TWI293509B - Resistance variable memory device and method of fabrication - Google Patents
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- TWI293509B TWI293509B TW094124377A TW94124377A TWI293509B TW I293509 B TWI293509 B TW I293509B TW 094124377 A TW094124377 A TW 094124377A TW 94124377 A TW94124377 A TW 94124377A TW I293509 B TWI293509 B TW I293509B
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 3
- 239000005387 chalcogenide glass Substances 0.000 claims abstract description 135
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 65
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 81
- -1 tin chalcogenide Chemical class 0.000 claims description 80
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 57
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 54
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 49
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 49
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 43
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 41
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 41
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 33
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 32
- 239000011669 selenium Substances 0.000 claims description 18
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 14
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 13
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 9
- MFIWAIVSOUGHLI-UHFFFAOYSA-N selenium;tin Chemical compound [Sn]=[Se] MFIWAIVSOUGHLI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- AFNRRBXCCXDRPS-UHFFFAOYSA-N tin(ii) sulfide Chemical compound [Sn]=S AFNRRBXCCXDRPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 150000004770 chalcogenides Chemical class 0.000 claims description 6
- XSOKHXFFCGXDJZ-UHFFFAOYSA-N telluride(2-) Chemical compound [Te-2] XSOKHXFFCGXDJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 4
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 4
- OMEPJWROJCQMMU-UHFFFAOYSA-N selanylidenebismuth;selenium Chemical compound [Se].[Bi]=[Se].[Bi]=[Se] OMEPJWROJCQMMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000004575 stone Substances 0.000 claims description 2
- BCTHFFLRHBNYHU-UHFFFAOYSA-N strontium;selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Sr+2] BCTHFFLRHBNYHU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N Deuterium Chemical compound [2H] YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N 0.000 claims 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052805 deuterium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 abstract 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 abstract 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 214
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 12
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 10
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 4
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- KDSXXMBJKHQCAA-UHFFFAOYSA-N disilver;selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Ag+].[Ag+] KDSXXMBJKHQCAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- CNQCVBJFEGMYDW-UHFFFAOYSA-N lawrencium atom Chemical compound [Lr] CNQCVBJFEGMYDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000005864 Sulphur Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- ORQBXQOJMQIAOY-UHFFFAOYSA-N nobelium Chemical compound [No] ORQBXQOJMQIAOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 150000003378 silver Chemical class 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 2
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 2
- WYUZTTNXJUJWQQ-UHFFFAOYSA-N tin telluride Chemical compound [Te]=[Sn] WYUZTTNXJUJWQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YRXWPCFZBSHSAU-UHFFFAOYSA-N [Ag].[Ag].[Te] Chemical compound [Ag].[Ag].[Te] YRXWPCFZBSHSAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RGKSCFKZOUGILU-UHFFFAOYSA-N [Bi](=S)=S Chemical compound [Bi](=S)=S RGKSCFKZOUGILU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052946 acanthite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052798 chalcogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001787 chalcogens Chemical class 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000010549 co-Evaporation Methods 0.000 description 1
- 210000001787 dendrite Anatomy 0.000 description 1
- 210000003298 dental enamel Anatomy 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- QUZPNFFHZPRKJD-UHFFFAOYSA-N germane Chemical compound [GeH4] QUZPNFFHZPRKJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052986 germanium hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 231100001231 less toxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052699 polonium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000004064 recycling Methods 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUARKZBEFFVFRG-UHFFFAOYSA-N silver sulfide Chemical compound [S-2].[Ag+].[Ag+] XUARKZBEFFVFRG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940056910 silver sulfide Drugs 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 210000002784 stomach Anatomy 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZEGFMFQPWDMMEP-UHFFFAOYSA-N strontium;sulfide Chemical compound [S-2].[Sr+2] ZEGFMFQPWDMMEP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000010408 sweeping Methods 0.000 description 1
- DDJAGKOCVFYQOV-UHFFFAOYSA-N tellanylideneantimony Chemical compound [Te]=[Sb] DDJAGKOCVFYQOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GZCWPZJOEIAXRU-UHFFFAOYSA-N tin zinc Chemical compound [Zn].[Sn] GZCWPZJOEIAXRU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/20—Multistable switching devices, e.g. memristors
- H10N70/24—Multistable switching devices, e.g. memristors based on migration or redistribution of ionic species, e.g. anions, vacancies
- H10N70/245—Multistable switching devices, e.g. memristors based on migration or redistribution of ionic species, e.g. anions, vacancies the species being metal cations, e.g. programmable metallization cells
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
- G11C13/0002—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements
- G11C13/0009—RRAM elements whose operation depends upon chemical change
- G11C13/0011—RRAM elements whose operation depends upon chemical change comprising conductive bridging RAM [CBRAM] or programming metallization cells [PMCs]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/011—Manufacture or treatment of multistable switching devices
- H10N70/061—Shaping switching materials
- H10N70/063—Shaping switching materials by etching of pre-deposited switching material layers, e.g. lithography
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/821—Device geometry
- H10N70/826—Device geometry adapted for essentially vertical current flow, e.g. sandwich or pillar type devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/881—Switching materials
- H10N70/882—Compounds of sulfur, selenium or tellurium, e.g. chalcogenides
- H10N70/8825—Selenides, e.g. GeSe
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- Y10S438/90—Bulk effect device making
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- Inorganic Insulating Materials (AREA)
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Description
1293509 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明關於利用電阻可變材料形成的隨機存取記憶體 (RAM)元件的領域。 【先前技術】 電阻可變之記憶體元件包含可程式導電隨機存取記憶體 (PCRAM)元件，經過研究適合充當半揮發性與非揮發性隨 機存取記憶體元件。典型的PCRAM元件揭示於Moore與 Gilton所提申的美國專利案第6,348,365號之中。 於一典型的PCRAM元件中，會於一硫族化合物玻璃中 併入一導體材料，如銀。該硫族化合物玻璃的電阻可被程 式化至穩定的高電阻狀態與低電阻狀態。一未經程式化的 PCRAM元件通常係位於高電阻狀態中。寫入作業可藉由 跨越該硫族化合物玻璃施加一電壓電位且形成一導電路徑 而將該PCRAM元件程式化至一低電阻狀態。接著，藉由 施加一強度低於程式化所需的電壓脈衝便可讀取該 PCRAM元件；接著，感測跨越該記憶體元件的電阻為高 電阻或低電阻以定義開啟（ON)狀態與關閉（OFF)狀態。 一 PCRAM元件經程式化的低電阻狀態可於移除該等電 壓電位之後一無限期保持不變，其範圍從數小時至數週， 不過，特定的再新作業（refreshing)可能相當實用。藉由施 加一強度約略和將該PCRAM元件寫至低電阻狀態相同的 反向電壓電位便可讓該元件返回其高電阻狀態。再次地， 一旦移除該電壓電位之後，可以半揮發性或非揮發性的方 O:\103\103506-960414.DOC 5 1293509 式來保持該局電阻狀態。依此方式，此元件便能夠充當一 具有至少兩種電阻狀態的電阻可變記憶體，其可定義兩種 個別的邏輯狀態’也就是，至少一位元資料。 其中 種示範PCRAM元件使用一硫石西錯（也就是，
GexSe1()()_x)玻璃作為基幹。先前技術中的硒化鍺玻璃含有 銀（Ag)及砸化銀（Ag2+/.xSe)。 本案發明人的先前努力係針對以一銀硫族化合物為材料 的PCRAM元件，作為一結合一銀金屬層與一硫族化合物 玻璃層的硒化銀層或硫化銀層。雖然，先前技術記憶體元 件的銀硫族化合物材料適合幫助經由銀離子移入的硫族化 合物玻璃層來構成一導電通道，不過，本發明可能希望使 用非銀型的硫族化合物材料，因為使用銀有特定的缺點。 舉例來說，使用含銀化合物/合金（例如Ag2se)可能會於 PCRAM元件層疊中導致黏聚，而且銀硫族化合物型元件 亦不能耐受很高的處理溫度，如接近或高於26(rc。相較 於銀，GexSe1()()_x中的錫（Sn)具有低熱移動率，而且錫硫族 化合物的毒性低於銀硫族化合物。 已經有人研究在跨越該膜施加一電壓電位時使用硒化錫 (tin selenide)薄膜作為切換元件。吾人發現，當藉由形成 一富錫材料（如樹模石（dendrite))施加5-15 V電位時，一 580 A的SiiSe膜會呈現出高電阻狀態（以百萬歐姆來量測）與低 電阻狀態（以千歐姆來量測）間的非揮發性切換作用。另 外’吾人發現，於一 GexSe1GG-x玻璃（其為一種硫族化合物 玻璃）中加入Sn，倘若跨越該硫族化合物玻璃施加一足夠 ΟΛ103\103506-960414.DOC 5 !2935〇9 门的電位（如>40 v)的話，便可產生記憶體切換作用。不 ^此等切換電位過高，不適用於記憶體元件。 【發明内容】 本發明提供一種電阻可變之記憶體元件以及一種形成電 阻可變之記憶體元件的方法。 於其中一示範具體實施例中，本發明提供一種具有堆疊 的纪憶體元件，其於第一硫族化合物玻璃層近端具有至少 層錫硫族化合物（如Sni+/ xSe，其中χ約介於丨與〇之間）。 X層堆噎（其包括一第一硫族化合物玻璃層與一錫硫族化 合物層）係形成於兩層導體層或兩個電極之間。於本發明 的其匕不範具體實施例中，雷同的記憶體元件堆疊可能含 有一層以上的硫族化合物玻璃層以及一選配的金屬層。本 發明提供具改良的溫度耐受性的PCRAM結構以及形成此 等元件的方法。 從下文詳細說明中，配合附圖，可更瞭解本發明的上述 與其它特點與優點。 【實施方式】 於下文詳細說明中，將參考本發明的各項特定具體實施 例。該些具體實施例將詳細說明以讓熟習本技術的人士可 據以實行本發明。應該瞭解的係，亦可運用其它具體實施 例，並且進行各種結構、邏輯、以及電氣變更，而未脫離 本發明的精神或範疇。 下文說明中所使用的「基板」一詞可能包含任何支撐結 構，其包含，但不限於，具有一裸露基板表面的半導體基 O:\103\103506-960414.DOC 5 1293509 板。應該瞭解的係，一半導體基板包含絕緣體上矽 (SOI)、藍寶石上矽（sos)、摻雜與未摻雜的半導體、受一 基底半導體基座支撐的磊晶矽層、以及其它半導體結構。 Μ下文說明中提及半導體基板或晶圓時，可運用先前的製 私步驟於該基底半導體或基座之中或之上形成各種區域或 接面。該基板並不必為半導體型，更碟切地說，可為適於 支撐一積體電路的任何支撐結構，其包含，但不限於，金 屬、合金、玻璃、聚合物'陶瓷、以及本技術中熟知的任 何其它支撐性材料。 本案中，希望「銀」一詞包含，但不僅限於元素銀，還 包含半導體業界熟知之具其它線路金屬的銀或是和其它金 屬構成各種合金組合，只要此銀合金具導電性且只要銀的 物性與電性維持不變即可。 本案中，希望「錫」一詞包含，但不僅限於元素錫，還 包含半導體業界熟知之具其它線路金屬的錫或是和其它金 屬構成各種合金組合，只要此錫合金具導電性且只要錫的 物性與電性維持不變即可。 本案中，希望「錫硫族化合物」一詞包含由錫與硫族 (例如硫（S)、硒（Se)、碲（Te)、釙（ρ〇)、以及氧（〇))所組成 的各種合金、化合物、以及混合物，其包含略超量或略不 足量錫的特定物料。舉例來說，通用化學式Snl+/xse可能 代表砸化錫’其為錫硫族化合物的其中一種物料。雖然不 雙限於Sn與Se間的特殊化學計量，不過，本發明的元件通 系包括Sn1+/_xSe，其中X範圍約介於1與〇之間。 Λι〇3\ΐ〇35〇6.96〇414 D〇c 5 1293509 本案希望「硫族化合物玻璃」一詞包含源自週期表中 VIA族（或族16)中的至少一種元素。VIA族元素（如〇、s、 Se、Te、以及Po)亦稱為硫族。 現在將參考圖式來解釋本發明，該等圖式圖解示範具體 實施例’而且所有圖式中相同的元件符號表示相同的元 件。圖1為根據本發明所建構的記憶體元件1〇〇的示範具體 實施例。圖1中所示的元件1〇〇受撐於一基板1〇。於基板1〇 之上有一條導電位址線路12，不過未必直接設置於該基板 之上，該條線路係充當圖中所示之元件1〇〇的一條互連線 路’基板10之上還有一部份記憶體陣列（圖中的元件1〇〇為 其一部份）的複數個其它雷同元件。於基板1〇與位址線路 12間可納入一選配的絕緣層（圖中未顯示），倘若基板1〇係 半導體型的話’此可能係較佳作法。該導電的位址線路i 2 可為本技術中熟知之適合提供互連線路的任何材料、例如 摻雜多晶矽 '銀（Ag)、金（Au1)、銅（Cu)、鎢（W)、鎳（Ni)、 鋁（A1)、鉑（Pt)、鈦（Ti)、以及其它材料。位址線路12之上 為苐一電極16 ’其係被定義在同樣位於位址線路12之上 的絕緣層14之内。此電極16可為不會遷徙至硫族化合物玻 璃之中的任何導電材料，不過，較佳的係，鎢（w)。該絕 緣層14應該不允許銀離子遷徙，而且可為一絕緣的氮化物 (如氮化石夕（SisN4))、低介電常數的材料、絕緣玻璃、絕緣 聚合物，不過，並不僅限於上面此等材料。 於第一電極16之上會形成一記憶體元件，也就是，用來 儲存資訊的記憶體元件100的部份。於圖1中所示的具體實 O:\103\103506-960414.DOC 5 1293509 施例中，於第一電極16之上會提供一層硫族化合物玻璃 18，較佳的係硒化鍺（GexSeiQG_x)。該硒化鍺的化學計量範 圍車乂仏的係介於約至以43^57之間，最佳的係
Ge^Se^。該層硫族化合物玻璃18的厚度較佳的係介於約 1〇〇 A與1〇〇〇 a之間，最佳的係300 a。層18未必係單一層 玻璃，亦可能係由具相同或不同化學計量的多層硫族化合 物玻璃子層所構成。此層硫族化合物玻璃18會電接觸下方 的電極16。 硫族化合物玻璃層18之上為一層錫硫族化合物2〇，較佳 的係硒化錫（Sn1+/_xSe，其中X介於約1與〇之間）。此處亦可 以其它的硫族化合物材料來取代硒，例如硫、氧、或是 碲。該錫硫族化合物層20的厚度較佳的係約5〇〇 A，不 過，其厚度會部份相依於下方硫族化合物玻璃層18的厚 度。錫硫族化合物層20的厚度與下方的硫族化合物玻璃層 18的厚度比應該介於約5:1與1:1之間，更佳的係25:1。 繼續參考圖1，於錫硫族化合物層2〇之上提供一金屬層 22，較佳的係銀（Ag)。此金屬層22的厚度應約為5〇〇人。 此銀（或其它金屬）層22有助於該記憶體元件的切換作業。 金屬層22之上係一第二電極24。該第二電極24可能係由和 第一電極16相同的材料所製成，不過未必如此。於圖 所示的示範具體實施例中，第二電極24較佳的係鎢（w)。 該（4 )元件可藉由一絕緣層26來隔離。 根據本發明具體實施例所建構的元件（尤其是在一硫族 化合物玻璃層（如層18)近端處具有一硒化錫層（如層2〇)者） O:\103\103506-960414.DOC 5 -10- 1293509 會表現改良的溫度耐受性。 根據圖1中所示之具體實施例，在一完成的記憶體元件 10 0中，該錫硫族化合物層2 0提供一砸化錫來源’其會在 構成該記憶體元件1〇〇之後的一調整步驟中被併入硫族化 合物玻璃層18之中。明確地說，該調整步驟包括跨越元件 100的記憶體元件結構施加一電位，俾使來自該錫硫族化 合物層20的砸化錫會被併入該硫族化合物玻璃層1 8之中， 從而經由該硫族化合物玻璃層18構成一導電通道。於後續 私式化期間移入或移出該導電通道的銀離子會構成條導 電路徑，其會造成跨越該記憶體元件100之可偵測的電阻 變化。 於PCRAM元件中，已利用銀硫族化合物（例如硒化銀）來 取代圖中的錫硫族化合物層20。當於硒化銀之上直接濺鍍 一層較厚的銀層時（作為電極或金屬層），本發明發現通常 會於銀-领化銀介面處發生銀黏聚。此黏聚可能會於一記 憶體元件的製造期間造成後續的處理問題。於此位置中使 用錫硫族化合物層20取代銀硫族化合物層可避免發生此銀 黏聚’而且在構成一導電通道方面具有和先前技術中之銀 硫族化合物相同的功效。 另外’於本具體實施例與其它具體實施例中使用錫硫族 化合物層（如層20)可為所生成的元件100提供改良的溫度穩 疋性。舉例來說，根據本發明納入一錫硫族化合物層的元 件旎夠耐受260°c的退火溫度5分鐘，此步驟為運用銀硫族 化合物層之PCRAM元件所無法耐受者。 O:\103\103506-960414.DOC 5 1293509 圖2為根據本發明所建構的記憶體元件1〇1的另一示範具 體只軛例。記憶體元件1〇1和圖i的記憶體元件ι〇〇具有許 多雷同處，而且具有相同元件符號的層較佳的係和圖1所 不的具體實施例為相同的材料且具有相同的厚度。元件 1〇〇與元件ιοί間的主要差異係於元件1〇1中添加一選配的 第一硫族化合物玻璃層18a以及一選配的第三硫族化合物 玻璃層18b。 忒選配的第二硫族化合物玻璃層18a係形成於該錫硫族 化合物層20之上，其較佳的係Ge^Sew，且厚度較佳約為 150 A。於此選配的第二硫族化合物玻璃層18a之上為一金 屬層22 ’其較佳的係銀（Ag)，且厚度較佳約為5〇〇 a。於 金屬層22之上為一選配的第三硫族化合物玻璃層18b，其 較佳的係Ge^Se^o ’且厚度較佳約為1〇〇 A。該選配的第三 硫族化合物玻璃層18b提供一黏著層以供後續電極構形之 用。如同圖1的層18,層18a與18b未必係單一層，亦可由 多重子層構成。此外，該等選配的第二與第三硫族化合物 玻璃層18a與18b可能係不同於第一硫族化合物玻璃層18或 互不相同的硫族化合物玻璃。其它的硫族化合物玻璃亦可 能適用於此用途，其包含但不限於，硫化鍺（GeS)，以及 鍺（Ge)、銀（Ag)、與石西（Se)的組合物。 於該選配的第三硫族化合物玻璃層18b之上係一第二電 極24，和上面先前具體實施例所討論般，其可為任何的導 電材料，會遷徙進入該堆疊中且改變記憶體作業者除外 (如Cu或Ag)。較佳的係，該第二電極24為鎢（W)。 O:\103\103506-960414.DOC 5 -12- 1293509 上面所討論的具體實施例均係本發明的示範具體實施 例’不過’亦可使用圖3-10中所示的其它示範具體實施 例。圖3為一示範具體實施例（各圖式間相同的元件符號代 表相同的元件），其中記憶體元件102並未納入和位址線路 12分離的第一電極16。該記憶體元件1〇2運用的係一組合 的位址線路與電極結構12/16，從而讓該元件的設計較為 簡單且可以少於圖id之具體實施例的步驟來製造。該位 址線路與電極結構12/16的材料可和第一電極16上面所討 論的材料相同。 圖4所示的係主要由第二電極24之位置來定義的記憶體 元件103。該記憶體元件的下層（也就是，硫族化合物玻璃 層18、錫硫族化合物層2〇、以及金屬層22)係形成於一組 合式位址線路與電極結構12/16以及基板10之上的毯覆 層。或者，和圖1所示之記憶體元件1〇〇相同者，亦可使用 一和下方位址線路12分離的第一電極16。第二電極24的位 置會疋義調整步驟中該導電通道構形的位置以及記憶體元 件103作業期間該導通路徑的位置，因此，依此方式，該 第二電極24便定義該記憶體元件1 〇3的位置。 圖5所示的係一示範具體實施例（各圖式間相同的元件符 號代表相同的元件），其中該記憶體元件係製造於一位址 線路與電極結構12/16之上的絕緣層14中所形成的通道28 之中。該記憶體元件的該等層（也就是，硫族化合物玻璃 層18、錫硫族化合物層20、以及金屬層22)以及第二電極 24係保形沉積於·絕緣層14與基板1〇之上以及該位址線路與 O:\103\103506-960414.DOC 5 -13- 1293509 電極結構12/16上的通道28之内。層18、20、22、以及24 會被圖案化以於通道28之上定義一堆疊，其會被蝕刻以形 成完整的記憶體元件104。或者，亦可使用一和下方位址 線路12分離的第一電極16。於另一替代例中，亦可於形成 該硫族化合物玻璃層18之前先於通道28之中形成此分離電 極16 〇 圖6為根據本發明建構而成的記憶體元件ι〇5的另一示範 具體實施例。記憶體元件105和圖i的記憶體元件1〇〇具有 許多雷同處，而且具有相同元件符號的層較佳的係和圖1 所示的具體貝施例為相同的材料且具有相同的尺寸。元件 105係受基板1〇支撐且位於位址線路12之上。元件1〇5具有 一第一電極16、一位於該第一電極16之上的硫族化合物玻 璃層18、以及一位於該硫族化合物玻璃層18之上的錫硫族 化合物層20。於此示範具體實施例中，第二電極24係位於 錫硫族化合物層20之上且含有銀之類的金屬，其可用於將 該記憶胞從低導電性切換至高導電性（高電阻至低電阻）。 圖7為根據本發明建構而成的記憶體元件ι〇6的另一示範 具體實施例。記憶體元件1〇6和圖1的記憶體元件1〇〇以及 圖2的元件ιοί具有許多雷同處，而且具有相同元件符號的 層杈佳的係和圖1與2所示的具體實施例為相同的材料且具 有相同的尺寸。圖7的元件1〇6係受基板1〇支撐且位於位址 線路12之上。元件1〇6具有一第一電極16、一位於該第一 電極之上的硫族化合物玻璃層丨8、以及一位於該硫族化合 物玻璃層18之上的錫硫族化合物層2〇。於錫硫族化合物層 O:\103\103506-960414.DOC 5 1293509 20之上有一金屬層22，較佳的係銀。於該金屬層22之上有 一第二硫族化合物玻璃層18a，其可為和第一硫族化合物 玻璃層18相同的材料。於該第二硫族化合物玻璃層丨心之 上為一第二電極24。 圖8為根據本發明建構而成的記憶體元件丨〇7的另一示範 具體實施例。記憶體元件1〇7和圖1的記憶體元件1〇〇具有 許多雷同處’而且具有相同元件符號的層較佳的係和圖1 所示的具體實施例為相同的材料且具有相同的尺寸。圖8 的元件107係受基板1〇支撐且位於位址線路12之上。元件 107具有一第一電極16、一位於該第一電極之上的硫族化 合物玻璃層18、以及一位於該硫族化合物玻璃層18之上的 錫硫族化合物層20。於錫硫族化合物層2〇之上有一合金控 制層21，較佳的係硒（se)或氧化錫（Sn0)。該合金控制層21 的厚度介於約100 A與300 A之間，較佳的係約1〇〇 A。於 該合金控制層21之上有一金屬層22，較佳的係銀。於該金 屬層22之上有一第二電極24。增加一合金控制層21(在錫 硫族化合物層20的上方或下方）可改良一 PCRAM記憶胞的 電氣效能。 一 PCRAM堆疊中過多的錫可能會阻止該PCRAM記憶胞 發生切換。其至少部份係因為形成一 Ag/Sn合金的關係， 其會阻止Ag涉入切換之中。為避免形成過多的Sn(或Sn2+ 或Sn4+)於爾後損及元件效能，可利用兩個不同位置處（錫 硫族化合物層20的上方與下方）中之Se或SnO所製成的合金 控制層21來形成一 PCRAM堆疊。兩種情況均呈現良好的 O:\103\103506-9604RDOC 5 -15- 1293509 電氣切換效果。不過，最佳的切換效果係出現在下面元件 中：其錫硫族化合物層20係由較佳的SnSe所製成，且直接 接觸該硫族化合物玻璃層18，且該合金控制層21係位於錫 硫族化合物層20之上，如圖8所示。 咸信’於切換期間（當源自該較佳的錫硫族化合物層2〇 的Se進入硫族化合物玻璃層1 $結構中且產生一導電路徑 時）Sn(或Sn2+或Sn4+)被釋放時，源自該合金控制層21之過 多的Se或SnO會與此Sn產生反應且阻止其與Ag產生合金或 阻止其遷徙進入硫族化合物玻璃層18之中。 改良包含資料保留與可能的循環使用，還有減少關閉狀 態的讀取干擾。該讀取干擾為，當該元件被程式化為關閉 狀態之後，經過數次讀取之後便會有開啟的傾向。 圖9為根據本發明建構而成的記憶體元件1 〇8的另一示範 具體實施例。記憶體元件108和圖1的記憶體元件1 〇〇、圖2 的元件101、以及圖8的元件107具有許多雷同處，而且具 有相同元件符號的層較佳的係和圖1、2、以及8所示的具 體實施例為相同的材料且具有相同的尺寸。圖9的元件1 〇8 係受基板10支撐且位於位址線路12之上。元件1〇8具有一 第一電極16、一位於該第一電極之上的硫族化合物玻璃層 18、以及一位於該硫族化合物玻璃層18之上的錫硫族化合 物層20。於錫硫族化合物層20之上有一合金控制層21。於 該合金控制層21之上有一苐二硫族化合物玻璃層iga，其 材料可和第一硫族化合物玻璃層18相同。於該第二硫族化 合物玻璃層18a之上有一金屬層22，較佳的係銀。於該金 O:\103\103506-960414.DOC 5 -16- 1293509 屬層22之上有一第三硫族化合物玻璃層18b，其可為和前 面兩個硫族化合物玻璃層18與181)相同的材料。於該第三 硫族化合物玻璃層18b之上為一第二電極24。 圖10為根據本發明建構而成的記憶體元件109的另一示 範具體實施例。記憶體元件109和圖！的記憶體元件1〇〇、 圖2的元件1〇1、圖8的元件1〇7、以及圖9的元件1〇8具有許 夕田同處’而且具有相同元件符號的層較佳的係和圖1、 2、8以及9所示的具體實施例為相同的材料且具有相同的 尺寸。圖10的元件1 〇 9係受基板1 〇支撐且位於位址線路12 之上。元件1〇8具有一第一電極16以及一位於該第一電極 之上的硫族化合物玻璃層18。於硫族化合物玻璃層丨8之上 有一合金控制層21。於該合金控制層21之上有一錫硫族化 合物層20。於該錫硫族化合物層20之上有一第二硫族化合 物玻璃層18 a，其材料可和第一硫族化合物玻璃層1 $相 同。於該第二硫族化合物玻璃層18a之上有一金屬層22， 較佳的係銀。於該金屬層22之上有一第三硫族化合物玻璃 層18b，其可為和前面兩個硫族化合物玻璃層a與igb相同 的材料。於該第三硫族化合物玻璃層18b之上為一第二電 極24 〇 圖11 -14為於製造圖1所示之記憶體元件1 〇〇期間一晶圓 的剖面圖。雖然圖1卜14所示的處理步驟特別參考圖i的記 憶體元件100，不過，熟習本技術的人士閱讀本說明書之 後亦可利用此處討論的方法及技術來製造記憶體元件101-109 〇 O:\103\103506-960414.DOC 5 -17- 1293509 如圖11所示，提供一基板10。如上述，基板Η)可為半導 體型材料或本技術中熟知之作為支樓結構的其它材料。必 要時，可於基板10之上形成一選配的絕緣層（圖中未顯 示）；該選配的絕緣層可為氮化矽或本技術中使用的其它 絕緣材料。於基板10之上（必要時可於選配的絕緣層之 上），會藉由下面方式來形成一導電的位址線路12 ••沉積 一導電材料（例如摻雜多晶矽、鋁、鉑、銀、金、鎳，較 佳的係鎢）；利用微影蝕刻技術來圖案化一或多條導電線 路；以及蝕刻以定義該位址線路12。該導電材料可利用本 技術中熟知的任何技術來沉積，例如濺鍍法、化學氣相沉 積法、離子增強化學氣相沉積法、蒸發法、或是電鑛法^ 繼續參考圖11，於位址線路12之上會形成一絕緣層14。 此層14可為氮化石夕、低介電常數的材料、或是本技術中熟 知的其它絕緣體，只要不會讓銀離子遷徙即可，而且可利 用本技術中熟知的任何方法來沉積。於該絕緣層中會產生 一開口 14a(舉例來說’利用微影蝕刻技術與蝕刻技術），從 而露出下方位址線路12的一部份。於絕緣層14之上、開口 14a之内、以及位址線路12之上，會形成一導電材料，較 佳的係鎢（W)。接著便彳運用&學機械研磨步驟從該絕緣 層14之上移除該導電材料，留下位址線路12上的第一電極 16，並且平整化該晶圓。 圖12為圖11的晶圓在後續的處理階段中的剖面圖。用於 建構記憶體元件100(圖1}的一系列層會被毯覆沉積於該晶 圓之中。於第-電極16與絕緣層14之上會形成一硫族化$ O:\103\l 03506-960414.DOC 5 -18- 1293509 物玻璃層18,其較佳厚度約為3〇〇人。該硫族化合物玻璃 層18較佳的係。可利用任何適當的方法來達到沉 積此硫族化合物玻璃層18的目的，例如利用四氫化鍺 (GeH4)與二氫化硒（SeH2)氣體的蒸發技術或化學氣相沉積 法；不過，較佳的技術係從具有預期化學計量的硒化鍺目 標物中進行濺鍍，或是以適當的比例來共同濺鍍鍺與砸。 繼續參考圖12，於硫族化合物玻璃層18之上會形成一錫 硫族化合物層20。該錫硫族化合物層2〇較佳的係硒化錫 (Sni+/-xSe，X介於約1與〇之間物理氣相沉積、化學氣相 沉積、共同蒸發、歸、或是本技術中熟知的其它技術均 可用來沉積層20,其較佳厚度約5〇〇 A。同樣地，該層2〇 的厚度會部份依據層18的厚度來選擇，而且錫硫族化合物 層20的厚度與下方的硫族化合物玻璃層“的厚度比較佳的 係從約5:1至約1:1，更佳的係約2 5:1。應該注意的係，圖 11-14所描繪的處理步驟可調適以形成圖2_1〇中所示的元 件，所以，可於該錫硫族化合物層2〇的旁邊兩侧之上形成 一如元件107-109中所示的合金控制層21。 繼續參考圖12，於錫硫族化合物層2〇之上會形成一金屬 層22。該金屬層較佳的係銀（Ag)或至少含銀，其較佳厚度 約300 A。可利用本技術中熟知的任何技術來沉積金屬声 22。 胃 ★繼續參考圖12 ’於金屬層22之上會沉積一導電材料作為 第二電極24。同樣地，該導電材料可為適合作為導電電極 的任何材料，較佳的係鎢；不過，亦可使用其它材料，例 O:\103\103506-9604I4.DOC 5 -19- 1293509 如氮化鈇或。 現在參考圖13，於最上方的電極層24之上會沉積一光阻 層30，其會被遮罩且圖案化以定義記憶體元件1〇〇的該等 堆豐，該記憶體元件100為一記憶體陣列中複數個雷同記 憶體元件中其中一者。可以絕緣層14作為蝕刻制止層，利 用一蝕刻步驟來移除層18、20、22、以及24的一部份，留 下圖13所示的堆豐。接著，可移除光阻3〇，留下一實質完 整的記憶體元件100，如圖14所示。於元件1〇〇之上可形成 一絕緣層26，以達成圖！所示的結構。如本技術所知者， 於該隔離步驟後面可形成連接線，用以連接至該記憶體元 件100為其一部份的積體電路中的其它電路系統（舉例來 說，邏輯電路系統、感測放大器、…等）。 藉由施加一特定時間長度與強度的電壓脈衝將源自該錫 硫族化合物層20的材料併入該硫族化合物玻璃層丨8之中以 於該硫族化合物玻璃層1 8中形成一導電通道便可實行調整 步驟。該導電通道將於該記憶體元件1〇〇運作期間支援— 導電路徑。 上述具體實施例雖然僅形成根據本發明之少數電阻可變 之記憶體元件結構（如PCRAM)，其可為一記憶體陣列的一 部份；不過，必須瞭解的係，本發明亦涵蓋形成落在本發 明精神内的其它記憶體結構，其可製作成一記憶體陣列且 配合記憶體元件存取電路來運作。 圖15為一典型的處理器系統400，其包含一記憶體電路 448(如一 PCRAM元件），該記憶體電路運用的係根據本發 O:\103\l 03506.960414.DOC 5 -20- !293509 明製造而成的電阻可變之記憶體元件（如元件100-109)。一 處理器系統（如電腦系統）通常包括一中央處理單元 (CPU)444(如微處理器、數位信號處理器、或是其它可程 式數位邏輯元件），該中央處理單元會於一匯流排452上和 一輸入/輸出（I/O)元件446進行通信。記憶體電路448通常 會經由一記憶體控制器於匯流排452上和CPU 444進行通 信。 於電腦系統的情況中，該處理器系統可能包含週邊元件 (如軟碟機454以及光碟機（CD ROM)45 6)，其亦可於匯流排 452上與CPU 444進行通信。記憶體電路448較佳的係被建 構成一積體電路，其包含一或多個電阻可變之記憶體元 件，如元件100。必要時，記憶體電路448可於單一積體電 路中結合該處理器（如CPU 444)。 圖16a-17b為利用具有圖2所示之示範具體實施例之結構 的真實元件進行實驗所獲得的實驗結果關係圖。該等受測 元件具有一嫣質底部電極（如層16)、一位於該底部電極之 上300 A的第一 Ge4〇Se6〇層（如層18)、一位於該Ge4〇Se6〇層 之上500 A的SnSe層（如層20)、一位於該SnSe之上150 A的 第二Ge4〇Se6〇層（如層18a)、一位於該第二Ge4〇Se6〇層之上 500 A的銀（Ag)層（如層22)、一位於該銀層之上1〇〇 A的第 三GewSe6。層（如層18b)、以及一鎢質頂端電極（如層24)。 對該些元件進行該等實驗係利用電探針來操作每種元件來 實行。一第一探針會置放於頂端電極處（如層24)而一第二 探針會置放於底部電極處（如層16)。於該等兩根探針間會 O:\103\103506-960414.DOC 5 -21 - 1293509 ^加電位。相較於先前的PCRAM元件，該些受測元件表 見出改良的熱特徵。舉例來說，當處理包含在260°C溫度 處進打5分鐘退火時，該陣列於運算記憶體元件中表現出 至夕90 /。的產率。百分之九十的產率代表著總測量數中可 作用元件的百分率。每1〇〇個受測元件中，在室溫無退火 處、力有90個可作用的記憶體元件，經過260 °C退火之後， 100個中約有90個可運作。因此，統計上，退火之後可作 用的元件總數量沒有改變。 圖16a與16b所示的係該元件如何響應DC電壓掃描來作 切換。圖16a係一 Dc切換Ι-ν(電流對電壓）曲線，圖中顯示 出，於寫入電壓掃描期間，該等受測元件於約〇·2 v處從 低導電狀態切換至高導電狀態。圖16b係一 DC切換曲 線，圖中顯示出，於DC電壓掃描期間，該等元件會在 約-0.5 V且利用低於3微安培電流處被抹除，或是從高導電 狀態切換至低導電狀態。 圖17a關係圖係一連續波形元件響應電壓對時間曲線 圖，圖中顯示的係該等受測元件如何響應跨越該元件的連 續波形信號。於正電壓端上，該元件會被程式化至其低電 阻狀態且「遵循」該輸入信號。於負電壓端上，該元件會 「遵循」該輸入信號直到該元件抹除或被程式化至高電阻 狀態為止。圖17b的關係圖係關於跨越該記憶體元件的電 壓與該輸入電壓。如圖所示，本範例中，將該元件切換至 其導電狀態的「臨界電壓」約0.4 V，而將該元件切換至 其非導電狀態的「臨界電壓」約-0.3 V。 O:\103\103506-960414.DOC 5 -22- 1293509 上面說明與圖式僅應視為解釋可達成本發明之特點與優 點的不範具體實施例。在不脫離本發明的精神與範疇下可 對特定的處理條件與結㈣行修改與置換。據此，本發明 不應視為侷限於前面說明與圖示，而僅受限於隨附申請專 本案新主張且希望受美國專利特許證保護者如下 【圖式簡單說明】 元件具體實施例。 5己憶體元件期間的示 圖1 -10為根據本發明的示範記憶體 圖11-14為根據本發明在製造圖1的 範連續處理階段。 圖15為含有本發明之記憶體元件 干扪不乾處理器型系統。 圖16a、16b、17a、以及17b為根攄太旅 λα外 课本發明之記憶體元件 的示乾操作參數。 【主要元件符號說明】 10 基板 12 位址線路 14 絕緣層 14a 開口 16 電極 18 硫族化合物玻璃層 18a 硫族化合物玻璃層 18b 硫族化合物玻璃層 20 錫硫族化合物層 21 合金控制層 O:\103\103506-960414.DOC 5 -23-
1293509 22 金屬層 24 電極 26 絕緣層 28 通道 30 光阻層 400 處理器系統 100 記憶體元件 101 記憶體元件 102 記憶體元件 103 記憶體元件 104 記憶體元件 105 記憶體元件 106 記憶體元件 107 記憶體元件 108 記憶體元件 109 記憶體元件 444 中央處理單元 446 輸入/輸出（I/O)元件 448 記憶體電路 452 匯流排 454 軟碟機 456 光碟機 O:\103\103506-960414.DOC 5 -24-
Claims (1)
1293509 十、申請專利範圍： 1. 一種電阻可變之記憶體元件，包括： 一第一電極； 一第二電極； 一介於該第一電極與該第二電極間的硫族化合物玻璃 層；以及 一介於該硫族化合物玻璃層與該第二電極間的錫硫族 化合物層，該錫硫族化合物層包括硒化錫。 2*如請求項1之電阻可變之記憶體元件，其進一步包括一 介於該錫硫族化合物層與該第二電極之間的含金屬層。 3·如請求項2之電阻可變之記憶體元件，其進一步包括一 介於該含金屬層與該第二電極之間的第二硫族化合物玻 璃層。 4.如請求項2之電阻可變之記憶體元件，其中該含金屬層 包括銀。 5·如請求項1之電阻可變之記憶體元件，其中該第一電極 包括鎢。 6·如請求項1之電阻可變之記憶體元件，其中該第二電極 位於該錫硫族化合物層之上且包括銀。 7·如請求項1之電阻可變之記憶體元件，其中該硫族化合 物玻璃層包括砸化錯。 8·如請求項7之電阻可變之記憶體元件，其中該硒化鍺包 括 Ge4〇Se6〇。 9·如請求項1之電阻可變之記憶體元件，其中該第二電極 O:\103\103506-960414.DOC 6 1293509 包括鶴。 1 0.如請求項1之電阻可變之却情許 °己U體70件，其進一步包括一 合金控制層。 11·如請求項10之電阻可變之纪恃騁 °己u體7^件，其中該合金控制 層包括騎。 12·如請求項1〇之電阻可變情 KU體几件，其中該合金控制 層包括氧化錫。 13•如請求項1〇之電阻可變之記憶體元件，其中該合金控制 層係位於該錫硫族化合物層之上。 14.如請求項1之電阻可變之記憶體元件，其進一步包括： 一介於該錫硫族化合物層盘該塗_ 口奶曆/、邊弟一電極間的第二硫族 化合物玻璃層； 一介於該第二硫族化合物玻璃層與該第二 金屬層；以及 電極間的含 ;ι於忒έ金屬層與該第二電極間的第三硫族化合物 玻璃層。 15.如請求項14之電阻可變之記憶體元件，其中該硫族化合 物玻璃層、該第二硫族化合物玻璃層、以及該第三硫族 化合物玻璃層包括，且其中該含金屬層包括 銀0 16·如請求項15之電阻可變之記憶體元件，其中該第一電極 包括鎢且該第二電極包括鎢。 17.如请求項1之電阻可變之記憶體元件，其中該元件能夠 耐受約5分鐘的260°C退火，而且退火後可當作一記憶體 O:\103\l 03506-960414.DOC 6 1293509 元件來運作。 18.如請求項1之電阻可變之記憶體元件，其中該硫族化合 物玻璃層與該錫硫族化合物層均設置在一通道内。 19·如請求項1之電阻可變之記憶體元件，其中該第二電極 會於一基板上定義該記憶體元件的位置。 20·如請求項1之電阻可變之記憶體元件，其中該記憶體元 件係一可程式導電隨機存取記憶體（pCRAM )元件。 21·如請求項1之電阻可變之記憶體元件，其中該硫族化合 物玻璃層之中具有一導電通道。 22·如請求項1之電阻可變之記憶體元件，其中該導電通道 包括源自該錫硫族化合物層的材料。 23·如請求項1之電阻可變之記憶體元件，其中於該硫族化 合物玻璃層中形成一導電路徑會將該記憶體元件程式化 至一低電阻記憶體狀態。 24·如請求項23之電阻可變之記憶體元件，其中該導電路徑 包括錫與銀中至少其中一者。 25·如請求項14之電阻可變之記憶體元件，其進一步包括一 合金控制層。 26. 如請求項25之電阻可變之記憶體元件，其中該合金控制 層包括硒。 27. 如請求項25之電阻可變之記憶體元件，其中該合金控制 層包括氧化錫。 28·如請求項25之電阻可變之記憶體元件，其中該合金控制 層係位於該錫硫族化合物層之上。 O:\103\103506-960414.DOC 6 1293509 29·如請求項25之電阻可變之記憶體元件，其中該合金控制 層係位於該錫硫族化合物層之下。 3 0 · —種記憶體元件，包括： 一基板； 一位於該基板上的導電位址線路； 一位於該導電位址線路之上的第一電極； 一位於該第一電極之上的第一硫族化合物玻璃層； 一位於該第一硫族化合物玻璃層之上的錫硫族化合物 層； 一位於該錫硫族化合物層之上的第二硫族化合物玻璃 層； 一位於該第二硫族化合物玻璃層之上的銀層； 一位於該銀層之上的第三硫族化合物玻璃層；以及 一位於該第三硫族化合物玻璃層之上的第二電極。 3 1 ·如請求項30之記憶體元件，其中該第一電極包括鶴。 3 2 ·如請求項3 0之記憶體元件’其中該第一硫族化合物玻璃 層包括Ge4〇Se60。 3 3 ·如請求項3 0之記憶體元件’其中該锡硫族化合物層包括 Sr^+xSe或Sn^xSe，其中X介於約1與〇之間。 34·如請求項30之記憶體元件’其中該第二硫族化合物玻璃 層包括Ge4〇Se60。 3 5 _如请求項3 0之3己憶體元件’其中該第三硫族化合物玻璃 層包括Ge4〇Se60。 36·如請求項30之記憶體元件’其中該第二電極包括鶴。 O:\103\103506-960414.DOC 6 -4 - 1293509 37·如請求項30之記憶體元件，其中該第二電極包括錫。 38.如請求項30之記憶體元件，其中該第一電極包括鶴，該 第一硫族化合物玻璃層包括硒化鍺，該錫硫族化合物層 包括硒化錫，該第二硫族化合物玻璃層包括砸化鍺，該 第三硫族化合物玻璃層包括硒化鍺，以及該第二電極包 括鎢與錫中其中一者。 39·如請求項30之記憶體元件，其中該第一硫族化合物玻璃 層具有一導電通道，其包括源自該錫硫族化合物層的材 料。 40·如請求項39之記憶體元件，其中該導電通道會併入金屬 離子以形成一導電路徑。 41·如請求項30之記憶體元件，其中該元件係一可程式導電 隨機存取記憶體。 42·如請求項30之記憶體元件，其進一步包括一合金控制 層。 43·如請求項42之記憶體元件，其中該合金控制層包括硒。 44. 如請求項42之記憶體元件，其中該合金控制層包括氧化 錫。 45. 如請求項42之記憶體元件，其中該合金控制層係位於該 錫硫族化合物層之上。 46·如請求項42之記憶體元件，其中該合金控制層係位於該 錫硫族化合物層之下。 47· —種處理器系統，其包括： 一處理器；以及 O:\103\103506-960414.DOC 6 1293509 • 一記憶體元件，該記憶體元件包括一第一電極、一位 於該一第一電極之上的第一硫族化合物玻璃層、一位於 • 該硫族化合物玻璃層之上的錫硫族化合物層、以及一位 • 於該錫硫族化合物層之上的第二電極， 其中該錫硫族化合物層包括碼化錫。 48·如請求項47之處理器系統，其中該記憶體元件進一步於 該錫硫族化合物層與該第二電極間包括一含銀層與一含 | 錫層中其中一者。 49·如睛求項47之處理器系統，其中該第一硫族化合物玻璃 層包括砸化鍺。 50_如請求項47之處理器系統，其中該第二電極包括鶴。 5 1.如請求項47之處理器系統，其中該記憶體元件進一步包 括一合金控制層。 52.如請求項47之處理器系統，其中該記憶體元件進一步包 括： _ 一位於該錫硫族化合物層之上的第二硫族化合物V玻璃 層； 一位於該第二硫族化合物玻璃層之上的含銀層；以及 一位於該含銀層之上的第三硫族化合物玻璃層。 - 53·如請求項52之處理器系統，其中該第一硫族化合物玻璃 層該第一硫族化合物玻璃層、以及該第三硫族化合物 玻璃層均包括Ge4〇Se6〇。 54·如請求項47之處理器系統，其中該記憶體元件能夠耐受 約5分鐘的260°C退火，而且退火後可當作一記憶體元件 〇：\103\103506-960414.D〇C6 1293509 來運作。 55·如請求項47之處理器系統，其中該記憶體元件係一可程 式導電隨機存取記憶體。 56·如請求項47之處理器系統，其中該硫族化合物玻璃層之 中具有一導電通道。 5 7·如睛求項56之處理器系統，其中該導電通道包括源自該 錫硫族化合物層的材料。 58·如請求項47之處理器系統，其中於該硫族化合物玻璃層 中形成一導電路徑會將該記憶體元件程式化至一低電阻 記憶體狀態。 59·如請求項58之處理器系統，其中該導電路徑包括錫與銀 中至少其中一者。 6〇· —種形成一電阻可變之記憶體元件的方法，包括： 提供一基板； 於該基板上提供一第一電極； 於該基板上提供一第二電極； 於該第一電極與該第二電極間形成一第一硫族化合物 玻璃層；以及 於該第一硫族化合物玻璃層與該第二電極間形成一錫 硫族化合物層。 61·如凊求項60之方法，其進一步包括提供一電連接至該第 一電極的位址線路。 62·如明求項61之方法’其中該位址線路與該第一電極為相 同層。 O:\103\103506-960414.DOC 6 1293509 63. 64. 65. 66. 67. 68. 69. 70. 71. 72. 73. 74. 75. 76. 77. 如請求項60之方法，其中該第一電極包括鎢。 如請求項60之方法，其中該第二電極包括鎢。 如請求項60之方法，其中該第二電極包括銀。 如請求項60之方法，其進一步包括於該錫硫族化合物層 與忒第二電極之間形成一含金屬層。 如明求項66之方法，其進一步包括於該錫硫族化合物層 與該第二電極之間形成一第二硫族化合物玻璃層。 如印求項66之方法，其中該含金屬層包括銀。 如請求項60之方法，其進一步包括提供一合金控制層。 如請求項69之方法，其中該合金控制層包括硒。 如明求項69之方法，其中該合金控制層包括氧化錫。 如明求項69之方法，其中該合金控制層係位於該錫硫族 化合物層之上。 如明求項69之方法，其中該合金控制層係位於該錫硫族 化合物層之下。 如請求項60之方法，其進一步包括於該錫硫族化合物層 /、該第_電極之間形成一第二硫族化合物玻璃層。 如清求項74之方法，其進一步包括於該第二硫族化合物 玻璃層與該第二電極之間形成一第三硫族化合物玻璃 層。 如睛求項75之方法，其中該第二硫族化合物玻璃層與該 第一石鼠麵化合物玻璃層中至少其中一者包括砸化錯。 如睛求項75之方法，其進一步包括於該第二硫族化合物 玻璃層與該第三硫族化合物玻璃層之間形成一含金屬 O:\103\103506-960414.DOC 6 1293509 . 層。 月求項77之方法，其中該含金屬層包括銀。 〆員60之方法’其中該第一硫族化合物玻璃層包括 k 硒化鍺。 80·如請灰馆，。 項79之方法，其中該硒化鍺的一化學計量約 Ge40Se60 〇 81 ·如明求項60之方法，其中該錫硫族化合物層包括硒化 錫。 8如明求項81之方法，其中該硒化錫的一化學計量為Sn1+xSe或 Sni_xSe，其中X介於約1與0之間。 83·如明求項6〇之方法，其進一步包括利用一調整步驟於該 第一硫族化合物玻璃層内形成一導電通道。 84·如請求項83之方法，其中該調整步驟包括跨越該第一硫 族化合物玻璃層與該錫硫族化合物層施加一電壓脈衝。 85. 如請求項83之方法，其進一步包括於該導電通道處形成 _ 一導電路徑。 86. 如請求項6〇之方法，其中該第一硫族化合物玻璃層係形 成於該第一電極上。 ’ 87.如請求項6〇之方法，其中該第一硫族化合物玻璃層與該 - 錫硫族化合物層為毯覆沉積。 88·如請求項6〇之方法，其中該第一硫族化合物玻璃層與該 錫硫族化合物層會被蝕刻以形成一垂直堆疊。 89·如請求項60之方法，其中該第一硫族化合物玻璃層與該 錫硫族化合物層係形成於一通道内。 O:\103\103506-960414.DOC 6 1293509 90·如：求項75之方法，其進一步包括提供一合金控制層。 91 ·如明求項9〇之方法，其中該合金控制層包括硒。 92.如明求項9〇之方法，其中該合金控制層包括氧化錫。 93·如請求項9〇之方法，其中該合金控制層係位於該錫硫族 化合物層^^ ^^。 94·如明求項9〇之方法，其中該合金控制層係位於該錫硫族 化合物層之下。 95· —種形成一電阻可變之記憶體元件的方法，包括： 提供一基板； 於該基板上提供一導電位址線路； 於該位址線路與該基板上形成一第一絕緣層； 於該第一絕緣層中形成一開口，以於該開口中露出該 位址線路的一部份； 於該開口中且在該位址線路之上形成一第一電極層； 於該第一電極之上形成一第一硫族化合物玻璃層； 於該第一硫族化合物玻璃層之上形成一錫硫族化合物 層； 於該錫硫族化合物層之上形成一第二硫族化合物玻璃 層； 於該第二硫族化合物玻璃層之上形成一金屬層； 於該金屬層之上形成一第三硫族化合物玻璃層； 於該第三硫族化合物玻璃層之上形成一第二電極層； 以及 蝕刻以形成一由下面所組成的堆疊：該第一硫族化合 O:\103\103506-960414.DOC 6 -10- 1293509 物玻璃層、該錫硫族化合物層、該第二硫族化合物玻璃 層、該金屬層、該第三硫族化合物玻璃層、以及位於該 第一電極層之上的該第二電極層。 96·如請求項95之方法，其中該等第一、第二、及第三硫族 化合物玻璃層包括Ge4QSe6〇。 97. 如凊求項95之#法，其中該錫硫族化合物層包括8叫^或 Sni-xSe ’其中x介於約1與0之間。 98. 如明求項95之方法，其中該第一電極層包括鶴。 99. 如請求項95之方法，其中該金屬層包括銀。 100·如請求項95之方法，其中該第二電極包括嫣。 101.如請求項95之方法’其進一步包括於該第一硫族化合物 玻璃層内形或一導電通道。 102·如明求項1〇1之方法，其進一步包括於該導電通道處形 成一導電路徑。 103.如明求項95之方法，其進一步包括提供一合金控制層。 104·如明求項1〇3之方法，其中該合金控制層包括硒。 105·如請求項103之方法，其中該合金控制層包括氧化錫。 106·如明求項1 〇3之方法，其中該合金控制層係位於該錫硫 族化合物層之上。 107.如請求項1()3之方法，其中該合金控制層係位於_硫 族化合物層之下。 O:\103\l03506-960414.DOC 6
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US10/893,299 US7190048B2 (en) | 2004-07-19 | 2004-07-19 | Resistance variable memory device and method of fabrication |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW200620649A TW200620649A (en) | 2006-06-16 |
| TWI293509B true TWI293509B (en) | 2008-02-11 |
Family
ID=35285580
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW094124377A TWI293509B (en) | 2004-07-19 | 2005-07-19 | Resistance variable memory device and method of fabrication |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (4) | US7190048B2 (zh) |
| EP (1) | EP1769507B1 (zh) |
| JP (2) | JP5107037B2 (zh) |
| KR (1) | KR100917095B1 (zh) |
| CN (1) | CN100530432C (zh) |
| AT (1) | ATE450042T1 (zh) |
| DE (1) | DE602005017899D1 (zh) |
| TW (1) | TWI293509B (zh) |
| WO (1) | WO2006019845A1 (zh) |
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- 2004-07-19 US US10/893,299 patent/US7190048B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2005
- 2005-07-14 WO PCT/US2005/024899 patent/WO2006019845A1/en active Application Filing
- 2005-07-14 AT AT05772169T patent/ATE450042T1/de not_active IP Right Cessation
- 2005-07-14 CN CNB2005800308295A patent/CN100530432C/zh active Active
- 2005-07-14 KR KR1020077003843A patent/KR100917095B1/ko active IP Right Grant
- 2005-07-14 EP EP05772169A patent/EP1769507B1/en active Active
- 2005-07-14 DE DE602005017899T patent/DE602005017899D1/de active Active
- 2005-07-14 JP JP2007522567A patent/JP5107037B2/ja active Active
- 2005-07-19 TW TW094124377A patent/TWI293509B/zh active
-
2006
- 2006-08-29 US US11/511,312 patent/US7348209B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2007
- 2007-02-01 US US11/700,912 patent/US7282783B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2008
- 2008-02-01 US US12/068,108 patent/US7868310B2/en active Active
-
2011
- 2011-08-11 JP JP2011175686A patent/JP5364762B2/ja active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20060289851A1 (en) | 2006-12-28 |
| EP1769507B1 (en) | 2009-11-25 |
| CN100530432C (zh) | 2009-08-19 |
| US7282783B2 (en) | 2007-10-16 |
| US7348209B2 (en) | 2008-03-25 |
| JP2008507151A (ja) | 2008-03-06 |
| JP5364762B2 (ja) | 2013-12-11 |
| EP1769507A1 (en) | 2007-04-04 |
| KR20070034116A (ko) | 2007-03-27 |
| JP2011258971A (ja) | 2011-12-22 |
| US7868310B2 (en) | 2011-01-11 |
| KR100917095B1 (ko) | 2009-09-15 |
| CN101019191A (zh) | 2007-08-15 |
| DE602005017899D1 (de) | 2010-01-07 |
| TW200620649A (en) | 2006-06-16 |
| JP5107037B2 (ja) | 2012-12-26 |
| US20060012008A1 (en) | 2006-01-19 |
| US20080164456A1 (en) | 2008-07-10 |
| WO2006019845A1 (en) | 2006-02-23 |
| US7190048B2 (en) | 2007-03-13 |
| ATE450042T1 (de) | 2009-12-15 |
| US20070138598A1 (en) | 2007-06-21 |
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