TWI289733B - Lithographic apparatus and device manufacturing method - Google Patents

Description

1289733 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種微影投影裝置，包括： -一用於提供輻射投影束之輻射系統； -一微影圖案化腔室，其包括： •一支撐結構，其用於支撐圖案化構件，該圖案化構件 用以根據所要圖案來圖案化投影束； •一基板台，其用於固定基板；及 •一投影系統，其用於將該經圖案化束投影至該基板之 目標區上；及 --負載鎖’其用於將一物件自微影圖案化腔室傳送至第 二環境或反之亦然’該負載鎖界定一腔室並包括一面向微 影圖案化腔室之第一門與一面向黛— 向弟_裱境之第二門，且該 負載鎖進一步包括一進氛口以徘#么& 退礼口以對該負載鎖充氣。 本發明進-步係關於一種元件製造方法。 【先前技術】 本：二吏用之術語"圖案化構件，，應廣義 件，其可用以賦予入射輻 ^ ^ A . 、 圖案化橫截面，該圖案盥 待產生於基板之目標區内的圖案 /、 使用術語”光闊'通常，該圖幸將：夂’在此情形下亦可 件(諸如積體電路或其它元件(參看;：目:區内產生之元 相對應。該等圖案化構件之實例包括：））中的特疋功能層 光罩说影技術中光置沾4入 且光罩類型包括諸如二進位型罩，概念已為吾人所熟知， 乂變相移型、衰減相移型、 93290.doc 1289733 及各種混合光罩類型。在輻射束内置放該種光罩導致照射 於光罩上之輻射根據光罩上的圖案而發生選擇性透射（在 透射式光罩情況下）或選擇性反射（在反射式光罩情況下）。 在使用光罩情況下，該支撐結構通常將為一光罩台，其確 保將光罩固定於入射輻射束中的所要位置處，且該光罩台 可根據需要相對於該束而移動； -一可程式化鏡面陣列。該種設備之一實例係一具有 -黏彈性控製層肖-反射表面的矩陣可定址表φ。該種裝 置之基本原理係（例如）該反射表面之定址區域將入射光反 射為繞射光，而未定址區域將人射光反射為非繞射光。使 用合適之遽光片，可將該非繞射光自反射束内據出，只留 下繞射光；以此方式，輻射束根據矩陣可定址表面之定址 圖案而圖案化。可程式化鏡面陣列之—替代實施例使用微 鏡面之矩陣排列，藉由施加適當的區域化電場或藉由使用 壓電致動構件可使得每個微鏡面獨立地關於—軸線傾斜。 再一次’該等鏡面為矩陣可定址的，使得經定址鏡面將入 射輻射束反射到與非定址鏡面所反射方向不同的方向上； 以此方式’該反射束得以根據矩陣可定址鏡面之定址圖案 =圖案化。可使用合適之電子構件來執行所需之矩陣定址 麵作。在上文所述之兩種情況中，圖案化構件可包括一或 多個可程式化鏡面陣列。如本文所提到之鏡面陣列的更多 資訊可收集自(例如)美國專利us 5,296,891與us 5,523，193，及 pct專利申請案wo 98/38597與w〇 98/33〇96，該等案以引用的 方式併入本文中；在可程式化鏡面陣列之情況下，可將該 93290.doc 1289733 =::τ框架或台，，其可按要求為固定的 _ -可程式化LCD陣列。該種構造 料—出，該案以引用的方式併入 二广㈣可實施為(例如)-框架或 J按要求為固定的或可移動的。 為簡單起見，本文之其餘部分可(在某 對涉及光罩與光罩台的實例；然而 2疋針 a«犯在上迷之圖奉 構件的廣泛情形中理解該等示例所論述之一般原理。〃 微影投影裝置可用於，例如，積體電路(1:)之製造中。 在該情況下，圖案化構件可產生與1(：之個別層相對應之電 路圖案’且該圖案可成像於基板（石夕晶圓）之目標區上（舉例 而言’包括-或多個晶粒），該基板已塗布有一層輻射敏感 材料（抗蝕劑）。通常，單個晶圓將含有相鄰目標區之整個網 路，違等目標區經由投影系統每次一個相繼地受到輻照。 在田岫之裝置中，採用在光罩臺上藉由光罩之圖案化過程 時，可區分弟種不同類型的機器。在一類微影投影裝置中， 藉由將整個光罩圖案一次性曝光於目標區之上來照射各個 目標區；該種裝置一般稱作晶圓步進機或分步重複裝置。 在一替代性裝置中（一般稱作步進一掃描裝置），藉由在給定 參考方向（”掃描”方向）上於投影束中漸進地掃描光罩圖 案’同時與該方向平行或反平行地同步掃描基板台，來照 射每個目標區；由於通常該投影系統具有放大係數Μ(—般 <1)，所以掃描基板台之速度V應係掃描光罩台速度的係數 93290.doc 1289733 Μ倍。本文所描述之微影設備的更多資訊可收集自（例 如）US 6,046,792，該案以引用的方式併入本文中。 在使用微影投影裝置之製造過程中，將一圖案（舉例而 °在光罩内之圖案）成像至一至少部分由一層輻射敏感 材料（抗蝕劑）所覆蓋之基板上。在該成像步驟之前，可對基 板執行各種程序，諸如上底漆、塗布抗#劑與軟烘烤。曝 光後，可對該基板執行其它程序，諸如後曝光烘焙（ρΕΒ)、 顯影、硬烘烤與量測/檢查所成像部件。該一系列程序可作 為圖案化一元件（舉例而言，1C)之個別層之基礎。可對該經 圖案化層進行其它各種處理，諸如蝕刻、離子植入（摻雜）、 金屬化、氧化、化學機械研磨，等等，所有該等程序皆用 以完成一個別層。若需要多個層，則將必須針對每個新的 層重複该整個程序或其變體。最後，在基板（晶圓）上將出現 一元件陣列。接著藉由諸如分割或鋸切之技術，將該等元 件相互分開，由此個別元件可安裝至載體上，連接至針腳， 等等。關於該等過程之進一步資訊可獲取自（例如）petervan

Zarn 之，，Microchip Fabrication: A Practical Guide to Semiconductor

Processing(微晶片製造：半導體加工之實用指南），，，第三版，

McGmwHill 出版公司，1997，ISBN0-07_06725(M—書，其以引用 的方式併入本文中。 為達到簡單之目的，該投影系統於後文中可稱作，，透鏡，，， 但該術#應廣義地解釋為涵蓋各種類型之投影系統，包括 (例如）折射光學器件、反射光學器件與反射折射系統。該輻 射系統也可包括依照用於引導、成形或控制輻射投影束的 93290.doc 1289733 該等設計類型來進行操作的組件，且該等組件亦可在下文 中共同地或單個地稱作”透鏡”。另外，微影裝置可係一類 具有兩個或兩個以上基板台（及/或兩個或兩個以上光罩台） 的微影裝置。在該”多平臺”設備中，額外的台可被並行地 使用，或可在一或多個臺上執行預備步驟，同時將一或多 個其它台用於曝光。雙平臺微影裝置描述於（例如）us 5,969,441與WO 98/40791中，兩者皆以引用的方式併入本 文中。 在本文中，術語”輻射，，與，，輻射束，，用以涵蓋所有類型之電 磁輻射，包括紫外（UV)輻射（舉例而言，具有波長365 nm、 248 nm、193 nm、157 nm 或 120 nm)與極端紫外（EUV)輻射 (舉例而言，具有波長範圍在511111至2〇11111之内）、及粒子束， 諸如離子束或電子束。 一微影投影裝置通常包括兩個或兩個以上之不同的腔 室，諸如一操縱腔室與一圖案化腔室。特別係在使用Euv 輻射之應用中’將該等腔室中某些或所有腔室維持在真空 壞境下。 因而，諸如基板及/或光罩之物件係經由負載鎖而裝入至 =投影裝置内或自微影投影裝置内移除。負載鎖係_種 腔室’其包括至少兩個門，其中第一門通常面向壓力為ρ 之真空環境’而第二門通常面向壓力為？_之大氣環境。: 個:’都關閉時’可藉由對負載鎖抽氣或充氣來將負栽鎖内 之壓力調節至所要的壓力水平。 經由負載鎖將（例如）一基板自大氣環境移至真空環境通 93290.doc 1289733 常包括下列步驟： -打開面向大氣環境patm之第二門， •將基板自大氣環境patm傳遞入負載鎖内 -關閉第二門， -將負載鎖抽空至真空環境pvac， -打開面向真空環境pvac之第一門，及 -將基板自負載鎖傳遞至真空環境pvac。 將基板向相反方向移動（即，自真空環境移至大氣環境） 通常包括下列步驟： -打開面向真空環境pvae之第一門， -將基板自真空環境pvac傳遞至負載鎖内， -關閉第一門， -將負載鎖充氣至大氣環境patm， •打開面向大氣環境Patmi第二門，及 -將基板自負載鎖傳遞至大氣環境匕加。 當然’可同時移動多個基板。 ，然而，使用該種負載鎖會有一些缺點。例如，抽空負载 鎖之操作較佳應完成得越快越好，以獲得更高之產^。、结 :，負載鎖内之氣體溫度會降低(絕熱過程)。負載鎖内之; :Ϊ::合有水由於溫度降低而發生凝結。凝結核係 L ·运至真空環境之基板上的微粒。該等微粒會污毕 亚隨後污染’例如，基板操縱腔室與曝光腔室。” 分::向= = : =含水氣體時’由於㈣力使得水 黏者在負载鎖之壁上。此對負載鎖之抽空時間 93290.doc -11 - 1289733 有負面影響。 另外，在打開面向真空環境之門時，負載鎖内之内容物 (諸種氣體）可自負載鎖遷移至真空空間中，諸如晶圓操縱腔 室與曝光腔i若該空間含有氧及/或烴及域邮，則此: EUV輻射相結合言導致過程相關組件之降級，諸如受污染 的光學器件。乡負載鎖内包含微粒’則該等微粒會污染： 負載鎖加以傳送之基板以及過程相關組件。 最後，傳送中之基板可吸收或化學結合氧、烴及/或Η〗〇。 當基板在真空中時’其可能會釋放氣體，從而亦導致過程 相關組件之降級。 【發明内容】 本發明之-目的係提供-種不會表現出上文所述之缺點 的改良微影投影裝置。根據本發明，此目標及其它目把可 $成於-種微影投影裝置中，該微影投影裝置之特徵：進 孔口係連接至-氣體供應源，該氣體供應源至 件之部分過程中向進氣口提供氣趙，該氣艘大雜 粒、氧、烴與h20中至少一者。 ^ 向負載鎖内充人該種氣體可減少遷移至負載鎖内的有宝 二且亦可減少分子污染，例如由負載鎖内之氧、煙： *2广成之污染。沒有料微粒及/或分子會對負載鎖的抽 广 1造成正面影響。同時’該等微粒及 置内部的進一步遷移得以受到限制。 政知衣 在本發明之另一實施例中，微影圖案化 昼力而第二環境具有-第二壓力，第-麼力低於第：： 93290.doc -12- 1289733 :件負载鎖可有利地用於在第一歷力與第二壓力之間傳送 當使負载鎖内之壓力自第一屢力回升至第 過程可有利地藉由如上文加以界定之氣體來完成。 =發明之另一實施例中，向該負载鎖内充氣使其内部 [力為馬於第二壓力之裳一歐 力。该超屢將限制有害氣體 ❹自外部環境遷移至負載鎖内，^亦減少了分子污染。 ，本發明之另-實施例中，在打開第二門時對該負載鎖 亂。此將進—步❹有害微粒與污純分子向負載鎖内 遷移。該持續充氣操作能夠產生自負載鎖流向周圍環境之 氣流’從而減少自周圍環境進入負載鎖内之有害氣體微粒 與污染性分子的遷移。 在本發明之另一實施例中，該物件係選自用於微影投影 裝置内之-組物件，包括光罩或晶圓。經由負載鎖，在微 影圖案化腔室與具有不同壓力之第二環境之間的物件傳輸 經常在微影投影裝置内完成。同樣在該等裝置内需要最小 化微粒與分子污染之量’所以本文提供之方法可有利地用 於該等裝置内。 在本發明之另-實施例中’該氣體係氮氣、氬氣與合成 空氣中之一種。該等氣體不含污染性微粒且亦不含污染性 分子，諸如烴與H2〇。該等氣體亦可容易地購得。1 在本發明之另一實施例中，一出k口連接至氣體供應 源。此使得可再使用該大體上不含氧及/或烴及/或H2〇之氣 體。該出氣口較佳經由一過濾系統連接至氣體供應源。 93290.doc •13- 1289733 減另一態樣，本發明係關於一種元件製造方法，包括： 在—微影圖案化腔室内提供一基板，其至少部分地 由一層輻射敏感材料所覆蓋； 使用一輕射系統來提供一輻射投影束； 使用圖案化構件來為投影束之橫截面賦予一圖案丨及 等Λ、、二圖案化輪射束投影於該層輻射敏感材料之曰 標區上， s &由一負載鎖，將基板自該微影圖案化腔室傳送戍 將基板傳$至該微影圖案化腔室，該負載鎖界定-腔室^ 包括一面向微影圖案化腔室之第一門與一面向第二環境之 第二門， 其特徵為 至少在傳送之部分過程中向該負載鎖内充入一種氣體， 該氣體A體上不含微粒、氧、烴與h2o中至少-者。 k &在本文中可能具體地提到了將根據本發明之裝置用 於製造ICs過程’但是應明錢解該種裝置亦可用於許多其 匕應用中。j列如’該裝置可用於製造整合式光學系統、磁 域記憶體之導引與制圖案、液晶顯示面板、薄膜磁頭， 等等。熟悉此項技術者應瞭解，在該等替代應用之情形下， 應認為本文中所使用之術語，，主光罩，，、，，晶圓，，與，，晶粒”可分 別替換為更通用之術語”光罩”、，，基板，，與，，目標區,，。 【實施方式】 * 圖1示意性描繪了根據本發明之一特定實施例的微影投 影裝置1。該‘裝置包括： 93290.doc •14- 1289733 一輻射系統Ex、IL，其用於提供一投影輻射（舉例而言， EUV輻射）束PB。在該特定情況下，該轄射系統亦包括 射源LA; ^ :第-载物台(光罩台)ΜΤ，其具備一光罩固持器以固定 光罩ΜΑ(舉例而言，__主光罩），且連接至第—定位構件 ΡΜ以相對於項目pL而精確定位光罩； 一第二载物台（基板台）WT,其具備一基板固持器以固定 :基板W(舉例而言，一塗覆有抗蝕劑之矽晶圓”且連接至 第一定位構件PW以相對於項目pL而精確定位基板；及 一投影系統（”透鏡”)PL(舉例而言，用於Euv輻射之鏡 面）’其用於將光罩ΜΑ之受照射區成像至基板冒之目標區 C(舉例而言，包括一或多個晶粒）上。 在此所述之裝置為反射類型（即，具有一反射光罩）。然 而，一般而言，該裝置亦可為透射類型，例如具有一透射 光罩。或者，該裝置可使用另一種圖案化構件，諸如上述 類型之可程式化鏡面陣列。 、源LA(舉偏言，EUV源）產生輻射束。該射束直接地抑 或在已穿過（例如）諸如射束放大器以的調節構件後饋送至 一照明系統（照明器）IL。該照明器IL可包括一調整構件 AM，以供設定射束中強度分佈的外部及/或内部徑向範圍 (通常分賴稱作σ_外部與㈠部）。另外，該㈣狐通常 將包括各種其它組件’諸如積光器_聚光器⑶。以此方 式，照射至光罩ΜΑ上之射束ΡΒ在其橫截面上具有所要之均 勻度與強度分佈。 93290.doc -15- 1289733 應注意就圖1而吕’源LA可位於微影投影裝置之罩殼内 (例如’此通常發生在源LA為汞燈之情況下），但其亦可遠 離微影投影裝置，其產生之輻射束被導引至該裝置内（例 如，藉助於合適之導向鏡），該後一種情形通常發生在源la 為准分子雷射器之情況下。本發明與申請專利範圍涵蓋該 荨兩種情形。 射束PB隨後照射固定於光罩台Μτ上的光罩撾八。在穿過 光罩MA之後，輻射束PB通過透鏡pl，該透鏡？]：將輻射束 PB聚焦至基板W之目標區c中。藉助於第二定位構件(與 干涉量測構件IF)，可精確地移動基板台WT，例如，使得可 將不同的目標區C定位於射束PB的路徑中。相似地，第一 定位構件PM可用於（例如）當自光罩庫中以機械方式取得光 罩MA之後或在掃描過程中相對於輻射束pB之路徑而精確 定位光罩MA。一般而言，可藉助未在圖丨中明確描繪之長 衝程模組（粗定位）與短衝程模組（精細定位）來實現載物台 MT WT之移動。然而，在晶圓步進機（與步進掃描裝置相 反）之If ;兄下，可僅將光罩台Μτ連接至一短衝程致動器， 或將光罩台MT固定。可使用光罩對準標記乂丨、M2與基板 對準標記PI、P2來對準光罩]^八與基板w。 所描緣之裝置可用於兩種不同模式中： L在步進模式中，光罩台MT大體上保持固定，且將整 個光罩影像一次性（即，單次”閃光，，）投影至一目標區c之 上接著將基板台WT在X及/或y方向中移位以使輻射束 可知射到不同目標區C ;及 93290.doc •16· 1289733 2.在掃描模式中，除了給定目標區c並非在單一”閃光，， 下曝光外，大體上會發生相同的情形。實情為，光罩SMT 可在給定方向（所謂”掃描方向”，舉例而言，y方向）上以速 度v移動，從而使得投影束ρβ可掃描整個光罩影像，·並行 地，基板台wt同時在相同或相反方向以速度v=Mv移動， 其中Μ係透鏡PL之放大倍率（通常，M=1/4或1/5)。使用此 方式可曝光相對較大之目標區C，而無須降低解析度。 圖2示意性地描述了根據本發明之一實施例之負載鎖 LL。該負載鎖LL包括兩個門u、12。第一叫面向微影投 影裝置1之内部，該内部包括操縱腔室11(：與微影圖案化腔 室PC，兩個腔室内部維持壓力為Pvac之真空環境。第二門^ 面向大氣環境，其壓力（例如）等於大氣壓力？_。然而，本 發明亦可有利地用於壓力為其它壓力值之情況下。 負載鎖LL包括一形成内部空間之壁。如熟胃此項技術者 已知，該負載鎖LL進一步具備用於支撐諸如基板之一或多 個物件之支撐構件（未圖示）。 在囷2中可看出，負載鎖ll亦具備一進氣口 13與一出氣口 15該出氣口 15可具備一泵16，以便將負載鎖抽空至（例 =)10·3-10·5Ρ&(大體上等於或低於Pvae之壓力）之真空環 境。將（例如）基板w自大氣環境經由負載鎖1^移動至真空 通常包括以下步驟： " 打開面向大氣環境Patm之第二門12， 一將基板W自大氣環境Patm傳送至負載鎖内， - 關閉第二門12， 93290.doc -17- 1289733 使用泵16通過出氣口 15將負载鎖ll抽空至大體上 專於或小於真空環境pvac之壓力， 打開面向真空環境Pvac之第一門丨丨，及 -將基板W自負載鎖LU#送至真空環境ρ_。 進氣口 13可用於對負載鎖充氣以便將負載鎖内部之壓力 自pvac升至patm。將基板w自真空經由負載鎖ll移動至大氣 環境通常包括以下步驟·· _將負載鎖1^抽空至大體上等於或小於真空環境Pvac 之壓力， 一 打開面向真空環境pvac之第一門u， 將基板w自真空環境Pvac傳送至負載鎖LL·内， - 關閉第一門11， _經由進氣口 13將負載鎖IX充氣至大體上等於或大 於大氣環境Patm之壓力， " 打開面向大氣環境Patm之第二門12，及 - 將基板W傳遞至大氣環境!^^。 相應地’…藉由向負載鎖LL内充入不包含有害微粒或污染 性分子的特別選定之氣體，可限制,該等微粒及分子（諸如 氧、烴及/或H2〇)進入負載鎖！^。熟悉此項技術者將瞭解， 可使用諸如氮氣，氬氣或合成空氣之氣體，但是當然亦可 使用其它合適之氣體。 當藉由通過進氣口 13向負載鎖LL供應氣體來使負栽鎖 LL内壓力自Pvac回升至匕恤時，通常所使用氣體係一種特殊 氣體而非普通的環境空氣。圖2展示一包含氮氣的氣體供應 93290.doc -18- 1289733 源1 7。氣體供應源丨7可為一高壓貯槽。 圖3a展不了在負載鎖£[之抽氣與充氣循環期間，負載鎖 LL内的壓力⑽對於時^之曲線圖，在該抽氣與充氣循環 中（例如）晶圓w可在第一環境與第二環境之間互換。該曲線 圖可分為5個區段，區段卜區段II、區段III、區段IV與區段 V。 ' 在階段I中，自、至^，負載鎖乙乙内的壓力大體上等於或 小於Pvac。在該階段中，可打開面向真空環境之第一門u 以將基板W或其類似物傳送至或傳送出負載鎖LL。在時間 tl處’關閉第一門1卜在階段財，自“至。，藉由經由進氣 口 13向負載鎖LL充入合適之氣體來使負載鎖LL内之壓力 大體上回升至Patm。在該實施例中，向負載鎖Ll充入氮氣。 進氣口 13連接至氣體供應源17。在時間h處，負載鎖大體上 處於大氣壓力並充滿氮氣，此時可打開面向大氣環境之第 二門12。在階段ΙΠ中，自時間“至。，可將基板冒或其類似 物傳送至或傳送出負載鎖LL。 由於負載鎖LL内充滿氮氣，因此在階段III中當第二門12 打開時’幾乎沒有有害微粒或污染性分子能夠進入負載 鎖。然而，某些微粒及/或分子可遷移入負載鎖LL内。 因此’如圖3b所示，根據本發明之另一實施例，在階段 ΠΙ中在負載鎖ll内建立一過壓Patm+。即使當第二門12打開 時’亦可藉由在階段III中通過進氣口 13使氮氣持續流入來 貫現該過壓P atm +。該過壓可導致一自負載鎖LL流向大氣環 境之氣流，從而最小化了微粒及/或分子自大氣環境向負载 93290.doc -19- 1289733 鎖LL的遷移。 在時間t3處，關閉篦-卩日t 1 处_弟—門12，且在階段IVtfj =广5將負載鎖认抽空至大體上等於或 、工 :鎖=空：氣體實質上就是先前提供給負細之1 在一較佳實施例中，出氣口 15可（例如）經由一 過慮系統（未圖示）連接至氣體供應源17，以再使用氮氣。 雖然以上已描述了本發明之特定實施例，應瞭解本發明 亦可以不同於所描述之方式加以實行。本發明之說明並非 用以對本發明加錄制。例如，應瞭解本發明亦可應用於 一種在一第一環境與一第二環境之間傳送物件之方法，其 中該第一環境與第二環境之壓力大體上相同。 【圖式簡單說明】 圖1描繪了根據本發明之一實施例的一微影投影裝置； 圖2示意性描繪了根據本發明之一實施例的一負載鎖；及 圖3 a與圖3 b描緣了根據本發明之一實施例的負載鎖内之 壓力相對於時間的曲線圖。 【主要元_件符號說明】 1 微影投影裝置 11 第一門 12 第二門 13 進氣口 15 出氣口 16 泵 17 氣體供應源 93290.doc -20- 1289733 AM 調整構件 C 目標區 CO 聚光器 Ex 射束放大器 HC 操縱腔室 IF 干涉量測構件 IL 照明系統 IN 積光器 LA 輻射源 LL 負載鎖 Ml，M2 光罩對準標記 MA 光罩 MT 光罩台 n2 氮氣 PI, P2 基板對準標記 P atm 第二壓力 P atm + 第三壓力 PB 投影束 PC 微影圖案化腔室 PL 投影系統 PM 第一定位構件 Pvac 第一壓力 PW 第二定位構件 丁 時間 93290.doc -21 - 1289733 w WT x，y 基板 基板台 x座標軸/y座標軸 93290.doc -22

Claims (1)

1289拜義114〇〇9號專利申請案狐 ^ 一——宁1、申請專利範圍： 1 · 一種微影投影裝置，包括·· -一用於提供一輻射投影束（PB)之輻射系統； -一微影圖案化腔室（PC)，其包括·· .一支擇結構⑽），其用於支揮圖案化構件（ma)，該 圖案化構件（MA)用以根據一所要圖案來圖案化該投 影束（PB); •-基板台（WT)，其用於支持—基板（w);及 •-投影系統(PL)’其用於將該經圖案化束投影至該基 板（W)之一目標區（c)上；及 -一負載鎖（LL)，其用於將一物件（MA，W)自具有一第 一塵力的該微影圖案化腔t(pc)傳送至一第二環境或反 之亦然’該第二環境具有一第二壓力，該第一壓力小於 嫿第一壓力’該負載鎖界定一腔室並包括一面向該微影 圖案化腔室（PC)之第—門⑴）與—面向該第二環境之第 -門（12) ’負載鎖（叫進_步包括—用於向該負載鎖 (LL)内充入氣體之進氣口（13)， 其特徵為 该進乳口（13)連接至一氣體供應源（17)，該氣體供應源 (17)至少在傳送該物件之部分過程中向該進氣口（Η)供 應一氣體’該氣體實質上不含微粒、％、碳氯化合物或 水^子中至少一者’以在負载鎖產生高於該第二壓力的 I力’為當该第二門打開時，，亥氣體流出該負載鎖， 且進入該第二環境，俾減少微粒從該第二環境遷移入該 93290-9608Q2.doc 1289733 員載鎖。 2· 3. 4· 6· 如=们之微影投影裝置，其中該負載鎖（ll)進一步包 連接至聚（16)之出氣口（15),該果（⑼經由該出氣 口（15)將該負載鎖（LL)内之氣體抽出。 如"月求項2之微影投影裝置’其中該出氣口⑽連接至該氣 體供應源（17)。 如請求項1之微影投影裝置，其中t該第二門（12)打開時 該負载鎖（LL)被充氣。 如明求項1之微影投影裝置，其中該氣體係氮氣、氬氣與 合成空氣中之一氣體。 一種元件製造方法，包括： 在微影圖案化腔室（PC)内提供一基板（w)，該基板（w) 至少部分地由一層輻射敏感材料所覆蓋； 使用一輻射系統來提供一輻射投影束（PB); 使用圖案化構件（MA)來將一圖案賦予投影束（PB)之橫截 面； /、 將°亥、、&圖案化之輻射束投影至該層輕射敏感材料之一 目標區（C)上；及 •經由一負载鎖（LL)將該基板（W)在一第二環境與該微 影圖案化腔室（PC)之間傳送，該負載鎖（LL)界定一腔室並 包括一面向該微影圖案化腔室（PC)之第一門（11)與一面 向該第二環境之第二門（12)，該第二環境具有一壓力，其 高於微影圖案化腔室内的該壓力， 其特徵為 93290_960802.doc 1289733 氣蝴，=傳达之部分過程中向該負載鎖（LL)内充入- 子;至^1實質上不含微粒、氧、碳氫化合物或水分 中至一者’使負載鎖的麼力高於該第二環境之壓 力，以使當該第二門打開丰 _ ^ 今H么 …開時’錢體流出負載鎖並進入 〜弟一％ i兄’俾減少微

如請求項6之方法，其中—丄遷移入該負载鎖。 分 ’、 自5亥从影圖案化腔室（pc)至該 弟二環境之傳送過程包括： / :將該負載鎖(LL)抽空至實質上等於或小於該第一壓力 (Pvac)， _打開該第一門（1 i )， 將忒物件（w)自該微影圖案化腔室（PC)傳送入該負載 鎖（LL)内， Μ _關閉該第一門（11)， 精由该實質上不含微粒、氧、碳氣化合物或水分子中 至少者之氣體來將該負载鎖（LL)充氣至該壓力，其高於 該第二環境之壓力。 、 _打開該第二門（12) •將該物件（W)傳送至該第二環境。 8·如請求項6或7之方法，其中當該第二門⑽打開時向該負 载鎖（LL)充氣。 如吻求項6或7之方法，其中該物件係一光罩（MA)或一晶 圓（W)中至少一者。 L月求項6或7之方法，其中該氣體係氮氣、氬氣與合成 空氣中之一。 93290-960802.doc 1289733 11 · 一種元件製造方法，包括： -在一微影圖案化腔室（PC)内提供一基板（W)，其至少部 分地由一層輻射敏感材料所覆蓋； -使用一輪射系統來提供一輕射投影束（PB); -使用圖案化構件（MA)來將一圖案賦予該投影束之 橫截面； -將該經圖案化之輻射束投影至該層輻射敏感材料之一 目標區（C)上；及 -經由一負載鎖（LL)將一物件傳送出且傳送至該微影圖 案化L至（PC)，该負載鎖（LL)界定一腔室並包括一面向該 微影圖案化腔室（PC)之第一門（11)與一面向一第二環境 之第一門（12)，该第二環境具有一高於該微影圖案化腔室 内壓力之一壓力，該物件係該基板（w)與該圖案化構件 (MA)之一， 其特徵為： 至少在該傳送之部分過程中向該負載鎖内充入一 氣體，該氣體實質上不含微粒、&、碳氫化合物或水； 子中至；一者，使負載鎖的壓力高於該第二環境之層 力:以使當該第二門打％時’該氣體流出負載鎖並進/ 該第二環境，4皁減少冑粒從該第二環境遷移入該負載鎖 93290-960802.doc