JP3525222B2 - 強誘電性液晶の配向制御方法およびそれを用いた表示素子 - Google Patents
強誘電性液晶の配向制御方法およびそれを用いた表示素子Info
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Description
【産業上の利用分野】本発明は液晶素子及び表示方法に
関し、更に詳しくは、強誘電性カイラルスメクチックＣ
液晶の配向制御方法とそれを用いた光スイッチング素子
及び階調表示方法に関する。
関し、更に詳しくは、強誘電性カイラルスメクチックＣ
液晶の配向制御方法とそれを用いた光スイッチング素子
及び階調表示方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶組成物は表示素子材料として広く用
いられている。現在の液晶表示素子のほとんどはツイス
テドネマチック（ＴＮ）型表示方式のものであり、この
表示方式はネマッチック相を利用している。液晶ディス
プレイに用いられているＴＮ型表示方式は、大きく二つ
に分けられる。一つは、各画素にスイッチング・トラン
ジスタを取り付けたアクティブ・マトリクス方式であ
る。この方式の例としては、薄膜トランジスタ（ＴＦ
Ｔ：ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を使
ったものがある。表示品位はＣＲＴ（ｃａｔｈｏｄｅ
ｒａｙ ｔｕｂｅ）と肩を並べるレベルまで達している
が、画面の大型化が困難でありコストも高い。もう一つ
は、スーパーツイステッドネマチック（ＳＴＮ）方式で
ある。従来の単純マトリクス方式に比べコントラスト、
視角依存性は改良されているものの、表示品位はＣＲＴ
のレベルには達していない。しかし、製造コストは低
い。これらの二つの方式は、その品位、製造コストを考
えると一長一短ある。
いられている。現在の液晶表示素子のほとんどはツイス
テドネマチック（ＴＮ）型表示方式のものであり、この
表示方式はネマッチック相を利用している。液晶ディス
プレイに用いられているＴＮ型表示方式は、大きく二つ
に分けられる。一つは、各画素にスイッチング・トラン
ジスタを取り付けたアクティブ・マトリクス方式であ
る。この方式の例としては、薄膜トランジスタ（ＴＦ
Ｔ：ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を使
ったものがある。表示品位はＣＲＴ（ｃａｔｈｏｄｅ
ｒａｙ ｔｕｂｅ）と肩を並べるレベルまで達している
が、画面の大型化が困難でありコストも高い。もう一つ
は、スーパーツイステッドネマチック（ＳＴＮ）方式で
ある。従来の単純マトリクス方式に比べコントラスト、
視角依存性は改良されているものの、表示品位はＣＲＴ
のレベルには達していない。しかし、製造コストは低
い。これらの二つの方式は、その品位、製造コストを考
えると一長一短ある。
【０００３】１０年程前、この二者の問題を解決すると
期待されて登場した方式に強誘電性強液晶（ＦＬＣ）が
ある。現在、単にＦＬＣというと、表面安定化強誘電性
液晶（ＳＳＦＬＣ）を指す。このＳＳＦＬＣは、１９８
０年にＮ．Ａ．クラ−クとＳ．Ｔ．ラガウォ−ル｛アプ
ライド フィジックス レタ−ズ（Ａｐｐｌ．ｐｈｙ
ｓ．Ｌｅｔｔ．３６，８９９，１９８０）参照｝によっ
て提案された。以来、次世代の液晶と呼ばれ、家電メ−
カ−や材料メ−カ−によって製品化に取り組まれてお
り、特性の改良や商品化が行われている。その理由は、
強誘電性液晶素子が原理的に以下の特徴を有するからで
ある。 高速応答性 メモリ−性 広視野角 上記の特徴により、ＳＳＦＬＣは高密度表示への可能性
をひめており、非常に表示素子としての魅力にあふれた
ものである。しかし、研究が進むにつれて、解決しなけ
ればならない問題が明らかにされてきた。それは、 スイッチング不良、焼付き現象 機械的ショックに対する不安定性 「く」の字層構造によるコントラストの低下 等である。
期待されて登場した方式に強誘電性強液晶（ＦＬＣ）が
ある。現在、単にＦＬＣというと、表面安定化強誘電性
液晶（ＳＳＦＬＣ）を指す。このＳＳＦＬＣは、１９８
０年にＮ．Ａ．クラ−クとＳ．Ｔ．ラガウォ−ル｛アプ
ライド フィジックス レタ−ズ（Ａｐｐｌ．ｐｈｙ
ｓ．Ｌｅｔｔ．３６，８９９，１９８０）参照｝によっ
て提案された。以来、次世代の液晶と呼ばれ、家電メ−
カ−や材料メ−カ−によって製品化に取り組まれてお
り、特性の改良や商品化が行われている。その理由は、
強誘電性液晶素子が原理的に以下の特徴を有するからで
ある。 高速応答性 メモリ−性 広視野角 上記の特徴により、ＳＳＦＬＣは高密度表示への可能性
をひめており、非常に表示素子としての魅力にあふれた
ものである。しかし、研究が進むにつれて、解決しなけ
ればならない問題が明らかにされてきた。それは、 スイッチング不良、焼付き現象 機械的ショックに対する不安定性 「く」の字層構造によるコントラストの低下 等である。
【０００４】
【本発明が解決しようとしている課題】前述したことＳ
ＳＦＬＣ表示デバイスの持つ課題の中、本発明が解決し
ようとする課題は、前記項の「く」の字構造によるコ
ントラストの低下を回避して高コントラストを得ること
である。本発明の別の目的は、高コントラストでかつ階
調表示ができるＳＳＦＬＣ表示を実現することである。
前述した通り、コントラストの低下の要因の一つに
「く」の字層構造によるものがある。これによる低下
は、「く」の字層構造そのものに起因するものよりもむ
しろ「く」の字の方向のばらつきによって発生する欠陥
によるところが大きい。つまり、「く」の字を一方向に
揃えることによって、この欠陥によるコントラストの低
下は防げる。「く」の字層構造の発生した配向状態は、
ラビング方向とこの「く」の字の方向の関係から、二つ
の配向に分類されており、それらは、Ｃ１配向およびＣ
２配向と呼ばれている（神辺、電子情報通信学会専門講
習会講演論文集「オプトエレクトロニクス」−液晶表示
と関連材料−，１９９０年１月，ｐ−１８〜２６）。ラ
ビング方向と層の突出した方向が同じ場合をＣ１配向、
逆の場合をＣ２配向と定義している（特開平１−１５８
４１５）。Ｃ１、Ｃ２は、セル内に発生するジグザグ欠
陥の観察より判別できる。セル内に発生するジグザグ欠
陥の形状から層の折れ曲がり方向が決定できる。欠陥に
は、ライトニングとヘアピンの二種類の形状があり、こ
れらの観察からラビング方向と層の折れ曲がり方向の関
係が決定できる。また、ラビング方向と分子のプレチル
トの関係も分かっているため、この関係からＣ１配向と
Ｃ２配向が区別できる。
ＳＦＬＣ表示デバイスの持つ課題の中、本発明が解決し
ようとする課題は、前記項の「く」の字構造によるコ
ントラストの低下を回避して高コントラストを得ること
である。本発明の別の目的は、高コントラストでかつ階
調表示ができるＳＳＦＬＣ表示を実現することである。
前述した通り、コントラストの低下の要因の一つに
「く」の字層構造によるものがある。これによる低下
は、「く」の字層構造そのものに起因するものよりもむ
しろ「く」の字の方向のばらつきによって発生する欠陥
によるところが大きい。つまり、「く」の字を一方向に
揃えることによって、この欠陥によるコントラストの低
下は防げる。「く」の字層構造の発生した配向状態は、
ラビング方向とこの「く」の字の方向の関係から、二つ
の配向に分類されており、それらは、Ｃ１配向およびＣ
２配向と呼ばれている（神辺、電子情報通信学会専門講
習会講演論文集「オプトエレクトロニクス」−液晶表示
と関連材料−，１９９０年１月，ｐ−１８〜２６）。ラ
ビング方向と層の突出した方向が同じ場合をＣ１配向、
逆の場合をＣ２配向と定義している（特開平１−１５８
４１５）。Ｃ１、Ｃ２は、セル内に発生するジグザグ欠
陥の観察より判別できる。セル内に発生するジグザグ欠
陥の形状から層の折れ曲がり方向が決定できる。欠陥に
は、ライトニングとヘアピンの二種類の形状があり、こ
れらの観察からラビング方向と層の折れ曲がり方向の関
係が決定できる。また、ラビング方向と分子のプレチル
トの関係も分かっているため、この関係からＣ１配向と
Ｃ２配向が区別できる。
【０００５】コントラストは、各々の配向によって、ま
たユニホ−ム状態かツイスト状態かによっても異なって
いる（特開平４−２６７２２３）。ここで、特開平４−
２６７２２３にならって、Ｃ１配向で消光位を示すもの
をＣ１ユニホ−ム（Ｃ１Ｕと略記する）配向、Ｃ１配向
で消光位を示さないものをＣ１ツイスト（Ｃ１Ｔと略記
する）配向とする。Ｃ２配向は消光位を示すもの一種類
しか観測できなかったためＣ２配向と表記するが、理論
的にはＣ１配向と同様に二種類ある。特開平４−２６７
２２３と同様に得られるコントラストには次の傾向があ
った。 Ｃ１Ｕ＞Ｃ２＞Ｃ１Ｔ このことから、高コントラストを実現するためには、完
全なＣ１Ｕ配向が得られればよいことがわかる。完全な
Ｃ１Ｕ配向を実現する方法は、たとえば特開平４−２６
７２２３では、Ｃ１Ｕ配向する液晶材料とプレチルト角
が１２〜１５゜の配向膜の組み合わせで開示されている
が、その組み合わせは非常に限られたものである。
たユニホ−ム状態かツイスト状態かによっても異なって
いる（特開平４−２６７２２３）。ここで、特開平４−
２６７２２３にならって、Ｃ１配向で消光位を示すもの
をＣ１ユニホ−ム（Ｃ１Ｕと略記する）配向、Ｃ１配向
で消光位を示さないものをＣ１ツイスト（Ｃ１Ｔと略記
する）配向とする。Ｃ２配向は消光位を示すもの一種類
しか観測できなかったためＣ２配向と表記するが、理論
的にはＣ１配向と同様に二種類ある。特開平４−２６７
２２３と同様に得られるコントラストには次の傾向があ
った。 Ｃ１Ｕ＞Ｃ２＞Ｃ１Ｔ このことから、高コントラストを実現するためには、完
全なＣ１Ｕ配向が得られればよいことがわかる。完全な
Ｃ１Ｕ配向を実現する方法は、たとえば特開平４−２６
７２２３では、Ｃ１Ｕ配向する液晶材料とプレチルト角
が１２〜１５゜の配向膜の組み合わせで開示されている
が、その組み合わせは非常に限られたものである。
【０００６】次に、もう一つの課題である階調表示の実
現についてである。元来、強誘電性液晶表示の特徴は双
安定状態であるため、階調表示は原理的には不可能であ
る。階調表示を実現するためにいくつかの方法が提案さ
れている。特開平４−２６４５２３にも開示されている
ように、以下の方法がある。 画素を分割して独立に駆動する方法（ディザ方式） 画素内で電位勾配を生じさせて表示領域を分割させる
方法（電位勾配法） 単安定状態の液晶に一方向の電界を印加し、その電界
強度により液晶分子長軸方向の変位をコントロ−ルしよ
うとする方法 画素内での液晶層の厚さを変化させることにより液晶
層に印加される電界強度を変化させる方法 このうちは簡便な方法であるが、画素数が多くなると
走査線の数が多くなりすぎるという欠点がある。
現についてである。元来、強誘電性液晶表示の特徴は双
安定状態であるため、階調表示は原理的には不可能であ
る。階調表示を実現するためにいくつかの方法が提案さ
れている。特開平４−２６４５２３にも開示されている
ように、以下の方法がある。 画素を分割して独立に駆動する方法（ディザ方式） 画素内で電位勾配を生じさせて表示領域を分割させる
方法（電位勾配法） 単安定状態の液晶に一方向の電界を印加し、その電界
強度により液晶分子長軸方向の変位をコントロ−ルしよ
うとする方法 画素内での液晶層の厚さを変化させることにより液晶
層に印加される電界強度を変化させる方法 このうちは簡便な方法であるが、画素数が多くなると
走査線の数が多くなりすぎるという欠点がある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の主目的は下記の
第（１）〜（３）項により達成される。 （１） それぞれ電極及び配向膜を有する互いに対抗す
る一組の基板間にその電極によって駆動される強誘電性
液晶層を配置し、かつこの一組の基板の外側に一対の偏
光板を配置して構成した液晶素子において、強誘電性液
晶の初期配向状態がＣ１ツイスト配向、Ｃ２ユニホーム
配向またはＣ２ツイスト配向である状態から、電界を印
加することによって全面をＣ１ユニホーム配向に転移さ
せる配向制御方法。 （２） 前記第（１）項の配向制御方法を用いてできた
Ｃ１ユニホーム配向を使用した強誘電性液晶素子。 （３） 前記第（２）項において、初期配向状態がＣ２
ユニホーム配向であることを特徴とする強誘電性液晶素
子。本発明の別の目的は以下の第（４）〜（６）項によ
り達成される。 （４） それぞれ電極及び配向膜を有する互いに対抗す
る一組の基板間にその電極によって駆動される強誘電性
液晶層を配置し、かつこの一組の基板の外側に一対の偏
光板を配置して構成した液晶素子において、強誘電性液
晶の初期配向状態がＣ１ツイスト配向、Ｃ２ユニホーム
配向またはＣ２ツイスト配向であるか、または前記３種
の配向とＣ１ユニホーム配向との４種の配向の中の少な
くとも二つが混在した配向（ただし、Ｃ１ツイスト配向
とＣ１ユニホーム配向とが混在した配向を除く）である
状態から、電界を印加することによって全面をＣ１ユニ
ホーム配向に転移させる配向制御方法を用いてできたＣ
１ユニホーム配向を使用した強誘電性液晶素子におい
て、電界印加で出現したＣ１ユニホーム配向と、さらに
印加した電界の大きさを０にするかまたは小さくするこ
とによって再転移させたＣ２ユニホーム配向との二つの
配向状態を、用いることを特徴とする強誘電性液晶素
子。（５） 前記第（４）項において、初期配向状態がＣ２
ユニホーム配向であることを特徴とする強誘電性液晶素
子。 （６） 前記第（３）項において、電界印加で出現した
Ｃ１ユニホーム配向と、さらに印加した電界の大きさを
０にするかまたは小さくすることによって再転移させた
Ｃ２ユニホーム配向との二つの配向状態を用いて、印加
する電界を調節することによって階調表示する表示方
法。
第（１）〜（３）項により達成される。 （１） それぞれ電極及び配向膜を有する互いに対抗す
る一組の基板間にその電極によって駆動される強誘電性
液晶層を配置し、かつこの一組の基板の外側に一対の偏
光板を配置して構成した液晶素子において、強誘電性液
晶の初期配向状態がＣ１ツイスト配向、Ｃ２ユニホーム
配向またはＣ２ツイスト配向である状態から、電界を印
加することによって全面をＣ１ユニホーム配向に転移さ
せる配向制御方法。 （２） 前記第（１）項の配向制御方法を用いてできた
Ｃ１ユニホーム配向を使用した強誘電性液晶素子。 （３） 前記第（２）項において、初期配向状態がＣ２
ユニホーム配向であることを特徴とする強誘電性液晶素
子。本発明の別の目的は以下の第（４）〜（６）項によ
り達成される。 （４） それぞれ電極及び配向膜を有する互いに対抗す
る一組の基板間にその電極によって駆動される強誘電性
液晶層を配置し、かつこの一組の基板の外側に一対の偏
光板を配置して構成した液晶素子において、強誘電性液
晶の初期配向状態がＣ１ツイスト配向、Ｃ２ユニホーム
配向またはＣ２ツイスト配向であるか、または前記３種
の配向とＣ１ユニホーム配向との４種の配向の中の少な
くとも二つが混在した配向（ただし、Ｃ１ツイスト配向
とＣ１ユニホーム配向とが混在した配向を除く）である
状態から、電界を印加することによって全面をＣ１ユニ
ホーム配向に転移させる配向制御方法を用いてできたＣ
１ユニホーム配向を使用した強誘電性液晶素子におい
て、電界印加で出現したＣ１ユニホーム配向と、さらに
印加した電界の大きさを０にするかまたは小さくするこ
とによって再転移させたＣ２ユニホーム配向との二つの
配向状態を、用いることを特徴とする強誘電性液晶素
子。（５） 前記第（４）項において、初期配向状態がＣ２
ユニホーム配向であることを特徴とする強誘電性液晶素
子。 （６） 前記第（３）項において、電界印加で出現した
Ｃ１ユニホーム配向と、さらに印加した電界の大きさを
０にするかまたは小さくすることによって再転移させた
Ｃ２ユニホーム配向との二つの配向状態を用いて、印加
する電界を調節することによって階調表示する表示方
法。
【０００８】本発明は、初期配向状態がＣ２ツイスト配
向、Ｃ２ユニホーム配向またはＣ１ツイスト配向状態で
ある強誘電性液晶素子に、電界を印加することによっ
て、高コントラストを得られるＣ１ユニホーム配向を実
現することにある。すなわち、印加する電界を徐々に大
きくしていくと、ある電圧では、全面がＣ２配向にな
り、さらに印加電圧を上げると、全面がＣ１Ｕ配向に転
移し、その状態から電圧を下げていくと、今度は全面が
Ｃ２配向に戻ると言う事実を発見したことに基いてい
る。また、これらの三種の配向とＣ１ユニホーム配向の
中の少なくとも二つの配向が混在する配向状態でも同様
な現象が認められる。前述したように、Ｃ１Ｕ配向とＣ
２配向ではコントラストが異なることから、印加電圧の
大きさと電界の方向を変化させることによって、Ｃ１Ｕ
とＣ２の両方の双安定状態を利用して、白黒及び中間の
二階調の表示が可能となる。これにより、従来は一つの
双安定状態のみを利用した階調表示であったのに比較し
て、Ｃ１ＵとＣ２の双安定状態を利用すると、ディザ方
式で任意の階調を出す場合に以下のような利点がもたら
される。
向、Ｃ２ユニホーム配向またはＣ１ツイスト配向状態で
ある強誘電性液晶素子に、電界を印加することによっ
て、高コントラストを得られるＣ１ユニホーム配向を実
現することにある。すなわち、印加する電界を徐々に大
きくしていくと、ある電圧では、全面がＣ２配向にな
り、さらに印加電圧を上げると、全面がＣ１Ｕ配向に転
移し、その状態から電圧を下げていくと、今度は全面が
Ｃ２配向に戻ると言う事実を発見したことに基いてい
る。また、これらの三種の配向とＣ１ユニホーム配向の
中の少なくとも二つの配向が混在する配向状態でも同様
な現象が認められる。前述したように、Ｃ１Ｕ配向とＣ
２配向ではコントラストが異なることから、印加電圧の
大きさと電界の方向を変化させることによって、Ｃ１Ｕ
とＣ２の両方の双安定状態を利用して、白黒及び中間の
二階調の表示が可能となる。これにより、従来は一つの
双安定状態のみを利用した階調表示であったのに比較し
て、Ｃ１ＵとＣ２の双安定状態を利用すると、ディザ方
式で任意の階調を出す場合に以下のような利点がもたら
される。
【０００９】強誘電性液晶素子に印加する電界の大きさ
を制御することによって、Ｃ１Ｕ配向とＣ２配向とをス
イッチングさせることができるので、画素を分割して独
立に駆動して階調表示を行うディザ方式での画素数に対
する走査線の数を、従来の同方式で駆動する場合の走査
線の数よりも少なくできる。すなわち、Ｃ１Ｕ配向とＣ
２配向とを印加する電界の大きさを制御することによっ
て出現させ、両方の配向ではその双安定状態における透
過光強度に差があることを利用して、階調表示を行うこ
とができるので、画素を分割して独立に駆動方法による
階調表示を行う方式と組み合わせて、画素数に対する走
査線の数を従来の駆動方法より少なくできるというもの
である。
を制御することによって、Ｃ１Ｕ配向とＣ２配向とをス
イッチングさせることができるので、画素を分割して独
立に駆動して階調表示を行うディザ方式での画素数に対
する走査線の数を、従来の同方式で駆動する場合の走査
線の数よりも少なくできる。すなわち、Ｃ１Ｕ配向とＣ
２配向とを印加する電界の大きさを制御することによっ
て出現させ、両方の配向ではその双安定状態における透
過光強度に差があることを利用して、階調表示を行うこ
とができるので、画素を分割して独立に駆動方法による
階調表示を行う方式と組み合わせて、画素数に対する走
査線の数を従来の駆動方法より少なくできるというもの
である。
【００１０】
【発明の作用・効果】本発明の効果は、第一に、電界印
加によってＣ１Ｕ配向を出現させることにっよって高コ
ントラストの実現できることである。第二に、印加する
電界の大きさを変化させることによって、Ｃ１Ｕ配向と
Ｃ２配向と発現せしめ、この二つの配向状態を制御して
階調表示が実現できることである。
加によってＣ１Ｕ配向を出現させることにっよって高コ
ントラストの実現できることである。第二に、印加する
電界の大きさを変化させることによって、Ｃ１Ｕ配向と
Ｃ２配向と発現せしめ、この二つの配向状態を制御して
階調表示が実現できることである。
【００１１】
【実施例】以下、実施例によって本発明を更に詳細に説
明するが、本発明は実施例に限定されるものではない。
明するが、本発明は実施例に限定されるものではない。
【実施例１】主たる化学構造として、以下の化学式を繰
返し単位として有するポリイミドを配向膜として用い、
ＩＴＯ透明電極を設けた基板上に６０ｎｍの厚さで塗布
し、配向処理を行ったものを、配向方向が同一になるよ
うに対向させて、セルを組み立てた。
返し単位として有するポリイミドを配向膜として用い、
ＩＴＯ透明電極を設けた基板上に６０ｎｍの厚さで塗布
し、配向処理を行ったものを、配向方向が同一になるよ
うに対向させて、セルを組み立てた。
【００１２】
【化１】
【００１３】このセルに以下の組成の強誘電性液晶組成
物Ａを等方性液体状態で注入し、降温速度１℃／ｍｉｎ
で室温まで温度を下げた。
物Ａを等方性液体状態で注入し、降温速度１℃／ｍｉｎ
で室温まで温度を下げた。
【００１４】
【化２】
【００１５】この組成物Ａの相転移温度（℃）と２５℃
における傾き角および自発分極の値は以下の通りであ
る。 Ｃｒ −２１ ＳＸ １１ ＳＣ＊ ４３ ＳＡ ７４
Ｎ＊ ７７ Ｉｓｏ 傾き角 １３．７゜ 自発分極値 ４．７ ｎＣ／ｃｍ2 この時の初期配向状態は、全面がＣ２配向であった。こ
のセルに１０Ｖ／μｍの矩形波を印加したところ、全面
がＣ１Ｕ配向に転移した。さらに、印加電界を１Ｖ／μ
ｍに下げたところ、全面がＣ２配向に再転移した。この
時のＣ１Ｕ配向でプラスの電界を印加した時の輝度を最
低になるように、クロスニコルの偏光板を合わせて、こ
の時の輝度を１とすると、Ｃ１Ｕ配向でマイナスの電界
を印加した時の輝度は、９３であり、さらにＣ２配向に
転移させ、プラスの電界を印加した時の輝度は、３０で
あり、Ｃ２配向でマイナスの電界を印加した時の輝度
は、６１であった。
における傾き角および自発分極の値は以下の通りであ
る。 Ｃｒ −２１ ＳＸ １１ ＳＣ＊ ４３ ＳＡ ７４
Ｎ＊ ７７ Ｉｓｏ 傾き角 １３．７゜ 自発分極値 ４．７ ｎＣ／ｃｍ2 この時の初期配向状態は、全面がＣ２配向であった。こ
のセルに１０Ｖ／μｍの矩形波を印加したところ、全面
がＣ１Ｕ配向に転移した。さらに、印加電界を１Ｖ／μ
ｍに下げたところ、全面がＣ２配向に再転移した。この
時のＣ１Ｕ配向でプラスの電界を印加した時の輝度を最
低になるように、クロスニコルの偏光板を合わせて、こ
の時の輝度を１とすると、Ｃ１Ｕ配向でマイナスの電界
を印加した時の輝度は、９３であり、さらにＣ２配向に
転移させ、プラスの電界を印加した時の輝度は、３０で
あり、Ｃ２配向でマイナスの電界を印加した時の輝度
は、６１であった。
【００１６】
【実施例２】実施例１の強電性液晶組成物Ａのかわりに
以下の組成の強電性液晶組成物Ｂを注入してセルを作成
した。
以下の組成の強電性液晶組成物Ｂを注入してセルを作成
した。
【００１７】
【化３】
【００１８】組成物Ｂの相転移温度（℃）および２５℃
における傾き角と自発分極の値を以下に示す。 Ｃｒ −６ ＳＣ＊ ６１ ＳＡ ９８ Ｎ＊ １０６
Ｉｓｏ 傾き角 １７．０゜ 自発分極値 ８．０ ｎＣ／ｃｍ2 この時の初期配向状態はＣ１Ｕ配向が全体の９３％、Ｃ
１Ｔ配向が５％、Ｃ２配向が２％であった。このセルに
１Ｖ／μｍの矩形波を印加すると、全面Ｃ２配向に転移
した。さらに、１０Ｖ／μｍ印加すると全面Ｃ１Ｕに転
移した。再び、１Ｖ／μｍに戻すと、配向は、全面Ｃ２
配向になった。このときのＣ１Ｕ配向でプラスの電界を
印加したときの輝度を最低になるようにクロスニコルの
偏光板を合わせて、これを１とするとＣ１Ｕ配向でマイ
ナスの電界を印加したときの輝度は、４９であり、さら
にＣ２配向でプラス電界を印加した時の輝度は、８であ
り、Ｃ２配向でマイナス電界を印加したときの輝度は、
３０であった。
における傾き角と自発分極の値を以下に示す。 Ｃｒ −６ ＳＣ＊ ６１ ＳＡ ９８ Ｎ＊ １０６
Ｉｓｏ 傾き角 １７．０゜ 自発分極値 ８．０ ｎＣ／ｃｍ2 この時の初期配向状態はＣ１Ｕ配向が全体の９３％、Ｃ
１Ｔ配向が５％、Ｃ２配向が２％であった。このセルに
１Ｖ／μｍの矩形波を印加すると、全面Ｃ２配向に転移
した。さらに、１０Ｖ／μｍ印加すると全面Ｃ１Ｕに転
移した。再び、１Ｖ／μｍに戻すと、配向は、全面Ｃ２
配向になった。このときのＣ１Ｕ配向でプラスの電界を
印加したときの輝度を最低になるようにクロスニコルの
偏光板を合わせて、これを１とするとＣ１Ｕ配向でマイ
ナスの電界を印加したときの輝度は、４９であり、さら
にＣ２配向でプラス電界を印加した時の輝度は、８であ
り、Ｃ２配向でマイナス電界を印加したときの輝度は、
３０であった。
─────────────────────────────────────────────────────
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(56)参考文献 特開 平２−84619（ＪＰ，Ａ)
特開 平３−36524（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−34417（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−212126（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−194666（ＪＰ，Ａ)
特開 昭64−84223（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G02F 1/13 - 1/141
Claims (6)
- 【請求項１】 それぞれ電極及び配向膜を有する互いに
対抗する一組の基板間にその電極によって駆動される強
誘電性液晶層を配置し、かつこの一組の基板の外側に一
対の偏光板を配置して構成した液晶素子において、強誘
電性液晶の初期配向状態がＣ１ツイスト配向、Ｃ２ユニ
ホーム配向またはＣ２ツイスト配向である状態から、電
界を印加することによって全面をＣ１ユニホーム配向に
転移させる配向制御方法。 - 【請求項２】 請求項１の配向制御方法を用いてできた
Ｃ１ユニホーム配向を使用した強誘電性液晶素子。 - 【請求項３】 請求項２において、初期配向状態がＣ２
ユニホーム配向であることを特徴とする強誘電性液晶素
子。 - 【請求項４】 それぞれ電極及び配向膜を有する互いに
対抗する一組の基板間にその電極によって駆動される強
誘電性液晶層を配置し、かつこの一組の基板の外側に一
対の偏光板を配置して構成した液晶素子において、強誘
電性液晶の初期配向状態がＣ１ツイスト配向、Ｃ２ユニ
ホーム配向またはＣ２ツイスト配向であるか、または前
記３種の配向とＣ１ユニホーム配向との４種の配向の中
の少なくとも二つが混在した配向（ただし、Ｃ１ツイス
ト配向とＣ１ユニホーム配向とが混在した配向を除く）
である状態から、電界を印加することによって全面をＣ
１ユニホーム配向に転移させる配向制御方法を用いてで
きたＣ１ユニホーム配向を使用した強誘電性液晶素子に
おいて、電界印加で出現したＣ１ユニホーム配向と、さ
らに印加した電界の大きさを０にするかまたは小さくす
ることによって再転移させたＣ２ユニホーム配向との二
つの配向状態を、用いることを特徴とする強誘電性液晶
素子。 - 【請求項５】 請求項４において、初期配向状態がＣ２
ユニホーム配向であることを特徴とする強誘電性液晶素
子。 - 【請求項６】 請求項３において、電界印加で出現した
Ｃ１ユニホーム配向と、さらに印加した電界の大きさを
０にするかまたは小さくすることによって再転移させた
Ｃ２ユニホーム配向との二つの配向状態を用いて、印加
する電界を調節することによって階調表示する表示方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11099793A JP3525222B2 (ja) | 1993-04-14 | 1993-04-14 | 強誘電性液晶の配向制御方法およびそれを用いた表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11099793A JP3525222B2 (ja) | 1993-04-14 | 1993-04-14 | 強誘電性液晶の配向制御方法およびそれを用いた表示素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06301038A JPH06301038A (ja) | 1994-10-28 |
| JP3525222B2 true JP3525222B2 (ja) | 2004-05-10 |
Family
ID=14549786
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11099793A Expired - Lifetime JP3525222B2 (ja) | 1993-04-14 | 1993-04-14 | 強誘電性液晶の配向制御方法およびそれを用いた表示素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3525222B2 (ja) |
-
1993
- 1993-04-14 JP JP11099793A patent/JP3525222B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06301038A (ja) | 1994-10-28 |
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