TWI297098B - - Google Patents

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TWI297098B
TWI297098B TW093129889A TW93129889A TWI297098B TW I297098 B TWI297098 B TW I297098B TW 093129889 A TW093129889 A TW 093129889A TW 93129889 A TW93129889 A TW 93129889A TW I297098 B TWI297098 B TW I297098B
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Kenji Hayashi
Ayae Endo
Ryoichi Nozawa
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Description

1297098 (1) 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於採用將供給電流或施加電壓之電氣方式 作用變換爲亮度(等級)或透過率之變化的光學方式作用 之光電元件來顯示畫像的技術。 【先前技術】 採用有機發光二極體(以下稱爲[OLED ( Organic Light Emitting Diode)])元件等之光電元件來顯示畫像 的裝置係大致區分爲根據由配列爲矩陣狀之複數畫素而顯 示多樣之畫像的點矩陣型與,將特定的畫像以固定方式顯 示之程序段型,之中針對程序段型之光電裝置係例如如曰 本特開200 1 -24408 1號公報所揭示,根據圖案化成打算顯 示畫像形狀之電極來驅動光電元件。 【發明內容】 針對程序段型之光電裝置係因需要對於每個所顯示之 畫像作成爲了將電極圖案化之光罩,故有爲了重新製造不 同畫像之光電裝置而需要極大的成本的問題,而本發明之 目的係爲降低對於變更所顯示之畫像所需之成本,而爲了 達成此目的,有關本發明之光電裝置係有以下所示之第1 乃至第4之特徵,然而,針對本發明之光電裝置係指將供 給電流或施加電壓之電氣方式作用變換爲亮度(等級)或 透過率之變化的光學方式作用之元件’而光電元件之典型 -5- (2) 1297098 的例係爲有機電致發光元件或發光聚合物等之有機發光二 極體(OLED )元件,另外,有關本發明隻光電裝置係作 爲各種電子機器之顯示裝置所採用之。 而有關本發明之光電裝置之第1特徵係具備有平板狀 之基材與,設置於區劃在基材表面之複數單位範圍之第1 電極與,對於第1電極設置在與基材相反側之第2電極與 ,選擇性地設置在複數單位範圍之中爲構成規定畫像之單 位範圍的畫素範圍,介在於第1電極與第2電極之間的光 電元件之情況,而此型態之具體型態係作爲第1實施型態 後述之。 如根據此構成,根據對於因應所期望之畫像所選擇之 畫素範圍設置光電元件之情況來顯示其畫像,因此,即使 爲重新製造顯示不同畫像之光電裝置的情況,也不需要對 每個畫像準備爲了將各電極進行圖案化之光罩,隨之,如 根據本發明,將可降低顯示各個不同畫像之光電裝置的製 造成本。 針對複數的單位範圍之中畫素範圍以外之單位範圍( 非畫素範圍),當第1電極與第2電極以電氣方式導通時 ,而驅動畫素範圍的光電元件時’對於非畫素範圍之第1 電極與第2電極流動電流而造成電力的浪費,因此,針對 在具有第1特徵之光電裝置的期望型態,對於複數的單位 範圍之中爲畫素範圍以外之單位範圍的非畫素範圍係設置 使第1電極與第2電極電氣方式絕緣之絕緣體’而如根據 此型態’因針對在非畫素範圍沒流動電流於第1電極與第 -6- (3) 1297098 2電極之間而降低消耗電力。 而有關本發明之光電裝置的第2特徵係具備有平板狀 之基材與,設置於區劃在基材表面之複數單位範圍之第1 電極與,對於第1電極設置在與基材相反側之第2電極與 ,設置在各自複數單位範圍並介在於第1電極與第2電極 之間的光電元件與,選擇性地設置在複數單位範圍之中 爲構成規定畫像之單位範圍以外之單位範圍的非畫素範圍 而使第1電極與第2電極電氣方式絕緣之絕緣體之情況。 如根據此構成,根據對於因應所期望之畫像所選擇之 非畫素範圍設置絕緣體,並設置在畫素範圍之光電元件來 顯示其畫像,因此,即使爲重新製造顯示不同畫像之光電 裝置的情況,也不需要對每個畫像準備爲了將各電極進行 圖案化之光罩,隨之,如根據本發明,將可降低對重新製 造光電裝置所需之成本。 針對在具有第1或第2特徵之光電裝置的適當型態, 於基材的表面設置從垂直方向來看與光電元件之一部份重 疊的同時,介在於第1電極與第2電極之間的部份絕緣體 ,如根據此型態,從光電元件所發射而射出至觀察側的光 量(或透過光電元件射出至觀察側之光量)則因由因應畫 素範圍之中部份絕緣體之佔比所決定,故實現豐富之等級 顯示,例如,對於各光電元件之施加電壓則包括所有的單 位範圍爲相等之情況’根據各光電元件之顯示等級係因應 與其光電元件重疊地來設置之部份絕緣體大小而有所差異 ’換g之’將不需要封於每個各等級作不同之電氣方式作 -7- 1297098 ‘ (4) 用的裝置(例如對於每個各單位範圍將對光電元件之施加 電壓作爲不同之裝置)而實現等級顯示。 更加地針對其他型態,利用設置隔壁於相互鄰接之單 位範圍之各間隙,並光電元件係被設置在由隔壁所包圍之 .範圍內,而如根據此型態,根據使包含光電物質之液滴附 著於由隔壁所包圍之單位範圍之情況來形成光電元件之比 較低廉的方法(液滴吐出法),當然根據除此以外的方法 亦可形成光電元件。 針對在具有第1或第2特徵之光電裝置的其他型態, 第1電極及第2電極之各自係爲跨越複數單位範圍作爲連 續之單一的電極,而如根據此型態,因不需將第1電極及 第2電極成形(圖案化)爲微細之配線的圖案而更謀求降 低製造成本,但,亦可將第1電極作爲設置在各自不同之 單位範圍的複數畫素電極之構成所採用,而如根據此構成 ,對於形成在各單位範圍之畫素電極,施加不同之電壓, 例如將複數單位範圍區分作因應各自不同顏色之2以上的 組群時,如使施加於設置在各單位範圍之畫素電極的電壓 作爲不同於每個該單位範圍之所屬之組群,將可得到對於 每個各色不同之光學的特性,而更加地,針對在將第1電 極作爲複數畫素電極之型態係根據具有規定電阻率之導電 性材料來設置介在於第1電極與第2電極之間的電阻層, 而如根據此型態,不論哪個畫素電極與第2電極由任何原 因’假設即使發生短路,亦可防止對於藉由配線接續至其 畫素電極之其他畫素電極(及因應其畫素電極之光電元件 -8- (5) 1297098 )由該短路所波及之影響。 有關本發明之光電裝置之第3特徵係具備有平板狀之 基材與,於基材表面配列成面狀之複數畫素電極與,設置 各自於各畫素電極之面上的複數光電元件與,夾合各光電 元件而對向於複數畫素電極之對向電極與,選擇性地設置 在複數畫素電極之中因應規定畫像所選定之1以上之畫素 電極與電源電路之間來使該1以上之畫素電極與電源電路 導通之導通部之情況,而此構成之具體型態係作爲第2實 施型態及第3實施型態來後述之。 如根據此構成,選擇性地設置使因應規定畫像所選定 之畫素電極與電源電路導通之導通部,隨之,即使爲重新 製造顯示不同畫像之光電裝置的情況,也不需要對每個畫 像準備爲了將各電極進行圖案化之光罩,因此,如根據本 發明,將可降低對重新製造光電裝置所需之成本。 而針對在有關第3特徵之光電裝置的其他型態係設置 接續於電源電路之配線的另一方面,導通部則設置在1以 上之畫素電及與配線之間,而如根據此型態,關於複數之 畫素電極的各自,因區別對於電源電路之電氣方式之接續 的有無,故顯示更多樣之畫像,然而,此型態之具體的型 態係作爲第2實施型態後述之,另一方面,針對在本發明 之其他型態係各自設置接續複數畫素電極之複數配線的另 一方面,導通部係設置在接續於複數配線之中因應規定畫 像所選擇之1以上之畫素電極的各配線與電源電路之間, 而如根據此型態,因對每個對於各配線共通所接續之1或 -9- (6) 12970½ 複數畫素電極,選定對於電源電路之電氣方式之接續的有 無而謀求構成之簡略化,然而,此型態之具體的型態係作 爲第3實施型態後述之。 有關本發明之光電裝置之第4特徵係具備有平板狀之 基材與,於基材表面配列成面狀之複數畫素電極與,設置 各自於各畫素電極之面上的複數光電元件與,夾合各光電 元件而對向於複數畫素電極之對向電極與,爲各自設置在 畫素電極與電源電路之間來使該畫素電極與電源電路導通 之複數導通部,而其中各自的電阻値則因應規定的畫像來 選定之複數導通部之情況,而,此型態之具體的型態係作 爲第4實施型態後述之。 如根據此構成,根據適當地選定介在於各畫素電極與 電源電路之間的導通部之電阻値情況來顯示所期望之畫像 (特別是多等級之畫像),隨之,即使爲重新製造顯示不 同畫像之光電裝置的情況,也不需要對每個畫像準備爲了 將各電極進行圖案化之光罩,因此,如根據本發明,將可 降低對重新製造光電裝置所需之成本。 而針對在有關第4特徵之光電裝置的其他型態係設置 接續於電源電路之配線的另一方面,複數導通部之各自則 設置在各畫素電及與配線之間,而如根據此型態,關於複 數之畫素電極的各自,因選定從該畫素電極至電源電路之 經路的電阻値,故顯示更多樣之畫像,另外,針對在此型 態,各導通部之電阻値係根據接續各畫素電極與配線之導 通部或形成導通部之導電性材料種類之各種要素所訂定, -10- (7) 1297098 而另一方面,針對在本發明之其他型態係各自設置接續1 或複數畫素電極之複數配線,並設置複數導通部之各自於 各配線與電源電路之間,如根據此型態,因對於每個對各 配線共通所接續之1或複數畫素電極選定至電源電路之經 路的電阻値而謀求構成之簡略化。 然而,針對在具有上述3及4之特徵的光電裝置之期 望型態係根據由具有規定電阻率之導電性材料所形成,設 置介在於畫素電極與對向電極之間的電阻層而如根據此型 態,不論哪個畫素電極與對向電極由任何原因’假設即使 發生短路,亦可防止對於與其畫素電極進行導通之其他畫 素電極由該短路所波及之影響,針對在此型態係電阻層從 光電元件來看,設置在與觀察側(即,辨識所顯示之畫像 之觀察者位置側)相反側之情況則爲理想,而針對在此型 態係從光電元件所射出的光(或透過光電元件的光)係不 必經由電阻層而射出至觀察側,隨之,控制了光的損失而 維持良好的顯示品質。 另外,針對在具有3及4之特徵的光電裝置,於基材 的面上設置具有開口部之膜體,並亦可採用設置導通部在 由該開口部內周緣所包圍之範圍內之構成而得到,如根據 此構成,利用根據使包含導電性材料之液滴附著於由開口 部所包圍之範圍內之情況來形成導通部之比較低廉的方法 Γ液滴吐出法),當然根據除此以外的方法亦可形成導通 部。 具有第1乃至第4之特徵的光電裝置係根據包含以下 -11 - (8) 1297098 所示之第1乃至第4之特徵的方法來各自製造。 有關本發明之製造方法的第1特徵係具有形成第1電 極於區劃在平板狀基材表面之複數單位範圍之工程與,選 擇性地形成光電元件於複數單位範圍之中爲構成規定畫像 之單位範圍之畫素範圍的工程與,夾合光電元件形成與第 1電及對向之第2電極的工程之情況,如根據此製造方法 ,因根據選擇性地形成光電元件於複數單位範圍之一部分 的情況來得到顯示規定畫像之光電裝置,故無須對於每個 打算顯示之畫像準備不同的光罩,隨之,如根據本發明, 將降低爲了製造新的光電裝置之成本。 有關本發明之製造方法的第2特徵係具有形成第1電 極於區劃在平板狀基材表面之複數單位範圍之工程與,形 成光電元件於複數單位範圍之各自的工程與,夾合光電元 件形成與第1電及對向之第2電極的工程與,形成使第1 電極與第2電及電氣絕緣於複數單位範圍之中爲構成規定 畫像之單位範圍以外之單位範圍之非晝素範圍的絕緣體之 工程的情況,如根據此方法,因根據選擇性地形成絕緣體 於複數單位範圍之一部分的情況來得到顯示規定畫像之光 電裝置,故無須對於每個打算顯示之晝像準備不同的光罩 ,隨之,如根據本發明,將降低爲了製造新的光電裝置之 成本。 針對在具有第1或第2特徵之製造方法之中形成光電 元件之工程係從吐出口吐出含有光電物質之液滴,並根據 附著此液滴於基材上之情況來形成光電元件,而如根據此 -12- (9) 1297098 方法則更降低製造成本,而更加地,針對在比起 元件之工程還之前之工程,其中實施形成隔壁於 之單位範圍之各間隙的工程之另一方面,形成光 工程係也希望爲使包含光電物質之液滴附著於由 圍之範圍內之方法,而如根據此方法,光電元件 形成在所期望的位置,另一方面,絕緣體亦由液 所形成得到,即,針對在有關本發明之製造方法 絕緣體之工程係從吐出口吐出含有光電物質之液 據附著此液滴於基材上之情況來形成絕緣體。 另外,對於實施於基材表面從垂直的方向來 電元件之一部份重疊地形成介在於第1電極與第 間的部分絕緣體之工程的情況係從吐出口吐出含 物質之液滴,並根據將此液滴附著於基材上之情 部分絕緣體的情況則爲理想,而如根據此方法, 縮術技術來形成部分絕緣體之情況作比較,則降 本。 然而,針對在具有第1或第2特徵之製造方 特別明示有各工程之前後關係之情況,而實施各 序係可爲任意,例如,針對在有關第1特徵之製 將不問由任何順序來實施形成第1電極之工程與 電元件之工程與,形成第2電極之工程(針對在 特徵之製造方法係更加上形成絕緣體之工程)。 另一方面,有關本發明之製造方法的第3特 使複數畫素電及配列成面狀形成在基材表面之工 形成光電 相互鄰接 電元件之 隔壁所包 則確實地 滴吐出法 之中形成 滴,並根 看,與光 2電極之 有絕緣性 況來形成 與根據微 低製造成 法係除了 工程之順 造方法, ,形成光 有關第2 徵係具有 程與,形 -13- (10) 1297098 成光電元件於各畫素電極面上之工程與’夾合各光電元件 來形成對向於複數畫素電極之對向電極的工程與’選擇性 地形成使複數畫素電極之中因應規定畫像所選定之1以上 的畫素電極與電源電路導通之導通部的工程’而如根據此 方法,因根據選擇性地形成使畫素電極與電源電路導通之 導通部的情況而得到顯示規定畫像之光電裝置’故無須對 於每個打算顯示之畫像準備不同的光罩’隨之’如根據本 發明,將降低爲了製造新的光電裝置之成本。 有關本發明之製造方法的第4特徵係具有使複數畫素 電及配列成面狀形成在基材表面之工程與’形成光電元件 於各畫素電極面上之工程與,夾合各光電元件來形成對向 於複數畫素電極之對向電極的工程與’以因應規定畫像來 選定各自之電阻値來形成使各畫素電極與電源電路導通之 複數導通部之工程,而如根據此方法’因根據適當選定介 在於畫素電極與電源電路之間的各導通部之電阻値情況而 得到顯示規定畫像之光電裝置,故無須對於每個打算顯示 之畫像準備不同的光罩,隨之,如根據本發明,將降低爲 了製造新的光電裝置之成本。 針對在具有第3或第4特徵之製造方法之中形成導通 部之工程係從吐出口吐出含有導電性材料之液滴,並根據 將此液滴附著於基材上之情況來形成導通部的情況則爲理 想,而如根據此方法,與根據微縮術技術來形成導通部之 情況作比較,則降低製造成本。 然而,針對在具有第3或第4特徵之製造方法,實施 -14- (11) 1297098 各工程之順序係可爲任意,例如,針對在有關第3特徵之 製造方法,由任何順序來實施形成複數畫素電極之工程與 ,形成光電元件之工程與,形成對向電極之工程與,形成 導通部之工程。 【實施方式】 [爲了實施發明之最佳型態] 邊參照圖面邊說明本發明之實施型態,然而,在以下 之中係作爲光電元件例示有對於採用OLED元件之光電裝 置適用本發明之型態,但,本發明所適用的範圍並不限定 於此,另外,針對在以下所示之各圖係將各構成要素的尺 寸或比例與實際的構成作適當的不同比例尺寸。 < A :第1實施型態> <A—1:光電裝置之構成> 圖1係表示有關本實施型態之光電裝置的構成方塊圖 ,而如同圖所示,此光電裝置10係具有顯示面板1與電 源電路8,而如圖1及圖2 (顯示面板1之剖面圖)所示 ,顯示面板1係具有平板狀之基材10,而基材10係由玻 璃或壓克力而成,而有關本實施型態之顯示面板1係爲從 後述之OLED元件所發射的光透過基材1 〇射出於觀察側 (針對圖2之下側)之底部放射型的面板。 基材1 0的表面係跨越X方向及γ方向區劃在配列爲 矩陣狀之多數的範圍(以下稱爲[單位範圍])5 1,而如圖 - 15- (12) 1297098 1及圖2所示,對於基材10之表面上係形成有作爲〇LED 元件之陽極發揮機能之複數畫素電極11,而這些畫素電 極1 1係爲設置在每各單位範圍5 1之矩陣狀電極,而各畫 素電極1 1係例如根據具有銦錫氧化物(IT 0 : I n d i u m T i η Oxide )等之光透過性的導電性材料所形成之,更加地, 對於鄰接於X方向之各畫素電極1 1的間隙係形成有配線 1 2,而這些配線1 2係延伸存在於Y方向而一端則接續於 電源電路8,而排列於Y方向之畫素電極1 1係藉由共通 之配線12來接續於電源電路8,而如圖2所示,對於設 置有畫素電極1 1及配線1 2之基材1 〇的表面係形成間隔 各單位範圍5 1之隔壁14,此隔壁14係於X方向或Y方 向,與相互鄰接之單位範圍5 1之各間隙重疊地形成爲格 子狀而從基材1 〇表面突出,而根據隔壁1 4來圍住周圍所 區劃之範圍則相當於單位範圍5 1,各配線1 2係如圖2所 示根據格子狀隔壁1 4之中延伸存在於γ方向的部分所包 覆。 另一方面,設置複數畫素電極11之基材10的表面係 根據對向電極1 5所包覆,而此對向電極1 5係接續於電源 電路8,並作爲OLED元件之陰極而發揮機能,對向電極 15係爲跨越複數單位範圍51而作爲連續之單一的電極, 而對向電極1 5係根據具有鋁或銀等之單體金屬或將這些 金屬作爲主成份含有之合金等光反射性之導電性材料所形 成之,而形成對向電極15之基材1〇的表面係跨越其全域 由封合層1 7所包覆,而此封合層1 7係爲爲了防止氧或水 -16- (13) 1297098 分侵入至基材1 〇側的層,而根據封合層1 7來防止形成在 基材10上之對向電極15或發光層60根據氧或水分等之 接觸而劣化之情況。 另一方面’電源電路8係爲供給電力於各畫素電極 1 1及對向電極1 5之電路,而當爲詳述時,電源電路8係 藉由配線1 2來施加高位側之電源電壓於各畫素電極1 1之 另一方,對於對向電極1 5來施加低位側之電源電壓(接 地電位)。 有關本實施型態之光電裝置101係爲固定性顯示特定 的畫像(以下稱爲[對像畫像])之裝置,而爲了實現此顯 示,從多數之單位範圍5 1之中只對於作爲相當於構成對 象畫像之各點的構成所選擇之複數單位範圍5 1設置成爲 光電元件之OLED元件21,而當更加詳述時,對於多數 之單位範圍51之中構成對象畫像之單位範圍5 1 (在以下 之中係特別是有[畫素範圍5 1 1 ]之情況)係如圖2所示, 放入至將畫素電極11作爲底面由隔壁14圍住四方之空間 地設置OLED元件21,而各OLED元件21係介在於畫素 電極1 1與對向電極15之間,而此OLED元件21係從畫 素電極1 1側來看具有依正孔注入層,正孔輸送層,發光 層,電子輸送層及電子注入層順序之堆積構造,而各畫素 範圍51 1之OLED元件21係發射因應紅色,綠色及藍色 任何顏色之波長的光。 圖3係爲表示顯示各色OLED元件2〗之配列型態之 平面圖,而從針對同圖之II - II線來看之剖面圖則相當於 -17- (14) 1297098 圖2,而如圖3所示,同一色之〇 L E D 2 1係配置在排列於 Y方向之複數畫素範圍(所謂條紋配列)。 另一方面,如圖2及圖3所示,對於多數之單位範圍 5 1之中畫素範圍5 1 1以外之單位範圍5 1 (即爲非相當於 構成對象畫像之各點的單位範圍5 1 ’在以下之中係特別 有[非畫素範圍512]之情況)並無設置OLED元件21,而 取代此,對於各非畫素範圍5 1 2係如圖2所示,放入至將 畫素電極1 1作爲底面由隔壁1 4圍住四方之空間地設置絕 緣體3 0,而此絕緣體3 0係根據具有電氣絕緣性之材料所 形成之。 隨之,各絕緣體3 0係介在於畫素電極11與對向電極 1 5之間而將兩者進行電氣絕緣,當依據以上的構成,從 電源電路8施加電壓於各畫素電極11及對向電極15之間 時,只配置於畫素範圍51 1之OLED元件21則對於各色 進行發光顯示對象畫像,在此,針對在無設置絕緣體3 0 於非畫素範圍5 1 2之構成係因成爲導通畫素電極1 1與對 向電極1 5之情況,故在顯示對象畫像時,電流亦流動於 非畫素範圔5 1 2而造成電力的浪費,對於此,如本實施型 態如根據設置絕緣體3 0之構成,因畫素電極1 1與對向電 極1 5根據絕緣體3 0所絕緣,故電流不會流動至非晝素範 圍5 1 2,隨之,降低消耗電力,不過,如消耗電力不成爲 問題,亦可採用無設置絕緣體3 0於非畫素範圍5 1 2之構 成(即,導通畫素電極1 1與對向電極1 5之構成)而得到 ,另外,設置由正孔注入層,正孔輸送層,發光層,電子 -18- (15) 1297098 輸送層及電子注入層而成之OLED元件21於 5 1 1之另一方面,亦可採用對於非畫素範圍5 1 2 各層之中至少不設置發光層之構成而得到,而根 亦根據在多數之單位範圍5 1之中選擇性地只使 5 1 1發光的情況來顯示對象畫像。 另外,如圖2及圖3所示,對於在複數畫蒙 之中因應構成對象畫像之各點的等級所選擇之 5 1 1 (例如針對在圖2之左側的畫素範圍5 1 1 ) 的方向來看與OLED元件21之一部份重疊地設 緣體22於基材10之表面,而此部分絕緣體22 畫素電極1 1與對向電極1 5之間,而各部分絕· 根據具有電氣絕緣性之材料所形成之,然而,在 子之中係圖示著使部分絕緣體22介在於OLED 7 對向電極1 5之間之構成,但,亦可採用替代此 與此構成同時使部分絕緣體22介在於畫素電 OLED元件2 1之間的構成,而從各畫素範圍5 1 1 元件2 1所發射而射出至觀察側之光量係成爲 5 1 1之中因應佔部分絕緣體22面積的比例之構 ,佔部分絕緣體22的面積越小,從該畫素範围 OLED元件2 1射出至觀察側之光則越多,如此 本實施型態,根據適宜地調整設置在各畫素範圍 分絕緣體22的面積情況來任意控制畫素範圍5 1 (等級),隨之,不論顯示面板1的構成極爲簡 樣來實現高品質之顯示。 畫素範圍 係在這些 據此構成 畫素範圍 :範圍51 1 畫素範圍 係從垂直 置部分絕 係介在於 ^體22係 圖2的例 亡件2 1與 構成,或 極 1 1與 之 OLED 畫素範圍 成,例如 H 5 1 1 之 ,如根據 5 1 1之部 1之亮度 易而以多 -19- (16) 1297098 更加地,對於各畫素範圍5 1 1係設置電阻層23,而 此電阻層23係爲介插於畫素電極1 1與對向電極1 5之間 的膜體,而電阻層23係由具有規定電阻率之導電性材料 所形成之,但,針對在無設置電阻層23於畫素電極1 1與 對向電極1 5之件的構成係對於某個畫素電極1 1與對向電 極1 5由任何元因而短路之情況,配線之電位則下降至對 向電極1 5之電位,並此影響則亦波及至藉由配線1 2來接 續至該畫素電極1 1之其他畫素電極1 1,對此,如本實施 型態依據設置電阻層23之構成之中係假設一個畫素電極 1 1與對向電極1 5即使短路,對於藉由配線1 2來接續至 其畫素電極11之其他畫素電極11 (排列在Y方向之畫素 電極1 1 )的畫素範圍5 1 1亦可控制根據該短路所傳達之 影響,然而,如圖2所示,針對在本實施型態係例示有介 插電阻層23於OLED元件21與對向電極15之間的構成 ,但亦可採用介插此電阻層23於畫素電極1 1與OLED元 件2 1之間之構成,但,針對在底部放射型之顯示面板1 係從OLED元件21所發射的光,因從畫素電極1 1藉由基 材1 〇來射出至觀察側,故從作爲抑制光的損失而確保亮 度的觀點時,如圖2所示,電阻層23則從OLED元件21 來看配置在與觀察側相反側之構成(即從OLED元件2 1 所發射的光不必經由電阻層2 3而射出至基材1 0側之構成 )則爲理想。 <A- 2:光電裝置之製造方法> -20- (17) 1297098 接著,說明上述之光電裝置101之製造方法。 首先,如圖4 ( a )所示,配線1 2與畫素電極1 1則 形成在基材1〇之表面,而更具體來說係鋁或銀,銅等而 成之導電性薄膜根據濺射等之成膜技術來形成之後,對於 此薄膜根據施以採用微縮術技術之圖案化處理之情況來得 到配線1 2,而同樣地,畫素電極1 1係對於由銦錫氧化物 或氧化銦,氧化亞鉛系非晶質等之透明導電材料而成之膜 膜,根據施以圖案化處理之情況所生成,然而,根據殘留 相當於配線1 2及畫素電極1 1之範圍地去除導電性薄膜之 情況,亦可從共通的導電膜由一個工程來形成配線1 2與 畫素電極1 1,另外,對於顯示面板爲底部放射型之情況 係因無要求對於畫素電極1 1光透過性,故根據具有鋁或 銀等之單體金屬或,將這些作爲主成分而包含之合金等光 反射性的導電性材料(或無具有光透過性之導電性材料) 來形成畫素電極1 1。 接著,如圖4 ( b )所示,形成隔壁14於基材1 〇之 中形成配線12與畫素電極11之面上,而具體來說係在塗 抹聚醯亞胺或丙烯基,聚醯胺之感光性有機材料於基材 1 0上之後,根據加熱而使其硬化,並對於此薄膜根據施 以採用規定光罩之曝光與顯像的情況而得到格子裝的隔g 14,而更加地,對於隔壁14施以將CF4,SiF4或BF3等 之氣體作爲反應氣體之等離子處理,然後呈撥液性(撥水 性)地將其表面改質,然而,亦可並非改質隔壁1 4的表 面而對於成爲隔壁1 4之有機材料根據添加氟化物之情況 -21 - (18) 1297098 使隔壁1 4本身具有撥液性也可以。 接著,如圖4 ( c )所示,根據隔壁1 4所區劃之多數 單位範圍5 1之中,對於畫素範圍5 11選擇性地形成各色 的OLED元件2 1,而對於此型成係採用液滴吐出法(濺 射法),即,如圖4 ( c )所示,使吐出口 7.1移動至多數 單位範圍51之中構成期望畫像之畫素範圍511上方之後 ,從此吐出口 7 1吐出含有光電物質之液滴來附著於畫素 範圍5 1 1,而根據將此就關於所有的畫素範圍5 1 1重複進 行之後而使其乾燥之情況得到 OLED元件21,然而, OLED元件2 1之正孔輸送層係例如根據聚噻吩衍生物或 聚吡咯衍生物,或者施以摻雜質於這些之材料所形成,而 更具體而言係使3,4 一聚乙烯二羥基噻吩分散於作爲溶 劑之磺化聚苯乙烯酸之後而加上水之分散液則從吐出口 71所吐出而形成正孔輸送層,另外,OLED元件21之發 光層係例如根據聚苟衍生物(PV ),聚對苯乙嫌撐衍生 物(PPV),聚苯撐衍生物(PP),聚對苯衍生物(PPP ),聚乙烯基咔唑(pvk),聚噻吩衍生物,聚二烷芴酮 (PDAF) ’聚荀酮苯并二噻卩坐(pFBT),聚院噻吩( PAT ) ’或聚甲苯矽烷(PMPS )等之爲公知的各種材料 所形成之,另外,對於這些高分子材料,根據摻雜茈系色 素,香豆素系色素或若丹明系色素之高分子材料或,紅熒 儲,菲,9, 1〇-二苯基惠,四苯基丁二稀,耐輪紅,香 丑素6或喹吖酮之低分卞材料的材料,亦可形成得到發光 層。 -22- (19) 1297098 如上述,因隔壁1 4的表面呈現撥液性,故含有光電 物質之液滴係有效率地滯留在由隔壁1 4所圍住之空間( 凹槽)內,然而,針對在如圖4 ( a )所示之工程’如根 據表面呈現親液性之材料形成成爲液滴附著地點之畫素電 極1 1,從吐出口 71所吐出之液滴係有效附著於畫素電極 1 1之表面,另外,‘當作爲使液滴有效至流於由隔壁1 4所 間隔之空間的底部之觀點,根據從基材1 〇側形成依呈現 親液性之第1層與呈現撥液性之第2層順序堆積之薄膜的 情況,形成隔壁14之方法亦爲適合,或,亦可採用根據 從基材10側形成依由Si02等之無基材料而成之第1層與 由丙烯機或聚醯亞胺等之有機材料而成之第2層順序堆積 之薄膜的情況來形成隔壁1 4,並對於此隔壁1 4施以等離 子處理之方法而得到之,而如根據此方法,因在第1層與 第2層,表面的改質程度有所差異(第2層呈現比第1層 還高之撥液性),故液滴則有效率地滯留著。 當根據以上的工程形成OLED元件21時,如圖4 ( b )所示,在形成絕緣體3 0於非畫素範圍5 1 2之同時與特 定之畫素範圍511之一部份重疊地形成部分絕緣體22, 而對於這些的形成係採用液滴吐出法,即,根據從吐出口 72適當地使含有絕緣性材料之液滴附著於基材1 〇上的情 況,形成包覆非畫素範圍5 1 2全域之絕緣體3 0與包覆畫 素範圍5 1 1之一部份之部分絕緣體2 2,如此,採用液滴 吐出法之情況,絕緣體30及部分絕緣體22係對於水或乙 醇等之溶劑而分散或溶解,並且需要具有電氣絕緣性之材 -23- (20) 1297098 料’而作爲滿足此要件之材料係可舉出多元醇(例如:聚 乙烯醇),丙烯基樹脂(例如聚醋酸乙烯或聚丙烯酸乙嫌 )’有機矽素化合物(例如··四乙氧基矽烷(TEOS )或 氨基三甲氧基矽烷)等爲公知的各種材料,然而,在此係 例示由一個工程一次形成絕緣體3 0與部分絕緣體22之情 況’但這些各部係亦可由個別的工程形成之。 接著,如圖5(a)所示,與形成在畫素範圍511之 0 LED元件21重疊地形成電阻層23,而此電阻層23係根 據聚矽等之半導體材料,或是具有3,4-聚乙烯二羥基 噻吩/聚苯乙烯磺酸(PEDOT/PSS)之分散液或有機矽 素材料等之規定電阻率之各種導電性材料所形成,而對於 電阻層23由半導體材料所形成之情況係根據適當地調整 其厚度或不純物之注入量的情況來任意控制電阻値,另外 ,根據金,銀,銅,鈀,鎳各種金屬,或者分散由導電性 聚合物或超導體等各種導電性材料而成之微粒子的液體材 料來形成電阻層23也可以,而對於此情況係對於電阻層 23之形成採用液滴吐出法,即,根據從吐出口 (略圖示 )朝基材1 〇吐出分散導電性微粒子之液滴來附著於 0 LED元件21表面之情況而形成電阻層23,而針對在此 方法係根據適當地調整對於溶劑之導電性粒子之分散量( 濃度)或液滴量來控制電阻層23之電阻値。 接著,如圖5 ( b )所示,如包覆基材1 〇全面地(即 包覆隔壁14與OLED元件21或絕緣體30地)形成對向 電極1 5,而對於此形成係採用真空蒸鍍或濺射等之各種 -24- (21) 1297098 成膜技術’而對向電極1 5係根據鋁,鎂,鋰或耗等之 種單體材料或’將這些材料作爲主成份而包含之合金等 各種導電性材料所形成之,然而,亦可根據堆積各自由 同之材料而成之複數的層情況來形成對向電極,例如: 據Li20與A1之堆積或,LiF與A1之堆積,或者MgF2 A1之堆積寺而形成得到對向電極1 5,另外,如爲 前放射型之顯示面板1,爲了控制從0LED元件 朝觀察側(與基材1 0之相反側)的光之損失,而根據 有銦錫氧化物等之光透過性之導電性材料來形成對向電 15 ° 之後,如圖5 ( c )所示,如包覆基材1 〇全面地形 封合層1 7,而此封合層1 7係爲由各種無機化合物所形 之構成,而理想係根據矽素化合物,即矽素氮化物或矽 氧氮化物,矽素氧化物所形成,但,除此之外的材料, 如亦可由氧化鋁或氧化鉬,氧化鈦,更加地其他之陶瓷 來形成封合層1 7,如此,如根據無機化合物形成封合 1 7,特別是對於由無機化合物形成對向電極1 5之情況 封合層1 7與對向電極1 5之密著性則提升,並根據此, 合層1 7則成爲無缺陷之緻密的層而對於氧或水分之組 性則變爲更良好。 另外,亦可根據堆積由從上述各種矽素化合物之中 選擇之不同材料而成之複數層之情況來形成封合層1 7 而更具體來說係根據從對向電極1 5側來看依由矽素化 物而成的層與由矽素氮化物而成的層的順序進行堆積, 各 之 不 根 與 21 具 極 成 成 素 例 等 層 封 擋 所 合 或 -25- (22) 1297098 從對向電極1 5側來看依由矽素氧氮化物而成的層與由矽 素氧化物而成的層的順序進行堆積的情況來形成封合層 1 7之情況則爲理想,另一方面,針對在前放射型之顯示 面板1係有必要封合層1 7具有光透過性,因此,根據適 當地調整封合層1 7之材質或膜厚的情況,期望將照射屬 於可視光範圍的光於封合層1 7時的光線透過率作爲8 0 % 以上,另外,亦可作爲如包覆基材1 〇全面地由不活性氣 體環境中來貼合封合構件(略圖示)之構成,而依據此構 成,如配置OLED元件21於由封合構件與基材10所圍住 之密閉空間,OLED元件2 1係從大氣中的氧或水分所隔 離。 如此在形成封合層1 7之後,安裝電源電路8於基材 1 〇緣邊之附近來得到光電裝置1 0 1,而如根據有關本實施 型態之光電裝置1 0 1,無論與對於每個畫素設置薄膜電晶 體等之切換元件之有源矩陣驅動方式之一般光電裝置作比 較而極爲簡易構成(即無論爲了畫像之顯示而只設置最小 限需要之構成要素的構成),而實現高品位且高精細之顯 示。 如以上說明,如根據本實施型態,對於各自設置畫素 電極1 1與對向電極1 5之多數單位範圍5 1之終止對於構 成對象畫像之畫素範圍51 1形成OLED元件21,如根據 此構成,無論對象畫像之內容而將形成畫素電極1 1及配 線1 2之工程與形成隔壁1 4之工程與形成對向電極1 5及 封合層1 7之工程作爲共通化,特別是無需因應對象畫像 -26- (23) 1297098 之內容而變更爲了形成畫素電極11之光罩,隨之,顯著 降低了爲了作成爲了顯示各自不同之對象畫像之顯示面板 1的成本,而換言之,不使製造成本增加而作成顯示因應 利用者期望之各種顯示畫像的顯示面板1,並且,針對在 本實施型態係OLED元件21與絕緣體30及部分絕緣體 22則有由比較廉價之液滴吐出法所形成之利點。 < A — 3 :第1實施型態之變形例> 對於第1實施型態加上各種變形,如例示具體之變形 型態則如以下所述之,而亦可組合這些之各種型態。 (1 )針對在第1實施型態係例示無設置〇 L E D元件 21於非畫素範圍512,但亦採用設置OLED元件21於畫 素範圍5 1 1及非畫素範圍5 1 2雙方之構成,而例如,如圖 6所示,根據於畫素範圍5 1 1及非畫素範圍5 1 2雙方形成 OLED兀件2 1,並於非畫素範圍5 1 2形成絕緣體3 0之情 況來電氣絕緣畫素電極1 1與對向電極1 5,而因無供給電 流於非畫素範圍512之OLED元件21,故不會寄與對象 之顯示,而根據此構成亦得到與第1實施型態同樣的效果 ’但,對於爲了有效利用材料係只對畫素範圍5 1 1形成 Ο L E D兀件2 1而對於非畫素範圍5 1 2係不形成〇 L E D元 件2 1之構成則爲理想,另外,對於由液滴吐出法形成絕 緣體3 0於非畫素範圍5 1 2之情況係其液低的附著處則呈 現親水性之情況則爲理想,另一方面,畫素電極1 1係呈 現比OLED元件2 1還高親水性之情況則爲一般,隨之, -27- (24) 1297098 對於爲了有效率滯留成爲絕緣體3 0之液滴,亦對於非畫 素範圍512係將無設置OLED元件21而將液低的附著處 作爲畫素電極1 1之情況則爲理想。 (2 ) OLED元件21之光學特性,特別是電流質與發 光量(亮度)之關係係因對於每個各色之OLED元件21 而有所差異,故使從電源電路8供給至各畫素電極1 1之 電力作爲對於每個畫素範圍5 1 1之各色而有所不同之情況 則爲理想,例如,如第1實施型態所示,對於條紋排列各 色OLED元件2 1之情況係採用根據調整因應各色之配線 1 2的剖面積或電阻率之情況而使電氣之特性作爲不同之 構成,或使對於於各色之配線由電源電路8所施加之電壓 作爲不同之構成,而如根據此構成,因對於每個因應各色 之畫素電極11施加不同的電壓,故顯示配合各色OLED 元件2 1特性之高品位之顯示。 另一方面,針對在第1實施型態係例示有因應同一色 之OLED元件21排列在Y方向之構成,但,因應各色之 OLED元件2 1的配列順序係任意地來變更,例如,如圖7 所示,亦採用隨機配列因應紅色,綠色及藍色之各色的 OLED元件2 1之構成,而針對此構成,亦如上述,對於 每個因應各色之畫素電極1 1,使配線1 2之電氣特性作爲 不同之情況則爲理想,而有鑑於此情況,如圖8所示,設 置因應各自不同色之複數配線12 ( 12R,12G及12B )之 構成亦爲適合,而針對在表示在同圖之型態,對於鄰接在 X方向之單位範圍5 1之各間隙係藉由絕緣層來設置相互 -28- (25) 1297098 絕緣之3調配線1 2 R,1 2 G及1 2 B,而更加地,排列在γ 方向之複數畫素電極11之中,因應紅色之畫素電極11係 接續於配線1 2R,並對應綠色之畫素電極1 1係接續於配 線1 2G,而對應藍色之畫素電極1 1係接續於配線1 2Β, 而針對此構成,如根據調整因應各色之配線1 2的剖面積 或電阻綠之情況而使電氣特性作爲不同,或者對於因應各 色之配線1 2來使由電源電路8所施加之電壓作爲不同, 則對於每個因應各色之畫素電極1 1施加不同的電壓。 (3 )針對在第1實施型態係例示有對於每個單位範 圍5 1形成別個畫素電極1 1之構成,但取代此,如圖9所 示,亦採用形成跨越複數單位範圍5 1作爲連續之單一的 電極之構成,而電極1 9係接續於電源電路8,而針對在 此構成係供給至各畫素範圍5 1 1之OLED元件21之電力 則成爲相等,但,根據適當地調整部分絕緣體22之大小 或電阻層23之電阻値之情況來任意控制各畫素範圍5 1 ! 之亮度,另外,針對在第1實施型態係例示有只對於畫素 範圍51 1設置電阻層23之構成,但亦可對於非畫素範圍 5 1 2形成相同之電阻層2 3,如根據此情況,即使非畫素範 圍5 1 2之畫素電極1 1與對向電極1 5爲短路之情況,亦迴 避此短路影響波及根據畫素範圍5 1 1之畫像顯示之情況。 (4)形成OLED元件21,絕緣體30,部分絕緣體 22及電阻層23之方法係不限於液滴吐出法,例如, OLED元件2 1係亦可根據由雷射複寫構成此之材料於基 材1 0上之方法所形成,另外,由蒸鍍法或旋塗法等包括 -29- (26) 1297098 顯示範圍全體來形成OLED元件21也可以,如此,OLED 元件2 1即使形成在所有的單位範圍5 1之情況,亦根據適 宜地形成絕緣體3 0或部分絕緣體22之情況來實現多樣之 畫像顯示,即,對於單位範圍51之一部分根據選擇性地 形成絕緣體3 0之情況來區別畫素範圍5 1 1與非畫素範圍 5 1 2,另外,根據適宜地選定畫素範圍5 1 1之中部分絕緣 體22所佔之面積比例的情況,則任意調整從各畫素範圍 511之OLED元件21射出至觀察測之光量(或是透過其 他光電物質來射出至觀察測之光量)而得到。 (5 )針對在第1實施型態係例示有根據複數色之 OLED元件21來顯示彩色畫像之光電裝置101,但,對於 採用因應一個顏色之OLED元件21來只顯示單色畫像之 光電裝置亦適用本發明,另外,亦採用將因應一個顏色( 例如白色)之OLED元件21設置於各色素範圍51 1,於 觀察測設置紅色,綠色或藍色之濾色片在每個各單位範圍 5 1,而由此顯示彩色畫像之構成,然而,針對在第1實施 型態係例示有採用紅色,綠色及藍色之OLED元件21來 實現彩色畫像之顯示構成,但,替代這些OLED元件21 ,或與此同時設置例如發射因應黃色或紫色等之其他顏色 之波長的光之OLED元件。 < B :第1實施型態> <B-1:光電裝置之構成> 圖1〇係表示有關本實施型態之光電裝置的構成方塊 -30- (27) 1297098 圖’而如同圖所示,此光電裝置102係具有顯示面板1與 電源電路8,而如圖1 0及圖1 1 (顯示面板1之剖面圖) 所示,顯示面板1係具有平板狀之基材1 0,而基材1 0係 由玻璃或壓克力而成,而有關本實施型態之顯示面板1係 爲從OLED元件21所發射的光透過基材10射出於觀察側 (針對圖1 1之下側)之底部放射型的面板。 對於基材10的表面上方係跨越X方向及Y方向配置 複數畫素電極11爲矩陣狀,而各畫素電極11係爲作爲 OLED元件21之楊極而發揮機能之略矩形狀電極,而各 畫素電極1 1係例如根據具有銦錫氧化物等之光透過性的 導電性材料所形成之,更加地,對於從與基材1 0垂直方 向來看相當於鄰接在X方向之各畫素電極1 1的間隙之範 圍係形成有配線1 2,而這些配線1 2各自係延伸存在於γ 方向而一端則接續於電源電路8。 如圖1 1所示,對於基材1 〇之表面上係設置隔壁1 4 ,而此隔壁1 4係跨越X方向或Y方向而與相互鄰接之各 畫素電極1 1之間隙重疊地形成爲格子狀而從基材1 0的表 面(更詳細來說係後數之第2絕緣層3 2之表面)突出, 而各配線1 2係如圖1 1所示,與格子狀之隔壁1 4之中延 伸存在於Y方向的部份重疊,OLED元件21係爲在畫素 電極1 1面上,放入於由隔壁1 4圍住四方之空間(凹槽) 所形成之,而各OLED元件21係具有從畫素電極1 1測來 看依正孔注入層,正孔輸送層,發光層,電子輸送層及電 子注入層的順序所堆積之構造,並發射因應紅色,綠色及 -31 - (28) 1297098 藍色之任何顏色的波長之光,而對於各OLED元件21係 堆積由具有規定電阻率之導電性材料而成電阻層23。 設置有隔壁14及Ο LED元件21之基材10的表面係 由對向電極1 5所包覆,而此對向電極1 5係接續於電源電 路8,並作爲OLED元件21之陰極來發揮機能,而對向 電極15係夾合各OLED元件21來與複數之畫素電極11 對向,而針對本實施型態之對向電極1 5係根據具有鋁或 銀等之單體金屬或,將這些金屬作爲主成分而包含之合金 等光反射性的導電性材料所形成之,如根據此構成,從 OLED元件2 1發射至與觀察側相反側(針對圖1 1之上側 )的光係根據對向電極1 5來反射至觀察側,而形成對向 電極1 5之基材1 0之表面係包括其全域由封合層1 7所包 覆,而此封合層1 7細微爲了保護形成在基材1 0上之對向 電極15等之各要素的層。
另一方面,電源電路8係爲供給電力於各配線1 2及 對向電極1 5之電路,而當更詳細敘述時,電源電路8係 對於配線1 2來施加高位側之電源電壓之另一方面,對於 對向電極1 5來施加低位電之電源電壓(接地電位),如 此,當施加電壓於各畫素電極1 1與對向電極1 5之間時, 電流則流動於OLED元件21而OLED元件21則進行發光 ,即,根據畫素電極1 1及對向電極1 5與夾合於兩電極之 OLED元件2 1來構成畫素,在此,針對在無設置電阻層 23於各畫素電極1 1與對向電極1 5之間的構成係對於某 個畫素電極1 1與對向電極1 5根據任何原因(例如OLED -32- (29) 1297098 元件2 1之缺陷)而造成短路之情況,配線1 2的電位則下 降至對向電極1 5之電位,而此影響亦成爲波及藉由配線 1 2來接續於該畫素電極1 1之其他畫素電極1 1之情況, 而對此,如本實施型態,在依據設置電阻層23之構成之 中係假設一個畫素電極Π與對向電極15即使發生短路, 對於藉由配線1 2來接續於其畫素電極1 1之其他畫素電極 1 1 (排列在Y方向之畫素電極1 1 )之畫素亦可抑制由該 短路所帶來之影響,然而,針對在圖1 1係例示有使電阻 層23介在於OLED元件21與對向電極15之間的構成, 但,亦可材用使此電阻層23介在於畫素電極11與OLED 元件21之間的構成而得到之,但,針對在底部放射型之 顯示面板1係因從OLED元件21所發射的光則從畫素電 極1 1藉由基材1 〇來射出至觀察側,故作爲從抑制光的損 失來確保亮度之觀點時,如圖1 1所示,從OLED元件21 來看配置電阻層23於與觀察側相反側之構成(即,從 OLED元件21所發射之光則不必經由電阻層23而射出至 基材1 〇側之構成)則爲理想。 有關本實施型態之光電裝置102係爲固定方式顯示對 象畫像之裝置,而爲了實現此顯示,只對於從多數之畫素 之中作爲構成對象畫像之構成所選擇之複數的畫素(以下 有稱爲[顯示畫素]之情況)從電源電路8供給電力,而針 對在本實施型態係如圖1 〇所示,複數之畫素電極1 1之中 顯示畫素之畫素電極1 1係與配線1 2進行電氣導通之另一 方面,除此之外之畫素(以下有稱爲[非顯示畫素]之情況 -33- (30) (30)1297098 )之畫素電極Π係從配線1 2所絕緣’而由依據此構成之 情況,當從電源電路8施加電壓於配線1 2時,只對於沿 著此配線1 2而構成列之複數畫素電極Π之中顯示畫素之 畫素電極1 1,藉由該配線1 2選擇性地施加電壓,而其結 果,只有顯示畫素之OLED元件21進行發光來顯示對象 畫像。 圖12係爲擴大有關各畫素之要素而表示之平面圖, 而擴大於圖12所表示之2個畫素電極11之中上方的畫素 電極11係爲構成顯示畫素之畫素電極11,而下方方之畫 素電極11係爲構成非顯示畫素之畫素電極11,另外,圖 13係爲從針對圖12之XIII - XIII線來看之剖面圖,而圖 14係爲從針對圖12之XIV — XIV線來看之剖面圖,如圖 1 2所示,延伸存在於Υ方向之各配線1 2係具有突出於畫 素電極1 1側(X方向)之突出部121,而更加地,如圖 1 3及圖14所示,形成配線12之基材1〇的表面係包括其 全域而由第1絕緣層3 1所包覆,而此第1絕緣層3 1係爲 由樹脂材料等之絕緣性材料所形成之膜體,而對於第1絕 緣層3 1係將此貫通於厚度方向地作爲開口之部分(以下 稱爲[導通用開口部])311形成於每個畫素如圖12所示, 當於基材10之表面由垂直方向來看時,導通用開口部 3 1 1係具有其一部分重合於配線! 2之突出部丨2 1之同時 延伸存在於X方向之形狀,並且,如圖12及圖1 3所示 ’對於複數畫素之中顯示畫素之導通用開口部3 1 1內係形 成導通部3 4 (針對在圖1 2畫有斜線的部分),而導通部 -34- (31) 1297098 3 4係爲爲了使畫素電極1 1與配線1 2 (進而電源電路8) 進行導通之部分,而當更爲詳述時,導通部3 4係將基材 1 〇作爲底面而放入於由導通用開口部3 1 1之內周緣所圍 住之空間(凹槽)(即,埋入導通用開口部3 1 1地)地形 成之,另此導通部34係根據金或銅等之各種導電性材料 所形成之,而如上述,配線1 2之圖初步1 2 1係因從導通 用開口部3 1 1之內周緣伸出於內側地來形成,故此突出部 1 2 1與設置在導通用開口部3 1 1之導通部3 4係接觸,而 另一方面,如圖1 2及圖1 4所示,對於複數畫素之中非顯 示畫素之導通用開口部31 1係並無設置導通部34。 第1絕緣層3 1之表面係由第2絕緣層3 2所覆蓋,而 此第2絕緣層3 2係爲與第1絕緣層3 1相同地由樹脂材料 等之絕緣性材料所形成之膜體,而如圖1 3所示,第2絕 緣層3 2之中因應顯示畫素之部分係如覆蓋導通部3 4地來 設置,對此,如圖14所示,第2絕緣層3 2之中因應非顯 示畫素之部分係將基材1 〇作爲底面而放入於由導通用開 口部3 1 1之內周緣所圍住之空間(即,埋入導通用開口部 3 1 1 )地設置,另如圖1 2所示,對於第2絕緣層3 2係對 於基材1 0從垂直方向來看,在導通用開口部3 1 1之範圍 內,於與配線1 2之突出部1 2 1無重疊之位置述至貫通設 貫通此第2絕緣層32於厚度方向之開口部321。 另一方面,畫素電極1 1係具有與第2絕緣層3 2之開 口部3 2 1重疊地延伸之延伸部1 1 1,而如圖1 3所示,由 構成顯示畫素之畫素電極1 1之延伸部1 1 1係放入至開口 -35- (32) 1297098 部321來到達至基材10之表面,而根據此構成,構成顯 示畫素之畫素電極11係藉由導通部34來與配線12及電 源電路8進彳了導通’而另一方面,如圖14所示,因對於 非顯示畫素係並無設置導通部34,故構成非顯示畫素之 晝素電極11之延伸部111係放入至開口部321來到達至 基材10之表面’隨之’構成非顯不畫素之畫素電極11係 根據第2絕緣層3 2成爲從配線1 2電氣絕緣之狀態,而比 起畫素電極1 1還上層之構成係爲如參照圖1 1所說明之情 況,如此,顯示畫素與非顯示畫素係只對有無導通部34 而有所差異。 < B - 2 :光電裝置之製造方法> 接著,說明上述之光電裝置102之製造方法,而在以 下係從配線1 2之形成至畫素電極1 1之形成爲止之工程則 依據因應圖13之剖面圖的圖15(a)乃至圖15(e)說明 之,另一方面,從隔壁14之形成至光電裝置102之完成 爲止之工程則依據因應圖1 1之剖面圖的圖1 6 ( a )乃至 圖1 6 ( d )說明之。 首先,如圖1 5 ( a )所示,具有突出部1 2 1之配線1 2 則被形成在基材1 〇之表面上,而更具體來說係根據濺射 法等之成膜技術形成由鋁或銀,同等而成之導電性薄膜之 後,對於此薄膜根據施以採用微縮術技術之圖案化處理的 情況來得到配線1 2,接著,如圖1 5 ( b )所示,如包覆基 材1 〇之表面地形成具有導通用開口部3 1 1之第1絕緣層 -36- (33) 1297098 31,而具體來說係將聚醯亞胺或丙烯基,聚醯亞胺之感光 性有機材料塗抹於基材1 〇上方之後,根據加熱使其硬化 ,並對於此薄膜根據施以採用規定光罩之曝光與顯像之情 況來得到第1絕緣層3 1。 接著,如圖1 5 ( c )所示,對於設置在第1絕緣層3 1 之複數導通用開口部3 1 1之中因應顯示畫素之構成選擇性 地形成導通部34,而對於此形成係採用液滴吐出法(濺 射法),即,如圖1 5 ( c )所示,於多數導通用開口部 311之中因應顯示畫素之導通用開口部311之上方,使吐 出口移動之後,從此吐出口 7 1吐出含有導電性材料之液 滴而附著於導通用開口部3 1 1內,而根據將此重複進行於 顯示畫素之所有之後而使其乾燥之情況,只對於顯示畫素 選擇性地形成導通部3 4,而對於非顯示畫素之導通用開 口部3 1 1係無吐出成爲導通部3 4之液滴,然而,針對在 此工程,作爲從吐出口 7 1所吐出之液滴材料係採用使由 金屬材料(例如:金,銀,銅,鈀或鎳),導電性聚合物 或超導體材料等之各種導電材料而成之微例子(以下稱爲 [導電性粒子])分散於水等之液體中之構成,而從吐出□ 7 1所吐出之關係上,導電性粒子的粒徑係爲從5 〇 nm s 〇. 1 // m程度之情況則爲理想,另外,爲了使導電性粒子 有效分散於液體中,亦可根據有機材料來塗層各導電性半立 子的表面,例如:根據對於分散由金而成之直徑1 〇 g 度的微粒子之甲苯添加二甲苯,並從吐出口 7 1吐出將其 黏度作爲3CP程度之液體之情況而形成導通部34。 -37- (34) 1297098 接著,如圖1 5 ( d )所示,具有開口部3 2 1之第2絕 緣層3 2則如覆蓋第1絕緣層3 1表面地來形成,而此第2 絕緣層3 2係針對在與第1絕緣層3 1相同之工程而由共通 的材料所形成之,更加地,如圖1 5 ( e )所示,具有延伸 部111之畫素電極11則各自因應顯示畫素及非顯示畫素 地形成於第2絕緣層3 2之面上,而此畫素電極1 1係在根 據濺設法等之成膜技術來形成具有由銦錫氧化物或氧化銦 ’氧化亞鉛系非結晶金屬等而成之導電性及光透過性之薄 膜之後’對於此薄膜根據施以採用微縮術技術等之圖案化 處理而得到’而由此所得到之畫素電極i丨之延伸部1 i 1 係放入第2絕緣層3 2之開口部3 2 1,並針對在顯示畫素 係與導通部3 4作爲接觸之另一方面,針對在非顯示畫素 係藉由第1絕緣層3 i之導通用開口部3〗〗來至基材1 〇之 表面’然而’對於顯示面板i則爲前放射型之情況係因對 於畫素電極1 1並無要求光透過性,故根據具有鋁或銀等 之單體金屬或將這些作爲主成分而含有的合金等光反射性 之導電性材料(或無具有光透過性之導電性材料)來形成 畫素電極1 1。 接著’如圖1 6 ( a )所示,於第2絕緣層3 2之面上 形成有隔壁1 4,而此隔壁1 4的材料或形成方法係爲與第 1實施型態相同,接著,如圖16 ( b )所示,對於由隔壁 14所區劃之多數範圍之各自形成有〇LED元件21,而對 於此形成係採用液滴吐出法(濺射法),即,如圖1 6 ( b )所示’如圖1 6 ( b )所示,在使吐出口 7 2移動至爲了 -38- (35) 1297098 形成OLED元件21範圍之上方之後,從吐出口 72吐出含 有光電物質之液低而附著於畫素電極U的表面,根據將 此重複進行於所有的畫素之後而使其乾燥之情況,得到 Ο LED元件21,而構成〇LED元件21之各層材料或形成 各自之方法係如第1實施型態所示之情況。 接著,如圖16 ( c )所示,與各OLED元件21重疊 地形成電阻層23,而此電阻層23之材料或形成方法係與 第1實施型態相同,接著如圖16 ( d )所示,根據與第1 實施型態相同的材料及順序,如覆蓋基材1 0之全面地( 即,包覆隔壁14與OLED元件21地)形成對向電極15 ,之後,根據與第1實施型態相同的材料及順序,形成覆 蓋基材1 0之全面的封合層1 7 (參照圖1 1 )。 如此,在形成封合層1 7之後,安裝電源電路8於基 材1 〇之緣邊來得到光電裝置1 02,而如根據有關本實施 型態之光電裝置1 02,不論與設置薄膜電晶體等之切換元 件於每個畫素之有源矩陣驅動方式之一般光電裝置作比較 而極爲簡易之構成(即,不論爲了顯示畫像只設置最小限 必要之構成要素之構成)亦顯不局品位且局精細之顯不。 如以上所說明,如根據本實施型態,藉由導通部34 從多數之畫素電極1 1之中選擇性地只接續因應構成對象 畫像之畫素的畫素電極1 1於電源電路8,隨之,根據因 應對象畫像的內容來適當地選擇導通部34之形成有無之 情況而得到顯示所期望對象畫像之光電裝置1 02,因此, 形成畫素電極11及OLED元件21之基材10上的各要素 -39- (36) 1297098 之工程作爲共通化,特別是無需因應對象畫像之內容而變 更爲了形成畫素電極11之光罩,隨之,顯著降低了爲了 作成爲了顯示各自不同之對象畫像之顯示面板1的成本, 而換言之,不使製造成本增加而作成顯示因應利用者期望 之各種顯示畫像的顯示面板1,並且,針對在本實施型態 係導通部3 4則有由比較廉價之液滴吐出法所形成之利點 < C :第3實施型態> 接著,說明有關本發明之第3實施型態的光電裝置之 構成,而上述第2實施型態係爲畫素電極1 1之中選擇性 地只接續構成顯示畫素之畫素電極1 1於配線1 2之構成’ 對此,針對在有關本實施型態之光電裝置1 〇3係如圖1 7 所示,所有的畫素電極1 1則接續在配線1 2,而另一方面 ,在這些配線1 2之中只有接續在構成顯示畫像之畫素電 極1 1的配線1 2 (以下有稱爲[顯示配線]之情況)則藉由 導通部3 4選擇性地接續於電源電路8,而如根據此構成 ,根據配列在Y方向之複數畫素之發光而顯示對象畫像 〇 圖1 8係爲表示顯示配線1 2與從電源電路8所引出之 配線(以下稱爲[電源配線])8 1之關係之剖面圖’而圖 1 9係爲表示複數配線1 2之中顯示配線以外之配線1 2 (以 下有稱爲(非顯示配線)之情況)與電源配線81之關係 之剖面圖,而如這些圖所示,對於基材之中安裝電源電路 -40 - (37) 1297098 8範圍之附近係電源配線8 1與,共通接續配列在Y方向 之畫素電極1 1的配線1 2則由面對面的狀態相互間離來設 置各自的端部。 電源配線8 1及配線1 2之基材1 0的表面係由第1絕 緣層3 1所覆蓋,而對於此第1絕緣層.3 1之中電源配線 81之端部與配線12之端部接近的部分係設置貫通第1絕 緣層3 1於厚度方向之導通用開口部3 1 1,在此,圖2 0係 擴大電源配線8 1與配線1 2部接近的部分來表示之平面圖 ,而如同圖所示,當在基材10的表面從垂直方向來看時 ,電源配線8 1之端部與配線1 2之端部係從導通用開口部 3 1 1之內周緣伸出至該導通用開口部3 1 1之內部,並且, 如圖1 8所示,對於複數配線1 2之中因應顯示配線1 2之 導通用開口部3 1 1係形成導通部34,而此導通部34係由 各種導電性材料所形成,而更加詳述時,導通部3 4係將 基材10作爲底面放入至由導通用開口部311所包圍之空 間(凹槽)地(即,埋入導通用開口部3 1 1地)來形成之 ,而如上述,電源配線8 1及配線1 2之各端部係因從導通 用開口部3 1 1之內周緣伸出至內側地來設置,故顯示配線 1 2係藉由導通部3 4來與電源配線8 1進行導通,對此, 如圖1 9所示,對於因應非顯示配線1 2之導通用開口部 3 1 1係並無設置導通部3 4,隨之,非顯示配線1 2從電源 電路8所電氣絕緣,而第1絕緣層3 1之表面係由第2絕 緣層3 2所覆蓋,由依此構成當從電源電路8施加電壓於 電源配線8 1時,複數配線1 2之中只對於沿著顯示配線 -41 - (38) 1297098 1 2而配列之畫素電極1 1來選擇性地施加電壓,其結果, 只有顯示畫素(即,接續在顯示配線 12之畫素)之 Ο LED元件21發光來顯示對象畫像,然而,針對在本實 施型態之第1絕緣層3 1及第2絕緣層3 2,以及導通部3 4 係與針對在第2實施型態之第1絕緣層3 1及第2絕緣層 3 2,以及導通部3 4,根據由各自相同的材料,以相同之 工程所形成之,例如:導通部3 4係根據從吐出口 7 1吐出 含有導電性材料之液滴來使其附著於導通用開口部3 1 1之 情況而得到。 另一方面,各畫素與配線1 2的關係係不問顯示畫素 或非顯示畫素而爲共通,即,於包覆形成在基材10上之 配線1 2之第1絕緣層3 1及第2絕緣層3 2設置開口部, 並設置在第2絕緣層3 2面上之畫素電極1 1係藉由此開口 部來與配線導通,而比畫素電極U還上層之構成係與上 述第2實施型態相同。 如以上之說明,如根據本發明,因根據因應對象畫像 的內容來適當地選擇導通部3 4之形成有無情況而的到顯 示所期望對象畫像之光電裝置1 03,故與第2實施型態相 同地,有顯著降低爲了作成爲了顯示各自不同對象畫像之 顯示面板1的成本,然而,針對在本實施型態係因選定配 線1 2與電源配線8 1之導通的有無,故無法就有關接續在 共通之配線〗2的各個複數畫素區分導通與非導通,但, 即使爲此構成,根據使電阻層23之電阻値作爲不同於每 個畫素之情況,亦可進行根據多等級之高精細顯示,另外 -42· (39) (39)1297098 ,針對在本實施型態係例示有街續排列在Y方向複數畫 素電極1 1之所有於配線1 2之構成,但,根據與第2實施 型態相同構成,則因應對象畫像來適當區別對於顯示配線 12之各畫素電極11之導通及非導通。 < D ··第4實施型態> 接著,說明有關本發明之第4實施型態的光電裝置之 構成,針對在第2實施型態及第3實施型態係例示有適當 區別各畫素電極11與電源電路8之導通的有無,對此, 針對在本實施型態係各自複數畫素電極1 1則與電源電路 8電氣接續,而另一方面,因應對象畫像的內容來適當地 選定各畫素電極1 1與電源電路8之間的電阻値。 圖21係爲表示有關本實施型態之光電裝置104之構 成的方塊圖,而如同圖所示,配列成矩陣狀於基材1 0上 之複數畫素電極1 1之各自係藉由電阻體3 5來接續於配線 1 2,而各配線1 2係延伸存在於Υ方向而接續在電源電路 8,而因應對象畫像的內容來適當地選定各電阻體35,而 具體來說係接續在對象畫像之中亮度高之畫像的畫素電極 1 1之電阻體3 5電阻値係比接續在亮度低之畫素的畫素電 極1 1之電阻體3 5之電阻値還低,而如根據此構成,施加 於接續在電阻値低之電阻體3 5的畫素電極1 1之電壓係成 爲比施加於接續在電阻値高之電阻體3 5的畫素電極1 1之 電壓還高,隨之,根據有關前者之畫素電極11所構成之 畫素亮度係成爲比根據有關後者之畫素電極1 1所構成之 -43- (40) 1297098 畫素亮度還高。 圖22係爲擴大有關畫素之要素而表示之平面圖,而 圖2 3係爲從針對圖2 2之XX111 — X X111線來看之剖面圖 ,如這些圖所示’針對在本實施型態之畫素電極1 1附近 之構成係由形成在基材1 0之表面上的配線1 2則由第1絕 緣層31及第2絕緣層3 2所覆蓋的同時,延伸部1 1則放 入第2絕緣層3 2之開口部3 2 1地來形成畫素電極1 1之情 況來與圖12之光電裝置102作爲共通,而另一方面,本 實施型態之構成係就有關一個畫素來形成3個導通用開□ 部3 1 1之情況而與光電裝置1 02有所不同,而針對在本實 施型態係對於這些3個導通用開口部3 1 1之中因應對象畫 像亮度所選擇之1乃至3個導通用開口部3 1 1,選擇性地 來形成導通部3 4 (針對在圖2 2畫有斜線的部分),而導 通部3 4係爲爲了使畫素電極1 1與配線丨2 (進而電源電 路8 )進行導通之部分,而針對圖2 2係例示有只對於位 置在針對同圖上方之2個導通用開口部311形成導通部 3 4之構成。 另一方面,對於位置在針對同圖之下方之一個導通用 開口部3 1 1係如圖2 3所示,並無形成導通部3 4,隨之, 畫素電極1 1與配線1 2 (進而電源電路8 )係只藉由2個 導通部3 4來電氣接續,如此,根據將爲了使畫素電極! ! 與配線1 2進行導通之導通部3 4的個數因應對象畫像之內 容來對於每個畫素做決定之情況,調整畫素電極1 1與配 線1 2之間的電阻値,例如,設置導通部3 4於3個所有之 -44- (41) 1297098 導通用開口部3 1 1之畫素電極1 1與配線1 2之間的電阻値 係成爲比只對於一個導通用開口部3 1 1設置導通部34之 畫素電極1 1與配線1 2之間的電阻値還低,即,圖2 1所 示之電阻體3 5係相當於因應對象畫像內容而選定個數之 導通部3 4,然而,光電裝置1 04係根據由依據圖1 5 ( a ) 乃至圖15(e)與16(a)乃至圖16(d)所說明之方法 而製造之,但,針對在圖1 5 ( b )所示之工程係就有關一 個畫素形成3個導通用開口部3 1 1,另外,針對在圖1 5 ( c )所示之工程係對於因應對象畫像內容之個數的導通用 開口部3 1 1,根據從吐出口 7 1吐出含有導電性材料之液 滴的情況來形成導通部34。 如此,針對在本實施型態係如介在於多數之畫素電極 1 1之各自與電源電路8之間地,因應對象畫像內容(更 具體來說係構成對象畫像之各畫素之等級)來設置選定電 阻値之電阻體3 5,隨之,形成畫素電極1 1等各種之構成 要素之工程係不論對象畫像內容而共通化,而其結果,如 根據本實施型態,與上述第2及第3實施型態同地,降低 爲了作成爲了顯示各自不同之對象畫像的顯示面板1之成 本。 < E :第2乃至4實施型態之變形例> 對於第2乃至4實施型態係加上各種變形例,而如例 示具體之變形型態,則如以下情況。 (1 )適宜地組合第2乃至4實施型態所示之構成, -45- (42) (42)1297098 例如針對在第4實施型態,與地2實施型態相同地就關於 無構成對象畫像之非顯示畫像係亦可作爲對於3個導通用 開口部3 1 1之任何一個均無形成導通部3 4而使非顯示畫 像之畫素電極1 1與電源電路8電氣絕緣之構成,另外, 如第3實施型態所示,根據於電源電路8之電源配線81 與配線1 2之間形成第4實施型態所示之複數導通用開口 部3 1 1之同時,選擇性設置導通部34於其中之一部份或 全部之導通用開口部3 11的情況,因應對象畫像內容來使 各配線1 2與電源電路8之間的電阻値作爲不同也可以。 (2 )針對在第4實施型態係例示有形成3個導通用 開口部3 1 1之構成,但每個畫素之導通用開口部3 1 1之個 數係爲任意,而此導通用開口部3 1 1之個數越多對於畫素 電極Π之施加電壓則多樣化,故更得到顯示多等級之對 象畫像,另外,針對在第4實施型態係例示有因應導通部 3 4個數來調整畫素電極1 1與電源電路8之間的電阻値之 構成,但,亦可採用對於每個畫宿設置一個導通用開口部 311及導通部34,並因應對象畫像內容來使其導通部34 之電阻値本身作爲不同之構成,例如,根據選擇具有各自 不同低效率之複數導電性材料之任何一個來形成導通部 34之情況,將各畫素的導通部34之電阻値作爲不同,而 更加地,對於根據液滴吐出法形成導通部3 4之情況係亦 可根據適宜地調整含於益低脂導電性材料之濃度或液滴容 量之情況來使各畫素的導通部3 4之電阻値作爲不同。 (3 )形成導通部34或OLED元件21之方法係不限 -46- (43) 1297098 於液滴吐出法,例如,OLED元件2 1係亦可根據由雷射 複寫構成此隻材料於基材1 0上來形成得到,另外,亦可 根據蒸鍍法或旋塗法等包括顯示範圍全體來形成OLED元 件21,如此,OLED元件21即使爲形成在包括基材10全 面之情況’根據選擇性形成導通部3 4亦可實現多樣之畫 像的顯示’即,關於特定之畫素根據選擇性地形成導通部 34之情況來區別顯示畫素與非顯示畫素,並從顯示畫素 射出至觀察測之光量(或透過其他光電物質來射出至觀察 測之光量)係根據適宜地將因應顯示畫素之導通部3 4電 阻値作爲不同之情況來任意調整。 < F :形他之型態> (1 )針對在第1乃至4實施型態係例示有底部放射 型之顯示面板1,但本發明當然亦適用於前放射型之顯示 面板1,在此針對在底部放射型之顯示面板1係從抑制出 射光量損失之觀點,例示有使電阻層23介在於OLED元 件2 1與對向電極1 5之間的構成,但針對在前放射型之顯 示面板1係期望爲使電阻層23介在於畫素電極11與 OLED元件21之間的構成。 (2 )本發明係亦適用於採用OLED元件21以外之光 電元件的光電裝置,而作爲適用本發明之光電裝置係作爲 光電元件採用氦或氖等之高壓氣體之等離子顯示面板( PDP )或,作爲光電元件採用螢光體之場致發射顯示器( FED )。 -47- (44) 1297098 < G :電子機器> 接著,關於具有有關本發明之光電裝置之電子機器來 進行說明,而圖24係爲表示具有適用本發明之光電裝置 之行動電話的構成斜視圖,而如此圖所示,行動電話 1 200係除了由利用者所操作之複數操作按鍵1 202,輸出 從其他終端裝置受信之聲音之受話口 1 204,以及輸入傳 送至其他終端之聲音的送話口 1 206之其他,具有顯示各 種晝像之光電裝置D (從100至104),而此光電裝置D 之顯示範圍係被區分爲第1範圔D1與第2範圍D2,而此 之中第1範圍D 1係爲根據點矩陣型之顯示方式,各種畫 像適宜地持續變化而來顯示之範圍,即,區劃第2範圍 D2之多數單位範圍5 1之中只對於構成對象畫像之畫素範 圍51 1,選擇性配置OLED元件21 (第1實施型態),或 者,配列在第2範圍D2之複數畫素之中,只有作爲構成 對象畫像之構成所選擇之顯示畫素與電源電路8電氣接續 (第2乃至4實施型態)。 然而,作爲利用有關本發明之光電裝置而得到之電子 機器係除了圖2 4所示之行動電話以外,亦可舉出筆記型 電腦,液晶電視,取景型或螢幕直視型之攝影機,呼叫器 ,衛星導航裝置,電子手帳,計算機,文字處理機,工作 站,電視電話,POS終端,具備觸碰面板之機器等。 【圖式簡單說明】 -48- (45) (45)1297098 圖1係爲表示有關本發明之第1實施型態之光電裝置 的構成方塊圖。 圖2係爲表示同光電裝置之中顯示面板之構成剖面圖 〇 圖3係爲表示畫素範圍及非畫素範圍之配列的型態之 平面圖。 圖4(a)至圖4(d)係爲表示同光電裝置之製造方 法的工程圖。 圖5(a)至圖5(c)係爲表示同光電裝置之製造方 法的工程圖。 圖6係爲表示有關變形例之顯示面板構成之剖面圖。 圖7係爲表示畫素範圍及非畫素範圍之其他配列的型 態之平面圖。 圖8係爲表示有關變形例之顯示面板構成之剖面圖。 圖9係爲表示有關變形例之顯示面板構成之剖面圖。 圖1 〇係爲表示有關本發明之第2實施型態之光電裝 置的構成方塊圖。 圖U係爲表示同光電裝置之中顯示面板之構成剖面 圖。 圖12,擴大顯示面板之畫素電極附近之構成平面圖 〇 圖13係爲從針對圖12之XIII — XIII線所看到之剖·面 圖,其中表示有關顯示畫素之構成圖。 圖14係爲從針對圖12之XVI — XVI線所看到之剖面 (46) 1297098 圖,其中表示有關顯示畫素之構成圖。 圖15(a)至圖15(e)係爲表示同光電裝置之製造 方法的工程圖。 圖16(a)至圖16(d)係爲表示同光電裝置之製造 方法的工程圖。 圖1 7係爲表示有關本發明之第3實施型態之光電裝 置的構成方塊圖。 圖18係爲同光電裝置之中顯示面板的剖面圖,其中 表示有關顯示配線之構成圖。 圖1 9係爲同顯示面板之剖面圖,其中表示有關非顯 示配線之構成圖。 圖2 0係擴大表示同顯示面板之中電源配線與配線的 平面圖。 圖2 1係爲表示有關本發明之第4實施型態之光電裝 置的構成方塊圖。 圖22係擴大表示同光電裝置之中針對顯示面板之畫 素電極附近之構成的平面圖。 圖23係爲從針對圖22之XXIII — ΧΧΙΠ線所看到之 剖面圖。 圖24係爲表示成爲有關本發明之電子機器一例之行 動電話的構成斜視圖。 【主要元件符號說明】 1…顯示面板 -50- (47) 8 ·., •電源電路 11 …畫 素 電 極 12 …配 線 14 …隔 壁 15 …對 向 電 極 17 …封 合 層 21 …OLED元件 22 …部 分 絕 緣 體 23 …電 阻 層 30 …絕 緣 體 3 1 …第 1 絕 緣 層 32 …第 2 絕 緣 層 34 …導 通 部 35 …電 阻 體 5 1 …單 位 範 圍 7 1 …吐 出 □ 8 1 …電 源 配 線 1297098 101···光電裝置 121…突出部 311···導通用開口部 3 2卜··開口部 5 1 1…畫素範圍 5 12…非畫素範圍

Claims (1)

  1. (1) 1297098 十、申請專利範圍 1· 一種光電裝置,其特徵乃具備 平板狀之基材, 和設於分割於前述基材之表面之複數之單位範圍的第 1電極, 和設於對於前述第1電極而言,與前述基材相反側的 第2電極, 和選擇性設置於構成前述複數之單位範圍中之特定之 畫像的單位範圍之畫素範圍,藉於前述第1電極和前述第 2電極間的光電元件。 2. 如申請專利範圍第1項之光電裝置,其中,具備 設於前述複數之單位範圍中之畫素範圍以外之單位範圍之 非畫素範圍,電性絕緣前述第1電極和第2電極的絕緣體 〇 3. —種光電裝置,其特徵乃具備 平板狀之基材, 和設於分割於前述基材之表面之複數之單位範圍的第 1電極, 和設於對於前述第1電極而言,與前述基材相反側的 第2電極, 和設於各前述複數之單位範圍,介於前述第1電極和 前述第2電極間之光電元件, 和選擇性設置於構成前述複數之單位範圍中之特定之 躉像的單位範圍以外之單位範圍之非畫素範圍,電性絕緣 -52- (2) 1297098 前述第1電極和第2電極的絕緣體。 4. 如申請專利範圍第1項或第3項之光電裝置,其 中,具備於前述基材之表面,由垂直方向視之,與前述光 電元件之一部分重疊而設置,介於前述第1電極和前述第 2電極間之部分絕緣體。 5. 如申請專利範圍第1項或第3項之光電裝置,其 中,具備設於相互鄰接之單位範圍之各間隙的間隔壁; 前述光電元件乃設於經由前述間隔壁所包圍之範圍內 〇 6. 如申請專利範圍第1項或第3項之光電裝置,其 中,各前述第1電極及前述第2電極乃在於前述複數之單 位範圍中,爲單一之電極者。 7. 如申請專利範圍第1項或第3項之光電裝置,其 中,前述第1電極乃設於各別不同之單位範圍之複數之畫 素電極。 8. 如申請專利範圍第7項之光電裝置,其中,將前 述複數之單位範圍,分割成對應於各爲不同之顏色的2以 上之群時,施加於設於前述各單位範圍之畫素電極的電壓 ,則對每該單位範圍所屬之群而言,有所不同者。 9 ·如申請專利範圍第1項或第3項之光電裝置,其 中,具備經由具有特定之阻抗率之導電性材料所形成,介 於前述第1電極和前述第2電極之間的阻抗層。 10. —種光電裝置,其特徵乃具備 平板狀之基材, -53 - (3) 1297098 和於前述基材上,呈面狀加以排列之複數之畫素電極 和各別設於前述各畫素電極之面上的複數之光電元件 和挾持前述各光電元件,對向於前述複數之畫素電極 之對向電極, 和選擇性設於對應於前述複數之畫素電極中之特定之 畫像所選定之1以上之畫素電極與電源電路間,導通該1 以上之畫素電極與電源電路之導通部。 11. 如申請專利範圍第1 〇項之光電裝置,其中,前 述導通部乃設於前述1以上之畫素電極和前述配線間。 12. 如申請專利範圍第1 〇項之光電裝置,其中,具 備各別連接前述畫素電極之複數之配; 前述導通部乃設於連接於對應於前述複數之配線中特 定之畫像所選定之1以上之畫素電極的各配線和前述電源 電路之間。 13. —種光電裝置,其特徵乃具備 平板狀之基材, 和於前述基材上,呈面狀加以排列之複數之畫素電極 和各別設於前述各畫素電極之面上的複數之光電元件 和挾持前述各光電元件’對向於前述複數之畫素電極 之對向電極, -54- (4) 1297098 和各別設定於前述畫素電極和電源電路間,導通該畫 素電極和前述電源電路之複數之導通部中,各阻抗値對應 於特定之畫像選定之複數之導通部。 1 4.如申請專利範圍第1 3項之光電裝置,其中,具 備連接於前述電源電路之配線; 各前述複數之導通部乃設於前述各畫素電極和前述配 線間。 1 5 .如申請專利範圍第1 4項之光電裝置,其中,前 述各導通部之阻抗値乃對應於連接前述各畫素電極和前述 配線之導通部之條數之値。 16.如申請專利範圍第1 4項之光電裝置,其中,前 述各導通部之阻抗値乃對應於形成該導通部之導電性材料 之種類之値。 1 7.如申請專利範圍第1 3項之光電裝置,其中,具 備各別連接於前述畫素電極之複數之配線; 各前述複數之導通部乃設於前述各配線和前述電源電 路間。 1 8 .如申請專利範圍第1 〇項或第1 3項之光電裝置, 其中,具備經由具有特定之阻抗率之導電性材料所形成, 介於前述畫素電極和前述對向電極間的阻抗層。 1 9.如申請專利範圍第1 8項之光電裝置,其中,前 述阻抗層乃由前述光電元件視之,設於與觀察側相反側者 〇 2〇·如申請專利範圍第1 0項或第1 3項之光電裝置, -55- (5) (5)1297098 具備設於前述基材之面上,具有開口部之膜體; 前述導通部乃設於經由前述膜體之開口部之內周緣所 包圍之範圍內。 2 1. —種電子機器,其特徵乃具備如申請專利範圍第 1至第20項之任一項之光電裝置。 22. —種光電裝置之製造方法,其特徵乃具有 分割於平板狀之基材表面之複數之單位範圍,形成第 1電極之工程, 和於構成前述複數之單位範圍中之特定之畫像的單位 範圍之畫素範圍,選擇性形成光電元件之工程, 和形成挾持前述光電元件,與前述第1電極對向之第 2電極的工程。 2 3 .如申請專利範圍第2 2項之光電裝置之製造方法 ,其中,形成前述第1電極之工程和形成前述第2電極之 工程之間之工程中’具有於前述複數之單位範圍中之前述 畫素範圍以外之單位範圍之非畫素範圍,形成電性絕緣前 述第1電極和前述第2電極之絕緣體的工程。 24. —種光電裝置之製造方法,其特徵乃具有 分割於平板狀之基材表面之複數之單位範圍,形成第 1電極之工程, 和於各前述複數之單位範圍,形成光電元件之工程, 和形成挾持前述光電元件,與前述第I電極對向之第 2電極的工程, 和於前述複數之單位範圍中構成特定畫像之單位範圍 -56- (6) 1297098 以外之單位範圍之非畫素範圍,形成電性絕緣前述第1電 極和前述第2電極之絕緣體的工程。 25·如申請專利範圍第22項或第24項之光電裝置之 製造方法,其中,於形成前述光電元件之工程中,將含光 電物質之淚滴,從吐出口吐出,將液滴彈著於前述基材上 而形成前述光電元件者。 26·如申請專利範圍第25項之光電裝置之製造方法 ’其中’較形成前述光電元件之工程之前的工程中,具有 於相互鄰接之單位範圍之各間隙,形成間隔壁之工程; 於形成前述光電元件之工程中,於經由前述間隔壁所 包圍之範圍內,彈著含前述光電物質之液滴。 27 ·如申請專利範圍第23項或第24項之光電裝置之 製造方法,其中,形成前述絕緣體之工程中,將含絕緣性 物質之液滴,從吐出口吐出,將此液滴彈著於前述基材上 而形成前述絕緣體。 28·如申請專利範圍第22項或第24項之光電裝置之 製造方法,其中,具有於前述基材之表面,由垂直方向視 之’與前述光電元件之一部分重疊地,形成介於前述第j 電極和前述第2電極間之部分絕緣體之工程。 2 9 ·如申請專利範圍第2 8項之光電裝置之製造方法 ’其中,形成前述部分絕緣體之工程中,將含絕緣性物質 之液滴’從吐出口吐出,將此液滴彈著於前述基材上而形 成則述部分絕緣體。 3 0 ·—種光電裝置之製造方法,其特徵乃具有 -57 - (7) 1297098 於平板狀之基材上,將複數之畫素電極呈面狀地加以 排列形成之工程, 和於前述各畫素電極之面狀,形成光電元件之工程, 和挾持前述各光電元件,對向於前述複數之畫素電極 ,形成對向電極之工程, 和選擇性形成導通對應於前述複數之畫素電極中之特 定畫像所選定之1以上之畫素電極和電源電路之導通部的 工程。 31· —種光電裝置之製造方法,其特徵乃具有 於平板狀之基材上,將複數之畫素電極呈面狀地加以 排列形成之工程, 和於前述各畫素電極之面狀,形成光電元件之工程, 和挾持前述各光電元件,對向於前述複數之畫素電極 ,形成對向電極之工程, 和採用各對應於特定之畫像所選定之阻抗値,形成導 通前述各畫素電極和前述電源電路之複數之導通部的工程 〇 3 2.如申請專利範圍第3 0項或第3 1項之光電裝置之 製造方法’其中,形成前述導通部之工程中,將含導電性 杉料之液滴’從吐出口吐出,將此液滴彈著於前述基材上 而形成前述導通部。
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