JP4528394B2 - アクティブ補償容量性の増加 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
この発明は電子回路の周波数補償、更に具体的に言えば、ミラー効果キャパシタのような補償キャパシタを持つ回路に関する。
【0002】
【従来の技術及び課題】
フィードバックを持つ回路の安定性の性能は、位相余裕を高めるように補償を施すことによって改善される。位相余裕を改善する周知の方式は、利得段、例えば、2段増幅器回路の出力段と並列にミラー補償静電容量を追加することによって、ミラー効果を活用する。この様な形式により、極の分割と呼ばれる周知の望ましい現象が生じ、これによって回路に用いられる物理的なキャパシタの実効静電容量が有利に増倍される。ミラー補償静電容量を用いた増幅器回路の補償の背景については、例えば1993年にニューヨーク州のジョン・ワイリー・アンド・サンズ・インコーポレーテッド発行のポール・R・グレイ及びロバート・G・マイヤーの著書『アナログ集積回路の解析と設計』第3版第9章、特にpp607−623を参照されたい。
ミラー補償静電容量のような補償静電容量を持つ回路から見た負荷静電容量が大きくなると、問題が起こる。このために、安定性を保つために、補償静電容量の数値を増加することが必要になる。しかし、補償静電容量を一層大きくすると、物理的により多くの場所を占める。しかし、これは、もちろん、それが傾向であるが、同じダイにより多くの回路を集積する環境で許されない贅沢である。
このため、回路に対するダイ面積の需要を増やすことなく、ミラー補償静電容量のような補償静電容量を持つ増幅器回路から見た一層大きな負荷静電容量を取り扱う方法の必要がある。更に、このようなキャパシタを用いる現存の回路設計のシリコン面積要求を最適にするとともに減らして、チップ・パッケージ密度を更に高くすることができるようにするとともに、こうして単一集積チップ・ソリューションを可能にする必要がある。
【0003】
【課題を解決するための手段及び作用】
この発明は、入力ノードに印加された入力信号を増幅して、増幅器出力ノードに出力信号を発生する改良された補償増幅器を提供する。補償増幅器が、それに対する入力として作用する内部ノードを持つとともに第1段出力ノードを持つ第1の増幅段を含む。更に、第1の増幅段に結合されていて、それに対する入力として前記入力ノードを持つとともに前記増幅器出力ノードに出力信号を発生する第2の増幅段をも含む。出力ノード及び内部ノードの間にキャパシタが結合される。
この発明は、この用途に限らないが、ミラー補償静電容量を何倍かにする目的のために有利に用いることができる。
この明細書で言う「増幅器」という言葉は、演算増幅器のようななんら特定の形の増幅器に制限されない。そうではなく、この言葉は、それに対して印加された入力信号の増幅した形を作る任意の回路を指す。
この発明の上記並びにその他の特徴は、以下図面についてこの発明を詳しく説明するところから、当業者に明らかになろう。
【0004】
【実施例】
図1はミラー補償キャパシタC1を含む従来の差動増幅器10の回路図である。供給電圧VDDが、電源レール12とアース・レール13の間に加えられる。シンク・バイアス電流iBが入力線14に与えられる。差分入力が加えられ、正に向かう信号Vpが入力線16に加えられ、負に向かう信号Vnが入力線18に加えられる。増幅器10は2段構造である。第1の段20は折返しカスコード差動増幅器である。第2の段22はミラー補償PMOSデバイス増幅器である。
第1の段20では、線16及び18の差分入力が一対のPMOSデバイス24、26の夫々のゲートに加えられる。デバイス24、26の中に発生された差分電流がNMOSデバイス28、30に反映する。デバイス30のドレインの電圧を出力PMOSデバイス32のゲートで感知する。デバイス32のドレイン及びゲートの間に直列接続されたキャパシタC1及び抵抗R1が、増幅器10のミラー補償をする。
【0005】
増幅器10の他方の回路が、増幅器10で必要な種々のバイアスのために設けられている。すなわち、NMOSデバイス34が出力PMOSトランジスタ32に対する休止バイアス電流を作る。PMOSデバイス構造38は多重出力電流ミラーである。デバイス40はダイオード接続であって、線14の入力バイアス電流iBに基づいて、安定な内部バイアス電圧を設定する。このため、この安定なバイアス電流iBのミラーがデバイス42、44、46及び48によって作られる。デバイス42のミラー電流がNMOSデバイス50によって、ノード52の別の安定なバイアス電圧に変換されるが、それがデバイス28、30のゲートをバイアスする。デバイス44のミラー電流のミラーがNMOS電流ミラー54によって作られ、ノード56を介してデバイス28及びデバイス24を通じて強制的に電流を発生する。同様に、デバイス48のミラー電流のミラーがNMOS電流ミラー58によって作られ、ノード60を介してデバイス30及びデバイス26を通じて強制的に電流を発生する。デバイス46のミラー電流が、デバイス24及び26に対して安定なバイアス電流を供給する。最後に、電流ミラー64が線66及び68を介して夫々デバイス28及び30に対する交流通路及び安定な電流源になる。
【0006】
図1について説明した回路10は既知であり、良好な性能を持つ。実際、ミラー補償キャパシタを使うと、実効的な補償静電容量が何倍かになり、極分割の望ましい既知の効果を高める。しかし、出力ノード36の負荷静電容量が増加すると、回路10の安定性を保つために、ミラー補償キャパシタC1の数値を増加しなければならない。この結果、キャパシタC1が、望む以上に或いは出来る以上にさえ、物理的な場所を占めることがある。
図2はこの発明の考えに従って設けられるミラー補償キャパシタC2を含む差動増幅器100の回路図である。図1の回路10と同様に、増幅器100は2段構造であって、第1の段20′が折返しカスコード差動増幅器であり、第2の段22′がミラー補償PMOSデバイス増幅器である。しかし、図1の回路10と異なり、ミラー補償キャパシタC1及び抵抗R1は設けていない。
【0007】
その代りに図2の回路100は、出力ノード36′と、二つのNMOSデバイス、すなわち、電流ミラー54′を構成しているダイオード接続のNMOSデバイス104及びデバイス104に比べて10倍のレシオにしたNMOSデバイス106のゲートに対する共通接続ノード102との間に接続されたキャパシタC2で構成される新規なキャパシタ装置を含む。キャパシタC2をこのように接続することにより、キャパシタC2を流れるフィードバック電流が増幅され、例えば高インピーダンス・ノード68に達する前に、電流ミラー54′によって10倍に増倍される。この結果、高インピーダンス・ノード68から見た負荷静電容量は、従来の考えで接続されたミラー増倍よりも10倍大きくなる。このため、この発明によって、実効静電容量の増倍が行われ、これ自体増倍された実効静電容量である。
上に述べた増倍の倍数としての10の値は、任意であって、例として選ばれたにすぎないことに注意されたい。利得、従って倍率が電流ミラー54′による実効的な電流増幅により図2の回路で最終的に達成され、その制限は、電流ミラー54′の物理的な制約または広がりに関係する。図2の回路では、電流ミラー54′を流れる電流のミラー比、すなわち、デバイス106及びデバイス104の幅の比、従ってデバイス104に比べてデバイス106に流れる電流の比は10である。この他の比、従ってこの他の静電容量の倍率も可能である。PMOSデバイス44の幅を同じ比で縮小する。最適の性能の釣合わせ(低入力オフセット)のために、PMOSデバイス48及び電流ミラー58は、PMOSデバイス44及び電流ミラー54と釣合うように作る。補償キャパシタ電流の増幅が鍵である。
図3は図2の増幅器回路の交流等価モデル200を示す。モデル200は第1の段210及び第2の段220の二つの段を持っている。図示のように、第1の段210では、差分入力電圧Vin(Vin=Vp−Vn)が等価トランスコンダクタ212にgm1Vinの電流を発生する。第2の段220では、ミラー補償静電容量Cmの入力に電圧Vxが見られ、交流電流Ixが内部抵抗Riに流れる。電流Ixが10倍に増倍されて、ブロック214を通じて入力回路210に反映する。
図3の回路モデル200の伝達関数は次のように導き出すことができる。
【数1】
【数2】
【数3】
数式1、数式2及び数式3を組合せると次のようになる。
【数4】
【0008】
数式4で、右側平面零点がないことに注意されたい。実際、左側平面(LHP)零点が挿入される。このLHP零点を使って、第2の段22′の出力ノード37′と、第1の段20′のデバイス104及び106の共通ゲート接続部分の間にキャパシタC2を接続することによって作り出された図2のループの補償を最適にすることができる。これがデバイス104のトランスコンダクタンスによって制御される。図2の回路100の主要極が、高インピダンス・ノード68と、第2の段22′の利得の10倍にミラー補償静電容量C2を乗じた値によって定められる。例えば、LHP零点は、大体出力ノード36′の極があるところに来るように設計することができる。その結果、極が取り消され、その為、位相余裕が増加する。
図4は、図1に示す回路及び図2に示す回路のような異なる回路の挙動のボード線図を示すグラフである。この図は、前段に述べた原理を理解する助けになる。図4には異なる2組の曲線236、238が示されている。この図からわかるように、横軸230はヘルツ単位に分割された周波数だけであるが、縦軸は二つあり、第1の軸232は、デシベル(“DB”)に分割された夫々の回路の利得を表し、第2の軸234は、入力信号の位相に対する出力信号の相対的な位相を度数単位で示している。第1組の曲線236は利得軸232に対して描かれており、これに対して第2組の曲線238は位相シフト軸234に対して描かれている。曲線238の組では、入力に比較した相対的な位相は0°であり、これは360°と同じである。図4に示すすべての回路で、周波数が高くなると、入力信号の位相に比べて、出力信号の位相は更に大きく遅れる傾向を持ち、従って、曲線238が何れも低下する傾向を持ち、周波数が高くなるにつれて位相が360°から減少する。更に、図4に示すすべての回路で、周波数が高くなるにつれて、利得が低下する傾向を持ち、従って、曲線236が何れも低下する傾向を持っていて、周波数の増加に伴って利得が減少することを示している。
第1の曲線240は、周波数に対する図1のように構成された代表的な回路の利得のグラフであり、ここで補償静電容量C1は2pFである。第2の曲線242は、同じ回路に対する入力信号Vin=Vp−Vnの位相に対する出力電圧V0の相対的な位相を示すグラフである。曲線240に対して利得1になる点244が存在する周波数では、点246で示される相対的な位相が約140°であり、これは−220°の位相シフト、すなわち安定な動作のための−180°の限界より40°大きいことを表す。
【0009】
第3の曲線248は、周波数に対し、図1のように構成された代表的な回路の利得を示すグラフであり、補償静電容量C1は20pFである。第4の曲線250は、同じ回路に対するVinの位相に対する出力信号V0の相対的な位相を示すグラフである。曲線248に対する利得1の点252が存在する周波数で、点254によって示した相対的な位相が約200°であり、これはわずか−160°の位相シフトであって、安定な動作のための−180°の限界以内である。
第5の曲線256は周波数に対する図2のように構成された代表的な回路の利得を示すグラフであり、ここで補償静電容量C2は2pFである。第6の曲線258は、同じ回路に対する入力信号Vinの位相に比べた出力信号V0の相対的な位相を示すグラフである。曲線256に対する利得1の点260が存在する周波数では、同じく点260で示した相対的な位相は約270°であり、これはわずか−90°の位相シフトであって、これも十分に安定な動作のための−180°の限界以内である。実際、利得1の周波数をかなり超えても、安定な動作が続く。このため、曲線258を図示のように延長して位相余裕を増加することは、どうすれば、図2の回路の安定性を高めるように、LHP零点を戦略的に配置することができるかを示している。
この方式は、ミラー補償静電容量を持っていない簡単な補償増幅器にも拡張することができる。図5はこのような一つの構成を示している。この場合、この方式を使って補償キャパシタCを実効的に増倍する。NMOSデバイスMN2はNMOSデバイスMN1より10倍大きく、倍率が11になる。電流IxをMN1で感知し、NM2によって10倍に増倍する。このため、実効容量性電流はIx+10Ixであり、倍率が11になり、やはり任意に選ばれた倍率になる。この実施例ではLHP零点がやはり挿入されている。図6に示す交流等価回路モデルによって示されるその結果の伝達関数は大まかに言うと次のようになる。
【数5】
数式1及び数式2が依然として成立する。図6で
【数6】
であることに注意されたい。
【0010】
最後に、ここで開示した回路はすべてMOSデバイスで作られているが、この発明の考えがバイポーラ・デバイスで作られた回路にも用いられることに注意されたい。例えば、バイポーラ電流ミラーを図2のNMOS電流ミラー54′と大体同じように電流増幅器に使って、静電容量の実効的な増倍を行うことができる。
この発明並びにその利点をここに開示した実施例の幾つかの変形とともに詳しく説明したが、この発明の範囲を逸脱せずに、特許請求の範囲によって定められる通りに、この実施例にこの他の変更、置換及び修正を加えることができることは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【図1】ミラー補償キャパシタを含む従来の差動増幅器の回路図。
【図2】この発明の考えによって設けられたミラー補償キャパシタを含む差動増幅器の回路図。
【図3】図2の増幅器回路の交流回路モデルを示す回路図。
【図4】図1に示した回路及び図2に示した回路のような異なる回路の挙動のボーデ線図を示すグラフ。
【図5】この発明の考えに従って考えられる補償キャパシタを含む簡単な増幅器の回路図。
【図6】図5の増幅器回路の交流等価回路モデルを示す回路図。
【符号の説明】
12 電源レール
13 アース・レール
14,16,18 入力線
24,26,54,58 第1の増幅段
36 増幅器出力ノード
52,56 ノード
54’,64 電流ミラー
60 第1段出力ノード
68 第2段出力ノード
100 ミラー補償増幅器
102 内部ノード
C2 キャパシタ
Claims (5)
- 増幅器入力に印加された入力信号を増幅して増幅器出力に出力信号を発生するミラー補償増幅器において、
それに対する入力として前記増幅器入力と電流入力のための内部ノードを持つとともに第1段出力ノードを持つ第1の増幅段と、
第2段出力ノードを持ち、前記第1段出力ノードに結合されることにより前記第1の増幅段とともに折り返しカスコード増幅回路を構成する第2の増幅段と、
前記第2段出力ノードに結合された第3段入力ノードを持ち、前記増幅器出力に前記出力信号を発生する第3の増幅段と、
前記増幅器出力及び前記内部ノードの間に結合されていて、電圧モード利得を持たせるキャパシタを含むミラー補償増幅器。 - 前記第1の増幅段は入力ノードを有する電流ミラー回路を含み、前記第1の増幅段の前記内部ノードは前記電流ミラー回路の前記入力ノードである、請求項1に記載されたミラー補償増幅器。
- 前記電流ミラー回路はダイオード接続トランジスタと出力トランジスタとからなり、前記電流ミラー回路の前記入力ノードはダイオード接続トランジスタおよび出力トランジスタの共通ゲート接続ノードである請求項2に記載されたミラー補償増幅器。
- 前記出力トランジスタは前記ダイオード接続トランジスタの10倍の電流を生成する、請求項3に記載されたミラー補償増幅器。
- 増幅器入力に印加された差分入力信号を増幅して増幅器出力に出力信号を発生するミラー補償増幅器において、
前記差分入力信号の電圧を差分入力電流に変換する差動増幅器と、
バイアス電圧源と、第1のFET及び第2のFETと、
いずれも一方の前記差分入力電流を前記第1及び第2のFETの一方に対してミラー接続し、前記第1の電流ミラーが共通ゲート接続ノードを持つ第3のFET及び第4のFETで構成され、前記第2の電流ミラーが共通ゲート接続ノードを持つ第5のFET及び第6のFETで構成される第1及び第2の電流ミラーと、
前記第1のFET及び前記第2のFETに対して電流を供給する第3の電流ミラーと、
そのゲートで前記第1のFET及び前記第2のFETの内の一方の電圧を感知するとともに、そのソースが電圧源に接続された第7のFETと、
前記第7のFETのドレインに電流を供給する電流源と、
一方の極板が前記電流源及び第7のFETの共通接続ノードに接続されていて、他方の極板が前記第1の電流ミラー及び前記第2の電流ミラーの内の一方の共通ゲート接続ノードに接続されているキャパシタを含むミラー補償増幅器。
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