨部220、高壓氮氣供給部24〇、洗淨液供 給部250、及聯合控制該等各部之控制部26〇。 洗淨部220具有：由控制部26〇控制之電動馬達221、安 裝於該電動馬達221之旋轉軸222中並保持半導體晶圓w之 旋轉卡盤223、與旋轉卡盤223相對配置之雙流體喷嘴 230。雙流體喷嘴230具有：配置於中心部之流通高壓氮氣 流之氣體流路23 1、以包圍該氣體流路23丨之方式配置之流 通洗淨水之洗淨液路232。再者，圖9中之23 3表示喷嘴孔 口。氣體流路231與下述氮氣配管242連接，而導入高壓氮 氣；洗淨液路232與下述洗淨水配管252連接，而導入洗淨 水。又，藉由未加以圖示之升降/移動機構，以可改變半 導體晶圓W面内的洗淨水供給位置之方式支持雙流體喷嘴 230。 兩屋氮氣供給部240具有：高壓氮氣產生部24 i、將高壓 氮氣自該高壓氮氣產生部241輸送至雙流體喷嘴23〇之氮氣 109639-980121.doc -17- 1311777 配管242、配置於該氮氣配管242之途中之壓力調整部 243、 測定該壓力調整部243中之氮氣壓力之壓力感測器 244、 配置於氮氣配管242之途中之流量感測器245。再 者，壓力調整部243 ’根據來自控制部260之指示調整壓 力。又’將壓力感測器244及流量感測器245之輸出輸入控 制部260。 洗淨液供給部250具有：洗淨液供給槽25 1、將洗淨液自 該洗淨液供給槽251輸送至雙流體噴嘴23〇之洗淨液配管 252、配置於該洗淨液配管252途中之壓力調整部253、測 定戎壓力調整部253中之洗淨液壓力之壓力感測器254、配 置於洗淨液配管252途中之流量感測器255。再者，壓力調 整部253，根據來自控制部26〇之指示調整壓力。又，將壓 力感測器254及流量感測器255之輸出輸入控制部26〇。 作為含有有機溶劑之洗淨液，包含：醇（例如乙醇、異 丙醇等）或者氫氟醚（例如C4f9〇CH3、C4f9〇C2H5等）。 以如此方式構成之基板洗淨裝置21〇中，以如下方式進

此，使顆粒流出。此時， 力調整部 淨液供給雙流體喷嘴23〇，則洗 被噴霧至半導體晶圓w表面。藉 將控制信號自控制部260輸送至 109639-980121.doc 1311777 各壓力調整部243、253，適當調整氮氣及洗淨液壓 將特定壓力之洗淨液噴霧。同時，將 町田各壓力感測器 244、254及流量感測器245、255所檢 .° 叫〜、、、〇果，逐次反 饋至控制部260。 此處’就使用含有有機溶劑者作為洗淨液之情形時之作 用加以詳細敍述。即，有機溶劑與純水相、 具表面張力 較小。因λ ’即使於將殘留於裝置圖案之間的水進行乾燦 之情形時，亦不會將相鄰之圖案彼此拉近，因而不產生損 傷。 、 如上所述，若根據本實施形態之洗淨方法，則因使用含 有與純水相比表面張力較小之含有有機溶劑之洗淨液，故 而即使於將殘留於裝置圖案之間的水加以乾燥之情形時， 亦不會將相鄰之圖案彼此拉近，因而不產生損傷。 此處，就實驗例加以說明。以圖案檢查裝置測定形成55 nm之孤立圖案之半導體晶圓w，將缺陷數計數。以基板洗 淨裝置210，以下述”條件1”〜，，條件3”，將該半導體晶圓洗 淨0 條件 1 : C4F9〇CH3 0·2 MPa(100 mL/min)，高壓氮氣 〇 2 MPa(60 L/min) ’半導體晶圓旋轉速度500 rpm。條件2 : C4F9OC2H5 0·2 MPa(100 mL/min) ’ 高壓氮氣0.2 MPa(60 L/min) ’半導體晶圓旋轉速度500 rpm。條件3 :純水0.2 MPa(100 mL/min)，高壓氮氣0.2 MPa(60 L/min)，半導體 晶圓旋轉數500 rpm。 以圖案檢查裝置測定上述處理後之半導體晶圓W，將缺 109639-980121.doc -19- 1311777 陷數計數。又，以再檢查機觀察所增加之缺陷，確認是否 有圖案損冑。其結果是：缺陷之除去率於條件】中為 6〇%，於條件2中為7〇%，於條件3中為8〇%。又，於條件 1、條件2中，未見圖案損傷，於條件3中於7處發現圖案損 傷。因此’較好的洗淨液及高壓氮氣之壓力為〇·3 MPa以下。 圖及圖11係表示基板洗淨裝置21G中之氮氣流量與裝 置圖案損傷數之關係圖已知，若基於該關係，則氣氣流 量為70 L/min以下，即，較好的是，於雙流體喷嘴23〇之 噴嘴孔口 33中’每1 mm2為〇.〇〇55 m2以下。 熟悉該技藝者可想出其他利益及修改。因此，廣義而 。，本發明並不偈限於此處所揭示及描述之具體細節及代 表性實施例。因此，在不脫離附加之申請專利範圍及其等 之相專物中所s己載之一般的發明概念之精神或範圍内，可 有不同之修改。 附加於說明書及構成說明書一部分之隨附之圖式’說明 了發明之實施例，與上述一般性記載及下述實施例之具體 記載一起’用以解釋本發明之原理。 【圖式簡單說明】 圖1係表示本發明第一實施形態之基板洗淨裝置之構成 之說明圖。 圖2係表示於相同基板洗淨裝置中使用鹼水溶液之理由 之說明圖。 圖3係表示於相同基板洗淨裝置中使用驗水溶液之理由 109639-980121.doc -20- 1311777 之說明圖。 系表不於相同基板洗淨裝置中使用鹼水溶液之理由 之說明圖。 圖係表不於相同基板洗淨裝置中使用鹼水溶液之理由 之δ兒明圖。 系表示本發明第二實施形態之構成之說明圖。 圖7係表示共同加入之雙流體噴嘴之縱剖面圖。 圖8係表示相同雙流體噴嘴之變形例之縱剖面圖。 圖9係表示本發明第三實施形態之基板洗淨裝置之構成 之說明圖。 圖1 〇係表示於同一基板洗淨裝置中氮流量與裝置圖案損 傷數之關係圖。 圖11係表示同一基板洗淨裝置中氮流量與裝置圖案之損 傷數之關係圖。 【主要元件符號說明】 10 基板洗淨裝置 20 洗淨部 21 電動馬達 22 旋轉軸 23 旋轉卡盤 30 雙流體噴嘴 31 氣體流路 32 洗淨水路 40 高壓空氣供給部 109639-980121.doc -21 · 1311777

41 高壓空氣產生部 42 空氣配管 43 壓力調整部 44 壓力感測器 45 流量感測器 50 洗淨水供給部 51 純水供給槽 52 洗淨水配管 53 壓力調整部 54 壓力感測器 55 流量感測器 56 鹼水溶液供給部 60 控制部 120 洗淨部 121 電動馬達 122 旋轉轴 123 旋轉卡盤 124 電離器 130 雙流體喷嘴 131 接地喷嘴本體 132 氣體流路 133 洗淨水路 134 喷嘴孔口 135 接地部位 109639-980121.doc -22- 1311777

140 高壓氮氣供給部 141 高壓氮氣產生部 142 氮氣配管 143 壓力調整部 144 壓力感測器 145 流量感測器 150 洗淨水供給部 151 洗淨水供給槽 152 洗淨水配管 153 壓力調整部 154 壓力感測器 155 流量感測器 160 控制部 220 洗淨部 221 電動馬達 222 旋轉軸 223 旋轉卡盤 230 雙流體喷嘴 231 氣體流路 232 洗淨液路 233 喷嘴孔口 240 高壓氮氣供給部 241 高壓氮氣產生部 242 氮氣配管 109639-980121.doc -23- 1311777

243 壓力調整部 244 壓力感測器 245 流量感測器 250 洗淨液供給部 251 洗淨液供給槽 252 洗淨液配管 253 壓力調整部 254 壓力感測器 255 流量感測器 260 控制部 109639-980121.doc -24-

Claims (1)

1. 1311777 十、申請專利範圍： 1 · 一種洗淨方法，其包含： 供給鹼性洗淨水； 供給高壓氣體； 藉由將所供給之上述洗淨水與上述氣體混合而形成霧 狀’噴射至被洗淨物上。 2_如請求項丨之洗淨方法，其中上述洗淨水含有氨。 3.如請求項丨之洗淨方法，其中上述洗淨水含有有機鹼。 4·如請求項丨之洗淨方法，其中上述洗淨水含有四曱基氫 氧化錢、膽驗、經胺中至少一種。 5.如請求項丨之洗淨方法，其中上述洗淨水及上述氣體之 壓力為0.1 MPa以上0.3 MPa以下。 6* 一種洗淨裝置，其包含： 供給鹼性洗淨水之洗淨水供給機構； 供給高壓氣體之高壓氣體供給機構；及 藉由將所供給之上述洗淨水與上述氣體混合而形成霧 狀，噴射至被洗淨物上之雙流體噴嘴。 —種洗淨裝置，其包含： 供給洗淨水之洗淨水供給機構； 供給高壓氣體之高壓氣體供給機構；及 藉由將所供給之上述洗淨水與上述氣體混合 狀，喷射至被洗淨物上之雙流體喷嘴； 上述雙流體喷嘴含有於非導電性樹脂中混入 之導電性材料。 而形成霧 碳填充料 109639-980121.doc 1311777 8. 9. 10 11. 12. 13. 14. 聚 〇 =請求項7之洗㈣置，其中上述料電性樹脂含有 亞胺、聚關酮、«脂以及該等混合物中任-者 月求項7之洗淨裝置’其中上述雙流體喷嘴係接地。 •一種洗淨裝置，其包含： 供給洗淨水之洗淨水供給機構； 供給高壓氣體之高壓氣體供給機構；及 藉由將所供給之上述洗淨水與上述氣體混合而 狀，嘴射至被洗淨物上之雙流體噴嘴； 務 上述雙流體噴嘴含有鈦、鈕、錯以及該等合 一材料。 任 如請求項Π)之洗淨裝置，其中上述雙流體喷嘴係接地。 一種洗淨裝置，其包含： 供給洗淨水之洗淨水供給機構， 供給高壓氣體之高壓氣體供給機構；及 將所供給之上述洗淨水與上述氣體混合而形成霧狀， 喷射至被洗淨物上之雙流體喷嘴； 上述雙流體喷嘴係含有在石夕、碳化石夕及該等混合物 任一者中摻入雜質者。 如請求項12之洗淨裝置，其中上述雙流體噴嘴係接地。 一種洗淨裝置，其包含： 供給洗淨水之洗淨水供給機構； 供給高壓氣體之高壓氣體供給機構；及 將所供給之上述洗淨水與上述氣體混合而形成霧狀， 喷射至被洗淨物上之非導電性雙流體喷嘴； 109639-980121.doc 1311777 於該雙流體噴嘴中設置有用以將流經上述雙流體喷嘴 之上述洗淨水或上述氣體接地之接地部位。 15. —種洗淨裝置，其包含： 供給洗淨水之洗淨水供給機構； i、、’’σ咼壓氣體之咼麼氣體供給機構； 藉由將所供給之上述洗淨_太盘卜、+、* μ ,θ人 4亦乎不興上述軋體混合而形成霧 狀，噴射至被洗淨物上之雙流體喷嘴；及 將上述被洗淨物進行除電之電離器。 16. —種洗淨方法，其包含·· 供給洗淨水； 供給面壓氣體； 藉由以雙流體噴嘴將所供給之上述洗淨水與上述氣體 混合而形成霧狀，噴射至被洗淨物上； 將上述被洗淨物以電離器進行除電。 17· —種洗淨方法，其包含： 供給含有有機溶劑之洗淨液； 供給高壓氣體； 藉由將所供給之上述洗淨液與 狀’嘴射至被洗淨物上。 上述氣體混 合而形成霧 18_如請求項i 7之洗淨方法 醇、氫氟醚中之任一者。 其中上述有機溶劑至少含有 A如請求項17之洗淨方法，其中上述有機溶劑至少 醉、異㈣、C4F9〇CH3、C4F9C)C2H5 中之任_者。 20.如請求項17之洗淨方法， 其中上述洗淨液及上述氣體之 109639-980121.doc 1311777 壓力為0.3 MPa以下。 2!•如請求項17之洗淨方法，其中上述氣體流量於上述雙流 體噴嘴之噴嘴孔口處，每！ mm2為〇 〇〇55 ^以下。 22· —種洗淨裝置，其包含： 供給含有有機溶劑之洗淨液之洗淨液供給機構； 供給高壓氣體之高壓氣體供給機構；及 藉由將所供給之上述洗淨液與上述氣體混合而形成霧 狀’喷射至被洗淨物上之雙流體噴嘴。

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