TWI291212B - Chucking system for nano-manufacturing - Google Patents
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Description
!291212 九、發明說明: <有關聯邦贊助研發的聲明> 美國政府對本發明具有付費授權的權利,及在有限情 況下要求本專利權人在如防衛先前研究計劃署(DARPA)所 5 頒之 N66001-01-1-8964 和 N66001-02_C-8011 條款提供的合 理條件下授權其他人的權利。 I 發明領域 本發明之領域概有關於結構物的奈米製造。更具言 10 之,本發明係有關在一壓印微影製程中能由置設於一基材 上的固化層來方便分開一模板的固持系統。 t 先前3 發明背景 奈米製造係包括非常小之結構物的製造,例如具有奈 15米級或更小的特徵細構者。一種已受到奈米製造重大影響 • 的領域係為積體電路的製造。由於半導體製造產業不斷地 致力於更大的產能,並且逐增製設在一基材上之每單位面 - 積中的電路,故令奈米製造變得越來越重要。奈米製造能 . 夠提供較大的製程控制,同時可更大地縮減所製成之結構 20的最小特徵尺寸。奈米製造曾被使用的其它發展領域乃包 括生物科技,光學技術,機械系統等等。 一種奈米製造技術之例係被通稱為壓印微影術。壓印 微影製法例曾被詳揭於許多公開申請案中,例如N0. 10/264960美國專利申請案的ν〇· 2004/0065976公開案,名 5 1291212 稱為“在一基材上排列細構來複製具有微小尺寸可變性之 細構的方法和模”;No· 10/264926美國專利申請案的Ν〇· 2004/0065252公開案,名稱為“在一基材上形成一層以便 於製造篁度標準的方法;&Ν〇· 10/235314美國專利申請 5案的版2004/0046271公開案’名稱為“用於壓印微影製法 之功能性圖案化材料,以上各案皆已讓渡給本發明的受 讓人。 .在上述各公開的美國專利申請案中所揭的基本壓印微 影技術係包括:在一可聚合化層中製成—紋路圖案,並將 10 一對應於該紋路圖案的圖案移轉至一底下的基材上。其 中,一模板會被使用而與該基材間隔分開,且有一可成形 的液體置設於該模板和基材之間來與其接觸。該液體會被 固化而形成-固化層,並有一圖案記錄其中,該圖案係匹 配於接觸該液體之模板表面的形狀。該模板飼會移離該固 15化層,以使該模板與基材分開。該基材和固化層嗣會接受 , 4理’而將—對應於該固化層之圖案的紋路影像移轉至基 材上。 期能提供-種改良的方法來由一固化層分開一模板。 【潑^明内容】 20 發明概要 本發明係有關-種固持系統,包含:—本體具有一表 面而有-凸銷由之伸出並有一貫孔設於其中,及一平台包 圍多數凸體而在該凸銷與平台之間形成—槽道。於另:實 施例中,該本體包含多數的凸體。該固持系統的構造可以 6 ,1291212 改變其固持力。本發明亦有關由一製設於基材上的固化層 來分開一被包含於一模板中之模的方法。該方法包括:施 加一分離力於該模板來分開該模板與料層;及促成該基材 中的局部變形,以減少達成分離所須的分離力量值。相信 5 藉著減少該分離力,則對該記錄層的損害可被最小化。相 信本固持系統能減少所須的分離力,而在分離時令對記錄 層的損害最小化。這些及其它的實施例會更完整揭述於後。 圖式簡單說明 第1圖為一習知技術之模板與設在一基材上之壓印層 10 接觸的截面圖; 第2圖為依本發明一實施例來將一模板與一基材上的 壓印層分開的截面圖; 第3圖為依本發明第二實施例來將一模板與一基材上 的壓印層分開的截面圖; 15 第4圖為一模板固裝於本發明一實施例之固持器上的 截面圖; 第5圖為本發明可提供之具有不同真空區部的晶圓吸 盤第一實施例之頂視示意圖; 第6圖為本發明可提供之具有不同真空區部的晶圓吸 20 盤第二實施例之頂視示意圖; 第7圖為本發明可提供之具有不同真空區部的晶圓吸 盤第三實施例之頂視示意圖; 第8圖為第3圖所示之基材與晶圓吸盤依一變化實施例 來被釋離的側視圖; 7 1291212 第9圖為第2圖所示的晶圓吸盤之一實施例的頂視圖; 第10圖為第9圖所示的晶圓吸盤沿10-10剖線的截面 圖; 第11圖為第10圖所示的晶圓吸盤已有一基材置於其上 5 的截面圖; 第12圖為第2圖所示的晶圓吸盤第二實施例的截面 圖,並有一基材置於其上; 第13圖為一模板與一基材上的壓印層接觸的截面圖, 其中該基材會受到一推壓力; 10 第14圖為一簡化頂視圖,示出一模板設有多數空氣喷 嘴局部地排列來施加推壓力; 第15圖為一簡化頂視圖,示出一模板設有多數空氣喷 嘴排成一陣列來施加推壓力; 第16圖為一簡化頂視圖,示出一模板設有多數溝槽以 15 便於位在一模板與壓印層之間的空氣釋出; 第17圖為第16圖所示之模板的側視圖; 第18圖為一簡化頂視圖,示出一模板設有多數孔洞以 便於位在一模板與壓印層之間的空氣釋出;及 第19圖為第18圖所示之模板的側視圖。 20 【方fe 】 較佳實施例之詳細說明 請參閱第1圖,有一模板10係被示出與一壓印層12接 觸。通常,該模板10係由熔凝的二氧化矽所構成,而壓印 層12可由該領域中任何習知的材料來製成。壓印材料12的 8 •1291212 成分之例曾被揭於2003年1月24日申請的施· 1〇/763885美 國專利申請案中,名稱為“壓印微影術的材料和方法”, 其内容併此附送。壓印層12會被置於一基材14上,該基材 14具有一厚度“t”。該基材14可由例如矽、熔凝的二氧化矽、 5金屬、或一般用來製造積體電路的化合物等所製成。該模 板10包含一表面16其上設有多數的特徵細構,該等細構包 含多數的凸部18和凹部20。該等凸部18和凹部2〇會形成一
圖案而被移轉至壓印層12中來形成一紋路影像。更具言 之,該模板10會接觸壓印層12而使壓印層12的材料擠入並 10填滿該等凹部20來形成壓印層12,其會具有一連續結構遍 佈該模板10的表面16,其中包圍該模板1〇和壓印層12的環 境典型會被充滿一氣體,例如氦。該模板10會被連結於- 壓印頭11。該壓印頭11可以沿著x、Y及/或Z軸移動,故 月b藉著將模板10沿2軸移離基材14來產生分離力h。其中, 15該基材14當壓印頭11移動時典型會相對於Z軸保持在-固 定位置。 該壓印層12可由—紐性材料製成 ,俾令其被曝露於 -光化性成分時即會聚合化並交鏈而形成一固化材料。該 2Q光化陸成刀可包括紫外線波長、熱能、電磁能、可見光等 等所使用的光化成分係為熟悉該技術的專業人士所習 知其典型係取決於形成該壓印層I2的材料。 該壓印層12的固化會發生在模板10與其接觸之後,且 ” P s 12曰填滿该等凹部2〇。然後,模板會與壓印層I〕 分離。藉此方4 0 % 巧’則該紋路影像會以一對應於模板10的圖 9 1291212 案來被記錄於壓印層12中。 該模板10與固化的壓印層12分離係可藉對模板10施加 一力Fs而來達成。該分離力Fs會有足夠的量值來克服模板10 與固化壓印層12之間的黏著力和基材14對應變(變形)的阻 5 抗力。相信該基材14的部份變形會促進模板10與固化壓印 層12的分離。在其分離時,晶圓吸盤22可使用任何習知的 拉緊力Fc,例如靜電力、磁力、真空力等來固持該基材14。 因此,分離力Fs的方向典型會相反於拉緊力Fe的方向。通常 晶圓吸盤22係被一平枱23所支撐,其可便於沿X、γ及/或 10 Z軸移動。一壓印微影系統之例可由Texas,Austin的 Molecular Imprints公司以IMPRIO™ 1 〇〇的商標名稱來講 得。 如第1圖所示,該基材14之應變(變形)的大小係為所施 分施力Fs之一函數,且典型會形成一應變區24,在其中該 15基材14會與晶圓吸盤U間隔一距離d。該應變區24典型會產 生於壓印層12與模板10接觸的區域(俗稱為處理區)附近。 但是,最好能令該模板10與固化壓印層12達成分離所 需的分離力Fs之量值最小化。例如,最小化該分離桃會有 利於對準程序,俾可使模板10和基材14能被妥當對準^且 20能使模板圖案化面積對模板總面積的比率增加。此外,最 小化該分離力Fs將會減少由模板10、基材14及固化壓印材 料12所組成之結構產生問題的可能性。 又’基材14的變形會造成應變區辦的位能,复在該 模板H)與固化壓印層12分開時將會轉變成動能。具;之了 10 .1291212 在模板ίο與固化壓印層12分開後,該基材14上的分離力& 會趨近於0。該拉緊力和製成該基材14之材料的彈力會使 該應變區24朝向吸盤22加速度,因此該應變區24典型會碰 才里該晶圓吸盤22。相信該應變區24與吸盤22的碰撞會具有 5不良作用而損及該基材與其上之固化壓印層12的結構完 整性。此將會令該基材14與模板10之間的對準造成問題。 請參閱第2圖,本發明縱未能防止亦可消減上述模板1〇 與固化壓印層12分離所造成的有害作用。此係可針對一特 疋的基材14、模板1〇、和固化壓印層12,藉減少該模板1〇 10與固化壓印層12之間完成分離所須之力的大小而來達 成。其中,該晶圓吸盤122係被設成能控制該基材丨4在分離 時所承受之應變(變形)的大小。該晶圓吸盤122能由許多獨 立產生之力Fi&F2來產生一拉緊力?。。此將可便於提供一拉 緊力,其能在該基材14上來改變方向和大小。例如,該 15可變之力込的量值係能比固持力卩!更小甚多。因此,當模 板10受到一分離力Fs時,固持々Fi會賦具於基材14的非應變 區26,而可變力F2會賦具於基材14的應變區24。 在本例中,該各力FjnF2皆會沿著相反於分離力!^的方 向。分離力Fs可藉移動一連結於模板的壓印頭丨丨來產生, 20如前於第1圖中所述。又,該晶圓吸盤122如第2圖所示係被 以一平枱23來支撐,如前於第1圖中所述。但請瞭解,該分 離力Fs亦可精將权板1 〇的位置相對於z轴保持固定,並利用 平枱23將基材14沿著Z軸移離模板10而來產生。或者,該分 離力Fs亦能沿該Z轴以相反方向同時移動模板1 q和基材14 11 ,1291212 • 而來產生。但在本文的論述中,本發明係針對移動壓印頭 11以使杈板1〇沿著z軸移離基材14,而令基材對Z軸保持固 定的情況來說明。 應睛注意該各力FjnF2的大小事實上可為任何所需之 • 5值,只要該基材14在應變區24之外的部份當受到分離力匕 時能被固持於晶圓吸盤122上即可。例如,可變力匕得具有 一趨近於〇的量值。由於可變力込係比固持力Fi的量值更小 • 甚多,故將模板10與固化壓印層12分開所需的分離力匕乃 可減少。更具言之,該等可變力5的量值會被設成能夠促 10進該基材14與模板1〇重疊的部份(稱為應變區24)回應於分 離力Fs而產生應變(變形)。 或請參閱第3圖,該拉緊力Fe亦可在該基材14上來改 變,而使可變力5的方向變成相反於固持力Fi的方向,且 相同於分離力Fs的方向。該等可變力F2的量值係可相同或較 15 大或較小於固持力F2的量值。以此方式,則可藉該能將應 鲁變區24推離晶圓吸盤122的可變力F2來促成基材14的局部 變形。其係可以或可不必獨立於分離力Fs的存在。 .如上所述,在本例中該固持力Fi係可在施加分離力ps 時用來將基材14固持於晶圓吸盤122上。由於該等可變力ρ2 20 的方向係如同分離力Fs的方向,故將模板1〇與固化壓印層 12分開所需的分離力Fs2值乃可減少。 又,由於可變力F2係沿著相同於分離力Fs的方向,故該 等可變力F2縱不能阻止碰撞亦可消減該應變區24與模板1〇 的衝擊。更具言之,第二可變力F2能減低速度,故在模板 12 1291212 10與固化壓印層12分開之後,該應變區24朝向吸盤122衝撞 的動能亦會減少。以此方式,該應變區24將可貼抵於吸盤 122上,而不會有損其結構完整性。 在該模板10由固化壓印層12分開之後,該等可變力F2 5 的大小和方向將可攻變。例如,可變力F2嗣可被設成相同 於固持力?1的大小和方向。又,該等可變力h之大小和方 向的變化,亦可在一時間週期内呈線性地改變,而使反向 於固持力Fii可變力F2的大小趨近於〇。當可變力Fa接近〇 時即會改變方向,而緩慢地逐增成相同於固持力Fi的大小 10和方向。因此,該基材14將會受到可變力&的逐變作用, 其會緩慢地減速應變區24,並再逐增來將基材14固定於吸 盤22上。因此,該基材14回應於與吸盤122接觸所產生的劇 烈減速(即碰撞)將可被避免,故能使其與吸盤122的撞擊力 最小化。 15 在該模板⑺由固化壓印層12分開之前,該等可變力^
的方向係可相反於分離力Fs的方向’如前於第2圖所述。作 當模板10與該固化壓印層12分開時,該等可變力匕的方^ 則可相同於分離力Fs的方向,如前於第3圖所述。 請參閱第1及4圖,為進一步促進模板1〇與壓印層^分 20 離,該模板10可被施以一凹曲力FB。 更具言之,該凹曲力
Fb可沿該模板10的中央區28來施加,並沿著相反於第丨图戶 示之分離力Fs的方向。該凹曲力FB係可配合或獨立於如前 所述之改變拉緊力的大小和方向來施加。其中,該模才反 10係可被固設於一模板夾頭,如20〇4年11月3〇日所申七青之 13 1291212
No. HV999898美國專利申請案所揭,該案已被讓渡給本申 請案的受讓人’而發明人係為Cherala等人,其内容併此附 送。 該模板夾頭包含-本體31具有一中心貫孔%,其一側 5係被一熔凝的矽化物板35與一封環36所密封。有一凹槽37 和封環38會包圍該貫孔33。將模板1〇妥當地定位於本影工 上即會密封該貫孔33而形成-腔室,並會㈣該凹槽37而 形成-第二腔室包圍該中央腔室。該中央腔室和第二腔室 为別各s又有所#的相對加壓通道40和41。若抽空該第-10腔至並加壓中央腔至,則凹曲力FB即可被施加於模板10而 不會使模板移離該本體31。 請參閱第1,5,6圖,欲改變遍佈整個基材14上之拉緊 力Fc的大小和方向時,可使用上述的晶圓吸盤122。又,以 下實施例可被使用於一逐步重複製法中,有一逐步重複雜 15 製法之例係被揭於No· 10/194414美國專利申請案的!^〇· 2004/0008334公開案中,該案已被讓渡給本發明的受讓 人,其内容併此附送。 其中,該晶圓吸盤122可被製成具有許多個別獨立的真 空區部30a〜30z。針對本發明,該各真空區部3〇a〜3〇z係被 20 設成能提供一或多數相同量值和方向的固持力,例如,其 可有一拉緊力Fc賦具於一真空區部30a〜30z,或有多數固持 力其各方向和大小皆大致相同。該等真空區部30a〜30z的 數目、尺寸和形狀係可依據若干因素來改變。此外,其任 一真空區部30a〜30z的尺寸和形狀亦可與其餘的真空區部 14 .1291212 不同。例如,一或多個真空區部的尺寸及/或形狀係可相 同於該應變區24的尺寸及/或形狀。因此,該各真空區部 3〇a〜30z乃可具有許多形狀中之一者,包括任何多邊形, 如圖所示的方形,以及如第6圖中所示的圓形130或環形230 5專。又’該專真空區部亦可包含任一或多種不規則形狀 330,如第7圖所示。 請參閱第5〜7圖,雖然可能被形成於一共同晶圓吸盤 122上之各真空區部皆具有相同的形狀和尺寸,但其並不^一 定須要如此。即該吸盤222亦可設有不規則的真空區部 10 330 ’例如包括一六邊形真空區部43〇,一矩形真空區部 530,一圓形真空區部130,及一環形真空區部230等。 請參閱第2,5,7,8圖,該各真空區部3〇a〜3〇z皆可 被個別地定位,而使不同的固持力能賦具於該等真空區部 30a〜30z。以此方式,則所須之固持力如匕及/或匕的位置 15將可更精確地設定。但,亦須能改變各真空區部3〇A〜3〇z 所賦具的拉緊力Fe,以使基材14能沿一延伸穿越該基材14 整個面積之軸來應變。因此,相鄰各排的真空區部3〇a〜3〇z 會形成一拉緊力差AFe。例如,真空區部3〇d、3〇〗、30〇、 3〇u、30z、30j、30P、30v會產生可變力h,其係小於由其 20 餘的真空區部30a、30b、30c、30E、30F、30G、30h、30κ、 3〇L、30M、30N、30q、30R ' 30s、30T、30w、30x和30Y等所 產生的固持力。此將能使基材14繞著A軸來撓曲,此係由該 拉緊力差AFc所促成,該拉緊力差係形成於真空區部 30d、30〗、30〇、3〇u、3〇z組成的第一排與包含真空區部3〇c、 15 .1291212 3〇m、30N、30τ、30γ的第二排之間。 請參閱第9及10圖,為使該晶圓吸盤122及/或222具有 上述的真空特性,該等吸盤丨22、222會整體地由不銹鋼或 銘來製成,並設有多數間隔分開的凸銷32和33等,而在其 5間形成多數的槽道36。雖於圖中所示係具有圓形截面,但 該各凸銷32、33事實上可具有任何所需截面形狀,包括多 邊形等’且典型具有3mm的間距。一或多數的凸銷係呈中 I 空而形成一貫孔34,其會由一通道35延伸而終止於一面對 基材14的開口,如第11圖所示。其中所示的凸銷32之貫孔 10典型具有大約lmm的直徑,以避免疊置其上的基材14部份 凹曲。 雖該各凸銷32係被示出導通於一共同的通道35,但並 非一定必要如此。即是,該各凸銷32的貫孔34亦可個別地 被没疋,而使母單位時間通過其中的流體體積和方向獨立 15無干於流經其餘凸銷32之貫孔34的流體。此乃可藉將一或 • 乡數凸銷32設成導通—通道,但親道係不祕導通其餘 凸鎖32的通道而來達成。在另一實施例中,貫孔34可包含 .· -狀結構。料凸銷32可被—平台37所包圍,而基材14 • #、貼抵於該平纟上。各槽道36典型會經由孔_來導接一 20 共同通道39。 請參閱第10及11圖,該基材14會被流經槽道36及/或 貫孔㈨體所產生的拉緊力Fe來固持在晶圓吸盤122 上、。其中1通道35會導通一壓力控制系統4卜而通道39會 1力控制系統43。該二壓力控制系統41和43會被 16 Ϊ291212 處理器45控制來操作,並能與之傳接資訊。該處理器會包 含電腦可謂碼而能被該處理器操作來進行前於第2〜11圖 中所述的流體運作。當被置於晶圓吸盤122上時,該基材14 面對吸盤122的一面47將會貼抵各凸銷32和33。在有拉緊力 5 Fc而沒有分離力Fs時,貫孔34面對基材14的一端將會被緊 抵於凸銷32上的該表面47氣密地密封。因為被表面47所密 封,所以沒有流體會在貫孔34和槽道36之間流動。 • 當施加分離力Fs時,有部份重疊固化壓印層12的表面 47將會變成與凸銷32及/或33分開。為能減少分開所須的 〇分離力Fs里值且便於分離,故該等凸銷32會被佈設於晶圓 吸盤122的整個區域。流經貫孔34的液體係被選成會使可變 力F2小於固持力Fi。通常,固持々Fl係將壓力控制系統43 操作成全真空而來產生。當可變力5被操作在一壓力狀態 下時,其將會具有足夠的量值來在該應變區24與晶圓吸盤 15 122之間的容隙中產生一大約2〇〇kpa的壓力。此通常會使在 _ 應變區24中的基材U造成大約1〇微米的移動。由於密封已 被打破,故貫孔34即會經由槽道36和孔隙4〇來導接通道 刊。此將會進-步減少該應變區24上之拉緊力Fc的大小, 故能減少分開該模板10與壓印層所需的分離抓,因其已 2〇促成該應變區24中之基材14的應變/變形。 、4參閱第12圖,在—變化實施财,晶®吸盤322係可 不必使用凸銷32和33等而來提供前述的真空特性。立中, =晶圓吸盤322之—表面的含有多㈣孔隙50及52等%供 其中’且某—流體的量值和方向係能獨立無干於 17 1291212 流經其餘孔隙50和52的流體。該等孔隙典型具有3mm的間 距及2mm的直徑,而足以減少疊置之基材丨4部份凹曲的可 能性。 在本例中,各孔隙50係導接一共同通道53,而各孔隙 5 52則會導通於另一共同通道55。接緊力匕係藉流經一或多 數間隔分開之孔隙50和52的流體來產生。在分開之前,該 、 等間隔分開之孔隙5〇和52可具有流體以第一流率的〇sccm 或稍大來流經其中。當分離力Fs出現時,流體會以一不同 ® 於第一流率的第二流率來通過該等孔隙50和52。具言之, 10通過各孔隙50、52的流體之流率係可回應於分離力fs的存 在而改變。通常上述之流率變化係侷限於該應變區24中的 孔隙50、52。該流率的改變典型會足以減少拉緊力匕的量 值。因此’其流率變化通常只會影響通過該孔隙52或5〇中 之一者的流體。例如,通過在應變區24上之孔隙52的流率 15可被改變而使所產生的拉緊力Fc減少。但通過孔隙50的流 ^ 率則會保持固定。 睛參閱第2圖,為進一步協助該模板1〇與壓印層12分 : 開’該壓印層可為一種材料,其在曝露於預定波長時會造 • 成一氣態的副產品,如在No. 6218316美國專利案中所揭 20者’該案内容併此附送。該氣態副產品會在壓印層12與模 的平坦表面間的介面處造成局部壓力。該局部壓力能夠促 進模板10與壓印層12分離。可促成產生氣態副產品的輻射 波長乃包括例如157nm、248nm、257nm及308nm的波長, 或其組合等。當氣態副產品產生之後,最好即迅速地開始 18 1291212 分離模板10,俾使對壓印層12的損害最小化。又,位在模 板10與壓印層12之間的氣態副產品可能會由模板1 〇與壓印 層12之間沒出,這是不受歡迎的。而且,該模板與壓印 層12分開時,應要垂直於該壓印層12,才能使壓印層12的 5 杻曲變形最小化。 睛參閱第13圖,為進一步協助模板1〇與壓印層12分 開’有一推壓力FP可被使用於該模板1〇與基材14之間。具 s之’該推壓力FP可被施加於該基材14未與模板1〇重疊的 區域處。該推壓力FP可將基材14移離模板1〇而來促成模板 1〇 10的分離。其中,該推壓力FP會沿著相反於分離力Fs的方 向來施加,以使達成分離所須的分離力Fs量值可以減小。 該推壓力FP能藉眾多局部列設(如第14圖所示),或排成一列 ^2(如第15圖所示)的空氣喷嘴62來施加。使用於該等噴嘴 的氣體可包括但不限於氮(Nj。該推壓力心係能與前於第2 15〜12圖中所示之變化拉緊力Fc各自獨立或互相配合地來施 加進行。 5月參閱第2、16、17圖,為進一步協助模板10與壓印層 12分離’該模板1〇亦可包含多數的溝槽38來減少該模板1〇 與壓印層12之間的真空密封作用。溝槽66可在模板1〇與壓 20印層12接觸時來促進其間之空氣的釋洩,故能減低模板1〇 與壓印層12之間的真空密封作用。因此,該分離力Fs的大 小乃可減少,這是較佳的。 請參閱第18及19圖,在另一實施例中,該模板1〇可包 含多數的孔洞68,其功能係類似於溝槽66,因此該等孔洞 19 .1291212 68亦能減少模板10與壓印層12之間的真空密封作用。 以上所述之本發明的實施例皆僅為舉例。許多修正變 化亦可實施於上述揭露,而仍保留在本發明的範圍内。因 此,本發明的範圍並不能僅由以上描述來決定,而應參照 5 所附申請專利範圍及其完整的等效範圍來決定。 t圖式簡單說明3 第1圖為一習知技術之模板與設在一基材上之壓印層 接觸的截面圖; 第2圖為依本發明一實施例來將一模板與一基材上的 10 壓印層分開的截面圖; 第3圖為依本發明第二實施例來將一模板與一基材上 的壓印層分開的截面圖; 第4圖為一模板固裝於本發明一實施例之固持器上的 截面圖; 15 第5圖為本發明可提供之具有不同真空區部的晶圓吸 盤第一實施例之頂視示意圖; 第6圖為本發明可提供之具有不同真空區部的晶圓吸 盤第二實施例之頂視示意圖; 第7圖為本發明可提供之具有不同真空區部的晶圓吸 20 盤第三實施例之頂視示意圖; 第8圖為第3圖所示之基材與晶圓吸盤依一變化實施例 來被釋離的側視圖; 第9圖為第2圖所示的晶圓吸盤之一實施例的頂視圖; 第10圖為第9圖所示的晶圓吸盤沿10-10剖線的截面 20 1291212 圖, 第11圖為第10圖所示的晶圓吸盤已有一基材置於其上 的截面圖; 第12圖為第2圖所示的晶圓吸盤第二實施例的截面 5 圖,並有一基材置於其上; 第13圖為一模板與一基材上的壓印層接觸的截面圖, 其中該基材會受到一推壓力; 第14圖為一簡化頂視圖,示出一模板設有多數空氣喷 嘴局部地排列來施加推壓力; 10 第15圖為一簡化頂視圖,示出一模板設有多數空氣喷 嘴排成一陣列來施加推壓力; 第16圖為一簡化頂視圖,示出一模板設有多數溝槽以 便於位在一模板與壓印層之間的空氣釋出; 第17圖為第16圖所示之模板的側視圖; 15 第18圖為一簡化頂視圖,示出一模板設有多數孔洞以 便於位在一模板與壓印層之間的空氣釋出;及 第19圖為第18圖所示之模板的側視圖。 【主要元件符號說明】 10…模板 20.··凹部 11...壓印頭 22,122,222,322…晶圓吸盤 12...壓印層 23…平枱 14...^# 24...應變區 16."表面 26...非應變區 18…凸部 28...中央區 21 1291212 30.130.230.330.430.530.. . 真空區部 31…夾頭本體 32…凸銷 33…貫孔/凸銷 34·.·貫孔 35…矽化物板/通道 36.. .封環/槽道 37…凹槽/平台 38…封環/溝槽 39,53,55···通道 40…加壓通道/孔隙 41…加壓通道/壓力控制系統 43.··壓力控制系統 45.. .處理器 47...置抵面 49…吸盤表面 50,52…孔隙 62…空氣喷嘴 66···溝槽 68…孔洞 162…喷嘴陣列 d·.·間距 Fp··固持力 F2...可變力 FB··.凹曲力 Fc···拉緊力 Fp._.推壓力 Fs···分離力 22
Claims (1)
1291212
修(更)正替換頁 十、申請專利範圍: 第95102091號專利申請案申請專利範圍修正本 修正日期:96年5月 1 · 一種固持系統,包含·· 5 一本體具有一表面而有多數凸銷由該表面伸出而 在該多數凸銷之間界定出多數槽道,該多數凸銷之一小 組凸銷中設有貫孔,而該表面在與該多數槽道之一小組 槽道重疊處形成有多數孔隙。 2·如申請專利範圍第1項之固持系統,其中該多數孔隙係 10 與一第一通道呈流體導接,而多數貫孔會與一不同於該 第一通道之第二通道呈流體導接。 3·如申請專利範圍第1項之固持系統,其中該多數凸銷各 包括有貫孔設於其中。 4.如申請專利範圍第1項之固持系統,其中該多數凸銷之 15 不同於前述之一小組凸銷的一額外小組凸銷係為實心 體。 5·如申請專利範圍第1項之固持系統,其中該多數凸銷之不 同於前述之一小組凸銷的一額外小組凸銷係為實心體,且 該多數凸銷之前述小組凸銷係與一共同通道呈流體導接。 20 6·如申請專利範園第2項之固持系統,更包含一第一壓力 控制系統流體導接該第一通道而可在所述槽道中造成 一第-流㈣,^第二壓力控制系統流體導接該第二 通道而可造成^第二流體流來第過所述的貫孔。 7·如申請專利範圍第2項之固持系統’更包含一第一壓力 23 1291212 控制系統可流體導接第一通道而在該貫孔中造成一第 一流體流,及一第二壓力控制系統可流體導接第二通道 來造成一第二流體流穿過該孔隙。 8. 如申請專利範圍第1項之固持系統,更包含一壓力控制 5 裝置流體導接該等槽道和凸銷,而形成具有多數預定形 狀之真空區部的固持系統。 9. 一種固持系統,包含: 一本體具有第一和第二通道及一表面設有多數開 孔靠近該表面,有一第一小組的開孔會流體導接該第一 10 通道,且一第二小組的開孔會流體導接第二通道;及 一壓力控制裝置會流體導接第一和第二通道而造 成流體流穿過該等開孔,且穿過第一小組開孔的流體流 之特性係不同於穿過第二小組開孔的流體流之特性,俾 使該表面之一區域上具有不同的固持力。 15 10.如申請專利範圍第9項之固持系統,其中該等開孔係被 列設在該區域上而使晶圓吸盤具有多數真空區部,其形 狀主要係選自多邊形和圓形。 11. 如申請專利範圍第9項之固持系統,其中該本體更包含 多數的凸銷由該表面伸出,且該等凸銷中有一小組凸銷 20 係各包含一貫孔由一通道延伸而終止於一前述之開孔。 12. 如申請專利範圍第9項之固持系統,其中未包含在該小 組中的開孔係為形成於該表面中的孔隙。 13. 如申請專利範圍第9項之固持系統,其中該等開孔係為 形成於該表面中的孔隙。 24 1291212 14.如申請專利範圍第9項之固持系統,其中該本體更包含 多數的凸銷由該表面伸出,且有第一小組的凸銷各含有 一貫孔由該第一和第二通道之一者延伸而終止於一所 述之開孔,另有一第二小組的凸銷係為實心體。 5 15. —種固持系統,包含: 一本體具有一孔隙設於其中,並有多數間隔分開的 凸銷由其表面伸出,有一第一小組的凸銷皆為實心體, 而一第二小組的凸銷各設有一貫孔流體導接一第一通 道,且該孔隙會由一第二通道延伸來流體導接該表面, 10 並有多數槽道會形成於該等凸銷之間; 一第一壓力控制系統會流體導接該第一通道;及 一第二壓力控制系統會流體導接該第二通道,且該 第一和第二壓力控制系統係能造成流體流來穿過該等貫 孔和孔隙,而在該表面之一區域上形成不同的固持力。 15 16.如申請專利範圍第15項之固持系統,其中該等凸銷係被 列設在該表面上,而可回應於該等流體流使晶圓吸盤具 有多數預定形狀的真空區部。 17.如申請專利範圍第16項之固持系統,其中該等形狀係選 自一主要包含環形、多邊形及圓形的組群。 20 18.如申請專利範圍第15項之固持系統,其中該等流體流係 被設成能令該貫孔與各槽道之間的流通中止而來回應 一基材置抵於一設有該貫孔的凸銷上。 19.如申請專利範圍第15項之固持系統,其中在該貫孔内的 流體流係以穿過該等孔隙之流體流的相反方向來移動。 25
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/047,499 US7636999B2 (en) | 2005-01-31 | 2005-01-31 | Method of retaining a substrate to a wafer chuck |
US11/047,428 US7798801B2 (en) | 2005-01-31 | 2005-01-31 | Chucking system for nano-manufacturing |
US11/108,208 US7635445B2 (en) | 2005-01-31 | 2005-04-18 | Method of separating a mold from a solidified layer disposed on a substrate |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW200633114A TW200633114A (en) | 2006-09-16 |
TWI291212B true TWI291212B (en) | 2007-12-11 |
Family
ID=36777728
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW95102094A TWI277504B (en) | 2005-01-31 | 2006-01-19 | Method of separating a mold from a solidified layer disposed on a substrate |
TW95102091A TWI291212B (en) | 2005-01-31 | 2006-01-19 | Chucking system for nano-manufacturing |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW95102094A TWI277504B (en) | 2005-01-31 | 2006-01-19 | Method of separating a mold from a solidified layer disposed on a substrate |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP1843884A4 (zh) |
KR (1) | KR101254042B1 (zh) |
TW (2) | TWI277504B (zh) |
WO (3) | WO2006083520A2 (zh) |
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JP4773729B2 (ja) | 2005-02-28 | 2011-09-14 | キヤノン株式会社 | 転写装置およびデバイス製造方法 |
JP5069979B2 (ja) * | 2007-09-03 | 2012-11-07 | 東芝機械株式会社 | 離型装置、給排システムおよび離型方法 |
WO2010005032A1 (ja) * | 2008-07-09 | 2010-01-14 | 東洋合成工業株式会社 | パターン形成方法 |
JP5438578B2 (ja) | 2010-03-29 | 2014-03-12 | 富士フイルム株式会社 | 微細凹凸パターンの形成方法及び形成装置 |
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JP6333031B2 (ja) | 2014-04-09 | 2018-05-30 | キヤノン株式会社 | インプリント装置および物品の製造方法 |
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JP7284639B2 (ja) | 2019-06-07 | 2023-05-31 | キヤノン株式会社 | 成形装置、および物品製造方法 |
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US7023238B1 (en) * | 2004-01-07 | 2006-04-04 | Altera Corporation | Input buffer with selectable threshold and hysteresis option |
-
2006
- 2006-01-12 WO PCT/US2006/001160 patent/WO2006083520A2/en active Application Filing
- 2006-01-12 WO PCT/US2006/001145 patent/WO2006083518A2/en active Application Filing
- 2006-01-12 EP EP06718240A patent/EP1843884A4/en active Pending
- 2006-01-12 WO PCT/US2006/001151 patent/WO2006083519A2/en active Application Filing
- 2006-01-12 KR KR1020077019969A patent/KR101254042B1/ko active IP Right Grant
- 2006-01-19 TW TW95102094A patent/TWI277504B/zh active
- 2006-01-19 TW TW95102091A patent/TWI291212B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW200633114A (en) | 2006-09-16 |
WO2006083519A2 (en) | 2006-08-10 |
EP1843884A2 (en) | 2007-10-17 |
TW200633846A (en) | 2006-10-01 |
KR20070102723A (ko) | 2007-10-19 |
WO2006083518A2 (en) | 2006-08-10 |
WO2006083519A3 (en) | 2009-04-23 |
WO2006083518A3 (en) | 2007-03-29 |
KR101254042B1 (ko) | 2013-04-12 |
WO2006083520A2 (en) | 2006-08-10 |
EP1843884A4 (en) | 2008-12-17 |
WO2006083520A3 (en) | 2009-05-14 |
TWI277504B (en) | 2007-04-01 |
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---|---|---|---|
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