TWI295070B - Semiconductor device manufacturing method,semiconductor device manufactured thereby and lithographic apparatus therefor - Google Patents

Description

1295070 玖、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明之一實施例係關於一種裝置製造方法，包含以下 之步驟： 提供一基板，其中該基板係至少部分地由一射線感應材 料層所覆蓋； 利用一射線系統來提供一投影射線束； 提供一第一及一第二摹圖裝置，其係固定在—支撐处構 上； 牙、、口 利用第一及第二摹圖裝置之其中一裝置來使投影射線束 在其截面上具有一圖樣；以及 將具有圖樣之射線束投影在該射線感應材料層之標的部 位上。 T p 【先前技術】 以：：說明書中所用之“摹圖裝置，，一詞，係應廣義解釋為可 :人射之射線束具有—圖樣截面，其中該圖樣係對應於 /、在基板之標的部位中的圖樣。針對此—内容，亦可以 木用術詞“光值” 一詞。一二 -ίΓ ^ ^ Λ 部位中所…… 斜應於欲在標的 他裝冒.成衣置中的特定功能層’諸如—積體電路或其 ^彡妝下又）。此類摹圖裝置之一實例係包括： —光罩。光罩的概念在微影技術中係習知的，其且 包括光罩類型係諸如雙光罩類型、六一 罩類型、衰減相位"多光罩續刑^相位偏移光 -刑…刑罩類型以及各種不同的混 σ 土光罩“員 _±1。將· 士卜 _ 一 vk ^ w g?, 打此先罩放置在射線束中，便可 1295070 以依昭*止宠 t 罩上的圖樣而選擇性地使撞擊在光罩上 《射泉牙埏（在穿透性光罩的例子中）或反射（在反射 =罩的例子中）。在一光罩的例子中，該支撐結構 通吊係一光罩平台，其可以確保光罩可以適當地定 位在入射的射線束中，且若有需要，其亦可以相對 於射線束來移動。 可秸式面鏡陣列。此一裝置之一實例係一矩陣可 .·.表面其係具有一黏著伸縮性控制層以及一反 射表面在此一设備中的基本原理係在於（舉例來說） 反射性表面之編址區域係將入射光線反射成繞射光 線，而未編址區域則係將入射光線反射成未繞射光 泉利用適當的濾光器，未繞射光線便可以由反 射射線束中加以攄除，而僅留下繞射之光線；在此一 万式中，射線束便依照矩陣可編址表面之編址圖樣 來加以摹圖。所需要之矩陣編址係可以利用適當的 電子裝置來進行。有關此類面鏡陣列之更詳細資料 ，係可以參考美國專利5,296,89 1號及5,523，193號中 所揭露者，其内容在此援引為參考。在可程式面鏡 陣列的例子中，該支撐結構可以係一骨架或平台， 且其可以視情況需要而為固定式或可移動式。 可程式LCD陣列。此一結構的實例可以參照美國專利 第5,229,872號，其内容在此援引為參考。如上所述 ’在此例中之支撐結構可以係一骨架或平台，且其 可以視情況需要而為固定式或可移動式。 1295070 為了簡化說明之緣故，在本說明書的其餘部分中，摹圖裝 置係直接以一光罩及光罩平台為例來說明；然而，在此類 貫例中所討論的一般性原理，應以上述之摹圖裝置之廣義 解釋來視之。 极衫投影设備係可以使用在，例如，積體電路（ICs)的製 以中。在此例中，摹圖裝置係可產生一對應於IC之一個別 層體的電路圖樣。此圖樣係可以映像在一基板（矽晶圓）上之 標的部位（例如，包含一個或多個晶格），其中在該標的部位 係覆上一層射線感應材料（光阻劑）。一般而言，一單一晶圓 係包含相鄰標的部位之整個網路結構，其係經由投影系統 而連續地且-次一個地來加以照射。纟目前既有的設備中 ，其係採用一位在光罩平台上之光罩來進行摹圖，並且可 分為㈣不同類型的機器。在其中―類型的微影投影 設備中’ # —標的部位係藉由將整個光罩圖樣—次地映像 至標的部位來加以照射。此類型之設備係通稱為一吾圓步 兔§。在另一種設備中，通稱為步階及掃描設備，每一標 的部位係藉由在一給定的參考方向上(“掃描方向”)於投影 射線束下來逐一掃描該光罩圖樣，同時在平行或逆平行於 上述方向的方向上亦同步地掃描該基板平台；整體而言，由 於該投影系統係具有—放大倍率M(通常小於υ，因此該基 板平口 4 #為速度V便為光罩平台掃描速度的縣。有關微 影裝置之更詳細的資訊，可參考美國專利第Μ46,792號， 其内容在此援引為參考。 在使用微影投影設備之製程巾，係被映m 1295070 圖一裝置之單一層體的基準，例如 板二至少部分地由—層射線感應材料所覆蓋(光阻劑) :在映像步驟之前，基板係先經過各種不同的處理程序，:) 诸如土底、光阻劑覆蓋以及軟烘烤。在曝露之後，基板 經過其他程序處理’諸如後續曝露烘烤（PEB)、顯影_徂 烤及映像特徵之測量/檢查。此—系列之程序係用以做為吴 1C。此一摹圖層接 著便可以經過各種不同的處理，胸刻、離子植入(接曰入) 、金屬化、氧化、化學機械研磨等等，所有程序皆係用以 C正個別層髌。若有需要形成數個層體時，則整個程序 或其變化型式，便可以針對每一新層體而重複進行。最後 ，在基板（晶圓）上便可以呈現一系列的裝置。這些裝置接著 可以藉由諸如切割或鋸斷的技術而彼此分離，然後可將個 別裝置安置在一載體，或者係連接至一針體上等等。有關 此一程序之其他詳細資訊，可以參考乂…以〜Hiu出版公 司杰 1997 年出版之 Microchip Fabrication: A Practical Guide to Semiconductor processing一書，第三版（peter van。加所 著），書碼為ISBNO-07-067250-4，其内容在此援引為參考。 為了簡化說明，該投影系統在下文中係稱之為“透鏡”；然 而’此一術浯應廣義解釋為涵蓋所有各種不同類型的投影 系統’包括繞射光學元件、反射性光學元件以及逆折光系 統。照射系統可包括依照上述任何一種設計來加以操作之 元件’以導引、塑形或控制投影射線束，且此類元件在下 文中可以統稱或單獨地稱之為“透鏡，，。此外，微影裝置可以 具有兩個或以上的基板平台（及/或兩個或以上的光罩平台） 1295070 。在此類“多階，，裝置中’可採用額外的平台，俾在一個或多 個平台上進行平行或預備性步驟，同時使另一個或多個肀 。係用以作為曝光之用。雙階微影裝置係揭露在美國專利 第5,969,441號及國際專#ljw〇98,MQ79l號中，其内容在此援 引為參考。 町季圖衮置之圖樣 在儆影製程中

_ μ ^叫、，以、Ν，口、J 直線投影在基板上，ρ細0卢八十人土 1 已經k仔愈來愈重要。一種減少特徵 尺寸的方法係採用具有屮曰义良一 ^ m、 、’比目則廣之使用I微影裝置之射線 的波長還要短的射崎。2 ^逆文7耵、、泉。另一種用以降低特徵尺寸的方法， 係採用諸如多曝井士证4 +尤足延伸技術與，例如，雙極照射技術的 組合。藉由使用雙極昭舢 、 ^ 射僅有在一特足万位上的能 以高於利用習知，昭射描彳 〜f杈式，例如角度或四極照射模式所具 有確度來投影至基板上。 由於I皆由雙極照射的0吴氺 ^ π ^ ”暴先僅旎在-万位上形成較小的特 丄、/匕幕圖裝置《圖樣係必須分成兩個圖樣。-般而 :,這些圖樣係設在兩個幕圖裝置上，藉此，—第—二 第-一固 万向（例如，水平方向）上的特徵，而一 弟一拳圖裝置則係包含 一、^ 伸於一大致垂直於第一方向之筮 —万向（例如，垂直方向） 足弟 在圖樣的平面上。柏护、人私 置特欲係皆位 以習知照射模式 （彳&千及垂直特徵） 1 ’月度或四柄昭勒 果，藉由先投影水平祛，# —屬式’所照射的結 到較小的整體特徵尺寸。 ’、垂直特谜，係可以得 在照射第一及第-固这 1295070 互換’而這奋；ft 吐 一曰 θ Λ時間而降低產能。為了減少產能的降低， 通常最好係以裳__ ^ 弟—摹圖裝置來整批照射（包含兩個或更多的 基板），然後i ^ ^ 、… 吊二摹圖裝置來照射相同的整批基板。此優 點在於’針盤敕丸卜从 " 。<么、板，該弟一及弟二摹圖裝置僅需互換 兩人口此，這兩次的互換係由整批基板所共用。 、 種方去係以第一摹圖裝置來照射第一基板，然後再 、、第基板之别，再以第二摹圖裝置來照射同一基板 。在此例巾’針對每-基板，摹圖裝置係交換兩次，當然 ’相較於整批基板而互換兩次摹圖裝置而t，此一方法係 會造成產能的損失。在歐洲專利Ep 〇855623 A2中，提出將 兩光罩放置在一光罩平台上，藉此使光罩配置成與一掃描 方向，目致其中这掃描方向係在基板射照期間，該投影 射線束掃描在-光罩上之圖樣的方向。藉由使用此一配置 在正個基板上之母一標的部位係會由第一光罩上之圖樣 所照射，然後，每一標的部位再由第二光罩上之圖樣所照 射。相較於光罩射線僅包含一單一光罩的光罩交換速度而 言，由於第一及第二光罩係位在一光罩平台上，因此其交 換速度係要快得多。因此，用以執行光罩交換所需要的時 間便可以減少，進而使產能增加。 在上述多次曝光的方法中，在第一及第二次曝光之間的 時間係相當長，因為至少一完整的基板係先以第一摹圖裝 置來曝照，然後再以第二摹圖裝置來曝照。因此，在第一 及第二幕圖裝置的曝照期間，基板之溫度係不同的，舉例 來說，這是由於基板周圍環境（例如，周圍氣體或基板平台） -10 - 1295070 的溫度變化所致。由於不同的溫度通a ， 吊3造成基板的膨月長 或收縮，因此，該第二摹圖裝置之 扳的恥脤 、 ,、， 衫圖樣相對於第一摹 圖裝置之投影圖樣在基板上的位置便 、、> 心田， ΰ偏—移。偏移的程詹 係可疋義為上豐精锋度；較大的偏移取4 」g導致較低的重爲精 確度，且反之亦然。基板在第一及 β ?主且州 、、 〜摹圖裝置之曝昭期 間的溫度變化，係會導致較低的重聶 ^ 々· i知確度，而這當蚨会 產生不利的影響。 ^田…、曰 【發明内容】 本發明之一目的係要提供一種可推二 必行多次曝照之奘罾製 造方法，藉以增進重疊精確度。 、足取且^ 此一目的及其他目的係可依照在前 . ^ 序中所說明之裝罾Μ 造方法來達成，/、特徵在於該方法尚向 I έ以下之步驟.

將第一幕圖裝置上之第—圖樣投影在標的部位上；I 接者，將弟一摹圖裝置上之第二圖樣投影在相同的標的 部位上。 藉此一方法，在曝照另一標的部位之前 - 一標的部位可 由兩摹圖裝置所曝照。因此，將第—々 对吊及昂二圖樣投影在標 的部位之間的時間便可以縮減。#由縮減在第一次及第二 次曝照之間的時間，亦可以降低基板之溫度變化的影響。 因此’便可以減少在第-次及第二次曝照期間所投影之特 徵位置之間的偏差，進而增進重疊精確度。 最好，在每一標的部位上係以相同的順序來曝照第一及 第二光罩。因為不同的曝照順序可能會造成特徵尺寸的差 異或造成重疊的問題，這是因為射線感應層的原本特性所 1295070 致，依照相同的順序，便可增進在每一標的部位卜士 <圖樣 的重製性。 最好可採用一支撐結構，其可以固持兩個摹圖裝置。 支撐結構上之兩摹圖裝置係沿著一大致垂直於掃描方、 方向而並排配置。藉由此一設計，便可以進行包含以 卜 騾之方法： 在投影第一圖樣之後，在掃描方向上減速該支撐結構·

在投影弟二圖樣之前，在相反於掃描方向之方向上力口、亲 該支撐結構；以及 ' 在其中至少一減速及/或加速該支撐結構的期間，於一大 致垂直於？K掃描方向之方向上移動該支撐結構，俾使第二 圖樣定位成與該相反於掃描方向之方向相一致。 藉由上述的方法，在曝照第一圖樣之後，支撐 移動，使得第二圖樣可以緊接在第一次曝照之後來進行 照。在習知僅具有一摹圖裝置的微影裝置中，在以一定

速度掃描該圖樣的同時’該摹圖裝置上之圖樣係被曝照 標的部位。在曝照之後’支撐結構便減速，停止，然後 加速至該速度，以將圖樣曝照在另—標的部位上，但此 曝照的方向係相反㈣描方向。在本發明之方法中，在 速及/或加速期間，支撐結構係沿著-垂直掃描方向之方 來移動，藉此可传篦-固 、、 罘一圖樣 < 曝照係緊接在加速步騾之 來進行。在此方式中，#、、力 /又有夕餘的時間來交換一摹圖: 置’因為加速及減速係隨咕士 ，、 你k時在進行。综上所述，此方法> 可以進行多次曝照，且且古丄本 一有回重疊精確度，而不會造成/ -12- 1295070 何的產能損失。 依=本發明另一樣態，其係提供一微影投影裝置，包含： 一射線系統，用以提供一投影射線束； 一支撑結構’用以支撐至少兩摹圖裝置，該摹圖裝置 係用以摹圖該射線束，以使其具有一所需的圖樣； 一基板平台，其係用以固定一基板； 、、-投影系統’其係用以將—具有圖樣之射線束投影在 孩基板之一標的部位上，該裝置之特徵在於 、在支撐結構上之摹圖裝置係沿著一大致垂直於一掃描 方向之方向而並排配置。 雖然在本說明書中係特別參考用以製造心之裝置來加以 說明’然而應、深切瞭解的是，此-裝置尚具有許多其他可 行的應用。舉例來說，其可以使用在積體光學系統之製造 上，針對磁性區域記憶體之圖樣的導引及债測，液晶顯示

C 面板、薄膜磁頭等等。習必φ + 、 白万；此技者應可瞭解，在其他應用 之内容中，在本說明書中^、 曰肀所使用〈任何術語“網線，，或“光罩，， 、“晶圓，，或“晶格”，係可以分別由較一般性之術語“摹圖裝 置、基板”以及“標的部位，，所取代。 在本4明書中，所使用之術語“射線，，及“光束，，係用以涵絮 所有類型之射線，包括紫外線（例如，具有365㈣、248二 、193麵、157疆或126㈣之波幻以及謂(超紫外線，例 如具有5_至2〇_範圍之波長)，以及粒子束，諸如離子束 或電子束。 -13 - 1295070 【實施方式】 中==參考所附之圖式來舉例說明如下，其 圖1係概要係用以表示相同的元件。 裝置。該裝置包含：本發明之特定實施例之微影投影 射線系統E X、I l，甘# m ，射線)。在此一特定：:：以供應-投影射線束(例如 LA; Λ例中，该射線系統亦包含一射線源

一弟一物件平台(光罩平台)ΜΤ ’其係具有-光罩固持4 ’用以固持-第及—第二光罩MA1及ΜΑ2(例如，'線網 ’並且連接至第-定位裝置’以精確地將該光罩相對於； 目P L來加以定位； 一第二物件平台（基板平台）WT，其係具有一基板固持件 ，用以固持一基板W(例如，覆有光阻劑之矽晶圓），並且將

C 其連接至第二足位裝置，以將基板相對於項目pL來加以精 確地定位； 一投影系統（“透鏡，，）PL(例如，一反射性或逆折光系統、 一面鏡群集或場域偏光器之陣列），其係用以將光罩MA丨或 MA2之一照射部位映像於該基板w之一標的部位c(例如，包 含一個或更多的晶格）。 在此所說明的，該裝置係一種透射型裝置（亦即，具有— 透射性光罩）。然而，一般而言，其亦可以是一種反射型裝 置（具有一反射性光罩）。或者，該裝置係可採用其他種類的 摹圖裝置，諸如一種如上文所述之可程式面鏡陣列。 -14- 1295070 該射線源LA(例如，一汞燈泡、一激光雷射、一設置在一 儲蓄環或同步加速器中之電子束路徑附近的碉變器或搖擺 器、一產生雷射之電漿源、一放電源或-電子或離子束供 應源）係會產生射線束。此一射線束係可直接或者係經過調 整裝置（諸如一光束增幅器Ex)之後，而饋入至一照射系統 (照射器）IL中。該照射器IL係可包含調整裝置AM，其係用 以設定射線束在外側及/或内側徑向長度（分別稱之為σ _外 側及σ -内側）之強度分佈。此外，其通常亦包含各種不同的 其他元件，諸如積分器IN以及電容器C〇。在此方式中，撞 擊在光罩MA上之投影射線束pb在其截面上係可以具有所 需要的均勻性及強度分佈。 針對圖1應注意的是，該射線源LA係位在該微影投影裝置 之外敗中（如同當该射線源la係一水銀燈泡時的情況），但 其亦可以位在遠離該微影投影裝置的位置，而其所產生之 投影射線束則係可以導入至裝置中（例如，藉由適當導向面 鏡的辅助）;在剛才所述的結構中，通常該射線源[八係一激光 雷射。本發明及其申請專利範圍係皆涵蓋上述兩種架構。 射線束PB接著便會由光罩MA丨（或MA2)所阻斷，其中該光 罩係固疋在一光罩平台MT上。在通過光罩MA1之後，射線 束PB便會通過該透鏡PL，其會將投影的射線束pB聚合在基 板W之一標的部位c上。藉由第二定位裝置—(以及干擾測 量裝置IF)的辅助，該基板平台WT便可以精確地移動，例如 ，將不同的標的部位c定位在投影射線束pBi路徑上。同樣 地，第一定位裝置PM亦可用以精確地將該光罩mai相對= 1295070 投影射線束pB^ % ^ + 、 路偟來加以定位，例如，在由一尖罟隹士 邵以機械方式選取出、例' 在由先罩集存 。一般而古 〈後，或者係在掃描期間 組（粗略定位、2千台心WT之移動係可以藉由長行程模 並並去 ，^土杈通A密定位）之輔助來達成， /、龙未砰細顯示在圖1中。 圖式〈裝置係、能以兩種不同的模式來使用： ::步階模式中，該光罩平台物大致保持靜止不動， 且整個光罩影像係一次 西 U几王ί又；(亦即，一早一‘‘閃光，，）在 /曰HM·" C上。孩基板〜接著便在X及/或y方向上偏移，使 #不同的標的部位c可以由投影射線束PB來加以照射；

C 2.在掃描模式中’其係進行大致相同的程序，除了 一預定 ㈣的部位C並非以單一“閃光，，來加以照射以外。取而替之的 疋邊光罩平台Μτ係可以—速度v而在既定方向上來移動 (:斤謂的“掃描方向，，，例如y方向），使得該投影射線束pB係會 知描通過一光罩影像。同時’該基板平台WT亦以一速度 而在相同或相反的方向上來移動，其中該M係透鏡的放大 倍率（通常’ M=l/4或1/5)。在此方式中，便可以使—較大的 標的部位C能夠被照射，而不會使解析度有所降低。 圖2係顯示一用以固持—第—及—第二光罩MAi、ma2之 光罩平台MT。#前所述，此一光罩平台係可料為多次曝 照的用途。若採用一雙極照射之設定，則僅有在一特定方 向，例如，一水平或垂直方向，上的特徵係能以較小的特 徵尺寸來加以映照，亦即，一較小的臨界尺寸。一般而言 ，一欲投射之圖樣的水平及垂直特徵係被分割在兩個不同 -16- 1295070 的光罩mai、ma2。 接著水平及垂直特徵係必須在兩個曝照步驟中來加以 曝。在多次曝照方法中，纟不同光罩上之特徵的重疊以 及在基板上的這些特徵之臨界尺寸的重複性，係相當重要 的。為此，在曝照一後續的標的部位之前，兩光罩mai、 ΜA2係必須一個緊接著一個地曝照在標的部位（或場域）上； 此方法亦被稱之為場域接場域以一“叶火纟丨^丨幻雙次曝照。 在步階及掃描裝置中，在雙次曝照期間所要採取之步驟 係必須小心選擇，以配合具有較高重疊精確度的場域接 每域災/人曝知、方法。在圖3中係概要顯示其中一種方法。在 步驟A中，光罩MA1(在靜止狀態）係先被加速至一適當的速 度。當到達所需要的固定速度時，便可將光罩M A 1露出， 並且投影在基板上之一第一標的部位。光罩平台MT之移動 方向係稱之為掃描方向。在曝照光罩M A1之後，光罩平台 MT係以相同速度持續移動，並且通過光罩ma2，之後，平 台MT便逐漸減速而完全停止。此一步驟係由步驟b中之箭 頭所示。在步驟C中’光罩平台Μ T係先加速至適當的速度 ，然後，在此速度下，該光罩Μ Α2係在相反於掃描方向的 方向上被照射。在光罩ΜΑ2上之圖樣便會被投影至先前在 步驟Α中被照射之相同的標的部位上。在曝照該光罩μΑ2之 後，光罩平台ΜΤ便以固定的速度持續移動，並且相似於步 ，驟Β而通過光罩ΜΑ1。在通過光罩ΜΑ1之後，光罩平台便會 減速而停止。接著，便可在一第二標的部位上重複進行步 驟Α至D。 1295070 在此同時，當步驟B在光罩平面上進行時

/土、低丁包WT ,叫丄疋订坷，基板」 (/圖1所旬正好減速而停止。之後，在基板上之第 ::::與步驟C同時且同步地被反向照射。在步驟D期：， 极千：WT係減速而停止，之後，其便移動至—適當p 而依照上述的步驟循環來照射—第二標的部位。且 此精確度亦視光罩或基板之定位精確度而定，因 先罩及基板之移動亦會導致定位誤差 的疋位誤差通常係比在光罩平面上的 ：面上 1罩平面上料位誤差規模係會因為投影透鏡的倍率 、’.但小’通常係基板平面上的定位誤差的1/4或1/5。換士、 ’基板平台WT之移動精確度係要四倍或五 ：： :力:刪度。上述方法可以減少基板的移動，因此=1 成較小的重疊誤差。 I^ /由上f的方法’當光罩平台在步驟B及D中移動時，由 ”罩MA1父換成光罩MA2(反之亦然）所需要的時間，相較於 '自/ϋ罩的重複曝照所需要的時間’係會多出額外的 :間。這將不當地造成產能損失。在另一實施例中，其所 袪出的方法係以兩光罩來照射每一標的部位，而不 任何的產能損失。 θ 本發明之第二實施例係概要地顯示在圖4中，其係相似於 乐-實施例，除了以下將說明的部分以外。在此—實施例 中，固定在光罩平台Μτ上之光罩购、μα2係在沿大致垂 直於掃描方向之方向上呈並排配置。以此方式，其所進行 的步驟Β係不同於第—實施例的步驟Β。當光罩平台町在光 -18- 1295070 罩MA 1曝照之後而直接減速時，該光罩平台MT係同時移動 至光罩ΜΑ2(在圖4中的向下移動）。朝向光罩ΜΑ2的移動係 持續進行而到達適當的位置，以使光罩Μ Α2可以被照射並 於在储的部位上。在光罩平台加速至用以曝照所需要的 速度（沿著相反於掃描方向的方向）之前，其必須到達該適當 位置（在曝照光罩ΜA2之前）。上述的移動係由圖4之步驟B 中的前頭所概要地表示。同樣地，步驟D係用以定位該光罩 平口’俾使一旦該光罩平台加速至所需要的固定速度時， 該第一光罩可以立刻被曝照。 …罩平口在大致垂直於掃描方向之方向上的位移，係可 、在V描方向上之減速或加速的任何階段中來進行。此一 位和係可以在減速期間開始及結束，或者可以在減速期間 開始及結束。最好’位移係在光罩平台的減速期間開始， 而在光罩平台之加速期間結束，因為依照此方式，便可以 減乂由万；在此一位移期間的快速加速或快速減速而在光罩 平口上所產生之不必要且不當的衝擊或振動。 、由万、和動至右邊位置以曝照光罩ΜA2係與光罩平台Μ丁之 減速及加速同時進行，目此相較於習知重複曝照一光罩圖 樣，f不需要花費額外的時間來交換一光罩。因此，便可 保持南產能。 =在上文中僅說明包含兩光罩之光罩平台，然而，亦 可曰4如用包含有複數光罩之光罩平纟，或者係採用包含 ，車乂大而具有至少兩圖樣之光罩的光罩平台，其中每一圖 ^的尺寸係相當於在第一及第=光罩之纟中一 ％罩上的圖 -19 - 1295070 樣尺寸。雖然本發明特定實施例已說明如上，然而應瞭解 的是，本發明仍能以不同於上述之方式來實施。本發明並 未侷限於上述的說明。 【圖式簡單說明】 圖1係描示一微影投影裝置。 圖2係描示依照本發明之一實施例之光罩平台，該光罩平 台係具有兩光罩。 圖3係概要顯示依照本發明之一實施例之多次曝照的第 一種方法，其包含步驟A、B、C及D。 圖4係概要顯示依照本發明之一實施例之多次曝照的第 二種方法，其包含步驟A、B、C及D。 【圖式代表符號說明】 AM 調整裝置 C 標的部位 C〇 電容器

Ex 射線系統 IF 干擾測量裝置 IL 射線（照射）系統 IN 積分器 LA 射線源 ΜΑ 1 第一光罩 MA2 第二光罩 MT 物件平台（光罩平台） PB 投影束 -20- 1295070

PL W WT 投影系統（透鏡） 基板 基板平台

Claims (1)

1295^0136516號專利申請案 ---- 中文申請專利範圍替換本(96年1〇月）/^年/〇月j/日修(更)正本 、申奢寿ij 聋爸同· --------——— 一―.. .—— _ 1. 一種半導體裝置製造方法，包含： 提供一基板，其中該基板係至少部分地由一射線感應 材料層所覆蓋； 利用一射線系統來提供一投影射線束； 提供一第一及一第二摹圖裝置，其係固定在一支撐結 構上； 利用該第一及第二摹圖裝置之其中一裝置以使投影 射線束在其截面上具有一圖樣；以及 將具有圖樣之射線束投影在該射線感應材料層之標 的部位上， 其特徵在於以下之步騾： 將該第一摹圖裝置上之第一圖樣投影在標的部位上； 接著’在將第一及第二圖樣之其中一圖樣投影在另一 私的部位之前，將第二摹圖裝置上之第二圖樣投影在相 同的標的部位上； 在Λ著一知描方向來掃描該第一圖樣的同時，投影該 第一圖樣；及 緊接著在沿著一相反於該掃描方向的方向上掃描該 第二圖樣的同時，投影該第二圖樣。 2. 根據申請專利範圍第丨項之方法，其中第一及第二摹圖 裝置係沿一大致垂直於掃描方向之方向上並排配置在 該支撐結構上。 3·根據申請專利範圍第2項之方法，其中在投影第一圖樣 82614-961031.doc 1295070 及投影第二圖樣之間，沿著大致垂直於掃描方向之方向 來移動該支撐結構。 4·根據申請專利範園第2項之方法，尚包含： 在投影第一圖樣之後，在掃描方向上減速該支撐結構； 在投影第二圖樣之前，在相反於掃描方向之方向上加 速該支撐結構；以及 在其中至少一減速及加速該支撐結構的期間，於一大 致垂直於忒掃描方向之方向上移動該支撐結構，俾使第 二圖樣定位成與相反於該掃描方向之方向一致。 5_根據申請專利範圍第丨至4項任一項之方法，其中該射線 系統係提供雙極照射。 6· —種半導體裝置，其係根據前述申請專利範圍任一項之 方法所製成。 7· 一種半導體裝置製造方法，包含： 扼供一基板’其中該基板係至少部分地由一射線感應 材料層所覆蓋； 利用一射線系統來提供一投影射線束； 提供一摹圖裝置，其係固定在一支撐結構上，且具有 一第一圖樣及一第二圖樣； 利用該摹圖裝置來使投影射線束在其截面上具有第 一圖樣及第二圖樣之其中一圖樣；以及 將具有圖樣之射線束投影在該射線感應材料層之標 的部位上， 其特徵在於以下之步驟： 82614-961031.doc 1295070 將摹圖裝置上之第一圖樣投影在標的部位上； 接著，在將第一及第二圖樣之其中一圖樣投影在另一 標的部位之前，將摹圖裝置上之第二圖樣投影在相同的 標的部位上； 在沿著一知描方向來掃描該第一圖樣的同時，投影該 第一圖樣；及 緊接著在沿著一相反於該掃描方向的方向上掃描該 第二圖樣的同時，投影該第二圖樣。 8· 9· 10. 11. 12. 根據申請專利範圍第7項之方法，其中第一及第二圖樣 係沿一大致垂直於掃描方向之方向上並排配置在該支 撐結構上。 根據申請專利範圍第8項之方法，其中在投影第一圖樣 及投影第二圖樣之間，沿著大致垂直於掃描方向之方向 來移動該支撐結構。 根據申請專利範園第8項之方法，尚包含： 在投影第一圖樣之後，在掃描方向上減速該支撐結構； 在投影第二圖樣之前，在相反於掃描方向之方向上加 速該支撐結構；以及 在其中至少一減速及加速該支撐結構的期間，於一大 致垂直於該掃描方向之方向上移動該支撐結構，俾使第 二圖樣定位成與相反於該掃描方向之方向一致。 根據申請專利範園第7至1〇項任一項之方法，其中該射 線系統係提供雙極照射。 一種半導體裝置，其係根據申請專利範圍第7至11項任 82614-961031.doc 1295070 一項之方法所製成。 13. 14. 15. 一種微影投影裝置，包含： 一射線系統，用以提供一投影射線束； -支撐結構，用以支撐至少兩摹圖裝置，該摹圖裝置 係用以摹圖該射線束，以使其具有—所需的圖樣； 一基板平台’其係用以固定一基板； -投影系統’其係用以將-具有圖樣之射線束投影在 孩基板<一標的部位上’該裝置之特徵在於 該裝置係設計及配置成可將第一摹圖裝置上之第一 圖樣投影在該標的部位上；以及 該裝置係設計及配置成在將第—圖樣及第二圖樣之 其中-圖樣投影至另-標的部位之前，接著將第二幕圖 裝置上之第二圖樣投影至相同的標的部位上，且該裝置 係設計及配置成在沿著一掃描方向來掃描該第一圖樣 的同時，投影該第一圖樣’緊接著在沿著一相反於該掃 描方向的方向上掃描該第二圖樣的同時，投影該第二圖 樣。 根據申請專利範圍第13項之裝置，其中該第_及第二摹 圖裝置係沿-大致垂直於該掃描方向之方向上並排配 置在该支撐結構上。 根據申請專利範圍第14項之裝置，其中該裝置係設計及 配置成在投影第一圖樣及投影第二圖樣之間，可沿著大 致垂直於掃描方向之方向來移動該支撐結構。 82614-961031.doc l295〇7〇 l6·根據申請專利範圍第14項之裝置，尚包含： . 定位裝置，其係設計及配置成可在投影第一圖樣之後 · ’在掃描方向上減速該支撐結構； 定位裝置，其係設計及配置成可在投影第二圖樣之前 ’在相反於掃描方向之方向上加速該支撐結構；且 其中該裝置係設計及配置成可在其中至少一減速及 加速該支撐結構的期間，於一大致垂直於該掃描方向之 方向上移動該支撐結構，俾使第二圖樣可定位成與該相 反於掃描方向之方向相一致。 _ 17·根據中請專利範圍第13至16項任一項之裝置，其中該射 線系統係提供雙極照射。 · 18· —種微影投影裝置，包含： — 一射線系統，用以提供一投影射線束； 支物·結構，用以支撐一具有一第一圖樣及一第二圖 樣之摹圖裝置，該摹圖裝置係用以摹圖該射線束，以使 其具有一所需的圖樣； 一基板平台，其係用以固定―基板； 鲁 一投影系統，其係用以將一具有圖樣之射線束投影在 孩基板之一標的部位上，該裝置之特徵在於 孩裝置係設計及配置成可將第一圖樣投影在該標的 部位上； 孩裝置係設計及配置成在將第一圖樣及第二圖樣之 其中圖樣投影至另一標的部位之前，接著將第二圖樣 82614-961031.doc 投第 影至相同的標的部位上；以及 該裝置係設計及配置成在、、儿叫 、、 1风在沿著一掃描方向來掃描該 圖樣的同時，投影該第 圖樣，緊接著在沿著一相 反於該掃描方向的方向上播抵分 ^兩孩弟二圖樣的同時，投影 該第二圖樣。 其中該第一及第二圖 方向上並排配置在該 19·根據申請專利範圍第18項之裝置， 樣係沿一大致垂直於掃描方向之 支撐結構上。 20·根據申請專利範圍第19項之奘w ^ ^ ^ 闲不 g之衮置，其中孩裝置係設計及 配置成在投影第一圖樣及投影第二圖樣之間，可沿著大 致垂直於掃描方向之方向來移動該支撐結構。 1 ·根據申睛專利範園第19項之裝置，尚包含： 定位裝置，其係設計及配置成可在投影第一圖樣之後 ’在掃描方向上減速該支撐結構； 足位裝置’其係設計及配置成可在投影第二圖樣之前 ，在相反於掃描方向之方向上加速該支撐結構；且 其中該裝置係設計及配置成可在其中至少一減速及 加速該支撐結構的期間，於一大致垂直於該掃描方向之 方向上移動該支撐結構，俾使第二圖樣可定位成與該相 反於掃描方向之方向相一致。 22·根據申請專利範圍第18至21項任一項之裝置，其中該射 線系統係提供雙極照射。 23. —種微影投影裝置，包含： 一射線系統，用以提供一投影射線束； 82614-961031.doc 1295070 一支撐結構，用以支撐至少兩摹圖裝置，該摹圖裝置 係用以摹圖該射線束，以使其具有一所需的圖樣； 一基板平台，其係用以固定一基板； 一投影系統，其係用以將一具有圖樣之射線束投影在 該基板之一標的部位上，其中在支撐結構上之摹圖裝置 係沿著一大致垂直於一掃描方向之方向而並排配置； 一第一定位裝置，其係設計及配置成可在投影第一圖 樣之後，在掃描方向上減速該支撐結構；及 一第二定位裝置，其係設計及配置成可在投影第二圖 樣之前，在相反於掃描方向之方向上加速該支撐結構， 其中該裝置係設計及配置成可在其中至少一減速及加 速該支撐結構的期間，於一大致垂直於該掃描方向之方 向上移動該支撐結構，俾使第二圖樣可定位成與該相反 於掃描方向之方向相一致，該裝置之特徵在於 該裝置係設計及配置成可將第一摹圖裝置上之第一 圖樣投影在該標的部位上；以及 該裝置係設計及配置成在將第一圖樣及第二圖樣之 其中圖樣投影至另一標的部位之前，接著將第-幕圖 裝置上之弟二圖樣投影至相同的標的部位上。 24. 25. 根據申請專利範圍第23項之裝置，其中該裝置係設計及 配置成在沿著一掃描方向來掃描該第一圖樣的同時，投 影孩第一圖樣，緊接著在沿著一相反於該掃描方向的方 向上掃插該第二圖樣的同時，投影該第二圖樣。 根據申請專利範圍第23項之裝置，其中該裝置係設計及 82614-961031.doc 1295070 配置成在投影第一圖樣及投影第二圖樣之間，可沿著大 致垂直於掃描方向之方向來移動該支撐結構。 82614-961031.doc 1295070 柒、指定代表圖： (一) 本案指定代表圖為：第（1 )圖。 (二) 本代表圖之元件代表符號簡單說明： AM 調整裝置 C 標的部位 CO 電容器 Ex 射線系統 IF 干擾測量裝置 IL 射線（照射）系統 IN 積分器 LA 射線源 MA1 第一光罩 MA2 第二光罩 MT 物件平台（光罩平台） PB 投影束 PL 投影系統（透鏡） W 基板 WT 基板平台 捌、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學式：