TWI297537B - Embedded metal heat sink for semiconductor device and method for manufacturing the same - Google Patents

Description

1297537 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於一種金屬散熱座（Heat Sink)及其製造方 法’且特別疋有關於一種光電元件（〇pto-Electrical Device)之 嵌入式（Embedded)金屬散熱座及其製造方法。 【先前技術】 半導體元件包括小型光電元件，例如發光二極體 (Light-emitting Diode ; LED)或雷射二極體如如； LD)，應用在大型或小型背光模組（BackUght M〇duie)或照明模 、-且％均而使用大里之光電元件才能提供足夠的亮度與照 度。然而’在高輸入功率條件下操作時，由許許多多之光電 元件所組成的模組的溫度會快速上升，不僅會影響模組之操 作品質，更可能導致其中之光電元件因高溫而燒毀。 s為：決光電元件帛組在操作時所面臨《溫度升高的問 θ _夕使用外掛風扇或增加散熱板面積等方式來降低模 組”。然而，在外掛風扇的方式中，風扇的運轉所產生 之震動將造成光源穩定性差導 消耗額外之功率1 一方閃燦，且電扇運轉需 方面，相加散熱板面積的方式中，雖 然散熱座可採用高導埶#童 +扣U ......數之金屬’然而光電元件與散熱座 之間的接合媒介為摻有金屬 八· 於钟今屬，L y有金屬之骖體，但膠體之導熱係數遠低 、、'、、’屬口此將導致裝置運轉時所基 界面上，造成々數“ 熱多累積在接合 確實發揮其散熱功能，而導致散埶 座之散熱效能不彰，致俤#费-灿+ 向等致成熟 先電70件在長期操作下容易損壞或 1297537 …丨、1丁 r保邗 此外’為了將半導體元件與外部電路 需將散熱板以膠體黏在電路板上，如此 連接，通常皆 產生的熱不僅會累積在膠體上，且由 構:置運轉時所 熱傳導係數也不高，因此熱傳導速率低，==路板的 散熱效能嚴重下降。 _ _導致政熱板之 因此，隨著發光二極體或雷射二 模組上之應用需求的日益提高，迫 件在各種 高散熱效能之光電元件的技術。而要-種可製作出具有 【發明内容】 Λ纟毛明之目的就是在提供一種 式金屬散熱座’具有至少一電極 件… 負r與外部電路之間電性連接的轉接電』 屬放熱座上之半導體元件與外部電路順利連接。甘入口又孟 屬散==二:的;在提供-種半導體元件之嵌-式金 的“方法，透過膠帶的辅助，可直接將W 座沉積在半導體元件之底面上，而+’孟M- 用貝占合技術，另外再於半導體周^=體之黏貼或運 電極塾來作Μ _ A M 之金屬散熱座上設置 接。因此，不：二广 外部電路電性連接的轉 u此不僅可迅速且有效地降低運Μ -从 保元件之摔作u……運轉70件之溫度’以確 正負壽命，更可使半導體元件之 :::順利連接，而且省卻電路板的使用。 根據本發明之上述目的，提出—種半導 1297537

金屬散熱座，至少舍赵. A 以及第二表面，其中=薄層，具有相對之第一表面 _ # ^ ^ ^ 一半導體元件嵌設在金屬薄#之繁 义’且半導體元件具有電性相反之二電極.’： 熱座，接合於金屬薄声之當_主 罨極，一金屬散 導體元件周圍之金屬：声二’以及二電極墊，設在半 體元件之二電極，直中:：一表面上，並分別對應於半導 應之電極塾電性連接;ιΐζ極透過至少二導線而分別與對 根據本發明之的=電極塾與一外部電路電性連接。 散熱座的製造方法，二、=一種半導體元件之嵌入式金屬, 有相對之第-表面以=;·面提供一膠：，！中此膠帶具 於-暫時基板之一表面卜义J此膠▼之第一表面黏貼 本堇柄上；提供至少一半導體元件，1中此 半導體兀件具有相斟夕结 丁 /、Τ此 相對之苐一側以及第二 之第-側壓設於膠帶之第一矣而… 且此+導體70件 件之第mf1 一表面之一邛分中，並使半導體元 妒成且半導體元件具有電性不同之二電極； 1成一金屬薄層於半導駚 ^ — 蛉體70件之弟二侧以及膠帶之第二表面 件二…：其中金屬薄層之-表面的-部分與半導體元 •I勒*{彳接口’形成一金屬散熱座於金屬薄層上；移除膠 暫4基板’以暴露出半導體元件以及金屬薄層之表面; 以及1複數個電極塾於該半導體元件周圍之金屬薄層之表 一二*硌邛刀上，其中這些電極墊分別對應於半導體元件之 二電極’且這些電極可透過至少二導線而分別與對應之電極 墊電性連接。 依照本發明一較佳實施例，上述金屬散熱座之材質為鐵/ 鎳合金、銅、鎳、鋁、鎢、或其合金，且每一電極墊包括絕 1297537 緣層以及位於該絕緣層上之導電芦立由 層之第一表… …，其中絕緣層位於金屬薄 藉由將金屬散熱座直接製作在半導體元件上， =元件直接後設在金屬散熱座中，再於半導體元件2 之金屬散熱座上設置電極塾，以供半導體元件之電： 電路之間電性聯繫的轉接站。因此，金屬散熱座可益需另; =於電路板上，進而可大幅提高半導體元件之散熱效率， 確保元件之操作穩定度’有效延長元件之使用壽命。 【實施方式】 &本發明揭露一種半導體元件之喪入式金屬散熱座… 、方法，可使半導體元件之電極與外部電路順利聯,，並‘ 提南金屬散熱座之散熱效能，大幅改善半導體元件之 .為了使本發明之敘述更加詳盡與完備，可參照下列描述 並配合第1圖至第8圖之圖示。 請參照第1A圖至第8圖，其繚示依照本發明一較佳實施 例的-種半導體元件之喪人式金屬散熱座的製程剖面圖食相 對叙上視圖。製作本發明之半導體元件之嵌入式金屬散熱 座f，先提供暫時基板100與膠帶102，再將膠帶ι〇2貼設在 暫=基板1〇〇上’而使膠帶102之表φ 1〇4與暫時基板_ 之一表面接合，如第1Β圖之剖面圖以及對應之第ια圖的上 視圖所不。膠帶1〇2具有另一表面1〇6相對於表面⑺4。膠帶 102之材質較佳為具耐酸鹼特性之材料，且膠帶1〇2之厚度較 佳係大於I"—。在本發明之一較佳實施例中，膠帶二二 1297537 度更佳可約為100/zm，且膠帶102為一雙面膠帶，亦即 ^ : 102之表面1〇4與106均具有黏性。然，值得注意的〆 點是，在本發明中，若膠帶1G2係由軟塑質材料所組成時， 可僅有表面104具有黏性，而相對之表面1〇6可不具有黏性。 接下來，提供一或多個半導體元件，其中半導體元件可 例如為電晶體、單石積體電路（Monolithic 1C)、或光電元件， 例如發光二極體或雷射二極體。半導體元件具有電性相反之 ^電極，其中此二電極可位於半導體元件之同一側或不同 側，如第2C圖所示之光電元件10〜與1〇扑。在示範實施例 中，光電元件108a之二電極110與112均設在光電元件i〇8a 之同一側上；而光電元件1081)之二電極11〇與112則分別設 在光電元件108b之相對二側上。當電極11〇之電性為N型時， 電極112為P型；而當電極11〇之電性為p型時，電極ιι2 則為N型。在本示範實施例中，半導體元件係採用光電元件 l〇8a。將光電元件1〇8a之一側朝膠帶1〇2之表面1〇6向下按 壓，而使光電元件108a黏貼或嵌設固定於膠帶1〇2之表面1〇6 中，而使相對於此貼設側之光電元件1〇8a的另一側暴露出 來，其中光電元件1〇8a壓設在膠帶1〇2中之一側設有二電極 11 0與112 ’如第2B圖之剖面圖與對應之第2A圖的上視圖所 示。在本發明中，光電元件l〇8a壓設在膠帶1〇2中之貼設側 需設有至少一電極，以防止二電極導通。當同時進行多顆光 電兀件108a之製程時，這些光電元件1〇8a可依製程需求任意 排列。 本發明之光電兀件108a可為氮化鎵系列發光二極體 10 1297537 (GaN-ked LED)、鱗化紹鎵銦系列發光二極體 (AiGainP-based LED)、硫化錯系列發光二極體（m-based ㈣）、或碳切系列發光二極體（sic_based咖）。在其他# 把例中，光電疋件108a可為氮化錄系列雷射二極體㈣ 化在呂姜豕^0系列蕾·身十- 彻雷射二:::極體、硫化錯㈣雷射二極體、或碳化 =電元件购固^於膝帶1G2中之後，直接利用例如 条鑛 >儿積方式、濟获況接士斗，々 ㈣/儿積方式或無電電鏟方式’形成金屬薄 "设盍在光電70件l08a之暴露表面以及膠帶ι〇2之 ⑽的暴露區域上，如第3A圖與第3B圖所示。在本發明；， :屬薄層114之材質較佳係選用具附著性之金屬材料，例如 :、：广或這些金屬的合金，以利金屬材料 外，金屬薄層114之姑皙介可、联、 材料心具高光反射率之金屬薄層 或…Γ銀n、金、鎳、鈦等反射率較佳的金屬、 之合金。本發明中’金屬薄層114可為單層金屬 -構’亦可為多層金屬堆疊結構。金_ u 係小於約10/zm，在一示範實施例中，全又車又土 為10nm。 Y金屬相"4之厚度約 座，==Μ形成後，可直接製作半導體元件之散熱 元件i!r 求而選擇性地對半導體元件中屬於光電 “置光反射結構’以提高光電元件之光利用率。在本 =开可利用蒸鑛沉積法、濺鑛沉積法、無電電鑛法、 =鑛法形成光反射層120覆蓋在光電元件咖上方之金屬 ^曰4上，其中光反射層12G之材料可採用反射率較佳的 1297537 金屬’例如為銀、鉑 且可為罝 ^ Μ 一 級叫工返金屬之合金， :為=屬層或多層複合金屬層.如第4α 屬二t:佳實施例中’光反㈣12。係由依序堆“金 上之銀膜116盘金藤：丨彳8而拔乂、 . 之厚声為的偏 〃金膜118而構成’其中銀膜116 广300nm，且金膜118之厚度為約15〇 中，光反射層12〇之厚度 隹本1明 屬薄層m係採二=小於約1〇_。然而，當金 層⑴可提供：反二 金屬薄層材料時，金屬薄 /、先反射功月b ’而無需再額外設置光反射層。 轨座二如電鑛方式或無電電鍍方式，形成金屬散 層較厚之Γ屬 層120上，其中此金屬散熱座係由— 剖面圖以及第5A圖之上視圖所亍^傅1里如弟5B圖之 ,..φ ^ 圖所不。由於本發明係採用電錢方 式或無電電鑛方式來製作金屬散熱座 122僅成長於光反射…。金屬散熱座122:;= 採用散熱性佳之金屬，例如鐵續合金 =貝^係 這些金屬的合金。金屬埒埶亦扪鎳鋁、鎢、或 «生金屬政熱座122通常具有較大 如厚度較佳可大於約j 〇 予又，列 #日日少一一 以耠供較大之熱傳導量。在本 命月貫施例中，金屬散熱座122之厚度為約3咖。 ^之-特徵就是利用蒸鑛、料或無電電鑛等沉 方式’先4作厚度較小之金屬薄層，來 a 、 之電鍍或無電電鍍的基礎，再依半 ：、只、-放熱座 設置光反射層，以提高光電需求選擇性地 於皁一膠帶，即可將全屬捋刼广制 、僅错助 I 放熱座製作在半導體元件之底面 上’因此運用本發明之方法’不僅製程相當簡單，且可運用 12 1297537 現有設備而不會對製程成本造成負擔。此外，半導體元件係 嵌設在金屬散熱座之表面中，半導體元件與金屬散熱座之間 並無膠體的存在，因此可大幅提高半導體元件之熱傳導面積 與熱傳導速率。 待金屬散熱座122之製作完成後，即可移除膠帶102與 暫時基板100，而暴露出光電元件1 〇8a之一側與設於此側之

電極110和112、以及光電元件1〇8a所在之金屬薄層114 一 側的表面’如第6圖所示。由於金屬薄層114和光電元件i〇8a 係藉由膠帶1 02而貼設在暫時基板丨〇〇上，因此相當輕易即 可將散熱金屬座122、金屬薄層114、光反射層120及光電元 件1 0 8 a與暫時基板1 〇 〇分開。 接下來，可利用黏貼方式，以黏著膠體140將數個電極 墊I28與I34黏貼固定在光電元件108a周圍之金屬薄層114 、冰蕗表面上如第7圖所示。電極墊主要包括絕緣層 124與導電層126，其中絕緣層124透過黏著膠體14〇而接合 在金屬薄@ 114之表面上，而導電$ 126則設在絕緣層⑵ 广。同樣地，電極*134主要亦包括有絕緣層i3 =Γ:、Γ3。透過黏著膠體14。而接合在金屬薄層二 二二電層m則設在絕緣層13°上。在本發明中， Α兀件至少具有電性不同之二電極，因此—^ 半導體元件較佳係與二 口此母個 於-電極墊。 墊搭配，亦即母個電極分別對應 J W用打線方式形成至 /、、、 連接光電元件之電極U。與電極塾二之導電層 13 1297537 極112與電極塾134之導電層⑴，以分別電性連接電極110 與電極塾128以及電極112與電極塾134，如帛8圖所示。在 本發明中’同電性之電極與電極塾之間不一定只利用一條導 線來連接，舉例而言，正電極可利用四條導線來與正電極墊 連接，而負電極則可利用三條導線來與負電極墊連接，因此 每-電性電極與同電性之電極墊之間至少f設置—條導線， 但同電性之電極與電極墊之間的連接導線的數量可隨晶片設 計需未而予以增減。由於外部電路（未繪示）之導線較為粗大， 而光電元件u)8a等半導體元件的電㉟⑴肖ιΐ2之尺寸較 小，^不利於外部電路直接與此二電極11〇與ιΐ2接合，因此

尺寸遠大於電極110盘]〗P 包位11U興之電極墊128與134的設置，使外 部電路可㈣地與之接合。#由在光電元件购周圍的金屬 薄層114的表面上設置轉制之電極墊128與134，再透過打 線接合的技術，光電元件1083上之電極110肖112可分別透 過導線136與電極塾128、以及導線138與電極塾134，順利 與接合在電㈣128 & 134之外部電路電性連接，而無需再 透過電路板。 “本毛月之另一特徵就是因為金屬散熱座上設置有轉接用 電♦墊不僅有利於半導體元件之電極與外部電路之電性 連接’而無需再透過電路板，更因為金屬散熱座無需設置於 電路板上，因此可金屬散熱座完全發揮其散熱功能。 由上述本發明較佳實施例可知，本發明之一優點就是因 為本發明之半導體元件之嵌入式金屬散熱座具有至少一電極 墊，可作為半導體元件之正負極與外部電路之間電性連接的 14 1297537 轉接電極，因士卜可/由山 > 人裔 使肷汉在金屬散熱座上之半導體元件與外 "“碩利連接，而可省卻電路板的使用。 因為本發明較佳實施例可知，本發明之另-優點就是 至電㈣卜之+導體Μ之巍人式金屬散熱座可無需再貼設 I Τ使其上之半導體元件肖外部電路電性連 接，因此可確實發揮金屬散熱座之散熱效能。 由上述本發明較佳實施料知，本發明之又 因為本發明之丰莫騁&姓4山 1支.··、£厅尤疋 、秀㈣丰 肷入式金屬散熱座的製造方法， =㈣辅助，可直接將金屬散熱座沉積在半導體元件之 履面上，而無需透過膠體 製程簡單且可靠度高，更可J 合 因此不僅 、四 又 、速且有效地降低元件運轉時之 ，皿又到確保70件之操作品質以及延長元件之壽命的目的。 然本發明已以一較佳實施例揭露如上，然其並非用以 限疋t發明任何在此技術領域中具有通常知識者，在不脫 明之精神和範圍内’ t可作各種之更動與潤都， 本1明之保護範圍當視後附之巾請專利範圍所界定者為準。 【圖式簡單說明】 請參照第1A圖至第8圖’其繪示依照本發明 例的一種半導體元件之嵌人式金屬散熱座的 = 對應之上視圖。 j ^圖與相 102 :膠帶 【主要元件符號說明】 100 :暫時基板 15 1297537 104 ： 表面 106 ： 108a :光電元件 108b 110 : 電極 112 ： 114 ： 金屬薄層 116 ： 118 ： 金膜 120 ： 122 ： 金屬散熱座 124 ： 126 ： 導電層 128 ： 130 ： 絕緣層 .；V 132 ： 134 ： 電極塾 136 ： 138 ： 導線 140 ： 表面 :光電元件 電極 銀膜 光反射層 絕緣層 電極塾 導電層 導線 黏著膠體

16

Claims (1)

1. Ϊ297537 十、申請專利範圍 h 一種半導體元件之嵌入式金屬散熱座，至少包括： 金屬薄層，具有相對之一第一表面以及一第二表面， 其中至少一半導體元件嵌設在該金屬薄層之該第一表面 中’且該半導體元件具有電性相反之二電極； —金屬散熱座，接合於該金屬薄層之該第二表面；以及 一 一電極墊，設在該半導體元件周圍之該金屬薄層之該第 、面上，並分別對應於該些電極，其中該些電極透過至少 一導線而分別與對應之該些電極墊電性連接，且該些電極墊 與一外部電路電性連接。 八2·如申請專利範圍第1項所述之半導體元件之嵌入式 金屬散熱座，其中該半導體元件係一光電元件。

   •如申明專利範圍帛1項所述之半導體元件之嵌入式 =散熱座，其㈣半導體㈣係、選自於由發光二極體以及 每射二極體所組成之一族群。 4.如中請專利範圍第3項所述之半導體元件之嵌入式 祖屬放熱座’其令4半導體^件主要係由—化合物半導體材 π所組成’ m合物半導體材料為氮化 、 _麵㈣材料、硫化料列材料、或碳切系η 17 1297537 5·如申請專利範圍第3項所述之半導體元件之嵌入弋 孟屬政熱座，其中該些電極分別位於該半導體元件之相' 側上。 中二 人6·如_請專利範目帛3工員所述之半導體元件之嵌入式 金屬散熱座，其中該些電極位於該半導體元件暴露出之 側上。 — 八7·如申請專利範圍第1項所述之半導體元件之嵌入式 金屬散熱座，其中該金屬薄層係一多層金屬堆疊結構。工 8.如申請專利範圍第丨項所述之半導體元件之嵌入式 金屬散熱座，其中該金屬薄層係一單層金屬結構。 工 八：如申請專利範圍帛i項所述之半導體元件之嵌入式 巫屬政熱座’其中該金屬薄層之材料係具附著力金屬，且該 金屬薄層之材料為鎳、鉻、鈦或上述金屬之合金。 ^0·如申請專利範圍第！項所述之半導體元件之嵌入式 金屬放熱座’其中該金屬薄層之材料係、具高光反射率金屬， 且該金屬薄層之材料為銀、鈿、銘、金、鎳、鈦或上述金屬 之合金。 U·如申請專利範圍第丨項所述之半導體元件之嵌入式 18 * 1297537 金屬散熱座，其中該金屬薄層之厚度實質小於1〇 u Μ ΓΠ 〇 12·如申請專利範圍第1項所述之半導體元件之嵌入式 金屬散熱座，其中該金屬薄層之厚度為.實質l〇nm。 13.如申請專利範圍第1項所述之半導體元件之嵌入气 金屬散熱座，其中該金屬散熱座之材質為鐵/鎳合奋 鎳、鋁、鎢、或其合金。 I4·如申請專利範圍第1項所述之半導體元丰 1丁心肷入式 金屬散熱座，其中該金屬散熱座之厚度實質大於1〇以历 15·如申請專利範圍第1項所述之半導體元件之喪入式 金屬散熱座，其中該金屬散熱座之厚度為實質3mm。 16.如申請專利範圍第丨項所述之半導體元件之嵌入式 金屬散熱座，其中該金屬散熱座係由一電鍍金屬層或一無電 電鍍金屬層所組成。 17·如申請專利範圍第丨項所述之半導體元件之嵌入式 金屬散熱座，其中每一該些電極墊包括： 一絕緣層’位於該金屬薄層之該第一表面上；以及 一導電層，位於該絕緣層上。 19 1297537 18·如申請專利範圍第17項所述之半導體元件之喪入 • 式金屬散熱座，其中每一該些電極墊之該絕緣層與下方之該 Ρ 金屬薄層之該第一表面之間更設有一黏著膠體，以固定該些 電極墊於該金屬薄層上。 翁 19·如申請專利範圍第i項所述之半導體元件之嵌入式 金屬散熱座，更至少包括一光反射層設於該金屬散熱座與該 I 金屬薄層之間。 20·如申請專利範圍第19項所述之半導體元件之嵌入 式金屬散熱座，其中該光反射層之材料為銀、鉑、鋁、金' 鎳、鈦、或上述金屬之合金。 21·如申請專利範圍第19項所述之半導體元件之嵌入 式金屬散熱座，其中該光反射層係一多層複合金屬結構。 1 22.如申請專利範圍第21項所述之半導體元件之嵌入 式金屬散熱座，其中該光反射層係由一銀膜與一金膜堆疊而 成，且該銀膜與該金屬薄層接合。 且 、23.如申請專利範圍第22項所述之半導體元件之嵌入 式金屬散熱座，其中該銀膜之厚度為實質3〇〇nm，且該金膜 之厚度為實質150nm。 20 1297537 24. 如申請專利範圍第19項所述之半導體元件之嵌入 式金屬散熱座，其中該光反射層之厚度實質小於10/zm。 25. —種半導體元件之嵌入式金屬散熱座的製造方 法，至少包括： 提供一膠帶，其中該膠帶具有相對之一第一表面以及一 第二表面，且該朦帶之該第一表面黏貼於一暫時基板之一表 面上； 提供至少一半導體元件，其中該半導體元件具有相對之 一第一側以及一第二側，且該半導體元件之該第一側壓設於 該膝帶之該第二表面之一部分中，並使該半導體元件之該第 一側暴露出’且該半導體元件具有電性不同之二電極； 形成一金屬薄層於該半導體元件之該第二側以及該膠 帶之該第二表面之一暴露部分上，其中該金屬薄層之一表面 的一部分與該半導體元件之該第二側接合； 形成一金屬散熱座於該金屬薄層上； 移除該膠帶與該暫時基板，以暴露出該半導體元件以及 該金屬薄層之該表面；以及 設置複數個電極墊於該半導體元件周圍之該金屬薄層 之該表面的暴露部分上，其中該些電極墊分別對應於該半導 體元件之該些電極，且該些電極可透過至少二導線而分別與 對應之該些電極墊電性連接。 26·如申請專利範圍第25項所述之半導體元件之嵌入 21 1297537 式金屬散熱座的製造方法，其中該膠帶之 ^ #^ ^ <咸弟一表面與該第 一表面均有黏性。 v 27·如申請專利範圍第25項所述 式金屬散熱座的製造方法，其中該膠帶 性之材料。

   之半導體元件之嵌入 之材貝為具而才酸驗特 28·如申請專利範圍第25項所述之半導體元件之谈入 式金屬散熱座的製造方法，其中該膠帶之厚度大於實質Μ // m。 、 29·如申請專利範圍第25項所述之半導體元件之嵌入 式金屬散熱座的製造方法，其中該半導體元件係一光電一 件。 ％ 30·如申請專利範圍第29項所述之半導體元件之嵌入 式金屬散熱座的製造方法，其中該半導體元件係選自於由發 光二極體以及雷射二極體所組成之一族群。 31·如申清專利範圍第29項所述之半導體元件之嵌入 式金屬散熱座的製造方法，其中該半導體元件主要係由一化 合物半導體材料所組成，且該化合物半導體材料為氮化鎵系 列材料、填化铭鎵銦系列材料、琉化錯糸列材料、或碳化石夕 系列材料。 22 1297537 • 、 32·如申請專利範圍第29項所述之半導體元件之嵌入 - 式金屬散熱座的製造方法，其中該些電極分別位於該半導體 元件之相對二側上。 ! 3 3 、 ·如申請專利範圍第29項所述之半導體元件之散入 式金屬散熱座的製造方法，其中該些電極位於該半導體元件 之该第一側上。 34丑如申請專利範圍第25項所述之半導體元件之嵌入 疊^政熱座的製造方法，其中該金屬薄層係—多層金屬堆 •如申請專利範圍第25項所述之半導體元件之嵌入 構:散熱座的製造方法，其中該金屬薄層係一單層金屬結 1 36·如申請專利範圍第25項所述之半導體元株夕十入 式金屬散熱座的製造方法，豆、 甘欠 力金屬，且今全屬4層之材料係具附著 金。 4金屬薄層之材料為錄、鉻、鈦或上述金屬之合 37·如申請專利範圍第25項所述之 式金屬散熱座的製迕方> 入 導體兀件之肷入 的“方法，其中該金屬薄層之材料係具高光 23 1297537

   反射率金屬，且該金屬薄層之材料為銀 鈦或上述金屬之合金。 25項所述之半導體元 …丨4心干令體元件之嵌入 其中該金屬薄層之厚度實質、 38·如申請專利範圍第 式金屬散熱座的製造方法， 1 0 // m 〇 項所述之半導體元件之喪 如申請專利範圍第25 式金屬散熱座的製造方法，其中該金屬薄層之厚度每所 10nm。 又…汽質 4〇_如申請專利範圍第25項所述之半導體元件之嵌 式金屬散熱座的製造方法，其中形成該金屬薄層之步驟係利 用蒸鑛沉積法、濺鍍沉積法、或無電電鍍法。 41·如申請專利範圍第25項所述之半導體元件之私 式金屬散熱座的製造方法，其中該金屬散熱座之材質為織/ 鎳合金、銅、鎳、鋁、鎢、或其合金。 42.如申請專利範圍第25項所述之半導體元件之嵌人 式金屬散熱座的製造方法，其中該金屬散熱座之厚度實質大 於 1 0 // m 〇 43·如申請專利範圍第25項所述之半導體元件之嵌人 24 1297537 式金屬散熱座的制、生 〕衣xe方法，其中該金屬散熱座之厚度為實質 3mm 〇 44玉如申請專利範圍帛25，所述之半導體元件之銀入 ' …、座的製造方法，其中形成該金屬散熱座之步驟係 禾用電鍍方式或無電電鍍方式。 h 請專利範圍第25項所述之半導體元件之嵌入 工、’政熱座的製造方法，其中每-該些電極墊包括： 、、、緣層，位於該金屬薄層之該第一表面上；以及 導電層，位於該絕緣層上。 式金4屬t請專利範圍第25項所述之半導體元件之後入 β ‘、’、主的製造方法，其中設置該些電極墊之步驟包括 ^著膠體將每—該些電極墊之該絕緣層^ 屬溥層之該第一表面上。 金 47·如巾請專利範11第25項所述之半導體元件 式金屬散熱座的f i生古、么士、# I Μ㉝< 甘入入 版 法，形成該金屬溥層之步驟與形成該 金屬政熱座之步驟之間，更至少包括形成 成名 屬薄層上。 尤汉射層於該金 48·如中請專利範15第47項所述之半導體元 七 式金屬散熱座的製 敗入 I k方法，其中形成戎先反射層之步驟係利 25 1297537 用蒸鍍沉積法、璐施 丄 ’賤鍍沉積法、無電電鍍法 49. 如φ 士太击 叫專利範圍第47項所述之半導體元件之嵌入 式金屬散熱座的，、生 ,^ ax m, ^ ^ 旧I造方法，其中該光反射層之材料為銀、 鉑、鋁、金、鎳、 ’、 鈦、或上述金屬之合金。

   50.如申請專利範 式金屬散熱座的製造方 屬結構。 圍第47項所述之半導體元件之喪入 法，其中該光反射層係一多層複合金 5 I如申睛專利範圍f 50項所述之半導體元件之鼓入 式金屬散熱座的製造方、土# 入 去’其中該光反射層係由一銀膜盘一 金膜堆豐而成，且今相时fc 这銀膜與該金屬薄層接合。 項所述之半導體元件之嵌入 其中該銀膜之厚度為實質 1 5Onm 〇

   5 2 ·如申清專利範圍第5 1 式金屬散熱座的製造方法， 300nm，且該金膜之厚度為實質 〜〜亍等體元件之嵌入 其中該光反射層之厚度實質小於 53·如申請專利範圍 式金屬散熱座的製造方法 10 // m 〇 26