TWI302382B - Light emitting diode package and its packaging method - Google Patents

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1302382 九、發明說明： 【發明所屬之技彳椅領域】 發明領域 本發明係有關於-種發光二極體封裝體及其之封裝方 法，更特別地，係有關於-種包含至少兩個發光二極▲晶 元的發光二極體封裝體及其之封裝方法。

C先前技術；J 發明背景 10 15 近年來，發光二極體的應用已越益廣泛。然而，大部 份關鍵技術皆由國外廠商持有，以致於本國廠商必卿 技術移轉費或專利授權金，尤其是白光發光二極體 及超馬亮度發光二極體。 之此’此夠克服以上之問題的發光二極體封裝體及其 之封裝方法是迫切的。 給有鏗於此’本案發明人遂以其從事該行業之多年經 『恭丄一 a之精神，積極研究改良，遂有本發明 r極體難體及其之封裝方法』產生。 【發明内容】 發明概要 裝方:發明之目的是為提供-種半導體晶片裝置及其之封 根據本發明之一牲挪^ 批，- w徵’一種發光二極體封裝體是被提 發光—極體㈣體包含：—個能夠被激勵來發出具 顏色之光線的第—發光二極體晶元 ，該第- 20 1302382 5

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15 20 是為顯示本發明之第三較佳實施例之發光 一 1封裝體之封裝_示意 第十至十一圖是為顯示本發 光二=封裝體之封裝方法的示意流程剖=實施例之發 發光二二 篦+田石丄 去的不意流程剖視圖·，篦+ w 装万去的不意流程剖視圖； 發：r 發一裝:：:::發明之第九較佳實一 示意:::五圈是為-個顯示本發明之-可行變化細 的示圖是為’顯示本發明之另-可行變化例子 例之九圖是為顯示本發明之第十較佳實施 ==裝體之封裝方法的示意流程剖視圖； 發光二極體封裝體的示意剖第十^佳實施例之 施例是為顯示本發明之第十二較佳實 極體封裝體之封裝方法的示意流程剖視圖； 17 1302382 第三十四至三十六圖是為顯示本發明之第十三較佳實 ’施例之發光二極體封裝體之封裝方法的示意流程剖視圖； 帛三十七圖是為-個顯示本發明之第十四較佳實施例 之發光二極體封裝體的示意剖視圖； 5 帛三十人至四十81是為顯示本發明之第十五較佳實施 例之發光二極體封裝體之封裝方法的示意流程剖視圖； 第四十-圖是為顯示本發明之第十六較佳實施例之發 光二極體封裝體的示意剖視圖； 第四十-至四十四圖是為顯示本發明之第十七較佳實 10施例之發光二極體封裝體之封裝方法的示意流程剖視圖； 帛四十五®是為-侧林發明之第十讀佳實施例 之發光二極體封裝體的示意剖視圖； 帛四十’、至四十八,-是為顯示本發明之料九較佳實 施例之發光二極體封裝體之封裝方法的示意流程剖視圖； 15第四十九圖是為個顯示本發明之第二十較佳實施例 之發光二極體封裝體的示意剖視圖； 第五十圖是為一個CIE色度圖； 第五+ 1五十五@是為顯林發明之第二十一較佳 實施例之發光二極體封裝體之封裝方法的示意流程剖視 20圖； 第五十六至六十二圖是為顯示本發明之第二十二較佳 實施例之發光4體魏體之封裝方㈣㈣流程剖視 圖；及 第六十三至六十六圖是為顯示本發明之第二十三較佳 18 1302382 施例之發光二極體封裝體之封裝方法的示意流程· 【實施方式】 較佳實施例之詳細說明 5 ,錢面之本發明之較佳實施例的詳細說明中，相 類似的70件是由相同的標號標示，而且它們的詳細描述將 t被省略。此外，為了清楚揭示本發明的特徵，於圖式中 之元件並非按實際比例描繪。 請參閱第五十一圖所示，光線的顏色是由波長決定， 10因此，若把不同波長的光線混合則會產生具有最終波長的 光線，即，該光線具有對應於該最終波長的顏色。以兩波 長為例，若一個波長在450 nm至470 nm之範圍内的光線（藍 ，. 色）與一個波長在57〇11]11至590 11111之範圍内的光線（黃色） r 混合的話，則約48〇 n_j495 nm的白光被產生。又以三波 15長為例’若一個波長在450 nm到470 nm之範圍内的光線（藍 色）、一個波長在520 nm到540 nm之範圍内的光線（綠色)、 與一個波長在610 nm到630 nm之範圍内的光線（紅色）混 合的話，則一個全光域的白光被產生。 第一至三圖是為顯示本發明之第一較佳實施例之發光 20二極體封裝體之封裝方法的示意流程剖視圖。 首先，請參閱第一圖所示，一個能夠被激勵來發出， 例如’波長在450 nm到470 nm之範圍内之光線的第一發光 二極體晶元1被提供。應要注意的是，為了方便說明，在圖 式中僅描繪單一個第一發光二極體晶元1，然而，應要了解 19 1302382 的是，實際上，該第一發光二極體晶元1是為一個未從一發 '光二極體晶圓切割出來的發光二極體晶元區域。 該第一發光二極體晶元1具有一個主要光線射出表面 1〇、一個與該主要光線射出表面相對之允許外部光線穿透 5 的非主要光線射出表面11、一個安裝於該非主要光線射出 表面11上之具有一第一極性的第一電極區域120、及一個安 裝於該非主要光線射出表面11上之具有一與該第一極性相 反之第二極性的第二電極區域121。 然後，至少一個在尺寸上比該第一發光二極體晶元1· 10 小之能夠被激勵來發出，例如，波長在570 nm到590 nm之 範圍内之光線的第二發光二極體晶元2被提供。 該第二發光二極體晶元2具有一個主要光線射出表面 20、一個與該主要光線射出表面相對的非主要光線射出表 ^ 面21、一個安裝於該非主要光線射出表面21上之具有該第 15 一極性的第一電極區域220、及一個安裝於該非主要光線射 出表面21上之具有該第二極性的第二電極區域221。 該第一發光二極體晶元2是在其之主要光線射出表面 20面向該第一發光二極體晶元j的非主要光線射出表面i工 下安裝於該第一發光二極體晶元丨的非主要光線射出表面 20 11 上。 在該第二發光二極體晶元2安裝於該第一發光二極體 晶兀1上之後，該第一發光二極體晶元丨的電極區域12〇，121 是透過打線製程來由導線3分別電氣連接至該第二發光二 極體晶702之具有相同極性的電極區域220,221。在本實施 20 1302382 例中，該等導線3共同作為電極連接導體單元。 隨後，如在第二圖中所示，一絕緣層4被形成於該第一 發光二極體晶元1的整個非主要光線射出表面11上以致於 該第二發光二極體晶元2被覆蓋。該絕緣層4是由任何適當 5 的光阻材料製成。 該絕緣層4被定以圖案俾可形成有兩個用於曝露該第 一發光二極體晶元1之對應之電極區域^0,121的曝露孔 40 ° 請參閱第三圖所示，在該絕緣層4的曝露孔4〇的形成之 10後，於每一個曝露孔40内，一用於與外部電路（圖中未示） 電氣連接的外部連接導電體單元5被形成。每個外部連接導 電體單元5具有一個在一對應之曝露孔4〇内俾可與一對應 之電極區域120，121電氣連接的第一部份5〇和一個與該第 一部份50電氣連接且凸伸在該曝露孔4〇之外的第二部份 15 51。 應要注意的是，該等外部連接導電體單元5的第一部份 50和第二部份51可以由相同或者不相同的材料製成。 此外’於該等發光二極體晶元i，2的電極區域12〇, 121，220,221上是可以視需要而定形成一個由鎳、金等等般 20 形成的電鍍金屬層（圖中未示）。 另一方面，在本實施例中，該等發光二極體晶元1，2是 並聯連接，然而，該等發光二極體晶元1，2也可以是串聯連 接。 在以上所不的第—較佳實施例中，該第-發光二極體 21 1302382 晶元1被激勵發出之光線的波長是在450 nm至470 nm的範 、圍之内，而該第二發光二極體晶元2被激勵發出之光線的波 長是在570 nm至590 nm的範圍之内，因此，該第一較佳實 施例之發光二極體封裝體能夠發出白光。 5 再者，雖然在圖式中僅顯示一個第二發光二極體晶元 2，然而，第二發光二極體晶元2的數目端視需要而定可以 是二個或以上。例如，如在第二十五圖中示意地所示，兩 個第二發光二極體晶元2是安裝在一第一發光二極體晶元i 上。應要注意的是，為了清楚起見，在第二十六圖中僅發 10光二極體晶元1，2被顯示，其他的部件是被省略。 第四至七圖是為顯示本發明之第二較佳實施例之發光 二極體封裝體之封裝方法的示意流程剖視圖。 凊參閱第四圖所示，與第一較佳實施例相同的第一和 第二發光二極體晶元丨和2首先被提供且該第二發光二極體 15晶元2是以與第一較佳實施例相同的方式安裝於該第一發 光二極體晶元1的非主要光線射出表面丨丨上。 接著，一絕緣層4被形成於該第一發光二極體晶元1的 整個非主要光線射出表面11上以致於該第二發光二極體晶 元2被覆蓋。該絕緣層4被定以圖案俾可形成有數個用於曝 20露該等發光二極體晶元u之對應之電極區域 120，121，220,221的曝露孔4〇。 在曝露孔4G的形成之後，_個覆蓋層6被縣於該絕緣 層4上。該覆蓋層6亦是由光阻材料形成而且被定以圖案俾 可形成兩個各連通兩個分別曝露第一發光二極體晶元丨之 22 1302382 電極區域120，121中之一者和第二發光二極體晶元2之電極 、區域220,221中之一者之曝露孔40的連通孔60，如在第五圖 中所示。 隨後，如在第六圖中所示，於每個連通孔60及與它連 5 通的曝露孔40内，作為電極連接導體單元的導體41是被形 成以致於該第一發光二極體晶元1之電極區域120,121中之 一者是與該第二發光二極體晶元2之電極區域22〇,221中之 一者電氣連接。 在本實施例中’該等導體41是以印刷方式由導電金屬 10膠，例如，銀膠，形成，然而，該等導體41亦可由其他適 合的方式及材料形成，例如，濺鍍。此外，端視需要而定， 於母個導體41之表面上是可以形成一個由像鎳、金等等般 形成的電鍍金屬層（圖中未示）。 然後，一保護層7形成於該覆蓋層6的表面i。該保護 15層7是可以由光阻材料製成而且被定以圖案俾可形成數個 用於曝露對應之導體41之一部份的通孔7〇。 接著，如在第七圖中所示，於每個通孔7〇内，一個與 帛-較佳實施例相同之具有第—部份5G和第二部份51的外 部連接導電體單元5被形成。 20 以至域是為顯示本發明之第三較佳實施例之發光 _㈣封裝體之封裝方法的示㈣程職圖。 冑參閱第八圖所示，與第—較佳實施例相同的一第一 =二極體晶元i與至少—個第二發光二極體晶元2是首先 被提而且該第一發光二極體晶元2是以與第一較佳實施 23 1302382 例相同的方式安裝於該第一發光二極體晶元1的非主要光 線射出表面11上且它們之電極區域120，121，220,221之間的 電氣連接亦如第一較佳實施例一樣由導線3來達成。 5

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20 與第一較佳實施例不同，本實施例的第一發光二極體 曰曰元1在其之非主要光線射出表面11上更形成有兩個導電 金屬觸點13。每個導電金屬觸點13具有一個延伸至一對應 之電極區域120,121的第一末端部份和一個遠離該對應之 電極區域120，121的第二末端部份。 如在第九圖中所示，與第一較佳實施例不同，該絕緣 層4是形成於該第一發光二極體晶元丨之非主要光線射出表 面11之包括該等電極區域120,121的區域表面上以致於該 第一發光二極體晶元1的電極區域12〇，121、該第二發光一 極體晶元2、及每個導電金屬觸點13的第—末端部份 蓋。 *·· 4 接著，於每個導電金屬觸點13的第二末端部份上形成 一用於與外部電路電氣連接的外部連接導電體單元5,。 第十和十-圖是為顯示本發明之第四較佳實施例之發 光二極體封裝體之封裝方法的示意流程剖視圖。 如在第十圖中所示，一第一發光二極體晶元i首先被 提供。於該第-發光二極體晶元丨_主要光線射出表面^ 上是形成有-導電金屬連線14,導電金屬連線14具有— 個延伸至其卜個電《域12G的第—末端部份和二個: 另一個電極區域121延伸的第二末端部份。 與以上 然後，至少一個第二發光二極體晶元2，被提供。 24 ❿ 1302382 5 10 15 20 之較佳實施例不同，本實施例之第二發光二極體晶元 ，中-個電㈣域220是設置於該主要树射結㈣上/、 該第二發光二極體晶元2,是在其之主要光線射出表面 2〇面向該第-發光二極體晶元！的非主要光線射出表仙 下安裝到該第-發光二極體晶幻的非主要光線射出表面 η上以致於在該第二發光二極體晶元2,之主要 面20上的電極區域22G是與該導電金屬連線14的第二末端 部份接觸。 如在第十—圖中所示，該第二發光二極體晶元 曰读〆非主要光線射出表面21上的另一個電極區域221 :透過怖來連接至該第一發光二極體晶元ι的另一個' 。在本較佳實施例中’該導電金屬連雜 '"導線3共同作為Ϊ極連接導體單元。 整個=二_層4被形成於該第—發光二極體晶元1的 線糾表面11上俾可㈣該第二發光二極體 3光f4被Μ㈣俾可形成數個用於曝露該第 40極體晶元1之對應之電極區域m，m的曝露孔 相二有=rr— 元5被形成。 ”帛—部份51的外部連接導電體單 發光二極體: = 顯示本發明之第五較佳實施例之 如在第十 、、方法的示意流程剖視圖。 十-《中_ ’衫吨佳實關相同的一第 25 1302382 -發光二極體晶元丨和至少—個第二發光 •先被提供而且該第二發光二極體晶元2體日:= 施例相同的形式設置。與第_佳實施例不; 5 10 15 20 屬連線μ的第-末端部份更延^錢二=2 圍的區域而且在該第H _自電極㈣ 線射出表面11上更形成有 β 03701的非主要光 文心成有—導電金屬觸點13 属

觸點13具彳—贿伸域帛 X 電極區域⑵料-末端部份和-個—遠之另一個 域121的第二末端部份。 μ另-個電極區 該第::1面二第Γ圖中所示，一絕緣層4是形成於 該等電極^ 之非主要光線射出表面11之包括 該導電二二極體晶元1的電極區一 子电金屬連線14之第—末端部份 屬觸點U的第一末端部份被覆蓋。耗、及該導電金 ，外’於該導電金屬連線14之第一末端部份之未被覆 成及於該導電金屬觸點13的第二末端部份上各形 ^與外部電路電氣連接的外部連接導電體單元5，。 發光二^至十七圖是為顯示本發明之第六較佳實施例之 一極體封裝體之雜方法的示意錄剖視圖。 -發^在第十四圖中所示，與第四較佳實施例相同的一第 W與第吨娜咖的梅;^晶元I是首 如在第十五圖中所不，一絕緣層4係形成於該第 26 1302382 一發光二極體晶元1的整個非主要光線射出表面11上以致 於該第二發光二極體晶元2,被覆蓋。該絕緣層4被定以圖案 俾可形成數個用於曝露該等發光二極體晶元丨』，之對應之 電極區域120，121，221的曝露孔40。 5 請參閱第十六圖所示，一個覆蓋層6被形成於該絕緣層 4的表面上而且是被定以圖案俾可形成有兩個連通孔6〇。曝 露該第一發光二極體晶元1之第二電極區域121的曝露孔4〇 與曝露該第二發光二極體晶元2,之第二電極區域221的曝露 孔40是與其中一個連通孔6〇連通，而曝露該第一發光二極 10體晶元1之第一電極區域120的曝露孔40是與另一個連通孔 60連通。 在連通孔60的形成之後，於每個連通孔6〇及與它連通 ，•的曝露孔40内，一個導體41是被形成。 Λ 然後，如在第十七圖中所示，一保護層7形成於該覆蓋 15層6的表面上。該保護層7形成有數個用於曝露對應之導體 41之一部份的通孔70 〇 接著，於每個通孔70内，一個與該第一較佳實施例相 同之具有第一部份50和第二部份51的外部連接導電體單元 5被形成。 20 帛十八至二十圖是為顯示本發明之第七較佳實施例之

發光二極體封裝體之封裝方法的示意流程剖視圖。本較佳 實施例是以三波長作為例子D 請參閱第十八圖所示，一個能夠被激勵來發出波長在 450 nm至470 nm之範圍内之光線的第一發光二極體晶元r 27 1302382 首先被提供。該第-發光二極體晶元1，具有-個主要光線射 、出表面10、一個與該主要光線射出表面10相對的非主要光 線射出表面11、至少兩個安裝於該非主要光線射出表面11 上之具有一第一極性的第一電極區域120、及至少一個安裝 5於該非主要光線射出表面11上之具有-與該第-極性相反 之第二極性的第二電極區域121。應要注意的是，該第一發 光一極體晶元1’所具有之第一和第二電極區域12〇和121的 數目亦可以顛倒。 然後’至少一個能夠被激勵來發出波長在520 nm至540 10 nm之範圍内之光線的第二發光二極體晶元2被提供。該第二 發光二極體晶元2具有一個主要光線射出表面20、一偭與該 主要光線射出表面2〇相對的非主要光線射出表面21、至少 一個f裝於該非主要光線射出表面21上之具有該第一極性 的第舍電極區域220、及至少一個安裝於該非主要光線射出 15表面2丨上之具有該第二極性的第二電極區域22卜 接著，至少一個能夠被激勵來發出波長在61〇11111至63〇 nm之範圍内之光線的第三發光二極體晶元$被提供。該第三 發光二極體晶元8具有一個主要光線射出表面8〇、一個與該 主要光線射出表面80相對的非主要光線射出表面81、至少 20 一個安裝於該非主要光線射出表面81上之具有該第一極性 的第一電極區域820、及至少一個安裝於該非主要光線射出 表面81上之具有該第二極性的第二電極區域821。 該等第二和第三發光二極體晶元2,8是在其之主要光 線射出表面20,80面向該第一發光二極體晶元丨，的非主要光 28 l3〇2382 線射出表面11下設置於該第一發光二極體晶元Γ的非主要 '光線射出表面11上。 在安裝於該第一發光二極體晶元Γ的非主要光線射出 表面11上之後，該等第二和第三發光二極體晶元2,8的電極 5 區域220,221，820,821是經由打線處理以導線3電氣連接至 該第一發光二極體晶元Γ之對應的電極區域120，121。 隨後，如在第十九圖中所示，一絕緣層4被形成於該第 魯 一發光二極體晶元Γ的整個非主要光線射出表面11上以致 於該等第二和第三發光二極體晶元2,8被覆蓋。該絕緣層4 10 被定以圖案俾可形成數個用於曝露該發光二極體晶元1，之 對應之電極區域120,121的曝露孔40。 接著，於該絕緣層4的每個曝露孔40内，一個與該第一 較佳實施例相同之具有第一部份50和第二部份51的外部連 接導電體單元5被形成，如在第二十圖中所示。 15 在以上所述的第七較佳實施例中，該第一發光二極體 φ 晶元Γ被激勵發出之光線的波長是在450 nm至470 nm的範 圍之内、该第一發光二極體晶元2被激勵發出之光線的波長 是在520 nm至540 nm的範圍之内、而該第三發光二極體晶 元8被激勵發出之光線的波長是在61〇的範圍 20之内，因此，該第七較佳實施例之發光二極體封裝體能夠 發出白光。 帛二十_至第二十三圖是域示本發明之第人較佳實 施例之發光二極體封裝體之封裝方法的示意流程剖視圖。 請參閱第二十一圖所示，一第—發光二極體晶元】首先 29 1302382 被提供。該第一發光二極體晶元1具有一個主要光線射出表 *面10、一個與該主要光線射出表面10相對的非主要光線射 出表面11、至少一個安裝於該非主要光線射出表面11上之 具有一第一極性的第一電極區域120、及至少一個安裝於該 5 非主要光線射出表面11上之具有一與該第一極性相反之第 二極性的第二電極區域121。 然後，與該第七較佳實施例相同的至少一個第二發光 二極體晶元2和至少一個第三發光二極體晶元8是以如在第 七較佳實施例中所述之相同的方式安裝於該第一發光二極 10 體晶元1的非主要光線射出表面11上。 在安裝於該第一發光二極體晶元1的非主要光線射出 表面11上之後，該等發光二極體晶元1，2,8之電極區域 120，121，220,221，820,821之間的電氣連接是以導線3來達 成’其中’該第二發光二極體晶元2的第一電極區域220是 15電氣連接到該第一發光二極體晶元1的第一電極區域12〇， 而其之第二電極區域221是電氣連接至該第三發光二極體 晶元8的第一電極區域820。另一方面，該第三發光二極體$ 的第二電極區域821是電氣連接至該第一發光二極體晶元1 的第二電極區域121 〇 20 隨後，如在第二十二圖中所示，一絕緣層4被形成於該 第一發光二極體晶元1的整個非主要光線射出表面n以致 於該等第二和第三發光二極體晶元2,8被覆蓋。該絕緣層4 被定以圖案俾可形成數個用於曝露該發光二極體晶元 對應之電極區域120,121的曝露孔40。 30 1302382 接著，於該絕緣層4的每個曝露孔40内，一個與該第 一較佳實施例相同之具有第一部份50和第二部份51的外部 連接導電體單元5被形成，如在第二十三圖中所示。 第二十四圖是為一個描繪本發明之第九較佳實施例之 5 發光二極體封裝體的示意剖視圖。 請參閱第二十四圖所示，與第八較佳實施例不同，本 實施例的第一發光二極體晶元1在其之非主要光線射出表 面11上更形成有兩個導電金屬觸點13。每個導電金屬觸點 13具有一個延伸至一對應之電極區域12〇，121的第一末端 10 部份和一個遠離該對應之電極區域120，121的第二末端部 份。 另一方面，該絕緣層4是形成於該第一發光二極體晶元 1之非与要·光線射出表面11之包括該等電極區域12〇，121的 區域表湎上以致於談第一發光二極體晶元1的電極區域 15 120,121與該荨第二和第二發光二極體晶元2和§被覆蓋。 此外，於每個導電金屬觸點13之未被覆蓋的第二末端 部份上，一個用於與外部電路電氣連接的外部連接導電體 單元5’被形成。 第二十七至二十九圖是為顯示本發明之第十較佳實施 20 例之發光二極體封裝體之封裝方法的示意流程剖視圖。 請參閱第二十七圖所示，與該第九較佳實施例相同的 一第一發光二極體晶元1首先被提供。 然後’兩個導電金屬連線14是形成於該第一發光二極 體晶元1的非主要光線射出表面11上。每個導電金屬連線 31 I3〇2382 具有一個延伸至一對應之電極區域i2〇，i2i的第一末端 =份和-個朝另-個電極區域12G，121延伸的第二末端部 後’至少一個第二發光二極體晶元2,和至少一個第三 5發光二極體晶元8,被提供。該等發光二極體晶元以，各具^ 主要光線射出表面20,80、-與該主要光線射出表面2〇⑽ 相對的非主要光線射出表面21，8卜及至少兩個各安裝於一 對應之表面2〇，；21，8〇,81上的電極區域22〇,221，請，如。 該等第二和第三發光二極體晶元2,和8,是在盆之主要 1〇光線射出表面2M0面向該第一發光二極體晶元^的非主要 光線射出表面11下被安裝於該該第一發光二極體晶元丨的 非主要光線射出表面11上以致於該等第二和第三發光二極 體晶元2,和之在主要光線射出表面2〇,8〇上的電極區域 ，，821是與卜對應之導電金屬連線咐氣連接。然後，該 15等第二和第三發光二極體晶元2和8之在非主要光線射出表 面21，81上的電極區域221，820是經由導線3電氣連接。在本 實施例中，該等導電金屬連線U和導線3共同作為電極連接 導體單元。 接著’一絕緣層4被形成於該第一發光二極體晶元^的 20整個非主要光線射出表面11上以致於該等第二和第三發先 二極體晶元2’和8’被覆蓋，如在第二十八圖中所示。該絕緣 層4被定以圖案俾可形成數個用於曝露該第一發光二極體 晶元1之對應之電極區域120,121的曝露孔4〇。 然後，於每個曝露孔40内，一個與該第一較佳實施例 32 1302382 相同之具有第-部份50和第二部份51的外部連接導電體單 、元5被形成，如在第二十九圖中所示。 第三十圖是為一個顯示本發明之第十一較佳實施例之 發光二極體封裝體的示意剖視圖。 5 料閱第三十圖所示，與該第十較佳實施例不同的地 方是在於，該等導電金屬連線14的第一末端部份更延伸至 在對應之電極區域120，121周圍的區域。另一方面，該絕緣 層4是形成於該第一發光二極體晶元丨之非主要光線射出 表面11之包括該等電極區域12〇，121的區域表面上以致於 10該等第二和第三發光二極體晶元2和8被覆蓋。 此外，於每個導電金屬連線14之未被覆蓋的第一末端 部伤上’ 一個用於與外部電路電氣連接的外部連接導電體 單元5’被形成。 第二十一至三十三圖是為顯示本發明之第十二較佳實 15施例之發光一極體封裝體之封裝方法的示意流程剖視圖。 首先，請參閱第三十一圖所示，與第七較佳實施例相 同的一第一發光二極體晶元1’被提供。然後，兩個導電金屬 連線14被形成於該第一發光二極體晶元丨的非主要光線射 出表面11上。每個導電金屬連線14具有一個延伸至一對應 20之第一電極區域120，121的第一末端部份和一個朝另一個 電極區域120，121延伸的第二末端部份。 隨後，與第十一實施例相同的至少一個第二發光二極 體晶元2’和至少一個第三發光二極體晶元8，是以與第十一 實施例相似的方式來被安裝於該第一發光二極體晶元丨，的 33 1302382 非主要光線射出表面11上。然後，該等第二和第三發光二 ，極體晶元2’和8’之在非主要光線射出表面21，81上的電極區 域221，821是經由導線3來電氣連接至該第一發光二極體晶 元1’之具有與它們相同之極性的電極區域121。在本實施例 5中，該等導電金屬連線14與導線3共同作為電極連接導體 單元。 現在請參閱第三十二圖所示，一絕緣層4形成於該第一 發光二極體晶元1’的整個非主要光線射出表面丨丨上以致於 該等第二和第三發光二極體晶元2，，8，被覆蓋。該絕緣層4被 10定以圖案俾可形成用於曝露該第一發光二極體晶元丨，之對 應之電極區域120，121的曝露孔4〇。 然後，於每一個曝露孔4〇内，一個與該第一較佳實施 例相同之具有一第一部份5〇和一第二部份51的外部連接導 電體單元5被形成，如在第三十三圖中所示。 15 在以上所述之三波長的例子中，雖然在圖式中僅顯示 -個第二發光二極體晶元和一個第三發光二極體晶元，然 而，第-和第三發光二極體晶元的數目端視需要而定可以 更多。例如，如在第二十六圖中示意地所示，兩個第二發 光二極體晶元2 (2，)和兩個第三發光二極體晶元8⑻是安 20裝在-第-發光二極體晶元i⑺上。應要注意的是，為了 清楚，見，在第二十六財僅轉發光二極以元被顯 示，其他的部件是被省略。 S較佳實施 圖〇 第十四至二十六圖是為顯示本發明之第-例之發光二極體封裝體之職方法的示意流程剖; 34 1302382 請參閱第三十四圖所示，一透明的安裝基板9是首先被 *提供。該安裝基板9可以由任何適當的材料製成，只要是透 明即可。該安裝基板9具有一個晶元安裝表面9〇及至少兩個 設置於該晶元安裝表面90上的導電接點91。 5 然後，與該第一較佳實施例相同的一第一發光二極體 晶元1是在其之主要光線射出表面10面向該安裝基板9的晶 元安裝表面90下設置於該安裝基板9的晶元安裝表面9〇 上。然後，至少一個與該第一較佳實施例相同的第二發光 二極體晶元2是以與該第一較佳實施例相同的形式安裝於 10該第一發光二極體晶元1的非主要光線射出表面丨丨上。 接著，如在第三十五圖中所示，該第一發光二極體晶 元1的每一個電極區域12〇，121是經由作為電極連接導體單 元的導線3電氣連接至該安裝基板9之一對應的導電觸點91 及該第二發光二極體晶元2之一對應的電極區域22〇,221， 15其中，該等發光二極體晶元1，2之具有相同極性的電極區域 120,121,220,221是電氣連接在一起。

Ik後’一絕緣層4是形成於該安裝基板9之晶元安裝表 面90之包括該等導線3的區域表面上以致於該等發光二極 體晶元1，2及每個導電觸點91之一部份被覆蓋，如在第三十 20六圖中所不。然後，於每個導電觸點91之未被覆蓋的部份 上’一個用於與外部電路電氣連接的外部連接導電體單元 51被形成。 第三十七圖是為一個顯示本發明之第十四較佳實施例 之發光二極體封裝體的示意剖視圖。 35 1302382 1302382

ίο 15

20 本實知例與第十三較佳實施例不同的地方是在於，該 ' 成於該安裝基板9的整個晶元安裝表面9〇上而 且是被定以 圖案俾可形成有數個用於曝露該安裝基板9之 、導電觸點91的曝露孔40。隨後，於每個曝露孔4〇内， / §第較佳實施例相同之具有一第一部份5〇與一第 一"卩伤51的外部連接導電體單元5被形成。 第=+ 一十八至四十圖是為顯示本發明之第十五較佳實施 例之I光一極體封裝體之封裝方法的示意流程剖視圖。 首先，如在第三十八圖中所示，與第十三較佳實施例 相同的女裝基板9首先被提供。然後，與第四實施例相同 的第發光二極體晶元1是設置於該安裝基板9的晶元 女裝表面9〇上。隨後，與第四實施例相同的一第二發光二 極體晶7〇2’是以與第四實施例相同的形式來設置於該第一 發光二極體晶元1上。 接著’如在第三十九圖中所示，該等發光二極體晶元 1，2及該安裝基板9之間的電氣連接是經由導線3來達成，其 中，该第一發光二極體晶元1的第一電極區域12〇是電氣連 接至該安裝基板9之一對應的導電觸點91而其之第二電極 區域121是電氣連接至該第二發光二極體晶元2，的第二電極 區域221和該安裝基板9之一對應的導電觸點91。 隨後，如在第四十圖中所示，一絕緣層4是形成於該安 裝基板9之晶元安裝表面90之包括該等導線3的區域表面上 以致於該等導線3、發光二極體晶元1，2’、及每個導電觸點 91的一部份被覆蓋。然後，於每個導電觸點91之未被覆蓋 36 1302382 的部份上’一個用於與外部電路電氣連接的外部連接導電 、體單元5’被形成。 帛四十-圖是為_個顯示本發明之第十六較施例 之發光二極體封裝體的示意剖視圖。 5 本實施例與第十五較佳實施例不同的地方是在於，該 絕緣層4是形成於該安裝基板9的整個晶元安裝表面9〇上而 且是被定以圖案俾可形成有數個用於曝露該安裝基板9之 對應之導電觸點91的曝露孔4〇。此外，於每個曝露孔4〇内， 一個與該第一較佳實施例相同之包括一第一部份50與一第 10二部份51的外部連接導電體單元5被形成。 第四十一至四十四圖是為顯示本發明之第十七較佳實 施例之發光二極體封裝體之封裝方法的示意流程剖視圖。 请參閱第四十二圖所示，與第十三較佳實施例相同的 一安裝基板9和一第一發光二極體晶元丨是首先被提供，而 15且該第一發光二極體晶元丨是設置於該安裝基板9的晶元安 裝表面90上。 然後，與第八較佳實施例相同的至少一個第二發光二 極體晶元2和至少一個第三發光二極體8是以與第八實施例 相同的形式來被設置於該第一發光二極體晶元1的非主要 20 光線射出表面11上。 接著，如在第四十三圖中所示，該等發光二極體晶元 1，2,8與該安裝基板9之間的電氣連接是經由導線3來達成， 其中，該第二發光二極體晶元2的第一電極區域220是經由 導線3來電氣連接到該第一發光二極體晶元1的第一電極區 37 1302382 域120’而其之第二電極區域221是經由導線3來電氣連接至 該第三發光二極體晶元8的第一電極區域820，該第三發光 二極體8的第二電極區域821是經由導線3來電氣連接至該 第一發光二極體晶元1的第二電極區域121，該第一發光二 5 極體晶元1的電極區域120，121是經由導線3來進一步電氣 連接至該安裝基板9之對應的導電觸點91。

10

20 隨後，如在第四十四圖中所示，一絕緣層4被形成於該 安裝基板9之晶元安裝表面9〇之包括該等導線3、該等發光 二極體晶元1，2,8、及每個導電觸點91之一部份的區域表面 上以致於該等導線3及該等發光二極體晶元^科皮覆蓋。 接著’於該安裝基板9之每個導電觸點91之未被覆蓋的 部份上，一外部連接導電體單元5,被形成。 第四十五圖是為一個顯示本發明之第十八較佳實施例 之發光—極體封裝體的示意剖視圖。 絕緣^實^例與第十七較佳實施例不同的地方是在於’該 且是形成於該安裝基座9的整個晶元安裝表面90上而 對圖案俾可形成有數個用於曝露該安裝基板9之 ―;與=觸點91的曝露孔4〇。此外，於每個曝露孔40内， 二部fX 較佳實施例相同之包括一第一部份5 0與一第 1的外部連接導電體單元5被形成。 弟四十六5 施例之發“ a四十八圖是為顯示本發明之第十九較佳實 請參光—極體封裝體之封裝方法的示意流程剖視圖。 —安第四十/、圖所示，與第十三較佳實施例相同的 又裝基板9和一盆一政> 弟一發先二極體晶元1是首先被提供而且 38 1302382 該第一發光二極體晶元1是設置於該安裝基板9的晶元安裝 、表面90上。 接著，與該第十較佳實施例相同的至少一個第二發光 二極體晶元2’和至少一個第三發光二極體晶元8,是以與該 5第十實施例相同的形式來被安裝於該第一發光二極體晶元 1的非主要光線射出表面11上。然後，如在第四十七圖中所 示’該等第二和第三發光二極體晶元2’和8’之在非主要光線 射出表面21，81上的電極區域221,820是經由導線3電氣連接 而該第一發光二極體晶元1的電極區域12〇，121是經由導線 10 3來電氣連接至該安裝基板9之對應的導電觸點91。 隨後’如在第四十八圖中所示，一絕緣層4被形成於該 安裝基板9之晶元安裝表面90之包括該等導線3、該等發光 二極體晶元1，2’，8’、及每個導電觸點91之一部份的區域表面 上以致於該等導線3及該等發光二極體晶元ι，2，，8,被覆蓋。 15 接著，於該安裝基板9之每個導電觸點91之未被覆蓋的 部份上，一外部連接導電體單元5·被形成。 第四十九圖是為一個顯示本發明之第二十較佳實施例 之發光二極體封裝體的示意剖視圖。 本實施例與第十九較佳實施例不同的地方是在於，該 20絕緣層4是形成於該安裝基座9的整個晶元安裝表面90上而 且是被定以圖案俾可形成有數個用於曝露該安裝基板9之 對應之導電觸點91的曝露孔40。隨後，於每個曝露孔4〇内， 一個與該第一較佳實施例相同之具有一第一部份5〇與一第 二部份51的外部連接導電體單元5被形成。 39 1302382 第五十一至五十五圖是為顯示本發明之第二十一較佳 實施例之發光二極體封裝體之封裝方法的示意流程剖視 圖。 首先明參閱第五十—圖所示，一個發光二極體晶圓 5 W被提供。該發光二極體晶圓w包含數個發光二極體晶元 區域然而A了方便s兒明，在圖式中僅描緣兩個被包含 於本實施例之-個發光二極體封裝體内之相鄰的發光二極 體晶元區域。應要注意的是，在圖式中的虛線是為習知地 沿著它，該發光二極體晶圓w是被切割俾可使該等發光二 10極體晶元區域作為個別之發光二極體晶元的切割線。 該發光二極體晶BJW具有—個卫業藍f石層w卜一個 在該工業藍寶石層W1上之具有一第一極性的第一電極層 W2、及數個在該第-電極層W2上分韻應於—發光二極 體晶元區域之具有-第二極性的第二電極層|3。應要注意 15的是，該等第二電極層W3與該第—電極層⑽是經由一絕 緣層（圖中未示）來被電氣地隔離。 接著，如在第五十二圖中所示，該發光二極體晶圓D 疋經由適當的處理來沿著每條切割線形成一個自該第一電 極層W2延伸到該工業藍寶石層…丨的凹槽界4以致於在該兩 20相鄰之發光二極體晶元區域D1和〇2中的第一電極層D2是 彼此分離。 然後，一絕緣層4是形成於該等第一和第二電極層W2 和W3上而且是被定以圖案俾可形成有數個分別用於曝露 一對應之電極層W2，W3之一部份的曝露孔40。 40 1302382 隨後，如在第五十三圖中所示，—覆蓋層6是形成於該 ’絕緣層4上而且是被定以圖案俾可形成有數個連通孔的。用 於曝露該發光二極體晶元區域D1n極層 份的曝露孔40與用於曝露該發光二極體晶元區域加之緊鄰 5於該發光二極體晶元區域D1之第二電極層W3之第一電極 層W2之一部份的曝露孔4〇是由其中一個連通孔6〇連通，而 用於曝露該等發光二極體晶元區域D1，D22其他之電極層 W2，W3的曝露孔40是分別與其他之連通孔6〇中之對應之一 者連通。 1〇 接著，如在第五十四圖中所示，於每個曝露孔40及與 它連通的連通孔60内，一個導體41是被形成。 然後’一個保護層7是形成於該覆蓋層6上而且是被定 以圖案俾可形成有數個用於曝露形成於該等其他之連通孔 * · 60内之導體41之一部份的通孔70,如在第五十五圖片所示。 15 隨後，於每個通孔70内，一個與第一較佳實施例相同 之具有第一部份50和第二部份51的外部連接導電體單元5 被形成。 最後，該發光二極體晶圓W是被切割以致於每個發光 二極體封裝體包含兩個如上所述之電氣連接在一起的發光 20 二極體晶元區域。 第五十六至六十二圖是為顯示本發明之第二十二較佳 實施例之發光二極體封裝體之封裝方法的示意流程剖視 圖。 請參閱第五十六和五十九圖所示，第五十九圖是為對 41 1302382 應於第五十六圖的示意側視圖。首先，一個發光二極體晶 圓w被提供。在該等圖式中，為了方便說明，僅該發光二 極體晶圓w之三個被包含於本實施例之一發光二極體封裝 體内之相鄰的發光二極體晶元區域被顯示。在圖式中的虛 5線是為習知地沿著它，該發光二極體晶圓W是被切割俾可 使該等發光二極體晶元區域作為個別之發光二極體晶元的 切割線。 該發光二極體晶圓w具有一個工業藍寶石層界丨、一個 在該工業藍寶石層W1上之具有一第一極性的第一電極層 10 、及數個在該第一電極層W2上分別對應於一發光二極 體晶元區域之具有一第二極性的第二電極層界3。應要注意 的是，該等第二電極層W3與該第一電極層界2是經由一絕 緣層（圖中未示）來被電氣地隔離。 接著，如在第五十七和六十圖中所示，該發光二極體 15晶B1W是經由適當的處理來沿著每條_線形成—個自該 第一電極層W2延伸到該工業藍寶石層W1的凹槽W4 (見第 六十圖）以致於在兩個相鄰之發光二極體晶元區域⑴與⑴， D2與D3中的第一電極層曹2是彼此分離。 然後，清配合參閱第六十一圖所*，一絕緣層4是形成 20於該等第一和第二電極層W2^W3Jl而且是被定以圖案俾 可形成有數個分別用於曝露一對應之電極層W2，W3之一部 份的曝露孔40。 Ρ近後覆蓋層6是形成於該絕緣層4上而且是被定以 圖案俾可形成有數個連通額（見第五十七圖）。在第五十 42 1302382 七圖中兩個連通孔60是被顯示。用於曝露該等發光二極體 晶元區域D1，D2，D3中之兩者之具有相同極性之電極層 W2/W3的曝露孔40與用於曝露該等發光二極體晶元區域 D1，D2，D3中之另一者之具有與該兩者之電極層W2/W3之極 5 性不同之電極層W3/W2的曝露孔40是由一個連通孔60連 接者’凊配合參閱第五十八圖所Tf： ’於每個曝露孔4〇 及與它連通的連通孔60内，一個導體41是被形成。 然後，一個保護層7是形成於該覆蓋層6上而且是被定 10以圖案俾可形成有數個分別用於曝露該等導體41中之對應 之一者之一部份的通孔7〇。 隨後，於每個通孔70内，一個與第一較佳實施例相同 之具有第一部份50和第二部份,51的外部連接導電體單元5 被形成，如在第六十二圖中所示。 15 最後，該發光二極體晶圓W是被切割以致於每個發光 二極體封裝體包含三個如上所述之電氣連接在一起的發光 二極體晶元區域。 應要注意的是，如此電氣連接之三個發光二極體晶元 區域中之一者是作用如一靜電保護元件。 20 第六十三至六十六圖是為顯示本發明之第二十三較佳 實施例之發光二極體封裝體之封裝方法的示意流程剖視 圖。 與第二十二較佳實施例相同，首先，一個發光二極體 晶圓W被提供（請參考第二十二較佳實施例的第五十六和 43 1302382 五十九圖）。該發光二極體晶圓w具有一個工業藍寶石層 W1、一個在該工業藍寶石層|丨上之具有一第一極性的第 一電極層W2、及數個在該第一電極層貿2上分別對應於一 發光二極體晶元區域之具有一第二極性的第二電極層 5 W3。應要注意的是，該等第二電極層冒3與該第一電極層 W2疋經由一絕緣層（圖中未示）來被電氣地隔離。 接著，與第二十二較佳實施例相同，該發光二極體晶 圓W是經由適當的處理來沿著每條切割線形成一個自該第 電極層W2延伸到該工業藍寶石層W1 &凹槽W4以致於在 1〇兩個相鄰之發光二極體晶元區域D1與D2，D2與D3中的第 -電極層W2是彼此分離(請參考第二十二較佳實施例的第 六十圖）。 賴，請配合參閱第六十三和$十五圖所示，一絕緣 層4是形成於該等第一和第二電極層W2和W3上而且是被 15定關案俾可形成有數個分洲於曝露—對應之電極層 W2，W3之一部份的曝露孔4〇。 隨後’-覆蓋層6是形成於該絕緣層4上而且是被定以 圖案俾可形成有數個連在第六十三圖中三個連通 孔60是被顯不。在本實施例中，用於曝露第—發光二極體 20晶元區域D1之第一電極層W2的曝露孔4〇與用瞌 _ 發光二極體晶元區域D2之第-電極層W2的曝露孔仙是由 -個連通孔6G連通，用於曝露第—發光二極體晶元區域叫 之第二電極層W3的曝露孔4G與用於曝露第三發光二極體 晶元區域D3之第一電極層界2的曝露孔4〇是由一個連通孔 44 1302382 〇連通，而用於曝路第一發光二極體晶το區域D2之第二電 、極層W3的曝露孔40與用於曝露第三發光二極體晶元區域 D3之第二電極層w3的曝露孔4〇是由一個連通孔6〇連通。 接著，請配合參閱第六十四圖所示，於每個曝露孔4〇 5 及與它連通的連通孔60内，一個導體41是被形成。 然後，一個保護層7是形成於該覆蓋層6上而且是被定 以圖案俾可形成有數個分別用於曝露連接該第一發光二極 體晶元區域D1之第一電極層W2之導體41之一部份及用於 曝露連接該第三發光二極體晶元區域D3之第二電極層W3 10 之導體41之一部份的通孔70。 隨後，於每個通孔70内，一個與第一較佳實施例相同 之具有第一部份50和第二部份51的外部連接導電體單元5 被形成。. »· 最後，該發光二極體晶圓W是被切割以致於每個發光 15二極體封裝體包含三個如上所述之電氣連接在一起的發光 二極體晶兀區域。 應要注意的是，如此電氣連接之三個發光二極體晶元 區域中之一者是作用如一靜電保護元件。 綜上所述，本發明之『發光二極體封裝體及其之封裝 20 方法』，確能藉上述所揭露之構造、裝置，達到預期之目 的與功效，且申請前未見於刊物亦未公開使用，符合發明 專利之新穎、進步等要件。 惟，上述所揭之圖式及說明，僅為本發明之實施例而 已，非為限定本發明之實施例；大凡熟悉該項技藝之人仕， 45 1302382 ‘所作—或修飾， 一之申凊專利範圍内。 【圖式簡單貌明】 5 10 15 20 第-至三圖是為顯示本 二極體封裝體之封f _ &佳實施例之發光 第四至七θ、、法的示意流程剖視圖； 二極體封裝體:封:方員:本發明之第二較佳實施例之發光 第八至九料驗㈣視圖； 二極體封裝體=:本發明之第三較佳實施例之發光 第十至十的示意流程剖視圖； 光二極體料林發明之第吨佳實施例之發 第十二至十一:、方法的示意流程剖視圖； 發光二極體韓本發明之第五較佳實施例之 第十四至十 广方法的示意流程剖視圖； 發光二極體封裝本發明之第六較佳實歡 第十八至一十裝方法的示意流程剖視圖； 發光二極體本發明之第七較佳實施例之 第二十一至-一、方法的不意流程剖視圖； 例之發光二極體:::是為顯示本發明之第八較佳實施 *二十為的示意— 發光封裝體的示意剖:圖第九較佳實施例之 示意平面圖；$自顯不本發明之―可行變化例子的 第 十六圖是為_ 個顯 不本發明《另~可行變化例子 46 1302382 的示意平面圖； 第十目+九圖疋為顯示本發明之第十較佳實施 例之發光二極體封裝體之封举 ,，π β τ裝方法的示意流程剖視圖； 第為—個顯示本發明之第十-較佳實施例之 發光二極體封裝體的示意剖視圖· 第三十一至三十三圖是為 疋為顯不本發明之第十二較佳實 施例之發光二極體封裝體之封發 一 _ 了裝方法的示意流程剖視圖； 第一十四至_十，、圖是為顯示本發明之第十三較佳實 施例之發光二極體封裝體之封类 ίο τ裝方法的示意流程剖視圖； 第三十七圖是為一個_干士& 、、、本發明之第十四較佳實施例 之發光二極體封裝體的示意剖視圖； 第三十八至四十圖是為顯示本發明之第十五較佳實施 例之發光二鋪_體之封以餘職圖； 第四十-圖是為_本發明之第十六較佳實施例之發 15光二極體封裝體的示意剖視圖； 帛四十二至时四圖以_树明之第十七較佳實 施例之發光二極體封裝體之封裝方法的示意流程剖視圖； 第四十五圓是為—個顯林發明之第十人較佳實施例 之發光二極體封裝體的示意剖視圖； 20 帛針六至时人圖以_本發明之第十九較佳實 施例之發光二極體封裝體之封裝方法的示意流程剖視圖； 第四十九圖是為-個顯示本發明之第二十較佳實施例 之發光二極體封裝體的示意剖視圖； 第五十圖是為一個CIE色度圖； 47 1302382 第五十一至五十五圖是為顯示本發明之第二十一較佳 、實施例之發光二極體封裝體之封裝方法的示意流程剖視 圖；、 第五十六至六十二圖是為顯示本發明之第二十二較佳 5 實施例之發光二極體封裝體之封裝方法的示意流程剖視 圖；及 第六十三至六十六圖是為顯示本發明之第二十三較佳 實施例之發光二極體封裝體之封裝方法的示意流程剖視 圖。 10 【主要元件符號說明】 1 第一發光二極體晶元 50 第一部份 10 主要光線射出表面 51 第二部份 11 非主要光線射出表面 6 覆蓋層 120 第一電極區域 60 連通孔 121 第二電極區域 7 保護層 2 第二發光二極體晶元 70 連通孔 20 主要光線射出表面 5， 外部連接導電體單元 21 非主要光線射出表面 13 導電金屬觸點 220 第一電極區域 14 導電金屬連線 221 第二電極區域 2, 第二發光二極體晶元 3 導線 41 導體 4 絕緣層 8 第三發光二極體晶元 40 曝露孔 80 主要光線射出表面 5 外部連接導電體單元 81 非主要光線射出表面 48 1302382 820 第一電極區域 W1 工業藍寶石層 、821 第二電極區域 W2 第一電極層 Γ 第一發光二極體晶元 W3 第二電極層 8， 第三發光二極體晶元 W4 凹槽 9 安裝基板 D1 第一發光二極體晶元區域 90 晶元安裝表面 D2 第二發光二極體晶元區域 91 導電觸點 D3 第三發光二極體晶元區域 W 發光二極體晶圓 49

Claims (1)

1302382 十、申請專利範圍： ' 1.一種發光二極體封裝體，包含： 一個能夠被激勵來發出具有第一顏色之光線的第一 發光二極體晶元，該第一發光二極體晶元具有一個允許 5 外部光線穿透的非主要光線射出表面、一個與該非主要 光線射出表面相對的主要光線射出表面、至少一個設置 於該非主要光線射出表面上之具有一第一極性的第一電 極區域、及至少一個設置於該非主要光線射出表面上之 具有與該第一極性相反之第二極性的第二電極區域； 10 至少一個能夠被激勵來發出具有第二顏色之光線的 第二發光二極體晶元，該至少一個第二發光二極體晶元 係設置於該第一發光二極體晶元的非主要光線射出表面 上並且具有一個非主要光線射出表面、一個與該非主要 光線射出表面相對的主要光線射出表面、一個設置於該 15 等表面中之一者上之具有該第一極性的第一電極區域、 及一個設置於該等表面中之一者上之具有該第二極性的 第二電極區域； 一用於建立在該等發光二極體晶元之電極區域之間 之電氣連接以致於該等發光二極體晶元是並聯或串聯連 20 接的電極連接導體單元；及 至少兩個用於把該第一發光二極體晶元之對應之電 極區域電氣連接至外部電路的外部連接導電體單元。 2.如申請專利範圍第1項所述之發光二極體封裝體，更包 含，至少一個能夠被激勵來發出具有第三顏色之光線的 50 1302382 第三發光二極體晶元，該至少一個第三發光二極體晶元 ' 係設置於該第一發光二極體晶元的非主要光線射出表面 上並且具有一個非主要光線射出表面、一個與該非主要 光線射出表面相對的主要光線射出表面、至少一個設置 5 於該等表面中之一者上之具有該第一極性的第一電極區 域、及至少一個設置於該等表面中之一者上之具有該第 二極性的第二電極區域，該至少一個第三發光二極體晶 元的電極區域是經由該電極連接導體單元來與該等第一 和第二發光二極體晶元之對應的電極區域電氣連接。 10 3.如申請專利範圍第1項所述之發光二極體封裝體，其中， 該第一顏色與該第二顏色是為不同的顏色以致於當該等 發光二極體晶元被激勵時具有由混合該第一顏色與該第 二顏色所得到之合意之顏色的光線被產生。 •. 4. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體封裝體，其中， 15 該第一顏色與該第二顏色是為相同的顏色以致於當該等 發光二極體晶元被激勵時由該發光二極體封裝體所發出 之光線的強度被增加。 5. 如申請專利範圍第2項所述之發光二極體封裝體，其中， 該第一顏色、該第二顏色與該第三顏色是為不同的顏色 20 以致於當該等發光二極體晶元被激勵時具有由混合該第 一顏色、該第二顏色與該第三顏色所得到之合意之顏色 的光線被產生。 6. 如申請專利範圍第2項所述之發光二極體封裝體，其中， 該第一顏色、該第二顏色與該第三顏色是為相同的顏色 51 1302382 以致於當該等發光二極體晶元被激勵時由該發光二極體 、 封裝體所發出之光線的強度被增加。 7·如申請專利範圍第3或4項所述之發光二極體封裝體，其 中，該至少一個第二發光二極體晶元的第一和第二電極 5 區域是設置於該非主要光線射出表面上而且該至少一個 第二發光二極體晶元是在其之主要光線射出表面面向該 第一發光二極體晶元之非主要光線射出表面下被設置於 該第一發光二極體晶元的非主要光線射出表面上。 8·如申請專利範圍第1項所述之發光二極體封裝體，其中， 10 該第一發光二極體晶元所發射的光線是為具有波長在 450 nm至470 nm之範阖内的光線而該第二發光二極體晶 元所發射的光線是為具有波長在570 nm至590 nm之範圍 内的光線。 • · 9·如申請專利範圍第2項所述之發光二極體封裝體彳，其中， 15 該第一發光二極體晶元所發射的光線是為具有波長在 450 nm至470 nm之範圍内的光線、該第二發光二極體晶 元所發射的光線是為具有波長在520 nm至540 nm之範圍 内的光線、而該第三發光二極體晶元所發射的光線是為 具有波長在610 nm至630 nm之範圍内的光線。 20 1〇·如申請專利範圍第7項所述之發光二極體封裝體，其 中，該電極連接導體單元包含兩條分別用於把該等第一 和第二發光二極體晶元之具有相同極性之電極區域電氣 連接的導線，該發光二極體封裝體更包含—個形成於該 第-發光二極體晶元之整個非主要光線射出表面上的絕 52 1302382

二部份 緣廣以致於該第二發光二極體晶元被覆蓋，該絕緣層形 成有數烟於曝露該第-發光二極體晶元之對應之電極 區域的曝露孔，料外料解㈣單元切成於該絕 緣層之對應的曝露孔中而且每—個外部連接導電體單元 具有-個在-對應之曝露孔中俾可與該第—發光二極體 晶元之-Si應之電極區域電氣連接的第_部份和一個與 該第-部份電氣連接且凸伸在該對應之曝露孔之外的第 11·如申請專利範圍第7項所述之發光二極體封裝體，其 10 巾，該電極連接導料元包含_分卿於把該等第二 和第二發光二極體晶元之具有相同極性之電極區域電氣 連接的導線及兩個形成於該第一發光二極體晶元之非主 要光線射出表面上的導電金屬觸點，每個導電金屬觸點 具有一個延伸至一對應之電極區域的第一末端部份和一 15 個迷離該對應之電極區域的第二末端部份，該發光二極 體封裝體更包含一個形成於該第一發光二極體晶元之非 主要光線射出表面之包含該等電極區域之區域表面上以 致於違第一發光二極體晶元和該等導電金屬觸點之第一 末端部份被覆蓋的絕緣層，該等外部連接導電體單元中 20 之每一者是形成於一對應之導電金屬觸點的第二末端部 份上。 12·如申請專利範圍第7項所述之發光二極體封裝體，更包 含·· 一形成於該第一發光二極體晶元之整個非主要光線 53 1302382 射出表面上以致於該第二發光二極體晶元被覆蓋的絕 ' 緣層，該絕緣層形成有數個用於曝露該等發光二極體晶 元之對應之電極區域的曝露孔； 一形成於該絕緣層之表面上的覆蓋層，該覆蓋層形 5 成有數個連通孔，每個連通孔是與一個曝露該第一發光 二極體晶元之該等電極區域中之對應之一者的曝露孔 和一個曝露該第二發光二極體晶元之該等電極區域中 之對應之一者的曝露孔連通； 形成於每個連通孔及與它連通之曝露孔内之作為該 10 電極連接導體單元的導體；及 一形成於該覆蓋層之表面上的保護層，該保護層形 成有數個用於曝露對應之導體之一部份的通孔， 該等外部連接導電體單元是形成於該保護層之對應 的通孔中而且每一個外部連接導電體單元具有一個在 15 一對應之通孔中俾可與一對應之導體電氣連接的第一 部份和一個與該第一部份電氣連接且凸伸在該對應之 通孔之外的第二部份。 13.如申請專利範圍第5或6項所述之發光二極體封裝體，其 中，該至少一個第二發光二極體晶元的第一和第二電極 20 區域是設置於該非主要光線射出表面上而且該至少一個 第二發光二極體晶元是在其之主要光線射出表面面向該 第一發光二極體晶元之非主要光線射出表面下被設置於 該第一發光二極體晶元的非主要光線射出表面上，該至 少一個第三發光二極體晶元的第一和第二電極區域是設 54 1302382 置於該非主要光線射出表面上而且該至少一個第二發光 二極體晶元是在其之主要光線射出表面面向該第一發光 二極體晶元之非主要光線射出表面下被設置於該第一發 光二極體晶元的非主要光線射出表面上。 14·如申請專利範圍第13項所述之發光二極體封裝體，其 中’該電極連接導體單元包含四條分別用於把該等發光 二極體晶元之具有相同極性之電極區域電氣連接的導 線’該發光二極體封裝體更包含一形成於該第一發光二 極體晶元之整個非主要光線射出表面上以致於該等第二 和第三發光二極體晶元被覆蓋的絕緣層，該絕緣層形成 有數個用於曝露該第一發光二極體晶元之對應之電極區 域的曝露孔，該等外部連接導電體單元是形成於該絕緣 層之對應的曝露孔中而且每一個外部連接導電體單汚具 有一個在一對應之曝露孔中俾可與該第一發光二極體晶 元之對應之電極區域電氣連接的第一部份和一個與該 第一部份電氣連接且凸伸在該對應之曝露孔之外的第二 部份。 15·如申請專利範圍第13項所述之發光二極體封裝體，其 中，該電極連接導體單元包含三條導線，該第一發光二 極體晶元的第一電極區域是經由一導線來電氣連接至該 第二發光二極體晶元的第一電極區域，該第一發光二極 體晶元的第二電極區域是經由一導線來電氣連接至該第 二發光一極體晶元的第二電極區域，該第二發光二極體 晶元的第二電極區域是經由一導線來電氣連接至該第三 55 1302382 發光二極體晶元的第一電極區域，該發光二極體封裝體 更包含一形成於該第一發光二極體晶元之整個非主要光 線射出表面上以致於該等第二和第三發光二極體晶元被 覆蓋的絕緣層，該絕緣層形成有數個用於曝露該第一發 5 光二極體晶元之對應之電極區域的曝露孔，該等外部連 接導電體單元是形成於該絕緣層之對應的曝露孔中而且 每一個外部連接導電體單元具有一個在一對應之曝露孔 中俾可與該第一發光二極體晶元之一對應之電極區域電 氣連接的第一部份和一個與該第一部份電氣連接且凸伸 10 在該對應之曝露孔之外的第二部份。 16·如申請專利範圍第13項所述之發光二極體封裝體，其 中’該電極連接導體單元包含三條導線和兩個形成於該 第一發光二極體晶元之非主要光線射出表面上的導電金 屬觸點，該第一發光二極體晶元的第一電極區域是經由 15 —導線來電氣連接至該第二發光二極體晶元的第一電極 區域，該第一發光二極體晶元的第二電極區域是經由一 導線來電氣連接至該第三發光二極體晶元的第二電極區 域，該第二發光二極體晶元的第二電極區域是經由一導 線來電氣連接至該第三發光二極體晶元的第一電極區 20 域，每個導電金屬觸點具有一個延伸至該發光二極體晶 元之一對應之電極區域的第一末端部份和一個遠離該對 應之電極區域的第二末端部份，該發光二極體封裝體更 包含一個形成於該第一發光二極體晶元之非主要光線射 出表面之包括該第一發光二極體晶元之電極區域的區域 56 1302382 表面上以致於該等第二和第三發光二極體晶元被覆蓋的 、絕緣層’該科料接導t體單元中之每—者是形成於 一對應之導電金屬觸點的第二末端部份上。 17·如申响專利範圍第3或4項所述之發光二極體封裝體，其 5 中〃亥至夕個第一發光二極體晶元的其中一個電極區 域是設置於該主要光線射出表面上而其之另一個電極區 域疋5又置於該非主要光線射出表面上，該至少一個第二 發光二極體晶元是在其之主要光線射出表面面向該第一 #光二極體晶元之非主要光線射出表面下被設置於該第 10 一發光二極體晶元的非主要光線射出表面上。 18·如申请專利範圍第17項所述之發光二極體封裝體，其 中，該電極連接導體單元包含一條導線和一條形成於該 第一發光二極體晶元之非主要光蜂辦出表面上的導電金 屬連線，該導電金屬連線具有一個延伸至該第一發光二 15 極體晶元之其中一個與該第二發光二極體晶元之該其中 一個電極區域具有相同極性之電極區域的第一末端部份 和一個朝另一個電極區域延伸的第二末端部份以致於該 第二發光二極體晶元的該其中一個電極區域是與該導電 金屬連線電氣連接，該第一發光二極體晶元之另一個電 20 極區域是經由該導線來與該第二發光二極體晶元的另一 個電極區域，該發光二極體封裝體更包含一形成於該第 一發光二極體晶元之整個非主要光線射出表面上以致於 該等第二發光二極體晶元被覆蓋的絕緣層，該絕緣層形 成有數個用於曝露該第一發光二極體晶元之對應之電極 57 1302382 區域的曝露孔，該等外部連接導電體單元是形成於該絕 ' 緣層之對應的曝露孔中而且每一個外部連接導電體單元 具有一個在一對應之曝露孔中俾可與該第一發光二極體 晶元之一對應之電極區域電氣連接的第一部份和一個與 5 該第一部份電氣連接且凸伸在該對應之曝露孔之外的第 二部份。 19.如申請專利範圍第17項所述之發光二極體封裝體，其 中，該電極連接導體單元包含一導線、一形成於該第一 發光二極體晶元之非主要光線射出表面上的導電金屬連 10 線及一形成於該第一發光二極艟晶元之非主要光線射出 表面上的導電金屬觸點，該導電金屬連線具有一個延伸 至在該其中一個電極區域周圍之區域的第一末端部份和 一個朝另一個電極區域延伸的第二末端评份以致於該第 二發光二極體晶元的該其中一個電極區域是與該導電金 15 屬連線電氣連接，該導電金屬觸點具有一個延伸至該第 一發光二極體晶元之另一個電極區域的第一末端部份和 一個遠離該另一個電極區域的第二末端部份，該第一發 光二極體晶元之另一個電極區域是經由該導線來與該第 二發光二極體晶元的另一個電極區域，該發光二極體封 20 裝體更包含一個形成於該第一發光二極體晶元之非主要 光線射出表面之包括該等電極區域之區域表面上以致於 該第二發光二極體晶元和該第一發光二極體晶元的電極 區域被覆蓋的絕緣層，該等外部連接導電體單元中之每 一者是形成於該導電金屬連線之第一末端部份之未被覆 58 1302382 盖之部份與該導電金屬觸點之第一末端部份中之對應之 一者上。 20·如申請專利範圍第17項所述之發光二極體封裝體，更包 含： 5 一形成於该第一锋光一極體晶元之非主要光線射出 表面上的導電金屬連線，該導電金屬連線具有一個延伸 至β第一發光一極體晶元之其中一個電極區域的第一 鲁末端部份和一個朝另一個電極區域延伸的第二末端部 份以致於該第二發光二極體晶元的該其中一個電極區 10 域是與該導電金屬連線電氣連接； 一形成於該第一發光二極體晶元之整個非主要光線 射出表面上以致於該第二發光二極體晶元被覆蓋的絕 緣層，該絕緣層形成有·_個分別用於曝露該第一發光二 極體晶元之電極區域和該第二發光二極體晶元之該另 15 —個電極區域的曝露孔； 鲁一形成於該絕緣層之表面上的覆蓋層，該覆蓋層形 成有兩個連通孔，其中一個連通孔與一個曝露該第一發 光二極體晶元之該另一個電極區域的曝露孔和一個曝 露該第二發光二極體晶元之該另—個電極區域的曝露 20 孔連通，而另一個連通孔與一個曝露該第一發光二極體 晶元之該其中一個電極區域的曝露孔連通； 形成於每個連觀及與它連社曝露孔㈣導體； 及 -形成於該覆蓋層之表面上的保護層，該保護層形 59 1302382 成有數個用於曝露對應之導體之一部份的通孔， ' 該等外部連接導電體單元是形成於該保護層之對 應的通孔中而且每一個外部連接導電體單元具有一個 在一對應之通孔中俾可與一對應之第二導體電氣連接 5 的第一部份和一個與該第一部份電氣連接且凸伸在該 對應之通孔之外的第二部份。 21. 如申請專利範圍第5或6項所述之發光二極體封裝體，其 中，該至少一個第二發光二極體晶元的第一和第二電極 區域是分別設置於該非主要光線射出表面和該主要光線 10 射出表面上而且該至少一個第二發光二極體晶元是在其 之主要光線射出表面面向該第一發光二極體晶元之非主 要光線射出表面下被設置於該第一發光二極體晶元的非 主要光線射出表面上，該至少，一個第三發光二極體晶元 的第一和第二電極區域是分別設置於該非主要光線射出 15 表面和該主要光線射出表面上而且該至少一個第三發光 二極體晶元是在其之主要光線射出表面面向該第一發光 二極體晶元之非主要光線射出表面下被設置於該第一發 光二極體晶元的非主要光線射出表面上。 22. 如申請專利範圍第21項所述之發光二極體封裝體，其 20 中，該電極連接導體單元包含一條導線和兩條形成於該 第一發光二極體晶元之非主要光線射出表面上的導電金 屬連線，每條導電金屬連線具有一個延伸至該第一發光 二極體晶元之一對應之電極區域的第一末端部份和一個 朝另一個電極區域延伸的第二末端部份以致於該等第二 60 1302382 和第三發光二極體晶元之在該主要光線射出表面上的電 ' 極區域是與一對應的導電金屬連線電氣連接，該等第二 和第三發光二極體晶元之在該非主要光線射出表面上的 電極區域是是經由該導線來電氣連接，該發光二極體封 5 裝體更包含一形成於該第一發光二極體晶元之整個非主 要光線射出表面上以致於該等第二和第三發光二極體晶 元被覆蓋的絕緣層，該絕緣層形成有數個用於曝露該第 一發光二極體晶元之對應之電極區域的曝露孔，該等外 部連接導電體單元是形成於該絕緣層之對應的曝露孔中 10 而且每一個外部連接導電體單元具有一個在一對應之曝 露孔中俾可與該第一發光二極體晶元之一對應之電極區 域電氣連接的第一部份和一個與該第一部份電氣連接且 凸伸.在該對應之曝露孔之外的第二部份。 23.如申請專利範圍第21項所述之發光二極體封裝體，其 15 中，該電極連接導體單元包含一條導線和兩條形成於該 第一發光二極體晶元之非主要光線射出表面上的導電金 屬連線，每條導電金屬連線具有一個延伸至該第一發光 二極體晶元之一對應之電極區域及其周圍之區域的第一 末端部份和一個朝另一個電極區域延伸的第二末端部份 20 以致於該等第二和第三發光二極體晶元之在該主要光線 射出表面上的電極區域是與一對應的導電金屬連線電氣 連接，該等第二和第三發光二極體晶元之在該非主要光 線射出表面上的電極區域是是經由該導線來電氣連接， 該發光二極體封裝體更包含一形成於該第一發光二極體 61 1302382 、㈣之非主要光線射出表面之包括該第一發光二極體晶 兀之電極區域的區域表面上以致於該等第二和第三發光 二極體晶元被覆蓋的絕緣層，料外料接導電體單元 $ 巾之母-者是形成於—對應之導電金屬連線之未被覆蓋 之第一本端部份的部份上。 24·如申4專利範圍第21項所述之發光二極體封裝體，其 t ’該f極連接導體單元包含—料線和兩條形成於該 • .第—發光二極體晶元之非主要光線射出表面上的導電金 10 屬連線，每條導電金屬連線具有—個延伸至該第一發光 二極體晶元之-對應之電極區域的第-末端部份和-個 朝另-個f極區域延伸的第二末端部份以致於該等第二 和第三發光二極體晶元之在該主要光線射出表面上的電 極區域對應的導電金屬連線電氣連接，該等第二 仏和第三發光二極體晶元之在該非主要光線射出表面上的 電極區域7^；由該導線來電氣連接，該發光二極體封 ♦ ㈣更包含-形成於該第—發光二極體晶元之整個非主 ，光線射出表面上以致於該等第二和第三發光二極體晶 讀覆m緣層’該麟層形成有數個驗曝露該第 一發光二極體晶元之對應之電極區域的. ° 部連接導電體單元是形成於該絕緣層之辦應的曝露孔中 而且每一個外部連接導電體單元具有一個在一對應之曝 露孔中俾可與該第—發光二極體晶元之—對應之電極區 域電氣連接的第-部份和-個與該第—部份電氣連接且 凸伸在該對應之曝露孔之外的第二部份。 62 該第一顏色、該第二顏色與該第三顏色所得到之合意之 顏色的光線被產生。 30.如申請專利範圍第26項所述之發光二極體封裝體，其 中，該第一顏色、該第二顏色與該第三顏色是為相同的 顏色以致於當該等發光二極體晶元被激勵時由該發光二. 極體封裝體所發出之光線的強度被增加。 31·如申請專利範圍第27或28項所述之發光二極體封裝 體’其中，該至少一個第二發光二極體晶元的第一和第 二電極區域是設置於該非主要光線射出表面上而且該至 少一個第二發光二極體晶元是在其之主要光線射出表面 面向該第一發光二極體晶元之非主要光線射出表面下被 設置於該第一發光二極體晶元的非主要光線射出表面 上。 32·如申請專利範圍第25項所述之發光二極體封裝體，其 中，該第一發光二極體晶元所發射的光線是為具有波長· 在450 nm至470 nm之範圍内的光線而該第二發光二極體 晶元所發射的光線是為具有波長在570 nm至590 nm之範 圍内的光線。 33·如申請專利範圍第26項所述之發光二極體封裝體，其 中，該第一發光二極體晶元所發射的光線是為具有波長 在450 nm至470 nm之範圍内的光線、該第二發光二極體 晶元所發射的光線是為具有波長在520 nm至540 nm之範 圍内的光線、而該第三發光二極體晶元所發射的光線是 為具有波長在610 nm至630 nm之範圍内的光線。 1302382 34·如申請專利範圍第31項所述之發光二極體封裝體，其 ’中’該電極連接導體單元包含數條用於把該第一發光二 極體晶元之每一個電極區域電氣連接至該第二發光二極 體晶元之一對應之電極區域及該安裝基板之一對應之導 5 電觸點的導線，該發光二極體封裝體更包含一個形成於 該安裝基板之晶元安裝表面之包含該等導線的區域表面 上以致於該等發光二極體晶元及每個導電觸點之一部份 被覆蓋的絕緣層，該等外部連接導電體單元中之每一者 是形成於一對應之導電觸點之未被覆蓋的部份上。 1〇 35·如申請專利範圍第31項所述之發光二極體封裝體，其 中，該電極連接導體單元包含數條用於把該第一發光二 極體晶元之每一個電極區域電氣連接至該第二發光二極 體晶元之一對應之電極區域及該安裝基板之一對應之導 電觸點的導線，該發光二極體封裝體更包含一個形成於 15 該安裝基板之整個晶元安裝表面上以致於該等發光二極 體晶元被覆蓋的絕緣層，該絕緣層形成有數個用於曝露 該安裝基板之對應之導電觸點的曝露孔，該等外部連接 導電體單元是形成於該絕緣層之對應的曝露孔中而且每 一個外部連接導電體單元具有一個在一對應之曝露孔中 20 俾可與該安裝基板之一對應之導電觸點電氣連接的第一 部份和一個與該第一部份電氣連接且凸伸在該對應之曝 露孔之外的第二部份。 36.如申請專利範圍第29或30項所述之發光二極體封裝 體，其中，該至少一個第二發光二極體晶元的第一和第 66 1302382 38.如申請專利範圍第36項所述之發光二極體封裝體，其 ' 中，該電極連接導體單元包含數條包含數條用於該等發 光二極體晶元之電極區域和該安裝基板之導電觸點之間 之電氣連接的導線，該第一發光二極體晶元的第一電極 5 區域是電氣連接至該第二發光二極體晶元的第一電極區 域和該安裝基板之導電觸點中之一者，該第一發光二極 體晶元的第二電極區域是電氣連接至該第三發光二極體 晶元的第二電極區域和該安裝基板之導電觸點中之另一 者，該第二發光二極體晶元的第二電極區域是電氣連接 10 至該第三發光二極體晶元的第一電極區域，該發光二極 體封裝體更包含一形成於該安裝基板之整個晶元安裝表 面上以致於該等第二和第三發光二極體晶元被覆蓋的絕 緣層，該絕緣層形成有數個用於曝露該安裝基板之對應 »· 之導電觸點的曝露孔，該等外部連接導電體單元是形成 15 於該絕緣層之對應的曝露孔中而且每一個外部連接導電 體單元具有一個在一對應之曝露孔中俾可與該安裝基板 之一對應之導電觸點電氣連接的第一部份和一個與該第 一部份電氣連接且凸伸在該對應之曝露孔之外的第二部 份。 、 20 39.如申請專利範圍第27或28項所述之發光二極體封裝 體，其中，該至少一個第二發光二極體晶元的其中一個 電極區域是設置於該主要光線射出表面上而其之另一個 電極區域是設置於該非主要光線射出表面上，該至少一 個第二發光二極體晶元是在其之主要光線射出表面面向 68 1302382 該第一發光二極體晶元之非主要光線射出表面下被設置 於該第一發光二極體晶元的非主要光線射出表面上。 40·如申請專利範圍第39項所述之發光二極體封裝體，其 中’該電極連接導體單元包含數條導線及一形成於該第 一發光二極體晶元之非主要光線射出表面上的導電金屬 連線’該導電金屬連線具有一個延伸至在該其中一個電 極區域周圍之區域的第一末端部份和一個朝另一個電極 區域延伸的第二末端部份以致於該第二發光二極體晶元 的該其中一個電極區域是與該導電金屬連線電氣連接， 該第一發光二極體晶元之另一個電極區域是經由導線來 與該第二發光二極體晶元的另一個電極區域及該安裝基， 板之導電觸點中之一者電氣連接，該安裝基板之導電觸 點中之另一者是經声導線來與該第一發光二極體晶元的 該其中一個電極區域電氣連接，該發光二極體封裝體更 包含一個形成於該安裝基板之晶元安裝表面之包括每個 導電觸點之一部份之區域表面上以致於該第二發光二極 體晶元和該第一發光二極體晶元被覆蓋的絕緣層，該等 外部連接導電體單元中之每一者是形成於一對應之導電 觸點之未被覆蓋的部份上。 •如申請專利範圍第39項所述之發光二極體封裝體，其 中，該電極連接導體單元包含數條導線和一條形成於該 第一發光二極體晶元之非主要光線射出表面上的導電金 屬連線，該導電金屬連線具有一個延伸至該第一發光二 極體晶元之其中一個與該第二發光二極體晶元之該其中 69 1302382 屬連線，母條導電金屬連線具有一個延伸至該第一發光 一極體晶元之一對應之電極區域的第一末端部份和一個 朝另一個電極區域延伸的第二末端部份以致於該等第二 和第三發光二極體晶元之在該主要光線射出表面上的電 5 極區域是與一對應的導電金屬連線電氣連接，該等第二 和第三發光二極體晶元之在該非主要光線射出表面上的 電極區域是經由該導線來電氣連接，該安裝基板的導電 觸點疋經由導線來電氣連接至該第一發光二極體晶元之 對應的電極區域，該發光二極體封裝體更包含一形成於 10 該安裝基板之整個晶元安裝表面上以致於該等發光二極 體晶元被覆蓋的絕緣層，該絕緣層形成有數個用於曝露 該安裝基板之對應之導電觸點的曝露孔，該等外部連接 導電體單元是形成於該絕嗲層之對應的曝露孔中而且每 一個外部連接導電體單元具有一個在一對應之曝露孔中 15 . 俾可與該安裝基板之一對應之導電觸點電氣連接的第一 部份和一個與該第一部份電氣連接且凸伸在該對應之曝 露孔之外的第二部份。 45. —種發光二極體封裝體，包含： 一個工業藍寶石層，該工業藍寶石層包含兩個發光 20 二極體晶兀區域， 兩個形成於該工業藍寶石層上分別位於一對應之發 光二極體晶元區域内之具有一第一極性的第一電極層； 兩個分別形成於一對應之第一電極層上之具有一個 與該第一極性相反之第二極性的第二電極層，該等第二 72 1302382 一個工業藍寶石層，該工業藍寶石層包含三個發光 二極體晶元區域; 二個形成於該工業藍寶石層上分別位於一對應之發 光二極體晶元區域内之具有一第一極性的第一電極層·， 三個分別形成於一對應之第一電極層上之具有一個 具有與該第一極性相反之第二極性的第二電極層，該等 第二電極層中之每一者未完全覆蓋一對應的第一電極 層； 一個形成於該等電極層之上表面上以致於該等電極 層被覆蓋的絕緣層，該絕緣層形成有數個分別用於曝露 一對應之電極層之一部份的曝露孔； 一個形成於該絕緣層上的覆蓋層，該覆蓋層形成有 數個淳通孔，用於曝露該等發光二極體晶元區域中之兩 者之美有相同極性之電極層的曝露孔與用於曝露該等發 光二極體晶元區域中之另一者之具有與該兩者之電極層 之極性相反之極性之電極層的曝露孔是由一個連通孔連 通； 數個導體，每個導體是形成於一對應之連通孔及與 該對應之連通孔連通的曝露孔内； 一個形成於該覆蓋層上且形成有數個通孔的保護 層，每個通孔曝露一對應之導體的一部份；及 數個形成於對應之通孔内的外部連接導電體單元， 每個外部連接導電體單元具有一個在一對應之通孔中俾 可與由該對應之通孔所曝露之導體電氣連接的第一部份 74 提供至少一個能夠被激勵來發出具有第二顏色之光 線的第二發光二極體晶元，該至少一個第二發光二極體 曰曰π係設置於該第一發光二極體晶元的非主要光線射出 表面上並且具有一個非主要光線射出表面、一個與該非 主要光線射出表面相對的主要光線射出表面 、一個設置 於該等表面中之一者上之具有該第一極性的第一電極區 域、及一個設置於該等表面中之一者上之具有該第二極 性的第二電極區域； 建立在該等發光二極體晶元之電極區域之間的電氣 連接以致於該等發光二極體晶元是並聯或串聯連接；及 形成至少兩個用於把該第一發光二極體晶元之對應 之電極區域電氣連接至外部電路的外部連接導電體單 元。 49·如申請專利範圍第48項所述之發悉二極體封裝體的封 裝方法，更包含提供至少一個能夠被激勵來發出具有第 二顏色之光線之第三發光二極體晶元的步驟，該至少一 個第三發光二極體晶元係設置於該第一發光二極體晶元 的非主要光線射出表面上並且具有一個非主要光線射出 表面、一個與該非主要光線射出表面相對的主要光線射 出表面、至少一個設置於該等表面中之一者上之具有今 第一極性的第一電極區域、及至少一個設置於該等表面 中之一者上之具有該第二極性的第二電極區域，該至少 一個第二發光二極體晶元的電極區域是經由該電極連接 1302382 導體單元來與該等第一和第二發光二極體晶元之對應的 電極區域電氣連接。 5〇·如申請專利範圍第48項所述之發光二極體封裝體的封 裝方法’在提供發光二極體晶元的步驟中，該第一顏色 與該第二顏色是為不同的顏色以致於當該等發光二極體 晶元被激勵時具有由混合該第一顏色與該第二顏色所得 到之合意之顏色的光線被產生。 51·如申請專利範圍第48項所述之發光二極體封裝體的封 裝方法’在提供發光二極體晶元的步驟中，該第一顏色 與該第二顏色是為相同的顏色以致於當該等發光二極體 晶元被激勵時由該發光二極體封裝體所發出之光線的強 度被增加。 52·如申請專利範圍第49項所述之發光二極體封裝體的封 裝方法’在提供發光二極體晶元的步驟中，該第一顏色、 該第二顏色與該第三顏色是為不同的顏色以致於當該等 發光二極體晶元被激勵時具有由混合該第一顏色、該第 二顏色與該第三顏色所得到之合意之顏色的光線被產 生。 53·如申請專利範圍第49項所述之發光二極體封裝體的封 裝方法，在提供發光二極體晶元的步驟中，該第一顏色、 該第^一顏色與該第二顏色是為相同的顏色以致於當該等 發光一極體晶元被激勵時由該發光二極體封装體所發出 之光線的強度被增加。 54.如申請專利範圍第50或51項所述之發光二極體封裝體 78 1302382 的封裝方法，在提供第二發光二極體晶元的步驟中，該 至少一個第二發光二極體晶元的第一和第二電極區域是 設置於該非主要光線射出表面上而且該至少一個第二發 光一極體晶元是在其之主要光線射出表面面向該第一發 光二極體晶元之非主要光線射出表面下被設置於該第一 發光二極體晶元的非主要光線射出表面上。 55.如申請專利範圍第48項所述之發光二極體封裝體的封 裝方法，在提供發光二極體晶元的步驟中，該第一發光 二極體晶元所發射的光線是為具有波長在450 nm至470 nm之範圍内的光線而該第二發光二極體晶元所發射的 光線是為具有波長在57〇 nm至590 nm之範圍内的光線。 56·如申請專利範圍第49項所述之發光二極體封裝體的封 裝方法，在提供發光二極體晶元的步驟中，該第一發光 二極體晶元所發射的光線是為具有波長在450 nm至470 nm之範圍内的光線、該第二發光二極體晶元所發射的光 線疋為具有波長在520 nm至540 nm之範圍内的光線、而 該第三發光二極體晶元所發射的光線是為具有波長在 610 nm至630 nm之範圍内的光線。 57·如申請專利範圍第54項所述之發光二極體封裝體的封 裝方法，在建立在發光二極體晶元之電極區域之間之電 氣連接的步驟中，包含以導線把該第一和第二發光二極 體晶元之具有相同極性之電極區域電氣連接的步驟，該 封裝方法更包含一個於該第一發光二極體晶元之整個非 主要光線射出表面上形成一個絕緣層以致於該第二發光 79 1302382 二極體晶元被覆蓋的步驟，該絕緣層形成有數個用於曝 露該第一發光二極體晶元之對應之電極區域的曝露孔， 该等外部連接導電體單元是形成於該絕緣層之對應的曝 露孔中而且每一個外部連接導電體單元具有一個在一對 5 應之曝露孔中俾可與該第一發光二極體晶元之一對應之 電極區域電氣連接的第一部份和一個與該第一部份電氣 連接且凸伸在該對應之曝露孔之外的第二部份。 58·如申請專利範圍第54項所述之發光二極體封裝體的封 裝方法，在建立在發光二極體晶元之電極區域之間之電 10 氣連接的步驟中，包含以導線把該第一和第二發光二極 體晶元之具有相同極性之電極區域電氣連接的步驟及於 該第一發光二極體晶元之非主要光線射出表面上形成至 少兩個導電金屬觸點的步驟，每個導電金屬觸點具有— 個延伸至一對應之電極區域的第一末端部份和一個遠離 15 該對應之電極區域的第二末端部份，該發光二極體封裝 體之封裝方法更包含一個於該第一發光二極體晶元之非 主要光線射出表面之包含該等電極區域之區域表面上形 成一絕緣層以致於該第二發光一極體晶元和該等導電金 屬觸點之第一末端部份被覆蓋的步驟，該等外部連接導 20 電體單元中之每一者是形成於一對應之導電金屬觸點的 第二末端部份上。 59.如申請專利範圍第54項所述之發光二極體封裝體的封 裝方法，更包含如下之步驟： 於該第一發光二極體晶元之整個非主要光線射出表 80 1302382 ，面上形成一個絕緣層以致於該第二發光二極體晶元被 覆蓋’該_層形成魏個餘曝露料發光二極體晶 元之對應之電極區域的曝露孔； 於舰緣層之表面上形成-㈣蓋層，該覆蓋層形 5 成有數個連通孔，每個連通孔是與—個曝露該第一發光 -極體晶70之該等電極區域中之對應之—者的曝露孔 和-個曝露該第二發光二極體晶元之該等電極區域中 之對應之一者的曝露孔連通； 於每個連通孔及與它連通之曝露孔内形成一個導 10 體；及 於該覆蓋層之表面上形成一個保護層，該保護層形 成有數個用於曝露對應之導體之一部份的通孔， 該等外部連接導電體單元是形成於該保護層之對應 的通孔中而且每一個外部連接導電體單元具有一個在 15 —對應之通孔中俾可與一對應之導體電氣連接的第一 部份和一個與該第一部份電氣連接且凸伸在該對應之 通孔之外的第二部份。 6〇·如申請專利範圍第52或53項所述之發光二極體封裝體 的封裝方法，在提供發光二極體晶元的步驟中，該至少 20 —個第二發光二極體晶元的第一和第二電極區域是設置 於該非主要光線射出表面上而且該至少一個第二發光二 極體晶元是在其之主要光線射出表面面向該第一發光二 極體晶元之非主要光線射出表面下被設置於該第一發光 二極體晶元的非主要光線射出表面上，該至少一個第三 81 1302382 及把該第二發光二極體晶元之第二電極區域電氣連接至 / 該第三發光二極體晶元之第一電極區域的步驟，該發光 二極體封裝體之封裝方法更包含一個於該第一發光二極 體晶元之整個非主要光線射出表面上形成一個絕緣層以 5 致於該等第二和第三發光二極體晶元被覆蓋的步驟，該 絕緣層形成有數個用於曝露該第一發光二極體晶元之對 應之電極區域的曝露孔，該等外部連接導電體單元是形 成於該絕緣層之對應的曝露孔中而且每一個外部連接導 電體單元具有一個在一對應之曝露孔中俾可與該第一發 10 光二極體晶元之一對應之電極區域電氣連接的第一部份 和一個與該第一部份電氣連接且凸伸在該對應之曝露孔 之外的第二部份。 63.如申請專利範圍第60項所述之發光二極體封裝體之封 裝方法，在建立在發光二極體之電極區域之間之電氣連 15 接的步驟中，包含以導線把該第一發光二極體晶元之第 一電極區域電氣連接至該第二發光二極體晶元之第一電 極區域、把該第一發光二極體晶元之第二電極區域電氣 連接至該第三發光二極體晶元之第二電極區域、及把該 第二發光二極體晶元之第二電極區域電氣連接至該第三 20 發光二極體晶元之第一電極區域的步驟，及於該第一發 光二極體晶元之非主要光線射出表面上形成至少兩個導 電金屬觸點的步驟，每個導電金屬觸點具有一個延伸至 該發光二極體晶元之一對應之電極區域的第一末端部份 和一個遠離該對應之電極區域的第二末端部份，該發光 83 1302382 二極體封裝體之封裝方法更包含一個於該第一發光二極 體晶元之非主要光線射出表面之包括該第一發光二極體 晶元之電極區域的區域表面上形成一個絕緣層以致於該 等第二和第三發光二極體晶元被覆蓋的步驟，該等外部 5 連接導電體單元中之每一者是形成於一對應之導電金屬 觸點的第二末端部份上。 64·如申請專利範圍第5〇或51項所述之發光二極體封裝體 之封裝方法，在提供發光二極體晶元的步驟中，該至少 一個第二發光二極體晶元的其中一個電極區域是設置於 10 該主要光線射出表面上而其之另一個電極區域是設置於 該非主要光線射出表面上，該至少一個第二發光二極體 晶元是在其之主要光線射出表面面向該第一發光二極體 晶元之非主要光線射出表面T.被設置於該第一發光二極 體晶元的非主要光線射出表面上。 15 65.如申請專利範圍第64項所述之發光二極體封裝體之封 裝方法，在建立在發光二極體晶元之電極區域之間之電 氣連接的步驟中，包含於該第一發光二極體晶元之非主 要光線射出表面上形成一條導電金屬連線的步驟，該導 電金屬連線具有一個延伸至該第一發光二極體晶元之其 20 中一個與該第二發光二極體晶元之該其中一個電極區域 具有相同極性之電極區域的第一末端部份和一個朝另一 個電極區域延伸的第二末端部份以致於該第二發光二極 體晶το的該其中一個電極區域是與該導電金屬連線電氣 連接，及以導線把該第一發光二極體晶元之另一個電極 84 1302382 ίο 區域電氣連接至該第二發光二極體晶元之另一個電極區 域的步驟，該發光二極體封裝體之封裝方法更包含一個 於該第一發光二極體晶元之整個非主要光線射出表面上 形成一個絕緣層以致於該等第二發光二極體晶元被覆蓋 的步驟，該絕緣層形成有數個用於曝露該第_發光二極 體晶元之對應之電極區域的曝露孔，該等外部連接導電 體單元是形成於該絕緣層之對應的曝露孔中而且每一個 外部連接導電體單元具有-個在—對應之曝露孔^俾^ 與a亥第一發光二極體晶元之一對應之電極區域電氣連接 的第-部份和―個與該第—部份電氣連接且凸伸在該對 應之曝露孔之外的第二部份。 66.如 15 2專利範圍第64項所叙發光二極體封裝體之封 、、在建立在發光二極體晶元之電極 步，，包含-個於該第-發光二極:::: 於該第形成一條導電金屬連線的步称及-個導雷^體㈣之非主要光線射出表面上形成 電金屬觸點的步驟，該導電金屬連線具有一 個延 20 中一個電極區域周圍之區域的第-末端部份 第二發個1極區域延伸的第二末端部份以致於該 金;連線:=晶元的該其中一個電極區域是與該導電 第一電乳連接，該導電金屬觸點具有-個延伸至該 和_=3^晶元之另—個電極區域的第—末端部份 離4另一個電極區域的第二末端部份，在建立 在^光—極體晶元之電極區域之間之電氣連接的步驟中 85 1302382 更包含以導線把該第—發光二極體晶元之另_個電極區 域電氣連接至該第二發光二極體晶元之另—個電極區域 的步驟，該發光二極體封裝體之封裝方法更包含一個於 該第-發光二極體晶元之非主要練射絲面之包括該 5 等電極區域之輯表面上形成-個絕緣層讀於該第二 發光-極體晶70和該第-發光二極體晶元的電極區域被 覆蓋的步驟，該·卜部連接導電體單元巾之每—者是形 成於該導電金屬連線之第一末端部份之未被覆蓋之部份 與該導電金屬觸點之第二末端部份中之對應之_者上。 10 67·如中睛專利㈣第64項所述之發光二極體封裝體之封 裝方法，更包含如下之步驟： 於該第-發光二極體晶元之非主要光線射出表面上 形成-條#金屬連線，該導電金屬連線具有一個延伸 i該第-發光二極體晶:¾之其中_個電極區域的第一 15 纟端部份和-_另-個電極區域延伸的第二末端部 ❾以致於該第二發光二極體晶元的該其中一個電極區 域是與該導電金屬連線電氣連接； 於該第-發光二極體晶元之整個非主要光線射出表 面上形成一個絕緣層以致於該第二發光二極體晶元被 20 覆蓋，該絕緣層形成有數個分別用於曝露該第一發光二 極體晶元之電極區域和該第二發光二極體晶元之該另 一個電極區域的曝露孔； 於该絕緣層之表面上形成一個覆蓋層，該覆蓋層形 成有兩個連通孔，其中一個連通孔與一個曝露該第一發 86 1302382 光一極體晶元之該另一個電極區域的曝露孔和一個曝 露該第二發光二極體晶元之該另一個電極區域的曝露 孔連通，而另一個連通孔與一個曝露該第一發光二極體 晶元之該其中一個電極區域的曝露孔連通； 5 於每個連通孔及與它連通之曝露孔内形成一個導 體；及 於该覆蓋層之表面上形成一個保護層，該保護層形 成有數個用於曝露對應之導體之一部份的通孔， 該等外部連接導電體單元是形成於該保護層之對 10 應的通孔中而且每一個外部連接導電體單元具有一個 在一對應之通孔中俾可與一對應之第二導體電氣連接 的第一部份和一偭與該第一部份電氣連接且凸伸在該 對應之通孔之外的第，二部份。 68·如申睛專利範圍第52或53項所述之發光二極體封裝體 15 之封裝方法，在提供發光二極體晶元的步驟中，該至少 一個第二發光二極體晶元的第一和第二電極區域是分別 設置於該非主要光線射出表面和該主要光線射出表面上 而且該至少一個第一發光二極體晶元是在其之主要光線 射出表面面向該第^一發光—·極體晶兀之非主要光線射出 20 表面下被設置於該第一發光二極體晶元的非主要光線射 出表面上，該至少一個第三發光二極體晶元的第一和第 二電極區域是分別設置於該非主要光線射出表面和該主 要光線射出表面上而且该至少一個第三發光二極體晶元 是在其之主要光線射出表面面向該第一發光二極體晶元 87 1302382 之非主要光線射出表面下被設置於該第一發光二極體晶 ' 元的非主要光線射出表面上。 69.如申請專利範圍第68項所述之發光二極體封裝體之封 裝方法，在建立在發光二極體晶元之電極區域之間之電 5 氣連接的步驟中，包含於該第一發光二極體晶元之非主 要光線射出表面上形成至少兩條導電金屬連線的步驟， 每條導電金屬連線具有一個延伸至該第一發光二極體晶 元之一對應之電極區域的第一末端部份和一個朝另一個 電極區域延伸的第二末端部份以致於該等第二和第三發 10 光二極體晶元之在該主要光線射出表面上的電極區域是 與一對應的導電金屬連線電氣連接，及以導線把該等第 二和第三發光二極體晶元之在該非主要光線射出表面上 之電極區域電氣連接的步驟，該發光二極體封裝體之封 裝方法更包含一個於該第一發光二極體晶元之整個非主 15 要光線射出表面上形成一個絕緣層以致於該等第二和第 三發光二極體晶元被覆蓋的步驟，該絕緣層形成有數個 用於曝露該第一發光二極體晶元之對應之電極區域的曝 露孔，該等外部連接導電體單元是形成於該絕緣層之對 應的曝露孔中而且每一個外部連接導電體單元具有一個 20 在一對應之曝露孔中俾可與該第一發光二極體晶元之一 對應之電極區域電氣連接的第一部份和一個與該第一部 份電氣連接且凸伸在該對應之曝露孔之外的第二部份。 70·如申請專利範圍第68項所述之發光二極體封褒體之封 裝方法，在建立在發光二極體晶元之電極區域之間之電 1302382 連接的步驟中’包含成於該第—發光二極體晶元之非 n線射出表面上形成至少兩條導電金屬連線的步 驟制条導電金屬連線具有一個延伸至該第一發光二極 體日日元之-對應之電極區域及其周圍之區域的第一末端 5 縣^個朝另—個電極ϋ域延伸的第二末端部份以致 於該等第二和第三發光二極體晶it之在該主要光線射出 表面上的電極區域是與—對應的導電金屬連線電氣連 • 接’及以導線把該等第二和第三發光二極體晶元之在該 非主要光線射出表面上之電極區域電氣連接的步驟，該 1G 發光二極體封裝體之封裝方法更包含—個於該第一發光 -極體晶7L之非主要光線射出表面之包括該第一發光二 極體晶元之電極區域的區域表面上形成一個絕緣層以致 V · 於該等第二和第三發光二極體晶元被覆蓋的步驟，該等 金屬連線之未被覆蓋之第一末端部份的部份上。 • 71·如申請專利範圍第68項所述之發光二極體封裝體之封 裝方法，在建立在發光二極體晶元之電極區域之間之電 氣連接的步驟中，包含於該第一發光二極體晶元之非主 要光線射出表面上形成至少兩條導電金屬連線的步驟， 2 Ω 每條導電金屬連線具有一個延伸至該第一發光二極體晶 元之一對應之電極區域的第一末端部份和一個朝另一個 電極區域延伸的第二末端部份以致於該等第二和第三發 光二極體晶元之在該主要光線射出表面上的電極區域是 與一對應的導電金屬連線電氣連接，及以導線把該等第 89 1302382 元安裝表面下設置於該安裝基板上； ' 把至少一個能夠被激勵來發出具有第二顏色之光線 的第二發光二極體晶元設置於該第一發光二極體晶元的 非主要光線射出表面上，該第二發光二極體晶元具有一 5 個非主要光線射出表面、一個與該非主要光線射出表面 相對的主要光線射出表面、一個設置於該等表面中之一 者上之具有該第一極性的第一電極區域、及一個設置於 該等表面中之一者上之具有該第二極性的第二電極區 域； 10 建立在該等發光二極體晶元之電極區域和該安裝基 板之導電接點之間之電氣連接以致於該等發光二極體晶 元是並聯或串聯連接；及 形成至少兩個用於把該安裝基板之對應之導電接點 電氣連接至外部電路的外部連接導電體單元。 15 73.如申請專利範圍第72項所述之發光二極體封裝體之封 裝方法，更包含把至少一個能夠被激勵來發出具有第三 顏色之光線之第三發光二極體晶元設置於該第一發光二 極體晶元之非主要光線射出表面上的步驟，該第三發光 二極體晶元具有一個非主要光線射出表面、一個與該非 20 主要光線射出表面相對的主要光線射出表面、至少一個 設置於該等表面中之一者上之具有該第一極性的第一電 極區域、及至少一個設置於該等表面中之一者上之具有 該第二極性的第二電極區域，該至少一個第三發光二極 體晶元的電極區域是經由該電極連接導體單元來與該等 91 1302382 第一和第二發光二極體晶元之對應的電極區域電氣連 、 接。 74.如申請專利範圍第72項所述之發光二極體封裝體之封 裝方法，在提供發光二極體晶元的步驟中，該第一顏色 5 與該第二顏色是為不同的顏色以致於當該等發光二極體 晶元被激勵時具有由混合該第一顏色與該第二顏色所得 到之合意之顏色的光線被產生。 75·如申請專利範圍第72項所述之發光二極體封裝體之封 裝方法，在提供發光二極體晶元的步驟中，該第一顏色 10 與該第二顏色是為相同的顏色以致於當該等發光二極體 晶元被激勵時由該發光二極體封裝體所發出之光線的強 度被增加。 76. 如申請專利範圍第73項所述之發光二極體封裝體之封 Μ . » · 裝方法，在提供發光二極體晶元的步驟中，該第一顏色、 15 該第二顏色與該第三顏色是為不同的顏色以致於當該等 發光二極體晶元被激勵時具有由混合該第一顏色、該第 二顏色與該第三顏色所得到之合意之顏色的光線被產 生。 ， 77. 如申請專利範圍第73項所述之發光二極體封裝體之封 20 裝方法，在提供發光二極體晶元的步驟中，該第一顏色、 該第二顏色與該第三顏色是為相同的顏色以致於當該等 發光二極體晶元被激勵時由該發光二極體封裝體所發出 之光線的強度被增加。 78. 如申請專利範圍第74或75項所述之發光二極體封裝體 92 1302382 之封裝方法’在提供發光二極體晶元的步驟中，該至少 一個第二發光二極體晶元的第一和第二電極區域是設置 於該非主要光線射出表面上而且該至少一個第二發光二 極體晶元是在其之主要光線射出表面面向該第一發光二 極體晶元之非主要光線射出表面下被設置於該第一發光 二極體晶元的非主要光線射出表面上。 79·如申請專利範圍第72項所述之發光二極體封裝體之封 裝方法，在提供發光二極體晶元的步驟中，該第一發光 二極體晶元所發射的光線是為具有波長在450 nm至470 nm之範圍内的光線而該第二發光二極體晶元所發射的 光線疋為具有波長在570 nm至590 nm之範圍内的光線。 80·如申請專利範圍第73項所述之發光二極體封裝體之封 裝方法，在提供發光二極體晶元的步驟中，該第一發光 • · 二極體晶元所發射的光線是為具有波長在4 5 〇 n m至料7 〇 n m之範圍内的光線、該第二發光二極體晶元所發射啲光 線是為具有波長在520 nm至540 nm之範圍内的光線、而 該第三發光二極體晶元所發射的光線是為具有波長在 610 nm至630 nm之範圍内的光線。 81·如申請專利範圍第78項所述之發光二極體封裝體之封 裝方法，在建立在發光二極體晶元之電極區域之間之電 氣連接的步驟中，包含以導線把該第一發光二極體晶元 之每一個電極區域電氣連接至該第二發光二極體晶元之 一對應之電極區域及該安裝基板之一對應之導電觸點的 步驟，該發光二極體封裝體之封裝方法更包含一個於該 93 1302382 安裝基板之晶元安裝表面之包含該等導線的區域表面上 形成一個絕緣層以致於該等發光二極體晶元及每個導電 觸點之一部份被覆蓋的步驟，該等外部連接導電體單元 中之每一者是形成於一對應之導電觸點之未被覆蓋的部 5 份上。 82·如申請專利範圍第78項所述之發光二極體封裝體之封 裝方法，在建立在發光二極體晶元之電極區域之間之電 氣連接的步驟中，包含以導線把該第一發光二極體晶元 之每一個電極區域電氣連接至該第二發光二極體晶元之 1〇 —對應之電極區域及該安裝基板之一對應之導電觸點的 步驟，該發光二極體封裝體之封裝方法更包含一個於該 安裝基板之整個晶元安裝表面上形成一個絕緣層以致於 該等發光二極體晶元被覆蓋的步驟，該絕緣層形成有數 個用於曝露該安裝基板d對應之導電觸點的曝露孔，該 15 等外部連接導電體單元是形成於該絕緣層之對應的曝露 孔中而且每一個外部連接導電體單元具有一個在一對應 之曝露孔中俾可與該安裝基板之一對應之導電觸點電氣 連接的第一部份和一個與該第一部份電氣連接且凸伸在 該對應之曝露孔之外的第二部份。 20 83·如申請專利範圍第76或77項所述之發光二極體封裝體 之封裝方法’在提供發光二極體晶元的步驟中，該至少 一個第二發光二極體晶元的第一和第二電極區域是設置 於該非主要光線射出表面上而且該至少一個第二發光二 極體晶元是在其之主要光線射出表面面向該第一發光二 94 1302382 裝方法，在建立在發光二極體晶元之電極區域之間之電 ，氣連接的步驟中，包含以導線把該等發光二極體晶元之 電極區域電氣連接至該安裝基板之導電觸點、把該第一 發光二極體晶元之第一電極區域電氣連接至該第二發光 5 二極體晶元之第一電極區域和該安裝基板之導電觸點中 之一者、把該第一發光二極體晶元之第二電極區域電氣 連接至該第二發光二極體晶元之第二電極區域和該安裝 基板之導電觸點中之另一者、及把該第二發光二極體晶 元之第二電極區域電氣連接至該第三發光二極體晶元之 10 第一電極區域的步驟，該發光二極體封裝體之封裝方法 更包含一個於該安裝基板之整個晶元安裴表面上形成一 娜緣層以致於料第二和第三發光二極體晶錄覆蓋 的步驟，該絕緣層形成有％_用於曝露該安裝基板之對 應之導電觸點的曝露孔，料外部連接導電體單元是形 15 成於該絕緣層之對應的曝露孔中而且每一個外部連接導 電鮮元具有—個在—對應之祕孔巾俾可與該安裝基 板之S應之導電觸點電氣連接的第一部份和一個與該 帛#電氣連接且凸伸在該對應之曝露孔之外的第二 部份。 之二明專利圍第74或75項所述之發光二極體封裝體 裝方法，在提供發光二極體晶元的步驟中，該至少 該主:發光二極體晶元的其中一個電極區域是設置於 該要光線射出表面上而其之另一個電極區域是設置於 /非主要光線射出表面上，該至少一個第二發光二極體 96 1302382 ，曰—疋在其之主要光線射出表面面向該第—發光二極體 日日之非主要光線射出表面下被設置於該第一發光二極 體晶元的非主要光線射出表面上。 /專利In圍第86項所述之發光二極體封裝體之封 ^、 在建立在發光二極體晶元之電極區域之間之電 %接的步驟中，包含於該第—發光二極體晶元之非主 要光線射出表面上形成_條導電金屬連線的步驟，該導 •電金屬連線具有一個延伸至在該其中-個電極區域周圍 之區域的第—末端部份和“個朝另—個電極區域延伸的 10 第二末端部份以致於該第二發光二極體晶元的該其中一 個電極H域是與料電麵料電氣連接，及以導線把 b帛發光一極體晶疋之另一個電極區域電氣連接至該 第-發光―極體晶I之另—個電極區声與該安裝基板之 財之-者及_絲紐轉侧點巾之另一 者電氣連接至該第―發光二極體晶元之該其中一個電極 _ 區_步驟，該發光二極體封裝體之封裝方法更包含一 ㈤於該安裝基板之晶元安裝表面之包括每個導電觸點之 一部份之區域表面上形成一個絕緣層以致於該第二發光 一極體晶元和該第一發光二極體晶元被覆蓋的步驟，該 20 料部連接導電體單元中之每一者是形成於一對應之導 電觸點之未被覆蓋的部份上。 8·如申叫專利範圍第86項所述之發光二極體封裝體之封 裝方法，在建立在發光二極體晶元之電極區域之間之電 氣連接的步驟中，包含於該第一發光二極體晶元之非主 97 1302382 於一對應之導電觸點之未被覆蓋的部份上。 、91·如申請專利範圍第89項所述之發光二極體封裝體之封 裝方法，在建立在發光二極體晶元之電極區域之間之電 氣連接的步驟中，包含於該第一發光二極體晶元之非主 5 要光線射出表面上形成至少兩條導電金屬連線的步驟， 每條導電金屬連線具有一個延伸至該第一發光二極體晶 元之一對應之電極區域的第一末端部份和一個朝另—個 電極區域延伸的第二末端部份以致於該等第二和第三發 光二極體晶元之在該主要光線射出表面上的電極區域是 10 與一對應的導電金屬連線電氣連接，以導線把該等第 一和第二發光二極體晶元之在該非主要光線射出表面上 之電極區域電氣連接及把該安裝基板之導電觸點電氣連 接至該第一發光二極體晶元之對應之電極區域的步驟， 該發光二極體封裝體之封裝方法更包含一個於該安裝基 15 板之整個晶元安裝表面上形成一個絕緣層以致於該等發 《二極體晶元被㈣的步驟，該絕緣層形成有數個用於 曝露該安裝基板之對應之導電觸點的曝露孔 ，該等外部 連接導單元是形成__層讀躺㈣孔中而 且每-俯卜部連接導電體單元具有—個在_對應之曝露 孔巾俾可與該安裝基板之—對應之導電觸點電氣連接的 第-部份和-個與該第_部份電氣連接且凸伸在該對應 之曝露孔之外的第二部份。 92·種發光一極體封裝體之封裝方法，包含如下之步驟： 提供一個發光二極體晶圓，該發光二極體晶圓具有 100 1302382 5 對應之電極層之一部份的曝露孔· 於該絕緣層上形成-個覆蓋層，該覆蓋層形成有數 個連通孔，聽曝露該等發光二極體晶元區域中之兩者 ^具有相同極性之電極層的曝露孔翻於曝露該等發光 一極體晶元區域中之另一者夕目+ u 之具有與該兩者之電極層之 極性相反之極性之電極層的曝料是由—個連通 通； 10 體 於每個連通孔及與它連通 的曝露孔内形成一個導 15 20 於該覆蓋層上形成-個保護層，該保護層形成有數 個通孔，每個通孔曝露-對應之導體的一部份；及 於每個通仙形成-個外部連接導電體單元，每個 外部連接導電料元具有-個在—對應之通孔巾俾可與 由該對應之通孔所曝露之導體電氣連接的第一部份和一 個與該第-雜電氣連接且凸伸在該龍之通孔之外的 第二部份。 94·一種發光一極體封裝體之封裝方法，包含如下之步驟| 提供一個發光二極體晶圓，該發光二極體晶圓具有 一個工業藍寶石層，該工業藍寶石層包含至少 三個發光二極體晶元區域， 一個形成於該工業藍寶石層上之具有一第一極 性的第一電極層，及 三個形成於該第一電極層上之具有一個具有與 該第一極性相反之第二極性的第二電極層，該等第二電 103 體；於每個連通孔及與它連通的曝露 個通層上形成—個保護層，該保護層形成有數 =孔曝露該等導體中之—個電氣連接兩個 1先一極體晶元區域之具有相 及

孔内形成一個導電 同極性之電極層的導體 於每個通孔_成-個外部連接導電體單元，每個 外部連接導電體單元具有-個在_對應之通孔中俾可與 由該對應之通孔所曝露之導體電氣連接的第—部份和一 個與該第-部份電氣連接且凸伸在該_應之通孔之外的 第二部份。

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