TWI310538B - Addressing process and device for a bistable liquid crystal screen - Google Patents

Description

1310538 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 與液晶顯示裝置之領域有關’尤其與供控制多卫雙穩態向列顯示 早兀之兩狀‘癌間切換用之方法及裝置有關。 【先前技術】 等來採用之液晶之實_，如向列型、膽固醇型、層砸、鐵電型 =if置。在屬於本發明之主題，採用例如對掌性摻雜劑之向列 单兀中’使用向列、非對掌性或對掌性構件。在此方式中，可自於 獲侍均勻或輕微扭曲結構，其中螺距略高於數微 = 生與力場下 變，且其綱質隨所施加之二::=f中’此結構連續形 早穩n縣此技藝者應知在這 ， 作模式：扭曲向列（TN)、蠢品… π歹懼顯不早就取佳操 |直對齊向列等。 向列（叫電氣控制雙折射⑽）、垂 顯科4雙纖、乡截或錢態 ‘㈣能^ 表面具相_結，且在無力場下為稃能 或久穩態。為於兩狀態間切換，須施加適當電w。σ要已顯 ::i:r 助益。另-方面對快㈣置之耗電頗有 達成高解析度影像。u而各’該記憶可確保極高速多工， 5 1310538 稱之為BiJVem之雙穩態螢幕之敘述 近來已提出-種新的雙穩態顯示單元（圖i)。 其係由兩片或基板（至少一可透 晶形成。分別位於基板上之兩電極，加電—曰2性或翻醇型向列液 掌性向_液晶。在f極上，層驗晶分计予條其間之對 分子固結強且稍具角度，在從片上則弱 / ^方向。在主片上， 為單穩態。 ' -在廷些表面上之分子固結 一光學系統即可完成此裝置。 多為早4度〇之4倍（p〇MD)，俾使之 無力場下，即減它具較低能量之織：_姑雙跡 °在 藉由破壞ϋ細自-結構變成另一結構 物理原理 t雙穩態結触伏相異，無法以連續體扭曲相互轉換。因此，_之 T結構或反之，均須藉由強外加場之感應或_非所欲之線之―而 裘二面之固結，始可為之。第二現象遠較第—現象慢，故可略之，此處 將不詳述。 液晶之任何對齊層均可以最高固結能Az特徵化。此能量-般均屬有限 值。接考可顯科有亦屬有祕之場臨限能M _破壞臨限），使得表面 為均質結構⑻，與無場下之先前結構歸。 JD結之破壞須藉由施加至少等於場臨限能E。之力場為之。施加力場之時 門:夠長’俾使液晶之定向與均質結構巾之表面末端相近。此最短時間視 加振巾s及液晶與對齊層之物理特性而定。在靜態下（施加力場數毫 t或更長％間）’ H/诉〆ε，其中^為最高固結能，κ33為液晶之彈性 131〇538 扭曲係數，△4其相對介電非等向性，及ε。為真空介電常數。 固結破壞電壓Vc之定義如次：Vc=Ec .d，其中d為液晶單元厚度。 時鄰近此表面之片垂直且表面施於這些分子之回復張力為零 H慮破·結。實際上，分子定向與和表喊韻差㈣小（例如 鄰近斷2且施加於表面處分子之張力相當低即可。當這些條件均符合時， :近斷錄面之向列分子，在切斷電場時即處於不穩定平衡狀態，且可返 初始疋向或轉_反方向而導致自初始結構扭曲⑽。之新結構。 式最終結歡控魏麟加之魏，尤其是使此力場為零之方 持續降碰衝龍可因表面張力之咖毅動降至最低， p速降斜衡狀態，其與樣本^分子之雜私亦使其 ㈣ =，此移動賴至分子快速财以相同方向獅之㈣。持續 建立均勻狀態u。 平甲夹 當力場大幅降低時，液晶定向改變 緩時間等於MVK，1中L_K /A 近強表面（主片），而表面舒 黏度。此辑微秒長度，㈣驗晶之轉動 在此-短時間内切換強表面，會導致接近此表面處之高流動，散播遍佈 1並在低於-微秒待_彳_弱表面（ 上導致之剪力纽表^分子上纽流體力。此力與㈣料= =向相反:當剪力夠強時’在弱表面上之流體力較強，傾向扭曲結構= U力較料’在弱表面上之彈力較弱，並導致結構U。 在單元中分子之轉動方向如圖1中之箭號所示。 接著再以等於讀之特性舒緩時間t4向此體，其中 度。此時間敍於強表面之舒緩時間，-般約為L 子 實際施行 考量上述效應’其係施加於各像素端子之電氣脈衝降低而自一結構變至 .1310538 另一結構之方法。 吾人將隨意分別將扭曲結構了及均勻結構u之改變稱之為” ” 清除”。 ''' 及 為獲取在相素上之”寫入”，故改變結構τ，其需求如次： 1)須於其上施加脈衝，提供高於從片之隨破壞場之力場，並接 使像素分子改變所需之時間。破壞場係視液晶材料之彈性與電氣性質齡 與沉積於單元之從片上之固結層之交互作用而定。約為每微米數伏特至^ 特。分子改變所需時間與轉_度r成正比，並與所_材料之介 生及所施加場之平方成反比。實際上，鱗間在每微米 %下，可短至數微秒。 \付乏 π t接//鳩由在數微秒，至多數十微秒内快速降低控制電壓而快速降低 ^此快速降低電壓，振幅Δν，使其得以於液晶中導致夠強之低 結構，此降低須強制性地使施加電編於破壞電壓 低之值。施加電場下降時間少於其綱之十分之— ^為較其 ㈣微秒，㈣與2a2顯示導致τ結構之兩脈衝實例。長脈娜況下少 在圖2al中，脈衝包含振幅？1 (使得P1>VJ之 =刪、於P1之P2(細之第二序列：广，接 第二序列快速降至零。在圖紐中，脈衝包含振 1〜該 -(^p2<Vc,p1_P2>av) 為清除”，需求如次： 序歹_〜 1) 亦須改變分子。 2) 須施行’，緩降，，。文件⑴顯示此，，緩降，，之 ^ 2b2中圖不:”清除”為脈衝綱。 貞在圖2bl 之步階下降（望^ . 阿原之#魂型式在y· Ρ2<Δν’或Ρ2<ν-ρ2<Δν)。由於步階下降; 1310538 之 易以數位電子設備為之，故此處將討論傾斜下降。但可想像降兩高原多 下降。 對自-結構至另-結構之改變之特性脈衝型式如圖2所示（見文件〇 驗中決^回原（P1、ri)與（P2、〇)之期間與值已由下列實例之實 古典多工原理 辛至ΐ蜀點矩陣勞幕之情況下，熟悉此技藝者已知無法連結個別像 本 控制電極，因為隨著螢幕之複雜化，對所有像素之單-連結之需 2起伏而不可行。#所_之電光學效應並非線性時，可·多工技 之此Γ晶技術中常見情況。利用點矩陣系統將像素群組化為各 := 素之n t具有點基螢幕之η線與m行，或數位顯示之η個圖 ^一^刀之實例。在最廣為使用之序列定址模式中，一次選擇一線，接著 ，直到抵達最終線。在選擇—線所需時間内 = ::=法使得影像在等於-線定址時間乘上線數二 ^ /為之’為定址mxn個像素之螢幕，需要m+n個連紝， 八中m為所述矩陣之行數。聰多·顯示螢幕如圖3。 差像素所見電氣信號為施加於線之信號與施加於與像素相交之行之信號 此螢幕原理，如圖2所示，稱之為” 像素絕緣之主動構件 '線電極為線中m、不具任何可使其與 體或控制二極體之主動體)。故蝴一 啟辦對行赚感，™當線 人可將像素之線時心:=間= 之信號視為寄生信號。更明確，I%尤干《應化成干擾 確。之對諸如™或聊或其變異體之-等被 9 1310538 動點矩陣而言’在正常操作條件下，像素中之液晶狀態幾乎僅與影像定址 期間，施加於其上之電壓均方根值相關。故液晶分子之最終狀態，稱之為 像素之光學傳播，係由影像定址期間，所施加之電壓均方根值決定。此結 果係Alt與Plesko之標準（文件3)表示之螢幕之線數限制。 施加於BiNem之多工原理 所考里之BiNem螢幕亦係以nxm像素形成（圖3)，在已描述之兩基板 上之垂直傳導帶相交處施行之。線N+1之像素，行M以黑色示之。藉由基 板或辅助板上之連結或電路完成裝置。 施加於像素之寫人與清除，係藉由線與行錢之組合產生。可以一 鲁線接著-線施行寫入與清除，因而使討論中之螢幕快速。 須於線與行施加信號，使得像素端子處所得電壓如圖2所述類型：在線 寫入期間施於像素之電壓須等於脈衝，其一接到指令即快速停止，導致電 摩降大於或等於Δν，並產生τ扭曲結構（一般為暗光狀態），或持續以高 原方式下降，並產生卩均勻結構（一般為亮光狀態）。 门 藉由多工於11射結構間變換與交互之可能性係如圖4中所示電光學曲 線：BiNem像素係以Ρ1 ®定與Ρ2可變值之雙高原脈衝定址。依第二高原 Ρ2值給定光傳遞’其中Ρ1 = 16伏特。脈衝時間為& 8毫秒。考量在此= φ中之偏振體定向，最低傳遞對應於了狀態，最高傳咖對應於_態。、’ 寫區 ' 對高於約11伏特之Ρ2電塵而言，在高原2末端之壓降足以寫入 5伏特低之Ρ2電壓而言，在ri末端處之壓降已寫入，高原2電壓較 在其末端之壓降可不再產生結構變換。 ° - 為寫入所需餅值近料於6伏特，且破壞電壓％趨近5伏特。 清除區 在圖4中曲線可見，清除係在6與9伏特間之慨電壓發生。在此雷 範圍中，在時間r】末端處，鄰近從片之分子為流動所驅動，因而位於^ 1310538 方向。在略高於破壞電壓之高原2朗 之彈性鯉人二入‘ 叹卞口到垂直位置，但因與主片 δ ’向/月除方向略具角度。在 對第二流動而言過小，故無法整理分子 ^處，低於Μ之壓降 此緩降係叫步驟為之。 -轉畔方向朋而寫入。故 第二高原值與圖5所示結構之—或另一者對應。 依先前技藝對BiNem之多工 F1與F2為圖4所示光傳遞曲線昇或降之反 以實例對F2做考量。對應於點F2 2 1作點。讓吾人 第二高原A2值。彳t電壓值e_2舰^ 1倾，可對應於線信號之 或㈣構p m 特’對應於為獲得與T結構（最低傳遞） 飞u、，、°構（取咼傳遞）對應之像素電壓 二高::;广人(_為_=:::= 對線k娩而言：Al=16伏特、A2=l〇伏特 對行信號而言：02伏特 對像素端子信號而言·· P1=16伏特、_伏特、pm伏特。 整產層之性質而變’並易於利用相同原理以不同材料調 座生其㈣幕。其―實辦述於文件⑷。 圖6顯不當選擇如上述之操作點 ^ ^ 信號原理Η 、目v 邮取‘除舰之線與行 期間且兩原：先在ΓΙ期間具A1電壓，其次紅 二一電金。僅於τ 2期間施加振幅c之行信號（圖此與㈨，正負依 所右Ιί 像素端子之錢。錄轉簡單^於調整 所有參數，以適於螢幕特性。 多工變異髏-取得零均值 為考量因特定液晶材料歷經定電壓而電解反應造成之損害問題，常利用 具零均值之信號施於像素。圖7、8與9顯示可將圖6之 均值之對_號之猶。 就歡為具零 11 1310538

7中’相繼之極性相反之_同信號構成線選擇信號。圖、7b、 主c、I、7e分別表錢信號、行清除信號、行寫人信號、在像素端子 二象素端子處之寫入信號。_ 8愤出另一對。: 唬與圖5相同。但信號於各影像變化處反轉。 A / ^純財_稱之故，線錢驅鮮彡加叙 仏A!電廢。若最大偏離降至低於撕以下，則可大幅 離2A1之 二的，其滿足畔《線錢之中姆作點Vm及在第二錄 ”m圖9顯不麵-極性_信號詞1在第二極 不 〇之實例。此原理適用於在第一極性期間Vm不為〇，接著二:广不為 =亦不為〇之情況。重點在於錄素端子處之輕轉不變，如^戶^間 圖a、9b、9c、9d及9e分別顯示線信號、清除行信號 唬、至像素端子之清除信號及至像素端子之寫入信號。 寫入他 古典BiNem多工方法之限制 古典BiNem多工方法可限制所顯示影像之光學性能。 構成因素有二1選擇該線期間，線與行信號造成之丫像素信號 選擇綱，與施加於像素之行信號對應之寄生信號。圖10顯^2未被 號之存在。 Μ 不延些寄生信 一圖10a 10b、l〇c、10d及1〇e分別顯示線信號、清除行信 / 信號及至«端子之清除錢經像素端子之以 =、‘，，、入行 陣螢幕。 口 ιυί顯示點矩 實際上’行信號之振幅遠低於固結破壞臨限。寄生 導致結構改變。但仍在不破壞強或弱固結下，使像^如何均無法 應造成暫態混亂。在榮幕定址之整體期間，可能對光學而對光學響 可能導致例如抖動、影像對比損失等。在已寫人所奸像^成敬重混亂。 消失不見，且像素回復至其初始穩定結構，直到次址週期寄生電壓即 12 1310538 ==__砰，嶋輪瞻察者察覺。 〃 I亂下’以-線接—線持續進行影像置換較佳 之^罐於教德里⑽缝iGkzs)臨限雙 之:f晰以與混亂場抗衡。因此，為避免影像變化期間

Vrms< Vf ( 1 ) 或[r 2/( ri+ r 2+t3)]C2<V2f (2) …h衝湖料^，恤瓣 間右付合下式，則此計算前提為真： 才 r 1+ Γ 2+ Γ 3< Γ CL (3) 其中r α係在振幅C之行脈衝下，液晶之特性響應時間。實際上， :仃城間時間大於液晶響應時間，騎整體時間最短者取考量 即等於液晶響應時間。與輯況相狀標較絲苛。歸將其： ΓΗ·Γ3<τα。 ’ 1 十 不 與方程式⑵相關，第-方法係為使c最小。c之下限係如圖* 電，學響，曲線所;t。C值過低料成無法在兩結構間變化。 當C之最小化不足以符合條件2時，即需降低關係式r 2/( r ι+τ2+ r ) 例如：可於相異線之脈衝間提供額外時間Γ3，俾進一步降低寄生電壓 Ϊ=:不幸地，此方法會導致影像寫入時間增加。此外，若不參 考不#式（3)，則此選擇無效。 此處係實例之數值計算： 對在這些裝置中之液晶材料而言，弗里德里克紐限電料變 自〇· 65至1. 5伏特。讓吾人考量最差狀況〇. 65伏特 ’ 其中〇 = 〇=500微秒、τ3 = 0，且信號c==2伏特，故有：

Yns2= r 2/( τ 1+ r 2)C2=C2/2 = 2V2 13

Vrms=1·4 伏特>0.65 伏特 與標準1無關。 公式所給定之液晶特性響應時間為： (rdVKO/[(零 斯其二為轉動黏度，κ為液晶之彈性 為。)’ Κ=7.，牛頓⑻，d鱗…广卞8° ·10—3帕

為仃c電堡，—般為2伏特。 早兀之各度，一般為1. 5微米，V 計算所得1· !古 邊界，因為接著‘相關—在增〜上並無 |在這些典型之⑽㈣示單位之條^影像定址時_抖動。 【發明内容】 本么明人提出消弭抖動效應之新方法 古^:低^值，同時使其_與_=:之改良’俾相對於 其^似峨特徵在於 在於適於降低寄生極之步驟，其中該電氣信號之特徵 >俾降低寄生定址光學效應。 ^壓讀弗里德里纽紐低之值， 提出兩變異體以實現此結果。第 c，此時間變成較線信號之第二_FaU、=包括縮減施加行信號之時間r 所提出之第二變異體包括對行作 於下列敘述中詳細闡明此兩變異1；^^，俾細電壓降低。將 本發明亦提出點矩陣螢幕定址裝置。 " 【實施方式】 依本發明之變異體1之描述 14 •1310538 施力:新^虎C，日術心2,維持振幅(：，與C相同，當c，增加時， 施於像素之寄生電叙而值將增加。c，降低時，因圖4電光學曲線所示 限制，將造成無法切換。對應於變異體1之信號如圖U所八 : _、圖llb:清除;;號、圖‘寫人行信號、 圖lid .清除像素信號及圖lie :寫入像素信號。 行信號時間縮減為一半之優點： υ由於在時κ接近例如r2 /2)内，未選擇之線像雜接收電壓 σ，故此變異體將寄生信餅至最低。本發明人亦明、8 方法，以對稱信號實驗之。 丫叮扎 在此情況下之寄生信號之電壓成為： V™2= r c C* V( r i+ r 2) 在先前數值實例令，舉例為r e = r 2 /2且c，=c=2伏特，故有 V™s2=T2 C 2/2(η+Γ2>= C* 2/4=lV2 故V™s =1伏特>〇. 65伏特 相對於古典情況，值已降低，但不低於弗里德里克兹電壓。故可降 低抖動效應’但無法完全消除。 2)藉由縮短行脈衝’同時使其下降與線脈衝同步，利用三高原 ’在雜情""’與μ高原脈衝者她，可降低液晶之 二體=。實際上，在相同線電壓下，三高原間之最高瞬間壓降較兩高原 ^ :於進-步切換至U均勻結構。對寫人而言，相對於兩 :二由於瞬間壓降相同，故在流體流動上並無改善。本發明人已顯喊 ，不使控織子娜狀τ，即使#液晶材料之雜增加低溫時 可獲侍兩狀態間之切換。 丌 圖11a所示線信號包含期間ri，且振㈣之第一序列，接著為期間r 1長），且振幅A2 (較A1低）之第二序列。此兩序列升降之斜率幾乎 垂直。 15 1310538 圖lib所示清除行信號包含期間rc，且振幅(：，極性與圖Ua所示線信 號相同之脈衝。此兩序列之升降斜率近乎垂直。期間rc約為期間η之期間 之半。清除行信號之下降斜率與線信號之下降斜率同步。 圖11c所示寫入行信號與圖llb所示清除行信號差異處在於極性相反。 故於圖11c中可見期間r c、振幅c’ ，並具垂直升降斜率，而下降斜率與 線信號之下降斜率同步。 〃 像素端子處之電塵為清除操作的一部份，如圖Ud所示，包含一系列具 垂直升降斜率之三齒列。第—步驟振幅…延續ri ;第二步驟振幅^延續 r 2- r c;第三步驟振幅A2-C，延續r c。

像素端子處之電壓為寫入操作的—部份’如圖Ue所示，包含具垂 降斜率之三接續步驟之系列：第—步驟振幅M期^ ;第二步驟振幅犯 期間7：2- z· c ;第三步驟振幅A2+c，期間τ c。 與切如，姆軸嫩版減振幅Μ 小於最強、、、丫 ^㈤’而在寫人像素之情況下，中間步驟之振幅A2 J於取強之初始振幅A1與最終振幅A2+c，。 依本發明之變異體2之描述 壓二其與矩形脈衝組成之標準行_關之有效電 、古典τ2有關之行信號，俾自變異體1之優點中獲益。 實例1 在第實例中，採取傾斜型行信號言號振 抵達最高峰電壓C”，__末端_回至零爾_加，直到 仃減C之最大值可與古典c_ 之電光學曲線）。 啊…構間切換（見圖4 16 1310538 在此情況下之寄生信號之ν™電壓成為： v二 rcC” 2/3(τι+τ2)

• \ W I J L J 在先W數值實例中，舉例為r。= r2 /2且c” =〇2伏特，故有 V™s2=t2 C” 2/6(ri+r2)= c” V12=0.33V2 亦即V™s =0.57伏特<0.65伏特 相對於古典情況及變異體丨，⑽值已降低。現已確認鮮1，且㈣ 像定值時不再有任何抖動。 田’v 圖12a中所示信號包含期間ri，且振㈣之第一序列，接著為期間r 2 (較l長），且振幅A2 (㈣低）之第二序列。此兩序列升降之斜率幾乎 垂直。 圖12b所示清除行信號包含期間rc，具線性上昇斜率抵達振幅c，及垂 直下降斜率之脈衝。 圖版所示寫入行信號與圖12b戶斤示清除行信號差異處在於極性相反。 故於圖12c中可見期間rc ’具線性上昇斜率抵達振幅c，及垂直 之脈衝。 ’ 如圖伽所示’在欲清除之像素端子處之電壓具三連續序列：振幅μ 且期間為〜之第-序列、振幅A2J_期間為r2_re之第二序列，及期間η、 振幅自初始振幅Α2持續下降至最終振幅A2-c，之第；；；序列。 圖12d之Α2值再度為中間值。

在欲寫入之像素端子處之電壓亦具三連續序列：振幅ai且 之第-序列、振㈣且期斷2〜之第二序列，及期心、初 振幅A2持續增加至較高值概，之第三序列。故與圖ne相較 之情況下，A2值係中間值。 M 實例2 、第二實例中，將採取具兩高原C1射2 (期間分別為h與q之 仃信號。對應於變異體2之實例2之信號時例如圖13。再度可見圖 17 1310538 入行信號、圖13d :清除像素信 7Tc= 且為雙高原型。 線信號、圖13b :清除行信號、圖13c :宜 號’極圖13 :寫入像素信號。行脈衝之期間 兩變異體之實驗結果 為顯現本發明妥適，測量影像定址_，議em螢幕之像素之光傳遞。 由於偏振體之配置’在此情況下給定之均勻結構為白歧態，而寫入之处 構為黑狀態。當定址像素之斜’像錢躺勻結構（自狀態）並接著於 ”餘影像定址_歷經寄生行錢。接著光傳遞將降至黑與白值間之中間 值。以下列三種情況測量光學響應：

•'古典：齒列狀行信號-振幅c-期間r2 -依變異體j : 齒列狀行信號-振幅C-期間r C= T 2/2 -依變異體2-實例1 : 傾斜行信號-最大振幅C-期間r r 2/2

BiNem螢幕與定址信號之特性與數值實例中所給值非常接近。 在圖14中可見’在古典情況下（圖⑷），光傳遞位準十分混κ接近 黑）。此情況對應於螢幕電氣定址期間之明顯抖動狀況。在依本發明之變異 體1中（圖14b)，光狀態較不混|L而維持於灰色。抖動仍屬可見。在依本 _叙明之變異體2巾（圖14c)，所測得之光狀態極近於白。所得量之像素之 光狀悲幾乎不為寄生行信號所擾。 結論 在結論中，本發明人提供藉由受控表面破壞之切換，於 陣被動螢幕之像素之兩狀M切換之方法。所糾之原始錄綱:高 原之，且行信號相對紐舰遲，並且洽終於線錢與變化型式之 第-回原之末端’不論古典齒列狀或例如傾斜均然。此方法可轉降信號 達成扭曲狀態，或以具三高原之缓降獲得均勻狀態，同時施於營幕像素。 本發明-方面在影像變換時減少，在某些情況下甚至消除寄生效應，另〆 18 1310538 方面藉由製作接近緩降鱗之清除錄而使切換較易 【圖式簡單說明】 加二像奴技術狀態，更精確言之為在此像素中，無施 場中之八子处構感=構·％之為u均勻結構及τ扭曲結構。圖h顯示在 种之刀子結構。前號係指場停止時之分子轉動。 期間狀兩結構間切換之古典像素信號。寫入信號下降時間少於其 —係脈衝後接著為微秒。提出兩清除信號：其 之信號之步階下降。 獨二倍之傾斜，另具兩高原 點。當定工點矩陣榮幕原理。像素之啟動區位於行與線電極之交 田：、❹時’同時施加行信辭所有行，接著移至次行。 第一高馬 、㉟理像铸作之電絲轉。施加電壓之 ;:原雜16伏特，且光傳遞係至第二高原值而定。 D。主5己與^定址相容之兩操作點。 4=:==置::得結構_關係。在圖_ 伏特間或9伏特與16伏特H一ς原信值W U均城構。對介於0與5 圖6聞釋古典多工定址之線鱼卢·而。’可扭曲結構。 另-者。 線與仃視行信號標示得到兩結構之一或 緩慢損害^古^改善，以避免液晶單元中，因電解作料致對材料之 圖二偏振線與行信號對稱，其均值因而為零。 轉為之。另—古典版本，其帽稱係藉由自—影像至另-影像之極性反 0又可&加對糾吕號於像素’同時將控制電路電屡偏離降至最低之 19 1310538 1在匕清況下未選擇之線接收等於行信號均值之線信號，而非接收 如先前情況下之信號。 圖ίο顯不在像素端子處存在之寄生信號，已知係因像素之線未啟動 ¥，其拾取之行信號所致。 圖11顯林發明人提出依本發明之新信號型式之變異體。行脈衝延續 奸一^線‘號之第原期間短且為齒列狀，其中齒列之下降與線信號之 弟一南原之下降同步。 圖12顯不本發明人提出依本發明之新信號型式之變異體。行脈衝延續 時間較線錢之第二高原_短且為傾斜狀，其中傾斜之下降與線信號之 第二高原之下降同步。 圖13顯不本發明人提出依本發明之新信號型式之變異體。行脈衝延續 時二車乂紅號之第—向原期耻且為雙高原狀，其中高原之下降與線信號 之弟-而原之下降同步。 圖14以實例描述當異於像素所屬線之其它線定址時，在白狀態中之像 素之光信號。此像素料站信驗感。其辅雜所施加之行脈衝而定。 3情況顯示：古典情況（圖14a);鱗信號之第二高原短之_狀行信號 (依本發明之圖14b);及較線信號之第二高原短且為傾斜狀之行信號（依 本發明之圖14c)。在第-與第三種情況間，可見到像素之光傳遞之改善， 與本發明之描述不謀而合。 ° 本發明尤其適麟文件丨巾所述_兩結構之BiNem裝置，其一為均勾 或些微扭曲’且其中分子至少大致相互平行，而另—與第一者相異處在於 扭曲約+/-180°。 參考文件 文件1 :法國專利2740894。 文件 2:M. Gi〇cond〇, ILelidis，I, Dozov，G. Durand 之，，Writeand erase mechanism of surface controlled bistable nematic pixel” 。 20 1310538 文件 3: Air. PM，PleshkoP. 1974，IEEE Trans Electron Devices ED-21， 146:55。 文件 4 : ” Recent improvements of bistable Nematic displays switched by anchoring breaking, proceeding of SID 2001，224 227” o 【主要元件符號說明】 3 主片

Claims (1)

1310538 十、申請專利範圍： 1· -種供定址具有行電極及線電極之―雙穩關結破壞向列液晶點 矩陣螢幕狀方法，職在於财法至少包括施加—€氣信财行電極之 /驟’其巾賴氣信號之特徵在於_於降低介於未被選擇刺該些行電 極及該些線之間的寄生像素脈衝之均方根霞，其中該均綠電壓降 低至較弗里德里克雜rcederiekzs)電觀之―值，研僻找址光學效 應’該螢幕使用-第-及—第二穩定結構，其中該第—結構為均勻或輕微 扭曲’且該第-結構之分子㈣大致上彼此平行，而該第二結構不同於該 第二結構之處在於該第二結構具約+/_18()。之扭曲，以及施加些行電極 之-行信離dumn Signal)，且騎錄<_(duratiGn)較触行電極之一 線脈衝之最終穩定期間短。 ,2_如申μ專利範圍第1項之方法，其中該行信號之該期間約為該線脈 衝之該最終穩定期間的一半。 3. 如t料娜或2射任1之方法，其找行饨之型式被 _以降傾些料像素崎之該狀根電壓。 4. 如申請專纖項中任—項之方法，其中該行钱之 與該線脈衝之末端同步。 + @ 糊卿1或2獅—奴綠，㈣纖之振幅被 调適以降低_寄生像素脈衝之該均方根電壓。 狀。6·如申凊專利範圍第阳項中任—項之方法，其中該行信號為—齒列 7. 如申轉概1)$1或2射任—項之方法，其中該浦號為一傾 狀。 8. 如申，專她圍幻項之方法，其巾該行信 線性上昇直到抵達一最高雷厭，廿姓里命^ ώ 土亚接者與β玄線脈衝之該末端同步遽變為裳。 9·如申請專利範圍第阳項中任—項之方法，其中施加於該些行電極 22 1310538 之行信號及施加於該些線電極之線信號被調適於界定一零均值⑽^ value)。· ω.如申請專利範圍第9項之方法，其中各線信號及各行信號包含兩組 態相同但極性減之接續次組成(successive s曲侧扯㈣。 11.如申明專利祕第9項之方法，其巾該等線信號與該等行信號之極 性於影像之各變化處反轉。 0 12.如h專利減第9項之方法，其中於將-制電壓加人該等線信 號與該等行信叙該轉分量巾，俾使辭各録之該等錢具極性減 之兩接續次組成。 春—I3·-種具有行電極及線電極之雙穩態固結破壞向列液晶點矩陣榮幕 植裝置’其巾其包括—施加氣信舒該等行電極之方法，其中該 電氣行信號之其中調適於降低介於未被選擇到的該些行電極及該些線電極 之間的寄生像素脈衝之均方根電壓至較該弗里德里克兹電壓低之一值，俾 降低寄生定址光學效應，該縣使用—第―及―第二歡結構，其中該第 :結構為均勻或輕微扭曲，且該第—結構之該些分子全為大致上彼此平 行’而該第二結構不同於該第一結構之處在於該第二結構具約+/_⑽。之扭 曲’以及包含知加至该些行電極之該行信號㈣麵吨―)的方》去且該行 馨信號之該期間Wumtion：)較該些行電極之一線脈衝之最終穩定期間短。 M.如申μ專她圍第13項之裝置，其巾該行信號之型式被調適以降低 該些寄生像素脈衝之該均方根電壓。 15. 如申3月專利細第13項之裝置’其中蹄信號之振幅被調適以降低 該些寄生像素脈衝之該均方根電麗。 16. 如申睛專她目帛13或14射任—項之裝置，其巾該行信號之該末 端與該線脈衝之該末端同步。 17. 如申睛專利範圍第13或14項中任一項之裝置，其中該行信號之該期 間約為該線脈衝之該最終穩定期間的一半。 23 .1310538 列狀认如申請專利範圍第】3朗項中任—項之裝置，斜該行信號為—諸 斜狀 I9,如申請翻射任—項之裝置， 其中該行信號為 •傾 20·如申請專利範圍第吻之裝置，其令該行信 其線性上昇直到抵達—最“具有之-傾斜外型 零。 取同电塵’並接者與該線脈衝之該末端同步遽變為 21. 如申請專利範圍第13或14項中任— 氣信號被調適於界定該像素信號一零均值。、〃所施加之該等電 22. 如申物_肋項之裝置，射各線信號 態相同但極性相反之_她成。 了彳。就3兩組 補翻第21項H射該料錄錢飾信號之極 性於影像之各變化處反轉。 24.如申請專利範圍第21項之裝置，其中將一共用電壓加入該等辭號 與該等行信紅該工作分量巾，做料各騎之辦錢雜性相反之 兩次組成。 ❿ 24 ，1310538 七、指定代表圖·· (一） 本案指定代表圖為：第（1 )圖。 (二) 本代表圖之元件符號簡單說明： 1 主片 2 從片 八、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學式： 無