TWI302786B - - Google Patents

Description

1302786 、 九、聲明說明： 【發明所屬之技術領域】 -種具適應性之線性化偏壓電路，尤指—種提供偏壓 電流溫度補償、增益與相位補償之特性，且具有改善功率 放大為線性度（Linearity)之適應性偏壓電路設計。、 【先前技術】 在各類不同的通信系統中，不論是發射機或接收機， | 、線性度皆是-項基本且重要的規格。對發射機而言，功率 放大器則為-重要且不可缺少之元件，關於通訊距離 机品質及待機時間等等，都與功率放大器密不可分。一般 而言通常會提供-偏壓至功率放大器，但傳統的偏壓電路 在輸入功率增加時，會使得功率放大器的線性度變得报 差，且傳統的偏壓電路容易因著溫 ， 大器的直=交流特性產生相當的飄移甚至劣化=放 、下疋g去些應用於功率放大器的線性化偏壓電 ► 路，如美國專利6, 744, 321號（請參閱第一圖）、 6,333,677(請參閱第二圖）等。 是以，由上可知，上述習知之線性化偏壓電路，顯然 具有不便與缺失存在，而可待加以改善者。 【發明内容】 μ^緣是，本發明人有感上述缺失之可改善，且依據多年 來從事此方面之相關經驗，悉心觀察且研究之，並配合學 理之運肖而提出一種設計合理且有效改善上述缺失之本 發明。 -種具適應性之線性 電晶體 第 端電 源、一第一電壓源、—第—電卩且I電路，係包括一參考電壓 '—第二NPN電晶體第二電阻、一第一 NPN 電阻，其-端係電性絲二弟三_電晶體。首先該 :性連接該第參考電壓源正端，另-其集極端亦電性連接於該第了極端。該第一NPN電晶體， 晶體的基極端，其基極端‘ PN電晶體及該第三NPN電 極端’其射板端電性連接二蜜接於該第二_電晶體射 電晶體，其集極端係電性連接於~；電= 之一端。該第二NPM 三腳電晶體，其集極端亦電性==壓源正端。該第 端，其射極端電性連接於-功率放大。亥第一電壓源正 晶體係提供該功率放大器之一第4二t該第三猶電 之另一端係電性連接—接地 :„匕。該第二電阻 大器之偏壓電流溫度補償。綠提供該功率放 藉由該具適應性後 性，使該功率放大器之 路之溫度補償特 增加而工料入功率 時，該Λ β類放大（Class-B) 及相位^補之祕化麵€路亦可_提供對於增益 明之目的閱以下有闕本發明之詳細說明與附圖，相产本於 明之目的、特徵與特點，當可由此得 口机柄 然而所m式僅提供參考與說明用 來解’ 以限制者。 i井用木對本發明加

Claims (1)

1. Of. 月石日修正替換頁 十、申請專利範圍： 1、一種具適應性之線性化偏壓電路，係包括： 一第一被動元件，具有一第一端及一第二端，該第一 被動元件的該第一端係電性連接於一參考電壓源正端； 一第一主動元件，具有一第一端、一第二端及一第三 端，其中該第一主動元件的第一端係電性連接於該第一被 動元件的該第二端； 一第二主動元件，具有一第一端、一第二端及一第三 > 端，其中該第二主動元件的該第一端係電性連接於一第一 電壓源正端，該第二主動元件的該第二端係電性連接該第 一被動元件的該二端及該第二主動元件的該第三端係電性 連接於該第一主動元件的該第二端； 一第三主動元件，具有一第一端、一第二端及一第三 端，其中該第三主動元件的該第一端係電性連接於該第一 電壓源正端，該第三主動元件的該第二端係電性連接於該 第二主動元件的該第二端及該第三主動元件的該第三端係 電性連接於一射頻核心電路，提供該射頻核心電路之一第 一偏壓電流；以及 一第二被動元件，具有一第一端及一第二端，其中該 第二被動元件的該第一端係電性連接於該第一主動元件的 第三端及該第二被動元件的該第二端係電性連接於一接地 端； 其中該第二被動元件以提供該射頻核心電路之偏壓 電流溫度補償，使該射頻核心電路之直流及交流特性，不 隨著溫度變化而產生飄移甚至劣化的問題。 12 1302786 2、如申社直别从 1Ί年斗將曰修(更)正替換頁 偏壓電路，1 三主動元件，係為雙極性:二:第=元:及該第 晶體、高電子遷移率電日日日體、接面二電3面雙極性電 趙場或金屬氣化物半導體場wr體之金二半導 偏壓電路述，應性之線性化 電晶體。及忒弟—被動元件，係為 4、 如申請專利範圍第工項 由 偏壓電路，其中該第-被動元#及該第性:線性化 二極體。 久遺弟一破動70件，係為 5、 如申請專利範圍第1項 偏壓電路，其中該第—被動性之線性化 電阻。 及忒弟一被動元件，係為 偏壓電6路如項所述之具適應性之綠性化 =弟—抓件及該第二被動元件’係為 7、 如ttt專鄕圍第丨項所叙具顧 性 偏壓電路，其中該第-被動/G件及該第二被動^線= 電容性阻抗。 卞係為 8、 如申請專·圍第1項所述之具適應性之線性 偏壓電路，其巾該射觀m係為功率放大器、低雜 §fl放大裔或此波益之功效相近的元件。 一 9、 一種具適應性之線性化偏壓電路，係包括： 一第一電阻，係電性連接於一參考電壓源正端； 13 1302786 __電日曰體，其集極#電性連接於該第-電阻； 端，其Si::集極端電性連接於-第-電壓源正 端電性連接科第連ϊ於該第—電晶體之集極端’其射極 —:-電晶體之基極端; 端，體’其集極端電性連接於該第一電壓源正 端電性i接於二性連接於該第二電晶體之基極端，其射極 率放大哭夕r率放大器，且該第三電晶體係提供該功 手放=之-第—偏壓電流；以及 端，另弟：目電其—端電性連接於該第-電晶體之射極 ^ C性連接於—接地端； 产補^ ^ Hx提供該功率放大ϋ之偏壓電流溫 4 μ功率放大器之直流及交流特性，不隨著溫度 、交化而產生飄移甚至劣化的問題。 錢ϋ :如申請專利範81第9項所述之具適應性之線性 化偏麼氣路，並中辞笛 卜卜 1 1、如申請專利範圍第9項所述之具適應性之線性 化偏壓電路，其中該功率放大器，亦為—低雜訊放大器或 一混波器之功效相近的元件。 1 2、一種具適應性之線性化偏壓電路，係包括·· 一第一電阻，係電性連接於一參考電壓源正端； 第一場效電晶體，其汲極端電性連接於該第一電 阻； 一第二場效電晶體，其汲極端電性連接於一第一電壓 源正端，其閘極步而電性連接於該第一場效電晶體之没極 14 1302786 Γ__ π年β月4日修正替換頁 端，其源極端電性連接於該第一場效電晶體之閘極端； 一第三場效電晶體，其汲極端電性連接於該第一電壓 源正端，其閘極端電性連接於該第二場效電晶體之閘極 端，其源極端電性連接於一功率放大器，且該第三場效電 晶體係提供該功率放大器之一第一偏壓電流；以及 一第二電阻，其一端電性連接於該第一場效電晶體之 源極端，另一端則電性連接於一接地端； 其中該第二電阻以提供該功率放大器之偏壓電流溫 ，度補償，使該功率放大器之直流及交流特性，不隨著溫度 變化而產生飄移甚至劣化的問題。 1 3、如申請專利範圍第1 2項所述之具適應性之線 性化偏壓電路，其中該第一、第二及第三場效電晶體係為 接面場效電晶體（JFET)、金屬-半導體場效電晶體 (MESFET)、金屬氧化物半導體場效電晶體（M0SFET)。 1 4、如申請專利範圍第1 2項所述之具適應性之線 性化偏壓電路，其中該功率放大器，亦為一低雜訊放大器 f 或一混波器之功能相近的元件。