TWI284568B - Substrate provided with a thin film pattern, method of manufacturing a device, electro-optic device, and electronic instrument - Google Patents

Substrate provided with a thin film pattern, method of manufacturing a device, electro-optic device, and electronic instrument Download PDF

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TWI284568B
TWI284568B TW094136350A TW94136350A TWI284568B TW I284568 B TWI284568 B TW I284568B TW 094136350 A TW094136350 A TW 094136350A TW 94136350 A TW94136350 A TW 94136350A TW I284568 B TWI284568 B TW I284568B
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Description

1284568 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 布線或元件等 、裝置之製造 之特定形狀之 方法、光電裝 本發明係有關形成有例如·· 薄膜圖案之薄膜圖案形成基板 置及電子機器。 【先前技術】 作為形成詩電子電路或龍電㈣之布料之薄膜圖 案之★方法,係採用例如:光微影法。此光微影法需要真空 裝置專龐大的設備及複雜步驟,而且材料使用效率亦僅數 %私度’不得不丟棄其大部分材料’製造成本甚高。 Γ於此’例如:專利文獻〗所示,提案-種採用從液滴 吐出頭將液體材料吐出為液滴狀之液滴吐出法、所謂喷黑 法,於基板上形成薄膜圖案之方法(參考例如:專利文獻= 於此方法’將薄臈圖案用之液體材料(功能液),於設在基板 之防液性岸堤(擴散防止圖案)内之凹狀區域(液體受容部) 吐出’其後進行熱處理或雷射照射並使其乾燥,形成薄膜 圖案。若根據此方法’具有無需光微影’大幅簡化程序,、 並且原料之使用量亦少量即可之優點。 [專利文獻丨]日本特開昭59-75205號公報 發明所欲解決之課題 …、而’近年來’構成裝置之電路之高密度化進展,例如: 關於布線亦要求進_步微細化、細線化。於上述採用液滴 土出法之4膜圖案形成方法,藉由使於液體注人部著地之 功月b液’彺線寬窄之液體流動部浸潤擴散,以便形成線寬 104817.doc Ϊ284568 比著地直徑窄之布線圖案,但於此情況,若可注入液體注 入部之功能液量(最大注入量)越多,可增加流入液體流動部 之功能液量,因此能以較少次數(例如:丨次)之注入(吐出), 形成所需膜厚之布線圖案。然而,液體注入部之最大注入 里越少,必須區隔時間,於同一液體注入部注入功能液複 數次,將注入及浸潤擴散重複進行複數次,該重複次數越 多,越成為形成布線等之薄膜圖案之基板之生產效率降低 之原因。而且,為了形成更微細之布線圖案,必須使液滴 擴散更均勻,使膜厚更均勻地形成。然而,於吐出之液滴 著地後在基板上擴散時,由於液滴之流動狀態或著地位置 之偏差所造成之功能液蒸發速度不均,唯恐膜厚未能均勻 地形成。 特別是於如上述膜厚不均之情況,於形成之膜產生凹 凸,難以安定地形成微細之薄膜圖案。而且,由於在此形 成之膜產生凹凸,因此於具有進一步層疊膜所獲得之疊層 構造之裝置等,難以一面確保免於斷線或短路等之品質安 定性’ 一面形成微細之薄膜圖案。 本發明之目的在於提供一種可精度良好、安定地形成細 線狀之微細薄膜圖案之薄膜圖案形成基板、裝置之製造方 法、光電裝置及電子機器。 【發明内容】 本發明之薄膜圖案基板之特徵係於凹設於基板之區域, 形成有薄膜圖帛;前述凹設之區域具備:寬度相對較寬地 形成之擴寬部、及連接於前述擴寬部之線狀部;前述擴寬 104817.doc 1284568 部之平均直徑設定為前述線狀部之線寬之2倍以下。 若根據此發明,已注入於擴寬部之功能液流入線狀部,
/主入於擴寬部之功能液之表面張力所造成之壓力、及流入 於線狀部之功能液之表面張力所造成之壓力將在穩定狀態 下均衡。由於線寬為2倍以下,因此擴寬部之接觸角比線狀 部之接觸角大,擴寬部之最大液體注入量增加。而且,功 能液注入後之擴寬部之液面高度及線狀部之液面高度為2 倍以内,由於乾燥成為薄膜時之膜厚差為容許範圍内,可 形成凹凸少之薄膜圖案,因此可保持膜厚之均勻度。由於 可形成斷線等少之薄膜圖案,故可提供品質安定之裝置。 本發明之薄膜时基板宜前述擴寬部在不同$向具有直 徑大致相等之大致等向形狀;前述擴寬部之寬度設定為前 述線狀部之線寬之2倍以下。
若根據本發明,注人於擴寬部之功能液之表面張力所造 成之壓力、及流入於線狀部之功能液之表面張力所造成之 壓力將在敎狀態下均衡。由於線寬為2倍以下,因此擴寬 部之接觸角比線狀部之接觸角大,擴寬部 Μ加。:且,功能液注人後之擴寬部之液面高度及線狀 面同度為2倍以内,由於乾燥成為薄膜時之膜厚差為 合許範圍内,可形成凹凸少之薄膜圖案。 /發明之薄膜圖案基板宜前述擴寬部在不同方向具有直 住不同之異向形狀;前述擴寬部之平均直徑設定為前述線 狀部之線寬之2倍以下。 注入於擴寬部 右根據此發明,gp使擴寬部為異向形狀 104817.doc 1284568 之功能液之表面張力所造成之壓力、及流入於線狀部之功 能液之表面張力所造成之壓力仍將在穩定狀態下均衡。由 於線寬為2倍以下,因此擴寬部之接觸角比線狀部之接觸角 大’擴寬部之最大液體注入量增加。而且,功能液注入後 之擴寬部之液面高度及線狀部之液面高度為2倍以内,由於 乾燥成為薄膜時之膜厚差為容許範圍内,可形成凹凸少之 薄膜圖案。 本發明之薄膜圖案基板宜前述擴寬部之大致等向形狀為 大致圓形狀。 若根據此發明,即使擴寬部之形狀大致為圓形,注入於 擴寬部之功能液之表面張力所造成之壓力、及流入於線狀 部之功能液之表面張力所造成之壓力仍將在穩定狀態下均 衡。由於線寬為2倍以下,因此擴寬部之接觸角比線狀部之 接觸角大,擴寬部之最大液體注入量增加。而I,功能液 注入後之擴寬部之液面高度及線狀部之液面高度為2倍以 内’由於乾燥成為薄膜時之膜厚差為容許範圍Θ,可形成 凹凸少之薄膜圖案。而且,由於可使功能液接近至最大直 仕’因此可增加功能液之吐出量,故可提高生產效率。 月之薄膜圖案基板宜刖述擴寬部之異向形狀為橢圓 形狀;前述擴寬部之長徑及短徑之調和平均係設定為前述 線狀部之線寬之2倍以下。 若根據本發明,即使擴寬部之形狀為摘圓形,注入妒 寬部之功能液之表面張力所造成之壓力、及流入於㈣
液之表面張力所造成之壓力仍將在穩定狀態T 104817.doc 1284568 衡。由於線寬為2倍以下,因此擴寬部之接觸角比線狀部之 接觸角大,擴寬部之最大液體注入量增加。而且,功能液 注入後之擴寬部之液面高度及線狀部之液面高度為2倍以 内’由於乾燥成為薄膜時之膜厚差為容許範圍Θ,可形成 凹凸少之薄膜圖案。而且,即使功能液之著地位置些許偏 差’由於擴寬部為橢圓形狀’因此功能液可有效地著地。 本發明之薄膜圖案基板之特徵在於,前述擴寬部係注入 有前述薄膜圖案之乾燥前材料之功能液之液體注入部;前 述線狀部係注入於前述液體注入部之前述功能液可流入, 並連接於前述液體注人部之線狀之液體流動部。 本發明’注入於擴寬部之功能液之表面張力所造 成之差力、及流入於線狀部之功能液之表面張力所造成之 ==穩定狀態下均衡,線寬為2倍以下,因此擴 人量增加:Γ:!之接觸角大’擴寬部之最大液體注 狀部之液面 功月匕液注入後之擴寬部之液面高度及線 為容,=度為2倍以内,由於乾燥成為薄膜時之膜厚差 可形成凹凸少之薄膜圖案。而且由於與線 -L動π連接,因此注入於液體注入 易於液體流動部流動。 力此液谷 山”月之薄臈圖案基板宜於前述基板形成岸. 厗堤部之内侧形成於前述凹設之區域。 …月” 貞此i明,由於岸堤部形成於凹設之區域 能液更容易流動。 $因此功 本發明之薄膜圖案基板宜前述岸堤部内側之前述凹設之 1048l7.doc 1284568 區域為親液性部。 若根據此發明,注入於擴寬部之功能液流動於以岸堤部 包圍之親液性部’因此功能液容易於線狀部流動。因此可 形成凹凸更少之均勻之薄膜圖案。 本發明之薄膜圖案基板宜藉由噴墨法將功能液注入於前 述擴寬部。 若根據此發明,可更微細地控制功能液飛翔而於基板著 地為止之液滴直徑,因此藉由減少吐出之功能液,可形成 更微細、均勻之薄膜圖案。 本發明之薄膜圖案基板宜前述岸堤部内側之前述凹設之 區域為導電性圖案。 若根據此發明,可形成具有導電性之微細薄膜圖案。 本發明之裝置之製造方法之特徵在於,於基板表面形成 薄膜圖案而製造裝置,且具備以下步驟:形成擴寬部之步 驟;於前述擴寬部,形成使功能液流動而連接配置之線狀 部之步驟;於前述擴寬部注人前述功能液之步驟;前 能液從前述擴寬部流入於線狀部之步驟;及將流入 線狀部之前述功能液乾燥而形成薄膜圖案之乾❹驟1 作立成別述擴寬部之線寬之平均直徑為前述線狀部之線寬: 若根據此發明,注入於擴寬部 彍見邛之功旎液之表面張力所造 之 •之金力、及流入於線狀部之功能液之表面張力所造 壓力仍將在穩定狀態下均衡。由於線寬為2倍以下 寬部之接觸角比線狀部之接觸角纟,擴寬部之最大液= 104817.doc I284568 入量增加。而且,功能液注入後之擴寬部之液面高度及線 狀部之液面高度為2倍以内,由於乾燥成為薄膜時之膜厚差 為容許範圍内,可形成凹凸少之薄膜圖案。 叩且,由於液 體從擴寬部流往線狀部,因此可形成凹凸少之均勻膜厚之 薄膜圖案。因此,可獲得斷線或短路等品質問題少、 更微細化之薄膜圖案之裝置。 本發明之光電裝置之特徵在於具備具有薄膜圖案基板之
裝置。 土 若根據此發明,由於具有更微細化之裝置,因此可提供 更高精度、可小型化之光電裝置。 本發明之電子機器之特徵在於具備前述光電裝置。 若根據此發明,由於具有更高精度、可小型化之光電裝 置,因此可提供更高精度之電子機器。 【實施方式】 以下’按照附料細說明本發明之薄膜圖案形成方法、 裝置之製造方法之實施型態。於本實施型態,採用藉由液 滴吐出法,從液滴吐出頭之吐㈣嘴,將含有導電性微粒 之墨水(功能液)(布線圖案(薄膜圖案)形成用墨水)吐出成液 滴狀’於基板上形成以導電性膜所形成之布線圖案之情況 之例進行說明。 / (第一實施型態) 百先’說明有關所使用之墨水(功能液)。液體材料之布 線圖案形成用墨水係將導電性微粒,分散於分散介質之分 散液所組成。於本實施型態,作為導電性微粒,除了使用 104817.doc 1284568 含有例如:金、銀、銅、鋁、鈀及鎳中至少任一之金屬微 粒以外,亦使用此等之氧化物及導電性聚合物或超電導體 之微粒等。此等導電性微粒亦可為了提升分散性,而於表 面將有機物等塗層而使用。導電性微粒之粒徑宜為丨nm以 上、1·〇 μιη以下。若比ΐ·〇 4!^大,於後述之液滴吐出頭 吐出噴嘴唯恐發生堵塞。又,若比丨nm小,塗層劑相對於 導電性微粒之體積比變大,所獲得之膜中之有機物比例過 大0
作為分散介質,只要可將上述導電性微粒分散,不致引 起凝結者均可,並未特別限定。例如:水以外,還可例示: 甲醇、乙醇、丙醇、丁醇等醇類;n_庚烷、n_辛烷、癸烷、 :二烷、十四烷、甲苯、二甲笨、異丙基甲苯、硬媒、節、 :戊烯、四氫萘、十氫萘、環己苯等碳氫系化合物;或乙 -醇甲醚、乙二醇乙醚、乙二醇曱基乙基醚、二伸乙甘醇 甲醚、二伸乙甘醇乙醚、二伸乙甘醇甲基乙基醚、甲氧
乙烷、雙(2_甲氧乙基)醚、p_二氧陸圜等醚系化合物;並且 可例不:丙烯碳酸鹽、[丙烯酸 办m U-四盘口比 °此等之:甲基甲醯胺、二甲基亞硬、環己酮等極性化合物。 1專之中,以微粒之分散性及分散液之安定性、或對於液 /吐出法之適用容易度之觀點來一。 化合物,系化合物較佳,作為更適合:分=碳= 例水、碳氫系化合物。 文“,可舉 上述導電性微粒之分散液之表面張力宜為例如 N/m以上、0 〇7 N/m 0.02 卜之乾圍内。猎由液滴吐出方式吐出 104817.doc 12 !284568 、夜體時,若表面張力未滿0·02 N/m,墨水組成物對於噴嘴 之潤濕丨生:¾大,因此容易產生飛行撓曲,若超過 N/m,由於喷嘴前端之彎液面之形狀不安定,因此難以控制 吐出量或吐出時序。為了調整表面張力,於上述分散液, 可在不致大幅地降低與基板之接觸角之範圍,微量添加氟 系矽基系、非離子系等之表面張力調節劑。非離子系表 面張力口周節劑提升墨水對於基板之潤濕性,改良膜之整平 性,有助於防止膜產生微細之凹凸等。上述表面張力調節 劑可因應需要而含有醇、驗、_、_等有機化合物亦無妨。 上述分散液之黏度宜為例如:i mPa.s以上、5〇mPa.s 以下。採用液滴吐出方式將墨水作為液滴吐出時,於黏度 比1 mPa· s小之情況,噴嘴周邊部容易由於墨水流出而受 :染,而黏度比50 mPa.s大之情況,喷嘴孔的堵塞頻率變 尚’難以圓滑地吐出液滴。 作為形成有布線圖案之基板,可使用玻璃、石英玻璃、 Si晶圓、塑膠膜、金屬板、陶究等各種材質。又,亦包含 在此等各種材質基板之表面,作為底層而形成有半導體 臈、金屬膜、介電體膜、有機膜、絕緣膜等者。 在此作為液滴吐出法之吐出技術,可舉出帶電控制方 式、加壓振動方式、電性機械轉換方式、電熱轉換方式、 靜電吸引方式等°帶電控制方式係以帶電電極對於材料賦 予電荷’以偏向電極控制材料之飛翔方向,使其從吐出噴 嘴吐出。又,加麼振動方式係對於材料施加30 kgw程产 之超高Μ ’使材料吐出至噴嘴前端側,於未施加控制電^ 104817.doc 1284568 之情況,材料直接前進而從吐出噴嘴吐出,若施加控制電 壓,於材料間引起靜電排斥,材料飛散而不致從吐出噴嘴 吐出。又,電性機械轉換方式係利用壓電元件(piez〇element) 受到脈衝式電性信號而變形之性質,藉由壓電元件變形, 經由可撓物質而對於儲留材料之空間賦予壓力,從此空間 推出材料,使其從吐出噴嘴吐出。 之空間内之加熱 藉由氣泡之壓力 又,電熱轉換方式係藉由設在儲留材料 器,使材料急速氣化而產生氣泡(bubble), 而使空間内之材料吐出。靜電吸引方式係對於儲留材料之 空間内施加微小壓力,於吐出噴頭形成材料之㈣面,於 此狀態施加靜電引力後,將材料引出。又,除此之外,亦 可適用利用由電場所造成之流體黏性變化之方式,或以放 電火花飛散之方式等技術。液滴吐出法具有材料使用上浪 費乂而且可將期望量之材料確實地配置於所 點。再者,由液滴吐出法所吐 所吐出之液體材料之一滴量為例 如·· 1〜300奈米克。 其夂,說明有關製造本發明奘 ^ ^ ^ 月之装置時所用之裝置(device) 製k歧置。作為此裝置(d丨 ,φ 造裝置,使用藉由從液滴 吐出頭1對於基板吐出(滴 置(喷墨襄置)υβ 了)液滴而製造裝置之液滴吐出裝 圖1係表示液滴吐出震置k概略構成之立體圖。 於圖1,液滴吐出裝置U具備· 動舳4 V4 備.液滴吐出頭1、X軸方向驅 動軸4、γ軸方向導引 機MS ^ ^ 乜制裝置C〇NT、台面7、洗淨 械構8、基台9及加熱器15。 104817.doc 1284568 ’面7係支撐藉由此液滴吐出裝置π而配置墨水之基板 具傷將基板1>固定於基準位置之未圖示之固定機構。
P 液滴吐出頭i係具備複數吐出噴嘴之多喷嘴型之液滴吐 出碩,使長度方向與X軸方向一致。複數吐出噴嘴係於液滴 吐出頭i之下面排列在X轴方向’並以一定間隔設置。從液 滴吐出頭!之吐出噴嘴’對於由台面7所支撐之基板P,吐出 含有上述導電性微粒之墨水。 X軸方向驅動馬達2連接於χ轴方向驅動轴4βχ軸方向驅 動馬達2為歩進式馬達等’若從控制裝置⑽Τ供給有Χ軸 方向之驅動信號,將使Χ軸方向驅動轴4旋轉。若χ轴方向 驅動軸4旋轉,液滴吐出頭1將往X軸方向移動。 Υ轴方向導引轴5係對於基台9不動地固定。台面7具備γ 軸方向驅動馬達hY軸方向驅動馬達3為歩進式馬達等,若 從控制裝置CONT供給有Y軸方向之驅動信號,台面7將往γ 軸方向移動。 控制裝置CONT係對於液滴吐出頭i供給液滴之吐出控制 用電。並且’控制裝置c〇NT係對於乂軸方向驅動馬達2, 供給控制液滴吐出頭轴方向之移動之驅動脈衝信號, 並且對於Y轴;er向驅動馬達3’供給㈣台面7往¥轴方^之 移動之驅動脈衝信號。 洗淨機構8係洗淨液滴吐出頭i,具備未圖示之丫軸方向驅 動馬達。藉由此Y軸方向驅動馬達,洗淨機構8沿著Y軸方 向導引軸5移動。洗淨機構8之移動亦藉由控制袭置c⑽丁 控制。 104817.doc 1284568 在此,加熱器15係藉由係藉由燈退火將基板p進行熱處理 =機構’進行含於塗布在基板P上之墨水之溶媒之蒸發及乾
燥此加熱15之電源導入及遮斷亦藉由控制裝置c〇NT 控制。 液滴吐出裝置⑽一面相對地掃描支撑液滴吐出頭β 基板Ρ之台面7, 一面對於基板Ρ吐出液滴。在此,於以下說 明,Υ軸方向為掃描方向’與丫軸正交之χ軸方向為非掃描 :向。因此,液滴吐出頭!之吐出噴嘴係以一定間隔,排列 設置於非掃描方向之χ軸方向。再者,於圖ι,液滴吐出頭工 係對於基板P之行進方向呈直角而配置,但亦可調整液滴吐 出則之角度,使其對於基板ρ之行進方向交叉。如此的話, 可藉由調整液滴吐出頭!之角度而調節喷嘴間之間距。又, 此任意調節基板ρ與喷嘴面之距離亦可。 圖2係用以說明藉由壓電方式之液體材料之吐出原理之 圖。 於圖2,鄰接於收容液體材料(布線圖案形成用墨水、功 能液)之液體室,而設置壓電元件22。於液體室21,經由 包含收容液體材料之材料槽之液體材料供給系統23,供給 液體材料。壓電元件22連接於驅動電路24,經由此驅動電 路24,將電壓施加於壓電元件22,使壓電元件變形,從 而液體室21變形,液體材料從吐出噴嘴25吐出。於此情況, 藉由變化施加電壓值,控制壓電元件22之歪曲量。又,藉 由變化施加電壓之頻率,控制壓電元件22之歪曲速度,由 於藉由壓電方式之液滴吐出係不對於材料加熱,因此具有 104817.doc 1284568 難以對於材料組成造成影響之優點。 其次,參考圖3、圖4、圖5及圖ό,說明有關本發明之布 線圖案形成方法之一實施型態。 圖3係表示關於本實施型態之布線圖案形成方法之一例 之流私圖。圖4及圖5係表示形成程序之模式圖,圖ό為薄膜 圖案形成方法之概念圖。 如圖3所示,關於本實施型態之布線圖案形成方法係將上 述布線圖案形成用墨水,配置於基板上,於基板上形成導 電膜布線圖案,且具有以下步驟:岸堤形成步驟S1,其係 於基板上突設因應於布線圖案之岸堤者;親液化處理步驟 八係對於基板賦予親液性者,·防液化處理步驟Μ,其 係對於岸堤賦予防液性者;材料配置步驟以,其係在被賦 予防液性之岸堤間,配置墨水者;中間乾燥步驟s5,其係 將墨水之液體&八 ^ 刀至〉、一部分除去者,·及燒成步驟S6 〇 .^ ^ 驟於本貫轭型您,作為基板P係使用玻 璃基板。 、序硬形成步 首先於塗布有機材料前
施加HMDS處理。HMDS^表面改^理而對於基板P ((CH、W —處理係使環甲基二石夕氮烷 ((cH3)3SiNHSi(CH3)3)為蒗汽妝 4(a)m - , ^ # “、、/飞狀並塗布之方法。藉此,如圖 )斤不,於基板ρ上形成作 山 之密接層之ημ_32。 ⑹升厗堤與基板?之密接性 岸堤係作為區隔構件 微影法或印刷法等任意 而作用之構件,岸 方法而進行。例如 堤之形成能以光 :使用光微影法 1048l7.doc 1284568 :情況,以旋轉塗布、喷霧塗布、幸昆塗布、晶圓塗布、浸 〉貝塗布等㈣方法,於基板P之HMDS層32上,配人岸堤之 高度而塗布有,系感光性材料31,於其上塗布光阻層。而 且,藉由配合岸堤形狀(布線圖案)施加掩膜,將光阻曝光、 顯衫’以便留下配合岸堤形狀之光阻。最後進行㈣,除 去掩膜以外之部分之岸堤材料。又,亦能以下層為無機物、 上層為有機物所構成之2層以上,形成岸堤(凸部)。藉此, 如圖4(b)所示,以包圍布線圖案形成預定區域之周邊之方 式,突設有岸堤B、B。再者,作為如此所形成之岸堤B、b, 其係上側部之寬度窄、底部側之寬度大之錐形狀,如後述, 由於墨水液滴容易流入岸堤間之溝部,因此較適宜。 作為岸堤之形成材料,為對於墨水顯示出防液性之材 料,或如後述可藉由電漿處理進行防液化(氟化),與底層基 板之密接性良好,且容易藉由光微影進行圖案化之絕緣有 枝材料均可。可使用例如:丙稀酸樹脂、聚醯亞胺樹脂、 烯烴樹脂、酚樹脂、三聚氰胺樹脂等高分子材料。或者, 以無機骨架(矽烷氧結合)為主鏈而具有有機基之材料亦可。 若厗纟疋B、B形成於基板p上,則施加氟酸處理。氟酸處 理係以例如:2.5%氟酸水溶液施加蝕刻,以除去岸堤B、b 間之HMDS層32之處理。於氟酸處理,岸堤B、B係作為掩 膜而作用,如圖4(c)所示,除去形成於岸堤B、B間之溝部 34之底部35之有機物之HMDS層32,並露出基板P。 <親液化處理步驟> 其次,進行對於岸堤B、B間之底部35(基板p之露出部) 104817.doc -18- 1284568 賦予親液性之親液化處理步驟。作為親液化處理步驟,可 選擇照射紫外線之紫外線(uv)照射處理,或在大氣氣氛 中,以氧為處理氣體之〇2電漿處理等。於本實施型態則^ 施〇2電漿處理。 電漿處理係對於基板P,從電裝放電電極照射電衆狀能 之氧。作為〇2電漿處理之條件之一,例如:冑聚功率為 W,氧氣體流量為50, mL/min,基板p相對於電 漿放電電極之相對移動速度為G.5〜1Gnim/see,基板溫 70〜90〇C 〇 而且,基板P為玻璃基板之情況,其表面對於布線圖案形 成用墨水具有親液性,但如本實施型態施加02電聚處理或 紫外線照射處理,可更提高岸堤B、B間所露出之基板# 面(底部35)之親液性。在此,宜進行。2電漿處理或紫外線 照射處理,以使岸堤間之底部35對於墨水之接觸角成為” 度以下。 圖9係表示&電漿處理時所用之電漿處理裝置之一例之 概略構成圖。圖9所示之電漿處理裝置具有連接於交流電源 41之電極42 ’及作為接地電極之試料台4卜試料台4〇可— 面支撑作為試料之基板p,—面往γ軸方向移動。於電極^ 之下面,突設有延伸在與移動方向正交之球方向之2條平 打之放電產生部44、44,並且以包圍放電產生部料之方式 而設置介電體構件45 ^介電體構件45防止放電產生部料之 異常放電。而且,包含介電體構件45之電極42之下面大致 為平面狀,於放電產生部44及介電體構件45與基板ρ之間, 104817.doc •19- 1284568 形成些許空間(放電間隙)。又,電極42之中央設置氣體噴出 口 46 ’其係於X軸方向細長地形成之構成處理氣體供給部之 一部分者。氣體喷出口 46係經由電極内部之氣體通路47及 中間處理室48而連接於氣體導入口 49。 έ有經由軋體通路47而從氣體喷出口 46所喷射之處理氣 體之特定氣體,係分成移動方向(γ轴方向)之前方及後方而 机過别述空間中,從介電體構件45之前端及後端排氣至外
部。與此同時,從交流電源41對於電極42施加特定電壓, 於放電產生部44、44與試料台40之間發生氣體放電。而且, t藉由此氣體放電所產生之電漿,產生前述特定氣體之激 赉活化物種,連續地處理通過放電區域之基板?之表面全 體〇
於本實施型態,前述特定氣體係混合有作為處理氣體之 氧(〇2),及容易在大氣壓附近之壓力下開始放電且安定地 維持之氦(He)、氬(Ar)等稀有氣體或氮(n2)等惰性氣體。特 別是藉由使用氧作為處理氣體,可除去岸堤B、b間之底部 35之岸堤形成時之有機物(光阻4Hmds)殘渣。亦即,於上 述氟酸處理,會有未完全將岸堤B、B間之底部35之 HMDS(有機物)除去之情況。或者亦有在岸堤b、關之底部 35’殘留岸i是形成時之光阻(有機物)之情況。因此,藉由進 行〇2電漿處理,除去岸堤B、B間之底部%之殘渣。 再者’於此係说明進行氟酸處理,以除去HMDS層32,但 可藉由〇2電漿處理或紫外線照射處理,充分除去岸堤間Z 底部35之麵8層32,因此不進行氟酸處理亦可。又,於此, 104817.doc •20· !284568 作為親液化處理係說明進行A電漿處理或紫外線照射處理 之任方’但當然亦可組合〇2電漿處理及紫外線照射處理。 <防液化處理步驟> 接著,對於岸堤B進行防液化處理,對於其表面賦予防液 乍為防液化處理’採用將四狀化碳(Tetrafiu〇r〇methane) 作為處理氣體之電漿處理法(CL電漿處理法)。CF4電漿處 理去之條件為例如:電漿功率5〇〜1〇〇〇w、四氟化碳氣體流 量50〜1〇〇 mL/min、相對於電漿放電電極之基體搬送速度 〇·5 20 mm/sec、基體溫度7〇〜9(rc。再者,作為處理氣體 並不限於四氟化碳,可使用其他氟碳系氣體或 荨之軋體。於CF4電漿處理法,可使用參考圖9所說明之電 漿處理裝置。 藉由進行此類防液化處理,於岸堤B、B,將氟基導入構 成此之樹脂中,對於岸堤B、B賦予高度之防液性。再者, 作為上述親液化處理之〇2電漿處理,亦可於岸堤形成前 進仃,但由於藉由〇2電漿進行前置處理係具有更容易氟化 (防液化)之性質,因此宜於形成岸堤B後進行〇2電漿處理。 再者,藉由對於岸堤B、B之防液化處理,雖然對於先進 行親液化處理之岸堤間之基板p露出部,多少會有影響,但 特別是在基板P由玻璃等組成之情況,由於不會引起防液化 處理所造成之氟基導人,因此實質上不致損及基板p之親液 性’亦即潤濕性。 藉由上述親液化處理步驟及防液化處理步驟,進行表面 改質處理,以便使岸堤B之防液性比岸堤間之底部h之防、液 1048J7.doc 21 1284568 性南。再者,於此,作為親液化處理係進行〇2電裝處理, 但如上述,於基板p由玻璃等所組成之情況,由於不會引起 防液化處理所造成之敦基導入,因此即使不進行〇2電聚處 理而僅進仃CF4f漿處理,仍可使岸堤B之防液性比 之底部35高。 <材料配置步驟> 其次’採用藉由液滴吐出裝置1;之液滴吐出法,將布線 圖案形成用墨水之液滴配置於基板P上之岸堤B、Bfa1。再 者’在此,作為導電性材料係使用有機銀化合物,並吐出 使用一乙二醇二乙基醚以作為溶媒(分散介質)之由有機銀 化合物所組成之墨水。於材料配置步驟,如圖5⑷所示,從 液滴吐出頭卜使含有布線圖案形成用材料之墨水成為液滴 而吐出。液滴吐出頭1係朝向岸堤B、B間之溝部34而吐出 墨水液滴,並將墨水配置於溝部34内。此時,吐出有液滴 之布線圖案形成預定區域(亦即溝部34)係由岸堤BB所包 圍因此可阻止液滴擴散至特定位置以外。 於本實施型‘態’岸堤B、b間之溝部34之寬度w(在此為溝 部34之開口部之寬度),係設定比大致與墨水(功能旬之液 商直仏D丨再者,吐出液滴之氣氛設定為溫度以下、 濕度80%以下。藉此,饬、本丄, 夜滴吐出頭1之吐出噴嘴不致堵塞, 可安定地吐出液滴。 若將此液滴從液滴吐出頭丨吐出,並配置於溝部34内,由 於液滴之直徑D比溝部34之寬度W大,因此如於圖叫以2 點短劃線所示,其—部分會抬升於岸堤B、B上。但由於岸 104817.doc »22- 1284568 k B、B之表面成為防液性’而且為錐形狀,因此此等抬升 於岸堤B、B上之液滴部分會從岸堤B、B彈開,並且由於毛 細現象而流入溝部34内,從而如圖5(e)之實線所示,大部分 . 液滴流入溝部34内。 . 又’由於基板p(底部35)已進行親液化處理,因此吐出於 溝部34内或從岸堤b、B流入之墨水容易浸潤擴散,藉此, 墨水更均勻地埋入於溝部34内。 ^ 〈中間乾燥步驟>
液滴吐出至基板P之後,為了除去分散介質及確保膜厚, 因應需要而進行乾燥處理。乾燥處理除了藉由例如··加熱 基板P之通常之熱盤、電爐等之處理以外,亦可藉由燈退火 進行。作為使用於燈退火之光之光源並未特別限定,但可 將紅外線燈、氣燈、YAG雷射、氬雷射、碳酸氣體雷射、 XeF、XeCM、XeBr、KrF、KrC 卜 ArF、ArCl 等之準分子雷 射等作為光源使用。此等光源一般使用輸出1 〇 w以上、 • 5000 W以下之範圍,但於本實施型態,100 W以上、1000 W 以下之範圍即足夠。又,藉由重複進行此中間乾燥步驟及 上述材料配置步驟,如圖5(f)所示,墨水之液滴層疊複數 層,形成膜厚之布線圖案(薄膜圖案)33。 • <燒成步驟> . ^間乾燥步驟後之乾燥膜為有機銀化合物之情況,為了 k知導電f生必須進行熱處理’除去有機銀化合物之有機 部分,並使銀粒子殘留, 找奋’因此於吐出步驟後之基板,施加 熱處理及/或光處理。 104817.doc •23- 1284568 熱處理及/或光處理通常在大氣中進 ^ ^ 仁亦可因應需
要,在氮m隋性氣體氣氛中,或於氣等還原氣氛 中進行。熱處理及/或光處理之處理溫度係考慮分散㈣: 沸點(蒸汽壓)、氣氛氣體之種類或壓力、微粒之分散性或氧 化性等熱動向、塗層材料之有無或量、基材之耐心产等 而適當地決定。於本實施型態’對於吐出並形成圖:二 水’於大氣中’在無塵烤箱以彻〜财c進行3⑻分鐘之^ 成步驟。再者,例如:為了除去有機銀化合物之有機部分, 必須以約200°C燒成。又,於使用塑膠等之基板之情況宜 於:溫以上、靴以下進行。藉由以上步驟,吐出步驟: 之乾燥膜係確保微粒間之電性接觸,並轉換成導電性膜。
再者’燒成步驟之後,可藉由灰化剝離處理除去存在於 基板P上之岸堤B、B。作為灰化處理’可採料漿灰化或 =氧灰化等。電漿灰化係使已電聚化之氧氣體等氣體與岸 堤(光阻)反應,使岸堤氣化而剝離、除去。岸堤係由碳、氧、 氫所構成之固體物質,此與氧電漿進行化學反應而成為 C〇2、H2〇、〇2,可全部作為氣體剝離。另—方面,臭氧灰 化之基板原理與電漿灰化相同,將〇3(臭氧)分解並轉換成 反應性^體之〇+(氧游離基),使此〇+與岸堤反應。與〇 + 反應之序堤成為C02、H20、〇2,全部作為氣體剝離。藉由 對於基板P施加灰化剝離處理,從基板1>除去岸堤。作為岸 堤之除去步驟’除了灰化剝離處理以外,亦可進行將岸= 溶解於溶劑之方法或物理地除去之方法。 在此《兒明有關作為本發明之第一實施型態之薄膜圖案 104817.doc -24- 1284568 形成方法。如圖6(a)所示,於基板p上形成岸堤b時,關於 藉由岸堤B所區劃之線狀區域A,預先較寬地設置一部分之 寬度’形成薄膜圖案。又,構成為液體注入部A2之形狀是 圓形,液體流動部A1之形狀成為細溝。再者,構成為液體 注入部A2及液體流動部A1配置於一直線上,而且液體注入 部A2之寬度d相對於液體流動部A1之線寬b成為2倍以下。 又,液體注入部A2及液體流動部A1雖配置成配置在一直線 上,但不限定於此,亦可配置於曲線上。 如圖6(b)所示,構成為在基板p上形成岸堤b,可於藉由 此岸堤B所區劃之線狀區域a(構成液體注入部a2及液體流 動部A1),配置功能液!^特別構成為藉由功能液[從液體吐 出頭1之喷嘴注入於液體注入部A2,此注入之功能液L流動 於液體流動部A1。 又,於此薄膜圖案形成方法,藉由以岸堤B所區劃之線狀 區域A中,液體注入部A2之寬度d以液體流動部幻之寬度b 之2倍以下形成,於功能液L之配置時,功能液乙將從液體注 入部A2有效地流入液體流動部八丨。藉由使功能液[連續地 於液體注入部A2著地,滯留於液體注入部A2之功能液乙逐 漸地升高,功能液L逐漸從液體注入部A2流出至液體流動 邛A1。流出至液體流動部A丨之功能液乙滯留於液體流動部 A1 〇 在此’功能液L配置於藉由岸堤b所區劃之線狀區域a, 藉由將此功能液L例如乾燥,於基板p上形成線狀之膜圖案 F。於此情況,由於藉由岸堤B規定膜圖案f之形狀,因此藉 104817.doc 1284568 由例如:縮小鄰接於液體流動部A1部分之岸堤B、B間之寬 度等,適當地形成岸堤B,以謀求膜圖案Fi微細化或細線 化。 又,於基板P上形成岸堤B時,關於藉由岸堤B所區劃之 線狀區域A,可形成以大寬度d所形成之液體注入部A2及以 小寬度b所形成之液體流動部A1。亦即,亦可於線狀區域a 之長度方向之特定位置,設置單數或複數由比其他區域之 寬度b大之寬度d(d>b)所組成之部分。 一般而言,於線狀區域配置液體時,由於液體表面張力 之作用等,會有液體難以從液體注入部八2流入於液體流動 口P A1,或液體難以在該區域内擴散之情況。相對於此,於 本貫施型您之薄膜圖案形成方法,在液體注入部A2及液體 /瓜動部A 1,於線寬設有差距,而且液體注入部八2之寬度設 定為液體流動部A1之線寬之2倍以下,因此在此部分之液體 運動成為誘因,促進功能液L往液體流動部A1流入或功能 液L在液體流動部A1内之擴散。 如此,由於促進功能液L配置時之來自岸堤B之功能液乙 之w入,膜圖案成為所需形狀。因此可精度良好地形成 細線狀之膜圖案F。 在此,參考圖6(c)、圖6(d),說明有關液體注入部A2之寬 度為液體流動部A1之線寬之2倍以下。 '"力此液L於液體注入部A2滴下而著地,積存於液體注 P A2之功此液滴L2由於表面張力而欲安定之力發揮作 用,呈現半球狀(參考圖6(c))。 -26 - 1284568 在此,若液體注入部A2之直徑設為d,液體流動部^之 線寬設為b,積存於液體注入部A2之功能液滴。之壓力設 為P2,表面張力設為〇·,液面曲率半徑設為r2的話,於p2、 σ、I之間成立以下關係,積存於液體注入部八2之功能液 滴L2之壓力Ρ2係以下述式(1)所賦予。 [數1] Ρ2=σίΐ 〇=2σ r2J r2 …⑴ 其次,位於液體注入部A2之功能液滴12流出至液體流動 部A1。此時,與前述相同,功能液滴L2欲安定,但由於液 體流動部A1為細溝形狀,因此功能液滴L1沿著液體流動部 A1之長度方向流出,其形狀大致為魚糕形(大致半圓柱)之 形狀(參考圖6(d))。 在此,若液體流動部A1之功能液滴L1之壓力設為Ρι,表 面張力設為σ,寬度方向之曲率半徑設為Ri,長度方向之 曲率半徑設為&的話,曲率半徑r3可視為⑺,於ρ!、σ、 R】之間成立以下關係,液體流動部A1之壓力Ρι係以下述式 (2)所賦予。 [數2]
由於液體流動部A1之壓力6及液體注入部A2之壓力^在 穩定狀態均衡,因此P!=P2,從式及式獲得式。 1048l7.doc -27- 1284568 [數3] 2R1 = R2 ...(3) 在此,參考圖6(e)說明有關液體注入部A2及液體流動部 A1之接觸角。 如囷6(e)所示,若液滴l之曲率半徑設為R,液高設為h, 台面部之寬度設為w,接觸角設為0,接觸角0係由下述式 (4)所賦予。 [數4] 2R …⑷ 同樣地,以式(5)表示液高h。 [數5]
藉由將式(3)適用於式(4),液體流動部A1之接觸角0 ! 及及液體注入部A2之接觸角0 2係以式(6)及式(7)赋 予。 [數6] [數7] θ2 = sin. b 2R; ...(6) id ..,d '——1 2R2 bill 4R! ...(7) 在此’於d = 2b之關係時,根據式(6)及式(7)獲得0丨=θ2。 又’由於岸堤Β為防液性,因此液體之接觸角非常大,因 104817.doc -28 - 1284568 此若接觸角為90度以上、180度以下,根據式(6),於d> 2b 時,θ] > θ2成立,於d< 2b時,θ〗< θ2成立。
再者,於液滴在液體注入部Α2著地時,為了使液體不致 伙序堤Β溢出’使液體注入部Α2之液體之接觸角02不超過液 體流動部Α1之液體之接觸角Θ〗係必要條件。而且,最後從 必要之膜厚,大致決定應注入於液體注入部Α2之液體總 量,為了儘量以較少次數之注入,有效地形成薄膜,液體 注入部Α2之最大注入液量(最大填充液量)較多者較有利。 又’液體流動部A1之線寬b係從必要之布線線寬決定,基本 上為無法變更之設計值,而且若考慮到面積效率,液體注 入部A2之尺寸(面積)亦較小者較適宜。 在此,為了儘可能於液體注入部入2積存多量之液體,只 要增加液體注入部A2之容積(底面積χ高度(深度))即可。然 而’決受容部之深度之岸堤B之高度,係於基板表面 造成凹凸之原因’因此限制在最終形成之薄膜之膜厚程度
之高度(稍微比膜厚高之程度之高度)較適宜。 總έ之’若接觸角0 $接觸角 啁用❽2,可增加液體注入部Α2 之最大液體注入量。 =叫可順利地在短時間内,儘量將大量之液 體/主入於液體注入部Α2。 又,藉由將式(3)適用於式(5), 及入部Α2之液高h2能以式⑻及式;所。=,“ h, 104817.doc -29- -.(8)1284568 hi = R, [數9] h0 = R- b 2R; d 2R, 2R】
Ί2 4E ...(9) 在此,於d=2b之關係,根據式(8)及式(9),可獲得h2 = 2h! 〇 總言之,最終膜厚係與液平均高度為正相關關係。以台 面寬之範圍,將可將該半圓柱往寬度方向切斷之半圓(切斷 面)之高度積分,所求出之半圓面積以台面寬度d相除以 狻知積存於液體流動部A1之半圓柱狀之液平均高度匕。另 =方面,計算使圖6⑷所示之半圓以半圓球之中心線為軸進 行半旋轉之積分,藉此所求出之半圓球體積以台面面積相 除,以求出位於液體注入部A2之半圓球狀之液平均高度 hA2。因此,若半圓柱及半圓球之液高(最大高度肚、㈣ 同(hfh2)’於平均高度hAi、^2,液體流動部^之平均高 度‘比液體注入部A2之平均高度‘大(hA2<hA】),液高為 h2=2h,之關係之情況,平均高度為2倍以下(hA2<2hA1)。 因此於液體/主入部A2之寬度d與液體流動部a i之線寬b 之間,若G2b之關係成立’分別積存於液體注入部^及液 體流動部幻之液體之平均高度符合之關係。因 此使刀別積存於液體注入部八2及液體流動部^之液體乾 燥,最終獲得之薄膜之各對應部分之膜厚關係係與hA2< 104817.doc -30. 1284568 2hA〗具有正相關關係,因此膜厚亦抑制在未滿2倍,分別形 成於液體注入部A2及液體流動部A1之薄膜之膜厚差易於 抑制在容許範圍。 因此,液體注入部A2之直徑(平均直徑)d宜相對於液體流 動部A1之線寬b,設定於2倍以下(於本實施型態為b<d()sd $ 2 b (其中d 〇為著地前之液滴之直徑))即可,特別較佳值為2 倍(d= 2b)。
於如以上之第一實施型態’將獲得如其次之效果。 (1)使液體注入部A2之寬度d與液體流動部A1之線寬b之 關係為2b,液體注入部A2之液體之接觸角、變得比液體 流動部A1之液體之接觸角01大,可儘量增加對於液體注入 部A2注入液體時之最大液體注入量。總言之,能儘可能以 較少次數之注入,有效率地形成薄膜圖案。
⑺由於可使注入於液體注入部以之液體有效地流動於 液體流動部A卜使在液體注入部A2與液體流動部幻之液體 高度之比符合2以下,因此可使膜厚在容許範圍内一致J 液體注入部A2、液體流動部A1之膜厚大致相等)。因此可形 成更微細之薄膜圖案。 (3)若於液體注入部人2殘留多數液體,蒸發速度在液體注 入部A2及液體流動部A1將大幅不同,因而可能損及膜之均 句度,。但於本發明,此蒸發速度為相同程度,目此可容易 在乾燥過程獲得膜之均勻度。總言之, 从、丄 /夜體〉主入部A2及液 凹凸少之薄膜 體k動部A1之膜厚為相同程度,因此可形成 圖案。 104817.doc -3】- !284568 (4)並且’於此薄膜圖案上,即使是於後續步驟(乾式及濕 式之薄膜形成),以層疊不同材質之膜所獲得之疊層構造之 叠層膜’所獲得之膜仍為凹凸少之薄膜圖案,因此可形成 事先防止斷線或短路等品質問題之疊層膜,故可提供品質 安定之裝置。 (第二實施型態) 其次’說明有關本發明之第二實施型態。第二實施型態 之不同在於’前述第一實施型態之液體注入部A2為橢圓形 狀。 再者’與前述第一實施型態相同之零件及具有相同機能 之零件係標示同一記號,並省略說明。 圖7為作為第二實施型態之薄膜圖案形成方法之概念圖。 如圖7(a)所示,此薄膜圖案係構成為,於基板p上形成岸 堤B時,關於藉由岸堤3所區劃之線狀區域A,液體注入部 A2為橢圓形狀。在此構成為,液體注入部A2之短徑瓜及長 仫η之2個主直徑之調和平均係對於液體流動部A1之寬度b 至少為2倍以下之寬度。 如圖7(b)所示構成為,在由形成於基板p上之岸堤6所區 劃之線狀區域A,配置功能液L。於蹢下之功能液L正要擴 散至液體注入部A2之範圍時,由於表面張力而欲安定之力 發揮作用,此液滴之表面呈現半球狀(參考圖6(c))。 在此,於功能液L充滿液體注入部八2之前,此功能液^從 液體注入部A2沿著液體流動部^之長度方向流出,積存於 液體流動部A1。積存於此液體流動部A1之功能液乙成為大 104817.doc -32· 1284568 致魚糕形(大致半圓柱)之形狀(參考圖6(d))。 在此,若液體注入部八2之短徑設為m,長徑設為n,液體 流動部A1之線寬設為b,在橢圓中心之液面曲率半押愛為 R2m、R2n的話,將賦予下述式(1〇)。此式⑽為近似 [數 10] χ :^2η 〜Π! :Π ...(10) 因此,從式(10)獲得式(U)。 [數 11] 2m
R2n--R …(11) 在穩定狀態之壓力均衡條件係以式(12)所賦予。 [數 12] 丄+丄=丄 …(12) ^2m ^2n 因此,從式(12)獲得式(13)。 [數 13] + R2m …(13) V nj 在此,若m = η,將與第一實施型態所獲得之圓之情況相 同(參考式(3))。 又’於液體注入部Α2 ’由於短徑方向之線賦予最大接觸 角,因此可使用短徑方向之曲率半徑R2m。 在此,說明有關橢圓之情況之接觸角。用以取代第一實 施型態之式(3)’採用式(12)’以式(14)表示液體流動部a 1 104817.doc • 33- 1284568 之接觸角Θ!。 [數 14] 0=如】是 -.(14) 同樣地,採用式(13),以式(15)賦予液體注入部八2之接觸 角θ2 〇 [數 15] ❿ = sin 〗— = sin* 2R. L2m 2 1 +
Ri 因此’從式(14)及式(15),液體流動部A1之線寬^係以式 (16)賦予,於此時獲得01=02。 [數 16] b : •(16) 1 + · 因此’從此式(16)獲得式(I?) [數 17] b :--1-- (17) 總言之,與第一實施型態相n _ , 相冋’積存於液體注入部A2之 功能液滴L2之壓力Pa與流出至 至液體流動部A1之功能液滴 L1之壓力P!,係於穩定狀態垃你 ^ …勺衡。P1 = p2,液體注入部A2 104817.doc 34 1284568 之短徑m與長徑…個主直徑之調和平均宜為液體流動部 A1之線寬b之2倍以下,特別適宜的是2倍。 於如以上之第二實施型態,獲得如其次之效果。 • (5)即使液體注入部A2之形狀為橢圓,於液體注入部八2 • 滴下之力月b液滴L2與流出至液體流動部A1之功能液滴L1 之關係係、與第一貫施型態大致相同,因此可獲得相同效 果。 _ (第三實施型態) 其次’說明有關本發明之第三實施型態'。第三實施型態 之不同在於,前述第-實施型態及第二實施型態之液體注 入部A2為正方形形狀。 再者,與前述[實施型態及第二實施型態相同之零件 及具有相同機能之零件係標示同—記號,並省略說明。 圖8為作為第三實施型態之薄膜圖案形成方法之概念圖。 如圖8⑷所示,此薄膜圖㈣構成為,於基板?上形成岸 • 堤B時,關於藉由岸堤B所區劃之線狀區域A,液體注入部 A2為正方形形狀。而且構成為,液體注入部A2之一邊長度 κ相對於液體流動部A1之寬度b,至少為2倍以下之寬度。 如圖8(b)所示構成為,在由形成於基板p上之岸堤b所區 - 劃之線狀區域A,配置功能液L。於滴下之功能液l正要擴 • 散至液體注入部A2之範圍時,由於表面張力而欲安定之力 發揮作用,此液滴之表面呈現半球狀(參考圖6(c))。 在此,於功能液L充滿液體注入部A2之前,此功能液^從 液體注入部A2沿著液體流動部八〗之長度方向流出,積存於 104817.doc -35· 1284568 液體流動部A1。積存於此液體流動部A1之功能液L·成為大 致魚糕形(大致半圓柱)之形狀(參考圖6(d))。 總言之,與第一實施型態相同,積存於液體注入部八2之 功能液滴L2之壓力P2與流出至液體流動部A1之功能液滴 L1之塵力,係於穩定狀態均衡。p】=,從=r〗(參考 式(3 )),液體注入部A2之一邊長度κ與液體流動部A丨之線寬 b之差距宜為2倍以下,特別適宜的是2倍。 於如以上之第三實施型態,獲得如其次之效果。 (6)即使液體注入部A2之形狀為正方形,積存於液體注入 邰A2之功肖b液滴L2與流出至液體流動部a 1之功能液滴l 1 之關係,係與第一實施型態大致相同,因此可獲得相同效 果。 <光電裝置> 說明有關本發明之光電裝置之一例之液晶顯示裝置。圖 10係關於本實施型態之液晶顯示裝置,從與各構成要素一 同表示之對向基板側所見之平面圖;圖丨丨係沿著圖1〇之 H-H’線之剖面圖。圖12係於液晶顯示裝置之圖像顯示區域 之形成為矩陣狀之複數像素之各種元件、布線等之等價電 路圖;圖13為液晶顯示裝置之部分放大剖面圖。再者,於 以下說明所採用之各圖,為了使各詹或各構件為圖式上可 辨識程度之大小,針對各層或各構件改變比例尺。 於圖10及圖11,本實施型態之液晶顯示裝置(光電裝 置)1〇〇係藉由光硬化性之密封材料之密封材料52,貼合成 對之TFT陣列基板1G及對向基板2(),液晶5()封人並保持於藉 104817.doc -36 - 1284568 由此密封材料52所區劃之區域内。密封材料52係形成在基 板面内之區域封閉之框狀。 於密封材料52之形成區域之内側區域,形成遮光性材料 所組成之周邊界線53。於密封材料52之外側區域,資料線 馬區動電路201及安裝端子202係沿著TFT陣列基板10之一邊 而开> 成,沿著鄰接於此一邊之2邊,形成掃描線驅動電路 204。於TFT陣列基板1〇剩下之一邊,設置複數布線2〇5,用 以連接設於圖像顯示區域兩側之掃描線驅動電路204之 間。又’於對向基板20之角落部之至少一處,配設基板間 導通材料206,用以在TFT陣列基板1〇與對向基板2〇之間, 取得電性導通。
再者,用以取代於TFT陣列基板10上,形成資料線驅動 電路201及掃描線驅動電路204,亦可例如:經由各向異性 導電膜,電性及機械地連接安裝有驅動用LSI之TAB(Tape Automated · Bonding :捲帶式自動接合)基板,及形成於TFT 陣列基板10之周邊部之端子群。再者,於液晶顯示裝置 1 00,因應使用之液晶50之種類,亦即TN(扭轉向列)模式、 STN(超扭轉向列)模式等動作模式,或常亮/常暗模式之類 別’相位差板、偏光板等配置於特定方向,但在此省略圖 不。又,將液晶顯示裝置100作為彩色顯示用而構成之情 況,於對向基板20,在對向於TFT陣列基板10之後述之各像 素電極之區域,例如:紅(R)、綠(G)、藍(B)之彩色濾光器 係與其保護膜一同形成。 於具有此構造之液晶顯示裝置100之圖像顯示區域,如圖 104817.doc •37· 1284568 12所不,複數像素1〇〇a構成為矩陣狀,並且於此等像素1⑽& 之各個,形成像素開關用之TFT(開關元件)3〇,供給像素信 唬SI、S2、…、Sn之資料線6&係電性連接於71?丁3〇之源極。 寫入於資料線6a之像素信號S1、S2、…、Sn亦可以此順序 依序供給,或對於相鄰接之複數資料線以彼此,針對各群 進行供給。又,掃描線3&電性連接於71?丁3〇之閘極,於特定 時序,將掃描信號G1、G2、."、Gm以此順序,按照線順序 脈衝式地施加於掃描線3&而構成。 像素電極19電性連接於TFT3〇之汲極,藉由僅將開關元 件之TFT30,僅於一定期間為開啟狀態,以便將從資料線q 所供給之像素信號S1、S2、…、Sn,以特定時序寫入於各 像素。如此,經由像素電極丨9而寫入於液晶之特定位準之 像素信號SI、S2、…、Sn,係於圖11所示之對向基板2〇之 對向電極121之間保持一定期間。再者,為了防止所保持之 像素信號SI、S2、…、Sn漏洩,與形成於像素電極19與對 向電極12 1之間之液晶電容,並聯地附加有儲存電容。例 如:像素電極19之電壓係藉由儲存電容60,保持僅比源極 電壓之施加時間長3位數之時間。藉此,改善電荷之保持特 性,可實現對比率高之液晶顯示裝置1 〇〇。 圖13係具有底閘型TFT30之液晶顯示裝置1〇〇之部分放 大剖面圖,於構成TFT陣列基板10之玻璃基板p,藉由上述 實施型態之電路布線形成方法,於玻璃基板P上之岸堤B、 B間,形成閘極布線61。 於閘極布線6 1上,經由SiNx所組成之閘極絕緣膜62,層 104817.doc -38- 1284568 疊有非晶石夕(a-si)層所組成之半導體層63。對向於此間極布 、、复P刀之半導體層63之部分,成為通道區域。於半導體声 63上,層豐為了取得歐姆接合之例如·· n+型a-Si層所組成 之接合層64a及64b,於通道區域之中央部之半導體層〇 上,形成為了保護通道之SiNx所組成之絕緣性蝕刻停止膜 65。再者,此等閘極絕緣膜62、半導體層63及蝕刻停止膜 65係於蒸鍍(CVD)後,施加光阻塗布、感光•顯影、光蝕刻, 以便如圖示地進行圖案化。 並且,接合層64a、64b&IT〇所組成之像素電極Η,亦同 樣地成膜,並且施加光蝕刻,以便如圖示地進行圖案化。 而且,於像素電極19、閘極絕緣膜62及蝕刻停止膜65上, 分別突設岸堤66…,於此等岸堤66••之間,採用上述液滴 吐出襞置IJ吐出銀化合物之液滴,而可形成源極線、汲極 線。 再者,於上述實施型態,構成上係採用TFT3〇,以作為 用以驅動液晶顯示裝置100之開關元件,但除了液晶顯示裝 置以外,亦可應用於例如:有機EL(電致發光)顯示裝置。 有機EL顯示裝置係具有以陰極及陽極,夾住含有螢光性之 無機及有機化合物之薄膜之構成,藉由將電子及電洞(h〇ie) 庄入於前述薄膜,使其再結合,以便產生激子(exch〇n), 利用此激子失活時之放光(螢光、燐光)而使其發光之元件。 而且,於具有上述TFT30之基板上,將在有機EL^M示元件 之螢光性材料中之呈現紅、綠及藍色之各發光色之材料, 亦即形成發光層形成材料,及形成電洞注入及/或電子輸送 1048l7.doc -39- !284568 θ之材料作為墨水,將各個進行圖案化,以便可製造自發 光王彩EL裝置。本發明之裝置(光電裝置)之範圍,亦包含 此類有機EL裝置。 作為其他實施例,說明有關非接觸型卡片媒體之實施型 心如圖14所示,關於本實施型態之非接觸型卡片媒體(電 子機器)400係於卡片基體4〇2及卡片蓋418所組成之框體 内,内置半導體積體電路晶片408及天線電路412,藉由未 圖示之外部收發信機及電磁波或靜電電容結合之至少一 方,進行供電或資料收授之至少一方。於本實施型態,上 述天線電路412係藉由關於上述實施型態之布線圖案形成 方法所形成。 再者,作為本發明之裝置(光電裝置),除了以上,亦可 L用於表面傳導型電子放出元件等,其係藉由在PDp(電漿 ·、、、員示器面板)或形成於基板上之小面積之薄膜,使電流平行 於膜面而流入,以便產生電子放出之現象者。 <電子機器> δ兒明有關本發明之電子機器之具體例。 圖15(勾係表示行動電話之一例之立體圖。於圖15(a),6〇〇 表Π丁動電活本體,6G1表示具備上述實施型態之液晶顯示 裝置之液晶顯示部。 圖b(b)係表示文字處理機、個人電腦等攜帶型資訊處理 裝置之—例之立體圖。於圖1 5(b),7〇〇為資訊處理裝置,7〇】 為鍵,等輸入部,703為資訊處理本體,702為具備上述實 施型恶之液晶顯示裝置之液晶顯示部。 104817.doc -40- 1284568 圖15(c)係表示手錶型電 如 子機态之一例之立體圖。於圖 15(c) ’ 800表示時鐘本體一 〇係表示上述實施型態之液晶 、貝不4置之液晶顯示部。 圖15(a)〜(c)所示之電子機 1 一 戍态具備别述貫施型態之液晶顯 不、具有良好地細線化之布線圖案。 再者,本實施型態之電子機 為具備有機電致發光顯示裝置 電裝置之電子機器。 器係具備液晶裝置,但亦可 、電漿型顯示裝置等其他光 則述貫施型態’可達成本發明之 良等係包含於本發明。於以下表 再者,本發明不限定於 目的之範圍内之變形、改 示變形例。 (變形例1)於第—實施型態〜第三實施型態,說明形成岸 疋對此岸立疋賦予防液性,但本發明不限於此。例如·沒 有岸堤料。例如:於基板施加表面處理,於布線圖荦形 成預定區域施加親液化處理,於其他部分施加防液化處 理’於此親液化處理部分配置含有導電性微粒之墨水或有 機銀化合物亦可。 如此的話,可形成所需之布線圖案。 、(變形例2)於第—實施型態〜第三實施型態,薄膜圖案為 V電!·生膜而構成’但本發明不限於此。例如:於液晶顯示 咸置Φ可適用於將顯示圖像彩色化所使用之彩色遽光 器。此彩色濾光器係可對於基板,將R(紅)、g(綠)、B(藍) 之墨水(液體材料)作為液滴,以特定圖帛配置而形成,但對 於基板形成因應特定圖案之岸堤,對於此岸堤賦予防液性 104817.doc 41 1284568 之後’配置墨水而形成彩色濾光器亦可。 士此的话’可製造具有高性能之彩色濾光器之液晶顯示 裝置。 、(文%例3)如於第一實施型態〜第三實施型態所說明,於 ''主入邛A2之周圍設置岸堤而構成,但本發明不限於 例如·不設置岸堤而形成液體注入部A2及液體流動部 A1亦可。 • 如此的話,即使沒有岸堤,於液體注入部A2滴下之液體 之接觸角Θ2與於液體流動部八丨滴下之液體之接觸角h,係 如述第一實施型態相同之關係成立,因此可獲得與第一 貫施型態〜第二貫施型態同樣之效果。 (變形例4)如於第一實施型態〜第三實施型態所說明,對 於液體注入部A2儘可能供給大量之液體(接近最大液體填 充里)’但本發明不限於此。例如:供給至液體注入部Μ 之液體量並非最大液體填充量附近亦可。 • 如此的話,於液體注入部A2滴下之液體係緩慢地填充於 以岸堤B所包圍之區域,因此不會從岸堤b溢出。 (變形例5)如於第一實施型態〜第三實施型態所說明,液 體注入部A2之形狀不限定於圓形或橢圓形狀。例如:大致 • 等向形狀係不限於圓形,正方形、正五角形、正六角形、 . 正八角形、正十二角形等正多角形、長徑與短徑大致相等 之橢圓形狀(可視為大致圓形之形狀)亦可。又,異向形狀不 限於橢圓形狀,長方形、菱形亦可。總之,液體注入部A2 為大致等向形狀之情況,只要是其寬度為液體流動部…之 】04817.doc -42- 1284568 線寬之2倍以下之形狀即可,另一方面,異向形狀之情況, 只要是其平均直徑為液體流動部A1之線寬之2倍以下之开) 狀即可。 • 如此的話,於液體注入部A2滴下之液體之接觸角與於 . 液體流動部A1滴下之液體之接觸角Θ i,係與前述第一實施 型態相同之關係成立,因此可獲得與第一實施型態〜第三實 施型態同樣之效果。 • 又,以上述貫施型態及變形例所掌握之技術思想係如下。 (技術思想1)一種薄膜圖案基板,其特徵在於:於凹設於 基板之區域,形成有薄膜圖案;前述凹設之區域具備:液 體注入部,其係注入有前述薄膜圖案之乾燥前材料之功能 液者,及線狀之液體流動部,其係注入於前述液體注入部 之前述功能液可流入,並連接於前述液體注入部者;前述 液體注入部之平均直徑設定為前述液體流動部之線寬之2 倍以下。 φ 若製作成此構成,由於液體注入部A2之寬度d設定為液體 流動部A1之娘寬b之2倍以下,因此於液體注入部A2滴下之 液體之接觸角Θ2與於液體流動部a 1滴下之液體之接觸角 Θ!,係與前述第一實施型態相同之關係成立,因此可獲得 - 與第一實施型態〜第三實施型態同樣之效果。 • (技術思想2)一種薄膜圖案基板,其特徵在於:於凹設於 基板之£域’形成有薄膜圖案;前述凹設之區域具備:液 體注入部,其係注入有前述薄膜圖案之乾燥前材料之功能 液者;及線狀之液體流動部,其係注入於前述液體注入部 104817.doc •43- 1284568 之前述功能液可流入,並連接於前述液體注入部者;前述 液體注入部係在不同方向具有直徑大致相等之大致等向形 狀;前述液體注入部之寬度設定為前述液體流動部之線寬 • 之2倍以下。 . 若製作成此構成,即使在不同方向,液體注入部A2之直 徑大致相等,由於液體注入部A2之寬度d設定為液體流動部 A1之線寬b之2倍以下,因此於液體注入部A2滴下之液體之 φ 接觸角θ2與於液體流動部A1滴下之液體之接觸角Θ〗,係與 前述第一實施型態相同之關係成立,因此可獲得與第一實 施型態〜第三實施型態同樣之效果。 (技術思想3)—種薄膜圖案基板,其特徵在於:於凹設於 基板之區域,形成有薄膜圖案;前述凹設之區域具備:液 體注入部,其係注入有前述薄膜圖案之乾燥前材料之功能 液者;及線狀之液體流動部,其係注入於前述液體注入部 之前述功能液可流入,並連接於前述液體注入部者;前述 φ 液體注入部係在不同方向具有直徑不同之異向形狀;前述 液體注入部之平均直徑設定為前述液體流動部之線寬之2 倍以下。 若製作成此構成,即使在不同方向,液體注入部A2為異 • 向形狀,由於液體注入部A2之寬度d設定為液體流動部A1 • 之線寬6之2倍以下,因此於液體注入部A2滴下之液體之接 觸角㊀2與於液體流動部A1滴下之液體之接觸角θι,係與前 述第一實施型態相同之關係成立,因此可獲得與第一實施 型態〜第三實施型態同樣之效果。 104817.doc -44- 1284568 【圖式簡單說明】 圖為液滴吐出裝置之概略立體圖。 圖2係用以說明藉由壓電方式之液體材 。 工出原理之 ”係表示薄臈圖案形成方法之流程圖。 圖4⑷〜(e)係表㈣膜圖案形成步驟之模式圖。 圖5(d)〜⑺係表示薄㈣案形成步驟之模式圖。 圖6係表示作為第一實施型態之 式圖;(a)為平面生丄 卡心成方法之模 (他功液滴^,(你功能液滴圖, )為功此液滴圖,⑷係表示接觸角之圖。 圖係表不作為第二實施型態之 、^ 圖,(a)為平面圖,(b)為功能液滴下圖。 、 圖8係表示作為第三實 4岡·,、从 灵她皂L之溥膜圖案形成方法之模 式圖’ U)為平面圖’ (b)為功能液滴下圖。 圖9係表W於殘料理㈣之電^理 圖。 圖10係從對向基板側觀看液晶顯示裝置之平面圖。 圖11係沿著圖10之h_h,線之剖面圖。 圖12為液晶顯示裝置之等價電路圖。 圖13為液晶顯示裝置之部分放大剖面圖。 圖14為非接觸型卡片媒體之分解立體圖。 圖15(a)〜(c)係表示電子機器之具體例之圖。 【主要元件符號說明】 ° 1 液滴吐出頭 104817.doc -45- 1284568 p 基板 θ θΐ θ2 L L1 L2 Β
A Α1 Α2 d b R2 Ri
P2 σ 接觸角 液體流動部之功能液滴之接觸角 液體注入部之功能液滴之接觸角 功能液 功能液滴 功能液滴 岸堤 線狀區域 液體流動部 液體注入部 液體注入部之線寬 液體流動部之線寬 液體注入部之液面曲率半徑 液體流動部之液面曲率半徑 於液體流動部滴下之功能液滴之壓力 於液體注入部滴下之功能液滴之壓力 表面張力 m 液體注入部為橢圓形狀之短徑長度 π 液體注入部為橢圓形狀之長徑長度 K 液體注入部為正方形之一邊長度 104817.doc •46-

Claims (1)

  1. l284S68635〇號專利申請案 %年/月"日修(勒正本 申請專利範圍替換本(96年1月) 十、申請專利範圍: 1· 一種薄膜圖案基板,於凹設於基板之區域,形成有薄膜 圖案,其特徵在於·· 前述凹設之區域具備:寬度相對較寬地形成之擴寬 部、及連接於前述擴寬部之線狀部; 前述擴寬部之平均直徑設定為前述線狀部之線寬之2 倍以下。 2·如請求項1之薄膜圖案基板,其中 I 前述擴寬部係在不同方向具有直徑大致相等之大致等 向形狀; 前述擴寬部之寬度設定為前述線狀部之線寬之2倍以 下。 3·如請求項1之薄膜圖案基板,其中 前述擴寬部係在不同方向具有直徑不同之異向形狀; 前述擴寬部之平均直徑設定為前述線狀部之線寬之2 倍以下。 t 4·如請求項1或2之薄膜圖案基板,其中 刚述擴寬部之大致等向形狀為大致圓形狀。 5·如請求項1或3之薄膜圖案基板,其中 前述擴寬部之異向形狀為橢圓形狀;前述擴寬部之長 徑及短徑之調和平均係設定為前述線狀部之線寬之2供 以下。 6·如請求項1或2之薄膜圖案基板,其中 前述擴寬部係注入有前述薄膜圖案之乾燥前材料之功 104817-960111.doc !284568 能液之液體注入部; 义前述線狀部係注入於前述液體注入部之前述功能液可 机入、並連接於前述液體注人部之線狀之液體流動部。 7·如請求項1或2之薄膜圖案基板,其中 於則述基板形成岸堤部;前述岸堤部之内側形成於前 述凹設之區域。 8·如請求項1或2之薄膜圖案基板,其中 •前述岸堤部内側之前述凹設之區域為親液性部。 9.如請求項1或2之薄膜圖案基板,其中 藉由喷墨法將功能液注入於前述擴寬部。 !〇.如請求項1或2之薄膜圖案基板,其中 前述岸堤部内侧之前述凹設之區域為導電性圖案。 U· -種裝置之製造方法,於基板表面形成薄膜圖案而製造 裝置,其特徵在於:具備以下步驟: 形成擴寬部之步驟; • 於前述擴寬部,形成使功能液流動而連接配置之線狀 部之步驟; 於則述擴寬部注入前述功能液之步驟; 前述功能液從前述擴寬部流入於線狀部之步驟;及 將流入於前述線狀部之前述功能液乾燥而形成薄膜圖 案之乾燥步驟; ' 製作成前述擴寬部之線寬之平均直徑為前述線狀部之 線寬之2倍以下。 12· —種光電裝置,其特徵在於:具備具有如請求項丨至中 104817-960111.doc 1284568 任一項之薄膜圖案基板之裝置。 13. —種電子機器,其特徵在於:具備如請求項12之光電裝 置。
    104817-960111.doc
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