TWI276503B - Polishing pad having grooved window therein and method of forming the same - Google Patents

Polishing pad having grooved window therein and method of forming the same Download PDF

Info

Publication number
TWI276503B
TWI276503B TW093131761A TW93131761A TWI276503B TW I276503 B TWI276503 B TW I276503B TW 093131761 A TW093131761 A TW 093131761A TW 93131761 A TW93131761 A TW 93131761A TW I276503 B TWI276503 B TW I276503B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
groove
forming
polishing pad
light
window
Prior art date
Application number
TW093131761A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200520891A (en
Inventor
Wen-Chang Shih
Yung-Chung Chang
Min-Kuei Chu
Original Assignee
Iv Technologies Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Iv Technologies Co Ltd filed Critical Iv Technologies Co Ltd
Publication of TW200520891A publication Critical patent/TW200520891A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI276503B publication Critical patent/TWI276503B/zh

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11—Lapping tools
    • B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
    • B24B37/205—Lapping pads for working plane surfaces provided with a window for inspecting the surface of the work being lapped
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/005—Control means for lapping machines or devices
    • B24B37/013—Devices or means for detecting lapping completion
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11—Lapping tools
    • B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
    • B24B37/26—Lapping pads for working plane surfaces characterised by the shape of the lapping pad surface, e.g. grooved

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Description

1276503 10022twf.doc/006 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於一種研磨墊及其製造方法，且特別是 有關於一種透光視窗具有凹槽於其中的研磨墊以及其製造 方法。 八、 【先前技術】 終點偵測技術已經普遍使用於化學機械研磨（CMp) 上，以確保研磨品質，在這些技術之中，穿過作研磨墊中 的一個透明偵測部分的光學終點偵測可以提供可靠的結 果。 美國專利第5,893,796 5虎揭露一種在研磨塾中形成透 光視南的方法，係透過先在研磨層中形成一個孔洞，然後 將一個透光視窗用一層黏著劑固定在孔隙中。不幸的是研 漿溶液不可避免的會滲透穿過透光視窗/研磨層的介面而 洩漏到研磨墊的背面，特別是在研磨期間有壓力的影響 下，此時這會干擾光學訊號且因此終點偵測就會不準確。 美國專利第6,171，181號揭露一種研磨塾有一個完整 的透光視窗而沒有上述的研漿溶液洩漏的問題，但是此後 在有透光視窗的研磨墊上形成凹槽的製程期間，形成在透 光視窗區域中的凹槽也會跟形成在不是透光視窗區域中的 凹槽有同樣的凹槽深度，有凹槽於其上的透光視窗的不平 坦表面會導致較少的光穿透性，而得到較低的反射光學訊 號，這會降低終點偵測的敏感度。除此之外，被研磨的材 料與研漿以及研磨劑之間的反應會產生的副產物，累積在 透光視窗區域上的凹槽中的副產物會進一步造成終點判斷 1276503 10022twf.doc/006 困難，即使當研磨墊的使用期限還在規格範圍内。 透過機械技術，像是切割的方式，利用控制切割機器 ?^磨藝之_距離’也就是只讓切割卫具在透明區域1 ，高，可以只在研磨墊的無透光視窗區域上形成凹槽。但 要對準透光視窗區域的距離控制的穩定度是一項挑 戰’此外’在透明區域上沒有凹槽的研磨墊會有一些缺點， ^先，由有凹槽的無透明區域到無凹槽的透明^之凹槽 ^度差距會快雜高，當基底相對的跨過視窗部分移動時 曰造成-個缺陷源；再者’因為整個透明區域表面上缺乏 ，槽相對於無透光視窗的區域，透光視窗的區域上 =摩擦與差的可祕會導致透光視窗本身變成另一 I4曰源0 ▲可以預見假如研磨墊有一個透光視窗區域於苴中的 :戈=偵測可以正常運作，且在此時上述的雜可以減 【發明内容】 因此本發明是直接關於透光視窗 二種研雜观其製造方法，可以提供良好“ 2 果以及正常的終點判斷。 复中實施例，提供—種透光視窗具有凹槽於 窗於二磨墊’此研磨墊包括—個研磨層以及—個透光視 且有i:，2磨層具有至少―第―凹槽於其中，透光視窗 槽於其中，更特別的是第―凹槽比第二 根據本發明另一實施例，提供-種透光視窗具有凹槽 1276503 10022twf.doc/006 於其中的研磨墊之製造方法，一透光視窗會形成在一層研 磨層之中，之後在研磨層中形成至少一第一凹槽以及在透 光視窗中形成至少一第二凹槽，其中第一凹槽會比第二凹 槽深。 根據本發明一實施例，第二凹槽會形成在透光視窗 中，所以可以改進在透明步份區域處研漿的流動，另外因 為形成在透光視窗中的第二凹槽比形成在研磨層中的第一 凹槽淺，終點判斷會很準確。 【實施方式】 以下將參考圖示詳細說明本發明，可能的話圖示與敘 述中會用同樣的標號表不相同或相似的部分。 、 第1圖係根據本發明一實施例的一種具有一透光視窗 於其中的研磨墊之上視圖，第2圖係為第丨圖所示之研磨 墊結構沿著線段Ι-Γ的剖面圖。 如第1圖與第2圖所示，研磨墊100包括一個研磨層 101以及一個透光視窗1〇2於其中，更特別的是至少一 ^ 一凹槽104a與至少一第二凹槽104b會分別形成在研磨層 1〇1與透光視窗102中，用以改善研漿的流動，其中第二 凹槽104a會比第二凹槽104]3深；換句話說，形成在透光 視窗102中的第二四槽104b的深度(h2, h3)會比在研磨層 101中的第一凹槽l〇4a的深度(hl)淺。在本發明的實施& 中，在透光視窗102中的第二凹槽1〇牝的深度(h2, h3)合 f不同的深度，較適當的是第二凹槽1〇4b的深度形狀; =深度由透光視窗1〇2的邊緣區域往透光視窗1〇2的中心 區域逐漸減少，舉例來說，第二凹槽104b相對於在透^ 1276503 10022twf.doc/006 區域102的中心區域的深度h3，在透明區域搬的邊緣 區域會有一個較大的深度h2。 在本發明的實施例中，研磨層102會由一種聚合物材 料構成，舉例來說，聚合物材料係選自聚亞胺醋_ 氧樹醋、祕(PF)樹脂、I聚氰氨樹脂、熱固性樹脂以及 其組合其中之一，透光視窗102會是-個透明區域，比如 是用一種透明聚合物組成。 因此，本發明的研磨墊100包括一個呈有第一凹 1 甘於其中的研磨層101以及具有第二凹槽1心 =„1〇2’其中第一凹槽104at匕第二凹槽_ 冰’且在透光視窗Κ)2邊緣區域的第二凹槽1Q4b 透光視窗1G2的中心區域還要深，所^ 二凹槽中，⑽點麟會精確。 心^在第 形成研磨墊100的方法包括首先在研 =光視窗收，之後在研磨層1G1中形成至少 购:並在透光視窗1G2中形成至少—第二凹槽凹槽 =第-凹槽l〇4a比第二凹槽104b深。在日 例中，研磨墊101與透光視t 1〇2可用 ， 二=例來說，透光視窗逝會先放置在模具^ = ^ 聚a物注入到模具中以形成研磨層ωι，在 f爰將 後，就可以得到包括研磨層1〇1與 二拉，、以 100,另外，包括研麻M 4尤視102的研磨墊 树包括研磨層1〇1與透光視窗1〇 也可以用其他適當的已知方式形成。 ㈣磨塾100 ’形成研磨層】0〗與透光視们⑽ 凹槽购會形成在研磨層⑼中，而至少—第二至凹 1276503 10022twf.doc/006 會形成在透光視窗102中，在本發明的實施例中，如第3 圖所示，第一凹槽104a與第二凹槽l〇4b的形成可以透過 用一個吸盤裝置200吸住研磨墊100，其中吸盤裝置200 具有一個凹入處202對應於透光視窗102，所以在研磨層 1〇1中的透光視窗102會變形，吸盤裝置200比如可以是 一個真空吸盤裝置、靜電吸盤裝置或其他種類。之後，在 研磨層101中形成第一凹槽l〇4a，並在透光視窗1〇2中 形成第二凹槽l〇4b，形成第一凹槽l〇4a與第二凹槽l〇4b 的方法可以透過一道機械製程來進行，像是使用一種機械 切割工具250，或是透過一道化學製程來進行，像是化學 蝕刻或其他已知的製程。如第3圖所示，當研磨墊1〇〇被 吸在吸盤裝置200上時，變形的透光視窗1〇2的上表面會 存在一個凹陷的表面，因此當用機械切割工具250進行切 割製程時，形成在研磨墊101中的第一凹槽l〇4a會比形 成在透光視窗102中的第二凹槽l〇4b還要深，此外因為 當研磨墊100被吸在吸盤裝置200上時，變形的透光視窗 102的上表面會存在一個凹陷的表面，形成在透光視窗1〇2 中的第二凹槽l〇4b在透光視窗102的邊緣區域會有較大 的深度h2，而在透明區域1〇2的中間部分同時會有較小 的深度h3。 在本發明的另一實施例中，如第4圖所示，第一凹槽 104a與第二凹槽i〇4b的形成可以透過用一個吸盤裝置2〇〇 吸住研磨墊100，另外有一層支撐層204會放置在吸盤裝 置200與研磨墊100之間，更特別的是支撐層2〇4具有一 凹入部分206對應於透光視窗1〇2，所以在研磨層1〇1中 1276503 10022twf.doc/〇〇6 曰-個U Μ2會變形。同樣的，吸盤裝置2GG比如可以 :研磨二吸盤裝置、靜電吸盤裝置或其他種類。之後， 中带成中形成第—凹槽1G4a，並在透光視窗102 h —凹槽lG4b，形成第—凹槽lG4a與第二凹槽1〇4b 二甘、，或是透過一道化學製程來進行，像是化學 钱刻或其他已知的製程。 一 f本發明的另一實施例中，如第5A圖與第5B圖所 =^凹槽刚a與第二凹槽祕的形成是透過首先在 透先視固102的背面形成一個凹入區域208，如第5A圖 所二，接著用吸盤裝置200吸住研磨墊1〇〇，如第5B圖 所示，其中在研磨層1〇1中的透光視窗1〇2會因為透明1〇2 部分的背部凹入區域208而變形，同樣的吸盤裝置2〇〇比 如可以是一個真空吸盤裝置、靜電吸盤裝置或其他種類。 之後，在研磨層101中形成第一凹槽1〇4a，並在透光視 窗102中形成第二凹槽104b，以得到一個研磨墊100，其 中透光視窗102其背面有一個凹入區域2〇8，如第6A圖 所示。形成第一凹槽104a與第二凹槽1〇4b的方法可以透 過一道機械製程來進行，像是使用一種機械切割工具 250，或是透過一道化學製程來進行，像是化學蝕刻或其 他已知的製程。在本發明的一實施例中，在透光視窗1〇2 的背部中的凹入區域208會透過一道模造製程形成，舉例 來說’當用模造製程形成研磨層101與透光視窗1Q2時， 會將一種犧牲材料放置在模具中與透光視窗1〇2 一起，然 後接著將聚合物注入到模具中以形成研磨層1〇丨，在移開 1276503 10022twf.doc/006 模具以後，移除犧牲材料，就可以得到包括研磨層1〇1以 及背面有凹入區域208的透光視窗1〇2的一個完整單元。 在本發明的其他實施例中，透光視窗1〇2的背面的凹入區 域208可以透過一道模造製程來形成，使用的模具有一突 出部分對應於透光視窗位置，然後將聚合物注入到模具中 以形成研磨層101，在移開模具以後，就可以得到包括研 磨層101以及背面有凹入區域208的透光視窗的一個 研磨塾。 應該注意的是，在參考第5A圖、第5B圖與第6A 圖作說明的實施例中，在形成第一凹槽1〇4a與第'二凹槽 l〇4b之後，進行一道平坦製程，透過在研磨墊的背面上 的透光視窗102的凹入區域208處形成一種透明材料 600，以得到一個平坦的背部表面，如第6B圖所示。另 外，如第6C圖所示，平坦研磨墊背部表面的步驟可以透 過使用像是機械切割的一道機械製程來移除磨〇1 背面，以得到平坦的背部。 曰 ^根據前面所述，透過使透光視窗變形，可以在透光視 固中形成具有不同深度的至少一第二凹槽，特別是在透光 視窗的邊緣區域處的第二凹槽會比透明區域中心處的第二 凹槽深，更特別的是這樣的第二凹槽的深度狀態會由透光 視窗的邊緣區域往透光視窗的中心區域逐漸的減^，因此 研漿不會留滯在第二凹槽中，而終點判斷可以準確。 雖然本發明已以一較佳實施例揭露如上，然其並非用 以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本^明之精 神和範圍内，當可作各種之更動與潤飾，因此本^明之二 1276503 10022twf.doc/006 護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者 【圖式簡單說明】 =1 _根據本發明—實施例的—種具有—透光視窗 於其中的研磨墊之上視圖。 第2圖係為第i圖所不之研磨墊結構沿著線段u的 剖面圖。 凹掉=圖係ί據本發明—實關，在研磨墊中形成第一 凹槽/、第一凹槽的方法之剖面圖。 -凹係根據本發明另—實施例，在研練中形成第 凹槽與“槽的方法之剖面圖。 磨塾=與第5B圖係根據本發明另-實施例，在研 磨塾2成凹槽與第二凹槽的方法之剖面圖。 施㈣二L第6B圖以及第6C圖係根據本發明一實 轭例的一種研磨墊的剖面圖。 【圖式標記說明】 100 研磨墊 101研磨層 102透光視窗 l〇4a第一凹槽 104b第二凹槽 hi第一凹槽的深度 h2、h3第二凹槽的深度 200吸盤裝置 202吸盤裝置的凹入處 204 支撐層 12 1276503 10022twf.doc/006 250 機械切割工具 208 凹人區域 600 透明材料

Claims (1)

1276503 10022twf.doc/006 十、申請專利範圍： 1·一種研磨墊，包括·· 一研磨層，具有至少^一第槽於其中，以及 一透光視窗，放置在該研磨層中，其中該透光視窗具 有至少一第二凹槽於其中，而該第一凹槽會比該第二凹槽 深。 2·如申請專利範圍第1項所述之研磨墊，其中在該透 光視窗中的該第二凹槽具有不同深度。 3.如申請專利範圍第1項所述之研磨墊，其中在該透 光視窗的邊緣區域處的該第二凹槽會比在該透光視窗之中 心區域的還要深。 4·如申請專利範圍第3項所述之研磨墊，其中該第二 凹槽的深度會由該透光視窗之邊緣區域往該透光視窗之中 心區域逐漸減少。 5·如申請專利範圍第1項所述之研磨墊，其中該研磨 層包括一聚合物材料。 6·如申請專利範圍第1項所述之研磨墊，其中該透光 視固包括'一透明的聚合物。 7·如申請專利範圍第1項所述之研磨墊，其中該透光 視窗進一步包括在該透光視窗的背面有一凹入區域。 8·—種形成一研磨墊的方法，包括： 形成一透光視窗於一研磨層中；以及 形成至少一第一凹槽於該研磨層中以及至少一第二凹 槽於該透光視窗中，其中該第一凹槽會比該第二凹槽深。 9·如申請專利範圍第8項所述之形成一研磨墊的方 14 1276503 10022twf.doc/006 法’其中在該透光視窗之邊緣區域的該第二凹槽會比在該 透光視窗之中心區域的還要深。 10·如申請專利範圍第9項所述之形成一研磨墊的方 法’其中該第二凹槽的深度會由該透光視窗之邊緣區域往 該透光視窗之中心區域逐漸減少。 11·如申請專利範圍第8項所述之形成一研磨墊的方 法，其中形成該第一凹槽於該研磨層中以及該第二凹槽於 该透光視窗中的步驟包括進行一機械製程或一化學製程。 12·如申請專利範圍第8項所述之形成一研磨墊的方 法，其中在形成该苐一凹槽於該研磨層中以及該第二凹槽 於该透光視窗中的步驟之前，進一步包括： 用一吸盤裝置固定該研磨墊，其中該吸盤裝置具有一 凹入區域會對應該透光視窗，所以在該研磨層中的該透光 視窗會變形。 、13.如中請專職，12項賴之形成—研磨塾的方 法’其中該吸盤裝置包括—真空吸盤裝置或—靜電吸盤裝 14.如申請專利範圍第8項所述之形成—研磨塾的方 法:其中在形成該第-凹槽於該研磨層中以及該第二凹槽 於该透光視窗中的步驟之前，進一步包括· 曰 用一吸盤裝置固定該研磨墊，其中— 合 = 墊之間，而該切層 &對應§域切^ ’所以在該研磨層中㈣透光視窗會變 15.如申請專利範圍第14項所述切成—研磨塾的方 15 1276503 10022twf.doc/006 置或一靜電吸盤裝 法，其中該吸盤裝置包括一真空吸般 置。 皿、 法，^利範圍第8項所述之形成一研磨塾的方 該透光視窗中的步驟之前，進—步包=及以一m曰於 2成-凹人區域於該透光視窗之背部；以及 透光置固定該研磨墊，其中在該研磨層中的該 透先^會因為該透光視窗的背部陷入區域而變形。 本：月專利辜巳圍第16項所述之形成一研磨塾的方 :二二：ii透光視窗的背部形成該凹入區域的步驟包括 進灯械械製程或一化學製程。 請專鄕圍第16摘叙軸—研磨塾的方 而二」巧磨層與該透光視窗會用—模造製程來形成， 雜造製料，在該透光視窗的背部形成該凹入 ^窗雄巧會透過放置—犧牲材料與在—模具中之該透光 視_堆豐在一起。 n申請專利範圍第16項所述之形成〆研磨塾的方 ㈣磨層與該透光視窗會用—模造製程來形成， 二透光視窗的背部形成該凹入區域的步驟包括提供具 有一犬出部分對應於該透光視窗位置的一模具。 =·如^青專利範圍帛16項所述之形成-研磨墊的方 / ’ -中該吸盤裝置包括—真空吸盤裝置或—靜電吸盤裝 置。 21·如申4專利範圍帛10項所述之形成—研磨塾的方 '進步包括在形成該第一凹槽與該第二凹槽以後平坦 16 1276503 10022twf.doc/006 該研磨墊之背面的步驟。 22. 如申請專利範圍第21項所述之形成一研磨墊的方 法，其中平坦該研磨墊之背面的步驟包括在該凹入區域形 成一透明材料。 23. 如申請專利範圍第21項所述之形成一研磨墊的方 法，其中平坦該研磨墊之背面的步驟包括移除該研磨層之 背面。
TW093131761A 2003-10-22 2004-10-20 Polishing pad having grooved window therein and method of forming the same TWI276503B (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US51409203P 2003-10-22 2003-10-22
US10/949,048 US7258602B2 (en) 2003-10-22 2004-09-24 Polishing pad having grooved window therein and method of forming the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200520891A TW200520891A (en) 2005-07-01
TWI276503B true TWI276503B (en) 2007-03-21

Family

ID=34526946

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW093131761A TWI276503B (en) 2003-10-22 2004-10-20 Polishing pad having grooved window therein and method of forming the same

Country Status (3)

Country Link
US (1) US7258602B2 (zh)
CN (1) CN100344408C (zh)
TW (1) TWI276503B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWD208679S (zh) 2018-08-29 2020-12-11 日商荏原製作所股份有限公司 研磨墊之部分

Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8485862B2 (en) 2000-05-19 2013-07-16 Applied Materials, Inc. Polishing pad for endpoint detection and related methods
US20040209066A1 (en) * 2003-04-17 2004-10-21 Swisher Robert G. Polishing pad with window for planarization
US8032608B2 (en) * 2004-10-08 2011-10-04 Sharp Laboratories Of America, Inc. Methods and systems for imaging device notification access control
US7969596B2 (en) 2004-10-08 2011-06-28 Sharp Laboratories Of America, Inc. Methods and systems for imaging device document translation
US20060089093A1 (en) * 2004-10-27 2006-04-27 Swisher Robert G Polyurethane urea polishing pad
US20060089095A1 (en) * 2004-10-27 2006-04-27 Swisher Robert G Polyurethane urea polishing pad
JP2007118106A (ja) * 2005-10-26 2007-05-17 Toyo Tire & Rubber Co Ltd 研磨パッド及びその製造方法
US7942724B2 (en) * 2006-07-03 2011-05-17 Applied Materials, Inc. Polishing pad with window having multiple portions
US9180570B2 (en) 2008-03-14 2015-11-10 Nexplanar Corporation Grooved CMP pad
TWI449597B (zh) * 2008-07-09 2014-08-21 Iv Technologies Co Ltd 研磨墊及其製造方法
US8662957B2 (en) * 2009-06-30 2014-03-04 Applied Materials, Inc. Leak proof pad for CMP endpoint detection
TWI535527B (zh) * 2009-07-20 2016-06-01 智勝科技股份有限公司 研磨方法、研磨墊與研磨系統
US9017140B2 (en) 2010-01-13 2015-04-28 Nexplanar Corporation CMP pad with local area transparency
CN102133734B (zh) * 2010-01-21 2015-02-04 智胜科技股份有限公司 具有侦测窗的研磨垫及其制造方法
US9156124B2 (en) 2010-07-08 2015-10-13 Nexplanar Corporation Soft polishing pad for polishing a semiconductor substrate
JP5688466B2 (ja) * 2010-09-30 2015-03-25 ネクスプラナー コーポレイション 渦電流終点検出のための研磨パッド
US8657653B2 (en) * 2010-09-30 2014-02-25 Nexplanar Corporation Homogeneous polishing pad for eddy current end-point detection
US9211628B2 (en) * 2011-01-26 2015-12-15 Nexplanar Corporation Polishing pad with concentric or approximately concentric polygon groove pattern
US9064806B1 (en) 2014-03-28 2015-06-23 Rohm and Haas Electronics Materials CMP Holdings, Inc. Soft and conditionable chemical mechanical polishing pad with window
US9259820B2 (en) 2014-03-28 2016-02-16 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing pad with polishing layer and window
US9216489B2 (en) 2014-03-28 2015-12-22 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing pad with endpoint detection window
US9314897B2 (en) 2014-04-29 2016-04-19 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing pad with endpoint detection window
US9333620B2 (en) 2014-04-29 2016-05-10 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing pad with clear endpoint detection window
US9475168B2 (en) * 2015-03-26 2016-10-25 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Polishing pad window
JP7012454B2 (ja) * 2017-04-27 2022-01-28 株式会社岡本工作機械製作所 静電吸着チャックの製造方法並びに半導体装置の製造方法
US11633830B2 (en) 2020-06-24 2023-04-25 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. CMP polishing pad with uniform window
US20220203495A1 (en) 2020-12-29 2022-06-30 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Cmp polishing pad with window having transparency at low wavelengths and material useful in such window
WO2022159810A1 (en) * 2021-01-25 2022-07-28 Cmc Materials, Inc. Endpoint window with controlled texture surface
CN112959232A (zh) * 2021-02-24 2021-06-15 合肥铨得合半导体有限责任公司 一种利用真空吸力控制研磨垫沟槽的切削方法
CN113246015B (zh) * 2021-05-25 2022-09-20 万华化学集团电子材料有限公司 具有终点检测窗的抛光垫及其应用
CN114700869A (zh) * 2022-04-14 2022-07-05 上海华力集成电路制造有限公司 一种判断抛光垫损耗程度及寿命的系统及使用方法

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5433651A (en) * 1993-12-22 1995-07-18 International Business Machines Corporation In-situ endpoint detection and process monitoring method and apparatus for chemical-mechanical polishing
US5893796A (en) * 1995-03-28 1999-04-13 Applied Materials, Inc. Forming a transparent window in a polishing pad for a chemical mechanical polishing apparatus
US6093651A (en) * 1997-12-23 2000-07-25 Intel Corporation Polish pad with non-uniform groove depth to improve wafer polish rate uniformity
US6287174B1 (en) * 1999-02-05 2001-09-11 Rodel Holdings Inc. Polishing pad and method of use thereof
KR100435246B1 (ko) * 1999-03-31 2004-06-11 가부시키가이샤 니콘 연마체, 연마장치, 연마장치의 조정방법, 연마막 두께또는 연마종점의 측정방법, 및 반도체 디바이스의 제조방법
US6171181B1 (en) * 1999-08-17 2001-01-09 Rodel Holdings, Inc. Molded polishing pad having integral window
US8485862B2 (en) 2000-05-19 2013-07-16 Applied Materials, Inc. Polishing pad for endpoint detection and related methods
JP2002001647A (ja) * 2000-06-19 2002-01-08 Rodel Nitta Co 研磨パッド
US6340325B1 (en) * 2000-06-29 2002-01-22 International Business Machines Corporation Polishing pad grooving method and apparatus
US6386962B1 (en) * 2000-06-30 2002-05-14 Lam Research Corporation Wafer carrier with groove for decoupling retainer ring from water
US6641470B1 (en) * 2001-03-30 2003-11-04 Lam Research Corporation Apparatus for accurate endpoint detection in supported polishing pads
EP1252973B1 (en) * 2001-04-25 2008-09-10 JSR Corporation Polishing pad for a semiconductor wafer which has light transmitting properties
JP2003133270A (ja) * 2001-10-26 2003-05-09 Jsr Corp 化学機械研磨用窓材及び研磨パッド
US6688945B2 (en) * 2002-03-25 2004-02-10 Macronix International Co. Ltd. CMP endpoint detection system
JP2003300150A (ja) * 2002-04-03 2003-10-21 Sony Corp 研磨パッド、研磨装置および研磨方法
US6752690B1 (en) * 2002-06-12 2004-06-22 Clinton O. Fruitman Method of making polishing pad for planarization of semiconductor wafers
US7195539B2 (en) * 2003-09-19 2007-03-27 Cabot Microelectronics Coporation Polishing pad with recessed window

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWD208679S (zh) 2018-08-29 2020-12-11 日商荏原製作所股份有限公司 研磨墊之部分

Also Published As

Publication number Publication date
US7258602B2 (en) 2007-08-21
US20050090187A1 (en) 2005-04-28
CN100344408C (zh) 2007-10-24
CN1608801A (zh) 2005-04-27
TW200520891A (en) 2005-07-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI276503B (en) Polishing pad having grooved window therein and method of forming the same
CN1265439C (zh) 具有改良局部平整度的半导体晶片及其制造方法
KR100542850B1 (ko) 반도체 장치의 제조 방법
KR101307929B1 (ko) 접합기판의 제조방법
JP5571409B2 (ja) 半導体装置の製造方法
EP0774776B1 (en) Process for recovering substrates
KR100852811B1 (ko) 반도체 장치의 제조 방법
CN1768285A (zh) 具有高伸出光纤的插芯组件及相关的制造方法
TWI396602B (zh) 具有偵測窗之研磨墊的製造方法及具有偵測窗之研磨墊
US6565416B2 (en) Laser interferometry endpoint detection with windowless polishing pad for chemical mechanical polishing process
CN104440497A (zh) 一种用于手机面板弧面的抛光装置及抛光方法
KR20120109536A (ko) 화학적 기계적 연마를 이용하여 반도체 웨이퍼의 가장자리 면취 방법 및 장치
CN105160337A (zh) 玻璃外盖板的制作方法
US11780057B2 (en) Polishing pad and method for producing same
KR101889081B1 (ko) 연마패드 및 이의 제조방법
US9105465B2 (en) Wafer edge conditioning for thinned wafers
US20170040285A1 (en) Wafer planarization method
JP2000319030A (ja) ガラス基板の作成方法
KR20210002857A (ko) 잔해물 저장부를 갖는 연마패드 및 반도체 소자의 제조방법
EP3452252B1 (fr) Faconnage de verre apres trempe
JP7540929B2 (ja) 研磨パッド及び研磨パッドの製造方法
CN107632364A (zh) 一种镜片粘合工艺
KR20040080274A (ko) 건식 식각과 이면 연마를 이용한 웨이퍼 다이싱 방법
CN116153763A (zh) 晶圆键合结构及其修边方法
CN116246939A (zh) 一种晶圆处理方法