TWI296183B - - Google Patents
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Description
1296183 九、發明說明: • 【發明所屬之技術領域】 , 本發明係與測定誤差之修正方法及電子零件特性測定裝 、 置有關;詳細而言,該測定誤差之修正方法及電子零件特 . ㈣定裝置係:把電子零件安裝於試驗治具,在該狀態下 進行測定,從電性特性的測定結果,把該電子零件如安裴 於參考治具作測定所可能獲得之電性特性的推定值進行算 出。 # Φ 【先前技術】 在先前技術方面有採取如下方法者:把表面安裝型電子 零件等之不具有同軸連接器之電子零件,安裝於具有同轴 連接器之治具,介以同軸連接線把治具與測定裝置連接, 測定其電性特性。在此類測定中,各個治具之特性的參差 不齊、各個同軸連接線及測定裝置特性的參差不齊,是造 成測定誤差的原因。 在同轴連接線及測定裝置方面,介以同軸連接線把具有 參考特性之標準器連接於測定裝置後,進行測定;藉由此 方式,可把位於比連接於標準器之同軸連接線更先^之測 定裝置側的誤差進行蓉定。 然而,在治具方面,端子與同軸連接器間之電性特性的 誤差並無法作高精度鑒定;而該端子係安裝有電子零件 者;而該同軸連接器係連接有同軸連接線者。再者,治具 ^之特性亚不容易以調整方式形成—致。尤其在寬廣的頻 寬中,藉由調整治具使治具間之特性形成一致,乃極為困 101931.doc 1296183 難之事 因此冑如下方法被提出:把修正資料取得用試料安裝 於複數個治具’進行測定,從治具間之測定值的參差不 預先導出把某治具(稱之為「參考治具」)與其他治具 /之為「試驗治具」)間之相對性誤差作修正之數式;接 者使用該數式,從任意之電子零件安裝於試驗 下所測定之結果,把該電子 子零件如安裝於參考治具作測定
1了4传之電性特性的推定值進行算出。譬如,參考治 具係使用於對用戶之雷糾;M ffl A H + 寺性保證方面;而試驗治具係使 : =Γ:製造步驟中之良品棟選的測定方面。具體而 「相對修正變導出由如下兩者所合成之散射陣列(稱之為 射陣歹/ :換值」);亦即:把試驗治具誤差除去之散 射陣列、及參考治呈 ^ ^ /、、 政射陣列。藉由把該相對修正 變換值對試驗治具測定 止 考治具敎值。針對各/在射參陣考^成二#隹定參 面’至少進行3種之4標準之4 '㈣治具兩方 計翼屮㈤減 m料之敎,從錢定結果可 n對修正變換值(譬如,參考料敎獻卜幻。 測定.果利tr係揭示,從試驗治具(量產步驟用等)之 U ’以數學方式推定參考治具(用 =值的方法(分析式相對修正法)。具體而;,藉:在: :治一…把相同試料進行測定,從參== 之測疋值與5式料真值之關係 值與試料真值之關係式, 及3式驗、々具方面之測定 式,導出參考治具方面之測H值之值刪除,藉由此方 、疋值一 5式驗治具方面之關係 101931.doc 1296183 式。接著,利用該關係式,從試驗治具測定值進行推定參 考治具測定值。關係式之未知數係從標準試料在參考治 具、試驗治具上所測定之值導出。標準試料之數係根據關 係式之未知數之數來決定。 非專利文獻3係揭示,從網路分析器之試料測定值把試 料真值導出的方法;亦即,其揭示了網路分析器之校正方 法。真值係以標準器未作校正之測定器進行測定,而該測 定器係以機械尺寸顯示刻度者。接著,從該測定值與標準 ► 器真值之關係,導出測定器之誤差。藉由從試料測定值刪 除該誤差之計算,進行推定試料真值。 [專利文獻1]特開2003-2408727號公報 [非專利文獻 1]GAKU KAMITANI (Murata manufacturing Co.,Ltd.) lfA METHOD TO CORRECT DIFFERENCE OF IN-FIXTURE MEASUREMENTS AMONG FIXTURES ON RF DEVICES,,APMC Vol. 2, pl094-1097, 2003 [非專利文獻2] J. P. DUNSMORE,L. BETTS (Agilent ^ Technologies) ,fNEW METHODS FOR CORRELANTING FIXTURED MEASUREMENTS丨’ APMC Vol. 1,p568-571, 2003 [非專利文獻 3]Agilent Technologies Application Note 1287-3 [發明所欲解決之問題] 非專利文獻1、2之方法係譬如以圖26之順序進行測定誤 差之修正。亦即,針對與參考治具連接之網路分析器預先 101931.doc 1296183 實施校正(S1)後,把3種之1埠標準試料安裝於參考治具, 進行測定(S2)。同樣的,針對與試驗治具連接之網路分析 器預先實施校正(S3)後,把同樣3種之丨埠標準試料安裝於 試驗治具,進行測定(S4)。接著,把3種之丨埠標準試料安 裝於參考治具、試驗治具,分別進行測定,從其測定結 果,導tim予參考治具及言式驗治具之測定值對應關係的相 對修正變換值(S5)。在決定相對修正變換值後,針對與試 驗治具連接之網路分析器預先實施校正(S6);接著把 安裝於試驗治具,進行測定(S7)。藉由把該測定結果與相 對修正變換值進行合成,進行推定如試料安裝於參考治具 時可能獲得之測定值(S8)。 此一情形,相對修正變換值係以網路分析器已作正確校 :為前提,根據僅著眼於治具間誤差之差異的誤差模型所 導出,因此並無法與網路分析器所具有之誤差要因(方向 陡等)對應。在實施參考治具、試驗治具雙方之測定之 際’網路分析器之校正為絕對必要之舉。&於此因,電子 ,件之製造步驟上所使用之試驗治具,有必要在取下連接 器與1接線後才進行校正。然而,此—作#相#困難且費 力耗%。此外,在裝卸之際,可能因連接線斷線,連接器 及校正用標準器之魏,或連接H裝設不確實,而造成測 定誤差。 在專利文獻1所揭示之分析式相對修正法之誤差模型方 由於已把網路分析器所具有的誤差模型化,因此在使 刀析式相對修JL法之際,無需進行網路分析器之校正。 ^1931.(100 1296183 rfn 在專利文獻1所揭示之怂种& ν 治具測定值之關係式具測定值求出參考 度,故最多僅能導出2Γ 基於數學上之困難 之1料而/ 基於此因,並無法對應3琿以上 之,式科。而上述導出方法,且 真值在進行參:設定標準試料之 ..^ α疋時及試驗治具測定時為相等,從 ==標=料真值與具測定值的關係式 來求出試驗治具測定值與參考治具測定值之 在非專利文獻3的方法 壯夕Α 去方面,由於針對同軸(導波管)形 狀之忒料,可製作精度 位置形成校正面,但因針=!故可在試料先前之 ^ ’十子非同軸(導波管)形狀之試料, …、法製作精度良好之標進 ,,. ” \ ,故“、、法在試料先前之位置形 成权正面。基於此因,在使用測定治具之非同軸(導波管) 形狀之試料的測定上, 口揲凌在试枓先丽之位置進行校 故無法藉由(作為測定治具誤差要因之)治具間參差不 背’獲得測定之再現性,此為__項問題。 、有鑒於上述實清’本發明係提供一種測定誤差之修正方 、、及电子零件特I·生測定裝置,其係無須作測定器之校正而 可測定電性特性者。 【發明内容】 為了解決上述問題,本發明係提供如下結構之測定誤差 之修正方法。 本I明之測定誤差之修正方法係如下類型:從在第一測 疋系中測疋電子零件的結果’把該當電子零件如在第二測 101931.doc 1296183 定系中測定所可能獲得之前述電子零件之電性特性的推定 值進行算出。測定誤差之修正方法係包含第一至第五步 驟。前述[步驟係、:在前述第-測定系二 ”,針對對應之至少2個璋之至少一方,把至少弟二 正資料取得用試料分別進行測定。前述第二步驟係:在前 述第一測定系及前述第二測定系中,把連接前述璋間之^ ^料取得用接通元件分別進行測定。前述第三步驟係: 從前述第一步驟及前述第二步驟所獲得的結果,決定如下 數式,而該數式係使前述第一測定系及前述第二測定系之 對應=前述槔之測定值產生關聯性者。前述第四步驟係: 把任意之電子零件在前述第一測定系中進行測定。前述第 j步驟係:根據在前述第四步驟所獲得之測定結果,利用 ^第三步驟所蚊之前述數式,把該#電子零件如在前 述第-測定系中測定所可能獲得之前述電子零件之電 性的推定值進行算出。 ’ 上述方法係根據修正資料取㈣蘭及修正資料取得用 之敎值’進行決定數式;而該數式係用於把在 及疋系所測定之試驗狀態的測定值對在第二測定 狀態的測定值(推定值)作修正者。测定系可採 4 .把電子零件安裝於測定系所 =定:或在測定器連接治具,把電子零件: 接通:::直取得用試料或修正資料取得用 予第-測定系及第二測定二=:',而該數式係賦 J疋糸之對應之埠的測定值關聯性 101931.doc -10- 1296183 者 根據上述方法,可決定第—測定系之測定器之誤 :生、第二測定系之測定器之誤差特性、及如下數式,因此 無須進行第-測定系之料㈣校正及第:敎系之 器的校正;而該數式係戰予第-測定系及第二測定系之對 應之埠的測定值關聯性者。 τ 精由此方式’在第一浪丨中么ΤΪ » 、 、’、及弟二測定系分別使用不同 之治具時,則不須進行極紅主 才耗時費力之治具間差異的調整。 此外’由於針對包含泪丨堂 s,貝與治具之測定系全體進行修 正’無須為了構成測定器而鱼 、 進仃g卸纟口具,故可排除伴隨 治具裝卸而產生的問題。亦 鳩亦即,無須以耗時且講究熟練技 :之手工作業來進行治具之狀卸作業,因此,隨治具狀卸 作業而產生之連接線斷裂或連接料之裝卸部位的磨耗、
及因連接器等之緊固力東I 力參差不齊所導致之測定誤差等,都 得以排除。 理想狀態為:前述第-目丨〜 月J;弟一測疋系包含測定器,該測定器係 實施單獨校正。 因第一測定系所獲得之測宋 付I劂疋值係以第二測定系為參考進 行修正,故作為參考笛-^ 号之第一测疋系之測定器應以已實施校 正為佳。 理想狀態為:在前诚筮-止 引述弟二步驟所決定之前述數式係包含 下列數式1〜數式5。 [數1] 101931.doc -11- 1296183 urTfJ J* J* J, J* J* J* J* J* J+§^* 5=^* J* J»s=^* s^* J*J^ J* J Η δ 7 J* J— J— J* J^J— J* J* pd f 干燊、 1^1 J*17 Ji, J^J, SJ^J, j^J, j- f ς v-W.SI? 5HCO* St? sco=* J * J + i? J * J + ft i? J 丨 J* J + s一 J* J丨 J* J 丨 J* J ·= 3 uz\(yo*p\loo十 ulloo*m\oo— υζτζ,οslco (寸^鵪)--^-slI^Lgr-^
Co— ico (.in^u* ZZSCO丨 I ) * 0/:1001 "uiytu 101931.doc -12- 1296183 前述數式1〜前述數式3係把第一相對修正變換值,亦 =,散射係數(CAdf、CArf、i、CAsf)以反射散射係數測 定結果(s11Ti)及反射散射係數測定結果(s"Di)來表示者; :第-相對修正變換值係把前述第—载系之信號源側之 前述埠(下稱,「信號源側埠」)之誤差成分,變換為前述第 二測定系之信號源側之前述埠(下稱,「信號源侧埠」)之誤 差成分者;而反射散射係數測定結果dm)係:在前述第 一步驟,把3種前述修正資料取得用試料(丨=1、2、3)在前 f第D定系之前述信號源側埠進行敎之結& ;而反射 政射係數測定結果(SllDi)係:把3種前述修正資料取得用試 朴=1、2、3)在前述第二測定系之前述信號源料進行測 疋之、’。果。則述數式4及前述數式5係把第二相對修正變換 =亦即,散射係數(calf、x、CAtf、χ)( χ為任意)以測 疋值SllTD、測定值82〗1'0及散射係數(SnTI、SUTI、s2m、 S:)來表示者;@第二相對修正變換值係把前述第一測 疋糸之信號輸出側之前述蟀(下稱,「信號輸出側埠」)之誤 差成分,變換為前述第二測定系之信號輸出側之前述埠 (下稱,「信號輸出側埠」)之誤差成分者:而測定值s_ 係:前述第:測定系之前述信號源側埠方面之前述修正資 =得用接通S件的測定值;而測定似2咖係:前述第二 測疋糸之前述信號輸出側埠方面之前述修正資料取得用接 〜件的測疋值,而測定值SllTD、測定值S21TD係從前述 :二步驟巾對前述修正資料取得用接通元件進行測定之測 疋結果所算出者;而散射係數(s11TI、Sl2TI、s21TI、S22TI) 101931.doc -13 - 1296183 =前述第_相對修正變換值對前述第一測定 =資料取得用接通元件之測定值,在信號:: 成而成者。 4毛仃合 :-情况’如誤差特性係依照測定方向而不同時 中勺各測定方向求出相對修正變換值。因此 定; 相對修正』:Γ二誤差特性之測定器,亦可使用 換值俜賦予第 高精度之誤差修正。而相對修正變 獲得之測定值對應關係者。-值及弟-〜之所 :狀1為·,述第二步驟所測定之前述修正資料取尸 U件在前述埠間之轉移係數為_10犯以上。^ 進::二:、:信號係比輸入信號小了約-位數,因此可 仃π精度之測定誤差修正。 零二=述問題’本發明係提供如下結構之電子 電Π::=ΓΓ性測定裝置係屬如下類型··從測定 定所可能獲;:之前如在其他測定裝置作測 出。前述電子零件特性測;;推定值進行算 測定前述電子零件者;記憶 収機構,其係 值,龙俜在二、f ’ ,/、係儲存:第一測定 至少r個tT之至t方機構及其他測定裝置上,針對對應之 分別進行敎所獲得者;正㈣取得用試料 機構及前述其他測定褒置===係在前述測定 把連接珂述埠間之修正資料 101931.doc -14- 1296183 取得用接通元件分別進行測定所獲得者;數式決定機構, 其係從儲存於前述記憶機構之前述第—測定值及前述第二 測f值’決定如下數式者;而該數式係賦予前述測定機: 及前述其他収裝置之對應的前述埠之敎值關聯性者; 及電性特性算出機構’其係針對任意之前述電子零件,相 據以前述敎機構敎㈣得之敎結果,抑前述㈣ 決定機構所決定之前述數式,_t電子料如在前述龙 他測定裝置作敎所可㈣得之前述電子零狀電性 的推定值進行算出者。 在上述結構巾,係㈣修正資料取得用蘭及修正資料 取得用接通元件之敎值,進行;而該數式传用 2把在敎機構所敎之試驗狀態的衫值對在其他測定 裝置所測定之參考狀態的測定值(推定值)作修正 ==定裝置可採取如下方式:把電子零件安裝於 測f本身進行敎;或在測u連接治具,μ =於該治具進行敎。較修正㈣取得用試料或修正 2 =轉通元件之真值不明,亦可進行決定數式,而 以數式係賦予對應之埠的測定值關聯性者。 :據上述結構,可決定包括測定機構之誤差特性、測定 :構之順方向與逆方向之特性差、及如下數式,因此” 校正;而該數式係賦予測定機構與其㈣ 展置之對應之埠的測定值關聯性者。 器理想狀g為:前述其他測定裝置係包含已校正之測定 101931.doc -15- 1296183 亦即,由於以其他測定裝置為參考,把藉由測定機構所 測定之測定值進行修正;因此,被當作參考之其他測定裝 置的測定器應為已校正者為佳。 理想狀態為:前述數式決定機構所決定之數式係包含下 列數式1〜數式5。 [數式2]
101931.doc -16- 1296183 、J* J* J, J + J* J* J + J* J „ J*J* J—J* , (1^絲) J* ^J— J* J* J* J* J + JIJ^ J* J · δ=^* u vu
^ r $ 17 JXJ, J^J, J^J, j*17 j H (ε ΐ#) ZSIco«isleo*liHto_ zaHco*5Hco*r>lbco+ £sco*lQHco*EIco+ eQHco*lsco*ebco~— £2co* zQHto*z2l!co丨 εσ-co* z2co*r»hlco ~— Is. + si* Em + _ £sli ui I Ee .
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Ico丨 S1ICO (S ϊ#) (,ί/τ^υ* Izzzco—1--<) * OZTCO" "^vu 101931.doc -17- 1296183 Θ述數式1〜前述數式3係把第一相對修正變換值,亦 即,散射係數(cadf、CArf、i、CAsf)以反射散射係數測 定結果(SnTi)及反射散射係數測定結果(SnDi)來表示者; 而第才目對修正變換值係把前述測定機構之信冑源側之前 述埠(下稱,「信號源側埠」)之誤差成分,變換為前述其他 測疋裝置之信號源側之前述埠(下稱,「信號源侧埠」)之誤 差^分者;而反射散射係數測定結果(SUTi)係:包含於前 述第一測定值之3種前述修正資料取得用試料(i=i、2、3) 在前述測定機構之前述信號源側埠的測定結果;而反射散 射係數敎結果(SllDi)係:包含於前述第—敎值之3種前 返修正資料取㈣試料㈣」、3)在前述其他測定裝置之 月1J迷信號源側璋的測定結果。前述數式4〜數式5係把第二 :對:正變換值’亦即,散射係數(CAlf、x、CAtf、x): 為任思)以測定值s 測定 1TD利疋值S21TD及散射係數(Slm、 12TI、S21TI、S22TI)來表示者•锋一 #r、f、ai a u & ,弟一相對修正變換值係把 則述測定機構之信號輸出側 埠,km、\ ⑴述埠(下稱,「信號輸出侧 旱」)之玦差成分,變換為前述 側之前if埴π Γ 述其他測定裝置之信號輸出 側之别述琿(下稱,「信號輸出 定值W' :前述其他測定農置二〜成分者;而測 前述修正資料取得用接通元件的琪言號源側璋方面的 係:前述其他測定裝置之前述 ,而測疋值 正資料取得用接通元件的測定=出㈣方面之前述修 S21TD係從前述第三測定值所算 /則疋值Shtd、測定值 、S21TI、s22TI)係把前述第’而散射係數(SuTI、 對修正變換值對前述測 101931.doc -18- 1296183 ,定機構方面之前述修正資料取得用接 • 信號源側進行合成而成者。 件之測定值,在 此一情況,如率#α〆 如决差特性係依照測定 •針對各敎方向求出㈣修正㈣值。=不同時,則可 - «與其他^裝置中包含㈣定 即使在測定 之測定器時,亦可使用 代D而有不同誤差特性 差修正。而相對你4 、>正變換值’進行高精度之誤 子心正變換值係賦予 *及其他測定震置所獲得之列定值對:構所獲知之測定 • 理想狀態為:前们::…值對應關係者。 之轉移係數為-1〇^乡上 得用接通元件之前料間 在埠間,輪出信號係比輸 進行高精度之測定誤差修Γ。 約一位數’因此可 零二解:置上述問題,本發明係叫 電特性測定裝置係屬如下類型:從測^ •定所可能〜巴4當電子零件如在其他測定裝置作測 獲件之前述電子零件之電性特性的推定值進行算 測定電子零件特性測定裝置包含:測定機構,其係 的前述痒 2則述測定機構及前述其他測定裝置之對應 二測定值所決定值=14者,3亥數式係由弟-測定值及第 他測定穿、疋,而苐一測定值係:在前述測定機構及其 少3類疋之衣^上,針對對應之至少2個淳之至少一方,把至 修正貪料取得用試料分別進行測定所獲得者;而 101931.doc -19- 1296183 值係:在前述測定機構及前述其他測定裝置上, 所獲得^蜂間之修正!料取得用接通元件分別進行測定 =,及電性特性算出機構,其係針對任意之前述電 二’根據以前述敎機構測定所獲得之測定結果,利 數式儲存機構所健存之前述數式,把該當電子零件 如在别述其他測定裝置作測定所可能獲得之前述電子零件 之電性特性的推定值進行算出者。 f上述結構中,餘據修正f料取得用試料 取付用接通元件之測定值,進行決定數式;而該數式係用 =二疋機構所測定之試驗狀態的測定值對在其他 =所測定之參考狀態的測定值(推定值)作修正者。測定 ==測定裝置可採取如下方式:把電子零件安裝於 行測定;或在測定器連接治具,把電子零件 ^^口具進订测定。即使修正資料取得用試料或修正 传用接通几件之真值不明,亦可進行決定數式,而 μ數式係賦予對應之埠的測定值關聯性者。 根據上述結構,可決定測定機構之誤差特性、 之順方向與逆方向之特性差、及如下數式,因㈣需進籌 =定機構的校正;而該數式相予測定機構與其㈣丁 置之對應之埠之測定值關聯性者。 衣 理想狀悲為,別述其他測定裝置勺人 琴。 “ L έ已校正之剛定 /Γρ,由於以其他測定裝置為參考,把藉由測定機構所 測疋之測定值進行修正;因此’被當作參考之其他測定^ 101931.doc -20· 1296183 置的測定器應為已校正者為佳。 理想狀態為,前述數式儲存機構所儲存之前述數式係包 含下列數式1〜數式5。 [數3]
101931.doc -21 - 1296183 N 7^ 5=^* s^— + J* J* J, J* J* J* J ,(1^碱) <u 101931.doc -22- (e ss suofQloUHO丨 suoISIosloSHQlsio UIIO SHO 5uoso"_suozQuoziuo I εσ 一一osurJslQ ^酱^黃 ^*^普^+^*^*^+^*^并^丨^*^*^—^*^*^ Ϊ^ΠΠ^ΓΪ^ΤΖΠ^Π^ΙΙπ^τΓ^ΠΠ^ΓΤ^ΙΙΠ^Π^ΤΖΠ^
【Co丨 SHCO «»ί ζζποfciiNo f izsofcUQ Lcao ααι〇 / κ 丨λ is*Is-fc^*cr丨,s*cr3 (寸e碱)-51Γ1I51ΙΓ- U* sco*11 ) * §co" mcsf "^vu !296183 前述數式1〜前述數式3係把第一相對修正變換值 =,散射係數(cadf、CArf、i、CAsf)以反射散射係數測 定2果(s11Ti)及反射散射係數測定結果(SiiDi)來表示者; 而第-相對修正變換㈣把前述敎_之信_侧之前 述^下稱,「信號源料」)之駐成分,變換為前述其他 測定裝置之信號源側之前述埠(下稱,「信號源側璋」)之誤 差^分者;而反射散射係數測定結果(Sim)係:包含於前 述2 —測疋值之3種前述修正資料取得用試料2 在前述柯定機構之前述信號源側璋的測定結果,·而反射散 ί係數測疋、i4(SllDi)係:包含於前述第一測
述修正資料取得用試料i 種月J ^ ^ 1 ^在别述其他测定裝置之 如述號源側璋的測定{士 笛u μ錢式4及前述數式5係把 ν ,;:文換值亦即,散射係數(calf、x、cAtf、 x)(x為任忍)以測定值Si d疋值S21TD及散射係數 、S12TI、s2m、s 表者,而弟二相對修正變 換值係把心敎_之信職㈣ 號輸出側埠」)之莩# Λ、八^ ^ % ia 信號輸出側之前述埠(下稱,「奢 ▲置之 4 5虎輸出側璋)之古吳# 八 者;而測定值SllTD係:前述其他測定裝置之:成刀 埠方面的前述修正資料 ^。狁源侧 僧s & .、, 用接通凡件的測定值;而測定 值S2】TD係·珂述其他測 疋 •-十、欲τ次 疋衣置之别述信號輸出側埠方面之 別述修正資料取得用接通元件的測定值之 測定值s21TD係從前述第 / ^^SllTD' (S11TI、S12TI、S /収值所^者,飞散射係數 s-、s22TI)係把前述第一相對修正變換值 101931.doc -23 - 1296183 對前述測定機構方面之前述修 定值,启才取侍用接通元件之測 值在仏就源側進行合成而成者。 此一情況,如誤差特性係依照測 釙對久、、目,丨〜+ 义乃向而不同時,則可 ί各測疋方向求出相修正 因此,即使在測定 之到定;Γ 中 測定方向而有不同誤差特性 差=二:亦可使用相對修正變換值,進行高精度之誤
值Μ他、=正變換值係賦予敎機構所獲得之測定 值n収裝置所獲得之敎值對應關係者。 狀態為,前述修正資料取得用接通元件之前述埠 間之轉移係數為_丨〇 dB以上。 在埠間,輸出信號係比輸入信號小了約 進行高精度之測定誤差修正。 口此了
[發明之功效J 本發明之測定誤# ^夂 . 决差之修正方法及電子零件特性測定裝置 係無需作測定器$ 0 τ I ^ 枚正而可測定電性特性者。再者,直亦
適用於3埠以上之電子零件。 【實施方式】 :下’考圖1〜圖26,針對本發明之實施型態作說明。 " 、月本♦明之根據相對修正法之測定誤差之修正 方法的順序概要。 如圖1所示,扣1括士,& 檀之1埠標準試料及接通標準試料安裝 於多考/口具’分別進行測定(S10、S12)。同樣把3種之1埠 標準試料及接通標阜 +或枓安裝於試驗治具,分別進行測定 (S14、S16)。接著,私 針對3種之1埠標準試料及接通標準試 101931.doc -24- 1296183 ;從八安裝於參考治具及試驗治具所作測定的結果,導 出相對修正變換值,而其係賦予試驗治具之測定值及參考 治具之測定值對應關係者(S18)e接著,把試料安裝於試 驗/α具’進仃測定(S2〇)。藉由把該測定結果與相對修正 變=值進行合成’進行推定如試料安裝於參考治具時可能 獲侍之測疋值(S22)。在先前例中必須實施之網路分析器 :。(圖26之S1、S3、S6) ’在本發明藉由相對修正法之测 定誤差之修正方法中,則變為任意實施。 如圖2(a)、(b)所示,電子零件係在不同之測定系ι〇、 進行測定。無論在測定系1()或2〇中,均為把電子零件安裝 於治具16、26之安裝部18、28的狀態下,利用測定裝置 12、22進行電性特性之測定。冑行測定_,係把設置於治 具 16、26之同軸連接器 17a、m、17c; 27&、2%、27^ 叹置於同軸連接線l3a、13b、Uc ; 23a、23b、23c之先端 的同轴連接器14a、14b、14c ; 24a、24b、24c進行連接; 而同轴連接線na、13b、13c; 23a、23b、23c係連接於測 定裝置12、22者。 治具16、26之安裝部18、28係設有與電子零件之各端子 分別進行壓接之連接端子;該連接端子係與同軸連接器 17a' 17b' 17c; 27a' 27b、27c分別作電性連接。 在測定裝置12、22方面,譬如可使用網路分析器。網路 分析器不僅具有測定電子零件之電性特性的功能,且可藉 由任意設定之程式把所測定之實際資料進行運算並輸出· 而忒電子零件係具有複數個埠及在高頻狀態下使用者。 101931.doc -25- 1296183 一方之測定系1G之治具16(下稱,「參考治具16」),係 譬如使用於對用戶之電性特性的保證上;他方之測定系2〇 ,” 6(下稱,忒驗治具26」),係譬如使用於電子零件 製造步驟方面之良品楝選的測定上。
接著針對電性特性之推定方法的基本原理作說明;而 該方法係從電子零件安裝於試驗治具26之試驗狀態的測定 結果,來推定安裝於參考治具16之參考狀態的電性特性 者0 安裝於參考治具16以測定系1 〇所測定(下稱,「參考狀 態」)之電子零件的電性特性之測定結果、及安裝於試驗 治具26以敎系2G所料(下稱,「試驗狀態」)之電子零件 的電,特之測定結果,係'分別含有測定誤差。該測定誤 差,藉由相對修正法進行修正。亦即,預料出用於修正 2定系10、20間之相對性測定誤差的數式。接著,針對任 電子零件’利用所導出的數式,進行推定如該電子零 件女裝於參寺治具16作測定時可能獲得的電性特性;而該 數式係攸安裝於試驗治具26所作測定之結果所導出者。 =下,為了容易理解,針對2埠間之電性特性,以2端子 對电路為例作說明;但亦可擴展到㈣子對電路⑽!或3 以上之整數)上。 圖3(a)係2埠之電子零件(下稱,「試料〇1;了」)安裝於參 考治具16之參考狀態之測定系1〇的2端子對電路。試料 DUT之特性係以散射矩陣(s训τ)表示。參考治具μ方面之 同軸連接器與試料DUT之埠之間的誤差特性,係以散射矩 101931.doc -26- 1296183 陣(Fdi)、(Fw)表示。與參考治具16連接之測定裝置12之誤 差特性,係以散射矩陣(Mm)、(Md2)表示。 圖4(a)係試安裝於試驗治具%之試驗狀態之測定 系2〇的2端子對電路。試料DUT之特性係以散射矩陣(SDUT) 表不。试驗治具26方面之同軸連接器與試料DUT之埠之間 的誤差特性,係以散射矩陣(FT1)、(FT2)表示。與試驗治具 26連接之測定裝置22之誤差特性,係以散射矩陣(m^)、 (MT2)表示。 把圖4(a)中之散射矩陣(Sdut)之左右的散射矩陣分別進 行。成,即為如圖4(b)所示之散射矩陣(Ετι)、(Ετ2)。散射 矩陣(ΕΤ1)、(Ευ)係把試驗治具26與測定裝置22之誤差特性 進行合成而成者。 圖3(b)係顯示,在圖4(b)之電路之兩侧連接用於中和誤 差特性(Ετι)、(Ετ2)之變換值(Bn)·1、(Ετ2)·1的狀態。在理 娜上該變換值(Ετι) 1、(Ετ2)-1係藉由把散射矩陣(Ετι)、 (Ευ)變換為傳輸矩陣,求出其逆矩陣,並再度變換為散射 矩陣=成者。在散射矩陣(Ετι)、(Ετ2)與變換值(Eyq、 (Ετ2) 1間的境界部份,可獲得試料DUT安裝於試驗治具% 之试驗狀_之測定值S11T、S21T。g|3(b)之電路係除去試驗 狀態之測定系20之誤差後,在電路兩端之端子所獲得之試 料DUT本身之測定值SllDUT、S21DUT。 圖3(b)之電路僅與試料dUT為等效,因此,與圖3(幻同 樣,其兩側如連接下列兩者,則成為圖5(a);而前述兩者 係·參考治具16之誤差特性之散射矩陣(Fdi)、(Fw);及連 101931.doc -27- 1296183 接於參考治具16的測定梦番1μ y J列疋裒置12之誤差特性之散射矩陣 (MD1)、(MD2) 〇 如把圖5⑷中元件符號3〇所示之(Μ〇ι)、㈤)、如广合 成為散射矩陣(CA1),把元件符號32所示之(^2)」、 (Εκ)、(MW合成為散射矩陣(CA2),則成為圖5⑻。 (C^l)、(CA2)即所謂「相對修正變換值」,丨係賦予試驗 狀態之測定值s"T、s21T及參考狀態之測定值s"d、S2iD關 係性者。因此,如相對修正變換值(CA1)、(ca2)已決定, 則可從試驗狀態之測定值SllT、S2it進行推定參考狀態之 測定值 s11D、S21D。 該相對修正變換值(CA1)、 測定裝置12、22的誤差特性* (CA2)係包含測定系1〇、2〇之 。測定裝置12 ' 22會因方向性 結合器而在誤差特性上具有方向性。因此,如圖(6)所示 般’求出順方向測定時及逆方向測定時之獨立的相對修正 變換值。如上述般’藉由假設順方向、逆方向之2個獨立 的相對修正變換值’可使以先前之修正變換值型相對補正 法無法對應之誤差方向性等(即網路分析器中所包含之複 雜之誤差),變得可以對應…,可在不校正網路分析 器所之誤差的狀況下,使用相對補正法。 圖6之元件代表符號之意義係如下所示。
Sk:提供給測定系之刺激(stimulus);具體而言,係表 不k號源輸出。因散射係數為比測定,故將之當作參考值 (亦即,1)。
S1 it、S
21T
S 、SUT、:試驗狀態方面之測定值之 散射 101931.doc -28- 1296183 係數。 S11D、S21D、S12D、s 22D ·參考狀態方面之測定值之散射 係數。 一 r δ — · I低丄 * 逆方向之方向性。 #方向之方向性的反射追蹤。 逆方向之資源整合。 逆方向之負載整合。 逆方向之傳輸追蹤 C A〇f CArf CAsf CAlf CΑχρ ’ cadr CArr CAsr : CALr : CAtr ·· 順方向 順方向 順方向 順方向 順方向 此外’在該模型中,将金 & 你興先别之修正變換值型相對修正 法之模型-樣’並不考慮參考狀態及試驗狀態之外线。 圖6所示相對修正變換值之未知數係包含順方向、逆方 向共12個。該未知數孫益+ ,、糟由把任忍賦予數值之標準試料在 參考狀態、試驗狀態下進行 疋所導出者。相對修正變換 值之未知數的導出方法,在 、 係以順方向為例說明其導出順序。 在此 百先’導料1侧之相對修正變換值之未知 carf、CAsf。如圖7所示般,準備具有 準試料3種,在必者壯& ^ 丨j值之1埠標 h考“ 1驗狀態下進行測定
SiiTi (1 = 1、2、3),藉由此古々 增b , )猎由此方式,導出如下列所示者。 [數 4] ^ 101931.doc •29· 1296183 、 / J* I? i? i? J* J+ I? J* ECO+ i? δ , (Is#) s=^*δ=^*J,J*J*I?JiJ*JH <u 5Hcol«lz』IItoI丨 5utQI*lcblcol+r>>l<nlcol«lliHM+zQIMcol«l£KIucol_£aHcol«lullcoll£QIHcol#t.z=lcol i kvu 101931.doc -30- 1296183 接著,導出埠2侧之相對修正變換值之未知數。此一情 況,如圖8所示般,準備具有任意值之接通元件標準試料1 種,把試驗狀態之測定值散射係數SliTT、S2ITT、Si2TT、 S22TT、及參考狀態下對埠1輸入信號後的測定值SilTD、 S2ITD進行測定。
在此,把藉由(數式1)〜(數式3)所導出之埠1側的相對修 正變換值CADF、CASF、CARF、及接通元件標準試料之試 驗治具測定值散射係數S11TT、S2ITT、S12TT、S22TT進行合 成,則可把圖9(a)變換為圖9(b)之模型。 此時,由埠1側的相對修正變換值CAdf、CAsf、CArf、 及接通元件標準試料之試驗治具測定值散射係數SHU、 S21TT、S12TT、S22TT所合成之散射係數係以Sim、、 Sl2Tl、S22T來表示。 從圖9(b)之模型,可墓_ 導出如下所不列埠2侧的相對修 變換值導出式。 [數5]
(數式4) [數6] ^2lTD * ( 1
(數式5) ,2U7 精由上述方式,可導出順 方向之相對修正變換值。在逆 101931.doc -31 - 1296183 方向方面,亦可藉由同樣順序進行導出。 接著,參考圖10之區塊圖,針對測定裝置12、22之結構 作說明。 測定裝置12、22係具備:顯示部52、操作部54、測定部 56、控制部58、記憶部60、運算部62、及介面部64。
顯示部52係包含顯示面板,其係用於顯示測定裝置丨2、 22之動作狀況、操作指示等。操作部54係包含按鍵、開關 荨,其係用於受理來自操作者對電子零件測定裝置12、22 之操作者。測定部56係介以同轴連接線13a〜13c ; 23a〜23c、及治具16、26,與電子零件之端子連接,選擇 適當端子進行信號輸入,把輸出信號進行測定。控制部Μ 係用於統括測定裝置12、22整體之控制。記憶部6〇係儲 存:用於使控制部58與運算部62動作之程式、來自測定部 56之貝料、及運算部62之運算結果資料等。運算部a係使 用,自測定部56之資料、及儲存於記憶部6()之資料,遵照 :疋之私4 “也運异。介面部64係用於與外部機器進行 =料收&的面’其係文理用於儲存於記憶部⑼之資料與 :式、及來自運算部62運算結果資料等,將之作輸入輸 出0 測定裝置12、22#谱日刀μ 士 ^ ,、遲“、、儲存於記憶部60之程式而動作。 電子零件測定裝置丨2、? 2可以包含校正模式與測定模式之 硬數個動作模式進行動作。 < 在才父正拉式方面,取得 之相對性敎誤差之資料==敎系1G及敎系20間 、 進仃決定用於推定電性特性之 101931.doc -32 - 1296183 數上式;而測定系10係包含參考治具16者;而測定系2〇係包 含试驗治具26者。亦即,測定部56係在參考治具16、試驗 冶具26安裝有!埠標準試料、接通元件標準試料的狀態 下,依序進行電性特性之測定。此時,譬如在顯示部对 顯示測定對象。操作者在所顯示之測定對象準備完畢後, 指作,作54。當操作部54受理該操作後,則測定部% 開始進仃測疋’敎資料則儲存於記憶部⑼。運算部Μ係 把儲存於記憶部60之測定資料,以適當之定時讀出,把修 正變換值(CA1)、(CA2)之值 cadf、carf、CAsf、CAlf、 CATF等作運算’進行決定詩減電性特性讀式。藉由 此方式所决疋之數式,係儲存於記憶部⑽。 定模式方面,係從使用試驗治具26之試驗狀態的測 疋"料’進行推定使用參考治具16之參考狀態時的電性特 性。亦即’測定部56係在試驗治具26安裝有任意之電子跫 件下,進行測定。運算部似使絲自敎部以 測^枓’把該電子零件的電性特性之推定值進行算出。 此時、’運算部62係從記憶部6〇把校正模式所決定之數式笋 出,並使用該數式,把電子零件的電性特性之推定值進= 异出。所算出之推定值’係顯示於顯示部52 : 64對外部機器輸出。 W面# 測疋系20之測定裝置22之記憶部6〇係把測定系】〇所測 之1埠標準試料、接通標準試料之f料預先記憶列 糸2。係包含試驗治具26者;而測‘定系i。係包含參考二 者在技正权式方面,係使用包含試驗治具26之測定系2〇 101931.doc -33 - 1296183 接通標準試料進行測 的測定裝置22,把1崞標準試料 則使用記憶於記憶 定;對於包含參考治具16之測定系1〇 部60之資料。藉由此方式,使用包含參考治具16之測定系 10 ’僅進仃_次i槔標準試料、接通標準試料之測定,即 可增加包含試驗裝置22、試驗裝置26之測定系。
再者,根據上述相S修正法,可進行包含測定裝置12、 22之測定誤差的修正,因此無須實施測定裝置12、22之較 準;然而’在㈣於包含參考治具16之敎系1()上之測定 裝置12方面’因其係被當作電子零件之特性評價之參考, 故以採取如下作法為佳:把具有已知電性特性之標準器 (譬如,同軸形狀之電子零件)連接於同軸連接器14&、 14b、14c,實施校準等,使誤差儘量降至最小。 接著’針對本發明之實施例作說明。 本發明係以實驗,進行確認:從網路分析器之未作校正 之試驗狀態,是否能推定網路分析器之已校正之參考狀 態0 貫驗條件係如下所示·· (試料)SAW濾波器(SAFC897.5ML1C4T) (測定裝置)8720ES(Agilent Technologies 2〇 GHz向量網 路分析器) (頻率範圍)700 MHz〜1.1 GHz (資料筆數)401筆 (IF頻寬)100 Hz (參考狀態)在連接線先端作校正,以治具進行測定。 101931.doc 34- 1296183 (試驗狀態)未作校正,從參考狀態更換埠2側之連接 線’並在治具埠1側連接3 之衰減器進行測定。 (標準試料)具有SHORT(埠1、2)、OPEN(埠1、2)、 LOAD (埠1、2) ' THRU(埠1、2間)般特性之4種標準試 料。 本發明之相對修正結果,係如圖11〜圖π、su係如圖 17、圖1 8所示。此外,在比較例方面,採取先前之相對修 正變換值型的相對修正法(其係僅以治具之誤差為前提者) 時之相對修正結果,Sn係如圖14〜圖16、Sii係如圖19、圖 20所示。在逆方向(s】2、S22)之測定方面,由於所獲得之結 果完全相同,故不再贅述。 從Sh之結果(圖u〜圖16)可知,在未考慮順逆方向之先 前之相對修正變換值型的相對修正法方面,因誤差模型不 元正故無法正確推定參考狀態;而該順逆方向係依照誤 差之方向|±、^號源、纟負載整合之開關切換而定者。相 對的,藉由本發明可對應上述誤差,故可正確推定參考狀 恶。從上述結果可知,本發明之效果已從實驗上得到確 認。 一再者’貫際運用狀態時之先前之相對修正變換值型的相 對修正法,係在試驗狀態下作網路分析n之校正後才使 用,因此,與圖14〜16、圖19、圖20對應之圖20〜圖乃係: 在試驗狀態下亦作網路分析器之校正後才使用先前之相對 修正變換值型的相對修正法所獲得的結果。圖u〜13、圖 17、圖18所不之本發明係展現了與圖2G〜圖25之結果同等 101931.doc -35 - 1296183 以上之修正結果;而圖20〜圖25之結果係來自··現在使用 之在試驗狀態下作網路分析器之校正後才使用先前之相對 修正變換值型的相對修正法。獲得上述修正精度改善之可 旎原因在於,本發明在試驗狀態下無須作校正,故無參考 狀態與試驗狀態之校正誤差所致。從該結果可斷言,本發 明在修正精度上足可取代先前之相對修正變換值型的相對 修正法。 此外,本發明並不受限於上述型態或實施例,亦可在施 加各種變形後實施之。 【圖式簡單說明】 圖1係相對變換值型修正法之流程圖。(實施例) 圖2(a)-(b)係測定系之結構圖。(實施例) 圖3(a)-(b)係顯示誤差修正基本原理之2端子對電路圖。 (實施例) 圖(a)(b)係顯不誤差修正基本原理之^端子對電路圖。 (實施例) 圖()(b)係顯示誤差修正基本原理之2端子對電路圖。 (實施例) 圖()包含相對修正變換值之信號流程圖。 例) 圖7係包含相m 于k正變換值之信號流程圖。(實施例) 圖8係包含相斜 宁心正變換值之信號流程圖。(實施例) 圖9(a)-(b)係勺人 '、匕έ相對修正變換值之信號流程圖。(實施 例) 101931.doc -36 - 1296183 圖ίο係測定裝置之區塊圖。(實施例) 圖11係電子零件之特性圖。(實施例) * 圖12係電子零件之特性圖。(實施例) 圖13係電子零件之特性圖。(實施例) 圖14係電子零件之特性圖。(比較例1) 圖15係電子零件之特性圖。(比較例1) 圖16係電子零件之特性圖。(比較例1) 圖17係電子零件之特性圖。(實施例) # 圖1 8係電子零件之特性圖。(實施例) (先前例) 圖19係電子零件之特性圖。(比較例1) 圖20係電子零件之特性圖。(比較例1) 圖21係電子零件之特性圖。(比較例2) 圖22係電子零件之特性圖。(比較例2) 圖23係電子零件之特性圖。(比較例2) 圖24係電子零件之特性圖。(比較例2) 圖25係電子零件之特性圖。(比較例2) ® 圖26係相對變換值型修正法之流程圖。 【主要元件符號說明】 10 測定系(第2測定系) 12 測定裝置 16 參考治具 20 測定系(第1測定系) 22 測定裝置 26 參考治具 101931.doc -37- 1296183 52 顯示告P 54 操作部 56 測定部(測定機構) 58 控制部 60 記憶部(記憶機構、數式記憶機構) 62 運算部(數式決定機構、電性特性決定機構) 64 介面部 101931.doc -38-
Claims (1)
129站8522741號專利申請案 中文申凊專利範圍替換本(96年1〇月) p/ △ —--=— 十、申請專利範圍: 卜月气曰修(沁正句 1. 一種測定誤差之修正方法,其特徵為: 從在第-測定系中測定電子零件所獲的結果,把該當 電子零件如在第二敎u作敎所可能獲得之前述電 子零件之電性特性的推定值進行算出; 其係包含: 第一步驟,其係在前述第一測定系及前述第二測定 系中,針對對應之至少2個蟀之至少一方,把至少消 之修正資料取得用試料分別進行測定者; /第二步·驟,其係在前述第叫則定系及前述第二測定 系中,把連接前述埠間之修正資料取得用接通元件分 別進行測定者; 第三步驟’其係從前述第—步驟及前述第二步驟所 獲得的結果,決定如下數式者;而該數式係賦予前述 第-測定系及前述第二測定系之對應的前述槔之測定 值關聯性者; /第四步驟’其係把任意之電子零件在前述第一測定 系中進行測定者;及 第五步驟’其係根據在前述第四步驟所獲得之測定 結果,利用前述第三步驟所決定之前述數式,把該當 電子零件如在前述第二測定系中作測定所可能獲得之 前述電子零件之電性特性的推定值進行算出者。 2·如請求項!之敎誤差之修正方法,其中前述第二測定 系係包含測定器,而該測定器係被單獨實施校正者。 101931-961026.doc 1296183 3·如請求項即之敎誤差之修正方法,其中在前述第三 步驟所決定之前述數式係包含:如下之數^〜數式3, 其係把第一相對修正變換值’亦即’散射係數 卜casf)以反射散射係_定結果(s"Ti)及反射 政射係數測定結果(s11Di)來表示者;而第—相對修正變 換值係把前述第-測定系之信號源側之前述埠(下稱, 「信號源侧槔」)之誤差成分,變換為前述第二測定系之 信號源侧之前述埠(下稱,「信號源側淳」)之誤差成分 者;而反射散射係數測定結果(S丨1Ti)係:在前述第一步 驟,把3種前述修正資料取得用試料(i=i、2、3)在前述 ,一測u之前述信號㈣埠進行測定之結果;^射 政射係數測定結果(SllDi)係:把3種前述修正資料取得用 試料(i=1、2、3)在前述第二敎系之前述信號源侧埠進 行測定之結果;及 如下之數式4〜數式5,其係把第二相對修正變換值, 亦即,散射係數(calf、x、CAtf、χ)(χ為任意)以測定值 sutd、測定值 S21TD 及散射係數(Suti、Si2Ti、、 S2m)來表示者;而第二相對修正變換值係把前述第一測 定系之信號輸出侧之前述埠(下稱,「信號輸出側璋」)之 誤差成分’賴為前述第:敎“信號輸㈣之前述 璋(下稱’「信號輸出側埠」)之誤差成分者,·而測定值 S11TD係·别述第二測定系之前述信號源側埠方面之前述 f正資料取得用接通元件的測定值;而測定值8_係·· 别述第一測疋系之前述信號輸出側埠方面之前述修正資 101931-961026.doc 1296183 料取得用接通元件的制宏佶· c ^… 件的測疋值,而測定值s11TD、測定值 S21TD係從前述第二步驟中斟治 '驟中對别述修正資料取得用接通元 件進行測定之測定缺旲所瞀山 °果所异出者;而散射係數(sim、 Sl2TI、S21TI、S22TI)係把前述笫 ^ ^ 相對修正變換值對前述 第一測定系方面之前述修正窨祖 疋t貝科取得用接通元件之測定 值,在信號源侧進行合成而成者, 101931-961026.doc 1296183 Γ d J* J* J, J*J^ J + §^* §^* J + δ=^* §^* J, J* J, J*J*J I U v^〕 J* J* s^* J— J*J* c=^+ §^* J* J* ε^* J I r J*J*J*J H T 3(ii sf sco+ii sf SIf i? SICO) Sr 葙) (Es- ε^ι( J- !^l(i” esl^l(l” §f(i” = "vu (ε2) 目Comlc^十目00δCo-— zzlc^an lco ——^^— Iru 一Co丨 ^^一Co CTS^ Π 101931-961026.doc -4 _ 1296183 4.如請求項_之測定誤差之修正方法,其中前述第二步 驟所測定之前述修正資料取得用接通元件在前述璋間^ 轉移係數為-10 dB以上。 5· —種電子零件特性測定裝置,其特徵為: 從測定電子零件的結果,把該當電子零件如在其他列 定裝置作敎所可㈣得之前述電子零件之f性特性的 推定值進行算出; 其係包含: 測疋機構,其係測定前述電子零件者; 。己隐機構’其係健纟:第一測定值,其係在前述測 定機構及其他測定裝置上,針對對應之至少2個埠之 至少一方,把至少3類之修正資料取得用試料分別進 行測定所獲得者;及第二測定值,其係在前述測定機 構及前述其他測定裝置上,把連接前述埠間之修正資 料取得用接通元件分別進行測定所獲得者; 數式决疋機構,其係從儲存於前述記憶機構之前述 第一測定值及前述第二測定值,決定數式者;而該數 式係賦予前述測定機構及前述其他測定裝置之對應的 前述埠之測定值關聯性者;及 電丨生特性算出機構,其係針對任意之前述電子零 件,根據以前述測定機構測定所獲得之測定結果,利 用前述數式決定機構所決定之前述數式,把該當電子 零件如在前述其他測定裝置作測定所可能獲得之前述 電子零件之電性特性的推定值進行算出者。 101931-961026.doc 1296183 6. 如請求項5之電子愛彼扯 ^ ^ ¥ "寺性測定裝置,其中前述其他測 疋;置係包含已校正之測定器。 =反射散射係數測定結果(Smi)係:包含於前述第一測 定值之3種前述修正f料取得用試料㈣、2、3)在前述 測定機構之前述信號源側埠的測定結果;而反射散射係 數測定結果(sudM :包含於前述第—測定值之3種前述 修正資料取㈣試料㈣、2、3)在前述其他敎裝置之 前述信號源側埠的測定結果;及 7. ^請求項5或6之電子零件特性敎裝置,其中前述數式 決定機構所決定之數式係包含:如下之數式卜數式3, /、係把第相對修正變換值’亦即,散射係數(CAdf、 CArF 1、CAsf)以反射散射係數測定結果(S11Ti)及反射 散射係數測定結果(Sllm)來表示者;而第—相對修正變 換值係把前述測定機構之信號源側之前述璋(下稱,「信 虎原侧隼」)之誤差成分,變換為前述其他測定裝置之信 號源侧之前述埠(下稱,「信號源側璋」)之誤差成分者: 如下之數式4〜數式5,其係把第二相對修正變換值, 亦即,散射係數(calf ' x、CAtf、χ)(χ為任意)以測定值 SuTD、測定值s21TD及散射係數(Sim、、 hm)來表示者;而第二相對修正變換值係把前述測定機 構之信號輸出侧之前述埠(下稱,「信號輸出侧埠」)之誤 差成分,變換為前述其他測定裝置之信號輸出侧之前述 埠(下稱,「信號輸出侧埠」)之誤差成分者;而測定值 smD係:前述其他測定裝置之前述信號源側埠方面的前 l〇1931.961〇26.d〇c 1296183 述修正身料取得用 # •俞、十、* 、70件的娜定值;而測定值s21TD 修正敎裝置之前述信號輸出㈣方面之前述 二貝"取得用接通元件的測定值;而測定值s11TD、測 疋值S21TD係從前述第二測 ㊇疋值所异出者;而散射係數 (11TI 12TI S21TI S22TI)係把前述第一相對修正變換 值對前述測定機構方面之前述修正資料取㈣接通元件 之測定值,在信號源側進行合成而成者, 101931-961026.doc 1296183 §co* §00* E? §co* slco* §lco* §co* -δΐ SH50* i? SI? §1? §1? E? §1?§一的* ico& (1^减) J* ε^* J— J* J* ε^* §^* J* JI J* J* J* J* J* J I <u J* J* J* J^. §^* s^+ 1^* J (5¾ ^J— j^J, J^J— j*^J, j^J— j^J— j (es) 5=^ * j , J * J + J * J + s=^ *J I J , J * J .. · (寸π碱) m ico'丨 dznco R<slco«Icl<Noo+fcsco*ml^ — IzliNco-lfazllco Ivu ζπ 101931-961026.doc 1296183 8·如請求項5或6之電子零件特性測定裝置,其中前述修正 貧料取得用接通元件之前述埠間之轉移係數為-10 dB以 上。 9· 一種電子零件特性測定裝置,其特徵為: 〜從測定電子零件的結果,把該當電子零件如在其他測 定裝置作敎所彳能獲得之前述電子零件之電性特性的 推定值進行算出; 其係包含: 數式儲存機構,其係儲存數式者,而該數式係賦予 前述測定機構及前述其他測定裝置之對應的前述璋之 測定值關聯性者,·該數式係由第一測定值及第二測定 到’而第―測定值係:在前述測定機構及其他 震置上’針對對應之至少2個埠之至少—方,把 =少3類之_修正㈣取得用試料分別進行敎所獲得 定一Γ定值係·在前述測定機構及前述其他測 件分別進行測定所獲得者;及貝科取仔用接通疋 電性特性算出機構,其 件,根據以前述測定機構,卜m'』述電子零 用前述數式儲存機2 獲得之測定結果,利 數式儲存機構所錯存之前述數式 零件如在#料他衫 μ電子 電子震株夕Φ α 置作测疋所可能獲得之前述 10. ;主電子零件之電性特性的推定值進行算出者。述 如明求項9之電子零#胜 零件特性測定裝置,其中前述其他測 10l931-961026.doc 1296183 定裝置係包含已校正之測定器。 11·如請求項9或10之電子零件特性測定裝置,其中前述數 式儲存機構所儲存之數式係包含:如下之數式i〜數式 3 ’其係把第一相對修正變換值,亦即,散射係數 (cadf、carf、1、casf)以反射散射係數測定結果(SllTi) 及反射散射係數測定結果(S11Di)來表示者;而第一相對 修正變換值係把前述測定機構之信號源側之前述埠(下 稱’「信號源側埠」)之誤差成分,變換為前述其他測定 裝置之信號源側之前述埠(下稱,「信號源側埠」)之誤差 成分者;而反射散射係數測定結果(SUTi)係:包含於前 述第一測定值之3種前述修正資料取得用試料(i==1、2、 3)在刖述測定機構之前述信號源侧埠的測定結果;而反 射散射係數測定結果(S11Di)係:包含於前述第一測定值 之3種前述修正資料取得用試料(i=1、2、3)在前述其他 測定裝置之前述信號源侧埠的測定結果;及 如下之數式4〜數式5,其係把第二相對修正變換值,
地诊止賞料取得用接通元件 而測定值S2 1之誤差成分者;而測定值 •月述信號源側埠方面的前 的測定值;而測定值s21TD 101931-961026.doc -10· 1296183 係·則述其他測定裝置之前述信號輸出側埠方面之前述 修正資科取得用接通元件的測定值;而測定值心〗^、測 定值SuTD係從前述第二測定值所算出者;而散射係數 (sUTI、s12TI、s21TI、S22TI)係把前述第一相對修正變換 值對前述測定機構方面之侖a彳欠T々 艾則述修正資料取得用接通元件 之測定值,在信號源侧進行合成而成者, 101931-961026.doc 11 - 1296183 -I r i J*J*JIJ*J*J^J*J*J^J^*JIJ*J*JIJ*J^J___I J (1^絲) J* J— J* J*p^* + §-^* + J I J* J* J r J * J* s^* J H ^ J* J* J* J* J— J— J* J lCNr^j CJUCOI— ull&*lciIlcoI— E^colylHcoI— sucolYCCZU^ll— εσιι& AK7UCOI— sllcoltcQIHcoI— sucoly =戔 vu (5W) j*j I j*J + J*J + J* J I J*J , J* J .. (寸π碱) m 一On_CZZ1ICO lIXAr^'££{d⑺+.ZZNNCO# /^11¾I ζζκ^'# GLCIICO mzoo (3KU* 目co~ 一 ) * 目Co1 "avu "^vu 101931-961026.doc 12- 1296183 12.如請求項9或10之電子零件特性測定裝置,其中前述修 正資料取得用接通元件之前述埠間之轉移係數為-10 dB 以上。 101931-961026.doc -13-
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