TWI296847B - Semiconductor device - Google Patents

Semiconductor device Download PDF

Info

Publication number
TWI296847B
TWI296847B TW095106607A TW95106607A TWI296847B TW I296847 B TWI296847 B TW I296847B TW 095106607 A TW095106607 A TW 095106607A TW 95106607 A TW95106607 A TW 95106607A TW I296847 B TWI296847 B TW I296847B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
semiconductor device
semiconductor
resistor
capacitor
resistive element
Prior art date
Application number
TW095106607A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200709389A (en
Inventor
Hajime Kurata
Kunihiko Gotoh
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Publication of TW200709389A publication Critical patent/TW200709389A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI296847B publication Critical patent/TWI296847B/zh

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D47/00—Separating dispersed particles from gases, air or vapours by liquid as separating agent
    • B01D47/02—Separating dispersed particles from gases, air or vapours by liquid as separating agent by passing the gas or air or vapour over or through a liquid bath
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/06—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
    • H01L27/0688—Integrated circuits having a three-dimensional layout
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D53/00—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols
    • B01D53/34—Chemical or biological purification of waste gases
    • B01D53/74—General processes for purification of waste gases; Apparatus or devices specially adapted therefor
    • B01D53/77—Liquid phase processes
    • B01D53/78—Liquid phase processes with gas-liquid contact
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D53/00—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols
    • B01D53/34—Chemical or biological purification of waste gases
    • B01D53/92—Chemical or biological purification of waste gases of engine exhaust gases
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F01—MACHINES OR ENGINES IN GENERAL; ENGINE PLANTS IN GENERAL; STEAM ENGINES
    • F01N—GAS-FLOW SILENCERS OR EXHAUST APPARATUS FOR MACHINES OR ENGINES IN GENERAL; GAS-FLOW SILENCERS OR EXHAUST APPARATUS FOR INTERNAL COMBUSTION ENGINES
    • F01N3/00—Exhaust or silencing apparatus having means for purifying, rendering innocuous, or otherwise treating exhaust
    • F01N3/02—Exhaust or silencing apparatus having means for purifying, rendering innocuous, or otherwise treating exhaust for cooling, or for removing solid constituents of, exhaust
    • F01N3/04—Exhaust or silencing apparatus having means for purifying, rendering innocuous, or otherwise treating exhaust for cooling, or for removing solid constituents of, exhaust using liquids
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F23—COMBUSTION APPARATUS; COMBUSTION PROCESSES
    • F23G—CREMATION FURNACES; CONSUMING WASTE PRODUCTS BY COMBUSTION
    • F23G7/00—Incinerators or other apparatus for consuming industrial waste, e.g. chemicals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L28/20—Resistors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L28/40—Capacitors
    • H01L28/55—Capacitors with a dielectric comprising a perovskite structure material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L28/40—Capacitors
    • H01L28/60—Electrodes
    • H01L28/65—Electrodes comprising a noble metal or a noble metal oxide, e.g. platinum (Pt), ruthenium (Ru), ruthenium dioxide (RuO2), iridium (Ir), iridium dioxide (IrO2)
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/08—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind
    • H01L27/0802—Resistors only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/08—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind
    • H01L27/0805—Capacitors only

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Combustion & Propulsion (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Biomedical Technology (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Description

1296847 九、發明說明： 【發明戶斤屬之技術領域3 相關申請案對照 本申請案是以於2005年8月30日提出申請之日本專利 5 申請案第2005-249914號案為基礎並且主張其之優先權的 利益，該日本專利申請案的整個内容是被併合於此中作為 參考。 發明領域 本發明有關於一種半導體裝置。 10 【先前技術】 發明背景 就具有電阻元件與電容元件的半導體裝置而言，後面 的專利文件1-3業已被揭露。專利文件1描述一種半導體積 體電路的輸入-保護電路裝置，在其中，一個輸入焊墊是經 15 由一個電阻器來連接到一個電容器。專利文件2亦描述一種 半導體裝置，其包括一個沿著一個渠溝之表面形成的第一 多晶矽層，和一個沉積於一個在該第一多晶矽層之上之絕 緣層上的第二多晶矽層，該第二多晶矽層填充該渠溝且是 被使用作為電阻器。專利文件3亦描述一種半導體類比積體 20 電路，在其中，電阻器與電容器是被形成。 [專利文件1]曰本專利申請案早期公開第2000-12778 號案 [專利文件2]曰本專利申請案早期公開第Hei 11-330375 號案 5 1296847, [專利文件3]日本專利申請案早期公開第Hei 5-259416 號案 在專利文件1和3中，因為電阻器和電容器是形成於個 別的地方，要把該半導體裝置微型化是困難的。在專利文 5 件2中，該渠溝的内側是為電阻器，其之外側是為電容器， 而且電阻器與電容器被整合的結構是被完成，而因此，該 結構無法被應用到電阻器與電容器是經由一個絕緣層來彼 此隔離的電路結構。 【發明内容】 10 發明概要 本發明之目的是為把包括電阻器與電容器之半導體裝 置的尺寸微型化。 根據本發明之一個特徵，一種半導體裝置被提供，其 包括：一個半導體基體；一個在該半導體基體上的第一電 15 阻元件；一個在該第一電阻元件之上的電容元件；及一個 在該第一電阻元件與該電容元件之間的絕緣層。 圖式簡單說明 第1圖是為本發明之第一實施例之半導體裝置的剖視 圖。 20 第2圖是為第1圖之半導體裝置的平面圖。 第3A至3F圖是為顯示製作第1圖之半導體裝置之方法 之半導體裝置的剖視圖。 第4圖是為本發明之第二實施例之半導體裝置的剖視 1296847 第5圖是為顯示製作第4圖之半導體裝置之方法之半導 體骏置的剖視圖。 第6圖疋為一個顯示一個半導體積體電路(半導體裝置） 之佈局之例子的圖示。 5 第7圖是為—個顯示本發明之第三實施例之半導體積 體電路(半導體裝置)之佈局之例子的圖示。 t實施方式】 較佳實施例之詳細說明 (第一實施例） 1〇 由於系統的微型化與可攜帶性持續發展，以低電力消 耗運作的半導體積體電路是必需的。特定的例子包括1C卡 與ID晶片（RFID標籤）的應帛，其通常是不被允許具有電池 作為電源，而且在於此中所使用的半導體積體電路中，電 力是從因存取而要被照射之電磁波的能量得到，而且通訊 15區域的廣免範圍能夠由低電力消耗來實現。另一方面，就 如此之應用的電路而言，低成本是被強烈需求，而因此在 半導體晶片之尺寸上的縮減是必要的。 在1C卡與ID晶片的應用中，被用於穩定電源的平滑電 容器是大的。在具有平滑電容器與鐵電記憶體(FeRAM)混 20合在一起的處理中，具有大電容的鐵電電容器能夠被使用 作為平滑電容器，而因此在晶片尺寸上的縮減方面是有優 點的。另一方面，在如此的應用中，為了低電力消耗之目 的，被消耗的電流必須利用大電阻器（具有高電阻的電阻器） 來降低，而在電路中使用之電阻器的區域變得相當大，藉 7 1296847, 此防止晶片尺寸縮減。#，如果電阻器和電容器是以二度 空間形式配置於像-般之半導體積體電路 ^ 體上的不同位置的話，該等電阻元件與電u件 面積是大，因此在w尺寸上_減無法達成而成本降低 變得困難。在減電財，像·器與電容^般的被動元 件是被考量以三度空間形式配置，藉此縮減^尺寸。$ 至在如此的半導體裝置中，如果電阻器與電容器的位置是 以二度空間形式彼此移位的話，縮減該晶片尺寸的效果無 法在低電力消耗的類比電路中被期待。於此後，用於解決 1〇這問題之本發明的第一實施例將會被描述。 第1圖是為本發明之第-實施例之半導體裝置的剖視
圖。這半導體裝置是為，例如，Ic (積體電路)卡或者RFID (射頻識別）標籤。 一個半體基體100是為秒基體，例如。一個n型井;[〇ι 15是形成於該矽基體100中。一個P型擴散層103是形成於該N 型井101中。該擴散層103形成一個電阻器。P+型接觸區域 102是形成於該擴散層電阻器1〇3的兩端。在該擴散層電阻 益103之上’ 一個下電極106是經由絕緣層104和1 〇5來被形 成。該等絕緣層104和105是由氧化石夕製成，例如。一個介 2〇 電材料107是形成於該下電極106上’而且此外，一個上電 極108是形成於其上。一個電容器120包含該下電極1〇6、該 介電材料1 、和該上電極1 〇8 °該電容器120是為鐵電電容 器。該下電極106是由Pt (白金）製成，例如。該鐵電材料;[〇7 是為PZT (锆酸-鈦酸鉛）。該上電極108是由Ir02 (二氧化銥) 8 1296847 製成’例如。一個絕緣層109是形成於該上電極108上。該 絕緣層109是由氧化矽製成，例如。一個插塞11〇是經由_ 個接觸孔來連接到該下電極1〇6。一個插塞ln是經由一個 接觸孔來連接到該上電極1〇8。一個插塞112是經由一個接 5觸孔來連接到一個接觸區域1〇2。該等插塞lio-i 12是由w (鶴）製成’例如。該等插塞11〇和ιη是為電容器12〇的電極。 該插基112是為電阻器1〇3的電極。 該電阻器103是配置於該半導體基體1〇〇上。該等絕緣 層104和105是配置在電阻器1〇3與電容器12〇之間。該插塞 10 112是經由一個接觸孔來連接到該電阻器1〇3。該電阻器1〇3 與該電容器120能夠被配置遍佈在插塞112以外之區域中的 大區域。此外，無電晶體被配置於電容器12〇下面。這樣， 電容裔120能夠被形成於半導體基體的平表面上。 第2圖是為第1圖之半導體裝置的平面圖。一個半導體 15裝置（半導體晶片）201包含一個焊墊2〇2，例如。該電容器 120是被配置俾重疊在電阻器1〇3之外。在這實施例中，電 阻為103與電谷裔120是被堆疊俾以三度空間形式重疊。因 為電阻器103與電容器120能夠被配置成在半導體基體的深 度方向上重疊，該半導體裝置（半導體晶片）能夠被微型化。 20在這裡，半導體基體的擴散層，藉由它高電阻被輕易實現， 疋被使用作為電阻裔103。與在dram記憶體細胞中所使用 之電晶體與電容器的堆疊結構比較起來，如此的結構具有 較少的製作問題，而且在晶片尺寸縮減上它具有大的效 果，特別是在需要大量電阻器和電容器之低電力消耗的類 9 1296847. 比電路中。特別是在用於可攜帶型設備的半導體積體電路 中’在其中，低電力消耗是被要求，因晶片尺寸縮減而起 的成本降低能夠被達成。 第3A至3F圖是為顯示製作第1圖之半導體裝置之方法 5之半導體裝置的剖視圖。採用鐵電材料被使用的情況作為 例子’製作具有由電阻器與電容器形成之三度空間結構之 半導體裝置的方法將會作說明。 首先’如在第3A圖中所示，一個把該半導體基體隔離 的步驟是被執行。該N型井1〇1是形成於該半導體基體（矽 10基體）上。接著，僅該半導體基體之表面的一部份是藉 LOCOS (局部秒氧化法）來被選擇地熱氧化俾形成氧化矽 104。藉此，數個在半導體基體上的元件能夠被隔離。 接著’如在第3B圖中所示，p型雜質301被離子植入到 戎主動區域103，藉此形成該利用該p型擴散層的電阻器 15 103 ， 接著，如在第3C圖中所示，p型雜質是利用光罩來被僅 離子植入到該等區域1〇2，藉此形成該等广型接觸區域1〇2。 接著，如在第3D圖中所示，中間層絕緣層1〇5是沉積於 半導體基體的表面上，而且這中間層絕緣層1〇5是藉CMp 20 (化子機械研磨法)來被平面化。該中間層絕緣層ι〇5是由氧 化石夕製成，例如。 接著，如在第犯圖中所示，該電容器的下電極1〇6是藉 由賴來沉積於該中間層絕緣層1〇5上。該下電極是由_ 成例如接著’该鐵電材料1〇7是藉由錢鍍來沉積於該下 10 1296847 電極106上。該鐵電材料1〇7是為ρζτ，例如。接著，該電容 為的上電極108是藉由滅鍍來沉積於該鐵電材料107上。該 上電極108是由ir〇2製成，例如。 接著，忒上電極1〇8是藉微影與蝕刻來被定以圖案成預 5定形狀。然後，該鐵電材料1〇7是藉餘刻來被定以圖案成預 定形狀。隨後，該下電極106是藉微影與蝕刻來被定以圖案 成預定形狀。該下電極1〇6、該鐵電材料1〇7、和該上電極 1〇8構成該鐵電電容器120。該鐵電電容器12〇是被形成重疊 於該擴散層電阻器1〇3之上。 1〇 接著，如在第317圖中所示，該中間層絕緣層109是沉積 於該半導體基體的表面上，而且該中間層絕緣層1〇9是藉 CMP來被平面化。該中間層絕緣層1〇9是由氧化矽製成，例 如。然後，e亥專接觸孔，其通向該下電極、該上電極1〇8、 和該等電阻器接觸區域102，是藉蝕刻來被開啟。隨後，這 15些接觸孔疋埋藏有插塞11 〇-112而且被平坦化。該等插塞 110-112是由W製成，例如。 然後’ A1 (鋁）是藉濺鍍來沉積於該半導體基體的表面 上。然後，這A1被蝕刻成預定圖案，藉此形成第一金屬導 線層。隨後，透過典型的佈線步驟，具有擴散層電阻器1〇3 20與鐵電電容器12〇被堆疊之結構的半導體積體電路被完成。 如上所述，根據本實施例，藉由把電容器12〇配置成重 疊在電阻器103之上，半導體裝置的尺寸能夠被微型化而且 成本能夠被降低。此外，因為電阻器1〇3能夠由高電阻的電 阻器製成，低電力消耗的半導體装置能夠被實現。此外， 11 1296847 精由使用鐵電電容裔作為電容益120 ’電容p 12〇佔用的面 積能狗被縮減且半導體裝置的尺寸能夠被縮減。 (第二實施例） 弟4圖是為本發明之第二實施例之半導體裝置的剖視 5圖。第4圖的實施例與第1圖的第一實施例不同的地方是在 於一個電阻器401被形成代替電阻器103與接觸區域102。於 此後。這實施例與第一實施例不同的地方將會作說明。在 其他地方，這實施例是與第一實施例相同。 電阻器401是由沉積於在半導體基體上之絕緣層1〇4上 10 的多晶矽製成。該等插塞112是連接到電阻器401的兩端。 與第一實施例相同，電容器120是被配置重疊於電阻器401 之上。該絕緣層105是被配置在電阻器401與電容器120之 間。 然後，製作第4.圖之半導體裝置的方法將會被描述。首 15 先，在第3Α圖中所示的步驟是如同在第一實施例中一樣被 執行。然後，如在第5圖中所示，多晶矽401是藉CVD (化學 蒸氣沉積法）來沉積於半導體基體的表面上。多晶矽401是 藉微影與蝕刻來被定以圖案成預定形狀。這多晶矽401形成 電阻器。隨後，在第3D至3F圖中所示的步驟被執行。然而， 20 該等插塞112是連接到電阻器401的兩端。 而且，在這實施例中，與第一實施例相同，藉由把電 容器120配置重疊於電阻器4〇1之上，半導體裝置的尺寸能 夠被微型化且成本能夠被降低。此外，由於電阻器401能夠 由高電阻的電阻器製成，低電力消耗的半導體裝置能夠被 12 1296847 實現。此外，藉由使用鐵電電容器作為電容器120,電容器 120佔用的面積能夠被縮減且半導體裝置的尺寸能夠被縮 減。 (第三實施例） 5 第_是為一個顯示—個半導體積體電路(半導體裝置) 之佈局之例子的圖示。一個半導體積體電路6〇〇包含一個第 -類比電路6G1、-個第_電阻器_、_個電容器_、_ 個第二類比電路604、一個第二電阻器6〇5、一個記憶體 606、和一個邏輯電路6〇7。 10 在低電力消耗的類比電路601和604中，大電阻器主要 疋被要求在偏壓電路中俾可降低被消耗的電流。該第一類 比電路601是，例如，一個帶隙參考電路(BGR)。該第二類 比電路604是為，例如，電壓控制振盪器電路(vc〇)。該等 類比電路601和604中之每一者包含一個偏壓電路。在該偏 15壓電路中，大電阻器是被用於產生偏壓電壓或者偏壓電 流。該第一電阻器602是連接到在第一類比電路6〇1中的偏 壓電路。該第二電阻器605是連接到在第二類比電路6〇4中 的偏壓電路。該電容器603是為一個用於穩定化該半導體積 體電路600之電源的平滑電容器。如果電阻器6〇2,6〇5與平 20滑電容器603是以二度空間形式配置在個別的位置的話，該 佈局效率是低且半導體晶片600的尺寸變得大。 第7圖是為一個顯示本發明之第三實施例之半導體積 體電路(半導體裝置)之佈局之例子的圖示。一個半導體積體 電路700包含一個第一類比電路701、一個第一電阻器7〇2、 13 1296847 一個電容器703、-個第二類比電路7〇4、_個第二電阻器 7〇5、一個記憶體7〇6、和一個邏輯電路7〇7。該記憶體7⑽ 和該邏輯電路707是為數㈣路。該半導體積體電路7〇〇具 有混合在一起的類比電路7〇1，7〇4，和數位電路7〇6,7〇7。/' 5 $實_使用第H實闕的半導體積體電路。 該第一電阻器702和該第二電阻器7〇5是配置於半導體基體 上。電容器703是被配置重疊在第一電阻器7〇2與第二電阻 器705之上。一個絕緣層是配置於電阻器7〇2,7〇5與電容器 703之間。 10 在低電力消耗的類比電路701和704中，大電阻器是主 要被要求於該偏壓電路中俾降低被消耗的電流。該第一類 比電路701是為，例如，一個帶隙參考電路(BGR)。該第二 類比電路704是為，例如，一個電壓控制振盪器電路(vc〇)。 該等類比電路701和704中之每一者包含一個偏壓電路。在 15該偏壓電路中，大電阻器是用於產生偏壓電壓或偏壓電 流。該第一電阻器702是連接到在第一類比電路7〇1中的偏 壓電路。該第二電阻器705是連接到在第二類比電路704中 的偏壓電路。該電容器703是為一個用於穩定化該半導體積 體電路700之電源的平滑電容器。 2〇 因為電阻器702,705和平滑電容器703是被重疊配置， 佈局效率是高且半導體晶片700的尺寸能夠被縮減。在第7 圖的半導體積體電路700中，與第6圖的半導體積體電路600 比較起來，由標號708所表示之晶片區域的面積能夠被削減 俾縮減該晶片尺寸。 14 1296847 如上所述’在這實施射，用於 電阻器702和705是被相鄰地置放且被一起二—01和704的 :積體電路7°°上的部份，藉此得到-個具有某 := = :_，用作平滑電容器的鐵電電容器-疋被堆些電阻器观和期之上，藉此 片700的尺寸被縮減。 卞千日曰 注意的是，以上之實施例中之任一者僅顯示實現样 • 日月的例子，而本發明的技術範圍不應由這些實施例限制地 1解澤。即，在沒有離開本發明之技術範圍與精神，或者原 10理特徵下，本發明能夠以各式各樣的形式來被執行。。 把電容元件配置重疊於第一電阻元件之上允許該半導 體裝置的尺寸被微型化且成本被降低。此外，因為電阻哭 能夠由高電阻的電阻器製成，低電力消耗的半導體裝置能 夠被實現。 15 【圖式簡單説明】 % 第1圖是為本發明之第一實施例之半導體裝置的剖視 圖〇 第2圖是為第1圖之半導體裝置的平面圖。 第3 A至3F圖是為顯示製作第1圖之半導體裝置之方、去 20之半導體裝置的剖視圖。 第4圖是為本發明之第二實施例之半導體裝置的剖視 圖。 第5圖是為顯示製作第4圖之半導體裝置之方法之半導 體裝置的剖視圖。 15 1296847 第6圖是為一個顯示一個半導體積體電路(半導體裝置) 之佈局之例子的圖示。 第7圖是為一個顯示本發明之第三實施例之半導體積 體電路(半導體裝置）之佈局之例子的圖示。 5 【主要元件符號說明】
100 半導體基體 101 N型井 103 P型擴散層 102 P+接觸區域 104 絕緣層 105 絕緣層 106 下電極 107 介電材料 108 上電極 109 絕緣層 110 插塞 111 插塞 112 插塞 120 電容器 201 半導體裝置 202 焊墊 401 電阻器 600 半導體積體電路 601 第一類比電路 602 第一電阻器 603 電容器 604 第二類比電路 605 第二電阻器 606 記憶體 607 邏輯電路 700 半導體積體電路 701 第一類比電路 702 第一電阻器 703 電容器 704 第二類比電路 705 第二電阻器 706 記憶體 16 1296847 707 邏輯電路

Claims (1)

1296847 十、申請專利範圍： 1. 一種半導體裝置，包含： 一個半導體基體； 一個在該半導體基體上的第一電阻元件； 5 一個在該第一電阻元件之上的電容元件；及 一個在該第一電阻元件與該電容元件之間的絕緣層。 2. 如申請專利範圍第1項所述之半導體裝置，更包含一個經 由一個接觸孔來連接到該第一電阻元件的插塞，其中， 該第一電阻元件與該電容元件是在該插塞之外的區域 10 中。 3. 如申請專利範圍第1項所述之半導體裝置，其中，無電晶 體是在該電容元件下面。 4. 如申請專利範圍第1項所述之半導體裝置，其中，該第一 電阻元件是為使用該半導體基體之擴散層的元件。 15 5.如申請專利範圍第1項所述之半導體裝置，其中，該第一 電阻元件是為使用沉積於該半導體基體上之多晶矽的元 件。 6.如申請專利範圍第1項所述之半導體裝置，其中，該電容 元件是為鐵電電容is。 更包含一個在 該電容元件是 20 7.如申請專利範圍第1項所述之半導體裝置 該半導體基體上的第二電阻元件，其中 在該第一與第二電阻元件之上。 8.如申請專利範圍第1項所述之半導體裝置，更包含一個連 接到該第一電阻元件的第一類比電路。 18 1296847 9.如申請專利範圍第8項所述之半導體裝置，更包含： 一個在該半導體基體上的第二電阻元件；及 一個連接到該第二電阻元件的第二類比電路， 其中，該電容元件是在該第一與第二電阻元件之上。 5 10.如申請專利範圍第8項所述之半導體裝置，更包含一個 數位電路。 11.如申請專利範圍第8項所述之半導體裝置，其中，該第一 類比電路包含一個偏壓電路，該偏壓電路利用該第一電 阻元件來產生偏壓電壓或者偏壓電流。 10 12.如申請專利範圍第8項所述之半導體裝置，更包含一個 經由一個接觸孔來連接到該第一電阻元件的插塞，其 中，該第一電阻元件與該電容元件是在該插塞以外的區 域中。 13. 如申請專利範圍第8項所述之半導體裝置，其中，無電 15 晶體是在該電容元件下面。 14. 如申請專利範圍第8項所述之半導體裝置，其中，該第 一電阻元件是為使用該半導體基體之擴散層的元件。 15. 如申請專利範圍第8項所述之半導體裝置，其中，該第 一電阻元件是為使用被沉積於該半導體基體上之多晶矽 20 的元件。 16. 如申請專利範圍第8項所述之半導體裝置，其中，該電 容元件是為鐵電電容器。 17. 如申請專利範圍第1項所述之半導體裝置，其中，該電 容元件、該絕緣層、與該電阻元件是被置放成彼此直接 19 1296847 接觸
TW095106607A 2005-08-30 2006-02-27 Semiconductor device TWI296847B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005249914A JP2007067096A (ja) 2005-08-30 2005-08-30 半導体装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200709389A TW200709389A (en) 2007-03-01
TWI296847B true TWI296847B (en) 2008-05-11

Family

ID=37802819

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW095106607A TWI296847B (en) 2005-08-30 2006-02-27 Semiconductor device

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20070045652A1 (zh)
JP (1) JP2007067096A (zh)
KR (1) KR100746518B1 (zh)
CN (1) CN1925156A (zh)
TW (1) TWI296847B (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008211115A (ja) * 2007-02-28 2008-09-11 Ricoh Co Ltd 半導体装置
JP5539624B2 (ja) * 2008-04-28 2014-07-02 ラピスセミコンダクタ株式会社 薄膜抵抗素子、及び薄膜抵抗素子の製造方法
CN106997880A (zh) * 2017-04-05 2017-08-01 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司 一种半导体结构及其制备方法
JP7027176B2 (ja) * 2018-01-22 2022-03-01 ラピスセミコンダクタ株式会社 半導体装置
US10910358B2 (en) * 2019-01-30 2021-02-02 Micron Technology, Inc. Integrated assemblies having capacitive units, and having resistive structures coupled with the capacitive units

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0590502A (ja) * 1991-09-30 1993-04-09 Nec Corp 半導体装置
US5674875A (en) * 1993-05-04 1997-10-07 Eli Lilly And Company Method of blocking human 5-hydroxytryptamine-2 receptors
KR100234361B1 (ko) * 1996-06-17 1999-12-15 윤종용 강유전체 캐패시터를 구비하는 반도체 메모리장치 및그제조방법
GB9711043D0 (en) * 1997-05-29 1997-07-23 Ciba Geigy Ag Organic compounds
JP4158214B2 (ja) * 1997-10-31 2008-10-01 沖電気工業株式会社 半導体集積回路
JP3484349B2 (ja) * 1998-07-23 2004-01-06 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 電圧レギュレータ
US6268992B1 (en) * 1999-04-15 2001-07-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Displacement current trigger SCR
TW479311B (en) * 2000-05-26 2002-03-11 Ibm Semiconductor high dielectric constant decoupling capacitor structures and process for fabrication
JP3721117B2 (ja) * 2001-10-29 2005-11-30 エルピーダメモリ株式会社 入出力回路と基準電圧生成回路及び半導体集積回路
TW595102B (en) * 2002-12-31 2004-06-21 Realtek Semiconductor Corp Circuit apparatus operable under high voltage

Also Published As

Publication number Publication date
KR20070025924A (ko) 2007-03-08
KR100746518B1 (ko) 2007-08-07
TW200709389A (en) 2007-03-01
US20070045652A1 (en) 2007-03-01
CN1925156A (zh) 2007-03-07
JP2007067096A (ja) 2007-03-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10157769B2 (en) Semiconductor devices including a diode structure over a conductive strap and methods of forming such semiconductor devices
US9553141B2 (en) Semiconductor device having supporter
US9646869B2 (en) Semiconductor devices including a diode structure over a conductive strap and methods of forming such semiconductor devices
TWI281754B (en) Metal-insulator-metal capacitors
CN102782850B (zh) 绝缘体上半导体金属结构、形成此些结构的方法及包含此些结构的半导体装置
TW526588B (en) Semiconductor device and method for manufacturing the same
TWI296847B (en) Semiconductor device
JP2003273230A (ja) 半導体装置及びその製造方法
US20140145306A1 (en) Semiconductor device having glue layer and supporter
US8969971B2 (en) Semiconductor devices including a resistor structure
TW201123356A (en) Wiring structures and methods of forming wiring structures
US20210202511A1 (en) System-on-chip with ferroelectric random access memory and tunable capacitor
JP2009130188A (ja) メモリ装置の製造方法
CN111902939A (zh) 半导体存储装置、积和计算装置以及电子设备
JP2006294867A (ja) 半導体装置および半導体装置の製造方法
TWI222210B (en) Semiconductor device and method of manufacturing the same
TW465084B (en) High dielectric constant nonvolatile memory and its manufacturing method
US11688680B2 (en) MIM capacitor structures
JP2004273538A (ja) 半導体装置及びその製造方法
KR102717500B1 (ko) 커패시터들의 제조 동안 에칭-정지 재료를 이용하는 방법들, 커패시터들을 포함하는 집적 조립체들
KR102686736B1 (ko) 강유전성 랜덤 액세스 메모리 및 조정 가능한 캐패시터를 갖는 시스템-온-칩
TW444396B (en) Semiconductor memory and manufacturing method thereof
JP6194701B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP2008108799A (ja) 半導体装置
CN114628385A (zh) 半导体装置及其制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees