TWI306947B - Cartridge for use with electrochemical sensors - Google Patents

Description

1306947* 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 特別是一種使用於試 本發明係有關於一種試劑分析 劑分析的流體卡匣。 【先前技術】 很多試劑分析已被發展用來制樣本中生 質的存在或其含量’想要能在野外操作試劑分析的要求已 增加小型及更精確之_分析魅的需求，這種可由 使用載有一或多個感測器之卡匣來完成， 而、、 析使用地點於試劑分析彻巾插人或取出。E可在試劑分 在試劑分析過程中，-或多種溶液被傳送哭， 技術執行上最大_難在於這些溶液的儲藏及準一 個困難在於在適當條件下，有效地備另 器，因此’需要―種更有料及舰_1^=儀\感測 【發明内容】 本發明包括-獨立儲藏元件及傳送元 與傳送元件拆卸及組合，儲藏元件勺 兀牛可 而每-個儲水槽内裝試劑分析巾所—^夕個儲水槽， 件設計用來將溶液從儲藏元件的儲:槽;== 送元件科結合。 *數個儲藏元件設計用來與傳 1306947' 個突元件結合時，傳送元件包括一或多 傳送元件結合時_藏 _元件的通道機構内溶液流 料中-：個二個突破機構包括拉伸機構用來拉開材 ϋ =元件包括—個排氣通道及由—閥Η所連接之入口 口閥門設計用來控制溶液流向從入口通道 3口通道並排氣至排氣通道，在某些設計中，傳送元件 2一個位於人口通道與出口通道間之-阻絕區域及一位 2阻絕區域上之可變形層材料。在閥門操作時，可變形 層材料與阻絕區域間之距離會改變。 口、南C送元件包括：一個間門’用以控制溶液從人 口通道至出口通道之流動，使其避開阻絕區域。該閥門包 括阻絕區域上之可變形層材料，而在閥門操作時，可變形 層材料與阻腿域間之距離纽變。部分人 向閥門方向傾斜。 、儲藏元件與傳送元件的方法亦在本發明中 使用卡匣 說明。 【實施方式】 -具有儲藏元件及舰元件的切在此㈣敘述。儲 藏元件及傳送元件各自獨立，但可在卡㈣財及使用前 組合使用，元件包含-❹個时分析試劑所需溶液 1306947 =儲水槽，傳送元件設計用來傳送儲藏元件中儲水槽内之 溶液到傳送元件中的感測器上。在一單一分析試劑或依序 執行的分析試劑中，多個儲藏元件可依序與單—傳送元件 結合使用，因此，如一分析試劑經常被使用，多個内含相 同溶液的儲藏元件可被儲備使用。另外，不同的分析試劑 可經由使衫_含不同溶液的儲藏元件喊成，因此， 儲藏元件提供—簡I而有效的方式來儲@分析試#所需之 溶液。 妹人在某些狀況中，多個儲藏元件可同時與單一傳送元件 ”使用’因為不同的儲藏元件可被分賴立製造，所以 不同的儲藏元件可被使用在不同的場合，例如：當一儲藏 破t溫時儲藏元件可同時冷藏或置於室溫下， 而㈣件可與内含需加溫之儲藏元件結合使用， 元件件可同時與内含需冷藏或置於室溫之儲藏 二:因為=同溶液可在不同溫度下被傳送到 使用，《相相需要不㈣液在不同溫度下 的功能相當具因此，具有儲藏溶液在不同溫度 1。，圖卡示為-使用電化她^ 12 ’圖式1Α為㈣元件二合之錯藏元件

忉前之示意圖，圖專U件13在結合成卡S q 1B為卡匣10組裝後之示意圖。 1306947 儲藏元件12及傳送元件13可結合而形成一實質平面 界面，例如：將儲藏元件12的底部置於傳送元件13的頂 部，如圖1B中結合儲藏元件12及傳送元件13。 儲藏元件12包含一或多個用來儲存分析試劑所需溶 液的儲水槽14，儲藏元件12亦包含一介質，以保存一或 多個儲水槽内之溶液。在某些狀況下，介質用來密封一或 多個儲水槽。 傳送元件13被設計用來傳送儲藏元件12中儲水槽 14内之溶液到傳送元件13中的一或多個感測器（圖中未 示）上，傳送元件13包含一或多個用來突破儲藏元件12 中介質的突破機構16，以提供在儲藏元件12内儲水槽14 中之溶液一出口通道，由儲水槽14傳送至傳送元件13， 突破機構16用來在儲藏元件12及傳送元件13結合時突 破介質。在某些狀況下，一或多個突破機構16會如圖1A 中突出傳送元件13。傳送元件13亦可包含一凹槽（圖中 未顯）用來對準及接收經由突破機構16所形成之穿孔的 溶液，凹槽可傳送溶液至傳送元件13中。在某些狀況 下，凹槽可被包含於突破機構16中。 卡匣可包含多個儲藏元件12，例如：圖1C為一具兩 個儲藏元件12與一傳送元件13結合之卡匣10的示意 圖，儲存在不同儲藏元件12的溶液可被傳送至傳送元件 13，不同儲藏元件12可在與傳送元件13結合前分開處 置，例如：當一儲藏元件12被加溫時，另一儲藏元件12 可同時冷藏或置於室溫下。因此，一傳送元件13可與内 i*3U6947* 可;力臧需元:=:使用，而此同-傳送元件13 用。因+田夕7或置於室溫之儲藏元件12結合使 切件12與單—傳送元件13可增加 -式夕2為傳达兀件13之内部示意圖，傳送元件13包含 一：广感測态反應槽26，每一個感測器反應槽26内含 -(圖：未不）。—適當的感測器包含但不限制於 二千感測器’一電化學感測器的範例為2〇〇1年5月5 國專利申請序號_48727，發明名稱為“具有 I °感測器晶片的生物辨識系統，，所教示。 傳送元件13亦包含多個溶液流經之通道，傳送元件 包含多個可從突破機構16傳送溶液之入口通道28，傳 =件13也包含多個傳送溶液至感測器反應槽 26的獨立 ^ 3〇 ’傳送元件13也包含—個傳送溶液從人π通道28 1二個獨立通道30的共用通道32，傳送元件13包含一個 =測器反應槽26所延伸出之廢物通道％，廢物通道允 用來將溶液帶離感測器反應槽26。 傳达凡件13包含多細來控制溶液在傳送元件13内 =動的閥Η，第1門38位於共用通道32與突破機構Μ 二’雖然在圖不中每個第一閥門38沿著入口通道28被依 、放置，—或多個第—制可被置於人口通道28及共用 通道32的父σ處。第二閥門42位於獨立通道％與 機構16間，雖然、在圖示中每個第二間門42沿著入口通曾 28被依序放置，1多個第二閥門可被置於人口通道= 1306947 及獨立通道30的交口處。第三閥門40可沿著獨立通道30 被依序放置，雖然在圖示中每個第三閥門40沿著獨立通 道30被依序放置，一或多個第三閥門可被置於獨立通道 30及共用通道32的交口處。 傳送元件13包含多個從閥門延伸出之排氣通道34， 在溶液流經閥門時，閥門内的空氣可經由排氣通道34排 出，例如：當一溶液從入口通道28傳送至閥門時，從入 口通道來的空氣可由排氣通道排出。 在某些狀況下，溶液從一個儲水槽14被傳送到一個 感測器反應槽26，例如：在被突破機構16所突破的儲水 槽（圖中未示）内施加於液體的壓力（標示為P1)可增 加，以打開標示為VI的第一閥門38，溶液流經入口通道 28的第一部分，穿過閥門，進入入口通道的第二部分而連 結至共用通道32，溶液經由共用通道32而與第三閥門40 相接觸。將接受溶液之感測器反應槽26所屬的第三閥門 40將被打開，而溶液將流經其所屬之獨立通道30而進入 感測器反應槽26。 在某些狀況下，溶液從一個儲水槽14被傳送至感測 器反應槽26，例如：在被突破機構16所突破的儲水槽 (圖中未示）内施加於液體的壓力（標示為P2)可增加， 以打開標示為V2的第二閥門42，溶液流經入口通道28 的第一部分，穿過閥門，進入入口通道的第二部分而連結 至獨立通道30，在獨立通道30末端的第三閥門40將關 1306947 閉，以防止溶液流入共用通道32。因此，+ 通道30而進入感測器反應槽26。 圖3Α到圖3C顯示—可適用的儲藏元件η，圖从 為儲藏元件12的不意圖，圖3Β為儲藏元件U在圖3Α 中沿標線Β之剖面圖，圖3C為儲藏元杜*入二 圖，儲藏元件12包括-個丁頁層16藏2組合前之示意 50，頂層仆包含多個從平台54所^曰48及密封層 層46與基層48結合而使凸槽52 之凸槽52 ’頂 14 ’多個在基層48上的開;提供儲^槽^^水槽 密封層5G延伸涵括所有開口，以將 ^ 口從 槽中，密封層50可包含-或多層物質水 5〇包括-密封続48上的開口 53之主=之费封層 封層可在撕開後重新連接，例如：密封層= ::二吏用橫膜可簡化填充溶液至儲水槽14的二： .含有兩個通道的針孔可透過橫膜及在美展 ' 開…入一中，健水，:=== 2孔抽出，而溶液可由另—穿孔注人儲水槽 出儲水槽14後，橫膜將再次密封。 十孔拔 :相於頂層46的材f包括但不限制於—熱 :質薄膜或聚乙胺酯。基層 ： 例心:〇??ί材質包括但不限制於—橫膜材料 f月曰傷。連接基層48與頂層46的方法包括但不 11 1306947 阳制於RF雀封，連接基層48與密封層50的方法包括作 不限制於錯射焊接、合成樹脂或枯膠。 匕括仁 阶圖犯為可與圖3A到圖3C所示之儲藏元件 數元件’ ® 3D為傳送元件之部分示意圖。 數個穿刺機構5 6你值4 ^ 56可穿破_@傳牛端延伸出來，穿刺機構 圖川中夕山種圖3E為具有圖3A中之儲藏元件及在 ‘56。 件的卡g剖面圖，剖切面位於-穿刺機 穿刺機構5 6位於/f查β - & _ n 準於儲藏元件上 封層5g，穿破密封層 所延伸出之穿孔57進入傳送元件13。因:構： 溶液從儲水槽傳送至傳送元件13。 *孔57 T將 於儲藏兀件12中基層48的 丁早 構56所不能穿刺的材質制J A層48可用穿刺機 層所岔封關Π，喊層48卩_職構封 上所能穿刺的部位。圖4A至圖4D所示為且 破機構16設計之卡£示意圖，圖、 種犬

中沿標線B之剖面圖，儲藏 ‘括7^件在圖3A 層仙及_別，圖”基 之仰視圖，圖4C為具有突破機構之傳送元= 12 1306947 圖圖4D為具有圖4C中使用之備有突破機構16的傳送 疋件13的卡匣剖面圖。 : 開口 53從儲藏元件12的基層48延伸出來，以提供 1水槽14的液體流通道。基層48包含一延伸至基層48 的底部及環繞開口 53的凹槽58。在圖4A中，傳送元件 /、儲藏元件結合前’密封層50延伸涵括凹槽58及開口 53 ’以密封開口 53。 在圖4C中’一突出體59在傳送元件13的一端延伸 出而形成一杯狀結構’此杯狀結構可用來作為突破機構 籲 16 °在結合傳送元件13和儲藏元件12時，如圖4D中所 不’此杯狀結構將密封層50推進凹槽58，此推擠動作拉 扯密封層50。密封層50包含一或多個通道，而這些通道 在密封層50拉扯時將會打開，而在不拉扯時將會關閉。一 一或多個通道將連接至開口 53，亦或凹槽58。因此，儲 水槽14中的溶液可流經一或多個通道而到達穿刺機構 16 ’精由以杯狀結構來穿刺密封層，可打開一或多個通 道。一開口 61從杯狀結構的底部延伸至傳送元件13内。 鲁 因此，溶液可從儲水槽14中，經由一或多個密封層5〇的 穿刺孔而流進傳送元件13。 適合於杯狀結構配合應用的密封材質包括但不限制於 熱塑性人造橡膠(TPEs)。 雖然凹槽58如圖中所示圍繞於開口 53周圍，而且端 緣結構63在開口 53周圍’但凹槽58並不需要與開口 53 有距離分隔，例如：凹槽58可直接連接至開口 53，所以 13 1306947 端緣、.。構63不存在。當端緣結構6广 可為杯狀結構、—鈍狀穿 子：’突破機構 _凹槽在此圍繞著開σ，^5Γ=的結合。 結合之突出槽。雖㈣^構6可包含1凹槽58 杯狀結構之突破機構16，在^件—13包含—具有 ^破機構可包含-杯狀結構。另外，；:個以上或全部 刺機構及杯狀結構的組合，作為突^^件可包含穿 當凸槽被用來當作儲藏元件的 加外來壓力下變形。在使槽寺，凸槽可在施 凸槽’以將儲水槽内的溶液推至：，使用者可施壓於 施於凸槽的壓力可用來 迗兀件13中，因此， 内。一可被用來當作儲藏送至儲藏元件

或聚^旨，以使凸槽52在施壓下能^6。之材質如PVC —雖然在圖示中每-個儲藏元件擁有單一人併 母-個開口 53,但儲藏元件可且有早貝延伸涵括 一個密封層可延伸涵括-❹個開π 53密封層，且每 雖然圖中並未顯示，但密封屑 質層上之次要介質層，此次 =^ I3—在主要介 件12中儲水槽14後 二曰可在溶液載入儲藏元 溶液在傳送或餘藏期間渗漏。次要儲八^牛12上，以防止 移除或留置原地。適合次要介質可在卡該合前 Mylar。次要介質層 曰、θ包括但不限制於 件上。 肖由料或表面張力結合於儲藏元 14 1306947 圖5A至圖5C所示為圖2提及之一傳送元件的適當

組成，圖5A為傳送元件13組合前機構之杀意圖’圖5B 為傳送元件13組合前機構之另一示意圖，此圖為圖5A之 倒立示意圖’傳送元件13包含一介於頂層62與可變形層 64之間的基層6〇，圖5C為頂層62在圖5B中沿標線C 之剖面圖。 頂層62包含數個由共同平台66所延伸出之穿刺機構 16，如圖5B及圖5C所示，凹槽68延伸炱頂層62的底 邛，凹槽68將成為傳送元件中感測器反應槽20及通道的 頂邊及側邊，例如：凹槽68侧邊即為通道及感測器反應 ，26的侧邊。傳送元件13結合之後，基層6〇上的感測 將位於感測器反應槽26内。頂層62亦包括多個開口 2〇，每個開口 2〇連接至一個穿刺結構。 ^ 6G包含多個感，7G，用來_特定物質的存 在及滾度，傳送元件13結合之後，基層 :位於=器反應槽26内。感測器7。包 電極輔助電極76。在某些狀況下，每個 电極白由早-層導電材料組成，適 限制於金。雷榀7Sy 守电材枓包括但不 訊連接。复棱供母個電極與電極接觸點80間的電 訊連接。其它感測器結構在·工年 电 專利申請錢_48727切揭露。 日送件之美國 在傳送元件組合後，電 62的開口幻進行電極接觸。=中:可經由穿，層 可包含數個與開σ 82對 口、、、=，但儲藏元件 1 以使電極接觸點80能 15 1306947' 透過傳送元件的開口 82及儲藏元件的開口進行電極接 觸。另外，儲藏元件可設計成為當卡匣組合後，傳送元件 的開口 82依然暴露於外。在某些狀況下，這些電極可經 由傳送元件的開口 82來做連接。 數個第一閥門通道84及第二閥門通道85從基層60 延伸出來，每一個第一閥門通道84與其相關之第二閥門 通道85將共同形成同一閥門。在傳送元件組合時，部分 的第一閥門通道84將與入口通道28對準，所以溶液可以 從入口通道流經第一閥門通道而到達其相關之第二閥門通 道，而其第二閥門通道對準於共用通道，所以第二閥門通 道内之溶液可以流至共用通道。部分的第一閥門通道84 將與入口通道28對準，所以溶液可以從入口通道流經第 一閥門通道而到達其相關之第二閥門通道，而其第二閥門 通道對準於獨立通道，所以第二閥門通道内之溶液可以流 至獨立通道。第一閥門通道84可用來當作閥門入口，而 第二閥門通道可當作閥門出口。 第一排氣開口 86亦穿透基層60，在傳送元件組合 時，第一排氣開口 86將對準排氣通道34，所以排氣通道 34中的空氣可由經由第一排氣開口 86排出。可變形層64 包含數個第二排氣開口 87，在傳送元件組合時，第二排氣 開口 87將對準第一排氣開口 86，因此，從排氣通道34來 的空氣可流經第一排氣開口 86至第二排氣開口 87，而排 氣通道的空氣可排入大氣中。 16 1306947 傳送元件13可藉由基層60結合於頂層62及可變形 層64而組合。組合傳送元件13時，通道的結構部分由基 層60及頂層62的凹槽68所組成，例如：圖5D為備有排 氣通道34的傳送元件局部之剖面圖，頂層62為排氣通道 34的頂邊，而基層60為排氣通道34的底邊。 傳送元件13的設計是空氣能流過排氣通道34，但液 體不能流過排氣通道34。在某些狀況下，排氣通道34的 尺寸被設計用來流通空氣並阻擋或減缓溶液注入排氣通道 34内。 在某些狀況下，排氣通道包含一或多個阻擋結構 89，阻擋結構89包括多個導管、渠道、通道、或穿孔， 通過排氣通道内的障礙物，導管、渠道、通道、或穿孔可 控制其大小而讓空氣通過而阻絕液體，例如：圖5E為備 有阻擋結構89之排氣通道34的頂層62之仰視圖，圖5F 為阻擋結構89沿標線F之剖面圖，阻擋結構包含多個導 管91，而其大小讓空氣通過而阻絕液體，在某些狀況下， 導管91橫切面積小於0.01平方微米，使用多個導管91可 增加氣流量，比設計用以限制液體流之單一導管或單一通 道所能達到的氣流更大，因此，數個導管91可更有效的 使空氣流通並阻絕液體。阻擋結構89可置於排氣通道34 内的任何位置，而且排氣通道34内可有數個阻擋結構 89，而且阻擋結構89可延長排氣通道34的總長度。 另外，一薄膜可被置於可變形層64上，以涵蓋一或 多個第二排氣開口 87，此薄膜可允許空氣通過但阻絕溶液 17 1306947 通，此薄膜’因此’此賊可阻絕溶液流過通氣通道34。 此/專膜可放置於第二排氣開口邊，例如：此薄膜可被置於 用來涵蓋一或多個第二排氣開口。另外，此薄膜可為可變 形層64上之—層物質’以涵蓋多個第二排氣開口，此薄 膜的適當材料包括但不限制於鐵氟龍(pTFE)。當此薄膜完 =組裝後，排氣通道亦可用來阻絕液體流向，但並不是： 全必要，例如：一或多個阻擋結構89可選擇性地與薄膜 結合使用。 、

圖5A中所示之頂層62包含多個廢物出口結構^ 共同平台66延伸出來，這些出口結構在傳送元件組合£ 與廢物通道36對準’而提供從感測器反應槽％來的廢4 =液-個出π ’出口結構可為在卡£組合時刺穿儲藏以 士空儲水槽14的穿刺結構。這時，廢物溶液在卡 %將流向儲水槽14。另外，出σ結構亦可從卡g的上於 接’例如：出α結構可由儲藏元件延伸出來或環繞著儲;

時，出口結構連接至—導管或其它可將廢物私 '卡E的裝置’出口結構不需要在儲藏元件上，此時 傳送元件可包含-廢物溶液可流向之儲水槽，例如：基/ 與頂層62可職—廢浦水槽來承接從廢物通道^戶 來之溶液。

頂層62與基層6G的製造方式包括但不限制於塑 =成形。適合頂層62與基層6G的材料包括但不限制^聚 碳酸酯(Polycarbonate)。適當可變形層64包括但 、A 彈性膜。適合連接頂層62與基層6G的技術包括㈣限^ 18 1306947 於錯射焊接或粘膠。报容 及可變妒；α 同的技術可被用來連接基層60 可變妒屏曰心L。、’列如.鐳射焊接可被用於連接基層60及 形層^並、^顯’傳送元件巾錢區域的可變 射焊接時加^蔽板1送元件上，這些區域可在使祕 積體電路的方法製造。 1極接_及電路通道可用 所电:运Π的閥門由頂層62、基層6〇及可變形層64 :;3:1/_所示為一種在圖5八及5”所示 閥門ΐΐ、关且2所形成之閥門的示意圖，圖6A為備有 元件的所=11、局部俯視圖，虛線所示為傳送元件内部 Γ:二::Β:Λ6Α中傳送元件的局部仰視圖， ㈣沒有連接_二二96^在，在其内可變形層 c之剖面圖，此圖顯示二 阳為卡蝴6Α中沿之闕門剖面。圖 流經間門前之閥門剖面。線之剖面圖’此關示液體 言層：中的第一闊門通道84對準於頂層62的入口 通道88’所以入口通道内的 此’第-閥門通道界定部分入_。二=的； -閱門通道85卿於麟62糾 門通道内的溶液可流人出D通道，因此 絕區域92。另外，頂層亦在二 通道及排⑽相職第二贼區域。可變㈣材料置於 19 1306947 :4 —閥門通道及第二閥Η通道上。因此，可 ^層材料置於部分人口通道及部分出e通道上。另外， 可k形層材料亦置於部分排氣通道上。 ，6D至圖6E為閥門之工作狀態，液體在 ^姻6D中以箭頭F標示。可變形層64被置於非^ 92 ’所以在閥門上游溶液達到一臨界壓力前， /谷液並不會渡過阻絕區域92。 經闊門前之狀態。如圖6C中技頭A = 6D =不為溶液流 門性 一中則頭A所示’當溶液流向閥 皆’入口188内之空氣可由排氣通道90排出，排氣 可ΐ許空氣借由排氣通道90而排出。在某些狀況 * ’飞體m全部或部分的排氣通道長度。在圖5中， 注人職通道時，—❹個阻絕區域可被選擇性地 置於排氣通道中。因此，排氣 ：： =中的入口通道88中排氣。排氣通;二= 允终閥門在充滿溶液的狀況下持續排氣。 -改可變形層64與阻絕區域92間的距離 位置或閥Η張的更開時，可〜換到開的 92。可變形層64遠離阻絕區域θ ^曰遂離阻1巴區域 上流經溶液的體積。如圖6£ _ 2的動作會增加阻絕區域 壓力超過臨界壓力時，溶液將則頭、F所不，當上游溶液 變形層64遠離阻絕區域92 始〃IL通過阻絕區域92。可 88流至出口通道94。 、動作亦使溶液能從入口通道 20 1306947 圖7A至圖7C所示為另一種卡匣所使用閥門之示意 圖，圖7A為備有閥門之頂層的示意圖。圖7B為備有頂 層62之傳送元件在圖7A中沿標線B之剖面圖，此圖顯 示液體流經閥門前之閥門剖面。圖7C為備有頂層62之傳 送元件在圖7A中沿標線C之剖面圖，此圖顯示液體流經 閥門前之閥門剖面。 基層60中的第一閥門通道84對準於頂層62的入口 通道88，所以入口通道内的溶液可流入第一閥門通道，另 外因此，第一閥門通道84界定部分入口通道。基層60中 的第二閥門通道85對準於頂層62的出口通道94，所以第 二閥門通道内的溶液可流入出口通道，另外因此，第二閥 門通道84界定部分出口通道。基層60及頂層62在入口 通道88及出口通道94間共同形成阻絕區域92。另外，頂 層亦在入口通道及排氣通道間形成第二阻絕區域。可變形 層材料置於阻絕區域92、第一閥門通道及第二閥門通道 上。因此，可變形層材料置於部分入口通道及部分出口通 道上。另外，可變形層材料亦置於部分排氣通道上。 圖7B及圖7D所示為閥門之工作狀態。液體在閥門 中的流向在圖7C中以箭頭C標示。可變形層64被置於非 常靠近阻絕區域92，所以在閥門上游溶液達到一臨界壓力 前，溶液並不會渡過阻絕區域92，因此，圖7C所示為溶 液流經閥門前之狀態。如圖7B中箭頭B所示，當溶液流 向閥門時，入口通道88内之空氣可由排氣通道90排出， 排氣通道90可允許空氣借由排氣通道90而排出。在某些 21 1306947 狀況下，如圖5所示，當溶液注入排氣通道時，一或多個 阻絕區域可被選擇性地置於排氣通道中。因此，排氣通道 90設計成可允許空氣流經排氣通道90，但溶液不能流經 排氣通道90，因此，排氣通道90允許入口通道88内之空 氣排放。 在閥門打開時，可變形層64與阻絕區域92間的距離 會改變，例如：在圖7D中所示，當閥門從關轉換到開的 位置或閥門張的更開時，可變形層64會遠離阻絕區域 92。可變形層64遠離阻絕區域92的動作會增加阻絕區域 上流經溶液的體積。如圖7D中箭頭D所示，當上游溶液 壓力超過臨界壓力時，溶液將開始流通過阻絕區域92。可 變形層64遠離阻絕區域92的動作亦使溶液能從入口通道 88流至出口通道94。 一或多個與閥門所相交的通道之體積將會隨著接近閥 門而縮小。如圖7C所示，當通道接近閥門時，與可變形 層材料反方向的部分通道可有一坡道斜向可變形層材料， 例如：入口通道88在閥門終點的部份可有一斜向閥門的 坡道，通道的高度為通道在可變形層材料垂直方向從可變 形層材料延伸至通道另一方向所量到之通道高度。斜向坡 道可在入口通道88位於閥門終點的側邊及底邊形成。此 坡道將幫助平緩轉角處所易形成之氣泡。 圖7A至7D所示為排氣通道90的高度沿閥門方向接 近而減小，此坡道可預防排氣通道90内之氣泡之產生。 雖然圖7A到7D中，入口通道88及排氣通道90皆有坡 22 道設計，但入口通道88及排氣通道9〇可同時皆無斜玻， 成入口通道88有但排氣通道9〇沒有斜坡，或排氣通道90 有但入口通道88沒有斜坡。 排氣通道90在閥門靠近入口通道88的部份，町如圖.’ 7A中所示與入口通道8δ垂直’垂直部份的長度町選擇性.. 地與鄰近入口通道88部份的寬度一致，這樣可降低在闕 門内氣泡的產生。 在圖6Α至圖7D中，入口通道88、出口通道94及排 氣通道9〇間的相對位置可改變，例如：出口通道及入口籲 通道在通道父界處的部份可與圖2中標示V的閥門之出口 通道平订。雖然圖2所示閥門沿入口通道方向放置，閥門 <置於入π通道、排氣通道及共用通道的交會處，此一通 敍顯·可增加單-卡_功能性。 ,在某些狀況下，第二閥門通道可有如圖6Α中所示之 圓升y、、’。構’圓形結構的直徑可比出口通道的寬度大。此 時’出口通道可如圖表6A及7A所示，有一突出之結 構。此突出之結構可使出口通道的邊牆能與第二閥門通道· 的邊牆同時流通液體。此特性可減低因出口通道及第二閥 fl通道邊_之階梯卿成之氣泡。 圖6A至圖7D内之閩門可為圖2之第一閥門38或第 二閥門42。當閥門充當第-閥門38時，入口通道28可為 入口通道88，共用通道32可為出口通道94，而排氣通道 34可為排氣通道。另外，閥門可沿入口通道方向放 J例如.入口通道2§的一部份可為入口通道88，入口 23 1306947 通道28#另-部份可為出口通道94，而排氣通道M可為 排氣通道90。 當閥門充當第二閥門42時’入口通道28可為入口通 道88 ’獨立通道30可為出口通道94，而排氣通道34可 為排氣通道90。另外’閥門可沿入口通道方向放置，例 如：入口通道28的-部份可為入口通道⑽，入口通道28 的另-部份可為出π通道94，而排氣通道34可為排氣通 道90。

圖6A至7Ό中之所示閥門，在移除排氣通道料後可 作為圖2之第三閥門4〇。當閥門充當第三閥門⑽時，共 用通道32可為入口通道88，獨立通道3〇可為出口通道 94。另外，闊門可沿獨立通道30方向放置，例如：獨立 通道30的〆部份可為人口通道88，獨立通道％的另一部 份可為出口通道94。 雖然圖5A及圖5B所述之傳送元件包含圖6A至圖

6E中的闊門設計，但一個、多個或全部的闊門可為圖7A 至圖7E中所述之閥門。 上述閥門可藉由增加上游溶液壓力亦或使用外在机械 力’使可變形層64變形而遠離阻絕區域％。上游、、容液· =可藉由H與人π通道相連接並内含錢水 增加。外在机械力之-範例為施加真空， ^ 變形層64拉離阻絕區域92。 用來刑· 92相接，但傳送 可變形層64與 雖然可變形層64如圖示與阻絕區域 元件的設計可使當上游溶液沒有加壓時， 24 1306947 阻絕區域92間有空隙。可變形層64與阻絕區域92間的 間隙可小至表面張力會阻絕液體流經阻絕區域92，直到臨 界壓力達到時。此時，可變形層64遠離阻絕區域92的動 作將增加阻絕區域92上流經液體的體積。 使液體流進閥門所需之臨界壓力可被控制。一較厚或 較硬的可變形層64可使臨界壓力變大。當沒有加壓於上 游溶液時，可變形層64越接近阻絕區域92，臨界壓力會 越大。減小一或多個閥門通道84的面積將減小阻絕區域 92上液體流經之區域面積，進而增加臨界壓力。 入口閥門通道84與出口閥門通道85的比例會決定閥 門的性能，例如：出口閥門通道85橫切面面積與入口閥 門通道84橫切面面積的比例會決定閥門的性能。當此比 例小於1時，就會減少閥門的逆流。在某些狀況下，入口 通道及出口通道包含多於一個流向，例如：出口通道可包 含多個穿透基層的穿孔。此時，出口通道的橫切面是每一 流向橫切面的總和。 雖然文字說明中，閥門是介於入口通道及共用通道 32間，圖示中之閥門可適用於傳送元件中其它閥門。 雖然以上圖式顯示排氣通道34，但排氣通道可被置 於其它不同地點，例如：排氣通道34可被置於入口通道 閥門前。 雖然圖5A及圖5B中傳送元件顯示，每一閥門皆由 單一可變形層材料組成，傳送元件可包含一或多個可變形 層材料，而每一可變形材料包令—或多個閥門。 25 1306947 64帶:門A門t圖8B顯不為使用-外在机械力將可變形層 置於^ΙΓ且絕區域92之卡_作，請為一切 面圖。ΐ _ i(9m6上Π96®: 8b為圖8A中系統之剖 導管對準;^ )包含多個真空導管98，這些

^ ^上之’。多頭f %被設計用來獨立地 *、工於—或多個導管。所施加在真空導管％的真 P卜入以使圖8B中虛線及箭頭A所標示對準於導管之閥 王開啟或部份·。因此，多頭管96可被用來選擇 ’ ^卡ϋ上的關。在某些狀況下，多頭管亦被用來施 2壓力於一或多個真空導管。此正壓力使一或多個閥門 在卡Ε操縱時保持關，例如：多頭管可被絲使圖2中 之第—閥門40，在溶液流經其所相關之第二閥門42而進 入其所相關之獨立通道時，保持關閉。保持第三閥門關 閉，可降低溶液回流至共用通道。在某些狀況下，卡匣内 液體流向的控制經由使用多頭管96及施壓於儲藏元件之 儲水槽14來達成。

雖然圖8Α及圖8Β所示需一多頭管96，上述之卡匣 可在無外在机械力情況下開啟或關閉閥門。因此，多頭管 96為選擇性使用。 雖然圖示中卡匣的每一儲水槽皆有其相關之穿刺機 構’但卡臣亦可有儲水槽包含多於一個穿刺機構，而儲藏 元件的每一個儲水槽亦可有多於一個開口。 26 1306947 雖然圖示中傳送元件包含一電化學感測器，但卡匣可 與其它感測器結合。上述卡匣亦可與一個、兩個或多個結 合0

27 1306947 【圖式簡單說明】 圖1A至圖1C為使用電化學感測器之卡匣，此卡匣包括一 儲藏元件及與其搭配之傳送元件。 圖1A為儲藏元件及傳送元件組合成卡匣前之示意圖。 圖1B為卡匣組合完成之示意圖。 圖1C為兩個儲藏元件與一傳送元件組合成卡匣之示意 圖。 圖2為傳送元件内部概要示意圖。 圖3A至圖3C為一儲藏元件之適當組成。 圖3A為儲藏元件之示意圖，儲藏元件包括一頂層、一基 層及一密封層。 圖3B為儲藏元件在圖3A中沿標線B之剖面圖。 圖3C為儲藏元件組合前之示意圖。 圖3D為可與圖3A至圖3C所示之儲藏元件配合使用之備 有突破機構的傳送元件。 圖3E為具有圖3A中之儲藏元件及在圖3D中之傳送元件 的卡匣剖面圖，剖切面位於一突破機構。 圖4A至圖4D為具有另一種突破機構設計之卡匣示意 圖。 圖4A為儲藏元件在圖3A中沿標線B之剖面圖。 圖4B為圖4A中儲藏元件沒有密封層之仰視圖。 圖4C為局部傳送元件之示意圖。 圖4D為具有圖4C中使用之備有突破機構的傳送元件的卡 S剖面圖。 1306947 圖5A至圖5F為圖2所示之一傳送元件的適當組成。 圖5A為傳送元件組合前機構之示意圖。 圖5B為傳送元件組合前機構之另一示意圖，此圖為圖5A 之倒立示意圖。 圖5C為頂層在圖5B中沿標線C之剖面圖。 圖5D為備有排氣通道的傳送元件局部之剖面圖。 圖5E為備有阻擋結構之排氣通道的頂層之仰視圖。 圖5F為阻擋結構沿標線F之剖面圖。 圖6A至圖6E為一種形成在傳送元件組合上之閥門的示意 圖。 圖6A為備有閥門之傳送元件的局部俯視圖。 圖6B為圖6A中傳送元件的局部仰視圖。 圖6C為卡匣在圖6A中沿標線C之剖面圖，此圖顯示液 體流經閥門前之閥門剖面。 圖6D為卡匣在圖6A中沿標線D之剖面圖，此圖顯示液 體流經閥門前之闊門剖面。 圖6E為在圖6C及圖6D中液體流經閥門之閥門示意圖。 圖7A到圖7D所示為另一種卡匣所使用閥門之示意圖。 圖7A為備有閥門之頂層的示意圖。 圖7B為備有頂層之傳送元件在圖7A中沿標線B之剖面 圖，此圖顯示液體流經閥門前之閥門剖面。 圖7C為備有頂層之傳送元件在圖7A中沿標線C之剖面 圖，此圖顯示液體流經閥門前之閥門剖面。 圖7D顯示液體流經閥門之閥門剖面。 29 1306947 圖8A及圖8B為一卡匣之操作。 圖8A為一卡匣置於多頭管上之側面圖。 圖8B為圖8A中系統之剖面圖。 【主要元件符號說明】 (10) 卡匣 (12) 儲藏元件 (13) 傳送元件 (14) 儲水槽 (16) 突破機構 (20) 開口 (26) 感測器反應槽 (28) 入口通道 (30) 獨立通道 (32) 共用通道 (34) 排氣通道 (36) 廢物通道 (38) 第一閥門 (40) 第三閥門 (42) 第二閥門 (46) 頂層 (48) 基層 (50) 密封層 (52) 凸槽

30 1306947 (53) 開口 (54) 平台 (56) 穿刺機構 (57) 穿孔 (58) 凹槽 (59) 突出體 (60) 基層 (61) 開口 (62) 頂層 (63) 端緣結構 (64) 可變形層 (66) 共同平台 (68)凹槽 (70 )感測器 (72) 工作電極 (74) 參考電極 (76) 輔助電極 (78) 電極 (80) 電極接觸點 (82)開口 (84) 第一閥門通道 (85) 第二閥門通道 (86) 第一排氣開口 (87) 第二排氣開口 31 1306947 (88) (89) (90) (91) (92) (93) (94) (96) (98) 入口通道 阻擋結構 排氣通道 導管、閥門區域 阻絕區域 廢物出口結構 出口通道 多頭管 真空導管

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Claims (1)

1306947 月y修正本

申請專利範圍 種卡匣，其包含: 一儲藏元件，其包含一或多個内含溶液的儲水槽；以及 一傳送元件’其與儲藏元件結合使用，此傳送元件被用 ，傳送一或多個儲水槽内之溶液至傳送元件内之感測 器’感測器被用來偵測液體樣本中某一物質之存在及濃 度；其中 該傳送元件包括一或多個突破機構，用來在組合儲藏元 件及傳送元件時，刺穿儲藏元件上之密封材質，被穿刺 的密封材質提供儲水槽内溶液一出口，流出儲藏元件外 面，並且 該儲藏元件可預先裝填溶液後儲藏在不同溫度，迷歲 傳送元件在進行感測前結合使用。 >、 2·如申請專利範圍第1項所述的卡匣，其中儲藏元件與 送元件是各自獨立的。 、傳 3·如申請專利範圍第1項所述的卡匣，其中傳送元件包八 一或多個穿孔，而使儲水槽内之溶液可流至傳送元 4.如申請專利範圍第1項所述的卡匣，其中該—或多二 破機構包含一用來刺穿材料的穿刺結構。 欠 穿 5·如申請專利範圍第3項所述的卡匣，其中該—或多 孔延伸穿透穿刺機構。 固 或多個突 6.如申請專利範圍第1項所述的卡匡，其中該一 破機構包^—杯狀結構。 33 1306947 7·如申請專利範圍第3項所述的卡£，其中該一或多個穿 孔從杯狀結構的底部延伸到傳送元件。 8. 如申請專利範圍第丨項所述的卡£，其中儲藏元件包含 =少-個結構’來限制每-突破結構所造成之穿刺局限 於材質之某—特定區域。 9, ^申請專利制第8項所述的卡®，其中儲藏元件包含 :基層，其具有一或多個從基層延伸出的開口，每一 竭口用來承接每一突破機構。 1〇.=請專利範圍第8項所述的卡E，其中儲藏元件包含 土層’其具有—或多個延伸到基層㈣槽，每—凹 u槽用來承接每一突破機構。 ，申請專利範圍第4項所述的卡£，其中傳 ^多個突破機構絲在組裝結合儲藏元件及傳送元件 12守，拉伸儲藏元件上之密封層材質。 • 鄉圍第i項所義付，其中儲藏元件包含 槽。田’其具有多個從共同平台之一側所延伸出的凸 13· 專·圍第丨項所述的卡£，其中儲藏元件包含 的^。’置於一頂層之下’其具有一或多個穿透基層 14^Ϊ專郷圍第U項所述的卡11，射儲藏元件包 15 “置於基層上的密封材f ’用來密封開口。 •申=專利範項所述的切，其中傳送元件包含 句，用來控制液體在入口通道及出口通道間，阻 34 1306947 絕區域上液體之流動，此閥門包含阻絕區域上方之可 變形層材質、部分入口通道及部分出口通道。 16. 如申請專利範圍第15項所述的卡匣，其中入口通道在 可變形層材質的另一側，有一斜向可變形層的坡道。 17. 如申請專利範圍第15項所述的卡匣，其中入口通道的 高度沿閥門方向接近而減小，通道的高度為通道在可 變形層材料垂直方向從可變形層材料延伸至通道另一 方向所量到之通道高度。 18. 如申請專利範圍第15項所述的卡匣，其中傳送元件包 · 含一排氣通道，從閥門延伸出來，排氣通道用來排出 閥門操作時通道内的氣體。 19. 如申請專利範圍第18項所述的卡匣，其中排氣通道在 可變形材質的另一側，有一斜向可變形層材質的坡 道。 20. 如申請專利範圍第19項所述的卡匣，其中排氣通道的 高度沿閥門方向接近而減小，通道的高度為通道在可 變形層材料垂直方向從可變形層材料延伸至通道另一 _ 方向所量到之通道高度。 21. 如申請專利範圍第15項所述的卡匣，其中傳送元件包 含一頂層，其位在一基層上，頂層及基層界定入口通 道及出口通道，基層包括： 一第一閥門通道，其延伸穿透基層，且置於部分入口 通道上；及 35 1306947 一第二閥門通道，其延伸穿透基層，且置於部分出口 通道上，可變形層材質置於第一閥門通道及第二閥門 通道上。 22. 如申請專利範圍第15項所述的卡匣，其中頂層及基層 形成一排氣通道，而第一閥門通道置於部分排氣通道 上。 23. —種使用於卡匣的傳送元件，其包含： 一傳送元件，用來與一包令—或多個内含溶液的儲水 槽之儲藏元件結合使用，傳送元件用來傳送一或多個 儲水槽内之溶液至傳送元件中的感測器上，而感測器 用來偵測液體樣本中某一物質的存在和濃度；其中， 該傳送元件與儲藏元件為各自獨立，並且在進行感測 前結合使用。 24. 如申請專利範圍第23項所述的使用於卡匣的傳送元 件，其中該傳送元件包括一或多個突破機構，用來在 組合儲藏元件及傳送元件時，刺穿儲藏元件上之密封 材質，被穿刺的密封材質提供儲水槽内溶液一出口， 籲 流出儲藏元件外面。 25. 如申請專利範圍第24項所述的使用於卡匣的傳送元 件，其中該傳送元件包令—或多個穿孔，使儲水槽内 之溶液可流至傳送元件。 26. 如申請專利範圍第24項所述的使用於卡匣的傳送元 件，其中一或多個突破機構包含一用來刺穿材料的穿 刺結構。 36 1306947 27. 如申請專利範圍第25項所述的使用於卡匣的傳送元 件，其中穿孔延伸穿透穿刺機構。 28. 如申請專利範圍第24項所述的使用於卡匣的傳送元 件，其中一或多個突破機構包含一杯狀結構。 29. 如申請專利範圍第25項所述的使用於卡匣的傳送元 件，其中穿孔從杯狀結構的底部延伸到傳送元件。 30. 如申請專利範圍第23項所述的使用於卡匣的傳送元 件，其中該傳送元件包含一閥門，用來控制液體在傳 送元件之入口通道及出口通道間之流動，此閥門包含馨 一可變形層材質，其界定部分入口通道。 31. 如申請專利範圍第30項所述的使用於卡匣的傳送元 件，其中可變形層材質界定部分出口通道。 32. 如申請專利範圍第30項所述的使用於卡匣的傳送元 件，其中入口通道在可變形層材質的另一側，有一斜 向可變形層材質的坡道。 33. 如申請專利範圍第30項所述的使用於卡匣的傳送元 件，其中通道的高度沿閥門方向接近而減小，通道的籲 高度為通道在可變形層材料垂直方向從可變形層材料 延伸至通道另一方向所量到之通道高度。 3 4.如申請專利範圍第3 0項所述的使用於卡匣的傳送元 件，其中該傳送元件包含一排氣通道，從閥門延伸出 來，排氣通道用來排出閥門操作時通道内的氣體。 35.如申請專利範圍第30項所述的使用於卡匣的傳送元 件，其中可變形層材質位在部分排氣通道上，排氣通 37 1306947 道在玎變形層材質的另—側，有一斜向可變形層材質 的坡道。 36. 如申請專利範圍第34項所述的使用於卡匣的傳送元 件，其中排氣通道的高度沿閥門方向接近而減小，通 道的高度為通道在可變形層材料垂直方向從可變形層 材料延伸至通道另一方向所量到之通道高度。 37. 如申請專利範圍第23項所述的使用於卡匣的傳送元 件，其中4傳送元件包含—頂層，其位在一基層上， 頂^及基層界定入口通道及出口通道，基層包括： 一第一閥門通道，其延伸穿透基層，且置於部分入口 通道上；及 、弟一閥門通道，其延伸穿透基層，且置於部分出口 通道上，可變形層材質置於第一閥門通道及第二閥門 3H凊專利範圍第37項所述的使用於卡ϋ的傳送ϋ 其中頂層及基層一形成排氣通道，而第— 39

部分聽通道上。 種使用卡匣的方法，其包含： 將各自A 結人獨立之一儲藏元件與一傳送元件在進行感測育 Si二形成一卡E，儲藏元件包含一或多個内含溶％ 矿：水槽，傳送元件用來傳送一或多個儲水槽内之碎 ^傳送元件中的感測器上，而感測器用來偵測液覺 ""中某-物質的存在和濃度。 38 I I1306947 40. 如申請專利範圍第39項所述之方法，其中傳送元件包 括一或多個突破機構，用來在組合儲藏元件及傳送元 件時，刺穿儲藏元件上之密封材質，被穿刺的密封材 質提供儲水槽内溶液一出口，流出儲藏元件外面。 41. 如申請專利範圍第39項所述之方法，更包含： 開啟傳送元件上之一閥門，以控制傳送元件中溶液的 流動。 42. 如申請專利範圍第41項所述之方法，更包含： 加壓於儲藏元件之一凸槽，而使儲水槽内之溶液流向 馨 傳送元件。 43. —種傳送溶液至電化學感測器的傳送元件，包含： 一排氣通道、一入口通道及一出口通道，交會在一閥 門上，閥門用來控制溶液從入口通道至出口通道的流 動，並同時將氣體排至排氣通道中。 44. 如申請專利範圍第43項所述的傳送溶液至電化學感測 器的傳送元件，更包含： 一介於入口通道及出口通道間的阻絕區域，及一置於 籲 阻絕區域上方的可變形層材質，而可變形層材質與阻 絕區域間之距離會在閥門操作時改變。 4 5.如申請專利範圍第4 4項所述的傳送溶液至電化學感測 器的傳送元件，其中可變形層材質置於部分入口通道 及部分出口通道上。 39 1306947 46.如申請專利範圍第45項所述的傳送溶液至電化學感測 器的傳送元件，其中可變形層材質置於部分排氣通道 學感測 4入如申請專利範圍第43項所述的傳送溶液至電化 器的傳送元件，更包含： 一或多個電化學感測器，用來偵測樣本中某一物 存在及濃度；以及 了或多個通道，絲傳送雜從_至—或多個感測 器。 *"、 48 ί申凊專利範圍第43項所述的傳送溶液至電化學感測 傳送元件，其中閥門包含一可變形層材質，其界 定部份入口通道，此由可變形層材質所界定之部^二 口通道在閥門操作時其體積會改變。 49_ =申請專利範圍第43項所述的傳送溶液至電化學感測 益的傳送7G件’其中部分入口通道在可變形層材質的 另一側’有一斜向可變形層材質的坡道。 申請專利範圍第43項所述的傳送溶液至電化學感測 裔的傳达凡件，其中入口通道的高度沿閥門方向接近 而減小’通道的高度為通道在可變形層材料垂直方向 攸可變形層材料延伸至通道另一方向所量到之通道高 度。 5L =申晴專利範圍第43項所述的傳送溶液至電化學感測 益的傳送元件，其中排氣通道在巧·變形層材質的另一 側’有—斜向可變形層材質的坡道。 1306947 5 2 ·如申請專利範圍第51項所述的傳送溶液至電化學感測 器的傳送元件，其中排氣通道的高度沿閥門方向接近 而減小，通道的高度為通道在可變形層材料垂直方向 從可變形層材料延伸至通道另一方向所量到之通道高 度。 53. 如申請專利範圍第43項所述的傳送溶液至電化學感測 器的傳送元件，其中該傳送元件包含一頂層，其位在 一基層上，頂層及基層界定入口通道及出口通道，基 層包括： 一第一閥門通道，其延伸穿透基層，且置於部分入口 通道上；及 一第二閥門通道，其延伸穿透基層，且置於部分出口 通道上，可變形層材質置於第一閥門通道及第二閥門 通道上。 54. —種傳送溶液至電化學感測器的傳送元件，包含： 一閥門，用來控制溶液在入口通道及出口通道間之流 動，使其避開阻絕區域，該閥門包括一可變形層材 質，其位在絕區域上方，而可變形層材質與阻絕區域 間之距離會在閥門操作時改變，部分入口通道在接近 閥門方向有一斜向可變形層材質的坡道。 5 5.如申請專利範圍第5 4項的傳送溶液至電化學感測器的 傳送元件，其中可變形層材質置於部分入口通道及部 分出口通道上。 41 # #1306947 5 6.如申請專利範圍第5 5項所述的傳送溶液至電化學感測 · 器的傳送元件，其中可變形層材質置於部分排氣通道 上。 5 7.如申請專利範圍第5 4項所述的傳送溶液至電化學感測 器的傳送元件，更包含： 一或多個電化學感測器，用來偵測樣本中某一物質的 存在及濃度；以及 一或多個通道，用來傳送溶液從閥門至一或多個感測 器。 · 5 8.如申請專利範圍第5 4項所述的傳送溶液至電化學感測 器的傳送元件，其中可變形層材質界定部分入口通 道，此由可變形層材質所界定之部分入口通道在閥門 操作時其體積會改變。 59. 如申請專利範圍第54項所述的傳送溶液至電化學感測 器的傳送元件，其中入口通道的高度沿閥門方向接近 而減小，通道的高度為通道在可變形層材料垂直方向 從可變形層材料延伸至通道另一方向所量到之通道高籲 度。 60. 如申請專利範圍第56項所述的傳送溶液至電化學感測 器的傳送元件，其中排氣通道在可變形材質的另一 側，有一斜向可變形層材質的坡道。 61. 如申請專利範圍第60項所述的傳送溶液至電化學感測 器的傳送元件，其中排氣通道的高度沿閥門方向接近 而減小，通道的高度為通道在可變形層材料垂直方向 42 1306947 從可變形層材料延伸至通道另一方向所量到之通道高 . 度。 6 2.如申請專利範圍第5 4項所述的傳送溶液至電化學感測 器的傳送元件，其中該傳送元件包含一頂層，其位在 . 一基層上，頂層及基層界定入口通道出口通道，基層 包括： 一第一閥門通道，其延伸穿透基層，且置於部分入口 通道上；及 一第二閥門通道，其延伸穿透基層，且置於部分出口 馨 通道上，可變形層材質置於第一閥門通道及第二閥門 通道上。

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