CN100565345C - 平版印刷装置和设备的制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种通过载荷贮存室(LL)在平版印刷图案形成室(PC)和第二环境之间转移物体(W)的方法。载荷贮存室(LL)形成有内部空间,该内部空间由形成在所述内部空间的壁而密封,载荷贮存室(LL)包括面向该平版印刷图案形成室的第一个门(11)和面向该第二环境的第二个门(12)。在至少部分转移期间利用气体给载荷贮存室(LL)排气,该气体基本不包含粒子,氧气,碳氢化合物和水中的至少一种。
Description
技术领域
本发明涉及一种平版印刷投影装置,包括:
-用于提供辐射的投射光束的辐射系统;
-平版印刷图案形成室,包括:
·用于支撑图案形成装置的支撑结构,该图案形成装置用于根据期望的图案将投射光束形成图案;
·用于支撑基片的基片台;和
·用于将形成图案的光束投影到基片的靶部上的投影系统;以及
-载荷贮存室(load lock),用于将物体从平版印刷图案形成室转移到第二环境或反之,该载荷贮存室限定一个室并包括面向平版印刷图案形成室的第一个门,和面向第二环境的第二个门,载荷贮存室还包括用于给载荷贮存室通风的进气口。
本发明还涉及一种设备的制造方法。
背景技术
这里使用的术语“图案形成装置”应该广义解释为这样的装置,其能够用于根据在基片的靶部上形成的图案,给入射的辐射光束赋予形成有图案的截面。本文中也可以采用术语“光阀”。一般来说,所述图案与在靶部上形成的设备中的特定功能层相应,如集成电路或其他设备(见下文)。这种图案形成装置的例子包括:
-掩模。掩模的概念是平版印刷术中公知的,它包括掩模类型如二进制,可交替的相移,衰减的相移,还有各种混合掩模类型。根据掩模上的图案,在辐射光束中设置这种掩模将导致掩模上碰撞的辐射的选择透射(在透射掩模的情况下)或反射(在反射掩模的情况下)。在掩模的情况下,支撑结构将一般是掩模台,其确保掩模能够保持在入射辐射光束的期望位置,而且需要的话它能够相对于光束移动;
-可编程反射镜阵列。这种设备的一个例子就是具有粘弹性控制层和反射面的矩阵可编址面。这样装置的基本原理就是(例如)反射面的编址区反射入射的光作为衍射光,而非编址区反射入射的光作为非衍射光。采用适当的滤光器,能够将所述非衍射光过滤出反射光束,只留下衍射光。以这种方式,根据矩阵可编址面的编址图案使光束变为图案。可编程反射镜阵列的替换实施例利用小反射镜的矩阵排列,通过施加合适的局部电场,或通过利用压电驱动装置,每个反射镜能够独立地相对光轴倾斜。再者,反光镜为矩阵可编址的,使得编址的反光镜以不同的方向将入射的辐射光束反射到非编址反光镜;以这种方式,根据矩阵可编址反射镜的编址图案使反射光束被图案化。该所需的矩阵编址能够利用合适的电子装置进行。上述描述的两种情形中,图案形成装置可以包括一个或多个可编程反射镜阵列。这里收集了所说的关于反射镜阵列的更多信息,例如,美国专利US5,296,891和US5,523,193,以及PCT专利申请WO98/38597和WO98/33096,在此一并用作参考。在可编程反射镜阵列的情况下,所述支撑结构可以具体为框架或工作台,例如,其可以根据需要被固定或可移动;以及
-可编程LCD阵列。例如在这里一并用作参考的美国专利US5,229,872给出的这种结构。如上所述,这种情况下支撑结构可以具体为框架或工作台,例如,其可以根据需要被固定或可移动。
为简单起见,本文的其余部分可以,在某些位置,具体地涉及包括掩模和掩模台的例子;但是,这种情况下所讨论的普遍原理应该能够从上述图案形成装置的较宽的范围中得出。
平版印刷投影装置可以用于,例如集成电路(ICs)的制造中。这种情况下,图案形成装置可以相应于单层的IC产生电路图案,并且该图案可以成像在涂敷有一层辐射敏感材料(抗蚀剂)的基片(硅晶片)上的靶部(例如包括一个或多个模)上。一般说来,单个的晶片将包含相邻靶部的整个网格,该靶部由投影系统每次一个地连续辐照。当前的装置中,通过掩模台上的掩模进行图案形成,可以区分两种不同类型的机器。一种类型的平版印刷投影装置中,通过一次将全部掩模图案曝光到靶部上而辐照每个靶部;这种装置通常称为晶片分档器(wafer stepper)或分步重复装置。在一可替换装置中——通常称为分步扫描装置——通过在投射光束下,以给定参考方向(“扫描”方向)逐渐扫描掩模图案辐照每个靶部,同时以平行或者反向平行于该方向同步扫描基片台。因此,一般说来,投影系统具有放大系数M(通常<1),扫描基片台的速度V是扫描掩模台速度乘以系数M。这里收集了关于平版印刷设备的更多信息,例如,这里用作参考的美国专利US6,046,792。
在利用平版印刷投影装置的制造工艺中,图案(例如在掩模中)成像在至少部分涂敷有一层辐射敏感材料(抗腐剂)的基片上。在这一成像步骤前,基片可以进行各种处理,如涂底漆,涂抗腐剂和软烘烤。曝光之后,基片可以进行其它处理,如后曝光烘烤(PEB),显影,硬烘烤和测量/检查成像特征等。这一系列的处理用作形成设备单层图案的基础,如IC。这种图案层然后可以进行各种处理如蚀刻,离子注入(掺杂),镀金属,氧化,化学-机械抛光等,所有都是为形成一单层。如果需要几层,对于每一新的层则必须重复全部的过程或其变形。最后,在基片(晶片)上呈现一系列的器件。这些器件将借助切割或锯断这样的技术彼此分开,由此单个的器件可以安装在载体上,连接到引脚等。关于这种处理的进一步的信息可以从,例如,“Microchip Fabrication:APractical Guide to Semiconductor Processing”,第3版,Peter van Zant,McGraw HillPublishing Co.,1997,ISBN 0-07-067250-4,一书中得到,其在此一并作为参考。
为简单起见,投影系统在下文成为“透镜”;但是,该术语应该广泛解释为包含各种类型的投影系统,包括例如折射光学装置,反射光学装置以及反折射系统。辐射系统也可以包括根据任一这些设计类型的部件操作,所述类型用于操纵,整形或控制辐射的投射光束,并且这种部件在下面也可以集中或单独称为“透镜”。进一步,平版印刷装置也可以具有两个或多个基片台(和/或两个或多个掩模台)。这种“多级”设备中,另外的台可以平行使用,或者准备步骤可以在一个或多个台上实现,而一个或多个其它的台用于曝光。例如,US5,969,441和WO98/40791中描述的二级平版印刷装置,二者在此一并作为参考。
本文献中,术语“辐射”和“光束”用于包含所有类型的电磁辐射,包括紫外线(UV)辐射(如具有365,248,193,157或126nm的波长)和远紫外线(EUV)辐射(如具有5-20nm的波长),以及粒子束,如离子束或电子束。
平版印刷投影装置通常包括两个或多个不同的室,如操作室和图案形成室。尤其在利用EUV辐射的情况下,一些或所有的这些室都要维持真空环境。
作为重要的目的,例如基片和/或掩模通过载荷贮存室进入和从平版印刷投影装置中移走,载荷贮存室为一个室,其包括至少两个门,其中第一个门典型地面向具有压强Pvac的真空环境,第二个门典型地面向具有压强Patm大气环境。当两个门均关闭时,载荷贮存室中的压强能够通过给载荷贮存室抽气或排气调节到期望的压强级。
例如,借助载荷贮存室将基片从大气环境移动到真空环境,通常包括以下步骤:
-打开面向大气环境Patm的第二个门,
-将基片从大气环境Patm转移到载荷贮存室,
-关闭第二个门,
-从载荷贮存室抽气到真空环境Pvac,
-打开面向真空环境Pvac的第一个门,以及
-将基片从载荷贮存室转移到真空环境Pvac。
以相反的方向移动基片,即从真空环境到大气环境,通常包括以下步骤;
-打开面向真空环境Pvac的第一个门,
-将基片从真空环境Pvac转移到载荷贮存室,
-关闭第一个门,
-从载荷贮存室中排气到大气环境Patm,
-打开面向大气环境Patm的第二个门,以及
-将基片从载荷贮存室中转移到大气环境Patm。
当然,可以同时移动一个以上的基片。
但是,利用这样的载荷贮存室存在一些缺陷。例如,从载荷贮存室中抽气最好尽可能地快,以得到高的通过量(throughput)。这样,载荷贮存室中的气体温度可能降低(绝热过程)。载荷贮存室中的气体可能含有水份,温度降低的结果是使该气体凝结。该凝结的晶核为能够降落在基片上的粒子,该基片被转移到真空环境。这些粒子会污染基片,并随后污染例如基片处理室和曝光室。
同样,当载荷贮存室包括含有水份的气体时,因粘附力使得该水分子容易粘附到载荷贮存室的壁上。这样在载荷贮存室抽气时会有不利的影响。
此外,当面向真空环境的门打开时,载荷贮存室中的内含物(气体)会从载荷贮存室移往真空空间,如晶片处理室和曝光室。如果这些空间包含氧气和/或碳氢化合物和/或水,则与EUV辐射结合会引起与工艺有关的部件如被污染的光学器件的退化。如果载荷贮存室中的容量(volume)包括粒子,则这些粒子会污染被载荷贮存室转移的基片以及与工艺相关的部件。
最后,被转移的基片能够吸收或化学结合氧气、碳氢化合物和/或水。当基片在真空中时,该基片可能排放气体,同样可能引起工序相关部件的退化。
发明内容
本发明的目的在于提供一种没有上述缺陷的改善的平版印刷投影装置。该目的和其它目的通过根据本发明的平版印刷投影装置实现,其特征在于进气口连接到气体供应源,该气体供应源在至少部分的物体转移期间将气体提供给进气口,该气体基本不含粒子、氧气、碳氢化合物和水中的至少一种。
利用如气体给载荷贮存室排气,以减少危险离子向载荷贮存室中的迁移,同时降低载荷贮存室中的分子污染,如被氧气、碳氢化合物和水污染。没有这些粒子和/或分子存在时载荷贮存室抽气时是有好处的。同样,能够限制这些粒子和/或分子向平版印刷投影装置内部的进一步迁移。
本发明另外的实施方案中,平版印刷图案形成室具有第一压强,第二环境具有第二压强,第一压强小于第二压强。载荷贮存室最好用于在第一压强和第二压强之间转移物体。
当使载荷贮存室从第一压强回复到第二压强时,最好通过如上面限定的气体进行。
本发明另外的实施方案中,将载荷贮存室排气至高于第二压强的第三压强。这种过压将限制危险的气体粒子从环境迁移到载荷贮存室,并同样降低分子污染。
本发明另外的实施方案中,当第二个门打开时载荷贮存室排气。这将更进一步减少危险粒子和污染分子向载荷贮存室中的迁移。这样连续的排气产生从载荷贮存室向环境的气流,减少危险气体粒子和污染分子从环境向载荷贮存室中的迁移。
本发明另外的实施方案中,物体选自于用于平版印刷投影装置的一组物体,包括掩模或晶片。通过载荷贮存室,在具有不同压强的平版印刷图案形成室和第二环境之间,物体的转移经常在平版印刷投影装置中进行。同样,需要使该装置中的粒子量和分子污染最小,因此该装置最好能够采用这里所提出的方法。
本发明另外的实施方案中,气体是N2气体,Ar气体和合成空气之一。这些气体中没有污染粒子也没有污染分子,如碳氢化合物和水。这些气体也容易得到。
本发明另外的实施方案中,进气口连接到气体供应源。这使得气体的再利用成为可能,该气体中基本没有氧气和/或碳氢化合物和/或水。优选地,进气口通过过滤系统连接到气体供应源。
根据另一方面,本发明涉及一种设备的制造方法,包括:
-提供平版印刷图案形成室中的基片,其至少部分涂敷有一层辐射敏感材料;
-利用辐射系统提供辐射的投射光束;
-利用图案形成装置在投射光束的横截面上形成图案;以及
-将该辐射的形成有图案的光束投射到辐射敏感材料层的靶部上,
-通过载荷贮存室从所述平版印刷图案形成室转移基片和将基片转移到所述平版印刷图案形成室,该载荷贮存室限定一个室并包括面向平版印刷图案形成室的第一个门和面向第二环境的第二个门,
其特征在于:至少在部分转移期间利用气体给载荷贮存室排气,该气体基本不包含粒子、氧气、碳氢化合物和水中的至少一种。
虽然本文在IC的制造中可以特定参考根据本发明的装置的使用,但是应该理解该装置具有许多其它可能的应用。例如,可以用于集成光学系统,磁畴存储的导向和检测图案,液晶显示板,薄膜式磁头等的制造中。所属领域技术人员知道,这种替换应用的场合中,本文中术语“调制盘(reticle)”,“晶片(wafer)”或“模(die)”的任何使用应该认为可以分别用较常用术语“掩模(mask)”,“基片(substrate)”,和“靶部(target portion)来替换。
附图说明
现在仅以示意的方式,参考附图描述本发明的实施例,附图中相应的参考标记表示相应的部件,其中:
图1示出根据本发明实施方案的平版印刷投影装置;
图2示意性示出根据本发明实施方案的载荷贮存室;以及
图3a和3b示出根据本发明的实施方案,载荷贮存室中的压强对时间的曲线图。
具体实施方式
图1示意性示出根据本发明的特定实施方案的平版印刷投影装置1。该装置包括:
-辐射系统Ex,IL,用于提供辐射(如EUV辐射)的投射光束PB。该特定情况下,辐射系统还包括辐射源LA;
-第一物体台(掩模台)MT,具有掩模支撑件用于支撑掩模MA(如调制盘),并连接到用于将相应件PL的掩模精确定位的第一定位装置PM;
-第二物体台(基片台)WT,具有基片支撑件用于支撑基片W(如涂有抗蚀剂的硅晶片),并连接到用于将相应件PL的基片精确定位的第二定位装置PW;以及
-投射系统(透镜)PL(如用于EUV辐射的反射镜),用于将掩模MA的辐照部分成像到基片W的靶部C(如包括一个或多个模)上。
如这里所描述的,该装置属于反射型(即具有反射掩模)。但是,一般说来,它还可以是透射型,例如具有透射掩模。或者,该装置可以采用另一类型的图案形成装置,如上述一类的可编程反射镜阵列。
光源LA(如EUV源)产生辐射光束。例如,直接或在穿过调节装置如扩束器Ex之后,该光束被引入到发光系统(如发光器)IL。发光器IL可以包括调节装置AM,用于设定光束中外部和或/内部强度分布的辐射范围(通常分别称为6外部和6内部)。此外,它通常包括各种其它部件,如集成器IN和聚光器CO。以这种方式,照射到掩模MA上的光束PB在其横截面上具有期望的均匀度和强度分布。
应该注意图1中,光源LA可以在平版印刷投影装置的壳体内部(如当光源是汞灯时通常为这种情况),但是其也可以远离平版印刷投影装置,其产生的辐射光束被引入该装置(如在适当的引导反射镜的辅助下);后面的方案经常用于光源LA是准分子激光的情况下。本发明和权利要求包含了这两种方案。
接着光束PB与支撑在掩模台MT上的掩模MA相交切。穿过掩模MA之后,所以光束PB透过透镜PL,将光束PB聚焦在基片W的靶部C。在第二定位装置PW(和干涉测量装置IF)的辅助下,基片台WT能够精确移动,如使得在光束PB的通路中定位不同的靶部C。类似地,第一定位装置PM能够用于相对于光束PB的通路精确定位掩模MA,如在掩模MA由掩模实验室机械恢复之后,或在扫描期间。一般说来,物体台MT、WT的移动在长行程模块(粗略定位)和短行程模块(精确定位)的辅助下完成,其没有明确表示在图1中。但是,在晶片分档器(与分步扫描装置相对)的情况下,掩模台MT可以刚好被连接到短行程执行器,或可被固定。掩模MA和基片W可以利用掩横对准标记M1、M2和基片对准标记P1、P2被调准对齐。
所示的装置可用于两种不同的模式:
1.分步模式中,掩模台MT基本保持不动,整个掩模图象一次(即单“闪”)投射到靶部C上。然后沿x和/或y方向移动基片台WT,使得光束PB能够辐照不同的靶部C;以及
2.扫描模式中,以基本相同的方式,除了给定的靶部C不曝光在单“闪”中之外。相反,以速度v沿给定方向(所谓的“扫描方向”,如y方向)移动掩模台MT,使得投射光束PB扫描整个掩模图象;同时,以速度V=Mv沿相同或相反的方向同步移动基片台WT,其中M为透镜PL的放大率(典型地,M=1/4或1/5)。以这种方式,可以曝光相当大的靶部C,而不影响分辨率。
图2示意性示出了根据本发明实施方案的载荷贮存室LL。载荷贮存室LL包括两个门11、12。第一个门11面向平版印刷投影装置1的里面,该装置包括处理室HC和平版印刷图案形成室PC,其中维持具有压强Pvac的真空环境。。第二个门12面向具有压强例如等于大气压强Patm的大气环境。但是,本发明也可方便地适用于其它压强值。
载荷贮存室LL包括形成有内部空间的壁。载荷贮存室LL还包括支撑装置(未示出),用于支撑一个或多个物体,如基片,如本领域技术人员所公知的那样。
如可从图2中看出,载荷贮存室LL还包括进气口13和出气口15。出气口15可以具有泵16以将载荷贮存室LL抽气到具有例如基本等于或小于Pvac的10-3-10-5Pa的压强的真空环境。例如,通过载荷贮存室LL的基片W从大气环境到真空的移动,通常包括以下步骤:
-打开面向大气环境Patm的第二个门12,
-将基片W从大气环境Patm转移到载荷贮存室LL,
-关闭第二个门12,
-利用泵16通过出气口15将载荷贮存室LL抽气到压强基本等于或小于真空环境Pvac,
-打开面向真空环境Pvac的第一个门11,以及
-将基片W从载荷贮存室LL中转移到真空环境Pvac。
进气口13可以用于给载荷贮存室排气,以将载荷贮存室中的压强从Pvac提高到Patm。通过载荷贮存室LL将基片W从真空环境移动到大气环境,通常包括以下步骤:
-将载荷贮存室LL抽气到压强基本等于或小于真空环境Pvac,
-打开面向真空环境Pvac的第一个门11,
-将基片W从真空环境Pvac转移到载荷贮存室LL中,
-关闭第一个门11,
-通过进气口13将载荷贮存室LL排气到压强基本等于或大于大气环境Patm,
-打开面向大气环境Patm的第二个门12,以及
-将基片W转移到大气环境Patm。
从而,通过向载荷贮存室LL充入特别选择气体,限制危险粒子和污染分子,如氧气,碳氢化合物和/或水进入到载荷贮存室LL中,该气体不包括这些粒子或分子。可以采用气体,如N2气体,Ar气体或合成空气,但也包括其它合适气体,如本领域技术人员所知道的。
当通过进气口13将气体提供到载荷贮存室LL使得载荷贮存室LL从Pvac返回到Patm时,通常使用一种特殊气体而非常态的环境空气。图2示出的气体供应源17包括N2气体。气体供应源17可以是高压罐。
图3a示出了在给载荷贮存室LL抽气和排气循环期间,载荷贮存室LL中压强P与时间t的曲线图,其中,如晶片W可以在第一和第二环境之间交换。曲线图分为5段I,II,III,IV和V。
阶段I期间,从t0到t1,载荷贮存室LL中的压强基本等于或小于Pvac。该阶段期间,可将面向真空环境的第一个门11打开,以将基片W或类似物从载荷贮存室LL中转移或移到其中。t1时刻,第一门11关闭。阶段II期间,从t1到t2,通过进气口13向载荷贮存室LL中通入合适的气体,使得载荷贮存室LL中的压强返回到基本为Patm。本实施方案中,向载荷贮存室LL中通入N2气体。进气口13连接到气体供应源17。t2时刻,载荷贮存室基本为大气压强并充入N2气体,面向大气环境的第二个门12打开。阶段III期间,从t2到t3,基片W或类似物从载荷贮存室LL中移出和移入。
由于载荷贮存室LL中充满了N2气体,所以当第二个门12打开时,在阶段III期间几乎没有危险粒子或污染分子进入载荷贮存室LL中。但是,一些粒子和/或分子可能迁移到载荷贮存室LL中。
因此,根据本发明的另一实施方案,如图3b可以看出,阶段III期间载荷贮存室LL中形成过压强Patm+。该过压强Patm+可以通过在阶段III期间,甚至在第二个门12打开时,连续通过进气口13导入N2气体而得到。该过压强将导致气体从载荷贮存室LL流向大气环境,使得粒子和/或分子从大气环境向载荷贮存室LL中的迁移最小。
t3时刻,第二个门12关闭,并且在阶段IV期间,借助泵16通过出气口15将载荷贮存室LL抽气到基本等于或小于Pvac。从载荷贮存室LL中抽出的气体基本是提供到载荷贮存室LL中的气体,即N2气体。优选实施方案中,出气口15可以被连接到气体供应源17,例如通过过滤系统(未示出),以再利用N2气体。
虽然上面描述了本发明的具体实施方案,但应该理解本发明能够应用的不限于上面的描述。说明书并不旨在限制本发明。例如,可以理解,本发明还涉及一种在第一和第二环境之间转移物体的方法,其中第一和第二环境基本具有相同的压强。
Claims (4)
1.一种采用平板印刷术制造器件的方法,包括:
-提供平版印刷图案形成室(PC)中的基片(W),该基片(W)至少部分涂敷有一层辐射敏感材料;
-利用辐射系统提供辐射的投射光束(PB);
-利用图案形成装置(MA)在投射光束(PB)的横截面上形成图案;以及
-将该辐射的形成有图案的光束投射到辐射敏感材料层的靶部(C)上;以及
-通过载荷贮存室(LL)从所述平版印刷图案形成室(PC)移出和移入基片(W),该载荷贮存室(LL)限定一个室并包括面向平版印刷图案形成室(PC)的第一个门(11)和面向大气环境的第二个门(12),
其中,至少在部分的基片转移期间利用气体给载荷贮存室(LL)排气,该气体基本不包含粒子、氧气、碳氢化合物和水中的任何一种,
其中平版印刷图案形成室(PC)具有第一压强(Pvac),而大气环境具有第二压强(Patm),第一压强(Pvac)低于第二压强(Patm),
将基片从平版印刷图案形成室(PC)到大气环境的转移步骤包括:
-将载荷贮存室(LL)中抽气到基本等于或小于第一压强(Pvac),
-打开第一个门(11),
-将基片从平版印刷图案形成室(PC)转移到载荷贮存室(LL),
-关闭第一个门(11),
-给载荷贮存室(LL)通入气体到基本等于或大于第二压强(Patm),该气体基本不包含粒子、氧气、碳氢化合物和水中的至少一种,
-打开第二个门(12),
-将基片(W)转移到大气环境,
其特征在于:当第二个门(12)打开时给载荷贮存室(LL)排气。
2.根据权利要求1的方法,其中将载荷贮存室(LL)排气到高于第二压强(Patm)的第三压强(Patm+)。
3.根据权利要求1或2的方法,其中所述气体是N2气体或Ar气体。
4.一种采用平板印刷术制造器件的方法,包括:
-提供平版印刷图案形成室(PC)中的基片(W),该基片(W)至少部分涂敷有一层辐射敏感材料;
-利用辐射系统提供辐射的投射光束(PB);
-利用图案形成装置(MA)在投射光束(PB)的横截面上形成图案;
-将该辐射的形成有图案的光束投射到辐射敏感材料层的靶部(C)上;以及
-将物体通过载荷贮存室(LL)从所述平版印刷图案形成室(PC)移出和移入,该载荷贮存室(LL)限定一个室并包括面向平版印刷图案形成室(PC)的第一个门(11)和面向第二环境的第二个门(12),所述物体是所述基片(W)和所述图案形成装置(MA)中的一个,
其中,至少在部分的物体转移期间利用气体给载荷贮存室(LL)排气,该气体基本不包含粒子、氧气、碳氢化合物和水中的任何一种,
其中平版印刷图案形成室(PC)具有第一压强(Pvac),而大气环境具有第二压强(Patm),第一压强(Pvac)低于第二压强(Patm),
将物体从平版印刷图案形成室(PC)到大气环境的转移步骤包括:
-将载荷贮存室(LL)中抽气到基本等于或小于第一压强(Pvac),
-打开第一个门(11),
-将物体从平版印刷图案形成室(PC)转移到载荷贮存室(LL),
-关闭第一个门(11),
-给载荷贮存室(LL)通入气体到基本等于或大于第二压强(Patm),该气体基本不包含粒子、氧气、碳氢化合物和水中的至少一种,
-打开第二个门(12),
-将物体(W)转移到大气环境,
其特征在于:当第二个门(12)打开时给载荷贮存室(LL)排气。
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