1293399 五、發明說明（1) 發明背景 發明領域 本發明是有關於一液晶顯示裝置及其製造方法，而 且1¾別是有關於一主動矩陣式（active matrix type)液晶 顯不裝置’其係在匕的兀件基體（element substrate)上 具有一彩色濾光片及其製造方法。 習知技術說明 該主動矩陣液晶顯示裝置包括有一元件基體（其係具 有一開關元件例如一電晶體等等），一相對立基體（其 係以相對立於該元件基體而被設置），以及一液晶（其 係塡充於該元件基板和該相對立基體之間）。 該相對立基體具有一彩色濾光片（C F)和一黑色矩 陣。該彩色濾光片是由規則地設置的紅，綠或藍色的 彩色層所組成。該黑色矩陣是由一具有一光遮擋性質 不透明（opaque)的一膜所形成。該黑色矩陣會遮擋該 液晶的配向亂度（disci i nation)以避免在對比（contrast) 上的降低。 該液晶是被塡充在該元件基板和相對立基板之間的 一空間中。各配向層（alignment layers)是分別地形成 在該元素基板上和在該相對立基體上。該等配向層是 以一樹脂膜’例如ρ ο 1 y i m i d e是形成在各基體上之方 式而形成，而且該等因而產生的表面是受到配向處理 例如平磨（rubbing)。該等配向層會提供一預先決定的 配向（定方位，〇 r i e n t a t i ο η)至在該液晶中的各液晶分 1293399 五、 發明說明 (： 〇 子 〇 在 此 ， 該 d is c 〉lination指的是一配向缺陷，其中由 於 在 液 晶 的 配 向 表面中的準位不同（level difference)， — 電 場 之 分 佈 以及在一驅動電壓中的突然改變，所 以 在 該 液 晶 分 子 的配向方向中會有中斷情形發生。此 液 晶 配 向 缺 陷 會 以一線或點（dot)缺陷的方式而出現， 其 係 使 顯 示 品 質 惡化。該d i s c 1 i n a t i ο η會在與不規則部 份 (其係在各基體的該等表面上）重疊的一顯示區域 中 該 液 晶 配 向 的不均勻部份（其係由平磨的程度中的 變 化 所 造 成 )中， 以及類同類中發生。 在 上 述 的 結 構 中（其中該彩色濾光片，和黑色矩陣是 被 設 置 在 該 相 對 立基體上），吾人必須要實施該黑色矩 陣 J 其 係 具 有 -* 大於設計上一理想遮罩區域（m a s k i n g a r e a)的 窗 度 的 寬 度。此理由是基於要確保用於該元件 基 體 的 配 向 和 相 對K基體中的錯誤之餘裕（m a r g i η )。 然 而 > 如 果 該 黑 色矩陣的寬度是太寬時，則吾人很難 去 大 致 地 設 定 液 晶顯示元件的光圈比（aperture r at i 〇) 因 而 降 低其亮度。在此，光圈比的意思是畫 素 區 域 的 百 分 比 ’其係貝獻出光g周節（optical m ( )d 1 11 a tio)至- -液晶顯不面板的顯示區域的整個表面。 爲 了 要 改 善 液 晶顯示元件的光圈比，吾人必須揭露 出 用 於 在 — 元 件 基體上所形成的一色彩濾光片和黑色 矩 陣 的 結 構 〇 此 ;被稱爲C F (彩色濾光片）-在T F T -4- 1293399 五、發明說明（3) 結構上（CF-〇n TFT結構），而且此結構是被揭述在例 如曰本專利號碼27 5 8 4 1 0以及未審查日本專利申請公 告號碼 Η 3 - 2 3 7 4 3 2。 在此CF-〇n TFT結構之中，該彩色濾光片和黑色矩 陣皆形成在該元件基體上。根據地，吾人必須確保出 用於該元件基體和相對立基體的配向的餘裕。此能使 得製造過程簡單化而且也能完成一高光圈比。 在推向往高解析（high defi nit ion)的情形下，使用 CF-〇n TFT結構，貝ί]會因下歹丨J理由而很難完成該高光 圈比。 更特別的是，在該CF-On TFT結構之中，用於連接 一畫素電極以及一源極電極的接觸孔的尺寸大小是相 對地大，而且一用於一接觸窗的專用區域（exclusive are a)說明出在每個畫素區域中的一相對地高的百分 比。這是因爲接觸孔的側表面的錐形必須逐漸縮小地 被形成以避免該畫素電極（其係形成在接觸孔的內表面 上）的準位分離之發生。爲了要使該錐形逐漸縮小，許 多的層（鈍態層passivation layer，彩色層，外層，等 等，各層係使該畫素電極和源極電極相分離）是被形成 圖案以分別地形成各光圈。在形成用於各層的一接觸 孔的情況下，則吾人必須確保出用於配向每個形成圖 案製程（each patterning process)的餘裕。結果，接觸孔 的尺寸大小是相對地大。用於接觸孔的區域通常是用 來遮擋光線。根據地，在該畫素區域中用於該接觸孔 1293399 五、 發明說明 Ο 0 的 該 域 的 百 分 比 會 隨著高 解 析的增加而增 加，其係 導 致 該 光 圈 比 是 相 對 地減少 〇 此 外 雖 然 這 並 不 受限於 此 CF-OnTFT 結 構，但是 用 於 遮 蓋 (阻擋）該 di s c 1 i n a t: ior ^發生地區的該黑色遮罩 的 區 域 的 百 分 比 仍 會 隨著高 解 度的增加而相 對地增 加 〇 根 據 該 光 圈 比 會相地 減 少〇 因 此 在 主 動 矩 陣 液晶顯 示 裝置中，即使 該CF- Οι iTFT 結 構 是 被 使 用 ，但是 如 果該局解析是 被提高而 且 —* 畫 素 間 距 變 成 窄 時，則 遮 蓋區域的百分 比會相對 地 增 加 其 係 導 致 該 光圈比 的 減少。另一方 面，如果 遮 蓋 區 域 的 百 分 比 是 小的以 便 完成高光圈比 例時，則 di S C ] [in at: i 〇 r i會變成曰』 3顯的。 本 發 明 之 說 明 爲 了 要 兀 成 上 述 問 題，本 發 明的目的是要 提供一液 晶 顯 示 裝 置 5 其 係 可 施行一 局 光圈比及其製 造方法。 此 外 本 發 明 的 另 一目的 是 要提高一液晶 顯示裝 置 其 係 可 遮 蓋 di s C 1 i n a t i 〇 η及其製造方法 0 爲 了 要 完 成 根 據 本 發明的 — 觀念的目的， 本發明所 提 供 的 — 液 晶 顯 示 裝 置包括 有 : —* 對 基 體 (1 01 20 υ； 一 液 晶 (300)， 其 係 被密封 在 此對基體（1 0 1 ，201)之間； 許 多 的 資 料 線 (1 3)和許多1 的: 掃描線（1 2 )，其係被設 置 在 該 對 基 體 (1丨 3 1 ，102)之- -的表面上而且7 泪互交叉； 開 關 元 件 (15) ，其係具有_ -6 - 一電流路徑的- 一端和一* 1293399 五、發明說明（5) 控制端，其中該電流路徑是連接至該相對應的資料線 (1 3 )，而該控制端是連接至該相對應的掃描線（丨2); 一配線（1 4)，其係連接至該開關元件（丨5 )的該電流 路徑的另一端； 一絕緣層（104至106) ’其係形成在該配線（1 4)上且 具有一接觸孔（18)，透過該接觸孔，該配線（1 4)的一端 部份（1 4 b )是被曝露出來； 一畫素電極（17)，其係形成在該絕緣層（104至106) 上而且係透過該接觸孔（1 8 )而電氣地連接至該配線（1 4) 的端部份（14b);以及 一配向膜（1 0 7)，其係形成在該畫素電極（丨1 7)上而 且與該液晶（ 3 0 0 )保持接觸； 其中該接觸孔（1 8)是形成在與一地區（其中有 d i s c 1 i n a t i ο η發生）相重疊的一位置中。 根據本發明的一觀念的液晶顯示裝置，其中該絕緣 層（1 04至1 〇6)可由許多的層疊（1 aminated)絕緣膜所組成， 該等絕緣膜（104至106)可個別地具有開口（i〇4a至 1 0 6 a )，大致說來，各開口以一逐漸縮小的錐形而形成 該接觸孔（1 8 )。 根據本發明的一觀念的該液晶顯示裝置，其中該絕 緣膜（1 〇 4至1 0 6 )可包含一鈍態膜（1 0 4 )，其係形成在該 開關元件（1 5 )上，一彩色層（1 0 5 )，其係形成在該鈍態 膜（104)上，以及一平坦膜（106)，其係形成在該鈍態膜 (104)和彩色層（1〇5)上。 —--- 1293399 五、發明說明（6) 該接觸孔（18)可包含有開口（l〇4a至106a)，其係分 別地形成在該鈍態膜（104)，該彩色層（10 5)以及該平坦 膜（1 0 6 )中，而且該等開口（ 1 〇 4 a至1 〇 6 a )大致說來是以 逐漸縮小的錐形而形成。 根據本發明的一觀念的液晶顯示裝置，其中該配線 (1 4 )可是由光阻檔材料所製成，以及 該接觸孔（18)和g亥區域（其中有disclination發生）的 至少一部份皆藉由該配線而被遮擋住。 根據本發明的一觀念的液晶顯示裝置，其中該掃描 線（1 2)和該資料線（1 3 )，其係連接有許多畫素（1 1 )，各 畫素都具有該接觸孔（18)。 在該畫素（1 1)中的接觸孔（1 8)是被設置在一平磨方 向的下游，其中該平磨方向是相對應於其它畫素 U 1)[其係相鄰於該畫素（1 1)]的該開關元件（15)。 根據本發明的一觀念的液晶顯示裝置，其中該掃描 線（12)可具有一突出部份（1 2b)，其係與該接觸孔且/或 該地區（其中discli nation會發生而且該突出部份（12b) 會遮蓋光）重疊。 根據本發明一觀念的液晶顯示器，更進一步包括有 一黑色矩陣（16)，其係與該資料線（1 3)重疊，其中該黑 色矩陣可具有一寬的部份（1 6 a)，其係與在該畫素[在 故資料線（1 3 )和該突出部份（1 2 b )之間]中的地區重疊。 根據本發明一觀念的液晶顯示器，其中該突出部份 (12b)可在該配線（14)之間形成靜電電容。 1293399 五、發明說明（7) 爲了要完成根據本發明的第二觀念的該目的，本發 明提供一液晶顯示裝置的製造方法，該液晶顯示裝置 包括有一薄膜電晶體（1 5 )，一配線（丨4 )，其係連接至該 薄膜電晶體（1 5 )，一畫素電極（1 7 )，其係電氣地連接至 該配線（14)，以及一配向膜（107)，其係形成在該畫素 電極（1 7 )上，包括的步驟有： 形成一絕緣層（1 〇 4至1 0 6 )，其係與該薄膜電晶體 (1 5 )和該配線（1 4)重疊； 在該絕緣層（104至106)中形成一接觸孔，透過該接 觸孔，該配線（14)的一末端部份（14b)是被曝露出來； 在該絕緣層（104至10 6)上形成該畫素電極，其係透 過該接觸孔（18)而與該配線（14)電氣地連接。 在該畫素電極（17)上形成該配向膜（107)， 其中形成該接觸孔（1 8)的步驟包括有在一位置中形 成該接觸孔（1 8 )，該位置係與一區域（其中有 discli nation 發生）重疊。 根據本發明第二觀念的一液晶顯不裝置製造方法’ 該絕緣層（1 0 4至1 0 6 )可包含有許多層疊的絕緣膜（1 0 4 至 106)， 形成該接觸孔（1 8)的步驟包括有，例如在該許多的 絕緣膜（1 0 4至1 〇 6 )中分別地形成開口（1 0 4 a至1 0 6 a)的 步驟。 根據本發明第二觀念的一液晶顯示裝置的製造方 法，該絕緣層（1 0 4至1 0 6 )包含有例如一鈍態膜（1 〇 4 ) ’ 1293399 五、發明說明（8) 其係形成在該開關元件（1 5 )上，一彩色層（1 〇 5 )，其係 形成在該鈍態膜（1 0 4)上，以及一平坦膜（1 〇 6 )，其係形 成在該鈍態膜（1 〇 4 )和彩色層上， 形成該接觸孔（1 8 )的步驟包括有，例如，分別地在 該鈍態膜（1 〇 4 )中形成開口（ 1 〇 4 a至1 0 6 a)，該彩色層 (1 0 5 )，以及該平坦膜（1 〇 6)的步驟，藉此，就整體而 言’以一錐形來形成該接觸孔（1 8)。 圖式簡單說明 一旦閱讀了以下的仔細描述以及各附圖後，本發明 的這些目標和其它目標會變得更加明顯，其中 第1圖是根據本發明的一液晶顯示裝置的一平面圖； 第2圖是一圖，其係例舉在第1圖中的該液晶顯示 裝置的一橫剖面結構； 第3 A圖至第3 I圖是圖，其係分別顯示出如第1圖 所示的該液晶顯示裝置的製造方法； 第4圖顯示出在解析度（definiti〇n)和接觸孔區域比 例之間的檢查結果的關係。 第5圖是一平面圖，其係根據一比較後，例舉出一 液晶顯示裝置的該結構；以及 第6圖是一平面圖，其係例舉出本發明的另一個實 例。 一、 車父佳實施例的仔細描述 以下要參考附圖來說明出本發明的該液晶顯示裝置。 0輕施例的該液晶顯示裝置是一主動矩陣液晶顯示裝 -10-
1293399 五、發明說明（9) 置（active matrix liquid crystal display device)，其係 具有一 TFT(薄膜電晶體，Thin Film Trans is tor)以做爲 一主動元件。 第1圖是根據此實施體的一單元畫素區域11 a(其係 在一主動矩陣液晶顯示裝置1 1的一 T F T基體1 0 0上） 的一平面圖。第2圖顯示出該液晶顯示裝置Η的一橫 剖面結構。該橫剖面圖會對應到沿著在第i圖中所示 的T F T基體1 〇 0的線A - A ’的箭頭方向所擷取出的一橫 剖面，沿著在第1圖的線B - B ’的箭頭方向所取出的一 橫剖面，以及第一圖中末端部份的一橫剖面。 如第2圖中所顯示的’該實施例的液晶顯示裝置j j 包括有一 TFT基體100，一相對立基體2〇〇，以及一 液晶3 0 0。 該T F T基體1 0 0和相對立基體2 〇 〇是透過一間隔物 (spaCer)(未顯示）以互相對立而設置。該TFT基體ι〇〇 的周圍部份是藉由密封材料1 〇 9而與該相對立基體 2〇〇互相結合。該液晶3 00是被塡充於一液晶細胞（被 密封邰份）（其係由該T F T基體1 〇 〇所形成），該相對立 基體200，以及該密封材料109中。 該TFT基體100其有—第—透明基體1〇1(其係由透 明玻璃，透明塑膠等等所形成）。在該第一透明基體 1 〇 1的一表面上，形成〜閘極線i 2。該閘極線丨2是 由，例如不透明金屬例如鉻，鋁，鉬等等或此等材料 -1 1 - 1293399 五、發明說明（1〇) 該閘極線1 2會以如第1圖（在該圖中的水平方向）中 所例舉出的一 X -方向而延伸，而且會彈回至單元畫素 區域1 1 a的X -方向的各邊。該閘極線1 2具有一第一 突出部12a，其係延伸至會與該TFT(其係在該圖中上 面的該單元畫素區域11a之中）重疊的一位置，且該閘 極線1 2也具有一第二突出部份1 2 b，其係以在該圖中 下面的該單元畫素區域1 1 a中的一 Y -方向而延伸。如 下所述，此第一突出部份12a會組成了一 TFT閘極電 極0 此第二突出部份12b具有一遮擋部份12ba和一電容 部份12bb。如下所述該遮擋部份12ba具有一實質上 爲方形的外形，且也會與用於一接觸孔1 〇 8的地區重 疊，以及會遮擋它。要注意的是如下所述，用於抑制 住衍生電容（parasitic capacitance)的一開口 12c是被 形成在一位置（其係爲遮擋部份1 2ba的一中央部份而 且會與一接觸孔1 8重疊）。該第二突出部份1 2 b的電 容部份1 2bb是以此一方式而形成以便具有一比該遮擋 部份12ba的寬度（其係在X方向上）更窄的寬度，同時 也能以該Y-方向而從該遮擋部份12ba延伸至該單元 畫素區域1 1 a的中心。如下所述，該電容部份1 2bb會 在源極線1 4(其係相對應於此）之間形成輔助電容。 如第2圖所例舉的，一閘極絕緣膜1 0 2是形成在第. 一透明基板1 〇 1的該表面上以及該閘極線1 2上。該閘 極絕緣膜102是由一氧化矽膜，氮化矽膜等等，或這 -12- 1293399 五、發明說明（彳1) 些材料的一層疊膜所形成ϋ 一半導體島103(semiconductoi，island)是形成在該 閘極線1 2的該第一突出部份1 2 a上的該閘極絕緣膜 1 0 2上。該半導體島1 0 3是由非結晶矽，多晶矽等等 所形成。在半導體島1 〇 3的該表面上，形成摻雜有不 純物材料，例如磷的地區。該摻雜地區是藉由一溝槽 1 〇 3 a而被分爲一源極地區域和一汲極地區。該半導體 1 0 3會與該第一突出部份1 2 a —起形成- τ F T 1 5以做 爲一閘極電極。 如第2圖中所例舉的，在該閘極絕緣膜1 〇 2上，分 別有一資料線1 3和源極線1 4形成在該閘極絕緣膜 1 02上。該資料線1 3和源極線1 4是由，例如金屬， 比如說鉻，銘，鉬等等或是這些材料的層疊膜所形 成。 如第1圖所例舉的，該資料線1 3是以該Y-方向而 延伸而且會彈回至單元畫素區域11a的Y-方向的各 面。這資料線1 3具有一汲極電極部份1 3 a (其係以該 X -方向而延伸至在該單元畫素區域11A中的TFT15)。 如第2圖所例舉的，該汲極電極部份〗3 a會與TFT 1 5 的半導體島103的一摻雜地區接觸（在第2圖的右手邊 上的汲極地區），藉此形成T F T 1 5的該汲極電極。 該源極線1 4實質上是形成在單位畫素區域1 1 a (其 係以該Y·方向而延伸以便與閘極線1 2的該第二突出 部份1 2 b相對立）的中心上。源極線1 4的一末端1 4 a是 連接至半導體島1 0 3的該源極地區而且也做爲τ F T 1 5 1293399 五、發明說明（12) 連接至半導體島103的該源極地區而且也做爲TFT 15 的〜源極電極。源極線1 4的另一末端1 4b是被放置在 與一開口 12c(其係爲該第二突出部份i2b所圍繞且係 透過該接觸孔1 8而連接至一畫素電極1 7)重疊的該位 置上。 要注意的是，該源極線1 4是被設置在該單位畫素區 域1 1 a的中心中而且與該閘極線1 2和資料線1 3分 開’使得短路發生的可能性是相對地低。 如弟2圖中所例舉的，在該閘極絕緣膜1 〇 2上，一 鈍態層1 04是被形成以遮蓋住該資料線丨3，源極線 14’半導體島1〇3，等等。該鈍態層1〇4是由氧化 砂，氮化矽，等等，或是這些材料的層疊膜所形成。 此外，在該·鈍態層1 0 4上，形成一彩色層1 〇 5。該 如色層1 0 5是由，例如光敏樹脂（p h 〇 t 〇 s e n s i t i v e r e s i η ) 等等所製成，而且是形成在該鈍態層1 0 4上。該彩色 層1 〇 5是一個接著一個而被提供以用於每個單元畫素 區域1 1 a，而且使用紅，緣以及藍任何顏色以對彩色 層1 0 5上色。 在該彩色層105上，形成一黑色矩陣16。該黑色矩 陣是由光遮擋（不透明）材料，例如樹脂材料（其中碳粒 子是被驅散（dispersed)開）所製成。如第1圖所例舉 的，該黑色矩陣1 6會與該資料線1 3重疊，而且是比 該資料線13更寬而被形成，以及遮蓋（mask)住該資料 線1 3以抵抗一背光照明。 -14- 1293399 五、發明說明（13) 此外，該黑色矩陣1 6具有一第一寬部份1 6 a和一第 二寬部份1 6b，此兩者皆以該X-方向而突出。該第-寬部份16a是用來與該TFT 15形成區域重疊。該第二 寬部份1 6b是用來部份地與該閘極線1 2的第二突出部 份1 2 b的該遮擋部份1 2 b a重疊，而且也用來遮蓋住在 該資料線1 3和源極線1 4的另一末端1 4b之間的一溝 槽（gap)。 一全面塗佈層1 06是以此一方式而形成以便遮蓋住 該彩色層1 〇 5以及黑色矩陣1 6。該全面塗佈層1 0 6是 由透明樹脂等等所形成，此外，它的表面是平坦的。 在該全面塗佈層上，形成一畫素電極17。該畫素電 極是由透明傳導材料，例如ITO (銦錫氧化物）所製 成。 該畫素電極1 7是透過該接觸孔1 8而電氣地連接至 該源極線1 4。該接觸孔1 8是透過該鈍態層丨〇4，彩色 層1 0 5以及全面塗佈層1 〇 6而形成。如第！圖中所例 舉的’ 5亥接觸孔1 8是在一位置（其係與該源極線1 4的 該末端部份1 4 b重疊）上而形成，而且具有例如一實質 上爲方形外形的橫剖面。 吾人亦需要使接觸孔1 8的該形成地區被遮蓋住，其 係類似於TFT 1 5，資料線1 5，以及類同物。在此，該 源極線1 4是由一光遮擋金屬所形成，而且該接觸孔 1 8是藉由該源極線1 4的末端部份丨4b而被遮蓋住 (shielded)。 -15- 1293399 五、發明說明（14) 如第2圖中所例舉的，該接觸孔1 8包括有鈍態層 1 0 4的一開口 1 〇 4 a，彩色層1 〇 5的一開口 1 〇 5 a，以及 全面塗佈層1 〇 6的一開口 1 0 6 a。此等開口 1 〇 5 a和 l〇6a皆以漸漸縮小的外形（圓錐形）而形成。此外，彩 色層1 0 5的開口 1 〇 5 a的一側壁是被塗覆有該全面塗佈 層106而不會與該畫素電極17接觸。 在該畫素電極17和全面塗佈層106上，形成一配向 膜107。該配向膜107是由一 polyimide樹脂等等所製 成。該配向膜1 07的表面是受到配向（定方位 〇 r i e n t a t i ο η)處理’例如平磨（r u b b i n g )至一預定方向。 此配向膜1 0 7會與在一預定方向上的液晶分子對齊 (align)。 此外，一極化板108是被固定在TFT基體1〇〇的另 一表面上。 另一方面，該相對立基體200包括有一第二透明基 體201，相對立電極202，以及配向膜2 03。 該第二透明基體2 0 1是由透明玻璃，塑膠，等等所 製成。 該相對立電極202是由透明傳導材料，例如it 〇所 形成’而且是被放置在該第二透明基體2 01的一表面 上以便與在TFT基體100上的畫素電極17相對立。 此配向膜3 0 3是形成在該相對立電極2 02上，而且它 的表面是受到配向處理，例如平磨（rubbing)等等。 爲了要驅動該液晶顯不裝置1 1，一驅動迴路（未顯 -16- 1293399 五、發明說明（15) 示）會連續不斷地施加一閘極脈衝（gate pulse)至該閘極 線1 2，而且也會施加電壓的一資料信號[其係相對應 於顯示等級（display grad at ion)]至該資料線13以便能 實質地與該閘極脈衝同步。連接至該閘極線1 2 (其係 接收（選擇時）該閘極脈衝）的T F T 1 5是被觸發 (activated)。在此點上，施加至該資料線丨3的該電壓 會透過該汲極電極1 3 a ’半導體島1 〇 3，源極電極 1 4 a，源極線1 4，末端部份1 4 b，以及接觸孔1 8而被 施加至該畫素電極1 7。 當該閘極脈衝是被關閉時，則T F T 1 5不會被觸發。 在此點上，施加至該畫素電極1 7的該電壓是被保持在 介於該畫素電極1 7和該相對立電極2 0 2之間的電容 中，而且也在介於該源極線1 4和該閘極線1 2的電容 部份1 2b之間的該輔助電容中。 結果，在一下一次選擇的時間之前，相對應於該顯 示等級的一電壓是被施加至每個單元畫素區域1 1 a的 液晶3 0 0，該液晶3 0 0是以一所需的定方定而配向， 而且具有一所需等級（grad at ion)的彩色層1 05的該彩 色是被顯示出來。 在上述的液晶顯示裝置1 1中，在配向膜1 〇 7的該表 面上，存在有藉由平磨而受到不平坦配向處理的地 區。在此地區中，當執行該顯示操作時’則會發生所 謂的 d i s c 1 i n a t i ο η 〇 例如，如第1圖中所例舉的，該平磨方向是如藉由 -17- 1293399 五、發明說明（π) 出的方向。在此情形下，在形成其它的單位畫素區域 1 1 a(其與第1圖中所示的該單元畫素區域i i a相鄰近） 的地區的該TFT中，因爲與其它部份相比較，該表面 突出’所以平磨的程度是劣於在磨平的下游處（在第1 圖中的單位畫素區域丨丨a，左上方地區），而且在液晶 分子上的配向限制力（alignment restriction power)是 小於其它地區的配向限制力。 介於各區域（其係具有不同的配向限制力）中的邊界 會出現以做爲，例如，一配向亂度線1 9(其係從在第1 圖中單元畫素地區1 1 a的右上方部份到在液晶操作的 任何時刻下的左下方部份而形成）。 在此實施例中，如第1圖中所例舉的，該接觸孔1 8 是形成在與有disclination發生的該地區（其中有配向 亂度線1 9出現）相重疊的該位置上。所以，該接觸孔 1 8是以相對應於在其它單位畫素區域1 1 a(其係與該所 顯示的單位畫素區域1 1 a相鄰近）中的該TFT的一平磨 方向而被設置在一下游處。根據此結構，不祇該接觸 孔18而且disclination發生的區域皆被遮蓋住（遮擋 住）。根據地，與此案例（其中用於遮蓋住該接觸孔的 一遮擋部份和用於配向亂度線1 9的一遮擋部份是分別 地被提供）相比起來，此顯示區域能被確保在高程度 上，而且也能獲得一較高的光圈比。 此外，在此實施例的結構中，黑色矩陣1 6的第一寬 部份1 6 a是被設在該源極線1 4的末端部份1 4 b和相鄰 -18- 1293399 五、發明說明（17) 部份1 6 a是被設在該源極線1 4的末端部份1 4 b和相鄰 的資料線1 3之間。所以，在該源極線1 4和資料線1 3 之間的配向亂度線1 9甚至會藉由該黑色矩陣1 6的第 ~寬部份1 6 a而被遮擋住。此外’配向亂度線1 9的另 一端（單位畫素區域1 1 a的右上方）會與該閘極線1 2相 重疊，根據地，配向亂度形成區域（配向亂度線1 9)的 全部是藉由該源極線1 4，閘極線1 2 ’以及黑色矩陣 1 6而被遮擋住。因此，與該案例（其中用於遮擋住該 配向亂度線1 9的結構是從該源極線’閘極線，源極線 分離開）相比起來，更能確定一高光圈比。 以下要隨著附圖第3A圖至第31圖來說明出用於製 造出上述結構的液晶顯示裝置1 1的方法。要注意的是 以下所顯示的製造方法祇是一例子，而且如果能獲得 類似的結果時，則可使用任何的製造方法。此外，所 使用的材料並不受限於以下所述的。 第一，由鉻等等所製成的一金屬膜是形成在第一透 明基體1 0 1的該表面上，而且該金屬膜是被形成圖案 (p a 11 e r n e d )以形成該閘極線1 2，如第3 A圖中所例舉 的。其次，如第3 B圖中所例舉的，一絕緣膜（閘極絕 緣膜1 0 2 )，例如氧化砂膜等等，是形成在其上。 然後，如第3 B圖所例舉的’具有一摻雜地區的該 半導體島1 〇 3 (其係由非晶矽等等所製成）是形成在該閘 極絕緣膜1 〇 2上。該半導體島i 〇 3是藉由沈積該半導 體層，使用不純物來摻雜該半導體層以及使該半導體 -19- 1293399 五、發明說明（18) 層形成圖案而被形成。 接下來，如第3 C圖所示，由鉻等等所製成的金屬 層1 1 〇是形成在該閘極絕緣膜1 02上。其次，如第3 D 圖所示，該金屬層1 1 〇是藉由微影成像技術等等而被 印上圖案以便形成上述的資料線1 3和源極線1 4。同 時’該溝槽1 〇 3 a (其係把該半導體島1 〇 3分成該源極地 區和汲極地區）是形成在該半導體島1 03上。$ 其次，如第3 E圖中所例舉的’由氧化矽膜等等所 製成的鈍態層1 Q 4和樹脂層1 0 5依序皆形成在該鬧極 絕緣膜1 02上以便遮蓋住該資料線1 3及類同物。 之後，該樹脂層105是藉由等向蝕刻（is〇tropic etching)而被形成圖案以具有一越來越小（taper)的側壁， 而且被區分以用於各畫素。接下來，該樹脂層1 0 5是以 RGB的任一個而著色（colored)以便形成該彩色層1 〇5。 要注意的是，在該鈍態膜1 〇 4上形成該開口 1 〇 4 a之 後，該彩色層1 05可藉由印刷（printing)等等，而被形 成。其次，如第3 F圖中所例舉的，一開口 1 〇 5 a是被 形成在該彩色層105中。在此，各開口 l〇3a，104a是 藉由個別的微影成像製程而被形成，而且彩色層1 0 5 的該開口 1 0 5 a是被形成以具有一逐漸縮小的側壁。 接下來，一遮擋膜是形成在該彩色層1 05上而且被印 上圖案以便在上述的外形中形成該黑色矩陣1 6。接下 來，如第3G圖中所例舉的，一樹脂溶解膜是藉由旋轉塗佈 (spin coating)等等而形成在該鈍態層1 04上，而且所產生 -20- 1293399 五、發明說明（1 9 ) 佈層1 06是由透明樹脂材料（其係具有高的平坦效果， (high flattening effect)所製成，此效果會使不規則平 坦化，由於該彩色層1 0 5和黑色矩陣1 6之故。然後， 開口 1 0 5 a是藉由等向蝕刻等等而被形成在該平面塗佈 層1 0 6上。該開口 1 0 5 a是以此方式而被形成以便遮蓋 住該彩色層105的開口 105a的側壁，而且以便具有一 逐漸縮小的表面。以此方式，具有開口 l〇3a，104a， 1 〇 5 a的接觸孔1 8是被形成。 接下來，如第3 Η圖中所例舉的，一透明傳導膜， 例如ΙΤΟ等等是形成在該全面塗佈層106上以便透過 接觸孔18[藉由濺鍍（sputtering)]而與該源極線14接 觸。該透明傳導膜是被印上圖案，使得在各畫素地區 中能形成有畫素電極1 7，此畫素電極1 7是透過該接 觸孔1 8而與該源極線1 4接觸。 接下來，由樹脂等等所製成的配向膜107是形成在 該畫素電極17上，而且它的表面是被平磨以提供配向 製程。此外，密封元件1 09是被設置在該液晶顯示裝 置的末端周圍。而且，該極化板1 〇 8是被設置在第一 透明基板1 〇 1的另一表面上。以此方式，可製造出如 第31圖中所例舉的該TFT基體100。 接下來，因此所製造出的TFT基體100是與該相對立基 體200相對立而設置[以此方式而分別地夾住該間隔物（未顯 示）]，使得各配向膜1 07皆能相對應於此。然後，該液晶 3 00是被塡充於此兩基體之間。以此方式，可製造出 —-— -21 - 1293399 五、發明說明（20) 3 〇 〇是被塡充於此兩基體之間。以此方式，可製造出 如第2圖中所例舉的該液晶顯示單元n ^ 在上述的液晶顯示裝置方法中，該接觸孔1 8是藉由 形成該開口（其係與該鈍態層1 0 4，彩色層1 〇 5以及全 面塗佈層1 06分離開）而被形成。爲了此理由，配向必 須具有此三個光遮罩（photo masks)中的每一個。如果 在設計此三個光遮罩時有考慮到在配向上的錯誤時， 則該接觸孔1 8的直徑會有增加的趨勢。然而，在此實 施例中，該配向亂度發生地區會與接觸孔1 8的該形成 地區互相重疊，此能避免在該顯示區域中的減少而且 也能實行該高光圈比，與該案例（其中該接觸孔是從該 配向亂度形成地區中分離地形成）相比較起來。 此外，在該光敏樹脂是被使用爲彩色層1 0 5的情況 下時，則當該光敏樹脂是被曝露或者該光敏樹脂膜等 向地溶解於一顯影溶液時，會有光繞射（light diffraction)發生。爲了該理由，例如，與在一無機機 膜是被蝕刻的情況下比較起來，接觸孔1 8的直徑則有 增加的趨勢。然而，在此實施例中，該接觸孔1 8是被 形成以與該配向亂度發生地區重疊，即使該接觸孔1 8 的直徑是相對地大，但是仍然能實施一相對地高的光 圈比。 (實例） 申請人藉由檢查在該畫素間距和接觸孔1 8的區域比 例之間的關係而硏究出隨著高解析度在光圈比中之降 低。此結果是如在第4圖中所示。 -22- 1293399 五、發明說明（21) 第4圖顯示出硏究該液晶顯不裝置的結果，其中言亥 接觸孔1 8並不是與該配向亂度1 9重疊，如第5圖中 所示。在第5圖中所例舉的結構實質上具有與第丨圖 中所例舉的相同結構，除了接觸孔1 8的位置以外。 此外’在第5圖中’不管畫素的尺寸大小，吾人假 定該接觸孔18具有一方形橫剖面而且具有14μιηχ 1 4 μ m的外徑。當該鈍態層1 0 4的開口的外徑是8 μ m X 8μιη時，而且該全面塗佈層106的重疊餘裕 (ο ν e 1· 1 a p p i n g m a 1· g i η)的每一邊和該彩色層 1 〇 5 是 1 · 5 μΐϋ時，則可獲得此外徑値。同時，吾人假定具有·一 1 96 μιη2橫剖面的接觸孔1 8會在該單位畫素區域丨j a 中存在。 如果佔有該畫素區域的接觸孔1 8區域的百分比是被 設定至接觸孔1 8的區域比時，則接觸孔1 8的區域比 是如下所示而計算出來： 更特別的是，具有1 〇 〇 // m X 1 0 0 // m尺寸大小的各 畫素（其會顯示紅，藍，以及綠色）是互相結合以便產 生彩色顯示。例如，在該畫素間矩是3 0 0 μ m的情況 下，0.65%(其係爲在100μηιχ 3 00 μηι的畫素尺寸大小 和196μπι2的該接觸孔區域之間的比例）是被計算爲每 個畫素的接觸孔1 8的一區域比例。以此方式，該畫素 間矩，解析度以及接觸孔1 8的區域比可被計算出，如 第4圖所示。 在解析度小於1 〇 〇 d p i ( d 〇 t p e r i n c h)如第4圖中所例 -23- 1293399 五、發明說明（22) 下。這是因爲當解析度是低的時’則該接觸孔1 8是與 該閘極線1 2或資料線1 3重疊，其係使得接觸孔1 8的 尺寸大小並不會依靠著該實際的光圈比（ac tual aperture ration) 0 然而，在解析度超過1 5〇dpi的情況下時，則該配線 會變薄，而且此使完全地遮蓋住該接觸孔1 8變爲可 tb ° 爲了此理由，在該畫素間矩是大約1 2 6 // m而且解 析度是200dpi的情形下時’則接觸孔18區域之貢獻 會達到該畫素區域的3.7%，而且這是如此的大使得以 光圏比的計算觀點來看，它不能被忽略。 根據地，至於解析度超過200dpi時，則會有要提供 有用於遮蓋住配向亂度的該遮擋地區之要求。即，在 該畫素間距是大的情況下時，則配向亂度可藉由該配 線而被遮蓋住。然而，配線的寬度會隨著小型化而變 得更薄，其導致在該顯示地區中會出現有配向亂度。 雖然此需要有用於遮蓋住有配向亂度發生之地區的該 結構，但是如果此一結構是被提供時，則該光圈比會 減少。因此，吾人需要有用於遮擋有配向亂度發生的 地區之方法而不會減少該光圈比。 在此，當該地區（其中所發生的配向亂度是透過使用 如第5圖中所示的結構而藉由該源極性1 4，閘極線部 份1 2以及黑色矩陣1 6而被遮蓋住）時，則吾人可估計 出所獲得的效果。要注意的是該畫素間距是1 26μιιι，接觸 孔1 8的橫剖面的外徑是8 μπιχ 8 μιη，以及各層的配向餘裕 是1 ·5μηι。此項估計顯示出，依據第1圖的結構（其中配向 -24- 1293399 五、發明說明（2 3 ) 亂度線1 9與該接觸孔1 8重疊），該光圈比是改善了 5 . 5 %，與在第5圖中的該結構比較起來。同時，因爲 該光圈比大約爲4.0 %，所以該光圈比可相對地改善了 大約1 3 : 8%。此結果顯示出該結構（其中該配向亂度發 生地區與該接觸孔1 8的形成地區重疊）可實行該高光 圈比，即使是在大約2 0 0 dpi的高解析度的情況下。 如上所述，根據此實施例，在此實施例中有此結構 (其中接觸孔1 8的形成地區與該亂度發生地區互相重 疊）。根據此結構（其係使用一般元件來遮擋住有一地 區），則與使用該一般遮罩元件的情形比較起來，此結 構更能獲得一更高的光圈比。 此外，上述結構是更能夠有效地使用於解析度是高 的，例如200dpi或更少的情況中。即，在解析度是高 的而且在該畫素中的接觸孔地區是無法被忽略的情況 下時，則使用上述結構可以獲得該高的光圈比。特別 是，在該CF-OnTFTl 5的結構（其係用來分別地形成在 該許多層上的開口）上，用於確保出該配向餘裕的接觸 孔1 8的直徑則要增加。根據地，該上述結構可有效地 使用於抑制該光圈比中的降低，即使解析度有所提升 的話。 以上說明出本發明的較佳實施例。然而，本發明並 不受限於上述實施例，而且可在不遠離本發明的廣大 的精神和領域中，可做出各種變化和添加。 -25- 1293399 五、發明說明（24) 在上述實施例中，穿透過源極線1 4的寬末端部份 1 4 b的該接觸孔1 8是被形成。然而’源極線1 4的外 形和接觸孔1 8的位置並不受限於上述實例，而且如果 在該閘極線1 2和源極線1 4之間形成有電容，而且用 於該接觸孔1 8和配向亂度的地區可有效地被遮擋住。 例如，如第6圖所例舉的，該源極線1 4可被形成以便 不祇與該閘極線1 2的第二突出部份1 2b重疊而且也與 該其主要線（main line)重疊。在此結構中，用於接觸 孔1 8且/或配向亂度的各地區是藉由該閘極線1 2的主 要線而被遮蓋住。 此外，在上述的實施例中，該鈍態層1 04是被形成 在該資料線1 3上。然而，即使在該結構中並不具有鈍 態層1 04，但仍可獲得相同的效果。 另外，在上述的實施例中，該平磨是以如第1圖中 所例舉出的平磨方向而實施，同時也例舉出所發生的 配向亂度。然而，即使該平磨方向是另一個方向，而 正該亂度配向線1 9是形成在與該第1圖位置的不同的 位置上，但是仍可以應用本發明。在此情形下，例 如，如果配向亂度在畫素地區的另一個角落上時，則 該接觸孔1 8是被形成以與發生的位置重疊，使得理所 當然，可完成本發明之效果。 另外，在上述的實施例中，用於把TFT15連接至該 畫素電極1 7的接觸孔1 8是被形成。爲此，藉由接觸 孔1 8，該光圈比中的降低可被最小化。然而，當然，本 -26- 1293399 五、發明說明（25) 發明也應用至形成有許多接觸孔的情況下。 另外，該主動元件（開關元件，s w i t c h i n g e 1 e m e n t)可 以不祇是TFT15而且也可以是MIM，二極體，等等。 此外，TFT15可以是此一前進交錯式（f〇rward staged type)使得該閘極電極是被定位在該第一透明基板 1 0 1 (其係緊靠著該半導體層）的相對立邊上，而不是一 逆向交錯式（reverse staggered type)。 此外，藉由使用所謂的CF-On TFT結構（其中該彩 色層105是形成在該TFT基體100上）來說明出上述實 施例。然而，本發明可被使用於該結構（其中該彩色層 1〇5是形成在該相對立基體200上）。也就是說，如果 接觸孔1 8的形成地區和配向亂度形成地區是相互重疊 而設置時，則本發明可被應用於任何的液晶顯示裝 置。 此外，在本發明中已說明出的該案例（其中該主動矩 陣液晶顯示裝置是被應用於一垂直電場式（vertical electric field type)的該主動矩陣液晶顯示裝置）。然 而，本發明可被應用於其它液晶顯示裝置，例如簡單 主動式液晶顯示裝置，鐵電液晶顯示裝置，聚合物傳 播式（polymer dispersion type)。液晶顯示裝置或 IP S (I η P 1 a n e S w t c h i n g)式液晶顯示裝置。 在不需要遠離本發明的寬度精神和領域下，就可對 本發明做出各種不同的實施例和改變。上述實施例祇 不過是例舉出本發明，而不是限制本發明的領域。藉 -27- 1293399 五、發明說明（27) 103…半導體島 103a...溝槽 104，105，106 …層 / 膜 104a，105a，1 06a...開口 1 05…層 1 07…配向膜 108...極化板 10 9...密封元件/密封材料 1 10...金屬層 200…基體 201 ...基體 202…電極 2 0 3…配向膜 3 0 0...液晶 -29-