TWI307185B - Dual plate type organic electroluminescent device and method of fabricating the same - Google Patents

Description

1307185 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明涉及一種電致發光顯示裝置，更具體地涉及一種雙板 型有機電致發光顯示裝置及其製造方法。 【先前技術】

在平板顯示器(FPD)中，有機電致發光(EL)裝置在研究和開發 上尤其受到關注’因為它們與液晶顯示器(LCD)裝置相比是具有寬 角度和高對比度的高發射型顯示器。有機EL裝置與其他類型的顯 不裝置相比重1；輕且小，因為它們不需要背光。有機EL襄置具有 其他可取的特徵’例如低雜、高亮度和快速回應時間。當驅動 有機EL裝置時，健需要低的直流電流(Dc)。並且，能得到快速 回應間。不餘晶顯讀置’有機肛1置整卿成在固相穿置 中。因此，有機EL裝置足夠牢固能忍受外部碰撞和具有更大_ 作溫度範圍。並且，以包括少量製程步驟的相對簡單的製程製造 =肛裝置。因此’與生產LCD裝置或電聚顯示面板(卿目比 機虹^置更加廉價。_地，僅僅沉積和封裝製程對於製 造有機EL裝置是必要的。 、衣 ^ ^ 〜它从霄尤顯示裝置的示意性電路 圖。在圖1巾，·線和觀_此交以 電路 線平行於資料線且從資料線分開 Ά °電源 -元件連接到_和資料線⑽㈣ 5 l3〇7l85 D也連接到有機電致發光(EL)二極體£。 斤開關薄膜電晶體Ts調節驅動薄膜電晶體&的閑電極之電 =’且儲存電容CsT儲存用於驅賴膜電晶體。的㈣極 日電向電流供應給有機证二極體£的有機發光材料層 正 笔子通過電洞供應層的陽極和電子供應層的陰極穿過 八負（N)接面向彼此移動並複合。由於複合電洞—電子對具有比 刀開H電子較低的能量，從錢發光材料層發射出與複合 σ刀開的H電子對之間的能量差對應的光。 θ是示出了根據現有技術的有機電致發光顯示裝置的示音 ^截―面圖，圖2中，第—基板u和第二基板51面對且彼二 …沾13屯成在第一基板11的内表面上。相鄰子像素區 3处之間的邊界區域CA上，絕緣層π和隔離物20依次形成在 的第一電極H _ 光材辦Μ和第 2〇之間的子像素區域犯中，有機發 9矛弟一電極30依次形成。在製造製程中，有機發光 才才难23 %\i策—啼^ ^ 、 电杨30通過沉積製程獨立地形成在每個子像素 ♦- 隹琢沉積製程中隔離物20防止連續層的沉積。第一 包極13第一電極30和有機發光材料層25構成了有機電致發光 ^L)—極體Ε。雄然在圖2喊面圖中未示出’在平面圖中， 隔離物2G具有圍繞每個子像素區域SP的網格形狀。 包括薄膜電晶體（TFT ’未示幻陣列元件層Μ形成在第二 1307185 基板51的内表面上的每個子像素區域SP中。連接電極58也形成 在連接到陣列元件層55的第二基板51的内表面上。連接圖案7〇 軸在每個子像素區域sp中並連接第一基板n的第二電極％和 第二基板51的連接電極58。 密封圖案80形成在第一基板n和第二基板51的邊界區域 中因此’在第-基板Π和第二基板M之間的内部間隔由密封 圖案80密封。另外，在雜氣體或真空魏下馳和密封第一基 板11和第二基板51贿得畴職不暴制麟或空氣。 有機電致發光顯示（OLED)裝置！的隔離物2〇具有倒_ 形狀以使得有機發光材料層25和第二電極3〇獨立地形成在每個 子^素區域“SP”中。因此，靠近第一基板u的第一部分隔離物％ 的寬度比遠離第-基板Η的隔離物2〇的第二部分的寬度更小， 隔離物20的寬度隨著距離第一基板u峨跑煙㈣減七在 製造製程巾’在隔雜2〇形成後，由蒸鍍有機發光材卿成有機 發光材料層25。通過沉積金屬材料形成第二電極3()。#由蒸鍛方 法形成時’錢發光材料層Μ的覆蓋步觀#由沉積方法形成時 的第二電極30的覆蓋步驟更好。因此，有機發光材料擴散得比金 屬材料更好。在每個子像素區域sp中，有機發光材料層25具有 比第二電極30的面積更大的面積。結果，有機發光材料層25的 邊緣部分被第二電極3〇暴露了。當有機發光材料層 25暴露時， 加速了有機發光材料層25的劣化。因此，即使當在第—基板^ 7 1307185 也細紐了 QLED裝置1崎命。 料排離物2G包括有機絕緣材料。當加熱時，有機絕緣材 有…蓋1=有機發光材料劣化。由於有機發光材料層25沒 4 η 的_，有觀輯料㈣緣部分暴露了。 二物2崎靖敍了錢並劣化了有機 货縮=_25。因此’由於排氣使得0LED裝置i的壽命進—步 【發明内容】 =，本發财及—種有機電致發光顯示裝置及其製造方 個問題:質上解决了由於現有技術的局限和缺點產生的一個或多 為了貝現le些和其他優點和根據本發明的目的，如體現和卢 战述的《，有機·發絲稀置包括彼絲對且分開的第 -勤反和第二基板。第一電極位於第一基板上，和包括第一部分 2弟二部分的隔離物位於第—電極上。第—部分和第二部分的每 一個具有向彼此投影的投影部件，和被投影部件局部封閉的區 域。有機發光層位於在子像素區域中的第 度。第t電極位於有機發光層上。陣列元件層位於第:= 包括職電晶體。連接_電連接第二電極和_電晶體。 ，在另—方面，製造錢電致發光顯示裝置財法包括在具有 子像素區域和圍繞子像素區域的邊界區域的第—基板上形成第一 8 1307185 電極。在邊界區域中的第—電極上形 七货厂+ 風、，色緣圖案，該絕緣圖案具 度。絕緣層形成在絕緣圖案上，該絕緣圖案具有第二厚 度蝕刻絕緣層以形成彼此分開的第一 杜㈣^影部件和第二投影部 ’心豪圖案通過彼此分開的第一投影邹件和第二投影部件 出：刻以形成彼此分開的第—區域和第二區域的縣， 第二區域相對於第—投影部件和第二投影部件/ 切。在子像素區域中的第一雷極 w ㈣紐切成有機發光層，和在有機發 曰形成紅電極。在第二基板上形成相元縣。 極和陣列元件層之一上形成 —冤 沾 搞成連接圖案，且第-基板和第二基板粘 …，以使得連接圖案電連接第二電極和薄膜電晶體。 •路 在另一方面，有機電致妓顯示裝置包括彼此分開的第—基 細第—基板’第一基板其上具有電極。隔離物覆蓋電極並在第 基板和第—基板上限定像素區域。隔離物包括限定電極的邊界 區或的=偶之第-部分和第二部分，每個部分包括覆蓋電極的區 /覆農第圖案的上表面且延伸在區域邊緣之外的投影部件。 有機發光層覆蓋電極和每—部分的投影部件。 在另-方面，製造用於有機電致發光顯示器的隔離物的方法 包括在基板上形成具有第—厚度的絕緣酸。在此絕緣圖案上形 成具有第二厚度的猶層。絕緣層以形成彼此分開且暴露絕 緣圖案的-部分㈣―投影部件和第二投影部件。朗絕緣圖案 以形成彼此分開且底切郷部件㈣—區域和第二區域，以使得 I3〇7i85 第一部分和第二部分凹陷在各 之下。 自的第一投影部件和第二投影部件

應$理解上述—般的描述和下面詳細的描述都是示例性的並 ^向於提供如申料利範圍所述發明的進-步轉。 【實施方式】 將對本發㈣優選實施例與在_巾描述的例子進行詳細說 圖3疋4 了根據本發明實補的雙板财機紐發光顯示 裝置的示意性戴面圖。 在圖3中，雙板型有機電致發光顯示（0LED)裝置1〇1包括 面對且彼此分開的第—基板lu和第二基板i5i。在第—基板⑴ 的内表面上形成有機電致發光(EL)二極體E，在第二基板⑸的内 表面上形成包括驅動薄膜電晶體TD的陣列元件層。連接圖案180 形成在第—基板111和第二基板⑸之間的子像素區域SP中。連 接圖案18G電連接到在第—基板m上的有訊二極體E和在第 二基板151上的陣列元件。 P使在圖3中未7，密封®案形成在第-基板111和第二 基板151的邊界區域中，以把在第一基板111和第二基板151之 間的内4間隙從外部空氣密封以枯貼第一基板⑴和第二基板 151通過⑨封_在分隔的間隙中形成真空。密爛案也可以是 以又密封ϋ案的形式’其帽由隨之間的小難分隔，以形成 兩個分開的圖案。 10 1307185 特別地，在第一基板⑴地内表面上 一 ::極山上的邊界區域CA中形成隔離物m。第一== 且有mr如氧化鋼锡（ίτο)和氧化鋼辞_)。隔離物^ ==的部分，該兩部分包括含有第—區域咖與第二區域 域】2〇一 第一投影部件125和第二投影部们26。第-區 二咏弟二區域隱包括無機絕緣材料如氮化石夕(购且彼此 /刀隔開。形成在第-電細上的第—區域i2Qa和第：區域隱 的每一個具有_表面、外側表面、接㈣_電極ιΐ3的底表面 和與底表_對_表面。第—投影料125和第二投影部件⑶ 包減機絕緣材料如氧切（Si〇2)和並分棚繞在第—區域哪 和第二區域120b。因此’第一投影部件125覆蓋第一區域咖 的頂表面和外側面’第二投影部件126覆蓋第二區域通的頂表 面和外侧面。 另外，隔離物130具有底切形狀’其中第一投影部件125和 第二投影部件126分別延伸到第一區域i施和第二區域丨施的 頂表面之外。因此，第一投影部件125包括接觸第一區域12〇&的 外側面的第一區塊125a和從第一區塊125a延伸的第二區塊 125b。第二部分125b覆蓋和延伸在第一區域12〇a的頂表面之上。 同樣地，第二投影部件126包括接觸第二區域i2〇b的外側面的第 二區塊126a和從第三區塊126a延伸的第四區塊126b。第四區塊 1307185 126b覆蓋和延伸在第二區域12% _表面之上。結 no具有欄杆形狀’其具有_空腔和在其職面具有開口。第— 區域120a和第二區域120b的内側面暴露。並且，在第—區域 和第二區域磁之間的第-距離以大於第二區塊挪和第四= 塊126b之間的第二轉d2。第-區域12〇a和第二區域㈣之間 的第-厚度ti可以等於或大於第一投影部件125和第二投影部件 126的第二厚度t2。例如，第一厚度tl和第二厚度可以在約 2000A至8000A的範圍内。 有機發光材料層135形成在被隔離物13〇圍繞的子像素區域 SP中的第-電極113上，第二電極140形成在有機發光材料層： 上。由於第二電極MG完全覆蓋有機材料層135，有機發光材料層 135沒有暴露且防止了有機發光材料層135的劣化。另外，由於即 使加熱時無機材料也轉職，餘防止了排氣，無機材料的隔 離物130不會排氣和劣化有機發光材料層135。第—電極113、有 機發光材料層135和第二電極14〇構成了有機肛二極體“E”。第 -電極U3可以具有比第二電極⑽更高的功函數。並且，有機 發光材料層135和第二電極14〇通過隔離物m單獨地在每 像素區域SP中形成。 ♦η在圖3中未不出’在第二基板151上的每個子像素區域 3中的陣列元件層包括多個薄膜電晶體。連接電極175連接到陣 列兀件層的驅動薄膜電晶體丁0上，且連接圖案180形成在連接電 12 1307185

極Π5上。驅動薄膜電晶體Td包括被閘絕緣層157覆蓋的閘電極 155。含有主動層160a與歐姆接觸層16%之半導體層1⑹被形成 在閘絕緣層I57上。源極區⑹和汲極區⑹覆蓋半導體層咖 的歐姆接觸層祕。-鈍化層170被形成在源雜165與及電極 167上。該鈍化層17〇有一曝露沒電極167之接觸孔，而在純化層 Π0上之連接電極175則透過該接觸孔與汲電極π?相連接。在子 像素區域的薄膜電晶體和驅動薄膜電晶體τ〇中，可以利用多晶 石夕、非晶矽和有機半導體材料製造導電層。 可以在第-基板m和第二基板151的其中一個的製造製程 期間，在第-基板m和第二基板151的其中—個上形錢接圖 案則。在另-實關情使設置連接圖案⑽以覆蓋在圖3中的 _物m，連接圖案⑽可以設置在子像素區域犯中且沒有覆 盍隔離物130。由於圖3的OLED裝置ιοί g = 衣i川1疋頂發射型，即使當 連接圖案180設置在子像素區域sp中且沒右 τ且/又有覆蓋隔離物13〇時， 也能防止顯示品質的劣化。 圖4Α至4Η是根據本發明實施例之用 %有機電致發光顯示裝 置的電致發光基板的製造製程之示意性截 了單子像素區域 戢囟圖。圖4Α至4Η示出 在圖4Α中 巴域仰# Ρ祕U1具有子像錢繞子像 ^ <邊界區域CA，航積透科電材料如氧化姻錫仰 和氧化鋅錫(ΙΖΟ)在第一基板lu上形成第1极⑴。 1307185 在圖4B中，在第一基板1 2 3上形成第一無機絕緣材料層（未 示出）’且在第-無機絕緣材料層上形成第一光阻(細⑽如， PR)層（未示出）。f 一無機絕緣材料層可以具有在約2〇〇〇A至約 8000A的範圍内的第-厚度tl，且可能包括氮化邦_。然後， 具有透過區域和阻播區域的第一遮罩（未示出）設置在第一光阻 層上’光通過第-遮罩輕照到第—光阻層上。在藉由顯影第一光 阻層形成第-光阻圖案（未示出）後，使用第—光阻圖案作為餘 刻遮罩侧第-無機絕緣材料，以在邊界區域CA巾形成第一無 機絕緣材棚案118。因此，第—無機絕緣材料_ ιι8可以且 在約聊A至8000A的範圍内的第一厚度u。由於第一無機絕緣 材料圖案118和覆蓋第一無機絕緣材料圖案118的彎曲圖案（在 圖中的125、126)，用作有機發光材料層的隔離物，形成第一無 機^^材料職118以具有第—厚度u，其比有機發光材料層的 ^厚度t3更大（在圖3中的135)。另外，當在有機發光材 ^層上進—步形成附加層如電子注人層、電子傳輸層、電洞傳輸 14 1 和電洞注人相改善發射效树，形成第-無機絕緣材料圖案 2 、一有比所有層的厚度更大的厚度。無機發射材料層可以具 約l5〇〇A的第三厚度“t3” 。 3 案1在圖4C中，第二無機絕緣材料層122形成在第一無機絕緣圖 ” 18上。第二無機絕緣材料層丨22可以具有在約200oAi8〇〇〇A 之間的第二厚度t2，和可以包括氧化矽(Si〇2)。為了完全覆蓋第一 1307185 無機絕緣材料圖案118，第二無機絕緣材料層122的第二厚度口 可以等於或大於第一無機絕緣材料圖案118的第一厚度u。然後， 在第二無機絕緣材料層122上形成第二光阻層191。例如，第二光 阻層可以是其中暴露部分被除去的負型。然後，在第二光阻層⑼ 上設置具有透過區域τ和阻獅域B的第二遮罩19s，光穿過第 二遮罩195輻照到第二光阻層191上。

在圖仍巾，藉由顯影第二光阻層191 (圖4C)在第二無機 絕緣材料層122上形成第二光阻圖案192。 在圖犯巾藉由使用第二光阻圖案192作為姓刻遮罩钱刻第 ΐ無機絕緣材料層122 (_)形成_—投影部件和第 -投影部件126的第二無機絕緣_。彼此分開的第—投影部件 125和第二投影部件126設置在邊界區域a中 投影部件125和第二投影部件176 # 糟由弟 砍Ή〜 场卩件⑶^ —電極出暴露在子像素區 域处中务無機絕緣材料層118暴露在邊界區域a中。 暴露的^㈣^通過第—投影部件125和第二投影部件126 恭路的弟一有機絕緣材 第二區域㈣。由於第1 (圖4E)以形成第一區域咖和 投影部件125和第二 緣材料圖請(圖— 件有與弟—投影部件125和第-措旦，邱 =_率不同，率。例如 過:二 氣化兔）氣體的乾侧法細 CF4(E9 機絕緣材 13® 婉 1533 料圖案m (圖4E)和二氧切⑽2)的第一投影部件和第二 5影部件125和126，_ CF顧之氮切_軸刻率高於 ^❿氣體之__〇2)的侧率。因此，第—無機絕緣材 f圖案118 (圖4E)的關量大於第一投影部件⑵和第二投影 、6的钱刻量’並且餘刻第-無機絕緣材料圖案118 (圖4E) 以通過第-區域120a和第二區域·暴露第一電極⑴。另外， (由於第一區域120a和第二區域·被過_ 了，第一投影部件 125的第二區塊125b覆蓋並延伸出第—區域遍的頂表面，第二 投影部件126的第四區塊126b覆蓋並延伸出第二區域12%的頂 表面。、结果’第-區域12〇a和第二區域i2〇b相對於第一投影部 件125和第二投影部件126分別具有底切形狀。投影部件125包 覆第-區域120a的ϋ表面和側表面，投影部件126包覆第二區域 120b的頂和侧表面。 因此，第一區域120a、第二區域i2〇b、第一投影部件125和 第二投影部件126構成了具有兩個雙摺雙層結構的隔離物13〇。並 且’在第一區域120a和第二區域和i2〇b之間的第一距離“dl”大於 在第二部分125b和第四部分126b之間的第二距離“d2”。並且， 由於具有倒圓錐結構之第一投影部件125和第二投影部件126的 外侧面實質上分別地垂直於第一電極113，在不從第一投影部件 125和第二投影部件126的外表面分離的情況下，有機發光材料層 和第二電極完全接觸隔離物13〇的外表面。 16 .0®(7I«5533 在圖4G中’在通過灰化法或剝離法除去第二光阻圖案i92(圖 4F)後，在每個子像素區域SP中的第一電極上形成有機發光材料 層135。有機發光材料層135可以通過蒸鍍有機發光材料形成。由 於第一區域120a和第二區域120b相對於第一投影部件125和第 二投影部件126的底切形狀在第一投影部件125和第二投影部件 126之間切割有機發光材料135,在第一區域12〇a和第二區域12〇b 之間的第一電極113上形成為辅助有機發光材料圖案。因此，有 機發光層135藉由隔離物130分隔且在每個子像素區域sp中單獨 地形成。 在圖4H中，在每個子像素區域sp中的有機發光材料層135 上形成第二電極14〇〇可以通過沉積鋁(A1)和鋁(A1)合金如鋁鈥 (AINd)的其中一種形成第二電極14㈧例如，第一電極113可 具有南於第二電極140的功函數。類似於有機發光材料層135，第 二電極140藉由_物13G分取單獅形絲每個像素區域 “sp”中。另外，由於第一投影部件125和第二投影部件126的外 表面分別以倒圓錐結構垂直於第一電極113，第二電極14〇完全覆 蓋在每個子像素區域SP +的有機材料層135和在邊界區域CA中 的隔離物130。結果，有機發光材料層135沒有暴露並防止了有機 發光材料層135的劣化。第—電極出、有機發光材料層135和第 一電極140構成了有機乱二極體e。 根據本發明的另-方面’可以在第二電極14〇上形成吸氣材 17 08m«B533 '料或吸收層（未示出）。吸氣材料優選為金屬或類金屬材料如賊 來自兀素週期表中的HA族的另—元素。吸氣材料吸收水蒸汽和 其他氣體，如械示器_隙區域内產生的氧氣。 雖然在圖4A至4H中未示出，導電材料的連接圖案18〇⑽ 3)可以形成在第二電極⑽上。在另—實施例中連接圖案18〇(圖 3)可⑽成在姆的基板上。錢，在真空條件和惰性氣體條件 下的其中-種條件下使用密封圖案枯結具有有機EL二極體“£，，的 (第一基板111和具有陣列元件層的第二基板151，以使得連接圖案 180接觸第-基板111的第二電極14〇和第二基板151的驅動薄膜 電晶體Td。 隨後，在根據本發明的雙板型0LED裝置中，由於隔離物具 有雙擅雙層，有機發光材料層沒有通過第二電極暴露。因此防 止了有機發光材料層的劣化。另外，由於隔離物包括無機絕緣材 料，即使加熱隔離物也不會喷出氣體。因此，防止了由於噴出氣 (體產生的有機發光材料層的劣化。並且，由於包括tft的有機肛 二極體和陣列元件層分別形成在第一基板和第二基板上，改善了 產量且減小了製造成本。 本領域的技術人員很清楚在不脫離本發明的精神和範圍的情 況下’對有機電致發光顯示裝置和製造方法可以作出多種修改和 改動。因此，本發明傾向於覆蓋在所附申請專利範圍和等價物内 提供的本發明的修改和改動。 .wm^533 【圖式簡單說明】 圖1是根據蝴麟的有機f致發絲稍置細意性電路 平面圖 圖 圖2是&了根據侧技術的有機電致發細㈣置的示专座 示 是示出了娜本㈣實施儀雙板财機電致 裝置的示意性截面圖。 光顯 圖4A至4H是示出了根據本發明實施例的用於有機電致發光 顯示裝置的電致發光基板的製造製程之示意性截面圖。 【主要元件符號說明】 1 :有機電致發光顯示裝置 11 ： 第一基板 13 :第一電極 17 ： 絕緣層 2〇 .隔離物 25 ： 有機發光材料層 30 :第二電極 51 ： 第二基板 55 :陣列元件層 58 ： 連接電極 70 :連接圖案 80 :密封圖案 101 ··雙板型有機電致發光顯示裝置 111 :第一基板 113 :第一電極 118 :第一無機絕緣材料圖案 122 :第二無機絕緣材料圖案12〇:區域 1307185 .200701533 165 :源極區/源電極 170 :鈍化層 180 :連接圖案 195 :第二遮罩 E:有機電致發光二極體 120a:第一區域 125 :第一投影部件 125b :第二區塊 126a :第三區塊 130 :隔離物 140 :第二電極 155 :閘電極 160 :半導體層 160b :歐姆接觸層 CA :邊界區域 Td :驅動薄膜電晶體 d2 :第二距離 120b :第二區域 125a:第一區塊 126 :第二投影部件 126b :第四區塊 135 :有機發光材料層 151 :第二基板 157 :閘絕緣層 160a :主動層 167 :汲極區/汲電極 175 :連接電極 191 ··第二光阻層 192 :第二光阻圖案 SP :子像素區域 dl :第一距離 tl :第一厚度 t2 :第二厚度 t3 :第三厚度 T :透過區域 B :阻擋區域 CST :儲存電容 Ts :開關薄膜電晶體

Claims (1)

1. 7KS5533 十、申請專利範圍： 1、 一種有機電致發光顯示裝置，包括： 面對且彼此分離的第一基板和第二基板； 在第一基板上的第一電極； 包括在第一電極上的第一部分和第二部分的隔離物’第一部分 和第一部分的每一個具有彼此投影的投影部件，以及被投影部件 局部密封的區域； 在子像素區域中第一電極上且具有第一厚度的有機發光層； 在有機發光層上的第二電極； 在第二基板上的陣列元件層，該陣列元件層包括薄膜電晶體； 以及 電連接第二電極和薄膜電晶體的連接圖案。 2、 如申請專利範圍第1項之裝置，其中第二電極完全覆蓋有 機發光層。 3、 如申請專利範圍第丨項之裝置，其中第一部分和第二部分 的區域具有第二厚度，且藉由第一距離彼此分開。 4、 如申請專利範圍第3項之裝置，其中每個區域具有内侧表 面、與内侧面相對的外侧面、接觸第一電極的底表面和與底表面 相對的頂表面’且其中每個郷部件包括： 接觸區域的外側面的第一區塊；以及 從第一區塊延伸和接觸區域的頂表面的第二區塊。 5、 如申請專利範圍第4項之裝置，其中每個部分的第二區塊 21 1307185 由比第一距離小的第二距離彼此分開。 6、 如申請專利範圍第3項之裝置，其中投影部件和區域之每 —包括無機絕緣材料。 7、 如申請專利範圍第6項之裝置，其中區域包括氮化石夕，且 投影部件包括氧化矽。 8、 如申請專利範圍第3項之裝置，其中第二厚度大於第—厚 度。 9、 如申請專利範圍第1項之裝置，其中投影部件包括達成第 —蝕刻率的材料，該區域包括達成第二蝕刻率的材料，其中第二 蝕刻率高於第—蝕刻率。 — 10、 如申請專利範圍第3項之裝置，其中投影部件具有第三厚 度’其中第二厚度和第三厚度在約2_埃(A)至約8_埃(A)的範 圍内。 11、 如申請專利範圍第1項之裝置，其中薄膜電晶體包括多晶 石夕裳置、非晶石夕裝置或有機半導體裝置的其中一個。 12、 一種製造有機電致發光顯示裝置的方法，包括： 在具有子像素區域和圍繞子像素區域的邊界區域的第一基板 上形成第一電極； ^ 在邊界區域中的第—電極上形成絕緣圖案，該絕緣圖案具有第 一厚度； U 在絶緣圖案上形成絕緣層’該絕緣層具有第二厚度； 22 1307185 _絕緣層㈣成彼此分_第1 件，:案通過第—投影部件和第二投影部件暴露 部 私_案則彡成彼此分開科 一區域和第：卿目舞—鄕 域，其中第 , 矛苐一4又影部件启士τγ . ，子像素區域巾的第_電極上形成麵發光層；-， 在有機發光層上形成第二電極； 形成包括在第二基板上的薄膜電晶體的陣列元件層； 形成在第二電極和_元件層的其巾之— 第—基板和第二基板以使得連接圖案圖案:= 溥膜電晶體。 牧乐一电極和 L如巾請專利細第12項之方法，其怜—區域 切’且第一投影部件和第二投影部件包括氧切。 到第㈣12項之方法，糾利用第-_推 j弟U件和弟二投影部件，而利用第二_率钱刻絕緣圖 15、如申請專利範圍第〗4 -爛率。 貞之方去，其中弟二钱刻率高於第 b、如申請專利範圍第12項 於第-厚度。 〃中第-厚度等於或大 中第一厚度和第二厚 Π.如”專利範㈣16項之方法，其 度在約2000埃(輕_埃(A)的範圍内。 1307185 ^如帽專利翻第12項之方法，其t形成_元件層包 括形成薄臈電晶體，其中該薄膜電晶體包括多晶残置、非晶石夕 裝置或有機半導體裝置的其中一個。 0Θ 19、一種有機電致發光顯示器，包括： 彼此分離㈣-基板和第二基板，第—基板其上具有電極； 覆蓋電極且在第-基板和第二基板上限定像素區域的隔離 ’隔離物包括限定電極的邊界區域的對偶之第一部分和第二部 ^’、每個部分包括覆蓋電_輯和覆聽域的上表面且延伸到 區域的邊緣之外的投影部件；以及 覆蓋電極和每個部份的投影部件的有機發光層。 / '如申請專利範圍第19項之顯示器，其料個部分的區域 和投影部件包括不同的無機材料。 矽 21、如申請專利範圍第19 ’投影部件包括氧化石夕。 項之顯示n，其巾域包括氣化 心、如申請專利範圍第19項 月<顯不益，其中進一步包括 在有機發光材料層上的第二電極； 以及 在第二基板上的_元件層，該_树層包括薄膜電晶 %運接第 ’寻、电晶體的連接圖案。 23、如申請專利範圍第19 的 卹八 、之”.、員不态，其中第一部分和負 邛刀的區域由第一距離分開，复 再十第—部分和第二部分的投景 1307185 牛由i於第一距離的第二距離分開。 邱八2二如巾請專利_ 19項之顯示器，其中第-部分和第二 厚:/域具有第一厚度’有機發光層具有小於第-厚度的第二 25、如申請專利範圍第19項之顯示器，射進—步包 • ^^_膜電晶體’其中該薄膜電晶體包括多轉裝置、= 鲁 曰曰夕裝置或有機半導體裝置的其中—個。 非 勺括26、-種製造有機電致發光顯示裝置之隔離物的方法，該方、去 • 在帛基板上形成絕緣圖案，絕緣圖案具有第—厚度； 錢緣51案上形成絕緣層，該絕緣層具有第二厚声. _絕緣層以形成彼此分開的第一投影部件和又第二 ，且暴露絕緣圖案的一部分；以及 又衫部 • 飯刻緣圖案以形成彼此分開的第一區域和第 投影部件，物衫，和_域凹陷—^ ’且底切 件和第二投影部件之下。 的弟—投影部 27如申清專利範圍第26項之方法，其中 致發光顯示器’其包括在第二基板上的薄货^括有 晶體包括多晶石夕粟憂、非曰 曰體’其中薄 曰夕破置非aa残置或錢轉财置的其中一