JP3847756B2 - 高周波増幅回路 - Google Patents
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Description
図1は、本発明の第1の実施の形態における高周波増幅回路の回路図を示すものである。なお、図1において、従来の高周波増幅回路と同一の構成要素には同一の符号を付した。
図3は、本発明の実施の形態2における高周波増幅回路の回路図を示すものである。実施の形態1との違いは、バイアス供給用トランジスタ2のエミッタに接続されていた抵抗4を、ベースとコレクタが接続された、2つのトランジスタ14,15に置き換えたことにある。上記トランジスタ14,15はPN接合ダイオードと等価である。図3において、破線で囲んだ部分がバイアス回路である。
図4は、本発明の実施の形態3における高周波増幅回路用のバイアス回路の構造を示すものである。この実施の形態3では高周波増幅回路におけるバイアス回路の構造およびその形成方法を具体的に説明する。図4(a)には、バイアス回路の平面図を示し、図4(b)には上記バイアス回路の断面図を示す。本実施の形態では、抵抗として半導体抵抗を用いた場合について説明する。
図5は、本発明の実施の形態4における高周波増幅回路用のバイアス回路の構造を示すものである。この実施の形態4では高周波増幅回路におけるバイアス回路の構造およびその形成方法を具体的に説明する。図5(a)には、バイアス回路の平面図を示し、図5(b)には上記バイアス回路の断面図を示す。本実施の形態では、抵抗として金属薄膜抵抗を用いた場合について説明する。
2 バイアス供給用トランジスタ
3,4,7,8,13 抵抗
5 第1の温度補償用トランジスタ
6 第2の温度補償用トランジスタ
9 バイアス電圧供給端子
10 電源端子
11 入力信号端子
12 出力信号端子
14,15 トランジスタ
20 エミッタメサ領域
21 エミッタ電極
22 ベースメサ領域
23 ベース電極
24 半導体抵抗
25 サブコレクタメサ領域
26 コレクタメサ領域
27 コレクタ電極
28 金属薄膜抵抗
Claims (5)
- 増幅用トランジスタと、
前記増幅用トランジスタにバイアス電圧供給端子への印加電圧に応じたバイアス電流を供給するバイアス供給用トランジスタと、
前記バイアス電圧供給端子への印加電圧に応じた電流を流す第1の温度補償用トランジスタと、
前記第1の温度補償用トランジスタに流れる電流に応じて前記バイアス供給用トランジスタから前記増幅用トランジスタに供給されるバイアス電流を補正することにより、前記バイアス供給用トランジスタのベース電圧の温度特性を補償する第2の温度補償用トランジスタとを備え、
前記バイアス供給用トランジスタのベース端子と前記第1の温度補償用トランジスタのベース端子の間に、電位差の変化に対して電流が変化する電流制限素子を設け、前記第1の温度補償用トランジスタのベース電圧の変化に対して前記バイアス供給用トランジスタのベース電圧がその変化に追随することなくほぼ一定に保たれるように設定されていることを特徴とする高周波増幅回路。 - 前記電流制限素子は抵抗であることを特徴とする請求項1に記載の高周波増幅回路。
- 前記バイアス供給用トランジスタと前記第1の温度補償用トランジスタと前記抵抗とが、共通のコレクタ上に複数のエミッタおよび複数のベースが設けられ、かつ前記複数のベース間を相互に接続する状態に抵抗要素が形成された一つのマルチエミッタ型トランジスタで構成されていることを特徴とする請求項2に記載の高周波増幅回路。
- 前記抵抗要素は半導体抵抗で形成されていることを特徴とする請求項3に記載の高周波増幅回路。
- 前記抵抗要素は金属薄膜抵抗で形成されていることを特徴とする請求項3に記載の高周波増幅回路。
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