TWI309501B - Miller-compensated amplifier - Google Patents

Description

1309501 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於-種頻率補償電路，特別是有關於 一種具有補償電容的電路。 【先前技術】 、，透過補償增加的相位邊界值（phase顏㈣）可以改 善電路回授（Circuit feedback)的穩定性。一種眾所皆知用 以改善相位邊界值的方法係為利用米勒效應（Miller Effect)於與增益級（gam stage)平行處加入米勒補償電 容，例如設置於兩級放大器電路之輸出級。在眾所皆知 且期望的極點分離現象中（pole splitting phenomenon)的 設定結果（configuration result)係有助於使電路中實體電 容之有效電容值呈倍數的增加。由R. Gray and Robert G.

Meyer 於 1993 年在 John Wiley & Sons, Inc.，New York 所 發行之「類比電路之分析與設計第三版」的第九章（特別 是第607-623頁）中係揭露了利用米勒補償電容作為放大 器電路之補償的技術背景。 在美國專利第6084475號中係揭露一補償放大p， 用以將施加至輸入節點的輸入信號放大而於放大器輸出 節點產生輸出信號。如第1圖所示，補償玫大器1〇〇包 括第一放大級110、第二放大級120、第三放大級以 及電容C。第一放大級110具有作為輸入端之内部節點 以及第一級輸出節點。第二放大級12 0具有作為輪入端 075 8-A31686TWF;MTKI-05-153 ;maggielin 5 1309501 之放大器輸入節點IN以及第二級輸出節點。第三放大級 130具有耦接至第一級輸出節點以及第二級輸出節點之 第三級輸入節點，並且於放大器輸出節點OUT輸出一輸 出信號。電容C係耦接於放大器輸出節點OUT與内部節 點之間。透過將電容C以這樣的方式電性連接，流經電 容C之回授電流在到達高阻抗節點之前係透過第二放大 級120而被放大。於高阻抗節點處所引起之有效負載電 容亦會被放大。第1圖所示之以虛線表示的箭頭係為補 償放大器之主要信號路徑。主要信號係由第二放大級120 接收並透過第三放大級130而放大。然而，補償放大器 之增益與頻寬的乘積係隨著電容之放大的增加而降低。 【發明内容】 有鑑於此，本發明提供一種米勒補償放大器，具有 放大器輸入對以及放大器輸出端，包括第一增益級、第 二增益級、第三增益級以及一電容。第一增益級具有作 為第一增益級輸入端之放大器輸入端以及第一增益級輸 出端。第二增益級具有耦接至第一增益級輸出端之第二 增益級輸入端以及第二增益級輸出端。第三增益級具有 耦接至第二增益級輸出端之第三增益級輸入端，並且於 放大器輸出端產生輸出電壓。一電容係耦接於放大器輸 出端與第二增益級輸入端之間。第二增益級係將接收電 流之小信號部分放大第一增益，並將DC部分放大第二增 益0 0758-A31686TWF;MTKI-05-153;maggielin 6 1309501 再者，本發明提供一種米勒補償放大器用以放大差 動輸入信號而產生輸出信號，包括差動放大器、偏壓電 流源、金氧半電晶體對、第一電流鏡包括第一與第二金 氧半電晶體、第二電流鏡包括弟二與弟四金氧I半電晶 體、第五與第六金氧半電晶體、第三電流鏡、第七金氧 半電晶體、電流源以及電容。差動放大器係於其輸出對 處將差動輸入信號之電壓轉換為差動輸出電流。偏壓電 流源係提供偏壓電流至差動放大器。金氧半電晶體之没 • 極係交互耦接至輸出對。第一與第二電流鏡係耦接至輸 出對。第一與第三金氧半電晶體係分別以二極體架構連 接。第一與第二金氧半電晶體具有共同閘極連接點。第 三與第四金氧半電晶體亦具有共同閘極連接點。第五與 • 第六金氧半電晶體係分別串接至第二與第四金氧半電晶 . 體。第三電流鏡係提供電流至第五與第六金氧半電晶 體。第七金氧半電晶體係具有耦接至第五與第六金氧半 電晶體之一者之閘極，以及電性連接至電壓源之源極。 ® 電流源係提供電流至第七金氧半電晶體之汲極。電容係 耦接於第七金氧半電晶體之汲極與第一以及第二電流鏡 之一者之共同閘極連接點之間。 【實施方式】 為讓本發明之上述和其他目的、特徵、和優點能更 明顯易懂，下文特舉出較佳實施例，並配合所附圖式， 作詳細說明如下： 0758-A31686TWF;MTKI-05-153;maggielin 7 .1309501 實施例： 第2圖係顯示根據本發明實施例所述之米勒補償放 大益（Miller-compensated amplifier)。米勒補償放大器 200 具有放大器輸入端IN以及放大器輸出端OUT，包括第一 增盈級210、第二增益級220、第三增益級230以及一電 谷C。第一增益級210具有作為第一增益級輸入端之放 大态輸入端IN以及第一增益級輸出端213。第二增益級 ^20具有耦接至第一增益級輸出端213之第二增益級輸入 ，221以及第二增益級輪出端223。第三增益級23〇具有 耦接至第二增益級輸出端223之第三增益級輸入端231， 並且於放大裔輸出端OUT產生輸出端壓。電容◦係耦接 於放^器輸出端out與第二增益級輸入端221之間。第 二&益級2 2 G係、將接收到之部分電流丨的小信號部分放大 f 土证，並將第二增盈級220之DC部分放大第二增 第-增錢佳為大於丨，而第三增益較佳為大體等於 1 °第2圖中以虛線表示的箭號係為米勒補償放大器之主 ^信號路徑。主要信號係由第—增餘2ig接收，並且 第=益級220 °接下來，第三增益級230係接收 =曰皿、，及220之主要信號，並於放大器輸出端OUT 產生輪出信號。 第'示根據本發明實施例所述之米勒補償 對二之二圖。来勒補償放大器300具有放大器輸入 、 /、 1以及放大器輪出303,包括第—增益級 0758-A31686TWF;MTKI-O5.153;maggielm 8 1309501 310、第二增益級320、第三增益級330以及電容C。如 第3A圖所示，第一增益級31〇係為共源差動放大器 (common-source differential amplifier)，包括 PMOS 電曰 曰曰 體P1與P2 ’其電流源係電性連接至電壓源。PMOS畲曰 ^^日日 體P1與P2具有共源連接點。電流源本身是PMOS電晶 體P3°PMOS電晶體P3之源極與汲極係分別電性連接至 電壓源以及共源連接點。放大器輸入對301與301，亦為 第一增益級310之第一輸入對。第一增益級31〇係接收 輸入電壓對，並將其於第一輸出對313與313，處轉換為 第一電流對i!與。 ' 在第3A圖中，第二增益級32〇包括電流鏡對（^^代加 mirror pair)，而電流鏡對包括分別耦接至第一輸出對3 i 3 與313’之一者的第一與第二電流鏡。第一電流鏡包括 NM0S電晶體N1與N2。第二電流鏡包括雇〇s電晶體 N3與N4。NMOS電晶體N1與N3係為具有汲極與閘極 接在起之一極體开> 式之電晶體（diode-connected tra刪㈣。NM0S電晶體N1與N3之汲極係作為電性連 接至第一輸出對313與313,之第二輸入對321與321，。 NM0S電晶體N2與N4分別具有與第一以及第三M〇s 電晶體N1與N3共間之連接點。流經NM〇s電晶體犯 與N3之第一電流對ι2與i2’係被映射而於NM〇s電晶體 N2與N4之没極處產生第三電流對^i3,，其亦可視為 第二輸㈣323與323，。再者，第二增益級320更可包 括分別減至第二輸人對321與321，m對工與卜 0758-A31686TWF;MTKI-05-153;maggielin 9 1309501 第斤柘I、、及320係將第二電流對込與匕，之小信號部分放 大第乓i而產生第二電流對“與“，之小信號部分，且 第=电肌對込與。’之Dc部分係被放大第二增益而產生 第f電流對13與匕，之Dc部分。第一增益較佳為大於卜 而第二增盃較佳為大體等於1。 —在第3A圖中，第三增益級33〇包括NM〇s電晶體 N)與N6、PMOS電晶體P6以及NM〇s電晶體n^nm〇s ^晶體N5與N6係分別串接至丽〇s電晶體N2與n4。 流經NMOS電晶體N2與N4之第三電流對L與“，亦流 經_S電晶體N5與邮。NM〇s電晶體N5與则之源 極三輪入對331與331，。第三電流鏡仙接 亚且^供琶流至NM0S電晶體Ν5與Ν6之汲極。第三帝 流鏡包括mos電晶體Ρ4與Ρ5，其中PM0S電晶體ρ4 與Μ具有减至電壓源之源極，彼此電性連接之間極以 及電性連接至ΝΜ0S電晶體Ν5與Ν6之汲極。第三電流 鏡亦可以為—串聯電流鏡或是其他種類的電流鏡。PM〇s 電晶體P6與NMOS電晶體N7之源極係分別電性連接至 電壓源與接地點。PMOS電晶體P6與NM〇s電晶體N7 之沒極係為電性連接並且作為放大器輪出端地。讀⑽ 電晶體P6之閘極係編接至NM0S電晶體奶與N6的汲 極之-者。第三增益級330係將第三電流對，轉換 為輸出電壓。電容c餘接於放大器輪出端3Q3盘第二 增益級輸入對32i與32丨，之一者之間。在此實施例中， 第二電流對12心2，之-者係為第1流對ii|%ii，之一者 0758-A31686TWF；MTKI-05-l 53 ;maggielin 10 1309501 與弟四電流U (丨2 =丨1 +丨4)之和’第二電流_對i)與i2，之另一 者係相當於第一電流對“與ir (i2，^^，）之另一者，其中 第四電流i4係流經電容C。 第3A圖所示之米勒補償放大 v; 2 (g 轉換函式係為 SmP\SmNlSmP6 SmPlSmP6 (<?mN3 „厂>/ 1 , r*广、 2 gmm jSmPlsC{—- + s^) ϊ~' Λ --r--^ }〇P5_ + iiCj ) t ^CSmNlSmP6

gmm、gmN2、gmN3、gmN4、gmP1、g，以及 gmp6 係分 別為NMOS電晶體N1/N2/N3/N4以及pM〇s電晶體 P1/P2/P6 之跨導（trnasc〇n(iUCtancehr〇P5 係為 pM〇s 電晶 體p5之輪出電阻。Cl係為位於PMOS奮曰姊w 书曰曰 甩日日體P6之閘搞 處的寄生電容。與CL係為分別耦接至放少巧 303之負載電阻與負載電容。從轉換函式中可得知*味 償放大器係為具有三個極點以及兩個零 来勒補 、、， 7 4 < 糸统。s 通常會，被設計為等於gmN3，而gmN2通常會被設計為&mNl mP6^L^r〇PS .KgmP6C ca -S mN\ ~ §mN4。^電流增盈gmN4/ gmN3 = K時’極點與零點係夺、、、、' ; ρλ = __1_ "Τ'、達·為.

Pi

Pi S mP6

ϊ S mNZ ~c~ 僅透過增加轉換函式中的係數κ即可使非主要極點 P2與右手系平面（right handed plane，RHP)零點zl择力 因而依次改善米勒補償放大器的穩定性。此外，由於 0758-A31686TWF;MTKI-05-153;maggielin 11 1309501 =盃Ade、係正比於係數κ，且主要極點pl係反比於係麩 K DC增盃Ade與主要極點pl之乘積並不會隨著係數 而改文。換言之，增益頻寬乘積並不會因穩定性的 而被犧牲。 复 事貝上’僅調整轉換函式之係數K而不改變豆 & 數係可透過修改gmm、gmN3、Ϊ以及Γ而實現。減少 與gmm可增加係數κ。然而，流經NM〇s電晶體= 之DC包流應碡保持常數，如此一來有關於M〇s二 收N2、N4以及ρ5之小信號參數則可維持不變。因此，曰 係增加I與Γ而使流經NMOS電晶體Ν2與Ν4之Dc略 流維持不變。 ^ /第3B圖係眞員示第3A圖所示之米勒補償放大器的鐵 •形’其與第3A圖所示之米勒補償放大器之不同處在於二 本的第三增益級被分成兩個半電路（half circuit) b歲 B’，並將另-個半電路D，加人g三增益級，而電容_ •祕於放大器輸出端則，與第二增益級輸人對321歲 321’之另—者之間。半電路B包括丽QS電日日日體N5 = 及耗接至NMOS電晶體奶之電流源。在第3b圖中，恭 流源係為P Μ〇S電晶體p 4。半電路B,具有與半電路b = 同的架構。包括PMOS電晶體P6以及NM〇s電晶體 之半電路D係耦接至pM0S電晶體p5之汲極。電 曰曰體P6與NMOS電晶體N7之源極係分別電性連接至電 壓源與接地點。PMOS電晶體！>6與NM〇s電晶體N72 汲極係電性連接在一起’並且作為放大器輪出端3〇3。 0758-A31686TWF;MTKI-05-l 53;maggielin 12 1309501 PMOS電晶體P6之間極係搞接至PM〇s電晶體p5之及 極。包括PMOS電晶體P7以及NM〇s電晶體N8之半電 路D,係輕接至PM〇S電晶體P4之没極。PMOS電晶體 P7與NMOS電晶體N8之源極係分別電性連接至電屢源 與接地點。PMOS電晶體P7與NM〇s電晶體N8之没極 係電性連接在-起，並且作為放大器輸出端3G3、pM〇s 電晶體P7之閘極係耦接至pM〇s電晶體p4汲極。 帛4A圖係顯示第3A圖所示之米勒補償放大器的另 -種變形，其與第3A圖所示之料補償放大器之不同處 在於第3A圖之電流鏡對j與j，係以M〇s電晶體對 與謂來取代。在第4A圖中，M〇s電晶體則與_ 係具有與第二增益級輸入對321與321，交互耦接之汲 極。NM0S電晶體N2與二極體形式之NM〇s電晶體Ni 以及NM0S電晶體N9具有一共同連接點。NM〇s電晶 體N4與二極體形式之NM0S電晶體N3以及NM〇s ^ 晶體N10具有一共同連接點。在此實施例中，小信號電 流增盈κ係相當於（gmN2/(gmN1-gmN9))，且DC電流增益係 相當於（gmN2/(gmN1+gmN9))。因此’改變（gmN广gmN9)之值並 且將（gmNl + gmN9)之值維持為常數即可將K調整至目才巧 值。 第4B圖係顯示第4A圖所示之米勒補償放大器的另 一種變形，其與第4A圖所示之米勒補償放大器之不同處 在於第三增益級被分成兩個半電路B與B，，並將另一個 半電路D’加入第三增益級，而電容c，係耦接於放大器輪 075S-A31686TWF;MTKI-05-153;maggielin 13 1309501 出端303’與第二增益級輸入對321與321’之另一者之 間。半電路B包括NMOS電晶體N5以及耦接至NMOS 電晶體N5之電流源。在第4B圖中之電流源係為PMOS 電晶體P4。半電路D係耦接至PMOS電晶體P5之汲極。 半電路D’具有與半電路D相同之架構並且耦接至PMOS 電晶體P4之汲極。 第5圖係顯示根據本發明實施例所述之具有K值為 1、2、4以及8之米勒補償放大器的頻率響應。在第5圖 > 中，DC增益係隨著K值而增加。再者，：DC增益與頻寬 之乘積並不會隨著K值而改變，其係顯示為具有斜率為 -20 (dB/decade)之曲線的部分重疊。再者，其係顯示非主 要極點係隨著K值而增加。第6圖係顯示根據本發明實 施例所述之具有K值為1、2、4以及8之米勒補償放大 器的相位邊界值。在第6圖中，相位邊界值係隨著K值 而增加。 本發明雖以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限 ® 定本發明的範圍，任何熟習此項技藝者，在不脫離本發 明之精神和範圍内，當可做些許的更動與潤飾，因此本 發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為 準。 【圖式簡單說明】 第1圖係顯示在美國專利第6,084,475號中所揭露之 補償放大器的方塊圖。 0758-A31686TWF;MTKI-05-153;maggielin 14 1309501 。。第2圖係顯示根據本發明實施例所述之米勒補償 大器的方塊圖。 貝 第3A圖係顯不根據本發明實施例所述之米勒 放大器之不意圖。 、 第3B圖係顯示第3A圖所示之来勒補償放大 形。 J又 第4A圖係顯示第3A圖所示之米勒補償放大 一種變形。 乃 第4B圖係顯示第4A圖所示之采勒補償放大器 形。 、 、第5圖係顯示根據本發明實施例所述之具有係數κ 為1、2、4以及8之米勒補償放大器的頻率響應。 第6圖係顯示根據本發明實施例所述之具有係數玟 為1、2、4以及8之米勒補償放大器的相位邊界值。 【主要元件符號說明】 100〜補償放大器； 110、120、130〜放大級； 200〜米勒補償放大器；

Cl〜負載電容； 210、220、230、310、320、330〜；1務兴纺 301、301，〜放大器輸入對； 日皿 K〜係數； C、C，、C1〜電容； 0758-A31686TWF;MTKI-05-153;maggielin 15 1309501 IN〜放大器輸入節點； OUT〜放大器輸出節點；

Rl〜負載電阻； l、 Γ〜電流鏡對； B、B，、D、D’〜半電路； 303、303’〜放大器輸出端； 313、313’、32卜 321’、323、323’、331、331’〜輸出 對； il、il’、Ϊ2、Ϊ2’、Ϊ3、Ϊ3’、Ϊ4、Ϊ4’〜電流對； PI、Ρ2、Ρ3、Ρ4、Ρ5、Ρ6、P7-PMOS 電晶體；

m、 Ν2、Ν3、Ν4、Ν5、Ν6、Ν7、Ν8、Ν9、Ν10〜NMOS 電晶體。

075 8-A31686TWF ;MTEJ-05-153 ;maggielin 16

Claims (1)

1309501 十、申請專利範圍： 1. 一種米勒補償放大器，具有一放大器輸入對以及 一放大器輸出端，包括： 一第一增益級，具有一第一輸入對用以接收一輸入 電壓對，並作為上述放大器輸入對，以及用以輸出一第 一電流對⑴與h’）之一第一輸出對； 一第二增益級，具有用以接收一第二電流對（i2與i2’) 之一第二輸入對，用以輸出一第三電流對（i3與i3’）之一第 • 二輸出對，上述第二增益級係將上述第二電流對之小信 號部分放大一第一增益而形成上述第三電流對之小信號 部分，並且將上述第二電流對之一 DC部分放大一第二增 益而形成上述第三電流對之一 DC部分； 一第三增益級，具有用以接收上述第三電流對（i3與 i3’）之一第三輸入對，並且將上述第三電流對（丨3與丨3’）轉 換而於上述放大器輸出端產生一輸出電壓；以及 一電容，耦接於上述放大器輸出端與上述第二增益 • 級輸入對之一者之間； 其中上述第二電流對之一者係為上述第一電流對之 一者與第四電流之和（i2=ii+i4) ’且上述弟二電流對之另一 者係相當於上述第一電流對之另一者，其中上述 第四電流i4係流經上述電容。 2. 如申請專利範圍第1項所述之米勒補償放大器， 其中上述第一增益係大於1。 3. 如申請專利範圍第1項所述之米勒補償放大器， 0758-A31686TWF;MTKI-05-153;maggielin 17 1309501 其中上述第二增益係大體上等於1。 4. 如申請專利範圍第1項所述之米勒補償放大器， 其中上述第二增益級更包括耦接至上述第二輸入對之一 電流源對。 5. 如申請專利範圍第4項所述之米勒補償放大器， 其中上述電流源對係將電流流出（source from)上述第二 增益級。 6. 如申請專利範圍第4項所述之米勒補償放大器， ί 其中上述電流源對係提供電流流入（sink to)上述第二增 益級。 7. 如申請專利範圍第1項所述之米勒補償放大器， 其中上述第二增益級更包括一金氧半電晶體對，上述金 氧半電晶體對具有交互耦接至上述第二輸入對之汲極。 8. 如申請專利範圍第1項所述之米勒補償放大器， 其中上述第一增益級包括： 一差動放大器，用以轉換上述輸入電壓對，以產生 ® 上述第一電流對於上述第一輸出對處；以及 一第一電流源，用以提供一偏壓電流至上述差動放 大器。 9. 如申請專利範圍第1項所述之米勒補償放大器， 其中上述第二增益級包括： 一電流源對，耦接至上述第二輸入對；以及 第一以及第二電流鏡，耦接至上述第二輸入對，上 述第一電流鏡包括以二極體架構連接之一第一金氧半電 075S-A31686TWF;MTKI-05-153;maggielin 18 1309501 晶體以及一第二金氧半電晶體，與上述第一金氧半電晶 體具有共同閘極連接點，上述共同閘極連接點更連接至 電流源對之一者，且上述第二電流鏡包括以二極體架構 連接之一第三金氧半電晶體以及一第四金氧半電晶體， 與上述第三金氧半電晶體具有共同閘極連接點，上述共 同閘極連接點更連接至上述電流源對之另一者。 10. 如申請專利範圍第1項所述之米勒補償放大器， 其中上述第二增益級包括： 鲁一金氧半電晶體對，具有交互耦接至上述第二輸入 對之汲極；以及 第一以及第二電流鏡，耦接至上述第二輸入對，上 述第一電流鏡包括以二極體架構連接中之一第一金氧半 . 電晶體以及一第二金氧半電晶體，與上述第一金氧半電 _ 晶體具有共同閘極連接點，上述共同閘極連接點更連接 至金氧半電晶體對之一者，且上述第二電流鏡包括以二 極體架構連接中之一第三金氧半電晶體以及一第四金氧 * 半電晶體，與上述第三金氧半電晶體具有共同閘極連接 點，上述共同閘極連接點更連接至上述金氧半電晶體對 之另一者。 11. 如申請專利範圍第1項所述之米勒補償放大器， 其中上述第三增益級包括： 一第五以及第六金氧半電晶體，耦接至上述第三輸 入對； 一第三電流鏡，耦接至上述第五與第六金氧半電晶 0758-A31686TWF;MTKI-05-153;maggielin 19 1309501 一第七金氧半電晶體，具有耦接至上述第五與第六 金氧半電晶體之一者之一閘極，以及電性連接至一電壓 源之一源極；以及 一第二電流源，用以提供電流至上述第七金氧半電 晶體之一汲極， 其中位於上述第七金氧半電晶體之汲極的電壓係作 為上述輸出電壓。 • 12.—種米勒補償放大器，具有一放大器輸入對以及 一放大器輸出對，包括： 一第一增益級，具有一第一輸入對用以接收一輸入 電壓對，並作為上述放大器輸入對，以及用以輸出一第 . 一電流對⑴與i!’）之一第一輸出對； 一第二增益級，具有用以接收一第二電流對（i2與込’) 之一第二輸入對，用以輸出一第三電流對（i3與i3’）之一第 二輸出對，上述第二增益級係將上述第二電流對之小信 • 號部分放大一第一增益而形成上述第三電流對之小信號 部分，並且將上述第二電流對之一 DC部分放大一第二增 益而形成上述第三電流對之一 DC部分； 一第三增益級，具有用以接收上述第三電流對（i3與 i3’）之一第三輸入對，並且將上述第三電流對（i3與i3’）轉 換而於上述放大器輸出對產生一輸出電壓對；以及 兩電容，分別耦接於上述放大器輸出對之一者與其 對應之一第二增益級輸入對之一者之間； 0758-A31686TWF;MTKI-05-153;maggielin 20 1309501 其中上述第二電流對之一者係為上述第一電流對之 一者與一第四電流對之一者的一第一總和（丨2—1 +丨4)，且上 述第二電流對之另一者係為上述第一電流對之另一者與 上述第四電流對之另一者的一第二總和’+i4’），其中 上述第四電流對係分別流經上述兩電容。 13. 如申請專利範圍第12項所述之米勒補償放大 器，其中上述第一增益係大於1。 14. 如申請專利範圍第12項所述之米勒補償放大 器，其中上述第二增益係大體等於1。 15. 如申請專利範圍第12項所述之米勒補償放大 器，其中上述第二增益級更包括分別耦接至上述第二輸 入對之一電流源對。 16. 如申請專利範圍第15項所述之米勒補償放大 器，其中上述電流源對係將電流流出（source from)上述第 二增益級。 17. 如申請專利範圍第15項所述之米勒補償放大 器，其中上述電流源對係提供電流流入（sink to)上述第，二 增益級。 18. 如申請專利範圍第12項所述之米勒補償放大 器，其中上述第二增益級更包括一金氧半電晶體對，上 述金氧半電晶體對具有交互耦接至上述第二輸入對之汲 極0 19. 如申請專利範圍第12項所述之米勒補償放大 器，其中上述第一增益級包括： 0758-A31686TWF;MTKI-05-153;maggielin 21 1309501 一差動放大器，用以將上述差動輸入信號之電壓轉 換，以產生差動輸出電流於第一輸出對處；以及 一第一電流源，用以提供一偏壓電流至上述差動放 大器。 20. 如申請專利範圍第12項所述之米勒補償放大 器，其中上述第二增益級包括： 一電流源對，分別耦接至上述第二輸入對；以及 第一以及第二電流鏡，耦接至上述第二輸入對，上 述第一電流鏡包括以二極體架構連接之一第一金氧半電 晶體以及一第二金氧半電晶體，與上述第一金氧半電晶 體具有共同閘極連接點，上述共同閘極連接點更連接至 電流源對之一者，且上述第二電流鏡包括以二極體架構 連接之一第三金氧半電晶體以及一第四金氧半電晶體， 與上述第三金氧半電晶體具有共同閘極連接點，上述共 同閘極連接點更連接至上述電流源對之另一者。 21. 如申請專利範圍第12項所述之米勒補償放大 器，其中上述第二增益級包括： 一金氧半電晶體對，具有交互耦接至上述第二輸入 對之汲極；以及 第一以及第二電流鏡，耦接至上述第二輸入對，上 述第一電流鏡包括二極體連接架構之一第一金氧半電晶 體以及一第二金氧半電晶體，與上述第一金氧半電晶體 具有共同閘極連接點，上述共同閘極連接點更連接至金 氧半電晶體對之一者，且上述第二電流鏡包括以二極體 0758-A31686TWF;MTKI-05-153;maggielin 22 1309501 架構連接之·一第二金氧半電晶體以及'一弟四金氧半電晶 體，與上述第三金氧半電晶體具有共同閘極連接點，上 述共同閘極連接點更連接至上述金氧半電晶體對之另一 者。 22.如申請專利範圍第12項所述之米勒補償放大 器，其中上述第三增益級包括： 一第五以及一第六金氧半電晶體，耦接至上述第三 輸入對； φ 一第二以及一第三電流源，分別耦接至上述第五以 及第六金氧半電晶體； 一第七金氧半電晶體，具有耦接至上述第六金氧半 電晶體之一閘極，以及電性連接至一電壓源之一源極； 一第四電流源，提供一電流至上述第七金氧半電晶 體之一汲極； 一第八金氧半電晶體，具有耦接至上述第五金氧半 電晶體之一閘極，以及電性連接至一電壓源之一源極； ® 以及 一第五電流源，用以提供電流至上述第八金氧半電 晶體之汲極， 其中位於上述第七與第八金氧半電晶體之汲極的電 壓係作為上述輸出電壓對。 075 8-A31686TWF;MTKI-05-153 ;maggielin 23