TWI293402B - Novel copolymers and photoresist compositions - Google Patents

Description

1293402 五、發明說明（1) ----- [發明領域] 从斟ί ΐ ^是有關於新聚合物及該些聚合物作為光阻組成 ^ 77之用途’特別是有關於可於短波長（例如次 rim丄寺別是193nm)有效地成像之化學放大型正作用光 阻’ 發明樹脂包括羥金剛烷基部分。 [發明背景] /光阻劑為用以將影像轉移至基板之感光薄膜。於基板 上形成光阻塗層，然後利用活性輻射源透過光罩，使光阻 層曝光。光罩具有對活性輻射不透光之區域及其餘對活性 輻射透光之區域。經活性輻射曝光之光阻塗層會發生光引 發之化學轉換而將光罩圖案轉移至塗布有光阻劑之基板 上。光阻塗層經曝光後，進行顯影而形成浮雕像，然後可 對基板進行選擇性加工。 光阻劑可為正作用或負作用。大部分負作用光阻劑經 活性輻射曝光的塗層部分，其光阻組成物之光活性化合物 與可聚合劑之間會發生聚合或交聯反應。結果，使得曝光 塗層部分較未曝光部分更不易溶於顯影液中。然而，正作 用光阻塗層經曝光的部分較易溶於顯影液中，而未曝光區 域則相對地較不易溶於顯影液中。如Deforest於McGraw Hill Book Company，New York，1975 出版之 π 光阻材料與 其製法"第二章中所述之光阻組成物及如Moreau於Plenum Press，New York出版之"半導體微影製程、原理、實用性 及材料"第二、四章中所述之光阻組成物。 近來有增加使用化學放大型光阻劑的趨勢’特別是用

92048.ptd 第4頁 1293402 五、發明說明（2) 於形成次微米影像及其它高性能方面的應用。光阻劑可為 正作用或負作用，而通常每單位光產生酸包含許多交聯反 應（於負作用光阻劑的情形）及去保護反應（於正作用光阻 劑的情形）。於化學放大型正光阻劑的情形下，使用某些 陽離子光啟發劑以誘發某些懸於光阻黏結劑上之封端基的 解離，或使構成光阻黏結劑骨幹之某些基解離。請參照例 如 U·S· Patents Nos. 5,075， 199 ; 4,968,581 ; 4, 883, 740; 4, 810, 613;及 4, 491，628，以及加拿大專利 申請案2, 001，384。該光阻劑塗層經曝光後會解離其封端 基，而形成極性官能基，例如羧基或亞胺，其可導致光阻 劑塗層之曝光區域及未曝光區域分別具有不同之溶解度特 性。請參照R.D.Allen 等人於 Proceedings of SPIE， 2724，334 - 343 ( 1 996 )中所述，及 P. Trefonas 等人於 Proceedings of the 11th International Conference on Photopolymers (Soc. Of Plastics Engineers), pp 44-58 (Oct. 6，1 997 )中所述。 雖然現有的光阻劑適合應用於很多方面，但現有的光 阻劑有明顯缺點，特別是在例如形成高解析之次0. 5微米 及次0 · 2 5微米特徵之高性能應用方面。 因此，可利用包括約250nm或以下或甚至約200nm或以 下（例如由KrF雷射所提供約248nm波長或由ArF曝光裝置所 提供約1 93nm波長）之短波長輻射進行光成像之光阻劑，已 成為引起關心之課題。請參照已公開之歐洲申請案EP 9 1 5382A2。使用短曝光波長能形成較小之特徵。因此，於

92048_ptd 第5頁 1293402 五、發明說明（3) 2 4 8nm或193nm曝光可產生良好解析影像之光阻劑能形成非 常小（例如次-0 · 2 5 v m)的特徵，以滿足工業上對較小尺寸 電路圖案（例如可提供較高之電路密度及加強元件之性能） 之不斷需求。 然而，許多現有之光阻劑通常被設計成可於相當長的 波長，例如G線（436nm)及I線（ 365nm)成像，而該些光阻劑 通常並不適合於短波長（次-2 0 0 nm )成像。甚至用於較短波 長之光阻劑（例如於2 4 8nm可有效曝光者）通常亦不適合於 次-2 0 0nm曝光，例如於l93nm成像。 更特別的是，現有之光阻劑對非常短的曝光波長（例 如193nm)相當不透光，因而導致影像解析度不佳。 因此需要新的光阻組成物，特別是可於例如次-20〇nm f特別是193nm)之短波長下曝光而成像之光阻組成物。 [發明概述] 、、本發明人已發現新穎之聚合物及包括作為樹脂黏結劑 成伤之聚合物之光阻組成物。本發明光阻組成物町於养常 波長（特別是次-20 0nm波長，例如193nm)下曝光而形 成面解析之浮雕像。 =發明聚合物含有具羥基取代基之金剛烷基（即經金 ^基）。本文所用名詞"羥金剛烷基”係指具有羥基環取 代基之金剛烷基。 、 金剛垸基較佳為丙烯酸酯之部分， 聚合以形 成例如下式I所示之重複單元。 第6頁 1293402 五、發明說明（4) Βί

其中R1為氫或（^_16烷基，較佳為氫或甲基，及R2為氫或 Cpu烷基，較佳為氫或甲基。 本發明較佳聚合物為共聚物或例如三聚物、四聚物或 五聚物之高序聚合物。各種重複單元可包含於該聚合物 中。例如，聚合物可含有1)各種光酸-不穩定部分，特別 是含有脂環基的光酸-不穩定基，例如光酸-不穩定酯（例 如經聚合之烷基丙烯酸酯或烷基甲基丙烯酸酯，其中較佳 之烷基為例如金剛烷基及葑基等之脂環族）；2)含有非光 酸-不穩定或至少對光酸之反應性較單元1)為低（例如，2 或3倍之較低反應性）的經聚合之電子缺乏單體的基，例如 乙烯系不飽和酮或二酮（例如馬來酸酐、衣康酸酐、檸檬 酸酐之酸酐）；醯胺（例如馬來醯亞胺）；酯類等特別為内 酯；及3)包含經聚合之環烯部分的基（即其中烯基係沿著 聚合物骨幹聚合以提供稠合的碳脂環基），例如視需要經 取代之原冰片烯基。 較佳聚合物包含含有經聚合之第一原冰片烯重複單元 及經聚合之第二原冰片烯重複單元者，其中第二單元與第 一單元不同。例如，第一原冰片烯重複單元可未經取代， 而第二原冰片烯重複單元可具有一個或多個非氫重複單

92048.ptd 第7頁 1293402 五、發明說明（5) 元。另一選擇為，第一、二原冰片烯重複單元每一重複單 元可具有一或多個非氫環取代基’但其中第一原冰片烯重 複單元之非氫取代基不同於第二原冰片烯重複單元之非氫 取代基。 因此，本發明之較佳方面為提供含有至少二個不同的 經聚合之原冰片浠重複單元之聚合物。較佳該些聚合物亦 含有光酸-不穩定基以作為二個不同原冰片烯重複單元或 其中一個之取代基或作為與原冰片烯單元分開之聚合物重 複單元。例如，光酸-不穩定丙烯酸酯單元可與二或多個 不同之原冰片烯重複單元一起存在。 本發明之另一方面為提供含有至少二個不同之單元且 每一單元各具有光酸-不穩定基之本發明聚合物。例如， 聚合物可含有例如上式I所示作為酯基成分之金剛烧基， 特別是其中R2為烷基以提供可促進光誘發去保護反應之四 級礙。 本發明聚合物亦可含有除了上述基以外之單元。例 如，本發明聚合物亦可含有例如由甲基丙烯腈與丙烯腈之 聚合反應所生成之腈。其它對比增強基亦可存在於本發明 聚合物中，例如由甲基丙烯酸、丙烯酸及作為光酸-不穩 定酯類而被保護之酸（例如由乙氧乙基甲基丙浠酸醋、第 三丁氧基甲基丙烯酸酯及第三丁基甲基丙烯酸酯等之反應 所生成）之聚合反應所生成之基。 本發明聚合物較佳使用於193nm成像之光阻劑中，且 較佳該聚合物實質上不含任何苯基或其它芳基。例如，較

92048.ptd 第8頁 1293402 五、發明說明（6) 佳聚合物為含有少於約5莫耳％之芳基，更佳為少於約丨或2 莫耳％之芳基’更佳為少於約〇·1、〇·〇2、〇·〇4及0·08莫耳 %之芳基，又更佳為少於約0 · 〇 1莫耳％之芳基。特佳之聚合 物為完全不含芳基者。由於 射，因而並不適合含於以該 合物中。 本發明亦提供形成浮雕 雕像之方法，例如線形圖案 側壁及约〇 · 4 0微米或更窄之 16微米或更窄之線寬。本發 發明聚合物、光阻劑或光阻 晶顯示或其匕平面儀表顯示 以下將揭露本發明之其 [本發明詳細說明] 本發明較佳聚合物包括 酸不穩定基之重複單元。 較佳聚合物含有具有三 酯基，除了金剛烷基外以該 三級脂環烴酯部分為多環基 分）°本文關於"三級脂環^ 脂環碳共價聯結至賴氧，即 之三級環碳。至少於許多情 共價聯結至酯氧較隹，例如 而’聯結至酯氧之三級碳亦 芳基可高度吸收次-20Onm輻 短波長輻射成像之光阻劑之聚 像之方法，包含形成高解析浮 中每一條線具有實質上垂直的 線寬及甚至約〇· 25、0· 20或〇· 明更提供包括基板（塗布有本 浮雕像之微電子晶圓基板或液 基板）之製品。 它方面。 羥金剛烧基及一或多個包括光 級脂環烴酯部分之光酸不穩定 光酸不穩定酯基為較佳。較佳 (例如乙葑基或三環癸基部 基或其它類似名詞係指三級 - C(=0)〇-TR，其中T為脂環基r 形下，將脂環部分之三級環礙 下述特佳聚合物之實例。然 可在脂環的環外上，典型地脂

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環為環外的三級碳之取代基中之一（請參照例如下述分子 體積為1 6 1 A 3之經取代之環己基）。典型地為將以脂環本 身及/或一、二或三個烷基（其可具有1至約12個碳，更典 型1至約8個碳，甚至更典型1、2' 3或4個碳）取代並聯結 至酯氧之三級碳。脂環基亦適合地不含芳族取代基。脂環 基可適合地為單環或多環，特別是二環或三環基。 本發明聚合物亦可含有不含脂環部分之光酸-不穩定 基。例如，本發明聚合物可含有光酸-不穩定酯單元，例 如光酸-不穩定烷基酯。通常將光酸不穩定酯之羧基氧（即 如下·· -C(=0)〇_下面劃線之羧基氧）共價聯結至四級碳。本 文關於"四級"碳係指碳原子具有四個非氫取代基（即 GRRH3其中R、R1、R2及R3各自為相同或不同及各自為除氫 以外者）。請參照例如Μ 〇 r r i s ο n a n d B 〇 y d，有機化學，特 別是第85頁（3 rd ed·，Allyn and Bacon)中討論四級名詞 之部分。更特別是，較佳的非環狀光酸不穩定基包含第三 丁基酯及更高分枝系統，其中酯基包括視需要經取代具有 約5或較佳6或更多個碳原子且至少二個為分枝碳原子（即 至少二個二級、三級及四級碳原子）之烷基部分。適合之 燒基部分包含具有一，二或更多個三級碳原子及/或一、 二或更多個四級碳原子者。本文關於”二級"碳係指碳原子 具有二個非氫取代基（即M2RRi其中R及…為相同或不同及 各自為除氫以外者）。本文關於"三級”碳係指碳原子具有 三個非氫取代基（即QHRRiR2其中R、R!及R2為相同或不同及 各自為除鼠以外者）。請再參照M〇rrisori and Boyd，有機

1293402 五、發明說明（8) 化學，特別是第85頁（3rd ed·，Allyn and Bacon)中討論 二級及三級名詞之部分。應了解本文關於”烷基”包括聯結 的或分枝的碳鏈例如次烷基及伸烷基等。 一些較佳高度分枝之光酸-不穩定酯包含下列：

c=o 〇 c=〇 ο

本發明聚合物可含有除了上述烷基酯單元外之單元。 例如，聚合物可含有其它光酸-不穩定基例如懸酯，如式 -WC(=0) 0R5，其中w為聯結者例如化學鍵、伸烷基特別是 G—3伸烷基、或碳環芳基（例如苯基）、或芳氧基（例如苯氧 基）’且R5為適合之酯部分例如為視需要經取代適當地耳 有1至約20個碳原子，更佳具有約4至約12個碳原子之烷基 (包含環烧基）’但不含非環狀或具有5或更多個碳原子及 二或更多個二級、三級或四級碳之單環烷基；視需要經取 代適當地具有2至約20個碳原子，更佳具有約4至約12個碳 原子之烯基（包含環烯基）；視需要經取代適當地具有2至 約20個碳原子，更佳具有約4至約12個碳原子之炔基；視 需要經取代適當地具有1至約2 〇個碳原子，更佳具有2至約 12個碳原子之烧氧基；或含有一或更多個N、〇或δ原子之

1293402 五、發明說明（9) —_ 更多個具有4至約8環成員之環(例如四氩 含例：第：四=喃基及嗎琳基等）。特佳R5基包 r > 土 四虱比喃 '乙氧乙基、或包含橋連美 *包含2-甲基-2-金剛烷基、原冰片基及 $ 發明，合物亦可含有芳族單元(例如經聚合 、土本酴及本乙稀單元等）。以248 nm成像之光阻劑中 聚合物特別適合含有該些芳族單元。然而如上所述，甚 f以更短之波長（例如丨93nm)成像，較佳之聚合物應實質 上完全不含芳族單元。 j 248nm或其它較短波長成像之聚合物可適合地包括 盼系單元’例如由乙烯基苯酚之共聚合反應所生成。 本發明特佳聚合物包含如下之化學式，各聚合物單元 之特佳莫耳比顯示於所描述聚合物之右侧： f \ ( \ / \ / I \ 产。 〇、

V

OH 1 10/20/30/40 本發明之其它較佳聚合物包括金剛烷基丙烯酸酯（不 含羥基取代）例如甲基金剛烷基丙烯酸酯及/或沒-内酯丙 烯酸酯或甲基丙烯酸酯與羥金剛烷基的組合。其它重複單 元可適合為下式II及III :

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II

III 其中R1及R2與上式I定義相同，n為1至5之整數。 本發明之特佳聚合物包含下列五個三聚物（例如以下 1 )至5 ))其中莫耳％係以總聚合物單元表示： 1) 三聚物係由a)式II基，其中Ri = R2 = CH3，4〇莫耳％ · b)式 II基，其中RLCHs，n = 2，40 莫耳 ％; c)式 jh 基，Ri — CH3，R2 = H，20莫耳％之單元所組成； 土’ 一 2) 三聚物係由a)式II基，其中f^R2 = Ci^，3〇 b)式 II基，其中 R^CHs，η二2，30莫耳％ ; τττ 二升❶， 丨 u，l ;式 i I I 基，r 1 = CH3，R2 = H，40莫耳％之單元所組成。 κ — 3) 三聚物係由a)式II基’其中ruR2 = CH3，6〇莫耳％ ;

92048.ptd 1293402 五、發明說明~(11)~—— b)式 I I 基’其中 Ri = Cij3，n = 2，3〇 莫耳 ％，· c)式！ ！ j 基 二 CH3, R2 = H，10莫耳％之單元所組成。 — 4) 三聚物係由a)式II基，其中R1二R2 = CH3，50莫耳％ · b)式I I基’其中卜％，n = 2，3〇莫；c)式 卜cmH，20莫耳%之單元所組成。 基 5) 三聚物係由a)式II基，其中RLRLCHs，30莫耳％ ; b)式 II 基’其中 Ri = CH3，n = 2，50 莫耳 ％; c)式 III 基，Ri = CH3’ R2 = H，20莫耳％之單元所組成。 本發明聚合物可由各種方法製得。一種適合方法為包 含自由基聚合反應之加成反應，例如於高溫如約？(rc或更 高之溫度，於惰性氣體（例如\或氬氣）及自由基啟發劑之 存在下藉由反應所選擇之單體以提供如上述之各種單元， 然而，反應溫度可依所使用特定試劑之反應性及反應溶劑 之沸點（若使用溶劑）而不同。適合之反應溶劑包含，例如 四氫呋喃、乳酸乙酯等。任何特定系統之適合反應溫度可 輕易地由熟習該項技術者依本發明所揭露的内容依經驗決 疋。可使用各種自由基啟發劑。例如可使用偶氮化合物例 如偶氮-雙-2, 4-二甲基戊烧腈。亦可使用過氧化物、過 酯、過酸及過硫酸鹽。 商業上可獲得羥金剛烷基丙烯酸酯單體。 如所述，各部分皆可視需要經取代，包含式I的各 基。經取代"之取代基可在一或更多個可利用的位置（典 型地1、2或3位置）經一或更多個適合的基例如由素（特別 是F、（：1或計）；Cl_8烷基，· Cl_8烷氧基；C28烯基；c2_8炔 II _ 1 1 IHI 92048.ptd 第14頁 1293402 五、發明說明（12) 基；羥基；烷醯基（例如醯基等之Ci 6烷醯基）等取代。 本發明較佳聚合物可具有約8〇〇或1，〇〇〇至約 100, 000，更佳約2, 000至約30, 〇〇〇，又更佳約2, 000至15, 0 00或20, 0 00之重量平均分子量（Mw)，且具有約3或更小之 分子量分佈（Mw/Mn)，較佳為具有約2或更小之分子量分 佈。本發明聚合物之分子量（―或Mn)係由凝膠滲透層析法 適當地決定。 使用於光阻劑配方中之本發明聚合物應含有足夠量之 光產生酸不穩定酯基以形成所需之光阻浮雕像。例如，酸 不穩定酯基之適合量為至少為總聚合物單元之1莫耳％，更 佳為約2至40、50、60或70莫耳％，又更典型為約總聚合物 單元之約3至30、40、50、60或70莫耳％。 如上述’本發明聚合物作為光阻組成物之樹脂黏結劑 成分係極為有用，特別是化學放大型正光阻劑。本發明之 光阻劑通常包括光活性成分及包括上述聚合物之樹脂黏結 劑成分。 樹脂黏結劑成分的用量應為足以使光阻塗層可用驗性 顯影劑顯影之量。 本發明光阻組成物亦包括光酸產生劑（即"PAG”），其 適合用量為以活性輻射曝光後足以於光阻劑塗層中產生潛 在影像的量。193nm及248nm成像用之較佳paqs包含如下式 化合物之亞胺磺酸酯：

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五、發明說明（13) ^ p為樟腦、金剛烧、燒基（例如c_烧基）及全氟烧基例 = 烧基）’㈣是*氣辛燒績酸鹽及全氟壬烧磺 2二等。特佳PAG為N-[(全氟辛烷磺醯基）氧基]_卜原冰片 烯-2, 3-二羧基亞胺。 別為磺酸鹽。1 93nm 1及2 : 2 確酸化合物亦為適合之PAGs，#

及248nm成像之二個適合劑為下列pAG 1

V

可依歐洲專利申請案96118111.2(公告號0783136)所 詳述之上述PAG 1之合成方法來製備該些磺酸化合物。 亦適合使上述二種碘鏺化合物與除了上述樟腦磺酸基 以外之陰離子錯合。特別是，較佳之陰離子包含式RS03 -其中R為金剛烷、烷基（例如（^_12烷基）及全氟烷基例如全氟 (Cw燒基）’特別是全氟辛燒續酸鹽及全氟丁燒磺酸鹽 其它已知P A G S亦可使用於本發明之光阻劑中。特別為 19 3rIm成像，通常較佳為不含芳基之pAGS，例如上述之亞

92048.ptd 第16頁 1293402 五、發明說明（14) 胺磺酸酯，以提高透明度。 本發明光阻較佳之視需要添加劑為添加鹼，特別是氫 氧化四丁胺（TBAH)或乳酸四丁胺，其可增高經顯影之光阻 浮雕像的解析度。193nm成像之光阻劑其較佳之添加鹼為 受阻胺例如重氮雙環十一碳烯或重氮雙環壬烯。適合使用 相當少量之添加驗，例如相對於總固體之約〇· 〇3至5重量 、本發明光阻劑亦可含有其它視需要之材料。例如，其 它視需要之添加劑包含防皴劑、塑化劑及速率增進劑等。 除了可以相對較高濃度存在之填料及染料以外，視需要之 添加劑係典型地以較低濃度存在於光阻組成物中，例如為 光阻劑乾成分總重之約5至30重量％之量。 可由熟習該項技術者輕易地製備本發明光阻劑。例 如，本發明光阻組成物可藉由將光阻劑成分溶解於適合之 溶劑（例如乳酸乙_、乙二醇單甲基醚、乙二醇單甲基醚 乙酸酯、丙二醇單甲基醚 '丙二醇單甲基醚乙酸酯及3一乙 氧基乙基丙酸酯）中而製備。典型地組成物之固體含量係 在光阻組成物總重之約5及35重量％之間改變。樹脂黏結劑 及光活性成分應以足夠提供一層膜塗層及形成良好品 潛在及浮雕像的篁存在。請參昭以 較佳量之實施例。 月參…乂下…例先阻劑成分 本發明組成物係依照一般已知程序來使用。將本發明 之液態塗布組成物係利用例如旋轉塗布、浸潰塗 塗布或其它習知塗布之技術施塗至基板上。當使用旋轉塗

五、發明說明（15) 布法時，塗布溶液中之固體含量可依使用之特定設 備、溶液黏度 '旋轉器速率及挺 / 成所需之膜厚度。 ㈣之時fa1調整至能形 田ί f ^ f m組成物適合施塗至★阻劑塗布f•中所使 ^ _ 土上例如，可將該組成物施塗至矽晶圓或塗 布有二氧化矽之矽晶圓上以製造微處理器及其它積體電路 元件。亦適合使用鋁-氧化鋁、砷化鎵、陶莞、石英、銅 及玻璃基板等。 ^將光阻劑塗布至表面上後，加熱乾燥以移除溶劑直至 光阻塗層不剝落較佳。然後依習知方法透過光罩成像。充 分的曝光以有效地活化光阻劑系統之光活性成分而在光阻 fsH圖t影J象’具體而t，典型的曝光能量範圍為約 1至io〇mj/cm2’其依曝光裝置及光阻組成物之成分而定。 如上述，本發明光阻組成物塗層較佳以短曝光波長 (特別是次-300及次-20 〇nm曝光波長）進行光活化。如上 述，193nm為特佳之曝光波長。157nm為本發明光阻劑之另 一較佳曝光波長。然而，本發明光阻組成物亦可適合以較 長波長成像。例如，本發明樹脂可用適當之pGA及視需要 之敏化劑配製，以於較長波長（例如約248錢或36511(〇成 像0 曝光後’較佳於溫度範圍約70 t至約l6(rc間烘烤該 組成物膜層。然後進行顯影。以極性顯影劑對曝光光阻"膜 層進行正作用，極性顯影液較佳為水溶性為主之顯影劑例 如四級氫氧化銨溶液（例如四烷基氫氧化銨溶液）較佳為〇 1293402 五、發明說明（16) N四甲基氫乳化銨；各種胺溶液（例如乙胺、正丙胺、二 乙胺、一正丙胺、三乙胺、甲基二乙基胺）；醇胺（例如二 ^醇胺或三乙醇胺）；環胺（例如吡咯、吡啶等）。通常顯 影步驟係依照習知步驟進行。 ^ 、基f上之光阻塗層經顯影後，可對顯影基板之無光阻 ί ^進行選擇性加工，例如根據習知步驟對基板之無光阻 :二進仃化學性蝕刻或電鍍。微電子基板之製造，例如二 =矽晶圓之製造，適合之蝕刻劑包含氣體蝕刻劑，以電 之方式使用例如氣或氣為主之餘刻劑（例如（：12或CF4/ 3之幽素電浆餘刻劑。加工後可利用已知之脫除驟 將光阻劑自經加工之基板上移除。 將本文所提及之全部文獻併入本文作為參考。以下為 用以說明本發明之非限制實施例。 實施例1 :聚合物之合成 將/合有2 -甲基金剛烷基甲基丙烯酸酯（15〇〇克， •064莫耳）、馬來酸酐（471克，〇〇48莫耳）、原冰片烯 (3· 〇1克，0.032莫耳）、羥金剛烷基甲基丙烯酸酯（3〇7 0.016莫耳）及V601(l.ll克，總單體之3莫耳混合物 之25· 79毫升（1/1 =單體/溶劑）無抑制劑之四氫呋喃置於圓 底燒瓶中。攪拌5分鐘後，將燒瓶置入預熱之油浴中。在 該溫度攪摔該反應混合物直至實質上該反應已完成。冷卻 後，將THF添加至燒瓶中。例如利用於15公升之己烷/IPA (1 / 1，重量90中沉澱以單離該聚合物。 實施例2 :光阻劑之製備及微影加工

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五、發明說明（17) 本發明光阻劑係依照以光阻組成物總重計之重量％表 示之量混合下述成分而製備。 光阻劑成分____ 樹脂黏結劑 15 光酸產生劑 4 乳酸乙酯 81 樹脂黏結劑為上述實施例1之聚合物。光酸產生劑為 二- (4-第二丁基苯基）硬鎗-樟腦橫酸鹽（上述之 PAG 1 )。將該些樹脂與PAG成分混合於乳酸乙醋溶劑中。 將經調配之光阻組成物旋轉塗布於HMDS蒸氣塗蓋之4 英吋矽晶圓上並於9 0 °C經由真空熱板軟烤6 〇秒。光阻劑塗 層於193nm經由光罩進行曝光，而後於約n(rc對曝光之塗 層進行曝光後烘烤（PEB)。然後以〇· 26N四甲基氳氧化銨水 溶液處理經塗布之晶圓以對經成像之光阻劑層進行顯影而 形成浮雕像。 上述本發明僅供說明之用，應了解的是，在不脫離本 發明之精神和後附之申請專利範圍内，當可作各種之 與修飾。

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Claims (1)

1293402 _案號91103266_啊年月Ί曰 修正_ 六、申請專利範圍 1. 一種光Ρ且組成物，包括： (a)光酸產生劑化合物；以及 (b )聚合物，包括羥金剛烷基部分、經聚合之原冰 片烯基、及至少二不同之重複單元，各該重複單元具 有光酸不穩定基。 2. 如申請專利範圍第1項之光阻組成物，其中該聚合物包 括内_基。 3. 如申請專利範圍第1項之光阻組成物，其中該聚合物包 括經聚合之丙烯酸酯基，該經聚合之丙烯酸酯基包括 一或多個光酸不穩定部分。 4. 如申請專利範圍第1項之光阻組成物，其中該聚合物包 括一或多個腈部分。 5. 如申請專利範圍第1項之光阻組成物，其中該聚合物為 三聚物。 6. 如申請專利範圍第1項之光阻組成物，其中該聚合物為 四聚物。 7. 如申請專利範圍第1項之光阻組成物，其中該聚合物實 質上不含芳基。 8. 如申請專利範圍第1項之光阻組成物，其中該聚合物完 全不含芳基。 9. 一種光阻組成物，包括： (a )光酸產生劑化合物；以及 (b )聚合物，包括經金剛烧基部分、經聚合之原冰 片稀基、及内酯基。

92048修正本.ptc 第22頁 1293402 _案號9Π03266 β年⑺月Π日 修正_ 六、申請專利範圍 1 0 .如申請專利範圍第9項之光阻組成物，其中該聚合物至 少實質上不含芳基。 1 1.如申請專利範圍第9項之光阻組成物，其中該聚合物包 括經聚合之丙烯酸酯基，該經聚合之丙烯酸酯基包括 一或多個光酸不穩定部分。 1 2.如申請專利範圍第9項之光阻組成物，其中該聚合物包 括一或多個腈部分。

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