TWI296071B - Composition and method for removal of polymeric meterial, and method for preparing thin film heads - Google Patents

Description

1296071 A7 五、發明說明（1 ) 螢明背景 本發明係概括地有關從基板移除聚合物型物質之領 域。尤4，本發明係、有關從電子裝置移除聚合物型物質所 用組成物和方法。 有眾多種含有聚合物的物質用於電子裝置的製造中， 例如電路、磁碟媒動器、儲存介質裝置等。彼等聚合物型 物質出現於光阻劑、焊接罩、防反射性塗料等。於彼等電

子裝置的製造中’聚合物型物質所受到的條件使得彼等聚 合物型物質的移除有困難Q 例如，現代技術係利用正型光阻材料經由微影印刷將 圖樣描繪於基板上，使該圖樣可於隨後經蝕刻或其他方式 界定在該基板材料中。該光阻材料係經沉積成薄膜形式且 經由將該阻劑薄膜曝光到能量輻射而界定出所欲圖樣。其 後用適當的顯像劑液體處理經曝光區予以溶解。在該圖樣 經此界定於該基板之後，必須將該阻劑材料從該基板上完 王移除以避免不利地影響或妨礙後績操作或加工步驟。 於此等微影印刷程序中，於圖樣描繪之後，需要將該 光阻劑物質均勻且完全地從所有未曝光區移除掉以容許後 續的微影印刷操作之順利進行。在要進一步圖樣化的部位 中即使有部份的阻劑殘留亦不適宜。而且，在經圖樣化的 線條之間含有非所欲阻劑殘留物時可能對隨後的程序，例 金屬塗敷’具有不良影響，或造成不適宜的表面狀態和 電荷。 (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁)

-^1 I ϋ I n ϋ ^OJa I ϋ ϋ ·ϋ ϋ ϋ I 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在磁碟驅動器和數據儲存介質裝置所用的磁性薄膜磁

1296071 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（2 ) 頭（“TFH”）的製造中’常將光阻劑施加到多種薄膜上作為罩 劑（masking agent)用以精確設計磁阻磁頭和巨型磁阻磁 頭（giant magneto- resistive head)。雖然所用的微影印 刷和反應性離子蝕刻類似半導體程序，不過，彼等滑動器， 亦即磁阻磁頭（“MR”）或巨型磁阻磁頭（“GMR”）都是以數百 萬單位組裝在碳化鈕鋁（“Al TiC”）陶瓷晶圓上。與磁阻磁頭 相關的常用薄膜包括氧化鋁（“Al2〇3”），金（“Au”），鈷 (“Co”），鋼（“Cu”），鐵（“Fe”），銥（“Ir”），錳（“Μη”），鉬 (“Mo”），鎳（“Ni”），鉑（“Pt”），釕（“Ru”），和锆（“Zr”）。 這些薄膜完全不同於積體電路半導體製造中所用者，後者 主要包括鋁（“A1”），鎢（“ff”），鈦（“Ti”），和氧化矽作為層 間電介質。 於最近5年内，儲存介質技術已呈指數性成長且透過 微型化與更高的面積密度（其於今日已超過20 Gb/平方对) 而驅動滑動器的性能。為了趕上下一代的技術，讀-寫磁頭 製造商正利用進步的光阻劑與多成分離子蝕刻配方來達到 合意的薄膜堆疊（stack)圖樣。再者，為了將眾多薄膜堆疊 成功地積體成具有正確磁性與信號敏感度的次微米特件 (features)，於彼等裝置中的每一層都必須清除掉聚合 物、離子與其他形式的有機/無機雜質或殘留物。此等非所 欲殘留物會不利地影響裝置的性能與可靠性。 薄膜磁頭清潔方法中所用的傳統化學，包括光阻劑滌 除和金屬消散（metal lift-off)，對於現代磁頭技術都不 能提供可接受的性能。已知的光阻劑移除或滌除調配物典 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ·1111111 « — — — — — — I — 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 2 91755 1296071 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 五、發明說明（3 >> 型地含有強驗溶液’有機極性溶劑或強酸和氧化劑。典型 的有機極性溶劑包括吡咯烷酮類例如N-甲基吡略燒酮、N — 乙基哦咯烧酮、N-羥基乙基d比咯烷酮和n-環己基ϋ比洛烧 酮；醯胺類包括二甲基乙醯胺或二甲基甲醯胺；酚類和其 衍生物。彼等溶劑業經與胺類或其他鹼性物質組合使用。 例如’美國專利第5, 334, 332號（Lee)揭示一種移除餘刻殘 留物所用的組成物，其中含有5至50%的羥基胺，1〇至8〇96 的至少一種烷醇胺，和水。美國專利第4, 4〇1，747號”盯廿 et al·)揭示一種滌除組成物，其中含有3〇至9 的2 一u比 咯烷啶酮與10至70%的二烷基楓。 已知的滌除調配物由於彼等調配物對於薄膜磁頭製造 中所用的金屬所具腐蝕性本質，因而對於或旋轉閥 磁頭製造都不能有其效用。薄膜磁頭不同於半導體裝置且 對於經由電流和水誘發出的鼠咬（in〇use-bite)M腐蝕現 象，以及，靜電放電（“ESD”）都極端地敏感。基於這些理由， 現代薄膜磁頭背端（back-end)程序都已不含DI水且都利 用異丙醇於清潔序列的清洗和乾燥步驟中。此舉有助於減 少極尖凹陷及在薄膜磁頭水平的腐蝕。 例如，美國專利第4,518,675號（Kataoka)揭示滌除組 成物，其中包括二甲亞楓和至少一種選自下列的化合物： 鹼金屬烷氧化物’鹼金屬氫氧化物與氫氧化四烷基銨。此 等滌除組成物對於薄膜磁頭製造中所用的薄膜具有腐蝕 性0 此外，已知的滌除組成物都具有許多其他缺陷，包括 91755 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 丨丨丨訂---------· 1296071 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 五、發明說明（4 ) 不合意的燃燒性、毒性、揠 高溫下使用之需要性、及因為法規：味、在高請。。的 的高成本。 〜規s制物質的處置所導致 因此，對於可以有效地移 相容性，且不會引如^ ^合物型物質’更具環境 發明概述 令人荷異地發現可以容易且乾淨地從基板，特別 疋，磁碟媒動器和儲存介質裝置所用的薄膜磁頭，移除聚 合物型物質。此等聚合物型物質可以根據本發明予以移除 而不會腐儀底下的金屬層。經由使用本發明務除組成物也 可以改良因腐蝕或侵蝕所導致的產率損失。 ；方面本發明提出一種從基板移除聚合物型物質 所用的組成物，其包括一或多種極性非質子型溶劑，一或 多種聚合物溶解增強性鹼，和一或多種腐蝕抑制劑，其中 該組成物實質上不含羥基胺或羥基胺衍生物。 於第二方面’本發明提出一種從基板移除聚合物型物 質的方法，其包括下述步驟··將含有要移除的聚合物型物 質之基板與上述組成物接觸。 於第三方面，本發明提出一種製造薄膜磁頭之方法， 其包括下述諸步驟··將將含有要移除的聚合物型物質之薄 膜磁頭前體與一種組成物接觸一段足以移除該聚合物型物 質之時間及清洗該基板，其中該組成物包括一或多種極性 非質子型溶劑，一或多種聚合物溶解增強性鹼，一或多種 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）

i I — I I I I t — — — — — 1ΙΛ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 91755 1296071 A7

五、發明說明（5 ) 腐蚀抑制劑和一或多種有機添加劑。 發明詳細說明 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 於本說明書全文中，除非文中有另外清楚地指明，否 則下列縮寫具有下列意義：DMS0 =二甲亞楓；TMAH =氫氧 化四甲銨；NMP=N-甲基吡咯烷酮；DpM=;丙二醇單甲醚，· TPM=三丙二醇單甲醚；AEEA=胺基乙胺基乙醇；DI ^去離 子；％wt =重量％; 毫升；它=攝氏度；卯^份數每十 億份，及min =分。所有百分比均為重量％。所有數值範 圍均包含。 於本說明書的全文中’’’滌除，，與，，移除，，兩詞係可互換 地使用者。同樣地，”滌除劑，，與，，移除劑，，兩詞亦可互換地 使用。烧基”指的是線型、支鏈型和環狀貌基。如於本說 明書的全文中所用者，”非質子型，，指的是不會接受或放出 質子的化合物。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本發明組成物包括一或多種極性非質子型溶劑，一或 多種聚合物溶解增強性鹼，和一或多種腐蝕抑制劑。任何 極性非質子型溶劑都適合用於本發明。適用的極性非質子 型溶劑包括（但不限於）二甲亞楓、四亞甲基楓（或環丁碼） 和二f基硫二氧化物。較佳者，該極性非質子型溶劑為二 甲亞楓或環丁碼。彼等極性非質子型溶劑通常可在市面上 從多種來源取得，例如Aldrich化學公司（Milwaukee， Wisconsin)，且可以不必純化即使用。 本發明極性非質子型溶劑的典型用量係在以組成物總 重量為基準，約20至約99重量％，較佳約40至約98重量 本紙張尺度適用中關家標準（CNS)A4規格⑵G x 297公董） 5 91755 1296071 A7 B7

五、發明說明（6 ) 圍内 % ’且更佳約60至約95重量％的範 本發明 的聚合物型物質溶解之任何驗都適用於 本發明。適當的聚合物溶解增強性驗包括，但不限於氮 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 氧化四α「(：6)院基銨例如氫氧化四甲銨和氫氧化四丁 按；碳酸四（Cl-c6)统基銨例如碳酸四甲録；乙酸四（ci_c6) 炫基錢例如乙酸四甲銨；檸檬酸叫〜燒基錢例如棒樣 酸四甲錢4酸四(Cl-c6)^基銨例如錢四甲銨；或氫氧 化膽鹼。較好該第一聚合物溶解增強性鹼係選自下列之一 或多種：氳氧化四甲銨、碳酸四甲錢、乙酸四甲敍或捧樣 酸四甲銨。氳氧化四甲銨典型地係以其五水合物形式使 用。較好該聚合物溶解增強性鹼係不含金屬離子，特別是 鈉、鉀等。更好本發明聚合物溶解增強性鹼不含羥基胺或 幾基胺衍生物，例如羥基胺甲酸鹽及以羧酸緩衝的經基 胺。彼等第一聚合物溶解增強性鹼通常可在市面上購得， 例如 Aldrich (Mi lwaukee，Wisconsin)，且可以不必純化 即使用。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 典型上，一或多種該聚合物溶解增強性鹼的含量係以 組成物總重量為基準，約0.1至約10重量％。較好該聚合 物溶解增強性鹼的含量為約1至約5重量％，且更好約2 至約4重量％。當組成物中用到一種以上的該聚合物溶解增 強性鹼時，該等鹼可用任何比例組合。 可以減低薄金屬膜層腐蝕之任何腐蝕抑制劑都適用於 本發明。適當的腐蝕抑制劑包括（但不限於）兒茶酚；（Cr C6)烷基兒茶酚例如甲基兒茶酚、乙基兒茶酚和第三丁基兒 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 6 91755 1296071 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（7 ) 命紛’苯并二嗤；（Ci-Ci。）烧基苯弁三唾；（c〜c )穿某燒 基苯并三嗤；2-氫硫基苯并味4 ;五倍子酸；1五1‘二二醋 例如五倍子酸甲醋和五倍子酸丙醋；和類似者。^好該腐 餘抑制劑為兒茶紛、（q-C6)烧基兒茶酴、苯并二峻戈 (Ci-C^)烷基苯并三唑，2_氳硫基苯并咪唑且更好為苯并 三嗤。彼等腐姓抑制劑通常可在市面上購得，例如Aldrich (Mi lwaukee，Wisconsin)，且可以不必純化即使用。 於另一具體實例中’該聚合物溶解增強性鹼也有腐蝕 抑制劑的功能。因此’此種雙功能型聚合物溶解增強性驗 也涵蓋在本發明中。例如，根據本發明，矽酸四甲銨可用 為聚合物溶解增強性鹼，腐蝕抑制劑，或兩者。 腐蝕抑制劑在本發明組成物中的含量典型地係以组成 物總重量為基準，約0.01至約10重量％的範圍内。較好腐 蝕抑制劑的用量為約0· 2至約5重量％，更好約〇· 5至約3 重量％，且最好約1 · 5至約2. 5重量％。 本發明組成物實質上不含添加水且較好不含添加水。 當該聚合物溶解增強性驗含有結晶水時，可能會含有少量 的水。本發明組成物中未添加其他水。本發明組成物實質 上不含經基胺或經基胺衍生物，例如經基胺甲酸鹽或用幾： 酸緩衝的羥基胺，且好為不含羥基胺或羥基胺衍生物。 本發明組成物可更包括一或多種選用之有機添加劑。 適當的選用添加劑包括（但不限於）輔溶劑、界面活性劑、 螯合劑和類似者。 適當的辅溶劑包括（但不限於KCrC^)烷二醇例如乙 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 7 91755 1296071 A7 B7 五、發明說明（8 ) 二醇、二乙二醇、丙二醇、2〜甲基丙二醇和二丙二醇； (Ci-C2〇)烧一醇（€厂06)烧基喊例如丙二醇單甲基鰱、丙二 醇二甲基醚、丙二醇正丁基鱗、二丙二醇單甲基醚、二丙 二醇二甲基醚、二丙二醇正丁基醚、三丙二醇單甲基醚和 丙二醇甲基醚乙酸酯；胺基醇類例如胺乙胺基乙醇；N — (Κ1())烷基吡咯烷酮例如N-甲基吡咯烷酮、N—乙基吡咯 烧酮、N-羥基乙基吡咯烷酮和N-環己基吡咯烷酮；與類似 者。較好輔溶劑為一或多種（CrC2())烷二醇和（CrC^)烷二 醇（q-Ce)烧基醚，且更好為下列之一或多種··丙二醇單甲 基醚、丙二醇二甲基醚、丙二醇正丁基醚、二丙二醇單甲 基醚、二丙二醇二甲基_、二丙二醇正丁基醚、三丙二醇 單甲基醚和丙二醇甲基醚乙酸酯。更佳者本發明組成物不 含胺類輔溶劑，例如胺基醇類。 使用此種輔溶劑時，其含量典型地係以組成物總重量 為基準，約5至約80重量％，且較佳約1〇至約45重量％ 的範圍内。較好本發明使用一或多種辅溶劑。當本發明組 成物中含有該多種輔溶劑時，該組成物在移除聚合物型物 質的效力上比只用單一溶劑者較為增強。較好該極性非質 子型溶劑對該辅溶劑的重量比例係約50 : 50至約95:5，較 好約60:40至約80·· 20的範圍内，且更好為75:25之比例。 非離子型與陽離子型界面活性劑可用於本發明滌除組 成物中。較好為非離子型界面活性劑。彼等界面活性劑通 常可從市面上購得。彼等界面活性劑的含量典型地係以組 成物總重量為基準，約〇· 02至約5重量％，較好約〇.5至 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) —-----tr--------- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 8 91755 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1296071 A7 --~~21--- 五、發明說明（9 ) — 約3重量％，且更好約1至約2· 5重量％的範圍内。 ^該組成物可以經由將一或多種極性非質子型溶劑，一 :戈多種該聚合物溶解增強性鹼，一或多種腐蝕抑制劑與— 或多種有機添加劑以任何順序組合而製備。於利用輔溶劑 時，較好先將該極性非質子型溶劑與該輔溶劑摻合，接著 摻合一或多種該聚合物溶解增強性鹼，腐蝕抑制劑及然後 任何其他選用的添加劑。 本發明聚合物移除組成物的一項優點在於彼等對於含 有金屬（特別是鋼）的基板實質地不具腐蝕性。較好，本= 明紐成物對於金屬（特別是鋼）不具腐蝕性。 本發明組成物適合用來從基板移除聚合物型物質。可 用本發明移除的適當聚合物型物質為來自光阻劑、焊接 罩、防反射性塗料等之任何殘留物。 本發明方法的一項優點在於可以使用比已知滌除組成 物更為低的溫度。典型地，本發明聚合物型殘留物移除方 法可以在任何溫度下進行，例如從室溫到約1 2〇〇C，較好 從約35°C到約85°C，更好從約50°c到約85°c，且最好從 約70°C到約85°C。較好本發明聚合物型物質移除組成物係 經加熱者。諳於此技者都了解本發明聚合物移除組成物可 用多種手段予以加熱。 基板上的聚合物型物質可經由該基板與本發明組成物 接觸而移除。該基板可經由任何已知手段與本發明組成物 接觸，例如經由將該基板置於裝有本發明組成物的容器 内，或經由將本發明組成物喷佈於該基板上。在將該基板 --^ ----wa--------------訂--------- (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 9 91755 1296071 A7 """"" "^ -----— _ 五、發明說明（10 ) -- 置於一容器内時，較好本發明組成物在該容器内的量係足 以完全地浸潰該基板上的聚合物型物質。於該基板與本發 明組成物已接觸m移除該聚合物殘留物的時間之 後，即將該基板與本發明組成物分開並用DI水洗清及乾 燥，例如使用旋轉乾燥程序。 本發明組成物特別可用於含有薄膜磁頭的電子裝置製 造中。該薄膜磁頭可根據本發明經由下述諸步驟予以製 備··將含有要移除的聚合物型物質之薄臈磁頭前體與一種 組成物接觸一段足以移除該聚合物型物質之時間及^洗該 基板，其中該組成物包括一或多種極性非質子型溶劑，一 或多種聚合物溶解增強性驗，一或多種腐蝕抑制劑和一或 多種有機添加劑。然後將該薄膜磁頭與該組成物分開並用 水或異丙醇洗清及乾燥，例如使用旋轉乾燥或在氮氣下乾 燥。 本發明之組成物對於含有金屬（特別是鋼和鎳-鐵）的 基板實質上不具腐蝕性。較好，本發明組成物對於金屬（特 別是鋼）不具腐蝕性。本發明組成物可以比習用光阻劑務除 調配物和個別的成分溶劑更快速地移除頑固光阻劑和其他 程序殘留物。 下面的實施例意欲用來進一步示範說明本發明的各方 面，不過其無意用來限制本發明任何方面的範圍。 實施例1 使用標準塗佈技術用市售光阻劑，AZ 1400，塗覆含有 任何下列金屬或其合金的塗層之薄膜磁頭（4对，1〇公分） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) n I 1 11 ϋ ϋ I am Μ·* I ΜΒ I I · 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 10 91755 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1296071 A7 -------— B7__.___ 五、發明說明（11 ) 陶兗晶圓：鎳-鐵（“Ni-Fe，，）、鎳、鈷、鉑及鋁。於各例中， 都在典型條件下將光阻劑硬烘及處理。然後經由將該晶圓 分別浸潰在500毫升樣品！ —3槽中以移除殘留光阻劑。表 1列出樣品卜3的個別配方。所有量均以組成物總重量為 基準之重量％ 表1 樣品 - 組成 1 60%DMSO，37·5%Ι)ΡΜ，2·5%ΤΜΑΗ，1-1·5% 苯并三唑 2 70%DMSO，28%DPM，2%ΤΜΑΗ，1-1· 5%苯并三 α坐 3 70%DMSO ， 20%DPM ， 2·5%TMAH ， 2·5%DI 水， 1-1.5% 第三丁基兒茶紛 將每一槽加熱到75°C並將該等晶圓保留在槽中20分 鐘。然後用DI水清洗該等晶圓’在氮氣流下乾燥並評估聚 合物殘留物。此外也檢驗該等晶圓的腐蝕跡象。其結果皆 列於表2。 表2 S iS — 篆合物移除腐钱 品 結果

1 10 0%銅 2 Α12〇3 ， Al/Cu ， Si ， Ti/Ti-N 3 ΑΙΑ，Al/Cu，Si，ff，Ti， Ti-N 腐腐腐 無 無 無 殘 殘 殘 無 無無 1 f I 潔物潔物潔物 清留清留清留 實施例2 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 11 91755 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

_ I _1 I ϋ team > 1 mmmmm mMt I ϋ ai·· 1 I » 1296071 A7 五、發明說明（12 j 試驗經電鍍鋼的晶圓（100%鋼）。將2叶X 2叶（5公分 X 5公分）1〇〇%鋼晶圓片分別置於1〇〇毫升六種滌除劑溶液 槽中。溶液A-C為比較用的市售光阻劑滌除溶液而溶浪4一6 為本發明組成物。表3列出各樣品的配方。 表3 -—組成物 60%單乙醇胺，25%羥基胺，1〇%水，5%兒茶 紛 37·5%NMP ， 22·5%AEEA ， 20%DPM ， 20%TPM 75%DJJSO，20%DPM，3%TMAH，2%苯并三唑 70%環 丁碼，25%DPM，3%TMAH，1-1· 5%苯并 三嗤 75%DMSO，20%DPM，3%碳酸四甲銨，2%苯并 三嗤

B C45 6 將裝有務除劑溶液的諸槽加熱到75艺。將該等晶圓片 保留在槽中30分鐘。然後從滌除劑溶液槽取出諸晶圓片並 使用ΗΡ —4500感應偶合電漿質譜儀（“ICP-MS”）採用低溫屏 蔽電聚方法與標準品添加法測量槽中溶液的溶解鋼。結果 列於表4。 (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) 1 ^1 ϋ *ϋ .^1 · ala .ϋ 1 —al ϋ 1 ϋ 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製

91755 296071 A7 B7 五、發明說明（ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 对755 表4 13 樣品 銅量（ppb) A 7, 865 B 8, 640 C 11，060 4 326 5 285 6 186 從上述數據可以清楚地看出本發明滌除組成物對銅具 有比已知滌除組成物遠較為低的腐餘性。 資施例3 使用含有銦錫氧化物/鈕（“IT〇/Ta”）薄膜的玻璃基板 和樣品5的滌除劑溶液重複實施例2的程序。沒有觀察到 金屬層大幅腐蝕。 實施例4 使用含有鈮/鋁/鈮（“Nb/Al/Nb”）薄膜的基板和樣品5 的滌除劑溶液重複實施例2的程序。沒有觀察到金屬層大 幅腐蝕。 實施例5 使用含有氧化銘薄膜經MR和GMR圖樣化的晶圓重複實 施例2的程序。樣品A-C顯示出有腐蝕現象而樣品4_6顯 示出比樣品A-C較低的腐蝕量，其中樣品5顯示出最低的 腐蝕量。 實施例6 重複實施例2的程序，不同處在於樣品5滌除劑組成 物中使用不同的腐蝕抑制劑進行評估。各腐蝕抑制劑係評 估對銅的腐蝕性並以1至10的標度予以評等。丨為最高腐 私紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐「 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) — — — — — — — — — 1296071 A7

五、發明說明（14 ) 餘性而1 G為對銅最低腐蝕性的組成物。結果列於表5。

0 12 IX 1i IX 表5 ϋ抑量（重量評每 兒茶酚 2-5 7 第三丁基兒茶酚 2-5 8 _笨并三唑 2-5 10 苯并三唑衍生物 2-5 9 矽酸四甲錢 5 9 2-氫硫基苯并三唑 2-5 9 上述數據顯示出所有該等腐蝕抑制劑在本發明組成物 中都具有效用。 實施例7 重複實施例2的程序，不同處在於該基板包含具有 〇· 2-0· 3微米幾何的鈦/氮化鈦/鋁^銅-矽/氮化鈦層 (“!^/!^?^/八1(：118丨/1'11^’）並使用樣品5滌除劑組成物。在該 〇· 2-0· 3微米幾何上未看到鈦或氮化鈦的腐蚀且沒有觀察 到鈦蝕削現象。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 14 91755 t請曰期 案 號 類 别 (以上各攔由本局填註） 補.¾ A4 C4 、《名稱 % |專利説明書 中 文 移除聚合物型物質之組成物及方法，以及製造薄膜磁頭之 方法 英 文 COMPOSITION AND METHOD FOR REMOVAL OF POLYMERIC MATERIAL AND METHOD FOR PREPARING THIN FILM HEADS ’ 姓 名

1·傑弗德· J ·夏巴特 JAVAD J. SAHBARI 2.夏恩· J ·夏巴特 SHAWN J. SAHBARI 國 籍 1.2.美國 發明 創作> 住、居所 姓 名 (名稱） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 國 籍 1.2.地址同 美國·加州94086 ·桑尼威·聖安那路245號 245 Santa Ana Court, Sunnyvale, California 94086, U.S.A. 希普列公司 SHIPLEY COMPANY, L.L.C. 美國 .三、申請人 住、居所 (事務所) 代表夂 姓 名 美國·麻州01752 ·馬爾柏洛·森林銜455號 455 Forest Street, Marlborough, Massachusetts 01752? U.S.A.

達瑞爾· P ·弗里基DARRYL P. FRICKEY (修正頁）91755 ϋ張义度適用中國國家標準(CNS) Α4規格（210 X 297公釐）

Claims (1)

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經濟部中央標準局員工福利委員會印製

第90104230號專利申請案 申请專利範圍修正本 (93年3月24曰） 1 · 一種從基板移除聚合物型物質所用的組成物，其包括 至90重量◦/〇之一或多種極性非質子型溶劑、1至5重量 %之一或多種聚合物溶解增強性鹼，該聚合物溶解增強 性鹼係選自氫氧化四（CrCj烷基銨；碳酸四（c】_c〇烷基 銨，乙酸四（c】-c0)烷基銨；檸檬酸四（Ci-Cj烷基銨；矽 酸四（CVC：6)烧基銨；及氫氧化膽鹼、和〇·〇ι至1〇重量 %之一或多種腐蝕抑制劑，其中該組成物實質上不含羥 基胺或羥基胺衍生物。 2·如申請專利範圍第1項之組成物，其中該極性非質子型 溶劑包括二甲亞楓、四亞甲基楓或二甲基楓。 3 如申明專利範圍第1項之組成物，其中該聚合物溶解增 強性鹼包括氫氧化四甲銨、氫氧化四丁銨、碳酸四甲 銨、乙酸四曱銨、檸檬酸四甲銨、矽酸四甲銨或氫氧化 膽驗。 4·如申請專利範圍第1項之組成物，其中該腐蝕抑制劑包 括兒茶s分、（c^-c；6)烧基兒茶紛、苯并三唾、（Ci_c】G)垸 基苯并三唾、（C1-C1G)羥基烷基笨并三唑、2_氫硫基苯 弁米生、五倍子酸或五倍子酸醋。 5 ·如申明專利範圍第4項之組成物，其中該腐蝕抑制劑係 選自下列者：兒茶酚、甲基兒茶酚、乙基兒茶酚，第三 丁基兒命齡，笨并二ϋ坐，2 -氫硫基笨并味哇，五倍子酸， I紙張幻1通用中國國^準（CNS)以規巧―χ 297公& 1 (修正本）9] 755 1296071 , ---- - H3 五倍子酸曱酯或五倍子酸丙酯。 6.如申請專利範圍第1項之組成物，復包括一或多種選自 下列之有機添加劑··輔溶劑、界面活性劑或螯合劑。 7·如申請專利範圍第6項之組成物，其中該輔溶劑包括 (cvcw烷二醇、（CVC2G)烷二醇（c「c6)烷基醚、胺基醇 類或N-(Ci_Ci〇)燒基吼σ各烧酮。 m 8·如申請專利範圍第7項之組成物，其中該辅溶劑包括丙 二醇單曱基醚、丙二醇二甲基醚、丙二醇正丁基醚、二 丙二醇單甲基醚、二丙二醇二甲基醚、二丙二醇正丁基 驗、三丙二醇單曱基醚和丙二醇甲基醚乙酸s旨。 9·如申請專利範圍第6項之組成物，其中該輔溶劑的含 量’以該組成物總重量為基準，為5至80重量％。 10·—種從基板移除聚合物型物質之方法，其包括下述步 驟：於室溫至12〇。(：下將含有要移除的聚合物型物質之 基板與如申請專利範圍第1項所述之組成物接觸一段 足以移除該聚合物型物質的時間。 經濟部中央標準局員工福利委員會印製 11.-種製造薄膜磁頭之方法，其包括下述諸步驟：於室溫 至120 c下將含有要移除的聚合物型物質之薄膜磁頭前 體與申請專利範圍帛1項之組成物接觸一段足以移除 該聚合物型物質之時間及清洗該薄膜磁頭前體。 2 (修正本）91755