TWI293510B - Field-plate mesfet - Google Patents

Description

1293510 玖、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於半導體裝置，更詳細言之，係關於砷化鎵 (Galliimi Arsenide ; GaAs)場效電晶體（field-effect transist〇rs， FETs) ° 【先前技術】

GaAs金屬半導體場效電晶體（Metal-Semiconductor Field-Effect Transistors，MESFET)係眾人所熟知之裝置，其係用 以提供微波頻率的放大、高速數位切換及其他各種功能。微波裝 置在以衛星為基礎及無線通信中的使用，近年來已有所增加。每 單位電晶體表面積具有極高功率容量（以瓦特/mm2表示）的此類 MESFET應用具有很大的市場。當電晶體的功率容量或功率輸出 改善時，單個電晶體即可提供先前由多個電晶體所提供的功率， 從而節省成本、減小體積與重量。電晶體的功率容量越大，其潛 在的應用便越廣，潛在市場也越大。因此，已出現大量旨在改善 電晶體軍用、工業及商業應用之效能的活動。 傳統的GaAsMESFET使用與摻雜GaAs通道區域直接接觸的 金屬電極，以形成肖特基（Schottky)接合。施加於閘電極或接面的 電壓會影響閘電極附近的通道載子密度，因此在汲極-源極電壓的 影響下，施加於閘電極與FET的其他電極間的電壓變化可調變經 由通道區域從汲極至源極的電流。此調變或控制使得MESFET可 提供放大與/或切換之功能。 眾人已長期熟知，在大信號應用中所用的FET之動態效能中， 即時的源極-汲極電壓使得較高值偏移至較小值，且相關的即時汲 極-源極電流也在反方向發生偏移。一般而言，必須對最大的可容 許汲極-源極電壓加以限制，以便不超過電晶體的崩潰電壓。崩潰 電壓係由電晶體的結構參數所決定，包括諸如閘電極與汲極電極 1293510 間間距之類的因素。其他的此類參數包括基板材料本身（如鍺、矽、 砷化鎵、鑽石及類似物）的崩潰場，結構不同部分的摻雜程度、摻 雜部分的尺寸及閘電極與接合材料的具體形狀等。材料的崩潰場 與帶隙有關’這代表帶隙大於GaAs帶隙的材料將有助於實現具 有較高崩潰電壓的電晶體。但是，崩潰電壓只是製造供微波與切 換應用的電晶體之重要參數之一，因為前述裝置的運作速度與可 由既定尺寸裝置來切換的電流量同樣重要，或可能更為重要。 製造GaAs MESFET的已知方法已在Geissberger等人的GaAs 微波功率場效電晶體及MMIC新耐火自動對準閘技術中揭示，其 發表於IEEE電子裝置會刊（1988年5月，第35卷，第5號）中。 如其所揭示，閘電極覆蓋通道，並形成與源極及汲極不對稱的肖 特基（Schottky)接合。為了減少與源極-汲極電流方向橫向閘的電 阻，將鈦金(Ti/Au)覆蓋置於閘電極上方。Ti/Au材料較閘電極材 料的導電性更好，且其橫向尺寸更大，因此其電阻較閘電極的電 阻要小甚多。 改善高性能GaAs MESFET的功率容量之一種方法（可歸於夾 止附近燃盡）包括GaAs通道區域内的槽或凹陷内閘電極的凹陷， 但是此方法在即時開放通道的情況下對於崩潰的影響甚微。已發 現藉由延伸閘電極兩側的槽或凹陷的範圍可改善開放通道燃盡。 凹閘對於增加GaAs MESFET的功率處理能力很有效，但比最低 成本所需的製造程序更為複雜。 1996年10月15日以Miller等人的名義取得的美國第 5,565,696號專利案說明了另一種改善平面GaAs MESFET功率容 量的方法，其未利用凹陷閘結構。如Miller等人所說明，前述電 晶體包括包圍n+汲極電極的離子植入η型防護區域，以減少没極 -基板或汲極-基板接面崩潰的可能性。前述電晶體還包括超大導 電板，其覆蓋了形成Shottky接合的閘電極部分，用以減少閘的 1293510 電阻以驅動信號。 1999年12月21日以Griffin等人的名義取得的美國第 6,005,267號專利案揭示了另一種方法。如⑸胞所說明，已知 增加閘電極與沒極之間的間隙可增加平面GaAs MESFET的閘電 極-汲極崩潰電壓。儘管其能有效地增加崩潰電壓，但額外的通道 長度（源極·汲極方向）會將額外的電阻引入源極-汲極通道内，而前 述額外的電阻又會限制0NW態或最大電流。因此，電流容量的 減少會減輕增加的崩潰電壓所允許的功率容量之增加。Griffin等 人解決此問題的方法係為··在閘極與汲極間一位置處的通道上增 加一額外絕緣電極，並將欲放大或切換的信號之樣本加至前述額 外電極，以調變ON狀態的電阻，從而至少部分地克服通道電阻 的影響。使用功率分割器及阻抗變壓器可產生施加於額外電極上 的信號樣本。 於1998年由IEEE發表，為Asano等人所有名為Novel高效 能AlGaAs/GaAs HFET(其場調整板在35V的汲極電壓下運作）的 論文說明了一凹陷閘金屬半導體場效電晶體，有一場板位於凹陷 内，與Griffin等人所說明者類似。 需要改善平面MESFET的功率處理能力。 【發明内容】 本發明揭示一種GaAs MESFET (砷化鎵金屬半導體場效電晶 體），其包括源極、閘極與汲極。前述電晶體包括定義平面表面的 基板，位於既定厚度之平面表面内的摻雜通道區域。前述通道區 域沿著汲極-源極導電方向延伸，並定義源極端與汲極端。導電閘 極導體定義上、下表面。閘極導體覆蓋通道區域之一部分，閘極 導體的下表面與通道區域接觸，從而形成了肖特基（Schottky)接 合。閘極導體的第一、第二邊緣沿著源極-汲極導電方向間隔分開。 依據本發明的一態樣，閘極導體的第二邊緣與通道區域的汲極端 1293510 間隔分開約1·8微米。源極與通道區域的源極端電耦合，而汲極 與通道區域的汲極端電麵合。源極與/或没極的導電電極可與通道 直接連接，或者亦可藉由中間半導體區域連接。依據本發明的另 一態樣’導電場板與閘極導體的上表面機械性且電氣相連。場板 從閘極導體的第二邊緣朝通道區域的第二端延伸約1.3微米，並 與閘極導體區域以外的區域内之通道區域電絕緣。厚度約為 100nm、介電常數(γ〇約為5的絕緣物質提供了電氣絕緣。在一具 體實施例中，絕緣物質包括氮氧化矽（SiON)。在另一具體實施例 中，源極與汲極中的至少一個包括η型摻雜半導體區域。在另一 更具體的具體實施例中，η型摻雜半導體區域摻雜了約1〇ι8施體 /cc。在本發明的另一態樣中，源極與汲極中的至少一個進一步包 括内部半導體區域。 本發明尤為有利的目的化為第一、第二、第三FET元件並聯， 且第 % 一 FET具有共同沒極結構，第二、第三fet元件具有 共同源極結構。 【實施方式】 第一圖係依據本發明的平面電晶體平面圖。在第一圖中，安裝 有 的曰日粒扣疋為10，區域12、14代表用於晶圓上微波測 試測量資料的接地平面。在區域12、14内，金屬礦化層2如、2仳、 20=代表源極導體，藉由符號4〇中所說明的導電路徑以平行方式 合。在第—圖中，沒極電極、接點或者接合墊都指定為22 甲^電極、連接或接合墊都指定為24。 定為第1 ^中的FET8具有四個平行的單_ FET元件，其分別指 二^ —、2、3、4。接下來將結合第三圖，更詳細說明此等單一 FET 7L 件。 ^ w’汲極接合墊22藉由金屬礦化層22a與22b與FET 、及極區域相連。閘極接合塾24藉由金屬礦化層32及通常指 8 1293510 定為34的串聯金屬礦化層與一對功率分割器或分離器42a、42b 相連接。如本技藝中所知，金屬礦化層34可包括更寬與更窄的 部分，用作阻抗轉換之目的。功率分割器或分離器42&從金屬礦 化層34中接收欲放大的信號，並分別藉由導體44a、44b施加相 等的功率或電壓至各個相關閘極導體51、52上。同樣地，功率 分割器或分離器42b從金屬礦化層34中接收欲放大的信號，並 分別藉由導體44c、44d施加功率或電壓至各個相關閘極導體53、 54上。 因此，可看到，第一圖中所說明的每一個閘極導體51、52、 53、54都在一側具有源極區域，而在另一側則具有没極區域。更 詳細言之，FET元件1具有閘極導體51，在閘極導體左側為源極 導體20a，在閘極導體右側為汲極電極22a^FET元件2具有閘極 導體52，在閘極導體左側為相同没極電極22a，而在閘極導體右 側則為源極導體20c。同樣地，FET元件3具有閘極導體53，在 閘極導體左側為源極導體20c，而在閘極導體右側則為汲極電極 22b。FET元件4具有閘極導體54，在閘極導體左側為汲極電極 22b，而在閘極導體右側則為源極導體20b。前述結構之配置方式 可有效地將四個閘極導體元件1、2、3、4平行，以產生總體或 組合的FET元件。 在FET中，電氣傳導係從汲極到源極，前述導電方向與閘極 導體51、52、53、54延伸的方向橫向。 第二圖為第一圖結構之一部分在導體44a相鄰的閘極導體51 末端的簡化平面圖。在第一圖中’場板240平行延伸至並越過閘 極導體51。饋電導體44a與閘極51及場板24〇接觸。區域2〇a 是源極導體的一部分，區域210為下部互連金屬，區域212為合 金欧姆接觸金屬，區域214為N+GaAs，區域216為通道摻雜GaAs， 區域218為η-型防護環，區域220為N+GaAs，區域222為下部 129351° 彡速金屬，而區域224為合金歐姆接觸金屬。區域22a代表汲極 電極f部分。 第彡圖係沿第二圖結構線3-3的斷面圖。第三圖中說明的部分 結構包括FET元件1的全部，第-圖中FET元件2的-部分。儘 管第彡圖結構通常指定為310的上表面看起來不規則，但實際的 表面#常平滑並基本上係平面的。在第三圖中，GaAs基板310 具有摻雜次通道區域316及在次通道區域316内的摻雜通道區域 351。通道區域351從位於第三圖左部的源極端351s延伸至右部 的浓極端通日疋為302的汲極包括n+摻雜部314及η， 防護部360，其與通道351汲極端351d相鄰。金鍺(Au/Ge)汲極 材料311覆蓋汲極302的至少一部分n+區域314。汲極金屬礦化 層或者導體22a覆蓋，並與汲極3〇2的金鍺區域311的至少一部 分接觸。本發明一具體實施例中，層311與層314的總體厚度為 300奈米（nm)。第三圖中FET元件i的源極通常指定為3〇1，其 包括n+摻雜部312，及一上金鍺（Au/Ge#p 313。金(Au)導體2〇a 覆蓋並與源極301的層313導電接觸。 在弟0中閘極導體51覆蓋通道351之一部分，其較低表 面511盘丰暮辨 7 體351接觸而形成肖特基接合。閘極導體51不對稱 極3〇T通^^^域340上，其中閘極導體51較汲極302更靠近源 之一部介電絕緣材料318覆蓋源極n+材料312 於閘極^極其與閘極電極51距離最近，絕緣材料318亦覆蓋位 閘極電極i/1與金鍺層313之間的通道351之一部分，以此將 表面I 1與源極301絕緣。導電場板240與閘極導體51的上 面5,機械且電氣接觸。 在第三圖的丄 圖中。如第—β巧面圖中’閘極導體51與通道351的長邊延伸入 極、琢極♦、义圖中所說明的，通道的「長度」平行延伸至沒 兒机方向，其中電流平行於指定為「L1」與「L2」的箭 1293510 頭方向。 第二圖中導電的場板240沿著源極_汲極的電流方向延伸至 右邊超出閘極導體51的邊緣51d，其距離没極302最近，亦延伸 至左邊超出閘極導體51的邊緣51S，閘極導體與源極20a相鄰或 最接近。閘極導體51不支撐場板24〇的部分，前述部分覆蓋厚 度被指定為「d」的的介電層318且由該介電層支撐，介電層318 本身係藉由通道351及Au/Ge金鍺層311由源極301 n+層312的 部分支撐。 第二圖中已說明第一圖中晶片10部分的整個上表面，其覆蓋 有一保護性塗層或介電材料(如氮化矽，以…層35〇。 在第三圖中，FET元件1位於另一 FET元件2的左側。由於 FET兀件1的沒極302與FET元件2緊密相鄰，總體結構的尺寸 藉由使用用於FET元件1與元件2之汲極同樣的結構元件而減少。 因此，第三圖中可見FET元件2的部分，其包括基板310的延續、 n+掺雜部314、Au/Ge層311及閘極金屬礦化層22a JET晶片的 鏡像佈局整體上使各沒極結構可用作兩個分開的或不同、但又相 鄰的FET元件，從而「雙重」使用每個汲極結構以最小化一對場 效電晶體元件的體積，如第一圖中的FET元件1、2。同樣地，與 源極導體20c相關聯，位於閘極導體52、53之間的源極結構允許 為一對相鄰的FET元件，如FET元件2、3而「雙重」使用源極 結構， 依據本發明的一態樣，第一圖的平面電晶體每單位體積的功率 可進一步改善或傾向於最大化，其藉由··使場板24〇伸出部分朝 向沒極302尺寸，在第三圖中指定為L2，約1.3微米；使閘極導 體51的邊緣51d間距距離汲極302最近，第三圖中尺寸指定為 L1，約為1.8微米；及使siON層340的厚度d等於lOOnm aSiON 的介電常數為無因次數〜5。當然，視替代SiON的材料之介電 π 1293510 常數的不同，介電材料層340的厚度可自前述尺寸增加或減少。 第四圖為施加於第一圖、第二圖、第三圖所說明的複數元件 FET的較佳具體實施例的源極與沒極之間的電壓產生的沒極電 流’所施加的閘極_源極電壓為_4伏特。第四圖所示的係在約3〇 至35伏特電流中的突然崩潰，視可接受的洩漏電流為何，此等 兩個值都可當作崩潰電壓。前述電壓高於傳統平面

GaAs MESFET 的電壓。 第五圖為3 GHz時候的功率輸出（dBm)，與較佳具體實施例 的沒極-源極電壓(VDS)成函數關係。此較佳具體實施例具有約 〇·625平方毫米的作用表面區域。此頻率的增益為12 dB，VDS 為2〇v，輸出功率為+3〇 dBm，對應於i瓦特。在前述功率位準 下’電晶體將在作用表面區域每平方毫米上產生約1.6瓦特「其 高於藉由傳統平面MESFET所獲得的值。 第六圖為本發明一較佳具體實施例3 GHz下以百分比（％)表示 的功率附加效能（p0Wer_added efficiency，PAE)。第六圖中，20伏 特VDS時的功率附加效能為58%，即使為20伏特，其依然具有 1·6 watts/mm的功率密度，每第五圖。 第七圖所示的係與第五圖類似的輸出功率圖，但是為1〇 GHz， 而不是3 GHz。1〇 GHz時的增益為5 dB，VDS=20V，輸出功率 為 28·6 dBm，對應於 1·15 w/mm。 第八圖所示的係功率附加效能，與第六圖類似，但是在10GHz 測量，而不是3 GHz。如圖所示，PAE的範圍在35%至40%之間。 A悉本技術人士很清楚本發明的其他具體實施例。例如，雖然 在複數FET中說明了四個fet元件，但亦可使用多於或少於四個。 儘管已說明源極與汲極金屬礦化或導電部分20、22的分別藉由 中間摻雜區域（如312與/或314區域）與通道351連接，但源極與 /或沒極可直接與通道351端導電連接，而無需摻雜或未摻雜之中 12 1293510 間半導體材料。通道的厚度與摻雜位準會發生變化。 因此，依據本發明的一態樣，GaAsMESFET(lO)包括源極 (301) 、閘極（51、351)、汲極（302)。電晶體（1〇)包括：半絕緣砷化 鎵基板（310)，定義一平面表面（3〇1);及通道區域(351)，在平面 表面（301)内以4X 1〇17施體/cc的摻雜率使得厚度約為15〇 nm。 通道區域（351)沿耆源極及極導電方向（箭頭li、L2)延伸，並定 義源極(351s)與没極（351d)端。導電閘極導體（51)定義上（51U)、 下（511)表面。閘極導體（51)覆蓋通道區域(351)之一部分，閘極導 體（51)的下（511)表面與通道區域(351)接觸，從而形成肖特基 (Schottky)接合。閘極導體（51)具有沿著汲極_源極導電方向隔開的 第一（513)、第二(51(1)邊緣，其中閘極導體(51)11的第一（513)、第 二（51d)邊緣與通道區域(351)的源極(351s)與汲極(351d)端分別接 近。閘極導體（51)的第二邊緣(5id)與通道區域(351)的汲極端（35Id) 隔開1·8微米。源極或源極電極（301)與通道區域(351)源極端（351s) 電氣耦合，汲極或汲極電極（3〇2)與通道區域（35丨）的汲極端（351d) 電耗合。源極(301)與/或没極(3〇2)的導電電極(2〇a、22a)可與通道 (351)直接連接，或者亦可藉由中間半導體區域(312、314、36〇) 連接。導電場板(240)與閘極導體（51)的上表面（51u)機械且電氣連 接。場板(240)從閘極導體（51)的第二邊緣（51句朝通道區域(351) 的第二端（351d)延伸約ι·3微米，並藉由介電質318與閘極導體（51) 以外的區域之通道區域(351)電絕緣。一厚度約為1〇〇nm、介電常 數（7 R)約為5的絕緣物質提供了電氣絕緣。在一特定具體實施例 中，絕緣物質包括氮氧化矽（si〇N)。在另一具體實施例中，至少 一個源極(301)與汲極(302)包括一 n型摻雜半導體區域(312、314)。 在另一更特定的具體實施例中，η型摻雜型半導體區域摻雜了約 1018施體/cc。在本發明的另一態樣中，至少一個源極（3〇1)與汲極 (302) 進一步包括内部半導體區域(36〇)。 13 1293510 本發明尤為有利的目的係一複數電晶體（10)，使第一（1)、第二 (2)、第三（3) FET元件並聯，第一（1)、第二(2) FET元件使用共 同的汲極（302)結構，第二(2)與第三（3)FET元件使用共同的源極 (20c)結構。 1293510 【圖式簡單說明】 ^圖係依據本發明的GaAs場板MESFET的簡化平面圖； 第二圖係第一圖部份結構的簡化平面圖； 第三圖係第二圖結構沿線3_3的斷面圖； 第四圖係第一圖結構的汲極_源極電壓圖，說明發生崩潰的膝 部； ' 第五圖係第一圖FET的3 GHz的輸出功率圖，作為汲極-源 極電壓函數； 第六圖係3 GHz時的效能，作為汲極-源極電壓函數，因此 在第一圖的電晶體中，功率從直流轉變為微波； 第七圖係第一圖FET的10 GHz的輸出功率圖，作為汲極_源 極電壓函數；及 弟八圖係10 GHz時的效能，作為沒極-源極電壓函數，因此在 第一圖的電晶體中，功率從直流轉變為微波。 [主要元件符號對照說明] 1、2、3、4."FET 元件 1〇…晶片 12、14…區域 20a···導電電極 20b…源極導體 20c···源極導體 22…閘極 22a···導電電極 22b…沒極電極 24…閘極接合墊 32、34…金屬礦化層 42a、42b…功率分割器（分離器） 15 1293510 44a、44b、44c、44d···導體 51、52、53、54···閘極導體

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Claims (1)

1293510 拾、申請專利範圍： 曰心屬半‘體％效電晶體，具有源極、閘極與祕結構，前述電 晶體包括： 定義一平面表面之基板； L雜通逼區域，錄前述平面表面巾，前麵道區麟沿著源極_ 汲極導電方挺長，且絲_端蚊極端； 導電閘極導體，定義上、下表面，前述閘極導體覆蓋前述通道區域 的^刀’則述閘極導體的第一、第二邊緣在前述源極-没極導電方向 隔開，其中前述閘極導體的第-、第二邊緣分別靠近前述通道區域的源 極端與祕端，誠’導體_二絲倾前述通道區域極端隔 開約1.8微米； 源極，係與前述通道區域的源極端電氣搞合； 汲極，係與前述通道區域的汲極端電氣耦合；及 導電場板，其與前述閘極導體的上表面連接，並從前述閘極導體的 第二邊緣朝前述通道區域的第二端延伸約1.3微米。 2·如申請專利範圍第1項之電晶體，其中一介電層係位於前述通道區域與 場板之間。 3·如申請專利範圍第2項之電晶體，其中前述介電層包括氮氧化石夕(si〇N) 介電質。 4·如申請專利範圍第1項之電晶體，其中前述摻雜通道區域包括η型摻雜 濃度約為4X 10Ε17/施體& ° 5·如申請專利範圍第1項之電晶體，其中前述通道區域的厚度約為15〇 17 1293510 6· 7· 8· 9· 10· 如申睛專利範圍第1項之電晶體，其中前述源極與没極中的至少一個包 括η型摻雜半導體區域。 如申睛專利範圍第6項之電晶體，其巾前述_摻雜半導體區域摻辦 ' 約為1018施體/cc。 如申请專利範圍第6項之電晶體，其中前述源極與沒極中的至少一個進 一步包括輕微摻雜及内部防護環半導體區域其中之一。 ‘ 如申请專利範圍第1項之電晶體，其中前述基板包括半絕緣GaAs基板。 一種複數金屬半導體場效電晶體，包括第_、第二及第三fet，前 述第-、第二及第三服元件中的每一個都包括定義在一平面基板上 · 的源極、閘極及錄電極，前述每—個電晶體元件包括： 摻雜通道區域，形成於前述平面表面内，其厚度為—既定厚度，前 述通道區域辟__祕導冑方_長，歧滅祕端； 導電閘極導體，定義上、下表面，前述閘極導體覆蓋前述通道區域 之-部分’前述閘極導體的第一、第二邊緣沿著前述源極_汲極導電方 向隔開，前述閘極導體的第二邊緣與前述通道區域的沒極端隔開約Μ 微米； 源極，係與前述通道區域的源極端電氣麵合； · 汲極，係與前述通道區域的汲極端電氣耦合； 導電場板，係與前述閘極導體的上表面機械且電氣連接，前述場板 從剷述閘極導體的第二邊緣朝前述通道區域的第二端延伸約13微米， ·- 其中： · 前述第一 FET元件的汲極與前述第二FET元件的汲極係共有；及 前述第二FET元件的源極與前述第三FET元件的源極係共有。 18 1293510 11·如申請專利範圍第10項之複數金屬半導體場效電晶體唭中前述基 板包括半絕緣GaAs基板。 12·如申請專利範圍第1〇項之複數金屬半導體場效電晶體唭中前述閘 極導體的第一、苐二邊緣分別靠近前述通道區域的源極端與没極端。 13·如申請專利範圍第1〇項之複數金屬半導體場效電晶體唭中一介電 層係位於則述通道區域與場板之間。 14.如申請專利範圍第13項之複數金屬半導體場效電晶體唭中前述介 電層包括氮氧化矽(Si〇N)介電質。 15·如申請專利範圍第1〇項之複數金屬半導體場效電晶體唭中前述捧 雜通道區域包括η型摻雜濃度約為4X 10E17/施體/cc。 16·如申請專利範圍第1〇項之複數金屬半導體場效電晶體，其中前述閑 極導體覆蓋前述通道區域的一部分。 17·種金屬半導體場效電晶體，具有源極、閘極及汲極結構，前述電 晶體包括： 定義一平面表面的基板； 摻雜通道區域，·歧平面表面巾，前親道區域係沿著源極_ 及極導電方向延長，並定義源極端與沒極端·， V電閘極導體，定義上、下表面，前述閘極導體的第一、第二邊緣 沿著前述源極-汲極導電方向隔開，前述閘極導體的第二邊緣與前述通 道區域的汲極端隔開約1.8微米； 源極，係與前述通道區域的源極端電氣輕合； 汲極，係與前述通道區域的汲極端電氣耦合； 導電场板’其與前·極導體的上表面機似電氣連接，並從前述 間極v體的第一邊緣朝前述通道區域的第二端延伸約13微米。 19 1293510 柒、指定代表圈： (一） 本案指定代表圖為：第（一）圖。 (二) 本代表圖之元件代表符號簡單說明： 卜 2、3、4."FET 元件 10…晶片 12、14…區域 20a…導電電極 20b…源極導體 20c…源極導體 22…閘極 22a···導電電極 22b…汲極電極 24…閘極接合墊 32、34…金屬礦化層 42a、42b…功率分割器(分離器） 44a、44b、44c、44d…導體 51、52、53、54…閘極導體 捌、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學式： 無