TWI292855B - Antireflective hardmask composition and methods for using same - Google Patents

Description

1292855 九、發明說明： 【►明戶斤屬才支系好々貝】 發明領域 本發明係關於具有抗反射性質之微影製程硬質光罩組 5成物，且更特別是本發明硬質光罩組成物係包含於例如 I57、193及2M奈米之電磁光譜短波長範圍内具有高度吸收 性之聚合物。

C先前技術;J 發明背景 10 田;小型微機電裝 ▼ q…叩 囚此微機電及其 他相關工業中存有-需求是降低結構形狀尺寸。就此項需 求而吕’必須使用有效的微影技術來達成降低微機電結構 尺寸。 15 20 照射二露-灿 些〜:咖案：一生= 底層之材料可經_穿==。其後，位於光阻劑 -底層基材上。於圖案轉移之;，孔來將-圖案轉移至 阻劑。 後，可移除該殘餘部分之光 就李乂么微影解析度而言 來使該介於-例如—光敏心^吏用—抗反射塗層(ARC) 射降至最低。然而，於某些微=像層與一底層之間的反 提供足以將所欲圖案有像製財，光阻劑無法 得私至一光阻劑底層之蝕刻抗 (§) 6 1292855 性。因此’一被稱為硬質光罩會呈有如一中間層來被施力 於圖案光阻劑層與欲形成圖案底層材料之間。此硬質光罩 層會接收該來自圖案光阻劑層之圖案，且此層體將能夠耐 受蝕刻製程所需求之將圖案轉移至底層。 5 雖然已知數種硬質光罩材料，然而仍存有一改善硬質 光罩組成物之需求。由於傳統硬質光罩材料通常難以被施 加於基材上，因此會需求使用特定溶劑及/或高溫烘培來進 行化學及物理氣相、;儿積。一所欲之硬質光罩組成物是可以 由旋轉塗佈技術來施加且不需要使用高溫烘焙者。一亦為 10所欲之硬質光罩組成物是在能夠耐受兹刻製程所需求之將 圖案轉移至底層之下，仍可容易地對底層光阻劑進行選擇 性蝕刻者。一更進一步所欲之硬質光罩組成物是能夠提供 優良的貯存性質且能夠避免與一影像光阻劑層進行不欲交 互作用者。一亦為所欲之硬質光罩組成物係特別是具有例 15如157、I93及247奈米之短波長照射抗性者。 c發明内容3 發明概要 於某些本發明具體例中，抗反射硬質光罩組成物係包 含： 20 ⑻一聚合物組份，其包含至少一聚合物，該聚合物具 有一具有化學式(I)之單體單元 一 1292855

其中 心及112可以各自獨立是氫、羥基、Cho烷基、C6_10芳 基、稀丙基、_素或任一由此等所組成之組合； 5 R3及R4可以各自獨立是氫、一交聯官能基、一色基或 任一由此等所組成之組合； R5及R6係各自獨立是氫或一具有化學式（π)結構之烷 氧基矽氧烷，其中於至少一具有化學式(I)之單體單元中， 至少一 R5及116是該具有化學式(II)結構之烷氧基矽烷；

其中 R8、R9及R1G可以各自獨立是氫、烷基或芳基；且X是0 或一正整數； R7可以是氮、Ci_i〇烧基、C6-10芳基或卸丙基，且 15 η是一正整數； (a) —交聯組份；以及 (b) —酸催化劑。 於某些本發明具體例中，用以於一基材上形成一圖案 材料層之方法係包含： (§) 8 1292855 (a) 於一材料層上形成一抗反射硬質光罩層，其中該硬 質光罩層係包含一本發明具體例組成物； (b) 於該抗反射硬質光罩層上形成一照射致敏影像層； (c) 曝露該影像層來進行照射； 5 (d)顯影該影像層及該抗反射層來部分曝露該材料層； 以及 (e)蝕刻該部分曝露材料層。 於某些本發明具體例中，係提供一使用一本發明方法 製造之半導體積體電路。 10 【實施方式】 較佳實施例之詳細說明 本發明將於下文進行更詳細描述。雖然本發明具體例 可以呈多種形態，然而本發明將不受限是下述具體例。相 反地，本發明是由提供這些具體例來使本發明揭露内容更 清楚及完整，以及完整地將本發明範傳呈現給那些熟習技 術人士。 可以被瞭解的疋，當一元件或層體被描述是“位於另一 兀件或層體上’時，該元件或層體可以直接設置於其上、連 結或搭接另-元件或層體，或者其間可以存有交接元件或 2〇層體才目反地，當一元件或層體被描述是“直接設置於其 上直接連結或“直接搭接，，另一元件或層體時，其將不 存有任何交接元件或層體。於本案全文中，類似標號是指 稱類似元件。當被使用於本案時，術語“及/或，，係包含任何 及所有由一或數個相關列述項目所組成之組合。 9 1292855 本案使用術語係僅供達成描述特定具體例之目的而不 意欲用以限制本發明内容。當被使用於本案時，除非另有 指明，表達單數形態之“一個，，、“一種，，及“該種，，皆意欲包含 複數形態。可更進一步瞭解的是當術語“包含，，被使用於本 5案時，其係特定指示所述特徵、實體、步驟、運作、元件 及/或組份之存在，但其並不指示一或數種其他特徵、實 體、步驟、運作、元件、組份及/或其群組之存在或可添加 性。 除非另行定義，本案所使用之所有包含技術及科學術 10語皆具有等同該普遍為一習知本發明相關技術人士所瞭解 之含意。可以更進一步被瞭解的是，就例如那些已被定義 於常用字典中之術語而言，解釋必須具有一符合其參照相 關技術内容所具有之含意，且除非本案另行明確定義，此 解釋將不呈一理想化或過度正式之形式。 15 當被使用於本案時，術語“炫基，，是意指具有1-12個碳原 子且具有單一鍵價之直鏈、支鏈或環狀碳氫化合物基團。 於某些具體例中，烷基可以是一“低分子量烷基，，，其中該 烷基基團具有1-4個碳原子。低分子量烷基實例可以包含： 甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基及類似基團。 20 術語“芳基，，是意指一具有單一鍵價之芳族基團，其可 選擇性包含1-3個融合該芳基且係例如環烷基之額外的 環。芳環可選擇被甲基、苯基、羥基、環氧基、烷氧基或 酉旨基團取代。 術語“Cx”，其中X是一整數，此術語將於本案被烷基及 10 -1292855

» I 芳基基團使用來意指一具有X個碳原子之烷基或芳基。因 - 此，例如一 C5烷基是意指任一具有5個碳原子之烷基，一 C6-C1G芳基是意指任一具有6-10個碳原子之芳基。 ' 術語“烯丙基，，是意指一CH2CH=CH2基團。 5 術語“鹵素’’是意指一例如-F、-C1、-所或-1之鹵素基團。 術語“烷氧基矽烷基團”是意指任一Si-〇-R基團，其中 一連接一烷基之矽原子係於本案被定義是經由一氧原子。 • 烧氧基矽烧基團實例係包含四乙氧基矽基及四丁氧基石夕 基。當被使用於本案時，術語“烷氧基矽烷基團，，亦包含該 1〇 具有化學式(II)之基團’其中Rs'R9及Rio可以各自獨立是 氫、烧基或芳基。

術語“交聯組份”是意指一化合物，該化合物係包含一 可與本發明聚合物之交聯官能基進行反應之聚合物，因此 15 交聯組份之功用是交聯聚合物。交聯可以形成於同一形態 聚合物之間’或者可以形成於不同形態的聚合物鏈之間。 交聯組份實例可以包含：化胺基樹脂，例如甲基化蜜胺 樹脂及甲基化蜜胺樹脂，實例是例如可購自Cytec Industries, Inc·之N-曱氧基曱基或N-丁氧基甲基蜜胺樹脂；醚化尿素樹 20 脂，例如甲基化尿素樹脂及甲基化尿素樹脂，實例是cyrnel U-65及UFR 80 ;甲基化/丁基化二醇脲化合物，實例是例如 可購自 Cytec Industries，Inc.之Powderlink 1174;如加拿大專 利案第1，204,547號所述之化合物，該案在此以其全部内容 11 1292855 體例中，氮則僅以一例如一酚噻畊之去活化胺基氮的形態 存在。 術語“任一由此等所組成之組合”是意指一存有兩種或 數種列述組份之具體例。當術語“任一由此等所組成之組 5 合”被使用來列述例如一可能之酸催化劑組份時，其係意指 可以組合使用兩種或數種被列述之酸催化劑。再者，當此 術語被使用來列述官能基基團時，其係用以包含該等兩官 能基可以獨立存在之具體例，以及用以包含該等組合使用 官能基之具體例。例如，一列述“氫、羥基、芳基、烯丙基、 10 A素及任一由此等所組成之組合”是意指任何一種由包含 例如芳基烧基、烧基芳基、經烧基、經芳基、1¾烧基、鹵 芳基及類似基團取代基所組成之組合。 於某些本發明具體例中，抗反射硬質光罩組成物係包 含： 15 (a)—聚合物組份，該組份包含至少一聚合物，該聚合 物具有一具有化學式(I)之單體單元

其中 1及112可以各自獨立是氫、羥基、烷基、芳基、烯丙 20 基、鹵素或任一由此等所組成之組合； 13 1292855 r3及r4可以各自獨立是氫、一交聯官能基、一色基或 任一由此等所組成之組合； R5及R6係各自獨立是氳或一烷氧基矽烷基團； R7可以各自獨立是氫、烷基、芳基、烯丙基或任一由 5 此等所組成之組合；且η可以是一正整數； (b) —交聯組份；以及 (c) 一酸催化劑。 本發明聚合物組份可以由呈任何一種比例來包含該具 有化學式(I)之單體單元，其中該具有化學式(I)之單體單元 10 可以呈一均聚物存在，或者呈任何一種對比任一其他單體 單元之比例存在。於共聚物中，具有化學式(I)之單體單元 及其他共聚單體單元可以呈任何一種順序存在，且此順序 可以是隨機、單一或任何其他順序形式。一包含一單體單 元具有化學式(I)之聚合物亦可以由掺合其他聚合物來形成 15 本發明聚合物組份。於某些具體例中，聚合物組份係主要 是由一具有化學式(I)之單體單元所組成。 於某些本發明具體例中， 1及112可以各自獨立是氫、羥基、CM()烷基、C6_10芳 基、烯丙基或鹵素； 20 R3及R4可以各自獨立是氫、一交聯官能基或一色基； 115及116二者皆是氫；且 R7可以是氫、Chg烷基、C6_1()芳基或烯丙基。 進一步地，本發明某些具體例中，η可以是1至約190 範圍中之一整數。 14 1292855 於本發明其他具體例中， 心及112可以各自獨立是氫、羥基、Cho烷基、C6_10芳 基、烯丙基或1¾素； R3及R4可以各自獨立是氫、一交聯官能基或一色基； r5&r6二者皆是氫或一具有化學式(II)結構之烷氧基 矽氧烷，其中於至少一具有化學式(I)之單體單元中，至少 一 R5及R6是具有化學式(II)之烷氧基矽烷；

,—〇—j—Ri〇 (ιι) 〇Rg Λ 其中 10 R8、R9&R1()可以各自獨立是氫、烷基或芳基；且X是0 或一正整數 R?可以是氫、Cmo烷基、C6_1()芳基或烯丙基；且η是一 正整數。 於某些具體例中，R8、尺9及1〇可以各自獨立是甲基、 15 乙基、C3_1()烷基或C6_1()芳基；且X是一落在由0至大約100之 範圍内的整數。 於某些本發明具體例中，當一具有一單體單元具有化 學式(I)之聚合物的分子量低於5,000克/莫耳時，其玻璃轉變 溫度會低於烘烤溫度，因此可能會由於發生硬質光罩層與 20 底層光阻劑進行交互混合而導致加工瑕疵。然而，當一包 含一單體單元具有化學式(I)之聚合物的分子量高於15,000 克/莫耳時，硬質光罩組成物會難以將其本身包埋入例如接 觸孔之相當深的孔洞内。因此，於某些具體例中，該包含 15 !292855 之厚度來進行旋轉塗佈。其後硬質光罩組成物可以例如一 落在大約100-300〇C範圍内之溫度來進行烘烤，且藉由歷時 一落在大約10秒-10分鐘範圍内之時間來形成_硬質光罩 層。接續可以於硬質光罩層上形成一照射致敏影像層。其 5後照射致敏影像層可以藉由照射曝露部分光阻劑來於影像 層上形成一圖案。其後，影像層及抗反射硬質光罩可以由 進行選擇性移除來曝露部分之材料層。其後可以進行钱 春刻。於某些具體例中，乾燥钱刻是使用一例如三氟甲烧/四 氟化碳(CHFVCF4)混合物之氣體來施行。於形成一圖案材 10 料層之後，可以使用一常用之光阻劑去除劑來移除其餘之 光阻劑。 因此，本發明硬質光罩組成物及所產生之微影結構可 供半導體製造使用來製造及設計積體電路裝置。本發明具 體例組成物及方法可以被使用來例如用以形成具有圖案之 15材料結構，此種結構實例是金屬線路、接觸孔及例如鑲嵌 泰槽溝及淺溝分隔之偏壓絕緣區段以及用於電容器結構之槽 溝。因此，某些本發明具體例係提供一由參照一本發明方 法所製成之半導體積體電路。 現在，本發明將參照下列實施例來進行更詳細之描 2〇述。無論如何，這些實施例是僅用以達成闡釋之目的，且 不可以由限制本發明範疇來解釋。 實施例 合成化合物1 於一配備一機械攪拌器、一冷凝器、一300毫升滴液漏 18 1292855 斗及氮氣進料管線之1公升四頸燒觀内，由歷時1〇分鐘及氮 氣供應入燒瓶來擾拌8.31克(〇·〇5莫耳)之丨，4^ (甲氧基曱基) 苯、0.154克(0.001莫耳）之硫酸二乙酯及2〇〇克之γ 丁醯内 酯。由歷時30分鐘來將一配製於2〇〇克7_丁醯内酯之 5 4”亞苐基)二盼(28.02克，〇·〇8莫耳)溶液緩慢滴注添加 入燒瓶。容許所產生之混合物進行反應12小時。於完成反 應後，使用水來移除酸，然後使用一揮發機來進行濃縮。 其後，由使用甲基正戊基酉同(ΜΑΚ)及甲醇(Me〇H)稀釋該濃 縮液來獲得一配製於甲基正戊基酮（MAK)/甲醇(Me〇H) 10 (4」’重里/重里）之15重1%溶液。將所獲得之溶液轉移入 一3公升分液漏斗，其後由添加正庚烷來移除包含單體之低 分子量化合物，且藉此產生所欲之酚樹脂（重量平均分子量 (Mw)=l2,〇〇〇，分子量分佈係數(pDI)=2 〇，n=23)。

於一配備一機械攪拌器、一冷凝器、一3〇〇毫升滴液漏 斗及氮氣進料管線之1公升四頸燒瓶内，以氮氣供應入燒瓶 來將75克之化合物1及25克之聚（烷氧基矽烷）(MS5 J， Mitsubishi Chemical)溶解入600克丙二醇單甲基醚乙酸酯 20 (PGMEA)。其後，添加2克對甲苯磺酸單一水合物。於溫度 上升至120C後，攪拌該反應混合物3〇分鐘。其後，由温度 19 1292855 升高至15(TC來麟2小時。容許所產生之混合物冷卻至室 溫，添加L克之PGMEA，攪拌30分鐘，然㈣遽，藉此 1±所欲’《糾是化合物2 (其中R被聚(院氧 基矽烷部分取代）。

10

將0.8克之化合物1、0.2克之一由下述重複單元所組成 之交聯試劑(Powderiink 1174)及2毫克對甲苯確酸單一水合 物溶解入一9克丙二醇單曱基ϋ乙酸酯(pGMEA)，然後由過 濾來製成一樣品溶液。Powderlink 1174交聯試劑之化學結 構如下。

H3COH2C

/CH2OCH3 N

Ο CH2OCH3 於施加至一晶圓後逸粁反射係數(Π)及消光係數(k)之比較 將化合物2及比較實施例1之聚合物旋轉塗佈於一矽晶 15 圓上，然後以200°C烘烤60秒來形成一厚度1，5〇〇Α之薄膜。 薄膜之反射係數(η)及消光係數(k)是使用一橢圓測厚儀(ΙΑ. Woollam) 來進行量測。 結果顯示於表 1 。 20 1292855 表1 薄膜配方所 使用之樣品 光學性質 (波長 193 nm) 光學性質 _G皮長 248 nm) 反射係數(η) 消光係數(k) 反射係數(η) 消光係數(k) 化合物2 1.38 0.67 1.97 0.26 比較實施例1 1.44 0.80 2.02 0.27 將個別之化合物2及比較實施例1的樣品溶液旋轉塗佈 於一铭-沉積矽晶圓上，然後以2〇〇°C烘烤60秒來形成一厚 度1，500A之薄膜。將一氟化氪(KrF)光阻劑塗佈於該薄膜 5 上’以110〇c烘烤60秒，使用一由ASML(XT:1400，數值孔 徑(ΝΑ)=0·82)所製造之曝光系統來進行曝光，然後使用四 甲基氫氧化銨(ΤΜΑΗ)之2.38重量％水性溶液來顯影，藉此 形成一90奈米直線與間隔圖案。此9〇奈米直線與間隔圖案 是使用掃描式場發射電子顯微鏡(FE_SEM)來觀測，且結果 1〇顯示於下述表2。量測曝光寬容度(EL)範圍以及該隨光源距 離改變之聚焦深度(DoF)範圍。結果顯示於下述表2。 p---- 表2 用以形成薄膜 之樣品 _ 圖案特徵 曝无覓谷度（EL)範圍 (△毫焦耳/曝光能量亳隹耳） 聚焦深度(DoF) i£ 11 (Μ ^ ^ 化合物2 0.2 0.2 較實施例1 0.2 0.2 圖案樣品是使用一由三氟甲烷/四氟化碳(CHIVCF4)所 紐成之混合氣體來進行乾燥蝕刻，且更進一步之乾燥蝕刻 是使用一由三氯化硼/氣氣(BCWCy所組成之混合氣體。最 後，所有剩餘之有機材料是使用氧氣(〇2)來移除，且一樣品 剖面是使用一掃描式場發射電子顯微鏡(FE_SEM)來進行觀 ’則。結果顯示於表3。 21 1292855 表3 用以形成薄膜之樣品 --—--- __餘刻後的圖案形狀 化合物2 _____筆直 比較實施例1 _____削尖 化合物2及比較貫施例1的樣品是使用一由三氟甲烷/ 四氟化碳(CHFg/CF4)所組成之混合氣體來進行乾燥蝕刻， 5且置測該乾燥蝕刻前與乾燥蝕刻後之厚度差異。結果顯示 於表4。 表4 用以形成薄膜之樣品 二氟甲烷/四氟化碳(CHf3/cf4) 氣體的蝕刻速率 _____(奈米/分鐘） 化合物2 70 比較實施例1 110 將個別之化合物2及比較實施例1的樣品旋轉塗佈於一 氮化石夕（SiN)-沉積矽晶圓上，然後以2〇〇〇c烘烤6〇秒來形成 10 —厚度1，50〇Α之薄膜。 將一鼠化iL(ArF)光阻劑塗佈於該薄膜上，以ii〇〇c烘 烤60秒，然後使用一氟化氬（ArF)曝光系統（ASML125〇, FN70 5.0活化，數值孔徑(ΝΑ)=〇·82)來進行曝光，然後使用 四甲基氫氧化銨(ΤΜΑΗ)之2.38重量％水性溶液來顯影，藉 15此形成一80奈米直線與間隔圖案。此80奈米直線與間隔圖 案是使用掃描式場發射電子顯微鏡(FE- SΕΜ)來觀測，且結 果顯示於下述表5。量測曝光寬容度(EL)範圍以及該隨光源 距離改變之聚焦深度(DoF)範圍。結果顯示於下述表5。 rs) 22 1292855

---—___ ___5^案特徵 (微米）

圖案樣品是使用一由三i甲燒/四氣化碳(CHF3/CF4)所 =合=行乾_，且更進一步之乾_ 使”有不同選擇性之由三IL甲烷/四氟化端 (CHF3/CF搞組成找合㈣。最後鼠化 :是使用氧氣(〇2)來移除’且—樣品剖面是使用 發射電子顯微鏡(FE_SEM)來進行觀測。結果顯示於努 表6 用以形成薄膜之樣品 ----- 案形狀 筆直

由上述實施例可明顯看出，本發明組成物可 有優良光學性質、優良機械性質及高_選擇性二 10 罩層。此外，於某些具體例中，本發明組成物 = 使用旋轉塗佈技術來進行施加。再去 奋易地 丹考，於某些具體例 本發明組成物可以會具有優良的貯存效期且包 包含任何酸污染。 &里或不 15 雖然本發明已就闊釋之目的來揭露特定具體例， 那些熟習相關技術人士可以瞭解的 …、向 在不偏離本月i 檢附申請專利範圍所揭露之範齊及精義之下，、 種修改、添加及取代。 彳T多 23 1292855

I：圖式簡單說明3 (無） 【主要元件符號說明】 (無） 24 ⑧

Claims (1)

1. 請專利範圍修正本 修正日期：96年5月 十、申請專利範圍： 1. 一種抗反射硬質罩幕組成物，係包含： (a) —聚合物組份，其包含至少一聚合物，該聚合物 具有一具有化學式(I)之單體單元

   心及尺2是各自獨立選自於由氫、羥基、CM〇烷基、 c6_1()芳基、烯丙基及ii素所組成之群組； R3及R4是各自獨立選自於由氫、一交聯官能基及一 色基所組成之群組； R5及R6是各自獨立選自於由氫及一具有化學式(II) 結構之烷氧基矽氧烷所組成之群組，其中於至少一具有 化學式(I)之單體單元中，至少一r5及r6是該具有化學式 (II)結構之烷氧基矽烷；

   其中 R8、R9&R1()是各自獨立選自於由氫、烷基及芳基 所組成之群組；且X是0或一正整數； R7是選自於由氫、Ci_i〇烧基、C6-10芳基及稀丙基所 25 1292855 組成之群組；且η是一正整數； (b)一交聯組份；以及 (C) 一酸催化劑。 2. 如申請專利範圍第1項之抗反射硬質軍幕組成物 ，其中 R8、R9及r10是各自獨立選自於由甲基、乙基、 烷基及C6-1G芳基所組成之群組；且η是一由丨至大約1〇0 之整數。 3. 如申請專利範圍第！項之抗反射硬f罩幕組成物，其包 含： 大約1-20重量％之聚合物組份； 大約0.1-5重量％之交聯組份；以及 大約0.001-0.05重量％之酸催化劑。 4. 如申請專利範圍第i項之抗反射硬質罩幕組成物，其中該 包含一單體單元具有化學式⑴之聚合物係具有一落在一 大約1，000-30,000克/莫耳範圍内之重量平均分子量。 5. 如申請專利範圍第1項之抗反射硬質罩幕組成物，其更 進一步係包含一溶劑。 6·如申請專利範圍第1項之抗反射硬質罩幕組成物，其更 進一步係包含一界面活性劑。 7·如申請專利範圍第1項之抗反射硬質罩幕組成物，其中 该色基是選擇自於由本基、篇基（chrysenyl)、祐基 (pyrenyl)、芙基（fluoranthrenyl)、蒽酮基（anthr〇nyl)、二苯 基酮基（benzophenonyl)、硫 α山嗟基（thioxanthonyl)、蒽基 (anthracenyl)、蒽基衍生物及任一此等組合所組成之群 26 1292855 8·如申請專利範圍第1項之抗反射硬質罩幕組成物，其中 該交聯官能基是選自於由環氧基、酯、烧氧基及羥基所 組成之群組。 9·如申請專利範圍第1項之抗反射硬質罩幕組成物，其中該交 聯組份是選自於由一蜜胺樹脂(melamine resin)、一胺基樹 脂、一二醇脲化合物、一雙環氧基化合物及任一此等組合 所組成之群組。 10·如申請專利範圍第1項之抗反射硬質罩幕組成物，其中 該酸催化劑是選自於由對甲苯磺酸單一水合物、，比啶對 甲苯續酸酯、2,4,4,6-四溴環己二烯_、一有機石黃酸之烧 基酯及任一此等組合所組成之群組。 11.如申請專利範圍第10項之抗反射硬質罩幕組成物，其中 該有機磺酸是選自於由安息香對甲苯磺酸酯、2-硝基苄 基對曱苯磺酸酯及任一此等組合所組成之群組。 12· —種用以於一基材上形成一圖案材料層之方法，其包 含： (a) 於一材料層上形成一抗反射硬質罩幕層，其中該 硬質罩幕層係包含-如巾請專利範圍第丨項之組成物； (b) 於該抗反射硬質罩幕層上形成_照射致敏影像 層； (c) 曝露該影像層來進行照射； ⑷顯影該影像層及該抗反射層來部分曝露該材料 層；以及 27 1292855

   (e)蝕刻該部分曝露材料層。 13. —種半導體積體電路，其係使用申請專利範圍第12項之 方法而製造者。 28